JPH0634722A - 電子ビーム試験装置 - Google Patents
電子ビーム試験装置Info
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- JPH0634722A JPH0634722A JP4191171A JP19117192A JPH0634722A JP H0634722 A JPH0634722 A JP H0634722A JP 4191171 A JP4191171 A JP 4191171A JP 19117192 A JP19117192 A JP 19117192A JP H0634722 A JPH0634722 A JP H0634722A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子ビームを使用して半導体チップの配線の
電圧測定を行なう電子ビーム試験装置に関し、半導体チ
ップの層と層とのずれを考慮してマッチングを行なうこ
とで、正確な位置決めを可能とすることを目的とする。 【構成】 画像格納部２６に半導体チップ１６のレイア
ウト図を配線層別に格納しておき、マッチング部２１は
半導体チップ１６の配線層別にマッチングを行なう構成
とする。
電圧測定を行なう電子ビーム試験装置に関し、半導体チ
ップの層と層とのずれを考慮してマッチングを行なうこ
とで、正確な位置決めを可能とすることを目的とする。 【構成】 画像格納部２６に半導体チップ１６のレイア
ウト図を配線層別に格納しておき、マッチング部２１は
半導体チップ１６の配線層別にマッチングを行なう構成
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子ビーム試験装置に関
し、電子ビームを使用して半導体チップの配線の電圧測
定を行なう電子ビーム試験装置に関する。
し、電子ビームを使用して半導体チップの配線の電圧測
定を行なう電子ビーム試験装置に関する。
【０００２】従来より、電子ビームで集積回路を走査し
て、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）画像を得
て半導体チップを観察し、半導体チップの測定対象の配
線位置に電子ビームを照射して、この配線の電圧を測定
する電子ビーム試験装置がある。
て、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）画像を得
て半導体チップを観察し、半導体チップの測定対象の配
線位置に電子ビームを照射して、この配線の電圧を測定
する電子ビーム試験装置がある。
【０００３】このような、電子ビーム試験装置では電圧
を測定しようとする配線に正確に電子ビームを照射する
必要がある。
を測定しようとする配線に正確に電子ビームを照射する
必要がある。
【０００４】
【従来の技術】電子ビームを用いて半導体チップの内部
配線の電圧測定を行なう装置として、本出願人は特願平
４−４７１７４号でＬＳＩの内部配線の電圧測定を自動
化するために、ＬＳＩ設計用のＣＡＤデータであるマス
ク図（レイアウト図）とＬＳＩ内部のＳＥＭ像とのパタ
ーン・マッチングにより、測定点に自動的に電子ビーム
を位置決めする技術を提案している。これは、ＳＥＭ像
をＸ，Ｙの二方向へ投影し、投影データから抽出した配
線のエッジを用いてマスク図（レイアウト図）と相関処
理を施し、Ｘ，Ｙの二方向の位置合わせを行なう方法で
あった。
配線の電圧測定を行なう装置として、本出願人は特願平
４−４７１７４号でＬＳＩの内部配線の電圧測定を自動
化するために、ＬＳＩ設計用のＣＡＤデータであるマス
ク図（レイアウト図）とＬＳＩ内部のＳＥＭ像とのパタ
ーン・マッチングにより、測定点に自動的に電子ビーム
を位置決めする技術を提案している。これは、ＳＥＭ像
をＸ，Ｙの二方向へ投影し、投影データから抽出した配
線のエッジを用いてマスク図（レイアウト図）と相関処
理を施し、Ｘ，Ｙの二方向の位置合わせを行なう方法で
あった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、ＬＳＩチッ
