JPH06350183A - 光導波路結晶およびその製造法 - Google Patents
光導波路結晶およびその製造法Info
- Publication number
- JPH06350183A JPH06350183A JP13754293A JP13754293A JPH06350183A JP H06350183 A JPH06350183 A JP H06350183A JP 13754293 A JP13754293 A JP 13754293A JP 13754293 A JP13754293 A JP 13754293A JP H06350183 A JPH06350183 A JP H06350183A
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- JP
- Japan
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- crystal
- optical waveguide
- ions
- dimensional
- ion implantation
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Abstract
(57)【要約】
【構成】レーザー活性イオンとしてＥｒ3+又はＰｒ3+を
含んだ、組成式ＡＢxＬｎ1-xＡｌＯ4 （Ａ：Ｃａ2+又は
Ｓｒ2+、Ｂ：Ｅｒ3+又はＰｒ3+、Ｌｎ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、
Ｌａ3+から選ばれる一種、ｘ：０．００１≦ｘ≦０．
２）で表されるペロブスカイト型結晶で、表面から深さ
方向に他の部分と屈折率の異なる２次元光導波路を形成
したペロブスカイト型光導波路結晶 【効果】この構成のペロブスカイト光導波路結晶は、レ
ーザー発振効率が高く、小型の近赤外域波長可変レーザ
ー、アップコンバージョンレーザー、光増幅素子として
利用できる。
含んだ、組成式ＡＢxＬｎ1-xＡｌＯ4 （Ａ：Ｃａ2+又は
Ｓｒ2+、Ｂ：Ｅｒ3+又はＰｒ3+、Ｌｎ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、
Ｌａ3+から選ばれる一種、ｘ：０．００１≦ｘ≦０．
２）で表されるペロブスカイト型結晶で、表面から深さ
方向に他の部分と屈折率の異なる２次元光導波路を形成
したペロブスカイト型光導波路結晶 【効果】この構成のペロブスカイト光導波路結晶は、レ
ーザー発振効率が高く、小型の近赤外域波長可変レーザ
ー、アップコンバージョンレーザー、光増幅素子として
利用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光材料として有用で
あり又、光計測、光情報処理、光医療、光プロセッシン
グ等コヒーレント光を利用する分野において、各種光デ
バイス、例えばレーザー素子、光増幅素子の小型、高効
率化さらにファイバーとのカップリングに有効なエルビ
ウム又はプラセオジウムドープペロブスカイト光導波路
結晶およびその製造方法に関する。
あり又、光計測、光情報処理、光医療、光プロセッシン
グ等コヒーレント光を利用する分野において、各種光デ
バイス、例えばレーザー素子、光増幅素子の小型、高効
率化さらにファイバーとのカップリングに有効なエルビ
ウム又はプラセオジウムドープペロブスカイト光導波路
結晶およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光導波路結晶としてはレーザー用
半導体が知られている。また、非半導体では、例えば、
イオン交換法を利用した光導波路を形成したものとして
Ｎｄを添加したＬｉＮｄＯ3 導波路結晶、ＫＴｉＯＰＯ
4 結晶などが知られている。
半導体が知られている。また、非半導体では、例えば、
イオン交換法を利用した光導波路を形成したものとして
Ｎｄを添加したＬｉＮｄＯ3 導波路結晶、ＫＴｉＯＰＯ
4 結晶などが知られている。
【０００３】スパッタ法により薄膜光導波路を形成した
ものは、ＮｄあるいはＣｒを添加したＹ3 Ｇａ5 Ｏ
12（M.YAMAGA et al、Japanese Journal of Applied Ph
ysics.23,312(1984)、Journal of Luminesence 39,335
(1988))が知られている。又、イオン注入により光導波
路を作成したものはＨｅ+ イオン注入によるＮｄ：Ｙ3
