JPH06349596A - マイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ波放電整合器 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ波放電整合器Info
- Publication number
- JPH06349596A JPH06349596A JP5160207A JP16020793A JPH06349596A JP H06349596 A JPH06349596 A JP H06349596A JP 5160207 A JP5160207 A JP 5160207A JP 16020793 A JP16020793 A JP 16020793A JP H06349596 A JPH06349596 A JP H06349596A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- waveguide
- plasma
- microwaves
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
［目的］ マイクロ波プラズマ処理装置におけるマイク
ロ波放電整合器によりマイクロ波を整合して確実にプラ
ズマを生成させること。 ［構成］ マイクロ波導波管６に放電管５を貫通して配
設し、マイクロ波導波管６と放電管５との間に圧空シリ
ンダ１５を一体的に取り付けた金属製円筒１６を挿入し
て配設する。
ロ波放電整合器によりマイクロ波を整合して確実にプラ
ズマを生成させること。 ［構成］ マイクロ波導波管６に放電管５を貫通して配
設し、マイクロ波導波管６と放電管５との間に圧空シリ
ンダ１５を一体的に取り付けた金属製円筒１６を挿入し
て配設する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波を利用した
プラズマ処理装置におけるマイクロ波放電整合器に関す
る。
プラズマ処理装置におけるマイクロ波放電整合器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波を利用したプラズマ処理装
置、例えば、プラズマエッチング装置、プラズマアッシ
ング装置、又は、プラズマＣＶＤ（化学気相成長）装置
等では、マイクロ波を印加することによりプラズマを生
成させるようにしているが、プラズマ生成前と生成後の
インピーダンスの変化、或は、プロセス条件、例えば、
ガス圧力、ガス種、ガス流量、マイクロ波パワー等に依
存するプラズマのインピーダンスの変化に対してスタブ
チューナやＥＨチューナ等の整合器を用いてマイクロ波
を整合することにより、マイクロ波を効率よく印加する
ようにしている。
置、例えば、プラズマエッチング装置、プラズマアッシ
ング装置、又は、プラズマＣＶＤ（化学気相成長）装置
等では、マイクロ波を印加することによりプラズマを生
成させるようにしているが、プラズマ生成前と生成後の
インピーダンスの変化、或は、プロセス条件、例えば、
ガス圧力、ガス種、ガス流量、マイクロ波パワー等に依
存するプラズマのインピーダンスの変化に対してスタブ
チューナやＥＨチューナ等の整合器を用いてマイクロ波
を整合することにより、マイクロ波を効率よく印加する
ようにしている。
【０００３】又、例えば、ＬＳＩや電子部品製造等で使
用される量産装置は、プロセス条件、例えば、ガス圧
力、ガス種、ガス流量、マイクロ波パワー等が一定であ
る場合がほとんどなので、プロセス条件によってはプラ
ズマが生成された時点でマイクロ波が整合されるように
予め整合器を調整しておくが、このようにしてマイクロ
波を印加してもプラズマが放電しないことがある。これ
はプラズマ生成前と生成後のインピーダンスが大きく違
うためにマイクロ波の反射波が増大し過ぎるためであ
る。このような場合、整合器を手動で調整することは生
産効率を悪くするので、一般的には高電圧や紫外線等の
トリガーを設置するか、或は、スタブチューナやＥＨチ
ューナ等の整合器をモーター等の駆動装置を利用して自
動調整するなどして調整するようにしている。
用される量産装置は、プロセス条件、例えば、ガス圧
力、ガス種、ガス流量、マイクロ波パワー等が一定であ
る場合がほとんどなので、プロセス条件によってはプラ
ズマが生成された時点でマイクロ波が整合されるように
予め整合器を調整しておくが、このようにしてマイクロ
波を印加してもプラズマが放電しないことがある。これ
はプラズマ生成前と生成後のインピーダンスが大きく違
うためにマイクロ波の反射波が増大し過ぎるためであ
る。このような場合、整合器を手動で調整することは生
産効率を悪くするので、一般的には高電圧や紫外線等の
トリガーを設置するか、或は、スタブチューナやＥＨチ
ューナ等の整合器をモーター等の駆動装置を利用して自
動調整するなどして調整するようにしている。
【０００４】然るに、スリースタブチューナで自動調整
を行おうとする場合、マイクロ波の反射波をモニター
し、フィードバックしながら３つのスタブをそれぞれ独
立に駆動させて調整するので、設計上複雑で大ががりと
なりコストも高くなる。又、その操作においても煩雑と
なるので、例えば、スリースタブチューナの１つのスタ
ブ（例えば中央のスタブ）を簡単な駆動装置により駆動
させることでマイクロ波を整合する場合があるが、これ
について、以下、図４を参照してその構成について説明
する。
を行おうとする場合、マイクロ波の反射波をモニター
し、フィードバックしながら３つのスタブをそれぞれ独