プの製造プロセスにおいては、層と層との位置合わせに
最小配線幅の２０％までのずれ量を許容している。図８
に二層配線のＬＳＩチップ内部のＳＥＭ像を説明するた
めの図を示す。図８に示すように破線で示す第一層４２
の配線と、実線で示す第二層４１の配線とにずれｄが生
じている。
プの製造プロセスにおいては、層と層との位置合わせに
最小配線幅の２０％までのずれ量を許容している。図８
に二層配線のＬＳＩチップ内部のＳＥＭ像を説明するた
めの図を示す。図８に示すように破線で示す第一層４２
の配線と、実線で示す第二層４１の配線とにずれｄが生
じている。
【０００６】従来の電子ビーム試験装置のマッチング方
法では、第二層（最上層）４１の配線のエッジの寄与が
支配的である。つまり、コントラストの明瞭な第二層４
１の配線のエッジが最もよくマッチする状態をマッチン
グした状態と検出する傾向があった。従って、第一層４
２の配線への電子ビームの位置決めが、第一層４２と第
二層４１とのずれｄだけ不正確になってしまうという問
題点があった。ＬＳＩの微細化が進むにつれて電子ビー
ムの位置決め精度が要求されるため、これは大きな問題
となっていた。
法では、第二層（最上層）４１の配線のエッジの寄与が
支配的である。つまり、コントラストの明瞭な第二層４
１の配線のエッジが最もよくマッチする状態をマッチン
グした状態と検出する傾向があった。従って、第一層４
２の配線への電子ビームの位置決めが、第一層４２と第
二層４１とのずれｄだけ不正確になってしまうという問
題点があった。ＬＳＩの微細化が進むにつれて電子ビー
ムの位置決め精度が要求されるため、これは大きな問題
となっていた。
【０００７】本発明は、半導体チップの層と層とのずれ
を考慮してマッチングを行なうことで、正確な位置決め
を可能とした電子ビーム試験装置を提供することを目的
とする。
を考慮してマッチングを行なうことで、正確な位置決め
を可能とした電子ビーム試験装置を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、二次元移動ステージに載置された多層配線
を有する被検査半導体チップに電子ビームを照射して、
二次電子の検出信号からＳＥＭ画像及び測定電圧を得る
電子ビーム装置と、前記半導体チップの配線層別のレイ
アウト図が格納されたレイアウト図格納部と、前記電子
ビーム装置から得たＳＥＭ画像を前記レイアウト図格納
部から読み出した配線層別のレイアウト図と比較して、
配線層別にＳＥＭ画像とレイアウト図とのずれを検出す
る検出手段と、前記検出手段で検出されたずれ量に応じ
て、前記電子ビームが前記半導体チップ上の測定点に照
射されるように前記二次元移動ステージを制御する照射
制御手段とを有する。
するために、二次元移動ステージに載置された多層配線
を有する被検査半導体チップに電子ビームを照射して、
二次電子の検出信号からＳＥＭ画像及び測定電圧を得る
電子ビーム装置と、前記半導体チップの配線層別のレイ
アウト図が格納されたレイアウト図格納部と、前記電子
ビーム装置から得たＳＥＭ画像を前記レイアウト図格納
部から読み出した配線層別のレイアウト図と比較して、
配線層別にＳＥＭ画像とレイアウト図とのずれを検出す
る検出手段と、前記検出手段で検出されたずれ量に応じ
て、前記電子ビームが前記半導体チップ上の測定点に照
射されるように前記二次元移動ステージを制御する照射
制御手段とを有する。
【０００９】
【作用】レイアウト図格納部には半導体チップのレイア
ウト図が配線層別に格納されており、マッチング部はレ
イアウト図格納部に格納された配線層別のレイアウト図
と電子ビーム装置により得たＳＥＭ画像とを配線層別に
対応させる。
ウト図が配線層別に格納されており、マッチング部はレ
イアウト図格納部に格納された配線層別のレイアウト図
と電子ビーム装置により得たＳＥＭ画像とを配線層別に
対応させる。
【００１０】このため、測定点の配線層の対応を正確に
とることができる。
とることができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明装置の一実施例の構成図を示
