JPH06340873A - Alkali halide fluorescencer, radiation image conversion panel using the same, and radiation image conversion method using radiation image conversion panel - Google Patents

Alkali halide fluorescencer, radiation image conversion panel using the same, and radiation image conversion method using radiation image conversion panel

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JPH06340873A
JPH06340873A JP13066793A JP13066793A JPH06340873A JP H06340873 A JPH06340873 A JP H06340873A JP 13066793 A JP13066793 A JP 13066793A JP 13066793 A JP13066793 A JP 13066793A JP H06340873 A JPH06340873 A JP H06340873A
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image conversion
radiation image
general formula
phosphor
mol
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Hiroshi Ohara
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Abstract

PURPOSE:To provide an alkali halide fluorescencer which exhibits accelerated phosphorescence with high luminance and low afterglow. CONSTITUTION:An alkali halide fluorescencer is represented by the general compsn. formula: M<1>X.aM<2>X'2.bM<3>X''; cTl<+>, dPb<2+> (wherein M<1> means at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb, and Cs; M<2> means at least one divalent metal selected from the group consisting of Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu, and Ni; M<3> means at last one trivalent metal selected from the group consisting of Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, En, etc.; each of X, X', and X'' means at least one halogen selected from the group consisting of F, Cl, Br, and I; 0<=a<=0.3; 0<=b<=0.3; 10<-6=c<=10<-2>; and 10<-6=d<=10-<2>).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はタリウムおよび鉛を付活
したアルカリハライド蛍光体、その蛍光体を用いた放射
線画像変換パネルおよびその放射線画像変換パネルを用
いた放射線画像読取方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thallium- and lead-activated alkali halide phosphor, a radiation image conversion panel using the phosphor and a radiation image reading method using the radiation image conversion panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来放射線画像を得るために銀塩を使用
した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀塩
を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発されて
いる。即ち、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せ
しめ、しかる後この蛍光体をある種のエネルギーで励起
してこの蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光
として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法
が開示されている。具体的な方法としては支持体上に輝
尽性蛍光体層を形成したパネルを用い、励起エネルギー
として可視光線および赤外線の一方または両方を用いる
放射線画像変換方法が知られている(米国特許3,859,52
7号)。
2. Description of the Related Art Conventionally, a so-called radiographic method using a silver salt has been used to obtain a radiographic image, but a method for imaging a radiographic image without using the silver salt has been developed. That is, the radiation that has passed through the subject is absorbed by the fluorescent substance, and then this fluorescent substance is excited with a certain energy to cause the radiation energy accumulated by this fluorescent substance to be emitted as fluorescent light, and this fluorescent light is detected. A method of imaging is disclosed. As a specific method, a radiation image conversion method using a panel having a stimulable phosphor layer formed on a support and using one or both of visible rays and infrared rays as excitation energy is known (US Pat. No. 3,859, 52
No. 7).

【0003】輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換方法
として、例えば特開昭59-75200号等に記載されているBa
FX:Eu2+系(X:Cl,Br,I)蛍光体を用いた放射線
画像変換方法、特開昭61-72087号等に記載されているア
ルカリハライド蛍光体を用いた放射線画像変換方法等が
知られている。また、特開昭61-73786,61-73787号にお
いて共付活剤としてTl+およびCe3+,Sm3+,Eu3+
3+,Ag+,Mg2+,Pb2+,In3+の金属を含有するア
ルカリハライド蛍光体が知られている。
A radiation image conversion method using a stimulable phosphor is described in, for example, JP-A-59-75200.
Radiation image conversion method using FX: Eu 2+ system (X: Cl, Br, I) phosphor, radiation image conversion method using alkali halide phosphor described in JP-A-61-72087, etc. It has been known. Further, in JP-A-61-73786, 61-73787, Tl + and Ce 3+ , Sm 3+ , Eu 3+ as co-activators,
Y 3+, Ag +, Mg 2+ , Pb 2+, alkali halide phosphor containing a metal of In 3+ is known.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】輝尽性蛍光体からなる
放射線画像変換パネルが医療診断を目的とするX線写真
撮影等の放射線写真撮影に使用される場合には、人体の
被爆線量を軽減させるため、放射線画像変換パネルの感
度、すなわち輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度が高いことが
望まれる。また、この蓄積像は、通常は励起光としてレ
ーザ光を用い、このレーザ光で放射線画像変換パネルを
走査して放射線画像変換パネル内の輝尽性蛍光体を時系
列的に励起することにより蓄積されている放射線エネル
ギーを蛍光として放出させ、この蛍光を光検出器で検出
する。従って、放射線画像変換パネルに用いられる輝尽
性蛍光体が励起光による励起を止めた後になお連続して
発する蛍光、すなわち残光(輝尽残光)は、得られる画
像のS/N比の低下を引き起こす原因となり、画質を低
下させるものとなる。従って、放射線画像変換パネルに
用いられる輝尽性蛍光体は、輝尽残光がより少ないこ
と、すなわち励起光による励起を止めた後、より短時間
で発光しなくなることが望ましい。
When a radiation image conversion panel made of a stimulable phosphor is used for radiography such as X-ray photography for medical diagnosis, the exposure dose to the human body is reduced. Therefore, it is desired that the sensitivity of the radiation image conversion panel, that is, the stimulated emission brightness of the stimulable phosphor is high. In addition, this accumulated image is usually accumulated by using laser light as excitation light and scanning the radiation image conversion panel with this laser light to excite the stimulable phosphor in the radiation image conversion panel in time series. The emitted radiation energy is emitted as fluorescence, and this fluorescence is detected by a photodetector. Therefore, the fluorescence that is continuously emitted after the stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel stops excitation by the excitation light, that is, the afterglow (stimulation afterglow) is the S / N ratio of the obtained image. This causes deterioration and deteriorates the image quality. Therefore, it is desirable that the photostimulable phosphor used for the radiation image conversion panel has less photostimulable afterglow, that is, does not emit light in a shorter time after the excitation by the excitation light is stopped.

【0005】しかし、前記輝尽性蛍光体は輝尽発光輝
度、輝尽残光の点において十分満足のいくものではな
く、これらの改良が望まれている。また、特開昭61-737
86、同61-73787号に記載されているアルカリハライド蛍
光体においては、共付活剤の含有量は0以上0.2未満と
範囲が広く、また含有しなくともよいとしている。
However, the above-mentioned stimulable phosphor is not sufficiently satisfactory in terms of stimulated emission brightness and stimulated afterglow, and improvements thereof are desired. In addition, JP-A-61-737
In the alkali halide phosphors described in Nos. 86 and 61-73787, the content of the coactivator has a wide range of 0 or more and less than 0.2, and may not be contained.

【0006】本発明は前記の点に鑑み、輝尽発光輝度が
より高く輝尽残光の少ないアルカリハライド蛍光体を提
供することを目的とする。また、輝尽発光輝度がより高
く輝尽残光の少ない放射線画像を与える放射線画像変換
パネルを提供することを目的とする。また、輝尽発光輝
度がより高く輝尽残光の少ない放射線画像を与える放射
線画像変換方法を提供することを目的とする。
In view of the above points, an object of the present invention is to provide an alkali halide phosphor having higher stimulated emission luminance and less stimulated afterglow. Another object of the present invention is to provide a radiation image conversion panel that provides a radiation image with higher stimulated emission luminance and less stimulated afterglow. Another object of the present invention is to provide a radiation image conversion method that provides a radiation image with higher stimulated emission luminance and less stimulated afterglow.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】前記本発明の目的に沿っ
て、高輝度の輝尽発光を示し、輝尽残光の少ない蛍光体
について種々検討した結果、下記一般式(1)で表され
るアルカリハライド蛍光体、その蛍光体を用いた放射線
画像変換パネルおよびその放射線画像変換パネルを用い
た放射線画像変換方法により本発明の目的が達せられ
る。
According to the above-mentioned object of the present invention, various examinations have been made on phosphors which exhibit high-intensity stimulated emission and have little stimulated afterglow. As a result, they are represented by the following general formula (1). The object of the present invention can be achieved by an alkali halide phosphor, a radiation image conversion panel using the phosphor, and a radiation image conversion method using the radiation image conversion panel.

【0008】一般式(1) M1X・aM2X′2・bM3X″3:cTl+,dPb2+ (但し、M1はLi,Na,K,RbおよびCsから選ばれ
る少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe,M
g,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,CuおよびNiから選ばれ
る少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc,Y,L
a,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,H
o,Er,Tm,Yb,Lu,Al,GaおよびInから選ばれ
る少なくとも一種の三価金属であり、X,X′および
X″はF,Cl,BrおよびIから選ばれる少なくとも一
種のハロゲンである。また、a,b,cおよびdはそれ
ぞれ0≦a≦0.3,0≦b≦0.3,10-6≦c≦10-2,10-6
≦d≦10-2の範囲の数値である。)即ち本発明のアルカ
リハライド蛍光体にX線、紫外線、電子線などの放射線
を照射した後、前記蛍光体を可視光および赤外線の一方
またはその両方を照射して輝尽励起すると、従来より知
られているアルカリハライド蛍光体を用いて同様の操作
を行なった場合に比較して明らかに強い輝尽発光を示
し、また輝尽残光も少なくなる。
General formula (1) M 1 X · aM 2 X ′ 2 · bM 3 X ″ 3 : cTl + , dPb 2+ (wherein M 1 is at least one selected from Li, Na, K, Rb and Cs) Is an alkali metal and M 2 is Be, M
At least one divalent metal selected from g, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni, and M 3 is Sc, Y, L
a, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, H
at least one trivalent metal selected from o, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, X, X'and X "are at least one halogen selected from F, Cl, Br and I. there. Furthermore, a, b, c and d are each 0 ≦ a ≦ 0.3,0 ≦ b ≦ 0.3,10 -6 ≦ c ≦ 10 -2, 10 -6
It is a numerical value in the range of ≤d≤10 -2 . That is, after irradiating the alkali halide phosphor of the present invention with radiation such as X-rays, ultraviolet rays and electron beams, the phosphor is irradiated with one or both of visible light and infrared rays to stimulate excitation, which is conventionally known. As compared with the case where the same operation is performed using the known alkali halide phosphor, the photoluminescence is clearly stronger and the photoluminescence afterglow is reduced.