Ａｌ5 Ｏ12（S.J.Field et al,IEEE Journal of QUANTU
M Electoronics 27,423(1991) 、P.J.Chandler et al,
Nuclear Instruments and Methods in Physics Researc
h B59/60,1223(1991))、Ｈｅ+ イオン注入によるＫＮｂ
Ｏ3 (D.Flick et al,Applied Physics Letter 59,3213
(1991))、Ｃ+ イオン注入によるサファイア( P.D.Towns
end et al,ElectronicsLetter 26,1193(1990)) 等が知
られている。
ものは、ＮｄあるいはＣｒを添加したＹ3 Ｇａ5 Ｏ
12（M.YAMAGA et al、Japanese Journal of Applied Ph
ysics.23,312(1984)、Journal of Luminesence 39,335
(1988))が知られている。又、イオン注入により光導波
路を作成したものはＨｅ+ イオン注入によるＮｄ：Ｙ3
Ａｌ5 Ｏ12（S.J.Field et al,IEEE Journal of QUANTU
M Electoronics 27,423(1991) 、P.J.Chandler et al,
Nuclear Instruments and Methods in Physics Researc
h B59/60,1223(1991))、Ｈｅ+ イオン注入によるＫＮｂ
Ｏ3 (D.Flick et al,Applied Physics Letter 59,3213
(1991))、Ｃ+ イオン注入によるサファイア( P.D.Towns
end et al,ElectronicsLetter 26,1193(1990)) 等が知
られている。
【０００４】又、波長可変レーザー結晶であるＴｉドー
プサファイア結晶にＨｅ+ 又はＢ+ イオンを注入すること
によって２次元あるいは３次元光導波路を形成したいわ
ゆるチタンサファイア光導波路結晶は提案されている
（N.Kodama et al 特願平 5-92329）。
プサファイア結晶にＨｅ+ 又はＢ+ イオンを注入すること
によって２次元あるいは３次元光導波路を形成したいわ
ゆるチタンサファイア光導波路結晶は提案されている
（N.Kodama et al 特願平 5-92329）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、近赤外域
（１５００〜１６５０nm）で波長可変レーザー発振材料
として又はアップコンバージョンレーザーとして有用な
Ｅｒドープペロブスカイト単結晶および、１０５０〜１
２００nmでレーザー発振材料として又はアップコンバー
ジョンレーザーとして有用なＰｒドープペロブスカイ単
結晶で、素子の小型化、レーザー発振効率の高効率化が
可能な光導波路を有する結晶及びその製造法を提供する
ことを目的とするものある。
（１５００〜１６５０nm）で波長可変レーザー発振材料
として又はアップコンバージョンレーザーとして有用な
Ｅｒドープペロブスカイト単結晶および、１０５０〜１
２００nmでレーザー発振材料として又はアップコンバー
ジョンレーザーとして有用なＰｒドープペロブスカイ単
結晶で、素子の小型化、レーザー発振効率の高効率化が
可能な光導波路を有する結晶及びその製造法を提供する
ことを目的とするものある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記した
目的を達成するために種々の検討を重ねた結果、Ｅｒ又
はＰｒドープペロブスカイト単結晶の表面に、入射エネ
ルギーを１ＭｅＶ以上で変化させてＨｅ+ イオン、Ｂ+
イオン又はＣ+ イオンを注入することにより結晶表面か
らある程度の深さ範囲内で、ある厚さの屈折率の小さい
損傷層を形成すると、損傷層と最表層との間に挟まれた
層部分に光が閉じ込められること、又、単結晶面にフォ
トレジストでマスクパターンを形成し、さらにイオン注
入マスクとしてＰｔ、及びＰｔ粘着を防ぐための下地層
としてＡｌ膜をつけ、上記イオンを注入することにより
深さの異なる屈折率の小さい損傷層を形成すると、深さ
と幅を持つチャンネル型の３次層内に光が閉じ込められ
ることを見出だした。
目的を達成するために種々の検討を重ねた結果、Ｅｒ又
はＰｒドープペロブスカイト単結晶の表面に、入射エネ