す。同図中、１０は電子ビーム装置であり、電子銃１１
から出射された電子ビームは走査偏向器１２で偏向され
た後、電子レンズ１４により二次元移動ステージ１５上
に載置された被検査半導体チップ１６に照射され、半導
体チップ１６よりの二次電子が検出器１７で検出され
る。検出器１７の検出信号はＳＥＭ像取得部１８及び電
圧測定部１９に供給される。ここで、偏向制御部２０で
走査偏向器１２を制御して電子ビームで半導体チップ１
６全面を走査し、そのときの検出器１７出力であるＳＥ
Ｍ画像をＳＥＭ像取得部１８に供給し、ここでＳＥＭ画
像をディジタル化して格納する。
す。同図中、１０は電子ビーム装置であり、電子銃１１
から出射された電子ビームは走査偏向器１２で偏向され
た後、電子レンズ１４により二次元移動ステージ１５上
に載置された被検査半導体チップ１６に照射され、半導
体チップ１６よりの二次電子が検出器１７で検出され
る。検出器１７の検出信号はＳＥＭ像取得部１８及び電
圧測定部１９に供給される。ここで、偏向制御部２０で
走査偏向器１２を制御して電子ビームで半導体チップ１
６全面を走査し、そのときの検出器１７出力であるＳＥ
Ｍ画像をＳＥＭ像取得部１８に供給し、ここでＳＥＭ画
像をディジタル化して格納する。
【００１２】ＳＥＭ像取得部１８は増幅器１８ａ，Ａ／
Ｄ（アナログ／ディジタル）変換器１８ｂ，ＳＥＭ像格
納部１８ｃよりなる。増幅器１８ａは検出器１７で検出
された二次電子に応じた検出信号を増幅して、Ａ／Ｄ変
換器１８ｂに供給する。Ａ／Ｄ変換器１８ｂは増幅器１
８ａからのアナログ信号をディジタル信号に変換する。
Ａ／Ｄ変換器１８ｂの出力ディジタル信号はＳＥＭ像格
納部１８ｃに供給され、格納される。
Ｄ（アナログ／ディジタル）変換器１８ｂ，ＳＥＭ像格
納部１８ｃよりなる。増幅器１８ａは検出器１７で検出
された二次電子に応じた検出信号を増幅して、Ａ／Ｄ変
換器１８ｂに供給する。Ａ／Ｄ変換器１８ｂは増幅器１
８ａからのアナログ信号をディジタル信号に変換する。
Ａ／Ｄ変換器１８ｂの出力ディジタル信号はＳＥＭ像格
納部１８ｃに供給され、格納される。
【００１３】半導体チップ１６のＣＡＤデータ（レイア
ウト図）は画像格納部２６に格納される。画像格納部２
６に格納されたレイアウト図は制御計算機２９で表示制
御され、ディスプレイ装置２７に表示される。ディスプ
レイ装置２７に表示されたレイアウト図上をポインティ
ング・ディバイス２８で指示し、測定点を決定する。
ウト図）は画像格納部２６に格納される。画像格納部２
６に格納されたレイアウト図は制御計算機２９で表示制
御され、ディスプレイ装置２７に表示される。ディスプ
レイ装置２７に表示されたレイアウト図上をポインティ
ング・ディバイス２８で指示し、測定点を決定する。
【００１４】また、表示選択の指示はポインティング・
ディバイス２８から入力され、部分拡大図を表示する場
合はポインティング・ディバイス２８で指示することに
より指定された部分拡大図を画像格納部２６から読出し
てディスプレイ装置２７に表示させる。
ディバイス２８から入力され、部分拡大図を表示する場
合はポインティング・ディバイス２８で指示することに
より指定された部分拡大図を画像格納部２６から読出し
てディスプレイ装置２７に表示させる。
【００１５】この後、ディスプレイ装置２７に表示した
拡大図上でポインティング・ディバイス２８を用いて測
定点を指示する。この後、制御計算機２９は指示された
測定点に電子ビームが照射される位置までステージ１５
を移動するようにステージコントローラ３０に指示を与
える。
拡大図上でポインティング・ディバイス２８を用いて測
定点を指示する。この後、制御計算機２９は指示された
測定点に電子ビームが照射される位置までステージ１５
を移動するようにステージコントローラ３０に指示を与
える。
【００１６】ステージコントローラ３０は制御計算機２
９からの指示に基づいてステージ１５を制御する。
９からの指示に基づいてステージ１５を制御する。
【００１７】次に制御計算機２９は偏向制御部２０を制