【0009】さらに、本発明のアルカリハライド蛍光体
は放射線画像変換パネル以外にも増感剤、X線イメージ
インテンシファイア用の蛍光体等としても使用し得る。
Further, the alkali halide phosphor of the present invention can be used as a sensitizer, a phosphor for an X-ray image intensifier, etc. in addition to the radiation image conversion panel.

【0010】本発明の放射線画像変換パネルは、基本的
には支持体と、その片面あるいは両面に設けられた少な
くとも一層の蛍光体の内の少なくとも一層が前記一般式
(1)のアルカリハライド蛍光体層からなるものであ
る。
In the radiation image conversion panel of the present invention, basically, a support and at least one of at least one phosphor provided on one side or both sides of the support are at least one of the alkali halide phosphors of the general formula (1). It consists of layers.

【0011】また、本発明の放射線画像変換方法は、前
記一般式(1)のアルカリハライド蛍光体を含有する放
射線画像変換パネルを用いる形態で実施される。
Further, the radiation image conversion method of the present invention is carried out in the form of using a radiation image conversion panel containing the alkali halide phosphor of the general formula (1).

【0012】以下、本発明の構成をその作用と共に具体
的に説明する。
The structure of the present invention will be described in detail below along with its operation.

【0013】図1は、本発明に係る蛍光体の一つである
RbI:10-4Tl+,dPb2+蛍光体に、管電圧80KVP、管電流10mA
のX線を0.1秒照射した後、これを半導体レーザ光(780
nm,10mW)で励起し、その蛍光体層から放射される輝尽
による発光強度とPb2+の含有量との関係を示した図であ
る。図1において縦軸はd=0すなわちPb2+を含有して
いないRbI:10-4Tl+蛍光体の輝尽による発光強度を1と
した相対強度を表している。図1から明らかなように、
Pb2+の含有により輝尽による発光強度は著しく増強され
ており、含有量dが10-6≦d≦10-2の範囲において充分
なる効果が得られ、特に10-5≦d≦10-3の範囲において
その効果が著しい。
FIG. 1 shows one of the phosphors according to the present invention.
RbI: 10 -4 Tl + , dPb 2+ phosphor, tube voltage 80KV P , tube current 10mA
After irradiating X-rays for 0.1 seconds, this is irradiated with a semiconductor laser beam (780
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the Pb 2+ content and the emission intensity due to photostimulation radiated from the phosphor layer after being excited at 10 nmW). In FIG. 1, the vertical axis represents d = 0, that is, the relative intensity with the emission intensity of RbI: 10 −4 Tl + phosphor containing no Pb 2+ as 1 as the emission intensity. As is clear from FIG.
The emission intensity due to photostimulation is remarkably enhanced by the inclusion of Pb 2+ , and a sufficient effect can be obtained when the content d is in the range of 10 −6 ≦ d ≦ 10 −2 , and particularly 10 −5 ≦ d ≦ 10 The effect is remarkable in the range of 3 .

【0014】本発明の前記一般式(1)で表されるアル
カリハライド蛍光体は、例えば以下に述べる製造方法で
製造される。
The alkali halide phosphor represented by the above general formula (1) of the present invention is produced, for example, by the production method described below.

【0015】まず焼成法の場合は、蛍光体原料として
は、 1)LiF,LiCl,LiBr,LiI,NaF,NaCl,NaBr,NaI,K
F,KCl,KBr,KI,RbF,RbCl,RbBr,RbI,CsF,CsCl,
CsBr,CsIのうち1種もしくは2種以上、 2)BeF2,BeCl2,BeBr2,BeI2,MgF2,MgCl2,MgBr2
MgI2,CaF2,CaCl2,CaBr2,CaI2,SrF2,SrCl2,SrB
r2,SrI2,BaF2,BaCl2,BaBr2,BI2,ZnF2,ZnCl2,Zn
Br2,ZnI2,CdF2,CdCl2,CdBr2,CdI2,CuF2,CuCl2
CuBr2,CuI2,NiF2,NiCl2,NiBr2,NiI2等の2価金属
のうち1種もしくは2種以上、 3)ScF3,ScCl3,ScBr3,ScI3,YF3,YCl3,YBr3,Y
I3,LaF3,LaCl3,LaBr3,LaI3,CeF3,CeCl3,CeBr3
CeI3,PrF3,PrCl3,PrBr3,PrI3,NdF3,NdCl3,NdB
r3,NdI3,PmF3,PmCl3,PmBr3,PmI3,SmF3,SmCl3,S
mBr3,SmI3,EuF3,EuCl3,EuBr3,EuI3,GdF3,GdC
l3,GdBr3,GdI3,TbF3,TbCl3,TbBr3,TbI3,DyF3,D
yCl3,DyBr3,DyI3,HoF3,HoCl3,HoBr3,HoI3,Er
F3,ErCl3,ErBr3,ErI3,TmF3,TmCl3,TmBr3,TmI3
YbF3,YbCl3,YbBr3,YbI3,LuF3,LuCl3,LuBr3,Lu
I3,AlF3,AlCl3,AlBr3,AlI3,GaF3,GaCl3,GaBr3
GaI3,InF3,InCl3,InBr3,InI3等の3価金属のうち1
種もしくは2種以上、 4)TlF,TlCl,TlBr,TlI,Tl2O,Tl2O3,TlOH,Tl2CO
3,TlNO3等のタリウム化合物のうち1種もしくは2種以
上、 5)PbF2,PbCl2,PbBr2,PbI2,PbO,PbO2,Pb2O3,Pb
3O4,PbSO4,Pb(NO3)2,PbCO3,Pb(C17H33COO)2,(CH3C
OO)2Pb,(CH3COO)2Pb・3H2O等の鉛化合物のうち1種もし
くは2種以上が用いられる。
First, in the case of the firing method, as the phosphor raw material: 1) LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI, K
F, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl,
CsBr, 1 kind or 2 or more of CsI, 2) BeF 2, BeCl 2, BeBr 2, BeI 2, MgF 2, MgCl 2, MgBr 2,
MgI 2, CaF 2, CaCl 2 , CaBr 2, CaI 2, SrF 2, SrCl 2, SrB
r 2 , SrI 2 , BaF 2 , BaCl 2 , BaBr 2 , BI 2 , ZnF 2 , ZnCl 2 , Zn
Br 2, ZnI 2, CdF 2 , CdCl 2, CdBr 2, CdI 2, CuF 2, CuCl 2,
CuBr 2, CuI 2, NiF 2 , NiCl 2, NiBr 2, NiI 2 2 divalent metal one or two or more of such, 3) ScF 3, ScCl 3 , ScBr 3, ScI 3, YF 3, YCl 3 , YBr 3 , Y
I 3, LaF 3, LaCl 3 , LaBr 3, LaI 3, CeF 3, CeCl 3, CeBr 3,
CeI 3 , PrF 3 , PrCl 3 , PrBr 3 , PrI 3 , NdF 3 , NdCl 3 , NdB
r 3 , NdI 3 , PmF 3 , PmCl 3 , PmBr 3 , PmI 3 , SmF 3 , SmCl 3 , S
mBr 3, SmI 3, EuF 3 , EuCl 3, EuBr 3, EuI 3, GdF 3, GdC
l 3 , GdBr 3 , GdI 3 , TbF 3 , TbCl 3 , TbBr 3 , TbI 3 , DyF 3 , D
yCl 3, DyBr 3, DyI 3 , HoF 3, HoCl 3, HoBr 3, HoI 3, Er
F 3, ErCl 3, ErBr 3 , ErI 3, TmF 3, TmCl 3, TmBr 3, TmI 3,
YbF 3, YbCl 3, YbBr 3 , YbI 3, LuF 3, LuCl 3, LuBr 3, Lu
I 3 , AlF 3 , AlCl 3 , AlBr 3 , AlI 3 , GaF 3 , GaCl 3 , GaBr 3 ,
One of trivalent metals such as GaI 3 , InF 3 , InCl 3 , InBr 3 , InI 3
Or 2 or more, 4) TlF, TlCl, TlBr, TlI, Tl 2 O, Tl 2 O 3 , TlOH, Tl 2 CO
3 , one or more of thallium compounds such as TlNO 3 , 5) PbF 2 , PbCl 2 , PbBr 2 , PbI 2 , PbO, PbO 2 , Pb 2 O 3 , Pb
3 O 4 , PbSO 4 , Pb (NO 3 ) 2 , PbCO 3 , Pb (C 17 H 33 COO) 2 , (CH 3 C
One or more lead compounds such as (OO) 2 Pb and (CH 3 COO) 2 Pb / 3H 2 O are used.

【0016】前記原料を前記一般式(1)で示される混
合組成になるように秤量し、ボールミル、ミキサーミ
ル、乳鉢等を用いて十分に混合する。
The above raw materials are weighed so as to have the mixed composition represented by the general formula (1), and sufficiently mixed using a ball mill, a mixer mill, a mortar or the like.

