JPH06349392A - 電子スイッチ - Google Patents
電子スイッチInfo
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- JPH06349392A JPH06349392A JP15786393A JP15786393A JPH06349392A JP H06349392 A JPH06349392 A JP H06349392A JP 15786393 A JP15786393 A JP 15786393A JP 15786393 A JP15786393 A JP 15786393A JP H06349392 A JPH06349392 A JP H06349392A
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- JP
- Japan
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- detection electrode
- circuit
- case
- electronic switch
- oscillation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子スイッチのケース内に水が浸入する場合
の誤動作を未然に防止できるようにすること。 【構成】 電子スイッチの金属ケースと所定間隔を隔て
て検出電極２０を配置する。金属ケースと検出電極間に
水が浸入した場合にはその間で構成される静電容量が大
幅に増加するため、発振回路２２の発振条件が変化す
る。従ってこの発振条件の変化に基づいてケース内への
水の浸入を検出している。
の誤動作を未然に防止できるようにすること。 【構成】 電子スイッチの金属ケースと所定間隔を隔て
て検出電極２０を配置する。金属ケースと検出電極間に
水が浸入した場合にはその間で構成される静電容量が大
幅に増加するため、発振回路２２の発振条件が変化す
る。従ってこの発振条件の変化に基づいてケース内への
水の浸入を検出している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子スイッチ内に水が浸
入した場合にこれを検出することができるようにした電
子スイッチに関するものである。
入した場合にこれを検出することができるようにした電
子スイッチに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来電子スイッチにおいては、電子スイ
ッチ内に水が浸入した場合には誤動作を生じる。そのた
めオーリング等のシール部材を用いて電子スイッチ内を
気密にしたり、電子スイッチ内の空隙にエポキシ樹脂等
の樹脂を充填することによって、検出コイル部や電子回
路部を水から隔離するようにしている。
ッチ内に水が浸入した場合には誤動作を生じる。そのた
めオーリング等のシール部材を用いて電子スイッチ内を
気密にしたり、電子スイッチ内の空隙にエポキシ樹脂等
の樹脂を充填することによって、検出コイル部や電子回
路部を水から隔離するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように電子スイッ
チ内には通常エポキシ樹脂が充填されているが、ケース
の材料、例えばポリアリレートとエポキシ樹脂が熱スト
レスを受ければ接着面が剥離してしまい、エポキシ樹脂
とケースとの間隙から水が浸入することがある。従来例
えば高周波発振型近接スイッチでは、図９の曲線Ａに示
すように物体までの距離に応じて振幅が変化する。そし
てこの振幅の変化によって物体の近接を検出している。
従って図９の曲線Ａに示すように距離Ｌ０以下となれば
振幅が検知される。しかし水が浸入した場合には、物体
までの距離に対する振幅変化は例えば曲線Ｂに示すよう
になる。このように振幅が大幅に低下するため、物体ま
での距離が規定値Ｌ０を越えた位置Ｌ１で物体の接近を
検出してしまい、誤動作を生じることがあるという欠点
があった。又光電スイッチにおいても、光学系に水が浸
入すれば投受光量が低下し誤動作するという欠点があっ
た。
チ内には通常エポキシ樹脂が充填されているが、ケース
の材料、例えばポリアリレートとエポキシ樹脂が熱スト
レスを受ければ接着面が剥離してしまい、エポキシ樹脂
とケースとの間隙から水が浸入することがある。従来例
えば高周波発振型近接スイッチでは、図９の曲線Ａに示
すように物体までの距離に応じて振幅が変化する。そし