御して半導体チップ１６上の測定点に電子ビームを照射
する。このときの二次電子を検出した検出器１７出力を
電圧測定部１９で測定する。
御して半導体チップ１６上の測定点に電子ビームを照射
する。このときの二次電子を検出した検出器１７出力を
電圧測定部１９で測定する。
【００１８】マッチング部２１では、ＳＥＭ像取得部１
８で得たＳＥＭ像と画像格納部２６に予め格納された半
導体チップ１６のＣＡＤデータとを照合してマッチング
が行なわれる。層番号設定部２２は、測定配線の層番号
を設定しておくもので、メモリ上、あるいはディスク装
置上に構成される。マッチング部２１はこの層番号設定
部２２に設定された層番号を参照して、マッチングに用
いられる層のマスク図（レイアウト図）を読み出す。図
２は層別にマッチングを行なうことを説明する模式図で
ある。実線で書いたのが第二層の配線３１，点線で書い
たのが第一層の配線３２である。この図の斜線を引いた
矩形の投影領域３３，３４が横方向に投影する範囲であ
り、配線のエッジごとにこの投影領域３３，３４が決定
される。この図に示したように、マッチング処理では配
線のエッジそれぞれに対して、投影領域３３，３４を定
めて投影データを取得し、ある一つの層のマッチングを
独立に行なっている。
８で得たＳＥＭ像と画像格納部２６に予め格納された半
導体チップ１６のＣＡＤデータとを照合してマッチング
が行なわれる。層番号設定部２２は、測定配線の層番号
を設定しておくもので、メモリ上、あるいはディスク装
置上に構成される。マッチング部２１はこの層番号設定
部２２に設定された層番号を参照して、マッチングに用
いられる層のマスク図（レイアウト図）を読み出す。図
２は層別にマッチングを行なうことを説明する模式図で
ある。実線で書いたのが第二層の配線３１，点線で書い
たのが第一層の配線３２である。この図の斜線を引いた
矩形の投影領域３３，３４が横方向に投影する範囲であ
り、配線のエッジごとにこの投影領域３３，３４が決定
される。この図に示したように、マッチング処理では配
線のエッジそれぞれに対して、投影領域３３，３４を定
めて投影データを取得し、ある一つの層のマッチングを
独立に行なっている。
【００１９】測定配線の層番号を参照することにより、
測定配線の層だけのマスク図を用いてマッチングを行な
うことが可能となる。測定配線の層のみで初めからマッ
チングを行なう場合、マッチングに寄与するエッジが少
ないため正しいマッチング結果を得られない。そのた
め、この実施例では図３に示すフローチャートに従って
マッチングを行なう。まず、第一段階のマッチングで、
測定配線の層に限らないマスク図（例えばコントラスト
の明瞭な最上層のマスク図（レイアウト図））を用いて
マッチングを行なう（ステップＳ１〜Ｓ２）。次の第一
段階のマッチング結果に基づいて、ずれを補正する目的
で層番号設定部２２を参照し、層番号設定部２２に設定
された層のマスク図（レイアウト図）を用いて電圧測定
層のマッチングを行なう（ステップＳ３〜Ｓ５）。
測定配線の層だけのマスク図を用いてマッチングを行な
うことが可能となる。測定配線の層のみで初めからマッ
チングを行なう場合、マッチングに寄与するエッジが少
ないため正しいマッチング結果を得られない。そのた
め、この実施例では図３に示すフローチャートに従って
マッチングを行なう。まず、第一段階のマッチングで、
測定配線の層に限らないマスク図（例えばコントラスト
の明瞭な最上層のマスク図（レイアウト図））を用いて
マッチングを行なう（ステップＳ１〜Ｓ２）。次の第一
段階のマッチング結果に基づいて、ずれを補正する目的
で層番号設定部２２を参照し、層番号設定部２２に設定
された層のマスク図（レイアウト図）を用いて電圧測定
層のマッチングを行なう（ステップＳ３〜Ｓ５）。
【００２０】ステップＳ３〜Ｓ５により得たマッチング
結果に応じて電圧測定のための電子ビーム照射位置を決
定する（ステップＳ６）。ステップＳ６で決定された照
射位置に電子ビームを照射して電圧測定を行なう（ステ
ップＳ７）。
結果に応じて電圧測定のための電子ビーム照射位置を決