ルギーを１ＭｅＶ以上で変化させてＨｅ+ イオン、Ｂ+
イオン又はＣ+ イオンを注入することにより結晶表面か
らある程度の深さ範囲内で、ある厚さの屈折率の小さい
損傷層を形成すると、損傷層と最表層との間に挟まれた
層部分に光が閉じ込められること、又、単結晶面にフォ
トレジストでマスクパターンを形成し、さらにイオン注
入マスクとしてＰｔ、及びＰｔ粘着を防ぐための下地層
としてＡｌ膜をつけ、上記イオンを注入することにより
深さの異なる屈折率の小さい損傷層を形成すると、深さ
と幅を持つチャンネル型の３次層内に光が閉じ込められ
ることを見出だした。
【０００７】即ち本発明は、レーザー活性イオンとして
Ｅｒ3+又はＰｒ3+を含んだ、組成式ＡＢxＬｎ1-xＡｌＯ
4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：Ｅｒ3+又はＰｒ3+、Ｌ
ｎ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌａ3+から選ばれる一種、ｘ：０．
００１≦ｘ≦０．２）で表されるペロブスカイト型結晶
で、表面から深さ方向又は深さ方向と面方向に他の部分
と屈折率の異なる２次元又は３次元光導波路を形成した
ペロブスカイト型光導波路結晶に関するものである。
Ｅｒ3+又はＰｒ3+を含んだ、組成式ＡＢxＬｎ1-xＡｌＯ
4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：Ｅｒ3+又はＰｒ3+、Ｌ
ｎ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌａ3+から選ばれる一種、ｘ：０．
００１≦ｘ≦０．２）で表されるペロブスカイト型結晶
で、表面から深さ方向又は深さ方向と面方向に他の部分
と屈折率の異なる２次元又は３次元光導波路を形成した
ペロブスカイト型光導波路結晶に関するものである。
【０００８】次に本発明を詳細に説明する。本発明で用
いるＥｒ又はＰｒドープペロブスカイト単結晶は、組成
式ＡＢxＬｎ1-xＡｌＯ4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：
Ｅｒ3+又はＰｒ3+、Ｌｎ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌａ3+から選
ばれる一種、ｘ：０．００１≦ｘ≦０．２）で表され、
４００〜６００nmの可視域で発光する通常の板状の結晶
である。
いるＥｒ又はＰｒドープペロブスカイト単結晶は、組成
式ＡＢxＬｎ1-xＡｌＯ4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：
Ｅｒ3+又はＰｒ3+、Ｌｎ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌａ3+から選
ばれる一種、ｘ：０．００１≦ｘ≦０．２）で表され、
４００〜６００nmの可視域で発光する通常の板状の結晶
である。
【０００９】本発明の結晶の光導波路の形状は、イオン
注入によりイオン飛程近傍に結晶の他の部分と比較して
屈折率の小さい２次元的な損傷層が形成された２次元光
導波路、あるいはマスクパターンを形成した後のイオン
注入により、深さの異なる損傷層が形成された３次元チ
ャンネル型光導波路である。
注入によりイオン飛程近傍に結晶の他の部分と比較して
屈折率の小さい２次元的な損傷層が形成された２次元光
導波路、あるいはマスクパターンを形成した後のイオン
注入により、深さの異なる損傷層が形成された３次元チ
ャンネル型光導波路である。
【００１０】本発明におけるこれらの導波路の大きさは
２次元光導波路の場合、導波路の厚さは結晶の表面から
ほぼ２０μm 以内の深さを持つものであり、又、３次元
チャンネル型光導波路の場合、同じく表面からほぼ２０
μm 以内の深さを持ち、約５０μm 以内の幅を持つ３次
元チャンネル型の光導波路である。結晶の深さ方向で必
要以上に深い部分まで損傷層を形成してもマルチ導波モ
ードとなるなど効果は小さい。
２次元光導波路の場合、導波路の厚さは結晶の表面から
ほぼ２０μm 以内の深さを持つものであり、又、３次元
チャンネル型光導波路の場合、同じく表面からほぼ２０
μm 以内の深さを持ち、約５０μm 以内の幅を持つ３次
元チャンネル型の光導波路である。結晶の深さ方向で必
要以上に深い部分まで損傷層を形成してもマルチ導波モ
ードとなるなど効果は小さい。