立に駆動させて調整するので、設計上複雑で大ががりと
なりコストも高くなる。又、その操作においても煩雑と
なるので、例えば、スリースタブチューナの１つのスタ
ブ（例えば中央のスタブ）を簡単な駆動装置により駆動
させることでマイクロ波を整合する場合があるが、これ
について、以下、図４を参照してその構成について説明
する。
【０００５】図４はマイクロ波を利用したプラズマアッ
シング装置であり、その全体は１で示されている。プラ
ズマアッシング装置１はアッシング処理が行われるプロ
セスチャンバー１０にプラズマを放電させる放電管５が
挿入されて配設されている。プロセスチャンバー１０に
は、その真空排気系として真空ポンプ１２が真空バルブ
１１を介して排気孔２に接続されている。又、プロセス
チャンバー１０には、その上方の内壁部に突出部１３
ａ、１３ｂが形成されており、多数の孔１４ａを形成さ
せたガス整流器１４はこれら突出部１３ａ、１３ｂによ
り支持されている。ガス整流器１４の下方にはウェハー
支持台３が設けられており、この上にウェハー基板４が
載置される。
シング装置であり、その全体は１で示されている。プラ
ズマアッシング装置１はアッシング処理が行われるプロ
セスチャンバー１０にプラズマを放電させる放電管５が
挿入されて配設されている。プロセスチャンバー１０に
は、その真空排気系として真空ポンプ１２が真空バルブ
１１を介して排気孔２に接続されている。又、プロセス
チャンバー１０には、その上方の内壁部に突出部１３
ａ、１３ｂが形成されており、多数の孔１４ａを形成さ
せたガス整流器１４はこれら突出部１３ａ、１３ｂによ
り支持されている。ガス整流器１４の下方にはウェハー
支持台３が設けられており、この上にウェハー基板４が
載置される。
【０００６】放電管５は絶縁物で、その材質としては石
英ガラス、サファイヤ又はアルミナ等が多く使用されて
おり、これがマイクロ波導波管６を貫通して配設されて
いるが、マイクロ波導波管６との貫通部分では図４に示
すように隙間ｓ1 をあけて貫通されている。マイクロ波
導波管６を貫通した放電管５の一端部はプロセスチャン
バー内１０のガス整流器１４より上方の壁部に挿入され
て接続される。又、放電管５の他端部は酸素ガスが導入
される酸素ガス導入孔９となっており、図示しないが、
酸素ガスボンベと接続されている。
英ガラス、サファイヤ又はアルミナ等が多く使用されて
おり、これがマイクロ波導波管６を貫通して配設されて
いるが、マイクロ波導波管６との貫通部分では図４に示
すように隙間ｓ1 をあけて貫通されている。マイクロ波
導波管６を貫通した放電管５の一端部はプロセスチャン
バー内１０のガス整流器１４より上方の壁部に挿入され
て接続される。又、放電管５の他端部は酸素ガスが導入
される酸素ガス導入孔９となっており、図示しないが、
酸素ガスボンベと接続されている。
【０００７】マイクロ波導波管６はその始端部でマイク
ロ波電源２０と接続されている。スリースタブチューナ
２７は３つのスタブ２７ａ、２７ｂ、２７ｃで構成され
ており、マイクロ波電源２０と放電管５との間のマイク
ロ波の伝送途中でマイクロ波導波管６にそれぞれ挿通し
て配設される。又、スリースタブチューナ２７の３つの
スタブ２７ａ、２７ｂ、２７ｃのうち、例えば、中央の
スタブ２７ｂには簡単な駆動装置、例えば、圧空シリン
ダ１９が取り付けられ、これによりスタブ２７ｂは図４
のｆに示されるような往復動を行う。
ロ波電源２０と接続されている。スリースタブチューナ
２７は３つのスタブ２７ａ、２７ｂ、２７ｃで構成され
ており、マイクロ波電源２０と放電管５との間のマイク
ロ波の伝送途中でマイクロ波導波管６にそれぞれ挿通し
て配設される。又、スリースタブチューナ２７の３つの
スタブ２７ａ、２７ｂ、２７ｃのうち、例えば、中央の
スタブ２７ｂには簡単な駆動装置、例えば、圧空シリン
ダ１９が取り付けられ、これによりスタブ２７ｂは図４
のｆに示されるような往復動を行う。
【０００８】以上、簡単な駆動装置を用いたスリースタ
ブチューナ２７によりマイクロ波を整合するようにした
プラズマアッシング装置についてその構成を説明したが
次にこの作用について説明する。
ブチューナ２７によりマイクロ波を整合するようにした
プラズマアッシング装置についてその構成を説明したが
次にこの作用について説明する。
【０００９】プラズマアッシング装置１はプラズマによ
り中性ラジカルとなった酸素を用いて半導体集積回路等
の微細加工、例えば、エッチング処理等に用いられたレ
ジスト膜を除去させる装置である。尚、レジスト膜と
は、微細加工を行う際の耐触被膜として使用される樹脂
材料である。プラズマアッシングはその灰化処理であ
る。
り中性ラジカルとなった酸素を用いて半導体集積回路等
の微細加工、例えば、エッチング処理等に用いられたレ
ジスト膜を除去させる装置である。尚、レジスト膜と
は、微細加工を行う際の耐触被膜として使用される樹脂
材料である。プラズマアッシングはその灰化処理であ
る。
【００１０】図４で示されるアッシング装置１のプロセ
スチャンバー内１０には微細加工で用いられたレジスト
膜が塗布され、更にエッチング等を施されたウェハー基
板４をウェハー支持台３上に載置する。プロセスチャン
バー内１０は真空ポンプ１２により真空排気され、酸素
ガスが図４の矢印ａで示されるように放電管５内へ導入
される。その後、マイクロ波電源２０により放電管５に
2.45ＧＨｚのマイクロ波を印加後、後述するようにスリ
ースタブチューナ２７を調整してマイクロ波を整合する