【0017】本発明の蛍光体においては、輝尽発光輝
度、輝尽残像の点から、前記一般式(1)におけるM1
としてはK,RbおよびCsから選ばれる少なくとも一種
のアルカリ金属が好ましい。XとしてはBrおよびIか
ら選ばれる少なくとも一種のハロゲンが好ましい。M2
としてはBe,Mg,Ca,SrおよびBaから選ばれる少
なくとも一種の二価金属が好ましい。M3としてはY,
Ce,Sm,Eu,Al,La,Gd,Lu,GaおよびInか
ら選ばれる少なくとも一種の三価金属が好ましい。M3
X″3の含有率を表すb値およびPb2+の含有率を表すd
値はそれぞれ0≦b≦10-2および10-5≦d≦10-3の範囲
から選ばれるのが好ましい。また、Pb化合物としては融
点が低いPbF2,PbCl2,PbBr2,PbI2,Pb(NO3)2,Pb(C17
H33COO)2,(CH3COO)2Pb,(CH3COO)2Pb・3H2Oが好まし
く、特にPb(NO3)2が望ましい。
In the phosphor of the present invention, M 1 in the above general formula (1) is taken into consideration in terms of stimulated emission luminance and stimulated afterimage.
Is preferably at least one alkali metal selected from K, Rb and Cs. As X, at least one halogen selected from Br and I is preferable. M 2
It is preferable to use at least one divalent metal selected from Be, Mg, Ca, Sr and Ba. M 3 is Y,
At least one trivalent metal selected from Ce, Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga and In is preferable. M 3
B value representing the content of X ″ 3 and d representing the content of Pb 2+
The values are preferably selected from the range of 0≤b≤10 -2 and 10 -5 ≤d≤10 -3 , respectively. Further, a low melting point as a Pb compound PbF 2, PbCl 2, PbBr 2 , PbI 2, Pb (NO 3) 2, Pb (C 17
H 33 COO) 2 , (CH 3 COO) 2 Pb, (CH 3 COO) 2 Pb · 3H 2 O are preferable, and Pb (NO 3 ) 2 is particularly preferable.

【0018】次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ル
ツボ或いはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電
気炉中で焼成を行う。焼成温度は400乃至1000℃が適当
であり、500乃至700℃が好ましい。焼成時間は原料混合
物の充填量、焼成温度等によって異なるが、一般には0.
2乃至10時間が適当であり、1乃至4時間が好ましい。
焼成雰囲気としては、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰
囲気等の中性雰囲気或いは酸素ガスを含む酸化性雰囲気
が好ましい。なお、上記の焼成条件で一度焼成した後、
焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後焼成物
粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、上記と
同じ焼成条件で再焼成を行えば得られる蛍光体の輝尽に
よる発光輝度を更に高めることができる。また、焼成物
を焼成温度より室温に冷却する際電気炉内で加熱部より
冷却部へ移動させて、扇風機等を用い中性雰囲気もしく
は酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体
の輝尽発光輝度をより一層高めることができる。
Next, the obtained phosphor raw material mixture is filled in a heat-resistant container such as a quartz crucible or an alumina crucible and fired in an electric furnace. The firing temperature is suitably 400 to 1000 ° C, preferably 500 to 700 ° C. The firing time varies depending on the filling amount of the raw material mixture, the firing temperature, etc., but is generally 0.
It is suitable for 2 to 10 hours, preferably 1 to 4 hours.
The firing atmosphere is preferably a neutral atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere or an argon gas atmosphere, or an oxidizing atmosphere containing oxygen gas. After firing once under the above firing conditions,
The fired product is taken out of the electric furnace and crushed, and then the fired product powder is charged again into the heat-resistant container and placed in the electric furnace, and refired under the same firing conditions as described above. The brightness can be further increased. Further, when the fired product is cooled to room temperature from the firing temperature, it is moved from the heating unit to the cooling unit in the electric furnace, and rapidly cooled in a neutral atmosphere or an oxidizing atmosphere using a fan or the like to obtain a phosphor. The stimulated emission luminance can be further increased.

【0019】蛍光体の母体を構成するアルカリハライド
の水に対する溶解度が高いという性質を利用すれば、特
開昭63-179992号に記載されているように焼成工程を経
ないでも本発明の蛍光体を得ることができる。つまり、
前記一般式で示される混合組成になるように前記の蛍光
体原料を秤量し、水に溶解または懸濁させ十分に混合し
た後、加熱、減圧乾燥、真空乾燥、噴霧乾燥等によって
水分を蒸発させることによっても、本発明の蛍光体を得
ることができる。
By utilizing the property that the alkali halide constituting the matrix of the phosphor has a high solubility in water, the phosphor of the present invention can be obtained without a firing step as described in JP-A-63-179992. Can be obtained. That is,
The phosphor raw material is weighed so as to have a mixed composition represented by the general formula, dissolved or suspended in water and sufficiently mixed, and then water is evaporated by heating, reduced pressure drying, vacuum drying, spray drying, or the like. Also by this, the phosphor of the present invention can be obtained.

【0020】また特開昭61-73100号に記載されているよ
うな蒸着法やスパッタリング法、CVD法、イオンプレー
ティング法等の気相堆積法により、およびあらかじめ輝
尽蛍光体等をバインダー液中に溶解、懸濁させて調合し
た蛍光体塗料を単層もしくは性能別に分けて複層に塗設
する塗布法によっても、前記焼成工程を経ないでも本発
明の蛍光体を得ることができる。
Further, vapor deposition methods such as the vapor deposition method, the sputtering method, the CVD method and the ion plating method as described in JP-A-61-73100, and the stimulable phosphor and the like are previously prepared in a binder solution. The phosphor of the present invention can be obtained by a coating method in which a phosphor coating prepared by dissolving and suspending in a single layer or divided into performances is applied to a multi-layer without the firing step.

【0021】蒸着法により蛍光体層を形成する場合に
は、支持体を蒸着装置内に設置した後、蒸着装置内を排
気して10-6乃至10-2Torr程度の真空度とする。次いで、
焼成法に示したものと同様の蛍光体原料混合物を抵抗加
熱法、電子ビーム法等の方法により加熱蒸発させて、支
持体の表面に蛍光体を所定の厚さに堆積させる。また、
蛍光体原料を複数の抵抗加熱器または電子ビームを用い
て共蒸着し、支持体の表面上で目的とする蛍光体を合成
すると同時に蛍光体層を形成することも可能である。支
持体上に付活剤を含まない蛍光体母体層を形成した後
に、熱拡散法等の方法により蛍光体母体層に付活剤をド
ーピングして蛍光体層を形成することも可能である。さ
らに、蒸着時、必要に応じてO2,H2等のガスを導入し
て反応性蒸着を行っても良い。また、蒸着終了後に蛍光
体層を加熱処理(アニーリング)しても良い。
When the phosphor layer is formed by the vapor deposition method, the support is placed in the vapor deposition apparatus, and then the interior of the vapor deposition apparatus is evacuated to a vacuum degree of about 10 −6 to 10 −2 Torr. Then
A phosphor raw material mixture similar to that shown in the firing method is heated and evaporated by a resistance heating method, an electron beam method or the like to deposit the phosphor to a predetermined thickness on the surface of the support. Also,
It is also possible to co-evaporate the phosphor raw material using a plurality of resistance heaters or electron beams to synthesize the target phosphor on the surface of the support and simultaneously form the phosphor layer. It is also possible to form the phosphor layer by forming the phosphor base layer containing no activator on the support and then doping the activator into the phosphor base layer by a method such as a thermal diffusion method. Furthermore, during vapor deposition, a gas such as O 2 or H 2 may be introduced to carry out reactive vapor deposition, if necessary. In addition, the phosphor layer may be subjected to heat treatment (annealing) after the completion of vapor deposition.

【0022】本発明の蛍光体を放射線画像変換パネルと
して使用する場合には、気相堆積法または塗布法によっ
て作製することが好ましいが、アルカリハライド蛍光体
が蒸着法に好適であること、蛍光体の充填率が高いため
鮮鋭性の低下を起こすことなく発光輝度を向上できるこ
とから蒸着法を用いることが望ましい。蒸着法の場合、
蛍光体層の堆積速度は0.1〜50μm/minが好ましい。堆積
速度があまり小さいと生産性が低くなり、堆積速度があ
まり大きいと堆積速度の制御が困難になる。蒸着工程中
の前記支持体の温度は500℃以下が適当で、300℃乃至40
0℃が好ましい。この温度があまり高いときは、結晶化
の進行により画像の鮮鋭性が低下しやすい。
When the phosphor of the present invention is used as a radiation image conversion panel, it is preferably produced by a vapor deposition method or a coating method, but an alkali halide phosphor is suitable for a vapor deposition method, It is preferable to use the vapor deposition method because the filling rate of (1) is high and the emission brightness can be improved without causing a decrease in sharpness. In the case of vapor deposition method,
The deposition rate of the phosphor layer is preferably 0.1 to 50 μm / min. If the deposition rate is too low, the productivity will be low, and if the deposition rate is too high, it will be difficult to control the deposition rate. The temperature of the support during the vapor deposition process is preferably 500 ° C or lower, and 300 ° C to 40 ° C.
0 ° C is preferred. When this temperature is too high, the sharpness of the image is likely to decrease due to the progress of crystallization.

【0023】次に本発明のアルカリハライド蛍光体を用
いた放射線画像変換パネルについて説明する。
Next, a radiation image conversion panel using the alkali halide phosphor of the present invention will be described.

【0024】図2は放射線画像変換パネルの一例を示す
断面図であり、1は支持体、2は蛍光体層、3は低屈折
率層、4は保護層、5はスペーサである。
FIG. 2 is a sectional view showing an example of a radiation image conversion panel, wherein 1 is a support, 2 is a phosphor layer, 3 is a low refractive index layer, 4 is a protective layer, and 5 is a spacer.