てこの振幅の変化によって物体の近接を検出している。
従って図９の曲線Ａに示すように距離Ｌ０以下となれば
振幅が検知される。しかし水が浸入した場合には、物体
までの距離に対する振幅変化は例えば曲線Ｂに示すよう
になる。このように振幅が大幅に低下するため、物体ま
での距離が規定値Ｌ０を越えた位置Ｌ１で物体の接近を
検出してしまい、誤動作を生じることがあるという欠点
があった。又光電スイッチにおいても、光学系に水が浸
入すれば投受光量が低下し誤動作するという欠点があっ
た。
【０００４】本願の請求項１の発明はこのような従来の
問題点に鑑みてなされたものであって、ケース内に水が
浸入した場合にはその浸入を検知し、誤動作を未然に防
止できるようにすることを技術的課題とする。又本願の
請求項２の発明はこの課題に加えて、電子スイッチに被
検出体が過接近した場合をも同時に検出できるようにす
ることを技術的課題とする。
問題点に鑑みてなされたものであって、ケース内に水が
浸入した場合にはその浸入を検知し、誤動作を未然に防
止できるようにすることを技術的課題とする。又本願の
請求項２の発明はこの課題に加えて、電子スイッチに被
検出体が過接近した場合をも同時に検出できるようにす
ることを技術的課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１の発明
は、少なくとも一部が金属ケースによって覆われ、近接
する物体を検出するセンサ回路を含む電子スイッチであ
って、電子スイッチの内壁に金属ケースと所定間隔を隔
てて対向するように配置された検出電極と、検出電極を
保持しケースの空隙部に充填された充填樹脂と、検出電
極と金属ケースにより構成されるコンデンサを含む発振
回路と、検出電極と金属ケース間に水が浸入した際のコ
ンデンサの静電容量の変化を発振回路の発振条件の変化
に基づいて検出する検出手段と、を具備することを特徴
とするものである。
は、少なくとも一部が金属ケースによって覆われ、近接
する物体を検出するセンサ回路を含む電子スイッチであ
って、電子スイッチの内壁に金属ケースと所定間隔を隔
てて対向するように配置された検出電極と、検出電極を
保持しケースの空隙部に充填された充填樹脂と、検出電
極と金属ケースにより構成されるコンデンサを含む発振
回路と、検出電極と金属ケース間に水が浸入した際のコ
ンデンサの静電容量の変化を発振回路の発振条件の変化
に基づいて検出する検出手段と、を具備することを特徴
とするものである。
【０００６】本願の請求項２の発明は、近接する物体を
検出するセンサ回路を含む電子スイッチであって、電子
スイッチの検出面の裏面に配置された検出電極と、検出
電極と対地間より構成される静電容量を含む発振回路
と、静電容量の変化による検出電極とケース間への水の
浸入及び物体の過接近を発振回路の発振条件の変化に基
づいて検出する検出手段と、を具備することを特徴とす
るものである。
検出するセンサ回路を含む電子スイッチであって、電子
スイッチの検出面の裏面に配置された検出電極と、検出
電極と対地間より構成される静電容量を含む発振回路
と、静電容量の変化による検出電極とケース間への水の
浸入及び物体の過接近を発振回路の発振条件の変化に基
づいて検出する検出手段と、を具備することを特徴とす
るものである。
【０００７】
【作用】このような特徴を有する本願の請求項１の発明
によれば、検出電極と金属ケースの内部に金属ケースと
所定間隔を隔てて検出電極が配置され、検出電極と金属
ケースにより構成される静電容量を含んで発振回路が構
成されている。そして発振回路は金属ケースと検出電極
との間に水が浸入した場合の静電容量が大幅に増加す
る。従って発振条件が変化するためこの発振条件の変化
に基づいて電子スイッチのケース内への水の浸入を検出
している。
によれば、検出電極と金属ケースの内部に金属ケースと
所定間隔を隔てて検出電極が配置され、検出電極と金属
ケースにより構成される静電容量を含んで発振回路が構
成されている。そして発振回路は金属ケースと検出電極
との間に水が浸入した場合の静電容量が大幅に増加す
る。従って発振条件が変化するためこの発振条件の変化
に基づいて電子スイッチのケース内への水の浸入を検出
している。
【０００８】又本願の請求項２の発明では、検出スイッ
チの検出面の裏面に検出電極を配置し、検出電極と対地
間により構成された静電容量によって発振回路を構成し
ている。従って１種の静電容量型の近接スイッチとな
り、発振条件の変化に基づいて検出手段によって物体の