【００１１】本発明のイオン注入による２次元光導波路
の製造法では、注入イオン種としてはＨｅ+ 、Ｂ+ 、Ｃ
+ イオンが用いられる。Ｈｅ+ イオンを用いる場合は、
その注入量は１０16〜１０17イオン／cm2 が目安とな
る。この注入量が１０16イオ／cm2 より少ないと結晶の
損傷層の屈折率変化が小さく光導波路として目的とする
ものが形成されない。又、１０17／cm2 より大きいと光
導波路は形成されるが結晶に多量の欠陥が発生し、得ら
れる結晶の光学的品質を低下させるので好ましくない。
Ｂ+ 、Ｃ+ イオンを用いる場合は、その注入量は１０15
〜１０17イオン／cm2 が目安となる。この場合の注入量
がこの範囲の量より少ないと結晶に光導波路を形成する
に充分な屈折率変化をもたらすことができず、注入量が
この範囲より多いと結晶内に欠陥が増え導波路の光学的
品質が低下する。Ｂ+ 、Ｃ+ イオンは注入量がＨｅ+ イ
オンより少なくてすみ、結晶内に発生する歪みを小さく
する効果がある。
の製造法では、注入イオン種としてはＨｅ+ 、Ｂ+ 、Ｃ
+ イオンが用いられる。Ｈｅ+ イオンを用いる場合は、
その注入量は１０16〜１０17イオン／cm2 が目安とな
る。この注入量が１０16イオ／cm2 より少ないと結晶の
損傷層の屈折率変化が小さく光導波路として目的とする
ものが形成されない。又、１０17／cm2 より大きいと光
導波路は形成されるが結晶に多量の欠陥が発生し、得ら
れる結晶の光学的品質を低下させるので好ましくない。
Ｂ+ 、Ｃ+ イオンを用いる場合は、その注入量は１０15
〜１０17イオン／cm2 が目安となる。この場合の注入量
がこの範囲の量より少ないと結晶に光導波路を形成する
に充分な屈折率変化をもたらすことができず、注入量が
この範囲より多いと結晶内に欠陥が増え導波路の光学的
品質が低下する。Ｂ+ 、Ｃ+ イオンは注入量がＨｅ+ イ
オンより少なくてすみ、結晶内に発生する歪みを小さく
する効果がある。
【００１２】また注入方位は結晶のａ軸、ｃ軸いずれの
方向でも良い。イオン注入時の結晶温度は液体窒素温度
の７７Ｋから３５０Ｋの範囲に保持することが好まし
い。
方向でも良い。イオン注入時の結晶温度は液体窒素温度
の７７Ｋから３５０Ｋの範囲に保持することが好まし
い。
【００１３】本発明の３次元チャンネル型の光導波路の
作成は、例えばポジ型フォトレジスト（例えばＡＺ−１
３５０）を用い、ＵＶ光で露光、マスクパターンを形成
した後、Ａｌ膜（厚さ１００nm程度）を蒸着またはスパ
ッタ法で形成被覆し、その上にイオンマスクとして、イ
オン注入する結晶の表面以外の面にＰｔ膜を蒸着あるい
はスパッタ法で付けた後、レジストを剥離する。前記し
たような方法でイオンを注入した後、Ｐｔ、Ａｌ膜を剥
離することにより３次元チャンネル型光導波路を得る。
作成は、例えばポジ型フォトレジスト（例えばＡＺ−１
３５０）を用い、ＵＶ光で露光、マスクパターンを形成
した後、Ａｌ膜（厚さ１００nm程度）を蒸着またはスパ
ッタ法で形成被覆し、その上にイオンマスクとして、イ
オン注入する結晶の表面以外の面にＰｔ膜を蒸着あるい
はスパッタ法で付けた後、レジストを剥離する。前記し
たような方法でイオンを注入した後、Ｐｔ、Ａｌ膜を剥
離することにより３次元チャンネル型光導波路を得る。
【００１４】
【実施例】次に本発明を実施例により更に詳細に説明す
る。
る。
【００１５】実施例１ 組成式ＣａＥｒ0.01Ｇｄ0.99ＡｌＯ4 で表されるＥｒド
ープペロブスカイトの板状（５mm×１０mm×２mm）単結
晶を試料として、タンデム型イオンビーム加速器により
Ｂ+ イオンを、注入エネルギー２．０１MeV で、注入量
１×１０16イオン／cm2 でｃ面から結晶全面に注入し２
次元光導波路結晶を作成した。注入時の結晶は結晶ホル
ダーが３００Ｋになるように冷却した。得られた結晶は
プリズムカプラ、Ｈｅ−Ｎｅレーザーを用いた屈折率及
びモード測定の結果、光導波路層厚１．６μｍの２次元
光導波路が形成されていることを確認した。
ープペロブスカイトの板状（５mm×１０mm×２mm）単結
晶を試料として、タンデム型イオンビーム加速器により
Ｂ+ イオンを、注入エネルギー２．０１MeV で、注入量
１×１０16イオン／cm2 でｃ面から結晶全面に注入し２
次元光導波路結晶を作成した。注入時の結晶は結晶ホル
ダーが３００Ｋになるように冷却した。得られた結晶は
プリズムカプラ、Ｈｅ−Ｎｅレーザーを用いた屈折率及
びモード測定の結果、光導波路層厚１．６μｍの２次元