【0025】支持体1の材料としては、蒸着時およびそ
の後の加熱処理において十分な耐熱性を有するものが好
ましく、例えばガラスセラミックス、アルミナ、石英ガ
ラス、ソーダガラス、アルミニウムなどが挙げられる。
支持体1の厚さは、その材質等によって異なるが、、一
般的には0.1〜5mmが好ましく、取扱いの利便性から、
特に0.2〜2mmが好ましい。
The material of the support 1 is preferably one having sufficient heat resistance during vapor deposition and subsequent heat treatment, and examples thereof include glass ceramics, alumina, quartz glass, soda glass, and aluminum.
Although the thickness of the support 1 varies depending on its material, etc., it is generally preferably 0.1 to 5 mm, which is convenient for handling.
Particularly, 0.2 to 2 mm is preferable.

【0026】支持体1の表面は平滑面であってもよい
し、蛍光体層2との接着性を向上させる目的で粗面とし
てもよいが、励起光の基板表面での散乱をできるだけ抑
え、得られる画像の鮮鋭性を高めるためには、表面粗さ
は中央線平均粗さ:Ra(JIS B-0601)で0.1μm以下が好ま
しく、さらに0.01μm以下が望ましい。また、蛍光体層
2は支持体1の表面が平滑なほど剥離しやすいので、蛍
光体層2を実際の放射線画像読取領域より広く設け、こ
の読取領域以外の部分の表面粗さを大きくすることが望
ましい。こうすることにより剥離しにくくなる。支持体
1の表面粗さを調整する方法としては、サンドブラスト
研磨処理、粉末溶射処理、ラッピング研磨処理、フッ酸
等によるエッチング処理等がある。前記読取領域以外の
支持体1の表面粗さはRaで0.1μm以上が好ましく、さ
らに0.5μm以上が望ましい。
The surface of the support 1 may be a smooth surface or may be a rough surface for the purpose of improving the adhesiveness with the phosphor layer 2, but the scattering of excitation light on the substrate surface is suppressed as much as possible. In order to enhance the sharpness of the obtained image, the surface roughness is preferably 0.1 μm or less, more preferably 0.01 μm or less in terms of center line average roughness: Ra (JIS B-0601). Further, the smoother the surface of the support 1, the easier it is for the phosphor layer 2 to be peeled off. Therefore, the phosphor layer 2 should be provided wider than the actual radiation image reading area, and the surface roughness of the portion other than this reading area should be increased. Is desirable. By doing so, peeling becomes difficult. As a method for adjusting the surface roughness of the support 1, there are sandblast polishing treatment, powder spraying treatment, lapping polishing treatment, etching treatment with hydrofluoric acid and the like. The surface roughness Ra of the support 1 other than the reading area is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.5 μm or more.

【0027】さらに、支持体1上には蛍光体層2との接
着性を向上させる目的で蛍光体層2が設けられる面に下
引き層を設けてもよいし、光反射率を調整する必要に応
じて、Al等の金属、およびSiO2,Al2O3等の酸化物層を
真空蒸着法やスパッタ法あるいは溶射法などにより設け
てもよい。さらに、支持体1上には蛍光体層2との接着
性を向上させる目的で蛍光体層2が設けられる面に下引
き層を設けてもよいし、必要に応じて光反射層、光吸収
層などを設けてもよい。
Further, an undercoat layer may be provided on the surface of the support 1 on which the phosphor layer 2 is provided for the purpose of improving the adhesiveness with the phosphor layer 2, and it is necessary to adjust the light reflectance. Depending on the case, a metal such as Al and an oxide layer such as SiO 2 or Al 2 O 3 may be provided by a vacuum deposition method, a sputtering method, a thermal spraying method, or the like. Further, an undercoat layer may be provided on the surface of the support 1 on which the phosphor layer 2 is provided for the purpose of improving the adhesiveness with the phosphor layer 2, and if necessary, a light reflecting layer, a light absorbing layer. You may provide a layer etc.

【0028】蛍光体層2の層厚は30〜1000μmが好まし
く、100〜500μmが望ましい。気層堆積法により形成さ
れた蛍光体層2に加熱処理を施すとX線に対する感度が
向上する。また、支持体1または保護層4上に付活剤を
含まない蛍光体母体層を形成した後に、熱拡散法等の方
法により、蛍光体母体層に付活剤をドーピングして所定
の蛍光体層とすることもできる。
The layer thickness of the phosphor layer 2 is preferably 30 to 1000 μm, and more preferably 100 to 500 μm. When the phosphor layer 2 formed by the vapor layer deposition method is subjected to heat treatment, the sensitivity to X-rays is improved. In addition, after forming a phosphor base layer containing no activator on the support 1 or the protective layer 4, the phosphor base layer is doped with an activator by a method such as a thermal diffusion method to obtain a predetermined phosphor. It can also be a layer.

【0029】保護層4は、蛍光体層2を物理的にまたは
化学的に保護するために設けられるものであり、透明性
がよく、シート上に成形できるものが使用される。保護
層4は輝尽励起光および輝尽発光光を効率よく透過する
ために、広い波長範囲で高い透過率を示すことが好まし
い。すなわち、光透過率は300〜900nmの波長範囲で70%
以上が好ましく、さらに350〜500nmの輝尽発光光および
波長600〜900nmの輝尽励起光に対して90%以上が特に好
ましい。そのような材料としては、石英、硼珪酸ガラ
ス、科学的強化ガラス等の板ガラスや、ポリエチレンテ
レフタレート(PET)、延伸ポリプロピレン、ポリ塩
化ビニル、アクリル樹脂等の有機高分子化合物が挙げら
れる。硼珪酸ガラスは330〜2600nmの波長範囲で80%以
上の光透過率を示し、石英ガラスではさらに短波長にお
いても高い光透過率を示し、特に好ましい。さらに、保
護層4の表面にMgF2等の反射防止層を設けると、輝尽励
起光および輝尽発光光を効率よく透過するとともに、鮮
鋭性を高くする効果もあり好ましい。保護層4の層厚
は、例えば25μm〜5mmであり、良好な防湿性と耐衝撃
性を得てなおかつ十分な光透過率を確保するためには0.
1〜3mmが好ましい。
The protective layer 4 is provided to protect the phosphor layer 2 physically or chemically, and it is preferable that it has good transparency and can be molded on a sheet. The protective layer 4 preferably exhibits high transmittance in a wide wavelength range in order to efficiently transmit stimulated excitation light and stimulated emission light. That is, the light transmittance is 70% in the wavelength range of 300 to 900 nm.
The above is preferable, and 90% or more is particularly preferable for the stimulated emission light of 350 to 500 nm and the stimulated excitation light of wavelength 600 to 900 nm. Examples of such materials include plate glass such as quartz, borosilicate glass, and chemically strengthened glass, and organic polymer compounds such as polyethylene terephthalate (PET), oriented polypropylene, polyvinyl chloride, and acrylic resin. Borosilicate glass shows a light transmittance of 80% or more in the wavelength range of 330 to 2600 nm, and quartz glass shows a high light transmittance even at a shorter wavelength, which is particularly preferable. Furthermore, it is preferable to provide an antireflection layer such as MgF 2 on the surface of the protective layer 4 because it has an effect of efficiently transmitting stimulated excitation light and stimulated emission light and enhancing sharpness. The layer thickness of the protective layer 4 is, for example, 25 μm to 5 mm, and in order to obtain good moisture resistance and impact resistance and to secure a sufficient light transmittance, it is 0.
1 to 3 mm is preferable.

【0030】蛍光体層2は支持体1および保護層4の両
者に接触してもよいが、図2のように蛍光体層2と保護
層4との間に低屈折率層3を設けることが好ましい。こ
の低屈折率層3は外部雰囲気から遮断された状態で存在
するものであり、この低屈折率層3が存在することによ
り、鮮鋭性の低下を招かずに保護層4の層厚を実質的に
厚くすることが可能となり、防湿性および耐久性をさら
に向上させることができる。そのような低屈折率層3と
しては、空気、窒素、アルゴン等の不活性な気体からな
る層および真空層などの屈折率が実質的に1である層、
メチルアルコール(屈折率1.33)、エチルアルコール
(屈折率1.36)等の液体からなる層、CaF2(屈折率1.23
〜1.26)、Na3AlF6(屈折率1.35)、MgF2(屈折率1.3
8)、SiO2(屈折率1.46)等の物質からなる等が挙げら
れる。これらの中でも、特に気体層または真空層からな
る低屈折率層3が画像の鮮鋭性の低下を防止する効果が
高くて好ましい。低屈折率層3の層厚は、通常0.05μm
〜3mmが実用的である。
The phosphor layer 2 may be in contact with both the support 1 and the protective layer 4, but the low refractive index layer 3 is provided between the phosphor layer 2 and the protective layer 4 as shown in FIG. Is preferred. The low-refractive index layer 3 exists in a state of being shielded from the external atmosphere, and the presence of the low-refractive index layer 3 substantially reduces the layer thickness of the protective layer 4 without lowering the sharpness. It is possible to increase the thickness, and the moisture resistance and durability can be further improved. Examples of such a low refractive index layer 3 include a layer made of an inert gas such as air, nitrogen, and argon, and a layer having a refractive index of substantially 1, such as a vacuum layer,
Layer made of liquid such as methyl alcohol (refractive index 1.33), ethyl alcohol (refractive index 1.36), CaF 2 (refractive index 1.23
~ 1.26), Na 3 AlF 6 (refractive index 1.35), MgF 2 (refractive index 1.3
8), SiO 2 (refractive index 1.46) and the like. Among these, the low refractive index layer 3 composed of a gas layer or a vacuum layer is particularly preferable because it has a high effect of preventing a decrease in image sharpness. The thickness of the low refractive index layer 3 is usually 0.05 μm
~ 3mm is practical.

