JPH06343616A

JPH06343616A - 磁気共鳴イメージング装置

Info

Publication number: JPH06343616A
Application number: JP5137576A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Yoshino; 仁志吉野; Motonari Nasuhara; 基成南須原
Original assignee: Hitachi Medical Corp
Current assignee: Hitachi Healthcare Manufacturing Ltd
Priority date: 1993-06-08
Filing date: 1993-06-08
Publication date: 1994-12-20
Anticipated expiration: 2018-03-31
Also published as: JP3392182B2

Abstract

(57)【要約】【目的】静磁場発生に永久磁石が用いられた磁気共鳴
イメージング装置において、静磁場発生装置の温度安定
性を向上させ、ぼけ、歪みなどのない良好な磁気共鳴イ
メージング画像を得る。【構成】静磁場発生装置１０の周囲を覆う第一の断熱
材１１１と、この第一の断熱材の外側面に設けられたヒ
ータ１１２と、このヒータ１１２の外側面を覆う第二の
断熱材１１３と、所定箇所に設けられた温度センサ１１
８，１２０の検出温度に応じてヒータ１１２への電流又
は電圧を制御して静磁場発生装置１０の温度を一定に保
持させる制御手段とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、静磁場発生装置の断熱
を行った磁気共鳴イメージング装置に係り、特に磁気共
鳴イメージング装置設置室（撮影室）が温度変化しても
静磁場発生装置の温度を一定に保つことができる磁気共
鳴イメージング装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図５は、磁気共鳴イメージング装置の全
体構成を示すブロック図である。この磁気共鳴イメージ
ング装置は、磁気共鳴（ＮＭＲ）現象を利用して被検体
１の断層画像を得るもので、そのために、必要な充分大
きなボア径をもった静磁場発生装置１０と、中央処理装
置（以下、ＣＰＵという）１１と、シーケンサ１２と、
送信系１３と、傾斜磁場系１４と、受信系１５と信号処
理系１６とからなる。

【０００３】前記静磁場発生装置１０は、被検体１の周
りにその体軸方向又は体軸と直角方向に均一な磁束を発
生するもので、前記被検体１の周りのある広がりをもっ
た空間に永久磁石方式又は常電導方式あるいは超電導方
式の磁場発生手段が配置されている。前記シーケンサ１
２は、ＣＰＵ１１の制御で動作し、被検体１の断層画像
のデータ収集に必要な種々の命令を送信系１３及び傾斜
磁場系１４並びに受信系１５に送るものである。

【０００４】前記送信系１３は、高周波発信器１７と変
調器１８と高周波増幅器１９と送信側高周波コイル２０
ａとからなり、前記高周波発信器１７から出力された高
周波パルスをシーケンサ１２の命令に従って変調器１８
で振幅変調し、この振幅変調された高周波パルスを高周
波増幅器１９で増幅した後に被検体１に近接して配置さ
れた高周波コイル２０ａに供給することにより、電磁波
が前記被検体１に照射されるようになっている。

【０００５】前記傾斜磁場系１４はＸ，Ｙ，Ｚの三方向
に巻かれた傾斜磁場コイル２１とそれぞれのコイル２１
を駆動する傾斜磁場電源２２とからなり、前記シーケン
サ１２からの命令に従ってそれぞれのコイル２１の傾斜
磁場電源２２を駆動することにより、Ｘ，Ｙ，Ｚの三方
向の傾斜磁場Ｇｘ，Ｇｙ，Ｇｚを被検体１に印加するよ
うになっている。この傾斜磁場の加え方により、被検体
１に対するスライス面を設定することができる。

【０００６】前記受信系１５は、受信側高周波コイル２
０ｂと増幅器２３と直交位相検波器２４とＡ／Ｄ変換器
２５とからなり、前記送信側の高周波コイル２０ａから
照射された電磁波による被検体１の応答の電磁波（ＮＭ
Ｒ信号）は被検体１に近接して配置された高周波コイル
２０ｂで検出され、増幅器２３及び直交位相検波器２４
を介してＡ／Ｄ変換器２５に入力してデジタル量に変換
され、更にシーケンサ１２からの命令によるタイミング
で直交位相検波器２４によりサンプリングされた二系列
の収集データとされ、その信号が信号処理系１６に送ら
れるようになっている。