ことにより放電管５内にはプラズマが生成され、酸素ガ
ス（Ｏ2 ）は放電管５内のプラズマ放電領域を通過する
ことでプラズマにより分解され、中性ラジカル（酸素原
子）となって、プロセスチャンバー内１０へ導入され
る。プロセスチャンバー内１０へ導入された中性ラジカ
ル（酸素原子）はガス整流器１４に形成された多数の孔
１４ａにより整流されて、ガス整流器１４の下方に設け
られたウェハー基板４上に均一に輸送され、ウェハー基
板４上のレジスト膜は除去される。
スチャンバー内１０には微細加工で用いられたレジスト
膜が塗布され、更にエッチング等を施されたウェハー基
板４をウェハー支持台３上に載置する。プロセスチャン
バー内１０は真空ポンプ１２により真空排気され、酸素
ガスが図４の矢印ａで示されるように放電管５内へ導入
される。その後、マイクロ波電源２０により放電管５に
2.45ＧＨｚのマイクロ波を印加後、後述するようにスリ
ースタブチューナ２７を調整してマイクロ波を整合する
ことにより放電管５内にはプラズマが生成され、酸素ガ
ス（Ｏ2 ）は放電管５内のプラズマ放電領域を通過する
ことでプラズマにより分解され、中性ラジカル（酸素原
子）となって、プロセスチャンバー内１０へ導入され
る。プロセスチャンバー内１０へ導入された中性ラジカ
ル（酸素原子）はガス整流器１４に形成された多数の孔
１４ａにより整流されて、ガス整流器１４の下方に設け
られたウェハー基板４上に均一に輸送され、ウェハー基
板４上のレジスト膜は除去される。
【００１１】以上述べたようなマイクロ波を利用したプ
ラズマアッシング装置１において、マイクロ波によりプ
ラズマを生成させるのに、図４に示すような３つのスタ
ブ２７ａ、２７ｂ、２７ｃとから成るスリースタブチュ
ーナ２７の、例えば、中央のスタブ２７ｂに簡単な駆動
装置である圧空シリンダ１９を取り付け、スタブ２７ｂ
を移動させることによりマイクロ波を整合するようにし
ている。これを更に詳しく説明すると、プラズマアッシ
ング装置１におけるプロセス条件下で、プラズマが生成
する前に放電が最もつきやすい位置と、プラズマが生成
した後にマイクロ波の反射波が最も小さくなるような位
置とが予め判明しているとすれば、そしてそれが、例え
ば、スリースタブチューナ２７の中央のスタブ２７ｂが
図４で示されるような破線の位置のとき放電が最もつき
やすく、又、スタブ２７ｂが実線の位置のときマイクロ
波の反射波が最も小さくなる場合、マイクロ波を印加す
る前にスタブ２７ｂを破線の位置に設定しておき、マイ
クロ波を印加した直後にスタブ２７ｂを破線の位置から
実線の位置へ移動させることによりすばやくマイクロ波
を整合することができる。
ラズマアッシング装置１において、マイクロ波によりプ
ラズマを生成させるのに、図４に示すような３つのスタ
ブ２７ａ、２７ｂ、２７ｃとから成るスリースタブチュ
ーナ２７の、例えば、中央のスタブ２７ｂに簡単な駆動
装置である圧空シリンダ１９を取り付け、スタブ２７ｂ
を移動させることによりマイクロ波を整合するようにし
ている。これを更に詳しく説明すると、プラズマアッシ
ング装置１におけるプロセス条件下で、プラズマが生成
する前に放電が最もつきやすい位置と、プラズマが生成
した後にマイクロ波の反射波が最も小さくなるような位
置とが予め判明しているとすれば、そしてそれが、例え
ば、スリースタブチューナ２７の中央のスタブ２７ｂが
図４で示されるような破線の位置のとき放電が最もつき
やすく、又、スタブ２７ｂが実線の位置のときマイクロ
波の反射波が最も小さくなる場合、マイクロ波を印加す
る前にスタブ２７ｂを破線の位置に設定しておき、マイ
クロ波を印加した直後にスタブ２７ｂを破線の位置から
実線の位置へ移動させることによりすばやくマイクロ波
を整合することができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】然るに、３つのスタブ
２７ａ、２７ｂ、２７ｃのうちの、例えば１つのスタブ
２７ｂを移動させることによりマイクロ波をすばやく整
合させることはできるが、プラズマ条件によってはこの
ようなスタブの１つを駆動させる方法ではプラズマが生
成されないことがある。
２７ａ、２７ｂ、２７ｃのうちの、例えば１つのスタブ
２７ｂを移動させることによりマイクロ波をすばやく整
合させることはできるが、プラズマ条件によってはこの
ようなスタブの１つを駆動させる方法ではプラズマが生
成されないことがある。
【００１３】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、マイ
クロ波をすばやく整合して確実にプラズマを生成させる
ことのできるマイクロ波プラズマ処理装置におけるマイ
クロ波放電整合器を提供することを目的とする。
クロ波をすばやく整合して確実にプラズマを生成させる
ことのできるマイクロ波プラズマ処理装置におけるマイ
クロ波放電整合器を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】以上の目的は、真空処理
装置と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管を貫
通して前記真空処理装置内に挿入して配設される放電管
と、前記マイクロ波を整合するために前記導波管に設け
られるマイクロ波放電整合器とを備えたマイクロ波プラ
ズマ処理装置におけるマイクロ波放電整合器において、
前記導波管と前記放電管との間に摺動自在に挿通させて
配設した金属製円筒に駆動部を一体的に取り付けて、該
駆動部を駆動させて前記金属製円筒を移動させることに