過接近を検出している。又検出部への水が浸入すれば検
出電極と被検出物体間との静電容量が変化するため、発
振条件も変化する。従ってこの発振条件の変化も同時に
検出手段によって検出し、異常状態を識別している。
チの検出面の裏面に検出電極を配置し、検出電極と対地
間により構成された静電容量によって発振回路を構成し
ている。従って１種の静電容量型の近接スイッチとな
り、発振条件の変化に基づいて検出手段によって物体の
過接近を検出している。又検出部への水が浸入すれば検
出電極と被検出物体間との静電容量が変化するため、発
振条件も変化する。従ってこの発振条件の変化も同時に
検出手段によって検出し、異常状態を識別している。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例による高周波発振型
近接スイッチの構成を示すブロック図であり、図２はそ
の形状を示す断面図である。図２に示すように近接スイ
ッチはコイルケース１の前面にコイルスプール２に巻回
されたコイル３がフェライトコア４の溝に沿って固定さ
れている。このフェライトコア４の背後には図示のよう
に電子回路部を実装したプリント基板５が固定される。
コイルケース１の外周は金属ケース６に覆われて近接ス
イッチの筐体を構成しており、その背後にはコードクラ
ンプ７を介してコード８が固定される。そして光電スイ
ッチのケースの空隙部には充填樹脂として例えばエポキ
シ樹脂９が充填されている。
近接スイッチの構成を示すブロック図であり、図２はそ
の形状を示す断面図である。図２に示すように近接スイ
ッチはコイルケース１の前面にコイルスプール２に巻回
されたコイル３がフェライトコア４の溝に沿って固定さ
れている。このフェライトコア４の背後には図示のよう
に電子回路部を実装したプリント基板５が固定される。
コイルケース１の外周は金属ケース６に覆われて近接ス
イッチの筐体を構成しており、その背後にはコードクラ
ンプ７を介してコード８が固定される。そして光電スイ
ッチのケースの空隙部には充填樹脂として例えばエポキ
シ樹脂９が充填されている。
【００１０】さてプリント基板５上には図１に示すよう
に、コイル３と共に共振回路を構成するコンデンサＣ１
及びその共振回路を含む発振回路１１が設けられる。発
振回路１１は一定の周波数で発振しており、物体の接近
によってその振幅が低下する。発振回路１１の振幅は積
分回路１２によって検出され、比較回路１３により所定
の閾値レベルと比較される。比較回路１３の出力は信号
処理回路１４に与えられ、所定時間連続して比較出力が
得られた場合には物体検知信号が出力回路１５を介して
出力される。
に、コイル３と共に共振回路を構成するコンデンサＣ１
及びその共振回路を含む発振回路１１が設けられる。発
振回路１１は一定の周波数で発振しており、物体の接近
によってその振幅が低下する。発振回路１１の振幅は積
分回路１２によって検出され、比較回路１３により所定
の閾値レベルと比較される。比較回路１３の出力は信号
処理回路１４に与えられ、所定時間連続して比較出力が
得られた場合には物体検知信号が出力回路１５を介して
出力される。
【００１１】さて本実施例の近接スイッチはコイルケー
ス１の内壁に近接する位置に検出電極２０を設ける。検
出電極２０は例えば図２に示すように筒状の形状を有
し、金属ケース６の内壁に対向させてエポキシ樹脂９で
保持しておく。そしてこの検出電極２０とプリント基板
５とをリード線２１を介して接続する。こうすれば図３
に示すように、検出スイッチの検出電極２０と金属ケー
ス６との間はコンデンサが形成されていることとなり、
このコンデンサの静電容量をＣｓとする。そしてこの静
電容量Ｃｓを含む発振回路２２を構成する。発振回路２
２は例えば図３（ｂ）にその一例を示すように、この静
電容量ＣｓとコンデンサＣ２、及び抵抗Ｒ１，Ｒ２を夫
々直列に接続して演算増幅器２２ａの一対の入力端子に
接続し、その出力を抵抗Ｒ１，コンデンサＣ２の共通接
続端に帰還したＣＲ型の発振回路とする。この発振回路
２２の振幅は積分回路２３によって検出され、比較回路
２４に与えられる。比較回路２４は所定の閾値を越える
入力信号が得られたときに信号処理回路１４に禁止信号
を出力するものである。信号処理回路１４は比較回路２
４の出力が連続する際に物体検知信号を禁止すると共
に、診断出力を診断出力回路２５に出力するものであ
る。
ス１の内壁に近接する位置に検出電極２０を設ける。検
出電極２０は例えば図２に示すように筒状の形状を有