【0031】スペーサ5としては、蛍光体層2を外部雰
囲気から遮断した状態で保持することができるものであ
れば特に制限されず、ガラス、セラミックス、金属、プ
ラスチック等が挙げられる。
The spacer 5 is not particularly limited as long as it can hold the phosphor layer 2 in a state of being shielded from the external atmosphere, and examples thereof include glass, ceramics, metal and plastic.

【0032】図3は本発明の放射線画像変換方法におい
て、前記一般式(1)で示されるアルカリハライド蛍光
体を放射線画像変換パネル(以下、変換パネル)の形態
で用いる実施態様例の概略を示す。
FIG. 3 schematically shows an embodiment in which the alkali halide phosphor represented by the general formula (1) is used in the form of a radiation image conversion panel (hereinafter referred to as a conversion panel) in the radiation image conversion method of the present invention. .

【0033】被写体102が変換パネル103と放射線源101
との間に配された後、放射線源101が点灯されると、変
換パネル103の輝尽性蛍光体104に被写体102の透過放射
線画像が記録蓄積される。この後、変換パネル103をレ
ーザ等の輝尽励起光源105によりミラー106を通して走査
し、輝尽性蛍光体104が発する輝尽発光を光伝達手段108
を介して光検出器107により検出する。この際、搬送ス
テージ109は、例えば上方から下方に副走査しパネル103
全体の輝尽発光を検出する。この時系列化された輝尽発
光の電気信号は増幅器111で増幅されてからA/D変換器
112を通り記憶手段113へ送られる。また、変換パネル10
3の蛍光体側表面に対向する位置には消去用光源110が設
けられ、輝尽発光を検出後、蛍光体に蓄積している潜像
を消去する。
The subject 102 is a conversion panel 103 and a radiation source 101.
Then, when the radiation source 101 is turned on, the transmitted radiation image of the subject 102 is recorded and accumulated in the stimulable phosphor 104 of the conversion panel 103. Thereafter, the conversion panel 103 is scanned by a stimulating excitation light source 105 such as a laser through a mirror 106, and the stimulating luminescence emitted by the stimulable phosphor 104 is transmitted to the light transmitting means 108.
The light is detected by the photodetector 107 via. At this time, the transport stage 109 sub-scans from the upper side to the lower side, for example, by the panel 103.
The total stimulated emission is detected. This time-series stimulated emission electric signal is amplified by an amplifier 111 and then amplified by an A / D converter.
It is sent to the storage means 113 through 112. Also, conversion panel 10
An erasing light source 110 is provided at a position facing the surface of the phosphor 3 on the phosphor side, and after detecting stimulated emission, the latent image accumulated in the phosphor is erased.

【0034】上記輝尽励起光源105としては、He-Neレ
ーザ,He-Cdレーザ,Arイオンレーザ,Krイオンレ
ーザ,N2レーザ,YAGレーザおよびその第2高調波、ビ
ーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レ
ーザ等の金属蒸気レーザ等のレーザがあげられる。この
輝尽励起光用光源は小型であること、高出力であるこ
と、また輝尽励起スペクトルとのマッチングが良いもの
が好ましい。光源光に輝尽発光スペクトルと重なる部分
が含まれている場合には該スペクトル部分をカットする
フィルタを用いることが好ましい。さらに光電変換器に
は輝尽発光を通し輝尽励起光をカットするフィルタを併
用することが好ましく、前記光電変換器およびフィルタ
の光電変換系感度が輝尽発光光とマッチングが良いもの
が好ましい。
As the stimulated excitation light source 105, a He-Ne laser, a He-Cd laser, an Ar ion laser, a Kr ion laser, an N 2 laser, a YAG laser and its second harmonic, a bee laser, a semiconductor laser, and various types are used. Examples include lasers such as dye lasers and metal vapor lasers such as copper vapor lasers. It is preferable that the light source for stimulated excitation light be small, have high output, and have good matching with the stimulated excitation spectrum. When the light source light includes a portion overlapping the stimulated emission spectrum, it is preferable to use a filter that cuts the spectrum portion. Furthermore, it is preferable to use a filter that transmits stimulated emission and cuts stimulated excitation light together in the photoelectric converter, and it is preferable that the photoelectric conversion system sensitivity of the photoelectric converter and the filter match the stimulated emission light well.

【0035】また、上記消去用光源110は輝尽性蛍光体1
04に該蛍光体の励起波長領域を含む光を発する光源であ
り、例えば特開昭56-11392号に示されているようなハロ
ゲンランプ、タングステンランプ、赤外線ランプ、LED
或いはレーザ光源等が任意に選択使用され得る。
The erasing light source 110 is a stimulable phosphor 1.
04 is a light source that emits light including the excitation wavelength region of the phosphor, for example, a halogen lamp, a tungsten lamp, an infrared lamp, an LED as shown in JP-A-56-11392.
Alternatively, a laser light source or the like can be arbitrarily selected and used.

【0036】[0036]

【実施例】以下、本発明の実施例を比較例とともに説明
するが、本発明はこれらの態様に限定されるものではな
い。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below together with comparative examples, but the present invention is not limited to these embodiments.

【0037】実施例1 各蛍光体原料を下記(1)〜(17)に示される組合せに秤量
した後、ボールミルを用いて十分に混合して下記の蛍光
体原料混合物を調合した。
Example 1 Each phosphor raw material was weighed into a combination shown in the following (1) to (17), and then thoroughly mixed using a ball mill to prepare the following phosphor raw material mixture.