より前記マイクロ波を整合するようにしたことを特徴と
するマイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ波放
電整合器によって達成される。
装置と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管を貫
通して前記真空処理装置内に挿入して配設される放電管
と、前記マイクロ波を整合するために前記導波管に設け
られるマイクロ波放電整合器とを備えたマイクロ波プラ
ズマ処理装置におけるマイクロ波放電整合器において、
前記導波管と前記放電管との間に摺動自在に挿通させて
配設した金属製円筒に駆動部を一体的に取り付けて、該
駆動部を駆動させて前記金属製円筒を移動させることに
より前記マイクロ波を整合するようにしたことを特徴と
するマイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ波放
電整合器によって達成される。
【００１５】又、以上の目的は、真空処理装置と、マイ
クロ波を伝送する導波管と、該導波管を貫通して前記真
空処理装置内に挿入して配設される放電管と、前記マイ
クロ波を整合するために前記導波管に設けられるマイク
ロ波放電整合器とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置
におけるマイクロ波放電整合器において、前記導波管の
終端部に摺動自在に挿通させて配設した金属製ニードル
又は金属製平板に駆動部を一体的に取り付けて、該駆動
部を駆動させて前記金属製ニードル又は前記金属製平板
を前記放電管との距離を変更し得るように移動させるこ
とにより前記マイクロ波を整合するようにしたことを特
徴とするマイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ
波放電整合器によって達成される。
クロ波を伝送する導波管と、該導波管を貫通して前記真
空処理装置内に挿入して配設される放電管と、前記マイ
クロ波を整合するために前記導波管に設けられるマイク
ロ波放電整合器とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置
におけるマイクロ波放電整合器において、前記導波管の
終端部に摺動自在に挿通させて配設した金属製ニードル
又は金属製平板に駆動部を一体的に取り付けて、該駆動
部を駆動させて前記金属製ニードル又は前記金属製平板
を前記放電管との距離を変更し得るように移動させるこ
とにより前記マイクロ波を整合するようにしたことを特
徴とするマイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ
波放電整合器によって達成される。
【００１６】
【作用】マイクロ波プラズマ処理装置でマイクロ波を利
用してプラズマを生成させるのに、マイクロ波放電整合
器を導波管と放電管との間に摺動自在に挿通させて配設
し、又マイクロ波放電整合器に駆動装置を設けて、この
マイクロ波放電整合器を移動させるようにしたので、プ
ラズマが生成した直後に自動的にマイクロ波放電整合器
を駆動して、迅速にかつ簡便にマイクロ波を整合するこ
とができる。
用してプラズマを生成させるのに、マイクロ波放電整合
器を導波管と放電管との間に摺動自在に挿通させて配設
し、又マイクロ波放電整合器に駆動装置を設けて、この
マイクロ波放電整合器を移動させるようにしたので、プ
ラズマが生成した直後に自動的にマイクロ波放電整合器
を駆動して、迅速にかつ簡便にマイクロ波を整合するこ
とができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の第１実施例によるマイクロ波
放電整合器について図を参照して説明する。尚、従来と
同じ構成部分については同一の符号を付し、その詳細な
説明は省略する。
放電整合器について図を参照して説明する。尚、従来と
同じ構成部分については同一の符号を付し、その詳細な
説明は省略する。
【００１８】本実施例では、マイクロ波プラズマ処理装
置として従来で説明したのと同一のプラズマアッシング
装置１を用いており、その構成は図１で示されている
が、プラズマアッシング装置１は真空装置であるプロセ
スチャンバー内１０にウェハー支持台３が配設されてお
り、その上にウェハー基板４が載置されている。ウェハ
ー基板４の上方には、プロセスチャンバー１０の内壁部
に形成された突出部１３ａ、１３ｂに、多数の孔１４ａ
を形成させたガス整流器１４が支持されている。プロセ
スチャンバー１０の真空排気系としては、排気孔２に真
空バルブ１１を介して真空ポンプ１２が接続されてい
る。
置として従来で説明したのと同一のプラズマアッシング
装置１を用いており、その構成は図１で示されている
が、プラズマアッシング装置１は真空装置であるプロセ
スチャンバー内１０にウェハー支持台３が配設されてお
り、その上にウェハー基板４が載置されている。ウェハ
ー基板４の上方には、プロセスチャンバー１０の内壁部
に形成された突出部１３ａ、１３ｂに、多数の孔１４ａ
を形成させたガス整流器１４が支持されている。プロセ
スチャンバー１０の真空排気系としては、排気孔２に真
空バルブ１１を介して真空ポンプ１２が接続されてい
る。
【００１９】放電管５は従来と同様に絶縁物で、その材
質は石英ガラス、サファイヤ又はアルミナ等が多く使用
され、マイクロ波導波管６を貫通してプロセスチャンバ
ー１０に接続されている。又、放電管５とマイクロ波導