し、金属ケース６の内壁に対向させてエポキシ樹脂９で
保持しておく。そしてこの検出電極２０とプリント基板
５とをリード線２１を介して接続する。こうすれば図３
に示すように、検出スイッチの検出電極２０と金属ケー
ス６との間はコンデンサが形成されていることとなり、
このコンデンサの静電容量をＣｓとする。そしてこの静
電容量Ｃｓを含む発振回路２２を構成する。発振回路２
２は例えば図３（ｂ）にその一例を示すように、この静
電容量ＣｓとコンデンサＣ２、及び抵抗Ｒ１，Ｒ２を夫
々直列に接続して演算増幅器２２ａの一対の入力端子に
接続し、その出力を抵抗Ｒ１，コンデンサＣ２の共通接
続端に帰還したＣＲ型の発振回路とする。この発振回路
２２の振幅は積分回路２３によって検出され、比較回路
２４に与えられる。比較回路２４は所定の閾値を越える
入力信号が得られたときに信号処理回路１４に禁止信号
を出力するものである。信号処理回路１４は比較回路２
４の出力が連続する際に物体検知信号を禁止すると共
に、診断出力を診断出力回路２５に出力するものであ
る。
【００１２】次に本実施例の動作について説明する。検
出電極２０と金属ケース６の間の静電容量Ｃｓは、図３
（ａ）に示すようにコイルケース１と空隙内に充填され
るエポキシ樹脂９、及びこの間が剥離した場合には空気
層から構成される。従って静電容量は対向する電極の面
積をＳとすると次式で示される。
出電極２０と金属ケース６の間の静電容量Ｃｓは、図３
（ａ）に示すようにコイルケース１と空隙内に充填され
るエポキシ樹脂９、及びこの間が剥離した場合には空気
層から構成される。従って静電容量は対向する電極の面
積をＳとすると次式で示される。
【数１】 ここで用いられた文字は以下の通りである。 ｔ1 ：エポキシ樹脂９の厚み（数mm） ｔ2 ：コイルケース１の厚み（一般に１mm以下） ｔ3 ：隙間（10μｍ程度） ε0 ：真空の誘電率 ε1 ：エポキシ樹脂の比誘電率（約４） ε2 ：コイルケースの比誘電率（約４） ε3 ：空気層の比誘電率（約１） ε3 ′：水の比誘電率（約80）
【００１３】正常時にはエポキシ樹脂１２とコイルケー
ス１との間の隙間は空気層があるものとすれば、上記の
一般的な式を用いると水の浸入前の静電容量Ｃｓに対し
て、水が浸入した場合の静電容量Ｃｓ′は100 倍近くと
なる。従って水の浸入を静電容量の変化として識別する
ことができる。このようにコイルケースとエポキシ樹脂
との間に水が浸入するかどうかによって静電容量が大幅
に変化するため、これによって発振回路２２の発振状態
が変化する。従ってこれに基づいて近接スイッチ内に水
が浸入しているかどうかが検出できることとなる。
ス１との間の隙間は空気層があるものとすれば、上記の
一般的な式を用いると水の浸入前の静電容量Ｃｓに対し
て、水が浸入した場合の静電容量Ｃｓ′は100 倍近くと
なる。従って水の浸入を静電容量の変化として識別する
ことができる。このようにコイルケースとエポキシ樹脂
との間に水が浸入するかどうかによって静電容量が大幅
に変化するため、これによって発振回路２２の発振状態
が変化する。従ってこれに基づいて近接スイッチ内に水
が浸入しているかどうかが検出できることとなる。
【００１４】例えば図３（ｂ）における発振条件をＣｓ
≧Ｃｓ1 としておく。 （Ｃｓ0 ＜Ｃｓ1 ＜Ｃｓ2 ） Ｃｓ0 ：水の浸入前の静電容量 Ｃｓ2 ：水の浸入した場合の静電容量 そうすると水が浸入していない状態では発振回路２２は
発振が停止しているが、水が浸入してＣｓ＝Ｃｓ2 にな
ると発振が開始することになり、この発振の有無を検知
することにより水の浸入を検出することができる。
≧Ｃｓ1 としておく。 （Ｃｓ0 ＜Ｃｓ1 ＜Ｃｓ2 ） Ｃｓ0 ：水の浸入前の静電容量 Ｃｓ2 ：水の浸入した場合の静電容量 そうすると水が浸入していない状態では発振回路２２は
発振が停止しているが、水が浸入してＣｓ＝Ｃｓ2 にな
ると発振が開始することになり、この発振の有無を検知
することにより水の浸入を検出することができる。
【００１５】次に本発明の第２実施例について説明す
る。図４は本発明の第２実施例による高周波発振型近接
スイッチの断面図、図５はその検知部分を示す縦断面図
である。本実施例ではコイルケース１Ａの検出面には第
１実施例と同様にコイルスプール２に巻回されたコイル
３がフェライトコア４の溝に沿って固定される。そして
コイルケースの検出面のすぐ裏面には図示のように検出
電極３０を配置する。検出電極３０は図５に示すように