光導波路が形成されていることを確認した。
【００１６】図１に光導波路厚、モード屈折率を測定す
るためにプリズムカプラを用いて測定した透過強度のレ
ーザー入射角度依存性を示す。光導波路層のＴＥモード
屈折率は１．９４１で注入前の結晶の屈折率より高くな
っていることが確認された。結晶内の光導波路層及び損
傷層の組織は光学顕微鏡及び透過電子顕微鏡で観察し
た。
るためにプリズムカプラを用いて測定した透過強度のレ
ーザー入射角度依存性を示す。光導波路層のＴＥモード
屈折率は１．９４１で注入前の結晶の屈折率より高くな
っていることが確認された。結晶内の光導波路層及び損
傷層の組織は光学顕微鏡及び透過電子顕微鏡で観察し
た。
【００１７】実施例２ 組成式ＣａＰｒ0.01Ｇｄ0.99ＡｌＯ4 で表されるＰｒド
ープペロブスカイトの板状単結晶のｃ面にタンデム型イ
オンビーム加速器を用いて、入射エネルギー２．０MeV
でＣ+ イオンを、注入量２×１０15イオン／cm2 で注入
し２次元光導波路結晶を作成した。得られた結晶は実施
例１と同様に屈折率及モード測定の結果、導波路厚１．
５μm の２次元光導波路が形成されていることを確認し
た。図２に光導波路厚、モード屈折率を測定するために
プリズムカプラを用いて測定した透過強度のレーザー入
射角度依存性を示す。又、実施例１と同様に結晶内の光
導波路層及び損傷層の組織は光学顕微鏡及び透過電子顕
微鏡で観察した。
ープペロブスカイトの板状単結晶のｃ面にタンデム型イ
オンビーム加速器を用いて、入射エネルギー２．０MeV
でＣ+ イオンを、注入量２×１０15イオン／cm2 で注入
し２次元光導波路結晶を作成した。得られた結晶は実施
例１と同様に屈折率及モード測定の結果、導波路厚１．
５μm の２次元光導波路が形成されていることを確認し
た。図２に光導波路厚、モード屈折率を測定するために
プリズムカプラを用いて測定した透過強度のレーザー入
射角度依存性を示す。又、実施例１と同様に結晶内の光
導波路層及び損傷層の組織は光学顕微鏡及び透過電子顕
微鏡で観察した。
【００１８】実施例３ 組成式ＣａＥｒ0.01Ｇｄ0.99ＡｌＯ4 で表されるＥｒド
ープペロブスカイト単結晶にポジ型フォトレジスト（Ａ
Ｚ−１３５０）を膜厚２μm 塗布し、７０℃、２０min
ベーキングした後、ＵＶ光で露光マスクパターンを形成
した。この結晶に膜厚１００nmのＡｌ膜をスパッタ法で
形成し、イオンマスクとなるＰｔ膜をスパッタ法で形成
した後、アセトンでレジストを剥離した。
ープペロブスカイト単結晶にポジ型フォトレジスト（Ａ
Ｚ−１３５０）を膜厚２μm 塗布し、７０℃、２０min
ベーキングした後、ＵＶ光で露光マスクパターンを形成
した。この結晶に膜厚１００nmのＡｌ膜をスパッタ法で
形成し、イオンマスクとなるＰｔ膜をスパッタ法で形成
した後、アセトンでレジストを剥離した。
【００１９】この試料にタンデム型イオンビーム加速器
を用いて、入射エネルギー２．０MeV で、注入量１０16
イオン／cm2 のＢ+ イオンを注入した後、Ｐｔ、Ａｌ膜
を酸を用いて剥離しチャンネル型の３次元光導波路を作
成した。得られた結晶は光学電子顕微鏡、透過電子顕微
鏡及びプリズムカップラ法で深さ１．８μm 、幅１．５
μm の３次元光導波路が形成されていることを確認し
た。
を用いて、入射エネルギー２．０MeV で、注入量１０16
イオン／cm2 のＢ+ イオンを注入した後、Ｐｔ、Ａｌ膜
を酸を用いて剥離しチャンネル型の３次元光導波路を作
成した。得られた結晶は光学電子顕微鏡、透過電子顕微
鏡及びプリズムカップラ法で深さ１．８μm 、幅１．５
μm の３次元光導波路が形成されていることを確認し
た。
【００２０】
【発明の効果】本発明の構成のＥｒ又はＰｒドープペロ
ブスカイト光導波路結晶は、レーザー発振効率が高く、
小型の近赤外域波長可変レーザー、アップコンバージョ
ンレーザー、光増幅素子として利用できる。
ブスカイト光導波路結晶は、レーザー発振効率が高く、
小型の近赤外域波長可変レーザー、アップコンバージョ
ンレーザー、光増幅素子として利用できる。
【図１】実施例１で得た結晶の透過強度のレーザー入射
角度依存性を示す図。
角度依存性を示す図。
【図２】実施例２で得た結晶の透過強度のレーザー入射
角度依存性を示す図。
角度依存性を示す図。
Claims (4)
- 【請求項１】レーザー活性イオンとしてＥｒ3+又はＰｒ
3+を含んだ、組成式ＡＢxＬｎ1-xＡｌＯ4 （Ａ：Ｃａ2+