波管６との間には、金属製円筒１６が挿入されて配設さ
れている。金属製円筒１６は図２で示されるように放電
管５との間に隙間ｓ2 、マイクロ波導波管６との間に隙
間ｓ3 をあけて挿入配設される。金属製円筒１６の駆動
部としては圧空シリンダ１５が一体的に取り付けられ、
図１の矢印ｄで示されるような往復動を行う。
質は石英ガラス、サファイヤ又はアルミナ等が多く使用
され、マイクロ波導波管６を貫通してプロセスチャンバ
ー１０に接続されている。又、放電管５とマイクロ波導
波管６との間には、金属製円筒１６が挿入されて配設さ
れている。金属製円筒１６は図２で示されるように放電
管５との間に隙間ｓ2 、マイクロ波導波管６との間に隙
間ｓ3 をあけて挿入配設される。金属製円筒１６の駆動
部としては圧空シリンダ１５が一体的に取り付けられ、
図１の矢印ｄで示されるような往復動を行う。
【００２０】マイクロ波導波管６はマイクロ波電源２０
と接続されており、マイクロ波電源２０と放電管５との
間のマイクロ波の伝送途中には３つのスタブ７ａ、７
ｂ、７ｃで構成されるスリースタブチューナ７がマイク
ロ波導波管６に貫通して配設され、図には示されていな
いが、個々のスタブ７ａ、７ｂ、７ｃに対して手動又は
自動でマイクロ波導波管６に挿入される部分の長さを調
節することができるようになっている。
と接続されており、マイクロ波電源２０と放電管５との
間のマイクロ波の伝送途中には３つのスタブ７ａ、７
ｂ、７ｃで構成されるスリースタブチューナ７がマイク
ロ波導波管６に貫通して配設され、図には示されていな
いが、個々のスタブ７ａ、７ｂ、７ｃに対して手動又は
自動でマイクロ波導波管６に挿入される部分の長さを調
節することができるようになっている。
【００２１】以上、本実施例によるマイクロ波放電整合
器の構成について説明したが、次にこの作用について説
明する。
器の構成について説明したが、次にこの作用について説
明する。
【００２２】アッシング処理を行うウェハー基板４はプ
ロセスチャンバー内１０に配設されているウェハー支持
台３上に載置されており、プロセスチャンバー内１０を
真空ポンプ１２により真空排気し、酸素ガス導入孔９よ
り酸素ガスを図１の矢印ａに示すように導入する。その
後、マイクロ波電源２０により2.45ＧＨｚのマイクロ波
を印加するが、マイクロ波を印加する前には金属製円筒
１６は図１に示されている破線の位置に設定されてお
り、これはプラズマの放電が最もつきやすい位置、即
ち、電界が金属製円筒１６端に最も集中する位置であ
り、マイクロ波を印加した直後に圧空シリンダ１５を駆
動して金属製円筒１６を破線の位置から実線の位置、即
ち、マイクロ波の反射波が最も小さくなるような位置へ
すばやく移動させることによりマイクロ波を整合するこ
とができ、図１の８で示される領域においてプラズマが
放電する。このように圧空シリンダ１５を駆動して金属
製円筒１６を移動させマイクロ波を整合することによ
り、きわめて短時間に安定したプラズマを得ることがで
きる。又、プラズマが生成した後、スリースタブチュー
ナ７のスタブ７ａ、７ｂ、７ｃをそれぞれ必要に応じて
移動させることにより、マイクロ波の反射波が最も小さ
くなるように微調整するようにしてもよい。プラズマが
放電した後は、放電管５内に導入されている酸素ガス
（Ｏ2 ）はプラズマ放電領域８内を通過すると中性ラジ
カル（酸素原子）となって、プロセスチャンバー内１０
へ導入される。プロセスチャンバー内１０では、ガス整
流器１４により中性ラジカル（酸素原子）は均一にウェ
ハー基板４上に輸送され、アッシング処理が行われる。
ロセスチャンバー内１０に配設されているウェハー支持
台３上に載置されており、プロセスチャンバー内１０を
真空ポンプ１２により真空排気し、酸素ガス導入孔９よ
り酸素ガスを図１の矢印ａに示すように導入する。その
後、マイクロ波電源２０により2.45ＧＨｚのマイクロ波
を印加するが、マイクロ波を印加する前には金属製円筒
１６は図１に示されている破線の位置に設定されてお
り、これはプラズマの放電が最もつきやすい位置、即
ち、電界が金属製円筒１６端に最も集中する位置であ
り、マイクロ波を印加した直後に圧空シリンダ１５を駆
動して金属製円筒１６を破線の位置から実線の位置、即
ち、マイクロ波の反射波が最も小さくなるような位置へ
すばやく移動させることによりマイクロ波を整合するこ
とができ、図１の８で示される領域においてプラズマが
放電する。このように圧空シリンダ１５を駆動して金属
製円筒１６を移動させマイクロ波を整合することによ
り、きわめて短時間に安定したプラズマを得ることがで
きる。又、プラズマが生成した後、スリースタブチュー
ナ７のスタブ７ａ、７ｂ、７ｃをそれぞれ必要に応じて
移動させることにより、マイクロ波の反射波が最も小さ
くなるように微調整するようにしてもよい。プラズマが
放電した後は、放電管５内に導入されている酸素ガス
（Ｏ2 ）はプラズマ放電領域８内を通過すると中性ラジ
カル（酸素原子）となって、プロセスチャンバー内１０
へ導入される。プロセスチャンバー内１０では、ガス整
流器１４により中性ラジカル（酸素原子）は均一にウェ
ハー基板４上に輸送され、アッシング処理が行われる。
【００２３】以上、本発明の第１実施例によるマイクロ
波放電整合器について説明したが、次に第２実施例によ
るマイクロ波放電整合器の構成について、以下、図３を
参照して説明する。尚、第１実施例と同一の部分につい
ては同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