【0038】 (1a) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10-4mol) Pb(NO3)2 33.123g (10-1mol) (1b) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10-4mol) Pb(NO3)2 3.3123g (10-2mol) (1c) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10-4mol) Pb(NO3)2 0.3312g (10-3mol) (1d) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10-4mol) Pb(NO3)2 0.0331g (10-4mol) (1e) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10-4mol) Pb(NO3)2 0.0033g (10-5mol) (1f) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10-4mol) Pb(NO3)2 0.0003g (10-6mol) (1g) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10-4mol) Pb(NO3)2 0.00003g (10-7mol) (2) KBr 119.01g (1mol) BaBr2 29.716g (10-1mol) TlBr 0.0284g (10-4mol) PbBr2 0.0367g (10-4mol) (3) CsI 259.81g (1mol) SmCl3 0.2567g (10-3mol) TlCl 0.0240g (10-4mol) (CH3COO)2Pb 0.0325g (10-4mol) (4) RbBr 165.38g (1mol) SrBr2 2.4744g (10-2mol) TlNO3 0.0266g (10-4mol) PbI2 0.0461g (10-4mol) (5) KI 83.003g (0.5mol) CsCl 84.179g (0.5mol) Tl2O 0.0425g (10-4mol) PbCl2 0.0243g (10-4mol) (6) RbI 212.37g (1mol) CeI3 5.2083g (10-2mol) TlI 0.0331g (10-4mol) PbI2 0.0461g (10-4mol) (7) KI 166.01g (1mol) MgI2 27.812g (10-1mol) TlI 0.0331g (10-4mol) Pb(NO3)2 0.0331g (10-4mol) (8) KCl 74.555g (1mol) CaCl2 11.099g (10-1mol) TlCl 0.0240g (10-4mol) PbSO4 0.0303g (10-4mol) (9) NaI 149.89g (1mol) EuBr3 0.3917g (10-3mol) TlI 0.0331g (10-4mol) PbO 0.0223g (10-4mol) (10) RbBr 165.38g (1mol) YF3 14.590g (10-1mol) TlBr 0.0284g (10-4mol) PbBr2 0.0367g (10-4mol) (11) RbCl 12092g (1mol) BeI2 0.2628g (10-3mol) TlCl 0.0240g (10-4mol) PbCl 0.0243g (10-4mol) (12) NaBr 102.90g (1mol) AlBr3 0.0267g (10-4mol) TlBr 0.0284g (10-4mol) PbCO3 0.0267g (10-4mol) (13) PbI 212.37g (1mol) InF3 1.7182g (10-2mol) TlI 0.0331g (10-4mol) PbF2 0.0245g (10-4mol) (14) CsBr 212.84g (1mol) LaI3 5.1962g (10-2mol) TlBr 0.0284g (10-4mol) Pb(NO3)2 0.0331g (10-4mol) (15) LiI 133.84g (1mol) GdBr3 0.0397g (10-4mol) TlI 0.0331g (10-4mol) PbI2 0.0461g (10-4mol) (16) RbF 104.47g (1mol) LuF3 0.2320g (10-3mol) TlF 0.0223g (10-4mol) PbO2 0.0239g (10-4mol) (17) KF 58.100g (1mol) GaCl3 0.0018g (10-5mol) TlF 0.0223g (10-4mol) Pb2O3 0.0462g (10-4mol) Ra:0.001μmの結晶化ガラス板の表面にAl/SiO2スパッタ
膜からなる光反射層を設けた支持体をエレクトロンビー
ム蒸着器内に設置し、次いで、前記調合した蛍光体原料
混合物(1)〜(17)を蒸着源としてプレス成形し水冷した
ルツボにいれた。その後、蒸着器内を一旦排気し、その
後N2ガスを導入し1×10-3Torrに真空度を調整した
後、支持体の温度を約350℃に保持しながら、エレクト
ロンビームガンによりルツボ内の蒸着源の表面をラスタ
ー状にスキャンさせて蒸発させ蒸着した。蛍光体層の層
厚が300μmとなったところで蒸着を終了させ、次いで、
この蛍光体層を温度400℃で加熱処理した。乾燥空気の
雰囲気内で、支持体および硼珪酸ガラスからなる保護層
周縁部を接着剤で封入して、蛍光体層が密閉された構造
の放射線画像変換パネル(1)〜(17)を得た。
[0038] (1a) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) Pb (NO 3) 2 33.123g (10 -1 mol) (1b) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10 - 4 mol) Pb (NO 3 ) 2 3.3123g (10 -2 mol) (1c) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) Pb (NO 3 ) 2 0.3312g (10 -3 mol) ( 1d) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) Pb (NO 3 ) 2 0.0331g (10 -4 mol) (1e) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) Pb (NO 3 ) 2 0.0033g (10 -5 mol) (1f) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) Pb (NO 3 ) 2 0.0003g (10 -6 mol) (1g) RbI 212.37 g (1mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) Pb (NO 3 ) 2 0.00003g (10 -7 mol) (2) KBr 119.01g (1mol) BaBr 2 29.716g (10 -1 mol) TlBr 0.0284g ( 10 -4 mol) PbBr 2 0.0367g (10 -4 mol) (3) CsI 259.81g (1 mol) SmCl 3 0.2567g (10 -3 mol) TlCl 0.0240g (10 -4 mol) (CH 3 COO) 2 Pb 0.0325g (10 -4 mol) (4) RbBr 165.38g (1 mol) SrBr 2 2.4744g (10 -2 mol) TlNO 3 0.0266g (10 -4 mol) PbI 2 0.0461g (10 -4 mol) (5) KI 83.003g (0.5mol) CsCl 84.179g (0.5mol) Tl 2 O 0.0425g (10 -4 mol) Pb Cl 2 0.0243g (10 -4 mol) (6) RbI 212.37g (1mol) CeI 3 5.2083g (10 -2 mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) PbI 2 0.0461g (10 -4 mol) (7 ) KI 166.01g (1mol) MgI 2 27.812g (10 -1 mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) Pb (NO 3 ) 2 0.0331g (10 -4 mol) (8) KCl 74.555g (1mol) CaCl 2 11.099g (10 -1 mol) TlCl 0.0240g (10 -4 mol) PbSO 4 0.0303g (10 -4 mol) (9) NaI 149.89g (1 mol) EuBr 3 0.3917g (10 -3 mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) PbO 0.0223g ( 10 -4 mol) (10) RbBr 165.38g (1mol) YF 3 14.590g (10 -1 mol) TlBr 0.0284g (10 -4 mol) PbBr 2 0.0367g (10 - 4 mol) (11) RbCl 12092g (1mol) BeI 2 0.2628g (10 -3 mol) TlCl 0.0240g (10 -4 mol) PbCl 0.0243g (10 -4 mol) (12) NaBr 102.90g (1mol) AlBr 3 0.0267g (10 -4 mol) TlBr 0.0284g (10 -4 mol) PbCO 3 0.0267g (10 -4 mol) (13) PbI 212.37g (1 mol) InF 3 1.7182g (10 -2 mol) TlI 0.0331g ( 10 -4 mol) PbF 2 0.0245g (10 -4 mol) (14) CsBr 212.84g (1 mol) LaI 3 5.1962g (10 -2 mol) TlBr 0.0284g (10 -4 mol) Pb (NO 3 ) 2 0.0331 g (10 -4 mol) (15) LiI 133.84g (1 mol) GdBr 3 0.0397g (10 -4 mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) PbI 2 0.0461g (10 -4 mol) (16) RbF 104.47g (1 mol) LuF 3 0.2320g (10 -3 mol) TlF 0.0223g ( 10 -4 mol) PbO 2 0.0239g (10 -4 mol) (17) KF 58.100g (1 mol) GaCl 3 0.0018g (10 -5 mol) TlF 0.0223g (10 -4 mol) Pb 2 O 3 0.0462g ( 10 -4 mol) Ra: 0.001 μm of a crystallized glass plate on the surface of which a support having a light-reflecting layer made of an Al / SiO 2 sputtered film was placed in an electron beam vapor deposition device, and then the phosphor prepared above was prepared. The raw material mixtures (1) to (17) were used as a vapor deposition source, press-molded and put in a water-cooled crucible. Then, the inside of the vapor deposition chamber was once evacuated, and then N 2 gas was introduced to adjust the degree of vacuum to 1 × 10 −3 Torr, and then the temperature of the support was kept at about 350 ° C. The surface of the vapor deposition source was scanned in a raster pattern and evaporated to deposit. The vapor deposition is terminated when the layer thickness of the phosphor layer reaches 300 μm, and then,
This phosphor layer was heat-treated at a temperature of 400 ° C. Radiation image conversion panels (1) to (17) having a structure in which a phosphor layer was sealed by encapsulating a peripheral portion of a support and a borosilicate glass in a dry air atmosphere with an adhesive were obtained. .

【0039】前記放射線画像変換パネルをそれぞれX線
管球焦点から100cmの距離において管電圧80KVP、管電流
10mAのX線を0.1秒照射した後、これを半導体レーザ光
(780nm、10mW)で励起し、その蛍光体層から放射され
る輝尽による蛍光を光検出器で測定した。結果を表1〜
表17に示す。
Each of the radiation image conversion panels was operated at a tube voltage of 80 KV P and a tube current at a distance of 100 cm from the X-ray tube focus.
After irradiating with 10 mA X-ray for 0.1 seconds, this was excited with a semiconductor laser beam (780 nm, 10 mW), and fluorescence due to photostimulation emitted from the phosphor layer was measured with a photodetector. The results are shown in Table 1
It is shown in Table 17.

【0040】比較例1 実施例1において各蛍光体原料を下記(1)〜(17)に示さ
れる組合せに秤量したこと以外は実施例と同様にして下
記蛍光体(1)〜(17)を得た。
Comparative Example 1 The following phosphors (1) to (17) were prepared in the same manner as in Example 1 except that each phosphor raw material was weighed into the combinations shown in (1) to (17) below. Obtained.

【0041】 (1) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10-4mol) (2) KBr 119.01g (1mol) BaI2 39.115g (10-1mol) TlBr 0.0284g (10-4mol) (3) CsI 259.81g (1mol) SmCl3 0.2567g (10-3mol) TlCl 0.0240g (10-4mol) (4) RbBr 165.38g (1mol) SrI2 3.4143g (10-2mol) TlNO3 0.0266g (10-4mol) (5) KI 83.003g (0.5mol) CsCl 84.179g (0.5mol) TlI 0.0331g (10-4mol) (6) RbI 212.37g (1mol) CeBr3 3.7985g (10-2mol) TlI 0.0331g (10-4mol) (7) KI 166.01g (1mol) MgI2 27.812g (10-1mol) TlI 0.0331g (10-4mol) (8) KCl 74.555g (1mol) CaCl2 11.099g (10-1mol) TlCl 0.0240g (10-4mol) (9) NaI 149.89g (1mol) EuBr3 0.3917g (10-3mol) TlI 0.0331g (10-4mol) (10) RbBr 165.38g (1mol) YF3 14.590g (10-1mol) TlBr 0.0284g (10-4mol) (11) RbCl 12092g (1mol) BeI2 0.2628g (10-3mol) TlCl 0.0240g (10-4mol) (12) NaBr 102.90g (1mol) AlBr3 0.0267g (10-4mol) TlBr 0.0284g (10-4mol) (13) PbI 212.37g (1mol) InF3 1.7182g (10-2mol) TlI 0.0331g (10-4mol) (14) CsBr 212.84g (1mol) LaI3 5.1962g (10-2mol) TlBr 0.0284g (10-4mol) (15) LiI 133.84g (1mol) GdBr3 0.0397g (10-4mol) TlI 0.0331g (10-4mol) (16) RbF 104.47g (1mol) LuF3 0.2320g (10-3mol) TlF 0.0223g (10-4mol) (17) KF 58.100g (1mol) GaCl3 0.0018g (10-5mol) TlF 0.0223g (10-4mol) この蛍光体(1)〜(17)を用いて、実施例1と同様にして
放射線画像変換パネルを得、さらに実施例1と同様に半
導体レーザを用いて輝尽発光輝度を測定した。結果を表
1〜表17に併記する。
(1) RbI 212.37g (1mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) (2) KBr 119.01g (1mol) BaI 2 39.115g (10 -1 mol) TlBr 0.0284g (10 -4 mol) ( 3) CsI 259.81g (1mol) SmCl 3 0.2567g (10 -3 mol) TlCl 0.0240g (10 -4 mol) (4) RbBr 165.38g (1mol) SrI 2 3.4143g (10 -2 mol) TlNO 3 0.0266g (10 -4 mol) (5) KI 83.003g (0.5mol) CsCl 84.179g (0.5mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) (6) RbI 212.37g (1mol) CeBr 3 3.7985g (10 -2 mol) ) TlI 0.0331g (10 -4 mol) (7) KI 166.01g (1 mol) MgI 2 27.812g (10 -1 mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) (8) KCl 74.555g (1 mol) CaCl 2 11.099 g (10 -1 mol) TlCl 0.0240g (10 -4 mol) (9) NaI 149.89g (1 mol) EuBr 3 0.3917g (10 -3 mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) (10) RbBr 165.38g (1mol) YF 3 14.590g (10 -1 mol) TlBr 0.0284g (10 -4 mol) (11) RbCl 12092g (1mol) BeI 2 0.2628g (10 -3 mol) TlCl 0.0240g (10 -4 mol) ( 12) NaBr 102.90g (1mol) AlBr 3 0.0267g (10 -4 mol) TlBr 0.0284g (10 -4 mol) (13) PbI 212.37g (1mol) InF 3 1.7182g (10 -2 mol) TlI 0.0331g ( 10 -4 mol) (14) CsBr 212.84g (1mol) LaI 3 5.1962g (10 -2 mol) TlBr 0.0284g (10 -4 mol) (15) LiI 133.84g (1mol) GdBr 3 0.0397g (10 -4 mol) TlI 0.0331g (10 -4 mol) (16) RbF 104.47g (1mol) LuF 3 0.2320g (10 -3 mol) TlF 0.0223g (10 -4 mol) (17) KF 58.100g (1mol) GaCl 3 0.0018g (10 - 5 mol) TlF 0.0223 g (10 −4 mol) Using these phosphors (1) to (17), a radiation image conversion panel was obtained in the same manner as in Example 1, and a semiconductor laser was prepared in the same manner as in Example 1. The stimulated emission luminance was measured by using. The results are also shown in Tables 1 to 17.