又はＳｒ2+、Ｂ：Ｅｒ3+又はＰｒ3+、Ｌｎ：Ｙ3+、Ｇｄ
3+、Ｌａ3+から選ばれる一種、ｘ：０．００１≦ｘ≦
０．２）で表されるペロブスカイト型結晶で、表面から
深さ方向又は深さ方向と面方向に他の部分と屈折率の異
なる２次元又は３次元光導波路を形成したペロブスカイ
ト型光導波路結晶。 - 【請求項２】イオン注入種としてＨｅ+ を１０16〜１０
18イオン／cm2 、又はＢ+ 又はＣ+ を１０15〜１０17イ
オン／cm2 でイオン注入を行なうことにより、組成式Ａ
ＢxＬｎ1-xＡｌＯ4 （Ａ：Ｃａ2+又はＳｒ2+、Ｂ：Ｅｒ
3+又はＰｒ3+、Ｌｎ：Ｙ3+、Ｇｄ3+、Ｌａ3+から選ばれ
る一種、ｘ：０．００１≦ｘ≦０．２）で表されるペロ
ブスカイト型結晶に損傷層を付与し、表面から深さ方向
又は深さ方向と面方向に他の部分と屈折率の異なる光導
波路を形成したペロブスカイト型光導波路結晶を製造す
る方法。 - 【請求項３】イオン注入時の結晶を７７〜３５０Ｋに保
持しイオン注入する請求項２記載の製造方法。 - 【請求項４】フォトレジストを用いて、マスクパターン
を形成し、注入イオンのマスクとしてＰｔを、Ｐｔマス
クの下地層としてＡｌを用いる請求項２又は３記載のチ
ャンネル型３次元光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13754293A JPH06350183A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光導波路結晶およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13754293A JPH06350183A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光導波路結晶およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350183A true JPH06350183A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15201128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13754293A Pending JPH06350183A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光導波路結晶およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06350183A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110592678A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-20 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种保持颗粒尺寸不变的纳米晶体表面微观结构调控方法 |
| CN113299837A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-08-24 | 西北大学 | 二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法 |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP13754293A patent/JPH06350183A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110592678A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-20 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种保持颗粒尺寸不变的纳米晶体表面微观结构调控方法 |
| CN113299837A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-08-24 | 西北大学 | 二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法 |
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