【０００７】前記信号処理系１６は、ＣＰＵ１１と磁気
ディスク２６及び磁気テープ２７などの記録装置とＣＲ
Ｔなどのディスプレイ２８とからなり、前記ＣＰＵ１１
でフーリエ変換、補正係数計算値像再構成などの処理を
行い、任意断面の信号強度分布あるいは複数の信号に適
当な演算を行って得られた分布を画像化してディスプレ
イ２８に表示するようになっている。

【０００８】なお、図１において、送信側及び受信側の
高周波コイル２０ａ，２０ｂと傾斜磁場コイル２１は、
被検体１の周りの空間に配置された静磁場発生装置１０
の磁場空間内に配置されているこのような磁気共鳴イメ
ージング装置において、その静磁場発生に永久磁石を用
いた永久磁石方式の静磁場発生装置１０の一般例を図６
及び図７に示す。すなわち、一対の継鉄４１ａ，４１ｂ
で永久磁石４２ａ，４２ｂ及び磁極片４３ａ，４３ｂを
各々支持し、継鉄４１ａ，４１ｂを４本のカラム４７ａ
〜４７ｄで所定の距離だけ隔てて対向保持して構成され
ている。

【０００９】このような静磁場発生装置１０において、
永久磁石４２ａと４２ｂとは互いに極性を異ならせてお
り、磁気回路は永久磁石４２ａ→磁極片４３ａ→磁極片
４３ｂ→永久磁石４２ｂ→継鉄４１ｂ→カラム４７ａ〜
４７ｄ→継鉄４１ａ→永久磁石４２ａで形成される。

【００１０】これらの構成部品のうち、磁極片４３ａ，
４３ｂは被検体１（図５参照）が入る空間４４、すなわ
ち磁極片４３ａ，４３ｂの間の中央部分の磁場均一度を
より均一にするためにある。被検体１が入り得る有効ギ
ャップは、磁極片４３ａ，４３ｂの突端部４６，４６間
距離となる。この空間の中には、被検体１の他、イメー
ジングに必要な傾斜磁場コイル４５、ＲＦ照射コイル、
ＲＦ受信コイル（図示せず）が配置されている。

【００１１】この静磁場発生装置１０は、永久磁石を用
いているため周囲温度の変化により磁場強度が変化する
問題点がある。一般的にその温度係数は−１０００ｐｐ
ｍ／℃、すなわち、温度が１℃上がると静磁場強度が１
０００ｐｐｍ弱くなる。核磁気共鳴イメージング装置で
は、静磁場に傾斜磁場を加えて位置を磁場の大きさに対
応させ、位置に応じた共鳴周波数を発生させる。この周
波数をもつ核磁気共鳴（ＮＭＲ）信号を検出し、位置の
特定を行う。しかるに、静磁場の強度が温度の影響を受
けて変化すると、結局位置の特定に誤差を含むことにな
る。この位置ずれは、画像上に歪、ぼけを発生させる要
因になる。

【００１２】画像上に問題を生じさせない磁場強度の変
化限度は、一般には５ｐｐｍ／撮影時間、である。この
基準によると、撮影時間内に５／１０００℃以内に温度
変化を抑える必要がある。その方法の１つとして発明者
らは、特願昭６１−１８５２７７号にあるように静磁場
発生装置１０（磁気回路）の周囲を断熱材で覆い、内部
にヒータを設け、ヒータへの電流を制御して静磁場発生
装置１０の温度を一定に保つ制御方法を提案している。
このような断熱部を用いて静磁場発生装置１０の温度を
一定に保持制御する構成を図８，図９に示す。