定する（ステップＳ６）。ステップＳ６で決定された照
射位置に電子ビームを照射して電圧測定を行なう（ステ
ップＳ７）。
【００２１】以上説明したように、本実施例によれば、
半導体チップ１６の配線のマッチングを層別に行なうこ
とができるため、それぞれの層の配線に正確に電子ビー
ムを位置決めすることが可能となる。
半導体チップ１６の配線のマッチングを層別に行なうこ
とができるため、それぞれの層の配線に正確に電子ビー
ムを位置決めすることが可能となる。
【００２２】図４は本発明の第２実施例のブロック図を
示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
【００２３】マッチング部２１，層番号設定部２２等は
図２と同様である。本実施例では補正量記憶部３５を設
けてなる。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を
付し、その説明は省略する。補正量記憶部３５は、計算
機のメモリ上、あるいはディスク装置上に構成される。
補正量記憶部３５には、層番号と位置決め方向（Ｘある
いはＹ方向）の組み合わせに応じて、ずれの補正量が設
定されている。補正量はマッチング、測定を始める前に
設定される。ＣＡＤデータ格納部２６から読み出された
マスク図（レイアウト図）とＳＥＭ像取得部１８で得た
ＳＥＭ像とが、パターン・マッチング部２１に送られ
て、両者のパターン・マッチングが行なわれる。パター
ン・マッチングはチップ全体でのＳＥＭ像とパターンと
のずれ量の分布となるマッチング評価量のピーク値での
ずれ量の分だけＳＥＭ像又はパターンをずらすことによ
りＳＥＭ像とパターンのマッチングを取る。
図２と同様である。本実施例では補正量記憶部３５を設
けてなる。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を
付し、その説明は省略する。補正量記憶部３５は、計算
機のメモリ上、あるいはディスク装置上に構成される。
補正量記憶部３５には、層番号と位置決め方向（Ｘある
いはＹ方向）の組み合わせに応じて、ずれの補正量が設
定されている。補正量はマッチング、測定を始める前に
設定される。ＣＡＤデータ格納部２６から読み出された
マスク図（レイアウト図）とＳＥＭ像取得部１８で得た
ＳＥＭ像とが、パターン・マッチング部２１に送られ
て、両者のパターン・マッチングが行なわれる。パター
ン・マッチングはチップ全体でのＳＥＭ像とパターンと
のずれ量の分布となるマッチング評価量のピーク値での
ずれ量の分だけＳＥＭ像又はパターンをずらすことによ
りＳＥＭ像とパターンのマッチングを取る。
【００２４】パターン・マッチングの行ない方としては
コントラストの明瞭な層（例えば最上層）のマスク図
（レイアウト図）でマッチングを行なった結果に対し、
測定点の層番号に応じて補正量記憶部３５から読み出し
た補正量を加えて電子ビームの照射位置を決定する。
コントラストの明瞭な層（例えば最上層）のマスク図
（レイアウト図）でマッチングを行なった結果に対し、
測定点の層番号に応じて補正量記憶部３５から読み出し
た補正量を加えて電子ビームの照射位置を決定する。
【００２５】また、もう一つのパターン・マッチング法
として、補正量記憶部２３から読み出したずれ補正量を
考慮して、層別にマッチングをそれぞれ行ない、層別の
マッチング評価量から全体の層を合わせた評価量を算出
し、このマッチング結果から電子ビームの照射位置を決
定する、という方法もある。
として、補正量記憶部２３から読み出したずれ補正量を
考慮して、層別にマッチングをそれぞれ行ない、層別の
マッチング評価量から全体の層を合わせた評価量を算出
し、このマッチング結果から電子ビームの照射位置を決
定する、という方法もある。
【００２６】この方法について図５と共に説明する。
【００２７】図５（Ａ）で実線はマスク図とＳＥＭ像と
の位置ずれ量に対する第二層のみのマスク図を用いたマ
ッチングの評価量の特性図、破線は第一層のみのマスク
図を用いた場合のマッチングの評価量の特性図を示す。
の位置ずれ量に対する第二層のみのマスク図を用いたマ