中央に開口が設けられた円板状の金属板とする。この検
出電極３０はリード線３１を介してプリント基板５上の
電子回路部に接続されている。その他の構成は第１実施
例と同様であり、コイルケース１Ａに金属ケース３２を
被せ、ケース内には電子回路部を実装したプリント基板
５を配置する。本実施例においても空隙部にはエポキシ
樹脂９を充填しておくものとする。
る。図４は本発明の第２実施例による高周波発振型近接
スイッチの断面図、図５はその検知部分を示す縦断面図
である。本実施例ではコイルケース１Ａの検出面には第
１実施例と同様にコイルスプール２に巻回されたコイル
３がフェライトコア４の溝に沿って固定される。そして
コイルケースの検出面のすぐ裏面には図示のように検出
電極３０を配置する。検出電極３０は図５に示すように
中央に開口が設けられた円板状の金属板とする。この検
出電極３０はリード線３１を介してプリント基板５上の
電子回路部に接続されている。その他の構成は第１実施
例と同様であり、コイルケース１Ａに金属ケース３２を
被せ、ケース内には電子回路部を実装したプリント基板
５を配置する。本実施例においても空隙部にはエポキシ
樹脂９を充填しておくものとする。
【００１６】図６は第２実施例による近接スイッチの電
気的構成を示すブロック図であり、第１実施例と同一部
分は同一符号を付して詳細な説明を省略する。本実施例
においてもコイル３とコンデンサによって発振回路１１
が構成され、その振幅変化が積分回路１２及び比較回路
１３によって検出される。そしてその出力は信号処理回
路１４によって判別され、物体検知信号が出力回路１５
より出力される。さて本実施例において、検出電極３０
と被検出物体３３との間の静電容量Ｃｓを含んで図３
（ｂ）と同様に発振回路２２が構成されており、その出
力は積分回路２３に与えられる。積分回路２３の出力は
比較回路３４に与えられる。比較回路３４は一定の閾値
を有する比較回路であって、物体の過接近及びケースへ
の水の浸入を検出するものである。比較回路３４の出力
は診断出力回路３５を介して物体の過接近及び水浸入の
警報信号として出力される。又比較回路３４の出力によ
って信号処理回路１４に出力が出され、出力回路１５か
らの物体検知信号を禁止するようにしている。ここで積
分回路２３，比較回路３４は、検出電極３０と被検出物
体３３との間の静電容量の変化により、検出電極３０と
ケース１Ａとの間への水の浸入及び物体の過接近を検出
する検出手段を構成している。
気的構成を示すブロック図であり、第１実施例と同一部
分は同一符号を付して詳細な説明を省略する。本実施例
においてもコイル３とコンデンサによって発振回路１１
が構成され、その振幅変化が積分回路１２及び比較回路
１３によって検出される。そしてその出力は信号処理回
路１４によって判別され、物体検知信号が出力回路１５
より出力される。さて本実施例において、検出電極３０
と被検出物体３３との間の静電容量Ｃｓを含んで図３
（ｂ）と同様に発振回路２２が構成されており、その出
力は積分回路２３に与えられる。積分回路２３の出力は
比較回路３４に与えられる。比較回路３４は一定の閾値
を有する比較回路であって、物体の過接近及びケースへ
の水の浸入を検出するものである。比較回路３４の出力
は診断出力回路３５を介して物体の過接近及び水浸入の
警報信号として出力される。又比較回路３４の出力によ
って信号処理回路１４に出力が出され、出力回路１５か
らの物体検知信号を禁止するようにしている。ここで積
分回路２３，比較回路３４は、検出電極３０と被検出物
体３３との間の静電容量の変化により、検出電極３０と
ケース１Ａとの間への水の浸入及び物体の過接近を検出
する検出手段を構成している。
【００１７】さて検出電極３０に被検出物体３３が接近
した場合には、図７に示すように検出電極３０と被検出
物体３３との間は微小な隙間又はこの間に浸入する可能
性がある水の層とコイルケース１Ａ及び被検出物体３３
との間の空間によりコンデンサが形成される。従って水
が浸入していなければ検出電極３０と被検出物体３３と
で構成される静電容量Ｃｓは次式（２）で示され、水が
浸入している場合は式（３）で示される。
した場合には、図７に示すように検出電極３０と被検出
物体３３との間は微小な隙間又はこの間に浸入する可能
性がある水の層とコイルケース１Ａ及び被検出物体３３
との間の空間によりコンデンサが形成される。従って水
が浸入していなければ検出電極３０と被検出物体３３と
で構成される静電容量Ｃｓは次式（２）で示され、水が