【0042】[0042]

【表1】 [Table 1]

【0043】[0043]

【表2】 [Table 2]

【0044】[0044]

【表3】 [Table 3]

【0045】[0045]

【表4】 [Table 4]

【0046】[0046]

【表5】 [Table 5]

【0047】[0047]

【表6】 [Table 6]

【0048】[0048]

【表7】 [Table 7]

【0049】[0049]

【表8】 [Table 8]

【0050】[0050]

【表9】 [Table 9]

【0051】[0051]

【表10】 [Table 10]

【0052】[0052]

【表11】 [Table 11]

【0053】[0053]

【表12】 [Table 12]

【0054】[0054]

【表13】 [Table 13]

【0055】[0055]

【表14】 [Table 14]

【0056】[0056]

【表15】 [Table 15]

【0057】[0057]

【表16】 [Table 16]

【0058】[0058]

【表17】 [Table 17]

【0059】表1〜表17より、本発明の前記試料(1)〜
(17)の蛍光体の輝尽による発光輝度は、比較例1に示し
た従来知られていた蛍光体よりなる比較試料(1)〜(17)
を測定した輝尽による発光輝度より極めて高くなる。
From Tables 1 to 17, the samples (1) to
The emission brightness of the phosphor of (17) due to photostimulation is the comparative samples (1) to (17) made of the conventionally known phosphor shown in Comparative Example 1.
The luminance is significantly higher than the emission luminance measured by the measurement.

【0060】また表1および図1にはRbI:Tl+にPb2+
含有させた場合の、Pb2+の含有量に対する輝尽発光強度
の様子を示す。Pb2+の含有量が蛍光体の母体1に対し、
10-6乃至10-2において輝尽発光強度が極めて高くなるこ
とがわかる。
Table 1 and FIG. 1 show the stimulated emission intensity with respect to the Pb 2+ content when RbI: Tl + contains Pb 2+ . The content of Pb 2+ relative to the matrix 1 of the phosphor is
It can be seen that the stimulated emission intensity becomes extremely high at 10 −6 to 10 −2 .

【0061】実施例2 前記実施例1で使用した放射線画像変換パネル(1)〜(1
7)をそれぞれX線管球焦点から100cmの距離において管
電圧80KVP、管電流10mAのX線を0.1秒照射した後、ファ
ンクションゼネレータを用い発光ダイオード(680nm)
で5ミリ秒励起し、励起を止めてからの蛍光体から放射
される輝尽発光強度の時間変化(減衰)を測定した。励
起光を止める直前の強度に対する励起光を止めてから5
ミリ秒後の強度を輝尽残光度とし、結果を表1〜表17に
併記した。
Example 2 The radiation image conversion panels (1) to (1 used in Example 1 were used.
Each of 7) was irradiated with X-rays at a tube voltage of 80 KV P and a tube current of 10 mA for 0.1 seconds at a distance of 100 cm from the X-ray tube focus, and then a light emitting diode (680 nm) was used using a function generator.
Was excited for 5 milliseconds, and the time change (attenuation) of the stimulated emission intensity emitted from the phosphor after the excitation was stopped was measured. 5 after stopping the excitation light for the intensity immediately before stopping the excitation light
The intensity after milliseconds was defined as the photostimulable afterglow, and the results are shown in Tables 1 to 17.

【0062】比較例2 比較例1で使用した放射線画像変換パネルを用いた以外
は実施例2と同様にして輝尽残光を求めた。結果を表1
〜表17に併記する。
Comparative Example 2 Extinction afterglow was determined in the same manner as in Example 2 except that the radiation image conversion panel used in Comparative Example 1 was used. The results are shown in Table 1.
~ Also shown in Table 17.

【0063】表1〜表17より、本発明の前記試料(1)〜
(17)の蛍光体の輝尽残光度は、比較例1に示した従来知
られていた蛍光体よりなる比較試料(1)〜(17)を測定し
た輝尽残光度より極めて小さくなる。
From Tables 1 to 17, the samples (1) to
The phosphorescence afterglow of the phosphor of (17) is much smaller than the photostimulable afterglow of the comparative samples (1) to (17) made of the conventionally known phosphor shown in Comparative Example 1.

【0064】[0064]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の蛍光体は
輝尽発光輝度が従来のアルカリハライド蛍光体と比較し
て著しく増大しており、輝尽残光は大きく低下してい
る。そのため、本発明の放射線画像変換パネルを使用し
た放射線画像変換方法をX線診断等に利用する場合、高
感度のため被写体のX線被爆量を低減することが可能で
あり、輝尽残光が少ないために画質の向上を可能にす
る。
As described above, the phosphor of the present invention has a significantly increased stimulated emission luminance as compared with the conventional alkali halide phosphor, and the afterglow of excitation is greatly reduced. Therefore, when the radiation image conversion method using the radiation image conversion panel of the present invention is used for X-ray diagnosis or the like, it is possible to reduce the amount of X-ray exposure of the subject due to its high sensitivity, and the afterglow afterglow It is possible to improve the image quality because it is small.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の蛍光体のPb2+の含有量とその輝尽によ
る発光強度の関係図。
FIG. 1 is a graph showing the relationship between the Pb 2+ content of the phosphor of the present invention and the emission intensity due to its stimulation.

【図2】本発明の一実施例の放射線画像変換パネルの断
面図。
FIG. 2 is a sectional view of a radiation image conversion panel according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の蛍光体を本発明の放射線画像変換パネ
ルに用い、画像変換する本発明の方法の実施例の模式
図。
FIG. 3 is a schematic view of an example of the method of the present invention for performing image conversion by using the phosphor of the present invention in the radiation image conversion panel of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 支持体 2 蛍光体層 3 低屈折率層 4 保護層 5 スペーサ 101 放射線源 103 変換パネル 104 輝尽性蛍光体 105 輝尽励起光源 106 ミラー 107 光検出器 108 光伝達手段 109 搬送ステージ 110 消去用光源 111 増幅器 112 A/D変換器 113 記憶手段 1 Support 2 Phosphor Layer 3 Low Refractive Index Layer 4 Protective Layer 5 Spacer 101 Radiation Source 103 Conversion Panel 104 Photostimulable Phosphor 105 Photostimulated Excitation Light Source 106 Mirror 107 Photodetector 108 Light Transfer Means 109 Transport Stage 110 Erase Light source 111 Amplifier 112 A / D converter 113 Storage means