波放電整合器について説明したが、次に第２実施例によ
るマイクロ波放電整合器の構成について、以下、図３を
参照して説明する。尚、第１実施例と同一の部分につい
ては同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００２４】本実施例では、第１実施例でマイクロ波を
整合するのに用いた金属製円筒１６に代えて金属製ニー
ドルを使用する。金属製ニードル１８はマイクロ波導波
管６の終端部６ａに摺動自在に挿入されて配設され、そ
の駆動部である圧空シリンダ１７により図３の矢印ｅで
示されるように移動する。又、マイクロ波電源２０と放
電管５との間には、第１実施例と同様にスリースタブチ
ューナ７が設けられている。
整合するのに用いた金属製円筒１６に代えて金属製ニー
ドルを使用する。金属製ニードル１８はマイクロ波導波
管６の終端部６ａに摺動自在に挿入されて配設され、そ
の駆動部である圧空シリンダ１７により図３の矢印ｅで
示されるように移動する。又、マイクロ波電源２０と放
電管５との間には、第１実施例と同様にスリースタブチ
ューナ７が設けられている。
【００２５】以上、本実施例によるマイクロ波放電整合
器の構成について説明したが次にこの作用について説明
する。尚、第１実施例と同一の作用についてはその詳細
な説明を省略する。
器の構成について説明したが次にこの作用について説明
する。尚、第１実施例と同一の作用についてはその詳細
な説明を省略する。
【００２６】プロセスチャンバー内１０を真空排気した
後、酸素ガス導入孔９により酸素ガスを導入し、マイク
ロ波電源２０により2.45ＧＨｚのマイクロ波を印加する
が、マイクロ波を印加する前には金属製ニードル１８は
図３に示されている破線の位置に設定されており、これ
は放電が最もつきやすい位置、即ち、電界が最も集中す
る位置であり、マイクロ波を印加した直後に圧空シリン
ダ１７を駆動して破線の位置から実線の位置、即ち、マ
イクロ波の反射波が最も小さくなるような位置へすばや
く移動させることによりマイクロ波を整合することがで
き、図３の８で示される領域においてプラズマが放電す
る。このように圧空シリンダ１７を駆動して金属製ニー
ドル１８を移動させマイクロ波を整合することにより、
きわめて短時間に安定したプラズマを得ることができ
る。又、プラズマが生成した後、第１実施例と同様にス
リースタブチューナ７のスタブ７ａ、７ｂ、７ｃをそれ
ぞれ必要に応じて移動させることにより、マイクロ波の
反射波が最も小さくなるように微調整するようにしても
よい。又、本実施例では、金属製ニードル１８を使用し
たが、金属製平板を使用してもよい。
後、酸素ガス導入孔９により酸素ガスを導入し、マイク
ロ波電源２０により2.45ＧＨｚのマイクロ波を印加する
が、マイクロ波を印加する前には金属製ニードル１８は
図３に示されている破線の位置に設定されており、これ
は放電が最もつきやすい位置、即ち、電界が最も集中す
る位置であり、マイクロ波を印加した直後に圧空シリン
ダ１７を駆動して破線の位置から実線の位置、即ち、マ
イクロ波の反射波が最も小さくなるような位置へすばや
く移動させることによりマイクロ波を整合することがで
き、図３の８で示される領域においてプラズマが放電す
る。このように圧空シリンダ１７を駆動して金属製ニー
ドル１８を移動させマイクロ波を整合することにより、
きわめて短時間に安定したプラズマを得ることができ
る。又、プラズマが生成した後、第１実施例と同様にス
リースタブチューナ７のスタブ７ａ、７ｂ、７ｃをそれ
ぞれ必要に応じて移動させることにより、マイクロ波の
反射波が最も小さくなるように微調整するようにしても
よい。又、本実施例では、金属製ニードル１８を使用し
たが、金属製平板を使用してもよい。
【００２７】以上、本発明の各実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれらに限定されることなく本発明
の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
が、勿論、本発明はこれらに限定されることなく本発明
の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００２８】例えば、本実施例では、マイクロ波を利用
したプラズマ処理装置としてアッシング装置を用いた
が、エッチング装置やＣＶＤ装置等のプラズマ処理装置
に利用してもよい。
したプラズマ処理装置としてアッシング装置を用いた
が、エッチング装置やＣＶＤ装置等のプラズマ処理装置
に利用してもよい。
【００２９】又、本実施例では、金属製円筒又は金属製
ニードルを移動させるのにその駆動装置として圧空シリ
ンダを用いたが、圧空シリンダに限らずどのような駆動
装置を使用してもよい。
ニードルを移動させるのにその駆動装置として圧空シリ
ンダを用いたが、圧空シリンダに限らずどのような駆動
装置を使用してもよい。
【００３０】又、本実施例では、プラズマが生成した後
マイクロ波の整合をとるのに、マイクロ波の反射波が最
も小さくなるようにスリースタブチューナを用いて微調
整を行ったが、スリースタブチューナに限らずＥＨチュ
ーナ等の整合器を用いて微調整を行うようにしてもよ
い。
マイクロ波の整合をとるのに、マイクロ波の反射波が最
も小さくなるようにスリースタブチューナを用いて微調
整を行ったが、スリースタブチューナに限らずＥＨチュ
ーナ等の整合器を用いて微調整を行うようにしてもよ
い。
【００３１】