浸入している場合は式（３）で示される。
【数２】 ここで用いられた文字は以下の通りである。 ｔ4 ：近接スイッチと被検出物体３５との距離 ｔ5 ：コイルケース１Ａの厚み ｔ6 ：隙間 ε0 ：真空の誘電率 ε4 ：空気層の比誘電率（約１） ε5 ：コイルケースの比誘電率（約４） ε6 ′：水の比誘電率（約80） ここでＣｓと物体との距離Ｌとの関係は例えば水の浸入
時には曲線Ｄで示すものとなり、水が浸入していなけれ
ば曲線Ｅで示されるものとなる。このように物体が過接
近したときには静電容量Ｃｓは大きくなり、前述したよ
うに水が浸入した場合にも静電容量Ｃｓは大幅に大きく
なる。ここで発振回路２２の発振条件をＣｓ≧Ｃｓ1 と
しておけば、図８に示すように水が浸入したとき又は距
離ＬがｔN以内に接近したときに発振が開始することと
なり、水の浸入又は過接近が検出できる。即ち静電容量
の変化を発振回路の振幅の変化に対応するようにしてお
けば、過接近及び水の浸入の検出が可能となる。
時には曲線Ｄで示すものとなり、水が浸入していなけれ
ば曲線Ｅで示されるものとなる。このように物体が過接
近したときには静電容量Ｃｓは大きくなり、前述したよ
うに水が浸入した場合にも静電容量Ｃｓは大幅に大きく
なる。ここで発振回路２２の発振条件をＣｓ≧Ｃｓ1 と
しておけば、図８に示すように水が浸入したとき又は距
離ＬがｔN以内に接近したときに発振が開始することと
なり、水の浸入又は過接近が検出できる。即ち静電容量
の変化を発振回路の振幅の変化に対応するようにしてお
けば、過接近及び水の浸入の検出が可能となる。
【００１８】尚本実施例は高周波発振型近接スイッチに
ついて説明しているが、本発明は光電スイッチ等の他の
種々の電子スイッチに適用することが可能である。
ついて説明しているが、本発明は光電スイッチ等の他の
種々の電子スイッチに適用することが可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本願の請求項
１の発明では、金属ケースと検出電極との間に水が浸入
した場合にその旨を識別して検出することができるた
め、誤動作を未然に防止することができるという効果が
得られる。又請求項２の発明では、検出面の裏面に検出
電極を配置し、この検出電極と対地間での静電容量を含
んで発振回路を構成している。従って検出部に水が浸入
すれば静電容量の変化が大きくなり、発振条件の変化に
基づいて水の浸入が検出できる。又物体が過接近した場
合にも静電容量型の近接センサと同様に過接近状態を検
出することができ、異常状態として外部に出力すること
ができる。
１の発明では、金属ケースと検出電極との間に水が浸入
した場合にその旨を識別して検出することができるた
め、誤動作を未然に防止することができるという効果が
得られる。又請求項２の発明では、検出面の裏面に検出
電極を配置し、この検出電極と対地間での静電容量を含
んで発振回路を構成している。従って検出部に水が浸入
すれば静電容量の変化が大きくなり、発振条件の変化に
基づいて水の浸入が検出できる。又物体が過接近した場
合にも静電容量型の近接センサと同様に過接近状態を検
出することができ、異常状態として外部に出力すること
ができる。
【図１】本発明の第１実施例による高周波発振型近接ス
イッチの構成を示すブロック図である。
イッチの構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１実施例による近接スイッチの断面
図である。
図である。
【図３】（ａ）は本発明の第１実施例による検出電極と
金属ケースにより構成される静電容量を示す概略図、
（ｂ）はこの静電容量を用いた発振回路の一例を示す回
路図である。
金属ケースにより構成される静電容量を示す概略図、
（ｂ）はこの静電容量を用いた発振回路の一例を示す回
路図である。
【図４】本発明の第２実施例による高周波発振型近接ス
イッチの構成を示す断面図である。
イッチの構成を示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施例による高周波発振型近接ス
イッチの検出部分を示す縦断面図である。
イッチの検出部分を示す縦断面図である。
【図６】本発明の第２実施例による高周波発振型近接ス
イッチの構成を示すブロック図である。
イッチの構成を示すブロック図である。
【図７】第２実施例による検出電極と被検出物体とで成
される平行電極を示す概略図である。
される平行電極を示す概略図である。