ッチングの評価量の特性図、破線は第一層のみのマスク
図を用いた場合のマッチングの評価量の特性図を示す。
【００２８】ここで、破線の第一層の特性は評価する点
が少ないため実線の第二層の特性に比べて評価量が小さ
い。
が少ないため実線の第二層の特性に比べて評価量が小さ
い。
【００２９】このため、図５（Ａ）で実線の第二層の特
性をずれの補正量ｄだけ移動させて一点鎖線の特性を第
一層のマッチング評価量とし、第二層のマッチング評価
量の実線の特性と足し合わせることで図５（Ｂ）に示す
ような全体のマッチング評価量を得る。測定配線の層だ
けを用いたマッチングでは、マッチング位置の候補とな
る点が複数ある場合など、正確さが不足する。このよう
な場合にこの方法は有効となる。
性をずれの補正量ｄだけ移動させて一点鎖線の特性を第
一層のマッチング評価量とし、第二層のマッチング評価
量の実線の特性と足し合わせることで図５（Ｂ）に示す
ような全体のマッチング評価量を得る。測定配線の層だ
けを用いたマッチングでは、マッチング位置の候補とな
る点が複数ある場合など、正確さが不足する。このよう
な場合にこの方法は有効となる。
【００３０】図６は本発明の第３実施例のブロック図を
示す。同図中、図１，図２と同一構成部分には同一符号
を付し、その説明は省略する。
示す。同図中、図１，図２と同一構成部分には同一符号
を付し、その説明は省略する。
【００３１】本実施例では補正量記憶部３５の他にずれ
量検出部３６が設けられる。この場合の実施例では、補
正量記憶部３５には、ずれ量検出部３６で検出した層間
のずれ量をもとに補正量が記憶される。ずれ量検出部３
６ではずれの検出方法を次の通り行なう。層別にマッチ
ングを行なうと、図７に示すように層と層とのずれがマ
ッチング評価量のピーク位置の差として表れる。図７で
実線はマスク図（レイアウト図）とＳＥＭ像との位置ず
れ量に対する第二層のみのマスク図（レイアウト図）を
用いたマッチングの評価量の特性図、点線は第一層のみ
のマスク図（レイアウト図）を用いた場合のそのマスク
図（レイアウト図）とＳＥＭ像との位置ずれ量に対する
マッチングの評価量の特性図を示し、実線と点線のピー
ク間の差Δが二つの層のずれとなる。ずれ量検出部３６
はこのピーク位置の差Δを検出することにより、層間の
ずれ量を検出する。
量検出部３６が設けられる。この場合の実施例では、補
正量記憶部３５には、ずれ量検出部３６で検出した層間
のずれ量をもとに補正量が記憶される。ずれ量検出部３
６ではずれの検出方法を次の通り行なう。層別にマッチ
ングを行なうと、図７に示すように層と層とのずれがマ
ッチング評価量のピーク位置の差として表れる。図７で
実線はマスク図（レイアウト図）とＳＥＭ像との位置ず
れ量に対する第二層のみのマスク図（レイアウト図）を
用いたマッチングの評価量の特性図、点線は第一層のみ
のマスク図（レイアウト図）を用いた場合のそのマスク
図（レイアウト図）とＳＥＭ像との位置ずれ量に対する
マッチングの評価量の特性図を示し、実線と点線のピー
ク間の差Δが二つの層のずれとなる。ずれ量検出部３６
はこのピーク位置の差Δを検出することにより、層間の
ずれ量を検出する。
【００３２】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、半導体チ
ップの各層別にマッチングを評価することができるた
め、半導体チップの層と層との位置ずれを補正して、各
層夫々の配線に正確に電子ビームを位置決めすることが
可能となる等の特長を有する。
ップの各層別にマッチングを評価することができるた
め、半導体チップの層と層との位置ずれを補正して、各
層夫々の配線に正確に電子ビームを位置決めすることが
可能となる等の特長を有する。
【図１】本発明の第１実施例のブロック図である。
【図２】本発明の第１実施例の動作説明図である。
【図３】本発明の第１実施例の動作フローチャートであ
る。
る。
【図４】本発明の第２実施例のブロック図である。
【図５】本発明の第２実施例の動作説明図である。
【図６】本発明の第３実施例のブロック図である。