【発明の効果】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置に
おけるマイクロ波放電整合器によれば、マイクロ波の整
合を確実に、迅速に、かつ、簡便にとることができ、
又、マイクロ波を印加したのと殆ど同時に常に安定した
プラズマをきわめて短時間に得ることができる。
おけるマイクロ波放電整合器によれば、マイクロ波の整
合を確実に、迅速に、かつ、簡便にとることができ、
又、マイクロ波を印加したのと殆ど同時に常に安定した
プラズマをきわめて短時間に得ることができる。
【図１】本発明の第１実施例によるプラズマアッシング
装置の側断面図である。
装置の側断面図である。
【図２】図１における［２］−［２］線方向断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２実施例によるプラズマアッシング
装置の側断面図である。
装置の側断面図である。
【図４】従来のプラズマアッシング装置の側断面図であ
る。
る。
５ 放電管 ６ マイクロ波導波管 ６ａ 終端部 １５ 圧空シリンダ １６ 金属製円筒 １８ 金属製ニードル
Claims (2)
- 【請求項１】 真空処理装置と、マイクロ波を伝送する
導波管と、該導波管を貫通して前記真空処理装置内に挿
入して配設される放電管と、前記マイクロ波を整合する
ために前記導波管に設けられるマイクロ波放電整合器と
を備えたマイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ
波放電整合器において、前記導波管と前記放電管との間
に摺動自在に挿通させて配設した金属製円筒に駆動部を
一体的に取り付けて、該駆動部を駆動させて前記金属製
円筒を移動させることにより前記マイクロ波を整合する
ようにしたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装
置におけるマイクロ波放電整合器。 - 【請求項２】 真空処理装置と、マイクロ波を伝送する
導波管と、該導波管を貫通して前記真空処理装置内に挿
入して配設される放電管と、前記マイクロ波を整合する
ために前記導波管に設けられるマイクロ波放電整合器と
を備えたマイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ
波放電整合器において、前記導波管の終端部に摺動自在
に挿通させて配設した金属製ニードル又は金属製平板に
駆動部を一体的に取り付けて、該駆動部を駆動させて前
記金属製ニードル又は前記金属製平板を前記放電管との
距離を変更し得るように移動させることにより前記マイ
クロ波を整合するようにしたことを特徴とするマイクロ
波プラズマ処理装置におけるマイクロ波放電整合器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160207A JPH06349596A (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | マイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ波放電整合器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160207A JPH06349596A (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | マイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ波放電整合器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349596A true JPH06349596A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15710082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5160207A Pending JPH06349596A (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | マイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ波放電整合器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349596A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6109208A (en) * | 1998-01-29 | 2000-08-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma generating apparatus with multiple microwave introducing means |
| JP2007220499A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
| KR100978556B1 (ko) * | 2008-03-28 | 2010-08-31 | 한국표준과학연구원 | 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 제어 장치, 및 플라즈마처리 장치의 제어 방법 |