【図８】第２実施例による静電容量Ｃｓと被検出物体ま
での距離ｔ4 の関係を示すグラフである。
での距離ｔ4 の関係を示すグラフである。
【図９】従来の近接スイッチの物体までの距離と振幅の
変化を示すグラフである。
変化を示すグラフである。
１，１Ａ コイルケース ２ コイルスプール ３ コイル ４ コア ５ プリント基板 ６，３２ 金属ケース １１，２１ 発振回路 １２，２３ 積分回路 １３，２４，３４ 比較回路 １４ 信号処理回路 ２０，３０ 検出電極 ２５，３５ 診断出力回路 ３３ 被検出物体
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも一部が金属ケースによって覆
われ、近接する物体を検出するセンサ回路を含む電子ス
イッチにおいて、 前記電子スイッチの内壁に前記金属ケースと所定間隔を
隔てて対向するように配置された検出電極と、 前記検出電極を保持しケースの空隙部に充填された充填
樹脂と、 前記検出電極と前記金属ケースにより構成されるコンデ
ンサを含む発振回路と、 前記検出電極と金属ケース間に水が浸入した際のコンデ
ンサの静電容量の変化を前記発振回路の発振条件の変化
に基づいて検出する検出手段と、を具備することを特徴
とする電子スイッチ。 - 【請求項２】 近接する物体を検出するセンサ回路を含
む電子スイッチにおいて、 前記電子スイッチの検出面の裏面に配置された検出電極
と、 前記検出電極と対地間より構成される静電容量を含む発
振回路と、 前記静電容量の変化による検出電極とケース間への水の
浸入及び物体の過接近を前記発振回路の発振条件の変化
に基づいて検出する検出手段と、を具備することを特徴
とする電子スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15786393A JPH06349392A (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 電子スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15786393A JPH06349392A (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 電子スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349392A true JPH06349392A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15659041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15786393A Pending JPH06349392A (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 電子スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349392A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063343A1 (de) * | 2001-02-03 | 2002-08-15 | Robert Bosch Gmbh | Ortungsgerät |
| JP2015177042A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | オムロン株式会社 | 電子機器 |
-
1993
- 1993-06-02 JP JP15786393A patent/JPH06349392A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063343A1 (de) * | 2001-02-03 | 2002-08-15 | Robert Bosch Gmbh | Ortungsgerät |
| US6894510B2 (en) | 2001-02-03 | 2005-05-17 | Robert Bosch Gmbh | Locating device |
| JP2015177042A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | オムロン株式会社 | 電子機器 |
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