【００１３】図８は、図６に示す静磁場発生装置１０に
前記断熱部を取り付けた状態を、その右半分を省略して
示す。図９は図８のＹ−Ｚ面から見た静磁場発生装置１
０下側部分の断面図である。断熱部６０は、図示するよ
うに外側から断熱材５６、アルミュウム板５８、ヒータ
５９の順に構成され、空気層６１を挟んで静磁場発生装
置１０に対向する。温度センサ（図示せず）は、静磁場
発生装置１０の温度が検出可能の位置に設けられ、ヒー
タ５９への電流を制御して静磁場発生装置１０の温度を
一定に保持する。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
技術は、空気層６１の対流について配慮されていなかっ
た。すなわち、空気層６１は対流がない場合に良好な断
熱材となり得るが、対流がある場合には熱伝達しやすい
ものとなる。したがって従来の断熱構造では、ヒータ５
９の熱が直接静磁場発生装置１０に伝わるために生ずる
静磁場発生装置１０の局部的温度上昇によって温度むら
が生じやすかった。

【００１５】また制御方式は、上記のように温度時定数
の長い静磁場発生装置１０の温度を検出して制御するも
のであった。しかしこの制御方式では、時定数が長いた
めに長時間の熱履歴で現在の温度が決定されることとな
り、温度センサで現在の静磁場発生装置１０の温度を検
出してヒータ５９の発熱量を制御しても静磁場発生装置
１０の温度はそのヒータ５９の発熱に追従しない。した
がってこの制御方式では、近年の高機能化（最近の磁気
共鳴イメ−ジング装置では高機能撮像法が行われれお
り、磁場強度変化の許容値が一層厳しいものになってき
ている）に伴う温度安定性向上を図るには困難な構造に
なってきている。

【００１６】また従来技術では、図９から分かるように
磁極片４３（４３ａ，４３ｂ）付近の断熱構造は断熱材
５６を挿入するだけでヒータ５９は設けられてなく、こ
のため傾斜磁場コイル（図示せず）の発熱が問題となっ
た。すなわち、装置の不使用時には磁極片４３付近から
の放熱は大きく、また、使用時には断熱部外側に配置さ
れた傾斜磁場コイルの発熱で磁極片４３付近は温められ
る。したがって、使用時と非使用時では静磁場発生装置
１０の温度が相違、すなわち温度変化しているというこ
とであり、これは、特に最近の高速化による傾斜磁場コ
イルの発熱量の増大を鑑みると大きな問題となった。

【００１７】本発明の目的は、装置設置場所（撮影室な
ど）の温度が変化しても静磁場発生装置の温度を一定に
保つことのできる磁気共鳴イメージング装置を提供する
ことにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、静磁場発生装置の周囲を覆う第一の断熱材
と、この第一の断熱材の外側面に設けられたヒータと、
このヒータの外側面を覆う第二の断熱材と、所定箇所に
設けられた温度センサの検出温度に応じて前記ヒータへ
の電流又は電圧を制御して前記静磁場発生装置の温度を
一定に保持させる制御手段とを備えたものである（請求
項１）。

【００１９】また、静磁場発生装置の周囲を覆う第一の
断熱材と、この第一の断熱材の外側面に第一の断熱材と
略同一の表面積を有して覆い形成された非磁性で高熱伝
導性の均熱材と、この均熱材の外側面又は内側面に設け
られたヒータと、このヒータの外側面を覆う第二の断熱
材と、所定箇所に設けられた温度センサの検出温度に応
じて前記ヒータへの電流又は電圧を制御して前記静磁場
発生装置の温度を一定に保持させる制御手段とを備えた
ものである（請求項２）。更に、静磁場発生装置の開口
部は、ＲＦシールドが前記均熱材として兼用されるもの
である（請求項３）。

【００２０】また、前記制御手段は、前記ヒータの温度
を検出する１つ以上の温度センサ、制御回路及び電源を
備えて構成され、前記センサの検出温度に応じて前記ヒ
ータの温度を一定に制御し、前記静磁場発生装置の温度
を一定に保持させるものであり（請求項４）、あるい
は、少なくとも前記第二の断熱材の外方の温度を検出す
る１個以上の第一の温度センサ、前記ヒータの温度を検
出する第二の温度センサ、制御回路及び電源を備えて構
成され、前記第二の温度センサで前記ヒータの温度をあ
る設定値になるように制御し、かつ前記第一のセンサと
で前記設定値を制御するするものである（請求項５）。

【００２１】

【作用】請求項１に記載の発明において、断熱，保温は
第一の断熱材とヒータと第二の断熱材より行われてい
る。この場合、第一の断熱材は直接静磁場発生装置にヒ
ータ発生熱が伝導して局部的に温度上昇することを防ぐ
作用と、ヒータの温度を所望値になるように制御した場
合に生ずるヒータの温度リップルが直接静磁場発生装置
に伝達することを防止する作用をする。すなわち、ヒー
タの温度を所望温度±０．１℃でコントロールした場
合、第一の断熱材によって例えば所望温度±０．０１℃
以下になる。第二の断熱材はヒータの発熱量を低減する
作用をする。すなわち、ヒータの熱が外部空気に放出さ
れるのを防ぐため、静磁場発生装置に対する発熱（保
温）効率を向上させる。

【００２２】請求項２に記載の発明においては、第一，
第二の断熱材の間に非磁性で高熱伝導性の均熱材（例え
ばアルミニュウム材）及びヒータを介在させることで断
熱，保温を行っている。この場合、第一，第二の断熱材
の作用は前述と同様である。また、高熱伝導性の均熱材
は、ヒータの熱を第一，第二の断熱材の間で均等に拡散
させ、ヒータ面積が小さくとも広い面積にヒータがある
のと同様の作用をする。すなわち、温度分布のむらを生
じにくくする。

【００２３】請求項３に記載の発明においては、静磁場
発生装置の開口部につき、ＲＦシールドが均熱材に兼用
されている。すなわち、静磁場発生装置開口部には傾斜
磁場コイルで作るパルス状磁場のため生ずる渦電流のた
め電気抵抗が低いものは使用できない。一般には電気抵
抗の高いものは熱伝導率は低いため前記高熱伝導性の均
熱材（例えばアルミニュウム材）は使用できない。しか
し、一般的に用いられているＲＦシールドは銅箔又は銅
網であるため、これを高熱伝導性の均熱材として兼用し
たもので、温度分布のむらを生じにくくする作用は上述
発明と同一である。

【００２４】請求項４に記載の温度センサはヒータの温
度を制御回路へフィードバックし、ヒータ温度を一定に
する作用をする。請求項５に記載の２箇所の温度セン
サは、ヒータの温度を検出する温度センサでヒータの温
度をある設定値になるように制御し、装置設置場所（撮
影室）の温度を検出する温度センサで前記設定値を制御
する作用をする。これは、外気温によって放熱量が変化
するため、外気温に応じてヒータの温度設定値を変化さ
せなければならないためである。

【００２５】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は、本発明による磁気共鳴イメージング装置
の一実施例の要部を一部切断して示す図で、断熱，保温
された静磁場発生装置全体構成を図８のＸ−Ｚ面から見
た図で、中央より右半分と左側の一部を切断して示し
た。

【００２６】この図１において、１０は静磁場発生装置
（全体）を示すもので、この部分は従来の磁気共鳴イメ
ージング装置の場合と同様に構成されている。すなわ
ち、一対の永久磁石１０１が開口部側に磁極片１０５を
有し、磁極片１０５間に被検体が入り得る空隙Ａを形成
して上下に対向配置されている。これらの永久磁石１０
１は、前記空隙Ａ内に静磁場を発生させるためのもの
で、例えば、形状が円盤状に形成されており、それぞ
れ、上下の継鉄１０２によって支持されている。これら
の継鉄１０２は、上下の永久磁石１０１，磁極片１０５
対を所定の間隔をあけて対向配置すると共に、カラム１
０３とで磁路形成させるためのものである。磁気回路の
動作原理については従来技術において説明したのでここ
では省略する。

【００２７】本発明における静磁場発生装置１０の断
熱，保温構造は以下の通りである。すなわち、静磁場発
生装置１０の周囲には、静磁場発生装置１０表面相互間
において空気の対流が起こらない程度に小さな空隙１１
６をおいて断熱部１１０（１１０ａ，１１０ｂ）が覆い
形成されている。

【００２８】断熱部１１０ａは、発泡樹脂（例えばメラ
ミン樹脂、発泡スチロール、ウレタンフォーム）などの
低熱伝導率を有する断熱材からなる第一の断熱材１１１
と、この第一の断熱材１１１の前記空隙１１６とは反対
側に位置し第一の断熱材１１１と略同面積で第一の断熱
材１１１に接着されたアルミニウム板１１４と、このア
ルミニウム板１１４の前記空隙１１６とは反対側に接着
された面状ヒータ１１２と、前記アルミニウム板１１４
又は面状ヒータ１１２に接着された第二の断熱材１１３
（第一の断熱材１１１と同様の材質からなる）とで構成
されている。

【００２９】静磁場発生装置１０の開口部側の断熱部１
１０ｂは、前記アルミニウム板１１４が渦電流発生の問
題などから使用できない。したがって、その代わりに磁
気共鳴イメージング装置において受信コイルのＳ／Ｎ向
上などのため用いられる銅箔又は銅網で開口部を覆うよ
うに形成したＲＦシールド１１７を利用し、それに面状
ヒータ１１２を取り付けている。その他は断熱部１１０
ａと同様に構成されている。なお、図示例では、静磁場
発生装置１０の全周囲が断熱部１１０ａ又は１１０ｂの
構造ではないので、静磁場発生装置１０の全周囲の断熱
構造の詳細を以下に述べておく。すなわち、図中のイ〜
ロ、ハ〜ニ及びホ〜ヘは各々上記断熱部１１０ａの構造
であり、チ〜リは上記断熱部１１０ｂの構造である。ま
た、ロ〜ハ及びニ〜ホは各々第一の断熱材１１１とアル
ミニウム板１１４と第二の断熱材１１３との断熱構造で
あり、ヘ〜トは第一の断熱材１１１と第二の断熱材１１
３との断熱構造であり、ト〜チは第一の断熱材１１１と
ＲＦシールド１１７と第二の断熱材１１３との断熱構造
である。

【００３０】ここで、前記アルミニウム板１１４，ＲＦ
シールド１１７と面状ヒータ１１２との積層順位は上述
例の逆でもよい。

【００３１】断熱部１１０の静磁場発生装置１０への固
定方法の一例を図２を参照して説明する。図示するよう
に、静磁場発生装置１０側にねじ軸、その反対側にねじ
穴を有するスタッドボルト１２１の前記ねじ軸側を静磁
場発生装置１０に固定し、第一の断熱材１１１に穿設さ
れたスタッドボルト１２１よりおおきな穴を介し、スタ
ッドボルト１２１のねじ穴側にてアルミニウム板１１４
をねじ止めすることにより、断熱部１１０を静磁場発生
装置１０に固定している。なお、断熱材１１３には、ス
タッドボルト１２１のねじ穴に螺入されるねじ１２２の
頭部より大きな穴を明けられ、前記ねじ止めを可能にさ
れている。

【００３２】また、温度制御をするために用いる高精度
のサーミスタを用いてなる温度センサは、少なくとも１
つの面状ヒータ１１２に対し２箇所設けられ、その２箇
所の検出温度で１つの面状ヒータ１１２を制御する。こ
こでは、面状ヒータ１１２に接触して固定された第一の
温度センサ１１８（又は静磁場発生装置１０に接触して
固定された第一の温度センサ１１９）と、第二の断熱材
１１３の外側で撮影室（磁気共鳴イメージング装置設置
室）の空気の温度を検出する第二の温度センサ１２０と
を備えている。

【００３３】図３に前記面状ヒータ１１２の制御回路の
一例を示す。これは、２箇所の温度を検出して面状ヒー
タ１１２の温度を一定に保つことで静磁場発生装置１０
の温度を安定（一定に保持）にする制御回路で、面状ヒ
ータ１１２の温度を検出する第一の温度センサ１１８で
面状ヒータ１１２の温度をある設定値になるように制御
し、撮影室の温度を検出する第二の温度センサ１２０で
その設定温度を制御するものである。その目的は、面状
ヒータ１１２の放熱量は外気温でが変化するため外気温
に応じてその設定値を変化させなければならないためで
ある。

【００３４】このような制御回路の詳細を以下に述べ
る。図３において、ブリッジ回路１３０は基準抵抗１３
１，１３２と第一の温度センサ１１８とで、ブリッジ回
路１４０は基準抵抗１４１，１４２と第二の温度センサ
１２０とで構成されている。第一の温度センサ１１８が
面状ヒータ１１２の温度を検出し、第二の温度センサ１
２０が撮影室の温度を検出するセンサである。温度セン
サ１１８，１２０は温度で抵抗値が変化するため、ブリ
ッジ回路１３０，１４０に組み込むことができる。

【００３５】また、基準電圧１３５がこのブリッジ回路
１３０，１４０の電源となり、面状ヒータ１１２の目標
設定温度に相当する温度センサ１１８の抵抗値と基準抵
抗１３２の抵抗値とを同一にしておけば電圧V1とV2は同
一になり、差動増幅器１３６ａの出力はゼロになる。換
言すれば、第一の温度センサ１１８が目標設定温度の抵
抗値の時、面状ヒータ１１２は発熱しない。ここで、差
動増幅器１３６ａ，１３６ｂは電圧V1＜V2のとき正電圧
を出力する。したがって、第一の温度センサ１１８の温
度が低下すると第一の温度センサ１１８の抵抗値が上が
り、V3は正の出力電圧となり、面状ヒータ１１２が発熱
する。

【００３６】同様に前記目標設定温度のときの撮影室の
温度における第二の温度センサ１２０の抵抗値とブリッ
ジ回路１４０の基準抵抗１４２の抵抗値を同一にしてお
けば、その時の差動増幅器１３６ｂの出力V4はゼロにな
る。その時の面状ヒータ１１２への印加電圧は図４のグ
ラフの実線に示すようになる。この状態から撮影室の温
度が上昇すると差動増幅器１３６ｂの出力が負のある電
圧になり電圧V3と足されるため、図４のグラフの点線に
示すようになるもので、温度設定値を室温（撮影室の温
度）によって変化させることができる。なお、１４１は
面状ヒータ１１２への印加電圧（決定値）を与える増幅
器である。

【００３７】ここで、前記面状ヒータ１１２は、静磁場
発生装置１０（磁気回路）全体に分布させることがよい
ので数多く必要になるが、それを制御する第一の温度セ
ンサ１１８と第二の温度センサ１２０は、その面状ヒー
タ１１２毎に一対設け、一対の温度センサ１１８，１２
０で１つの面状ヒータ１１２を制御するようにしてもよ
く、あるいは一対の温度センサ１１８，１２０で複数の
面状ヒータ１１２を制御するようにしてもよい。また、
第一の温度センサ１１８、第二の温度センサ１２０共１
つとは限らず、図３のブリッジ回路１３０，１４０の温
度センサ位置に並列に温度センサ１１８，１２０を各々
複数接続するようにしてもよい。この場合、例えば第二
の温度センサ１２０を複数使用し、そのセンサ配設位置
を異ならせると、各センサ配設位置における撮影室の空
気温度の平均値で制御されることになる。

【００３８】上述本発明装置によれば、第一の断熱材１
１１により直接静磁場発生装置１０（磁気回路）にヒー
タ発生熱が伝導して局部的に温度上昇することが防止さ
れ、また、面状ヒータ１１２の温度を所望値になるよう
に制御した場合に生ずる面状ヒータ１１２の温度リップ
ルが直接静磁場発生装置１０に伝達することが防止され
る。そして、第二の断熱材により面状ヒータ１１２の発
生熱が外部空気に放出されるのが防止され、静磁場発生
装置１０に対する発熱（保温）効率が向上し、静磁場発
生装置１０の温度を一定に保持させることができる。