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 組成式が一般式(1)で表されることを
特徴とするアルカリハライド蛍光体。一般式(1) M1X・aM2X′2・bM3X″3:cTl+,dPb2+ (但し、M1はLi,Na,K,RbおよびCsから選ばれ
る少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe,M
g,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,CuおよびNiから選ばれ
る少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc,Y,L
a,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,En,Gd,Tb,Dy,H
o,Er,Tm,Yb,Lu,Al,GaおよびInから選ばれ
る少なくとも一種の三価金属であり、X,X′および
X″はF,Cl,BrおよびIから選ばれる少なくとも一
種のハロゲンである。また、a,b,cおよびdはそれ
ぞれ0≦a≦0.3,0≦b≦0.3,10-6≦c≦10-2、10-6
≦d≦10-2の範囲の数値である。)
1. An alkali halide phosphor having a composition formula represented by the general formula (1). General formula (1) M 1 X · aM 2 X ′ 2 · bM 3 X ″ 3 : cTl + , dPb 2+ (where M 1 is at least one alkali metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs) And M 2 is Be, M
At least one divalent metal selected from g, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni, and M 3 is Sc, Y, L
a, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, En, Gd, Tb, Dy, H
at least one trivalent metal selected from o, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, X, X'and X "are at least one halogen selected from F, Cl, Br and I. there. Furthermore, a, b, c and d are each 0 ≦ a ≦ 0.3,0 ≦ b ≦ 0.3,10 -6 ≦ c ≦ 10 -2, 10 -6
It is a numerical value in the range of ≤d≤10 -2 . )
【請求項2】 前記一般式(1)におけるM1がK,Rb
およびCsから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属
であることを特徴とする請求項1に記載のアルカリハラ
イド蛍光体。
2. M 1 in the general formula (1) is K, Rb
The alkali halide phosphor according to claim 1, which is at least one alkali metal selected from Cs and Cs.
【請求項3】 前記一般式(1)におけるXがBrおよ
びIから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであること
を特徴とする請求項1又は請求項2に記載のアルカリハ
ライド蛍光体。
3. The alkali halide phosphor according to claim 1, wherein X in the general formula (1) is at least one halogen selected from Br and I.
【請求項4】 前記一般式(1)におけるM2がBe,M
g,Ca,SrおよびBaから選ばれる少なくとも一種の二
価金属であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1
項に記載のアルカリハライド蛍光体。
4. M 2 in the general formula (1) is Be, M
4. At least one divalent metal selected from g, Ca, Sr and Ba, according to any one of claims 1 to 3.
The alkali halide phosphor according to the item 1.
【請求項5】 前記一般式(1)におけるM3がY,C
e,Sm,Eu,Al,La,Gd,Lu,GaおよびInから
選ばれる少なくとも一種の三価金属であることを特徴と
する請求項1〜4の何れか1項に記載のアルカリハライ
ド蛍光体。
5. M 3 in the general formula (1) is Y, C.
The alkali halide phosphor according to any one of claims 1 to 4, which is at least one trivalent metal selected from e, Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga and In. .
【請求項6】 前記一般式(1)におけるbが0≦b≦
10-2であることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項
に記載のアルカリハライド蛍光体。
6. b in the general formula (1) is 0 ≦ b ≦
The alkali halide phosphor according to any one of claims 1 to 5, which is 10 -2 .
【請求項7】 前記一般式(1)におけるdが10-5≦d
≦10-3であることを特徴とする請求項1〜6の何れか1
項に記載のアルカリハライド蛍光体。
7. d in the general formula (1) is 10 −5 ≦ d
≦ 10 −3 , any one of claims 1 to 6 characterized in that
The alkali halide phosphor according to the item 1.
【請求項8】 支持体とこの支持体上に設けられた少な
くとも一層の蛍光体層を有する放射線画像変換パネルに
おいて、該蛍光体層の内の少なくとも一層が、下記一般
式(1)で表されるアルカリハライド蛍光体を含有する
ことを特徴とする放射線画像変換パネル。一般式(1) M1X・aM2X′2・bM3X″3:cTl+,dPb2+ (但し、M1はLi,Na,K,RbおよびCsから選ばれ
る少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe,M
g,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,CuおよびNiから選ばれ
る少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc,Y,L
a,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,H
o,Er,Tm,Yb,Lu,Al,GaおよびInから選ばれ
る少なくとも一種の三価金属であり、X,X′および
X″はF,Cl,BrおよびIから選ばれる少なくとも一
種のハロゲンである。また、a,b,cおよびdはそれ
ぞれ0≦a≦0.3,0≦b≦0.3,10-6≦c≦10-2,10-6
≦d≦10-2の範囲の数値である。)
8. In a radiation image conversion panel having a support and at least one phosphor layer provided on the support, at least one of the phosphor layers is represented by the following general formula (1). A radiation image conversion panel comprising an alkali halide phosphor. General formula (1) M 1 X · aM 2 X ′ 2 · bM 3 X ″ 3 : cTl + , dPb 2+ (where M 1 is at least one alkali metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs) And M 2 is Be, M
At least one divalent metal selected from g, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni, and M 3 is Sc, Y, L
a, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, H
at least one trivalent metal selected from o, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, X, X'and X "are at least one halogen selected from F, Cl, Br and I. there. Furthermore, a, b, c and d are each 0 ≦ a ≦ 0.3,0 ≦ b ≦ 0.3,10 -6 ≦ c ≦ 10 -2, 10 -6
It is a numerical value in the range of ≤d≤10 -2 . )
【請求項9】 前記一般式(1)におけるM1がK,Rb
およびCsから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属
であることを特徴とする請求項8に記載の放射線画像変
換パネル。
9. M 1 in the general formula (1) is K, Rb
The radiation image conversion panel according to claim 8, wherein the radiation image conversion panel is at least one alkali metal selected from Cs and Cs.
【請求項10】 前記一般式(1)におけるXがBrお
よびIから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであるこ
とを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の放射線画
像変換パネル。
10. The radiation image conversion panel according to claim 8 or 9, wherein X in the general formula (1) is at least one kind of halogen selected from Br and I.
【請求項11】 前記一般式(1)におけるM2がBe,
Mg,Ca,SrおよびBaから選ばれる少なくとも一種の
二価金属であることを特徴とする請求項8〜10の何れか
1項に記載の放射線画像変換パネル。
11. M 2 in the general formula (1) is Be,
The radiation image conversion panel according to any one of claims 8 to 10, which is at least one divalent metal selected from Mg, Ca, Sr, and Ba.
【請求項12】 前記一般式(1)におけるM3がY,
Ce,Sm,Eu,Al,La,Gd,Lu,GaおよびInか
ら選ばれる少なくとも一種の三価金属であることを特徴
とする請求項8〜11の何れか1項に記載の放射線画像変
換パネル。
12. M 3 in the general formula (1) is Y,
The radiation image conversion panel according to any one of claims 8 to 11, which is at least one trivalent metal selected from Ce, Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga and In. .
【請求項13】 前記一般式(1)におけるbが0≦b
≦10-2であることを特徴とする請求項8〜12の何れか1
項に記載の放射線画像変換パネル。
13. In the general formula (1), b is 0 ≦ b.
≦ 10 −2 , any one of claims 8 to 12 characterized in that
The radiation image conversion panel according to item.
【請求項14】 前記一般式(1)におけるdが10-5
d≦10-3であることを特徴とする請求項8〜13の何れか
1項に記載の放射線画像変換パネル。
14. d in the general formula (1) is 10 −5
14. The radiation image conversion panel according to claim 8, wherein d ≦ 10 −3 .
【請求項15】 被写体に放射線を照射し、前記被写体
を透過してくる放射線を、蛍光体層を有する放射線画像
変換パネルに照射することによって、前記放射線画像変
換パネルに前記放射線エネルギーを像様に蓄積記録し、
該蓄積記録された放射線エネルギーを励起光で輝尽励起
して輝尽光に変換し、放射線画像を再生する放射線画像
変換方法において、蛍光体層の内の少なくとも一層が、
下記一般式(1)で表されるアルカリハライド蛍光体を
含有することを特徴とする放射線画像変換方法。一般式
(1) M1X・aM2X′2・bM3X″3:cTl+,dPb2+ (但し、M1はLi,Na,K,RbおよびCsから選ばれ
る少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe,M
g,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,CuおよびNiから選ばれ
る少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc,Y,L
a,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,H
o,Er,Tm,Yb,Lu,Al,GaおよびInから選ばれ
る少なくとも一種の三価金属であり、X,X′および
X″はF,Cl,BrおよびIから選ばれる少なくとも一
種のハロゲンである。また、a,b,cおよびdはそれ
ぞれ0≦a≦0.3,0≦b≦0.3,10-6≦c≦10-2,10-6
≦d≦10-2の範囲の数値である。)
15. A radiation image is radiated to a subject, and the radiation transmitted through the subject is applied to a radiation image conversion panel having a phosphor layer so that the radiation energy is imaged on the radiation image conversion panel. Accumulation record,
In the radiation image conversion method of stimulating the accumulated and recorded radiation energy by exciting light with excitation light to convert into stimulated light, at least one of the phosphor layers is regenerated.
A radiation image conversion method comprising an alkali halide phosphor represented by the following general formula (1). General formula (1) M 1 X · aM 2 X ′ 2 · bM 3 X ″ 3 : cTl + , dPb 2+ (where M 1 is at least one alkali metal selected from Li, Na, K, Rb and Cs) And M 2 is Be, M
At least one divalent metal selected from g, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni, and M 3 is Sc, Y, L
a, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, H
at least one trivalent metal selected from o, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, X, X'and X "are at least one halogen selected from F, Cl, Br and I. there. Furthermore, a, b, c and d are each 0 ≦ a ≦ 0.3,0 ≦ b ≦ 0.3,10 -6 ≦ c ≦ 10 -2, 10 -6
It is a numerical value in the range of ≤d≤10 -2 . )
【請求項16】 前記一般式(1)におけるM1がK,
RbおよびCsから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金
属であることを特徴とする請求項15に記載の放射線画像
変換方法。
16. M 1 in the general formula (1) is K,
16. The radiation image conversion method according to claim 15, wherein the radiation image conversion is at least one kind of alkali metal selected from Rb and Cs.
【請求項17】 前記一般式(1)におけるXがBrお
よびIから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであるこ
とを特徴とする請求項15又は請求項16に記載の放射線画
像変換方法。
17. The radiographic image conversion method according to claim 15, wherein X in the general formula (1) is at least one halogen selected from Br and I.
【請求項18】 前記一般式(1)におけるM2がBe,
Mg,Ca,SrおよびBaから選ばれる少なくとも一種の
二価金属であることを特徴とする請求項15〜17の何れか
1項に記載の放射線画像変換方法。
18. M 2 in the general formula (1) is Be,
18. The radiation image conversion method according to claim 15, wherein the radiation image conversion is at least one divalent metal selected from Mg, Ca, Sr and Ba.
【請求項19】 前記一般式(1)におけるM3がY,
Ce,Sm,Eu,Al,La,Gd,Lu,GaおよびInか
ら選ばれる少なくとも一種の三価金属であることを特徴
とする請求項15〜18の何れか1項に記載の放射線画像変
換方法。
19. M 3 in the general formula (1) is Y,
The radiation image conversion method according to any one of claims 15 to 18, which is at least one trivalent metal selected from Ce, Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga and In. .
【請求項20】 前記一般式(1)におけるbが0≦b
≦10-2であることを特徴とする請求項15〜19の何れか1
項に記載の放射線画像変換方法。
20. In the general formula (1), b is 0 ≦ b
20. ≦ 10 −2 , wherein any one of claims 15 to 19 is satisfied.
The radiographic image conversion method according to item.
【請求項21】 前記一般式(1)におけるdが10-5
d≦10-3であることを特徴とする請求項15〜20の何れか
1項に記載の放射線画像変換方法。
21. d in the general formula (1) is 10 −5
21. The radiographic image conversion method according to claim 15, wherein d ≦ 10 −3 .
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JP2007205970A (en) * 2006-02-03 2007-08-16 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Scintillator plate
JP2018503706A (en) * 2014-11-19 2018-02-08 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア Novel thallium-doped sodium iodide, cesium iodide or lithium iodide scintillator

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