【図７】本発明の第３実施例の動作説明図である。
【図８】従来の課題を説明するための図である。
１０ 電子ビーム装置 １５ ステージ １６ 半導体チップ １８ ＳＥＭ像取得部 １９ 電圧測定部 ２１ マッチング部 ２２ 層番号設定部 ２９ 制御計算機 ３０ ステージコントローラ
Claims (2)
- 【請求項１】 二次元移動ステージ（１５）に載置され
た多層配線を有する被検査半導体チップ（１６）に電子
ビームを照射して、二次電子の検出信号からＳＥＭ画像
及び測定電圧を得る電子ビーム装置（１０）と、 前記半導体チップ（１６）の配線層別のレイアウト図が
格納されたレイアウト図格納部（２６）と、 前記電子ビーム装置（１０）から得たＳＥＭ画像を前記
レイアウト図格納部（２６）から読み出した配線層別の
レイアウト図と比較して、配線層別に該ＳＥＭ画像と該
レイアウト図とのずれ量を検出するずれ量検出手段（２
１）と、 前記ずれ量検出手段（２１）で検出されたずれ量に応じ
て、前記電子ビームが前記半導体チップ（１６）上の測
定点に照射されるように前記二次元移動ステージ（１
５）を制御する照射制御手段（２９，３０）とを有する
ことを特徴とする電子ビーム試験装置。 - 【請求項２】 前記ずれ量検出手段（２１）で得た各配
線層でのレイアウト図とＳＥＭ画像とのずれ量に基づい
て各配線層間のずれ量を検出する配線層間ずれ量検出手
段（３６）と、 前記配線層間ずれ量検出手段（３６）により検出された
各配線層間のずれ量を記憶する記憶手段（３５）とを有
し、 前記照射制御手段（２９）は前記測定しようとする配線
層のレイアウト図を前記記憶部（３５）に記憶されたず
れ量に応じて補正して、前記測定点を決定することを特
徴とする請求項１記載の電子ビーム試験装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4191171A JPH0634722A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 電子ビーム試験装置 |
| US08/357,983 US5600734A (en) | 1991-10-04 | 1994-12-19 | Electron beam tester |
| US08/783,304 US5825912A (en) | 1901-12-16 | 1997-01-10 | Electron beam tester |
| US08/810,736 US5872862A (en) | 1991-10-04 | 1997-02-06 | Electron beam tester |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4191171A JPH0634722A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 電子ビーム試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0634722A true JPH0634722A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16270086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4191171A Withdrawn JPH0634722A (ja) | 1901-12-16 | 1992-07-17 | 電子ビーム試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634722A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-07-17 JP JP4191171A patent/JPH0634722A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|
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