【００３９】また、第一，第二の断熱材１１１，１１３
間に非磁性で高熱伝導性の均熱材であるアルミニュウム
板１１４を面状ヒータ１１２と共に介在させたので、面
状ヒータ１１２の熱を第一，第二の断熱材１１１，１１
３間で均等に拡散させ得、ヒータ容量が小さくとも静磁
場発生装置１０の温度を一定に保持させることができる
などの効果がある。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、時
定数の短いヒータを一定になるように制御しているので
制御精度が向上し、また、ヒータの熱が直接静磁場発生
装置を加熱しないため温度分布のむらが生じにくくなり
静磁場発生装置の温度を一定に保つことができ、これら
によって、ぼけ、歪みのない良好な磁気共鳴イメージン
グ画像を得ることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明装置の一実施例の要部を一部切断して示
す図である。

【図２】図１中の断熱部の静磁場発生装置への固定方法
の一例を説明するための断面図である。

【図３】図１中の面状ヒータの制御回路の一例を示す図
である。

【図４】同上面状ヒータの温度に対する面状ヒータ印加
電圧の関係を示すグラフである。

【図５】静磁場発生に永久磁石が用いられた静磁場発生
装置を備えた磁気共鳴イメージング装置の全体構成を示
すブロック図である。

【図６】静磁場発生に永久磁石が用いられた静磁場発生
装置の斜視図である。

【図７】同じく断面図である。

【図８】従来装置の要部を一部切断して示す斜視図であ
る。

【図９】同じく断面図である。

【符号の説明】

１０静磁場発生に永久磁石が用いられた静磁場発生
装置（磁気回路）１０１永久磁石１１１第一の断熱材１１２面状ヒータ１１３第二の断熱材１１４アルミニウム板（均熱材）１１６空隙１１７ＲＦシールド１１８第一の温度センサ１２０第二の温度センサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所 8203−2ＧＧ０１Ｒ 33/22 Ｓ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】静磁場発生に永久磁石が用いられた静磁
場発生装置を備えた磁気共鳴イメージング装置におい
て、前記静磁場発生装置の周囲を覆う第一の断熱材と、
この第一の断熱材の外側面に設けられたヒータと、この
ヒータの外側面を覆う第二の断熱材と、所定箇所に設け
られた温度センサの検出温度に応じて前記ヒータへの電
流又は電圧を制御して前記静磁場発生装置の温度を一定
に保持させる制御手段とを具備することを特徴とする磁
気共鳴イメージング装置。
【請求項２】静磁場発生に永久磁石が用いられた静磁
場発生装置を備えた磁気共鳴イメージング装置におい
て、前記静磁場発生装置の周囲を覆う第一の断熱材と、
この第一の断熱材の外側面に第一の断熱材と略同一の表
面積を有して覆い形成された非磁性で高熱伝導性の均熱
材と、この均熱材の外側面又は内側面に設けられたヒー
タと、このヒータの外側面を覆う第二の断熱材と、所定
箇所に設けられた温度センサの検出温度に応じて前記ヒ
ータへの電流又は電圧を制御して前記静磁場発生装置の
温度を一定に保持させる制御手段とを具備することを特
徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】前記静磁場発生装置の開口部は、ＲＦシ
ールドが前記均熱材として兼用されることを特徴とする
請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】前記制御手段は、前記ヒータの温度を検
出する１つ以上の温度センサ、制御回路及び電源を備え
て構成され、前記センサの検出温度に応じて前記ヒータ
の温度を一定に制御し、前記静磁場発生装置の温度を一
定に保持させることを特徴とする請求項１、２又は３の
いずれかに記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】前記制御手段は、少なくとも前記第二の
断熱材の外方の温度を検出する１つ以上の第一の温度セ
ンサ、前記ヒータの温度を検出する第二の温度センサ、
制御回路及び電源を備えて構成され、前記第二の温度セ
ンサで前記ヒータの温度をある設定値になるように制御
し、かつ前記第一のセンサとで前記設定値を制御するこ
とを特徴とする請求項１、２又は３のいずれかに記載の
磁気共鳴イメージング装置。