| KR101526504B1 (ko) * | 2013-04-02 | 2015-06-09 | 피에스케이 주식회사 | 도파관 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 이를 이용한 기판 처리 방법 |
-
1993
- 1993-06-04 JP JP5160207A patent/JPH06349596A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6109208A (en) * | 1998-01-29 | 2000-08-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma generating apparatus with multiple microwave introducing means |
| JP2007220499A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
| KR100978556B1 (ko) * | 2008-03-28 | 2010-08-31 | 한국표준과학연구원 | 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 제어 장치, 및 플라즈마처리 장치의 제어 방법 |
| KR101526504B1 (ko) * | 2013-04-02 | 2015-06-09 | 피에스케이 주식회사 | 도파관 및 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 이를 이용한 기판 처리 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3317209B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| US7767056B2 (en) | High-frequency plasma processing apparatus | |
| US8337713B2 (en) | Methods for RF pulsing of a narrow gap capacitively coupled reactor | |
| KR100794692B1 (ko) | 플라즈마처리방법 및 플라즈마처리장치 | |
| US20030129106A1 (en) | Semiconductor processing using an efficiently coupled gas source | |
| US20100181025A1 (en) | Apparatus for the removal of a fluorinated polymer from a substrate | |
| JP3190536B2 (ja) | マイクロ波トラップを有するプラズマアッシャー | |
| WO2005050723A1 (ja) | プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 | |
| KR100443471B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 | |
| JP2002280196A (ja) | マイクロ波を利用したプラズマ発生装置 | |
| JP4141560B2 (ja) | 回路基板のプラズマ処理装置 | |
| US7323081B2 (en) | High-frequency plasma processing apparatus | |
| US20030141178A1 (en) | Energizing gas for substrate processing with shockwaves | |
| US20010025607A1 (en) | Microwave plasma reactor and method | |
| JPH0729890A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPH06349596A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ波放電整合器 | |
| US6960533B2 (en) | Method of processing a sample surface having a masking material and an anti-reflective film using a plasma | |
| JPH07240298A (ja) | プラズマ処理装置の放電開始機構 | |
| KR0140089Y1 (ko) | 마이크로파 전달장치 | |
| JP3373466B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2001044175A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2001326216A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0536641A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0247851B2 (ja) | ||
| JPH09246252A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |