JP3269857B2 - Manufacturing method of radiation image conversion panel - Google Patents

Manufacturing method of radiation image conversion panel

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JP3269857B2
JP3269857B2 JP21068192A JP21068192A JP3269857B2 JP 3269857 B2 JP3269857 B2 JP 3269857B2 JP 21068192 A JP21068192 A JP 21068192A JP 21068192 A JP21068192 A JP 21068192A JP 3269857 B2 JP3269857 B2 JP 3269857B2
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  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、輝尽性蛍光体層を有す
る放射線画像変換パネルの製造方法に関するものであ
る。
The present invention relates to a method for producing a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば医療の分野においては、病気の診
断にX線画像のような放射線画像が多く用いられてい
る。かかる放射線画像の形成方法としては、従来、被写
体を透過したX線を蛍光体層(蛍光スクリーン)に照射
し、これにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の
写真を撮るときと同じように、銀塩を使用したフィルム
に照射して現像する、いわゆる放射線写真法が一般的で
あった。
2. Description of the Related Art In the medical field, for example, radiation images such as X-ray images are often used for diagnosing diseases. As a method of forming such a radiation image, conventionally, X-rays transmitted through a subject are irradiated on a phosphor layer (fluorescent screen) to generate visible light, and this visible light is used in the same manner as when a normal photograph is taken. The so-called radiographic method of irradiating and developing a film using a silver salt has been generally used.

【0003】しかるに、近年、銀塩を塗布したフィルム
を使用しないで蛍光体層から直接画像を取り出す方法と
して、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、し
かる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起
することにより、この蛍光体に吸収されて蓄積されてい
た放射線エネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を
検出して画像化する方法が提案されている。
However, in recent years, as a method of directly taking out an image from a phosphor layer without using a film coated with a silver salt, radiation that has passed through a subject is absorbed by the phosphor, and then the phosphor is irradiated with light or heat, for example. A method has been proposed in which, by excitation with energy, radiation energy absorbed and accumulated in the phosphor is emitted as fluorescence, and the fluorescence is detected and imaged.

【0004】例えば米国特許第 3,859,527号明細書、特
開昭55− 12144号公報には、輝尽性蛍光体を用い、可視
光線または赤外線を輝尽励起光として用いた放射線画像
変換方法が示されている。この方法は、基板上に輝尽性
蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するも
のであり、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
に被写体を透過した放射線を当てて、被写体の各部の放
射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜
像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起
光で走査することによって各部に蓄積された放射線エネ
ルギーを輝尽発光として放射させ、この光の強弱による
光信号を例えば光電変換し、画像再生装置により画像化
するものである。この最終的な画像はハードコピーとし
て再生されるか、またはCRT上に再生される。
For example, US Pat. No. 3,859,527 and JP-A-55-12144 show a radiation image conversion method using a stimulable phosphor and using visible light or infrared light as stimulating excitation light. ing. In this method, a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer formed on a substrate is used. A latent image is formed by accumulating radiation energy corresponding to the radiation transmittance of each part, and then the radiation energy accumulated in each part is stimulated by scanning the stimulable phosphor layer with stimulating excitation light. The light is emitted as light emission, and an optical signal based on the intensity of the light is photoelectrically converted, for example, and is imaged by an image reproducing apparatus. This final image is reproduced as a hard copy or on a CRT.

【0005】しかるに、輝尽性蛍光体は、一般に、励起
を停止した後もなお継続して蛍光を発するいわゆる「残
光」という現象を示す。従って、放射線画像変換パネル
において検出すべき蛍光に残光が混入してくるので、こ
の残光量が多い場合には、放射線画像のSN比が低下す
る問題がある。従来においては、輝尽性蛍光体の残光量
を減少させるために、酸素を含有するアルカリハライド
蛍光体を用いる技術が提案されている(特願昭60−2975
16号明細書) 。
[0005] However, the stimulable phosphor generally exhibits the phenomenon of so-called "afterglow" in which the phosphor continues to emit fluorescence even after the excitation is stopped. Therefore, afterglow mixes with the fluorescence to be detected in the radiation image conversion panel, and when the amount of residual light is large, there is a problem that the SN ratio of the radiation image is reduced. Conventionally, a technique using an oxygen-containing alkali halide phosphor has been proposed to reduce the residual light amount of the stimulable phosphor (Japanese Patent Application No. 60-2975).
No. 16).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来技
術では、輝尽性蛍光体層の形成時に酸素化合物を添加す
るので、方法それ自体としては好ましい蒸着法により輝
尽性蛍光体層を形成する場合には、蒸着装置の汚染が生
じやすく、しかも蒸気圧の相違により膜厚方向において
濃度の不均一が生じやすく、さらにその後の熱処理によ
り酸素化合物が離脱して残光量を充分に少なくすること
ができない問題がある。また、基板上に輝尽性蛍光体層
またはその母体層を形成した後、酸素化合物を含有する
雰囲気で熱処理することによって酸素化合物を添加する
方法も考えられるが、この場合には蛍光体の結晶間の隙
間に酸素化合物の粒子が充分に入らず、熱処理の際に蛍
光体の結晶が互いに融着するようになって発光単位を構
成する領域が大きくなるため、得られるパネルにおける
画像の鮮鋭性が低下する。
However, in the above prior art, since an oxygen compound is added during the formation of the stimulable phosphor layer, the stimulable phosphor layer is formed by a preferable vapor deposition method. In this case, the vapor deposition apparatus is liable to be contaminated, and the difference in vapor pressure is likely to cause a non-uniform concentration in the film thickness direction. Further, the oxygen compound is separated by a subsequent heat treatment to sufficiently reduce the residual light amount. There is a problem that can not be. Further, after forming a stimulable phosphor layer or a base layer thereof on a substrate, a method of adding an oxygen compound by heat treatment in an atmosphere containing an oxygen compound may be considered. The particles of the oxygen compound do not sufficiently enter the gaps between the phosphors, and the crystals of the phosphor are fused to each other during the heat treatment, so that the area constituting the light-emitting unit becomes large. Decrease.

【0007】そこで、本発明の目的は、画像の鮮鋭性が
高い放射線画像変換パネルを製造することができる方法
を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method capable of manufacturing a radiation image conversion panel having high image sharpness.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、輝
尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法
において、基板上に気相堆積法により形成された輝尽性
蛍光体層またはその母体層に、熱処理することによって
酸化物またはフッ化物よりなる被膜を形成する被膜形成
用塗布液を塗布して乾燥させ、その後、熱処理する工程
を有することを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a method for producing a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer, the method comprising: forming a stimulable phosphor layer formed on a substrate by a vapor deposition method; Alternatively, the method includes a step of applying a coating liquid for forming a coating made of an oxide or a fluoride by heat treatment to the base layer, drying the coating liquid , and then performing a heat treatment .

【0009】[0009]

【作用】このような方法においては、輝尽性蛍光体層ま
たはその母体層において、被膜形成用塗布液が蛍光体の
結晶の隙間内に進入するため、熱処理の際に蛍光体の結
晶が互いに融着することが防止され、従って画像の鮮鋭
性の高い放射線画像変換パネルが得られる。しかも、熱
処理によって形成される被膜の種類によって残光量の少
ない放射線画像変換パネルが得られる。
In such a method, in the stimulable phosphor layer or its base layer, the coating liquid for forming a film enters into the gaps between the phosphor crystals, so that the phosphor crystals are mutually separated during the heat treatment. Fusing is prevented, and a radiation image conversion panel with high image sharpness is obtained. In addition, a radiation image conversion panel with a small amount of residual light can be obtained depending on the type of the film formed by the heat treatment.

【0010】[0010]

【実施例】本発明においては、基板上に輝尽性蛍光体層
またはその母体層を形成してなるプレートに、熱処理す
ることによって酸化物またはフッ化物よりなる被膜を形
成する被膜形成用塗布液を塗布して乾燥させ、その後、
熱処理する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, a coating solution for forming a film made of an oxide or a fluoride by heat-treating a plate having a stimulable phosphor layer or its base layer formed on a substrate is subjected to heat treatment. Apply and dry , then
Heat treatment .

【0011】被膜形成用塗布液は、熱処理によって酸化
物またはフッ化物の被膜を形成する被膜形成物質と、こ
の被膜形成物質を溶解する媒体もしくはこの被膜形成物
質を分散させる媒体とから構成される。
The coating solution for forming a film is composed of a film-forming substance for forming an oxide or fluoride film by heat treatment, and a medium for dissolving the film-forming substance or a medium for dispersing the film-forming substance.

【0012】被膜形成用塗布液の媒体としては、輝尽性
蛍光体層またはその母体層を構成する蛍光体を溶解しに
くいものが好ましく、例えばキシレン、エタノール、メ
タノール、イソプロピルアルコール、アセトンなどの有
機系媒体またはそれらの混合物が好ましい。
As a medium of the coating solution for forming a film, a medium which does not easily dissolve the stimulable phosphor layer or the phosphor constituting the base layer thereof is preferable. For example, an organic solvent such as xylene, ethanol, methanol, isopropyl alcohol or acetone is preferable. A system medium or a mixture thereof is preferred.

【0013】被膜形成物質の具体例としては、金属酸化
物、金属フッ化物、珪素酸化物、有機珪素化合物、金属
アルコキシドなどの有機金属化合物が挙げられる。特
に、形成される被膜が耐熱性を有し、熱処理の際に、酸
化や蛍光体との反応などを起こさないような被膜である
ことが好ましく、具体的には、その被膜がAl2 3
TiO2 、ZrO2 、SiO2 、MgF若しくはこれら
を含有する化合物またはこれらの混合物からなることが
好ましい。
Specific examples of the film-forming substance include metal oxides, metal fluorides, silicon oxides, organosilicon compounds, and organometallic compounds such as metal alkoxides. In particular, it is preferable that the formed film has heat resistance and does not cause oxidation or reaction with the phosphor during the heat treatment, and specifically, the film is formed of Al 2 O 3 ,
It is preferable to be made of TiO 2 , ZrO 2 , SiO 2 , MgF, a compound containing them, or a mixture thereof.

【0014】被膜形成用塗布液における被膜形成物質の
容積濃度は10%以下であることが好ましい。被膜形成物
質の容積濃度が10%を超える場合には、熱処理によって
輝尽性蛍光体層またはその母体層に形成される被膜が厚
くなりすぎて被膜の光透過率が低下するため、得られる
パネルの放射線感度が低下する。また、被膜形成用塗布
液は、粘度が20℃において50cP未満であることが好ま
しい。粘度が50cP以上である場合には、塗布する際
に、被膜形成用塗布液が蛍光体の結晶間の隙間に充分に
進入しない。さらに、被膜形成用塗布液は、被膜形成物
質の分散度(全粒子に対する凝集粒子の割合)が30%以
下であることが好ましく、被膜形成物質の粒子(凝集し
ていない粒子)の大きさが 100nm以下で凝集粒子の大き
さが 500nm以下であることが好ましい。
The volume concentration of the film forming substance in the coating solution for forming a film is preferably 10% or less. When the volume concentration of the film-forming substance exceeds 10%, the film formed on the stimulable phosphor layer or the base layer thereof becomes too thick due to the heat treatment, and the light transmittance of the film is lowered. Radiation sensitivity decreases. Further, the coating liquid for forming a coating film preferably has a viscosity of less than 50 cP at 20 ° C. When the viscosity is 50 cP or more, the coating liquid for forming a film does not sufficiently enter the gaps between the phosphor crystals during coating. Further, in the coating liquid for forming a film, the degree of dispersion of the film forming substance (the ratio of aggregated particles to all particles) is preferably 30% or less, and the size of the particles of the film forming substance (unaggregated particles) is preferably Preferably, the size of the aggregated particles is 100 nm or less and the size of the aggregated particles is 500 nm or less.

【0015】塗布液の塗布方法としては、含浸引上げ塗
布法、スピン塗布法、スプレイ塗布法、ドクターブレー
ド塗布法などが挙げられ、特に、蛍光体が柱状結晶であ
る場合には、含浸引上げ塗布法またはスピン塗布法で行
うことが好ましい。
Examples of the method of applying the coating solution include an impregnating pull-coating method, a spin coating method, a spray coating method, and a doctor blade coating method. In particular, when the phosphor is a columnar crystal, the impregnating pull-coating method is used. Alternatively, it is preferable to use a spin coating method.

【0016】含浸引上げ塗布法により塗布する場合に
は、塗布液を蛍光体層に含浸させた直後は気泡が発生す
るのでその状態で3秒間程度放置しておき、気泡の発生
が無くなったことを確認してから引き上げることが好ま
しい。引上げは引上げ速度が1cm/分〜50cm/分となる
範囲で行うことが好ましい。引上げ速度が1cm/分未満
のときには、熱処理によって形成される被膜が厚くなり
すぎたり、膜厚が不均一なものとなったりする。引上げ
速度が50cm/分を超えるときには、蛍光体の結晶間の隙
間に塗布液が充分に進入しない。また、蛍光体の結晶間
の隙間に塗布液を充分に進入させるために、塗布液に超
音波をかけることが有効な場合がある。さらに、輝尽性
蛍光体層またはその母体層が斜め蒸着法により形成され
ているときには、蛍光体の柱状結晶が基板の法線方向に
対し傾きを有するので、その結晶が上方を向く状態で塗
布液に浸すことが好ましく、これにより、蛍光体の結晶
間の隙間に塗布液を充分に進入させることができる。
In the case of coating by the impregnation pull-up coating method, bubbles are generated immediately after the coating liquid is impregnated into the phosphor layer. It is preferable to raise after confirming. The pulling is preferably performed in a range where the pulling speed is 1 cm / min to 50 cm / min. When the pulling speed is less than 1 cm / min, the film formed by the heat treatment becomes too thick or the film thickness becomes non-uniform. When the pulling speed exceeds 50 cm / min, the coating liquid does not sufficiently enter the gaps between the phosphor crystals. In addition, it may be effective to apply ultrasonic waves to the coating liquid in order to sufficiently allow the coating liquid to enter the gaps between the phosphor crystals. Furthermore, when the stimulable phosphor layer or its base layer is formed by oblique deposition, the columnar crystals of the phosphor are inclined with respect to the normal direction of the substrate, so that the crystals are applied in a state of facing upward. It is preferable that the coating liquid is immersed in the liquid, so that the coating liquid can sufficiently enter the gaps between the phosphor crystals.

【0017】図6は、斜め蒸着法により形成された輝尽
性蛍光体層に、被膜形成用塗布液が塗布された状態を示
す説明図である。基板18上に形成された輝尽性蛍光体
層19は、基板18の法線方向に対し傾きを有する柱状
結晶41により構成され、輝尽性蛍光体層19の表面4
2および柱状結晶41間の隙間43には、被膜形成用塗
布液44が塗布されている。
FIG. 6 is an explanatory view showing a state in which a coating liquid for forming a film is applied to a stimulable phosphor layer formed by an oblique vapor deposition method. The stimulable phosphor layer 19 formed on the substrate 18 is composed of columnar crystals 41 inclined with respect to the normal direction of the substrate 18, and the surface 4 of the stimulable phosphor layer 19 is formed.
A coating liquid 44 for forming a film is applied to the gap 43 between the second crystal 41 and the columnar crystal 41.

【0018】スピン塗布法により塗布する場合には、ス
ピナーの回転速度は例えば100rpm〜3000rpmであること
が好ましい。また、輝尽性蛍光体層またはその母体層が
斜め蒸着法により形成されているときには、蛍光体の結
晶が基板の法線方向に対し傾きを有するので、その結晶
が回転軸方向に向く状態で行うことが好ましく、これに
より、蛍光体の結晶間の隙間に塗布液を充分に進入させ
ることができる。さらに、減圧下で塗布することによっ
て、結晶間の隙間のガスが抜かれ、塗布液をより深く進
入させることができる。
In the case of coating by spin coating, the rotation speed of the spinner is preferably, for example, 100 rpm to 3000 rpm. Further, when the stimulable phosphor layer or its base layer is formed by an oblique deposition method, since the phosphor crystals have an inclination with respect to the normal direction of the substrate, the crystals are oriented in the rotation axis direction. It is preferable that the coating liquid be sufficiently introduced into the gaps between the phosphor crystals. Furthermore, by applying under reduced pressure, gas in the gap between the crystals is evacuated, and the coating liquid can be made to penetrate deeper.

【0019】蛍光体の結晶間の隙間に被膜形成用塗布液
を充分に進入させるためには、被膜形成用塗布液を塗布
する前に、窒素ブローなどによって蛍光体層に付着して
いる埃、塵などを除去する処理や、 100℃以上の温度で
の熱処理によって蛍光体の結晶表面に吸着している有機
物や水分を除去する処理を行うことが好ましく、被膜形
成用塗布液を塗布する際に、異物が蛍光体層に付着しな
いようにクリーンルームで作業することが好ましい。ま
た、同じ理由により塗布は数回に分けて行い、塗布した
後は、脱泡処理( 100℃以上での減圧熱処理など)を行
うことが好ましい。さらに、塗布した後は、放射線感度
の高いパネルを得るために、輝尽性蛍光体層またはその
母体層の表面に塗布された塗布液を、ブラストなどによ
って除去することが好ましい。図7は、輝尽性蛍光体層
の表面上の被膜形成用塗布液が除去された状態を示す説
明図である。この図のように、柱状結晶41間の隙間4
3には、被膜形成用塗布液44が塗布されたままの状態
で残されている。
In order for the coating liquid for forming a film to sufficiently enter the gaps between the phosphor crystals, dust applied to the fluorescent layer by nitrogen blow or the like before applying the coating liquid for forming a film must be removed. It is preferable to perform a treatment for removing dust and the like or a treatment for removing organic substances and moisture adsorbed on the crystal surface of the phosphor by a heat treatment at a temperature of 100 ° C. or more. It is preferable to work in a clean room so that foreign matter does not adhere to the phosphor layer. For the same reason, it is preferable that the application is performed in several steps, and after the application, a defoaming treatment (such as a reduced pressure heat treatment at 100 ° C. or more) is performed. Furthermore, after the application, in order to obtain a panel having high radiation sensitivity, it is preferable to remove the coating solution applied on the surface of the stimulable phosphor layer or the base layer thereof by blasting or the like. FIG. 7 is an explanatory diagram showing a state in which the coating liquid for forming a film on the surface of the stimulable phosphor layer has been removed. As shown in this figure, the gap 4 between the columnar crystals 41
In 3, the coating liquid 44 for forming a film is left as applied.

【0020】形成される被膜は光透過率が90%以上とな
るものであることが好ましい。被膜の光透過率が90%未
満の場合には、輝尽発光の透過率が低下し、得られるパ
ネルの放射線感度が低下するからである。そして同じ理
由により、被膜の厚さは、例えば3μm以下であること
が好ましい。
It is preferable that the formed film has a light transmittance of 90% or more. If the light transmittance of the coating is less than 90%, the transmittance of stimulated emission decreases, and the radiation sensitivity of the obtained panel decreases. For the same reason, the thickness of the coating is preferably, for example, 3 μm or less.

【0021】被膜形成用塗布液の塗布後におけるプレー
トの乾燥処理は、被膜形成用塗布液の媒体を蒸発させる
処理であり、これによって、その後の熱処理によって輝
尽性蛍光体層等に異常を招くことを防ぐことができる。
そのため、当該乾燥処理は乾燥温度が 150℃以下で行う
ことが好ましい。
The drying treatment of the plate after the application of the coating solution for forming a film is a process of evaporating the medium of the coating solution for forming a film, which causes an abnormality in the stimulable phosphor layer and the like by a subsequent heat treatment. Can be prevented.
Therefore, the drying treatment is preferably performed at a drying temperature of 150 ° C. or lower.

【0022】熱処理は、被膜の形成と、輝尽性蛍光体の
結晶に対する熱増感と、付活剤および酸素化合物による
改質と、輝尽性蛍光体の形成時の結晶の乱れに対するア
ニールとを行うものである。これらは、付活剤および酸
素化合物を含有する雰囲気によって1回の熱処理で同時
に行うことも、数回の熱処理工程により異なる条件で行
うことも可能である。また、基板上に形成された層が輝
尽性蛍光体層である場合において、熱処理によって形成
される被膜が酸化物であるときには、付活剤および酸素
化合物を含有しない雰囲気で熱処理することができる。
The heat treatment includes forming a film, sensitizing the crystal of the stimulable phosphor to heat, modifying the film with an activator and an oxygen compound, and annealing the crystal for disturbing the formation of the stimulable phosphor. Is what you do. These can be performed simultaneously in one heat treatment depending on the atmosphere containing the activator and the oxygen compound, or can be performed under different conditions by several heat treatment steps. In the case where the layer formed on the substrate is a stimulable phosphor layer and the film formed by the heat treatment is an oxide, the heat treatment can be performed in an atmosphere containing no activator and oxygen compound. .

【0023】図1は、熱処理に用いることができる熱処
理装置を示し、1はプレートであり、基板1A上に輝尽
性蛍光体層1Bが形成されている。そして、この輝尽性
蛍光体層1Bを構成する蛍光体の結晶は、被膜形成物質
によって被われている。2は熱処理容器、3は熱処理容
器用ヒータ、4は熱処理炉、5は蒸発容器用ヒータ、6
は蒸発容器、7は雰囲気粉、8はガス量調整バルブであ
る。ここで、雰囲気粉とは、付活剤および酸素化合物を
含有する粉末をいう。
FIG. 1 shows a heat treatment apparatus which can be used for heat treatment. Reference numeral 1 denotes a plate, on which a stimulable phosphor layer 1B is formed on a substrate 1A. The phosphor crystals constituting the stimulable phosphor layer 1B are covered with the film-forming substance. 2 is a heat treatment vessel, 3 is a heat treatment vessel heater, 4 is a heat treatment furnace, 5 is an evaporation vessel heater, 6
Denotes an evaporation container, 7 denotes atmosphere powder, and 8 denotes a gas amount adjusting valve. Here, the atmosphere powder refers to a powder containing an activator and an oxygen compound.

【0024】熱処理するに際しては、熱処理の対象であ
るプレート1を熱処理容器2に設置し、雰囲気粉7を蒸
発容器6に設置する。その後、熱処理容器用ヒータ3お
よび蒸発容器用ヒータ5により熱処理容器2および蒸発
容器6を所定の温度にまで加熱した後、ガス量調整バル
ブ8を徐々に開いて付活剤および酸素化合物のガスを熱
処理容器2中へ拡散させる。付活剤および酸素化合物の
ガス拡散量は蒸発容器6の加熱温度、熱処理容器2と蒸
発容器6との温度差、ガス量調整バルブ8の開きの程度
等によって決定される。プレート1の熱処理温度Tは、
輝尽性蛍光体の種類によっても異なるが、輝尽性蛍光体
母体の融点Tm〔℃〕より低いことが好ましく、0.25T
m<T<Tmの範囲が好ましい。熱処理が終了した後、
プレート1を室温まで所定の速度で冷却する。上記の方
法によれば、被膜の形成が行われ、これと同時に輝尽性
蛍光体の結晶に対する熱増感と、付活剤および酸素化合
物による改質と、輝尽性蛍光体の形成時の結晶の乱れに
対するアニールとが行われる。また、加熱する前に、熱
処理容器2の内部および蒸発容器6の内部を排気するこ
とによって、熱処理容器2の内部および蒸発容器6の内
部が真空の状態となるようにしてもよい。
At the time of heat treatment, the plate 1 to be heat-treated is placed in the heat treatment vessel 2 and the atmosphere powder 7 is placed in the evaporation vessel 6. Thereafter, the heat treatment container 2 and the evaporation container 6 are heated to a predetermined temperature by the heat treatment container heater 3 and the evaporation container heater 5, and then the gas amount adjusting valve 8 is gradually opened to release the activator and the oxygen compound gas. It diffuses into the heat treatment container 2. The gas diffusion amount of the activator and the oxygen compound is determined by the heating temperature of the evaporation container 6, the temperature difference between the heat treatment container 2 and the evaporation container 6, the degree of opening of the gas amount adjusting valve 8, and the like. The heat treatment temperature T of the plate 1 is
Although it depends on the type of the stimulable phosphor, it is preferably lower than the melting point Tm [° C.] of the stimulable phosphor matrix, and 0.25 T
The range of m <T <Tm is preferable. After the heat treatment,
Plate 1 is cooled to room temperature at a predetermined rate. According to the above-described method, a film is formed, and at the same time, thermal sensitization to the crystal of the stimulable phosphor, modification with an activator and an oxygen compound, and Annealing for crystal disorder is performed. Before the heating, the inside of the heat treatment container 2 and the inside of the evaporation container 6 may be evacuated by evacuating the inside of the heat treatment container 2 and the inside of the evaporation container 6.

【0025】図2は、熱処理に用いることができる熱処
理装置の他の例を示し、9は付活剤および酸素化合物の
雰囲気粉、10は熱処理容器である。この熱処理装置で
は、熱増感を施すプレート1と付活剤および酸素化合物
の雰囲気粉9とを熱処理容器10中に共存させている。こ
のような雰囲気粉9の使用によってプレート1中の付活
剤および酸素化合物の濃度を容易に調整することができ
る。
FIG. 2 shows another example of a heat treatment apparatus that can be used for the heat treatment. Reference numeral 9 denotes an atmosphere powder of an activator and an oxygen compound, and reference numeral 10 denotes a heat treatment container. In this heat treatment apparatus, a plate 1 to be thermally sensitized and an atmosphere powder 9 of an activator and an oxygen compound coexist in a heat treatment container 10. By using the atmosphere powder 9, the concentrations of the activator and the oxygen compound in the plate 1 can be easily adjusted.

【0026】雰囲気粉9における付活剤および酸素化合
物の濃度は、熱処理の条件で異なるが、プレート1の輝
尽性蛍光体中の付活剤の濃度とほぼ等しいかこれより大
きいことが好ましい。ただし、基板上に形成された層が
輝尽性蛍光体層である場合において、熱処理によって形
成される被膜が酸化物であるときには、付活剤および酸
素化合物を含有しない雰囲気で熱処理することができ
る。また、プレート1の熱処理温度Tは、図1の装置を
用いる場合と同様に輝尽性蛍光体母体の融点Tm〔℃〕
より低いことが好ましく、0.25Tm<T<Tmの範囲が
好ましい。
The concentrations of the activator and the oxygen compound in the atmosphere powder 9 differ depending on the conditions of the heat treatment, but are preferably substantially equal to or higher than the concentration of the activator in the stimulable phosphor of the plate 1. However, in the case where the layer formed on the substrate is a stimulable phosphor layer and the film formed by the heat treatment is an oxide, the heat treatment can be performed in an atmosphere containing no activator and oxygen compound. . Further, the heat treatment temperature T of the plate 1 is set to the melting point Tm [° C.] of the stimulable phosphor matrix as in the case of using the apparatus of FIG.
It is preferably lower, and more preferably in the range of 0.25 Tm <T <Tm.

【0027】図3は、熱処理に用いることができる熱処
理装置のさらに他の例を示し、この装置ではイオン注入
法により熱処理を行うものである。イオン源部11では、
付活剤および酸素化合物の固体あるいはそれらの塩化物
または水素化物等のガスより所要の付活剤および酸素化
合物のイオンを生成する。生成されたイオンは引出し電
極12によって引き出され、加速部で平均射影飛程や付活
剤および酸素化合物の分布の設定に応じてエネルギーを
選択し加速する。質量分析部13では、所要のエネルギー
と質量をもったイオンを取り出し、さらに偏向部14でx
−y方向にイオンビームを均一に掃引して、試料室15に
取りつけられたヒータ17で熱処理されているプレート16
上に均一に照射する。このときチャネリングと呼ばれる
イオンのトンネル侵入を避けるために、プレート16面を
ビーム方向に対して7〜8°程度傾けることが大切であ
る。この熱処理装置の真空度は、通常、イオン源部11で
約1×10-8Torr、試料室15では10-7Torr台に設定され
る。
FIG. 3 shows still another example of a heat treatment apparatus which can be used for heat treatment, in which heat treatment is performed by an ion implantation method. In the ion source section 11,
The required activator and oxygen compound ions are generated from the activator and oxygen compound solid or a gas such as chloride or hydride thereof. The generated ions are extracted by the extraction electrode 12, and the acceleration section selects and accelerates energy according to the setting of the average projection range and the distribution of the activator and the oxygen compound. The mass analyzer 13 takes out ions having the required energy and mass, and further deflects x
The plate 16 which has been uniformly heat-treated by the heater 17 attached to the sample chamber 15 by sweeping the ion beam uniformly in the −y direction.
Irradiate uniformly on top. At this time, it is important to incline the surface of the plate 16 by about 7 to 8 degrees with respect to the beam direction in order to avoid ion penetration into the tunnel called channeling. The vacuum degree of the heat treatment apparatus is generally about 1 × 10 -8 Torr in the ion source unit 11 is set to 10 -7 Torr table in the specimen chamber 15.

【0028】熱処理する際の付活剤としては、Eu化合
物群、Tb化合物群、Ce化合物群、Tm化合物群、D
y化合物群、Pr化合物群、Ho化合物群、Nd化合物
群、Yb化合物群、Er化合物群、Gd化合物群、Lu
化合物群、Sm化合物群、Y化合物群、Tl化合物群、
Na化合物群、Ag化合物群、Cu化合物群、In化合
物群、Mg化合物群の少なくとも1種が用いられる。
The activator for heat treatment includes Eu compounds, Tb compounds, Ce compounds, Tm compounds, D
y compound group, Pr compound group, Ho compound group, Nd compound group, Yb compound group, Er compound group, Gd compound group, Lu
Compound group, Sm compound group, Y compound group, Tl compound group,
At least one of a Na compound group, an Ag compound group, a Cu compound group, an In compound group, and a Mg compound group is used.

【0029】酸素化合物としては、SiO2 、MgO、
Al2 3 、TiO2 、ZrO2 等のセラミックス、硝
酸、炭酸もしくはこれらの化合物が好ましい。これらの
酸素化合物は適宜組合せて使用してもよい。硝酸化合物
としては、RbNO3 、TlNO3 、Pb(NO
32 、CsNO 3 等が用いられる。炭酸化合物として
は、Na2 CO3 、BaCO3 、SrCO3 、Pb2
3、Cs2 CO3 等が用いられる。
As the oxygen compound, SiO 2Two, MgO,
AlTwoOThree, TiOTwo, ZrOTwoCeramics, glass, etc.
Acids, carbonic acids or their compounds are preferred. these
Oxygen compounds may be used in appropriate combination. Nitric acid compound
As RbNOThree, TlNOThree, Pb (NO
Three )Two, CsNO ThreeAre used. As carbonate compound
Is NaTwoCOThree, BaCOThree, SrCOThree, PbTwoC
OThree, CsTwoCOThreeAre used.

【0030】酸素化合物としてセラミックスを使用する
場合は、その粉末の使用量は雰囲気粉の重量に対して0.
01重量%以上が好ましく、特に 0.2重量%以上が好まし
い。
When ceramics is used as the oxygen compound, the amount of the powder used is 0.
It is preferably at least 01% by weight, particularly preferably at least 0.2% by weight.

【0031】酸素化合物として硝酸等の化合物を使用す
る場合は、その使用量は雰囲気粉1モルに対して 0.5モ
ル以下が好ましく、特に10-6〜0.2 モルの範囲が好まし
い。特に硝酸またはその化合物は、残光を減少させる効
果が優れており、少量の添加で残光を充分に減少させる
ことができる。また、炭酸またはその化合物に比べて吸
湿性が小さいので取扱いも容易である。
When a compound such as nitric acid is used as the oxygen compound, the amount of the compound is preferably 0.5 mol or less, more preferably 10 -6 to 0.2 mol, per mol of the atmosphere powder. In particular, nitric acid or a compound thereof is excellent in the effect of reducing afterglow, and can sufficiently reduce afterglow with a small amount of addition. In addition, since it is less hygroscopic than carbonic acid or its compound, it is easy to handle.

【0032】熱処理の対象である輝尽性蛍光体層または
その母体層の形成方法としては、基板上に気相堆積法に
より輝尽性蛍光体層および付活剤層を別々に設け、その
後、熱処理を施して付活剤を輝尽性蛍光体層中に熱拡散
させる方法、基板上に気相堆積法により母体層を形成
し、次に当該母体層に別途用意した付活剤を拡散法やイ
オン注入法等により添加して輝尽性蛍光体層を得る方法
等が挙げられる。ここで「母体層」とは、付活剤を含有
していない状態の輝尽性蛍光体層をいう。気相堆積法と
しては、蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオン
プレーティング法等が挙げられる。
As a method of forming the stimulable phosphor layer or its base layer to be subjected to the heat treatment, a stimulable phosphor layer and an activator layer are separately provided on a substrate by a vapor deposition method, and thereafter, A method in which a heat treatment is applied to thermally diffuse an activator into a stimulable phosphor layer. A base layer is formed on a substrate by a vapor deposition method, and then an activator separately prepared for the base layer is diffused. And a method of obtaining a stimulable phosphor layer by adding the stimulable phosphor layer by ion implantation or the like. Here, the “base layer” refers to a stimulable phosphor layer containing no activator. Examples of the vapor deposition method include a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, and an ion plating method.

【0033】蒸着法により輝尽性蛍光体層を形成する場
合の一例においては、基板を蒸着装置内に設置した後、
蒸着装置内を排気して例えば10-6Torr程度の真空度とす
る。次いで、輝尽性蛍光体材料を備えた蒸発源を所定の
位置に配置して、抵抗加熱器または電子ビームを用いて
輝尽性蛍光体材料を加熱蒸発させて、その蒸気流を基板
の被蒸着面に当てて輝尽性蛍光体を所定の厚さに堆積さ
せる。蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形
成することも可能である。また、蒸着時、必要に応じて
基板を冷却または加熱してもよい。
In one example in which the stimulable phosphor layer is formed by a vapor deposition method, after the substrate is placed in a vapor deposition apparatus,
The inside of the vapor deposition apparatus is evacuated to a vacuum degree of, for example, about 10 -6 Torr. Next, the evaporation source provided with the stimulable phosphor material is arranged at a predetermined position, and the stimulable phosphor material is heated and evaporated using a resistance heater or an electron beam, and the vapor flow is applied to the substrate. The stimulable phosphor is deposited to a predetermined thickness on the deposition surface. In the vapor deposition step, the stimulable phosphor layer can be formed in a plurality of times. Further, at the time of vapor deposition, the substrate may be cooled or heated as necessary.

【0034】スパッタリング法により輝尽性蛍光体層を
形成する場合の一例においては、蒸着法と同様に基板を
スパッタリング装置内に配置した後、装置内を一旦排気
して例えば10-6Torr程度の真空度とし、次いで、スパッ
タリング用のガスとしてAr,Ne等の不活性ガスを導
入して、例えば10-3Torr程度のガス圧とする。次に、複
数の輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリング
することにより、基板の表面に輝尽性蛍光体を所定の厚
さに堆積させる。このスパッタリング工程においても、
蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成す
ることも可能である。また、スパッタリング時に、必要
に応じて基板を冷却または加熱してもよい。
In an example in which a stimulable phosphor layer is formed by a sputtering method, a substrate is placed in a sputtering apparatus in the same manner as in a vapor deposition method, and then the apparatus is once evacuated to about 10 -6 Torr. The degree of vacuum is set, and then, an inert gas such as Ar or Ne is introduced as a gas for sputtering to a gas pressure of, for example, about 10 -3 Torr. Next, the stimulable phosphor is deposited to a predetermined thickness on the surface of the substrate by sputtering using the plurality of stimulable phosphors as targets. Also in this sputtering process,
It is also possible to form the stimulable phosphor layer a plurality of times in the same manner as in the vapor deposition method. At the time of sputtering, the substrate may be cooled or heated as necessary.

【0035】気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成工
程において、輝尽性蛍光体層の堆積速度は 0.1〜50μm
/分が好ましい。堆積速度があまり小さいと生産性が低
くなり、堆積速度があまり大きいと堆積速度のコントロ
ールが困難となる。また、気相堆積法による輝尽性蛍光
体層の形成工程において、結晶化の進行による画像の鮮
鋭性の低下を防止する観点から、基板の温度は 400℃以
下が好ましい。輝尽性蛍光体層の層厚は、目的とする放
射線画像変換パネルの放射線感度、輝尽性蛍光体の種類
等によって異なるが、放射線吸収率の低下による放射線
感度の低下を防止する観点から、30〜1000μmが好まし
く、特に50〜500 μmが好ましい。
In the step of forming the stimulable phosphor layer by the vapor deposition method, the deposition rate of the stimulable phosphor layer is 0.1 to 50 μm.
/ Min is preferred. If the deposition rate is too low, the productivity will be low, and if the deposition rate is too high, it will be difficult to control the deposition rate. Further, in the step of forming the stimulable phosphor layer by the vapor deposition method, the temperature of the substrate is preferably 400 ° C. or lower from the viewpoint of preventing the sharpness of the image from being lowered due to the progress of crystallization. The thickness of the stimulable phosphor layer depends on the radiation sensitivity of the intended radiation image conversion panel, the type of the stimulable phosphor, etc., but from the viewpoint of preventing a decrease in radiation sensitivity due to a decrease in radiation absorption, It is preferably from 30 to 1000 μm, particularly preferably from 50 to 500 μm.

【0036】本発明においては、輝尽性蛍光体層または
その母体層が柱状結晶により構成されていることが好ま
しい。柱状結晶で構成された輝尽性蛍光体層を有する放
射線画像変換パネルはもともと鮮鋭性が高いが、柱状結
晶は熱処理によって互いに融着しやすいため、鮮鋭性に
おける本発明の効果が大きいからである。
In the present invention, it is preferable that the stimulable phosphor layer or its host layer is composed of columnar crystals. Radiation image conversion panels having a stimulable phosphor layer composed of columnar crystals originally have high sharpness, but columnar crystals are easily fused to each other by heat treatment, so that the effect of the present invention on sharpness is large. .

【0037】図4は、本発明の製造方法により製造され
る放射線画像変換パネルの具体的構成例を示し、18は基
板、19は輝尽性蛍光体層、20は保護層、21はスペーサ、
22は低屈折率層である。
FIG. 4 shows a specific configuration example of a radiation image conversion panel manufactured by the manufacturing method of the present invention, wherein 18 is a substrate, 19 is a stimulable phosphor layer, 20 is a protective layer, 21 is a spacer,
22 is a low refractive index layer.

【0038】基板18の材料としては、ガラス、セラミッ
クス、金属等が用いられる。具体的には、石英ガラス、
化学強化ガラス等のガラス、結晶化ガラス、アルミナあ
るいはジルコニアの焼結板等のセラミックス、アルミニ
ウム、アルミニウム−マグネシウム合金、鉄、ステンレ
ス、銅、クロム、鉛等の金属シート等が挙げられる。基
板18の厚さは、その材質等によって異なるが、一般的に
は 100μm〜5mmが好ましく、取扱いの便利性から、特
に 200μm〜2mmが好ましい。
As a material of the substrate 18, glass, ceramics, metal or the like is used. Specifically, quartz glass,
Examples include glass such as chemically strengthened glass, crystallized glass, ceramics such as a sintered plate of alumina or zirconia, and metal sheets such as aluminum, aluminum-magnesium alloy, iron, stainless steel, copper, chromium, and lead. The thickness of the substrate 18 varies depending on its material and the like, but is generally preferably 100 μm to 5 mm, and particularly preferably 200 μm to 2 mm for convenience of handling.

【0039】保護層20は、輝尽性蛍光体層19を物理的に
または化学的に保護するために設けられるものである。
この保護層20は、図4のように低屈折率層22を介して輝
尽性蛍光体層19に対向するように設けてもよいし、保護
層用の塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成し
てもよい。またあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性
蛍光体層上に接着してもよい。
The protective layer 20 is provided to protect the stimulable phosphor layer 19 physically or chemically.
This protective layer 20 may be provided so as to face the stimulable phosphor layer 19 via the low refractive index layer 22 as shown in FIG. It may be formed by directly applying on the upper surface. Further, a protective layer separately formed in advance may be bonded onto the stimulable phosphor layer.

【0040】保護層20を低屈折率層22を介して設ける場
合、当該保護層20の構成材料としては、透光性がよく、
シート状に成形できるものが使用される。保護層20は輝
尽励起光および輝尽発光を効率よく透過するために、広
い波長範囲で高い光透過率を示すことが望ましく、光透
過率は80%以上が好ましい。そのような材料としては、
石英、ホウケイ酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラ
スや、PET、延伸ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等
の有機高分子化合物が挙げられる。ホウケイ酸ガラスは
330nm〜2.6 μmの波長範囲で80%以上の光透過率を示
し、石英ガラスではさらに短波長においても高い光透過
率を示す。さらに、保護層20の表面に、MgF2 等の反
射防止層を設けると、輝尽励起光および輝尽発光を効率
よく透過すると共に、鮮鋭性の低下を小さくする効果も
あり好ましい。
When the protective layer 20 is provided with the low refractive index layer 22 interposed therebetween, the constituent material of the protective layer 20 has good translucency,
What can be formed into a sheet is used. In order for the protective layer 20 to efficiently transmit stimulated excitation light and stimulated emission, it is desirable that the protective layer 20 exhibit high light transmittance in a wide wavelength range, and the light transmittance is preferably 80% or more. Such materials include
Examples include sheet glass such as quartz, borosilicate glass, and chemically strengthened glass, and organic polymer compounds such as PET, drawn polypropylene, and polyvinyl chloride. Borosilicate glass
It shows a light transmittance of 80% or more in the wavelength range of 330 nm to 2.6 μm, and quartz glass shows a high light transmittance even at a shorter wavelength. Further, it is preferable to provide an anti-reflection layer such as MgF 2 on the surface of the protective layer 20 because it has the effects of efficiently transmitting the stimulating light and the stimulating light and reducing the decrease in sharpness.

【0041】保護層20を輝尽性蛍光体層19上に直接設け
る場合、当該保護層20の構成材料としては、酢酸セルロ
ース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン、ポリエ
チレンスルホネート等を用いることができる。また、こ
の保護層20は、蒸着法、スパッタリング法等により、S
iC、SiO2 、Si3 4 、Al2 3 等の無機物質
を積層して形成してもよい。この場合の保護層20の層厚
は、保護層20を輝尽性蛍光体層19に直接設ける場合は、
0.1〜100 μmが好ましく、低屈折率層22を介してを設
ける場合は50μm〜5mm、好ましくは100 μm〜3mmで
ある。また、保護層20の厚さは、通常50μm〜5mmであ
り、良好な防湿性を得るためには、 100μm〜3mmが好
ましい。
When the protective layer 20 is provided directly on the stimulable phosphor layer 19, the constituent materials of the protective layer 20 include cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, and the like.
Polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, vinylidene chloride, nylon, polyethylene sulfonate and the like can be used. The protective layer 20 is formed by vapor deposition, sputtering, or the like.
An inorganic material such as iC, SiO 2 , Si 3 N 4 , and Al 2 O 3 may be stacked. In this case, when the protective layer 20 is provided directly on the stimulable phosphor layer 19,
The thickness is preferably from 0.1 to 100 μm, and in the case where it is provided via the low refractive index layer 22, the thickness is from 50 μm to 5 mm, preferably from 100 μm to 3 mm. The thickness of the protective layer 20 is usually 50 μm to 5 mm, and is preferably 100 μm to 3 mm in order to obtain good moisture proofness.

【0042】低屈折率層22は、放射線画像の鮮鋭性をさ
らに向上させる観点から必要に応じて設けられるもので
ある。具体的には、CaF2 (屈折率1.23〜1.26) 、N
3AlF6 (屈折率1.35) 、MgF2 (屈折率1.38)
、SiO2 (屈折率1.46) 等からなる層;エタノール
(屈折率1.36) 、メタノール (屈折率1.33) 、ジエチル
エーテル (屈折率1.35) 等の液体からなる層;空気、窒
素、アルゴン等の気体からなる層;真空層等のように屈
折率が実質的に1である層;等から選択される。特に、
気体層または真空層が好ましい。この場合、低屈折率層
22の厚さは、通常0.05〜3mmである。
The low refractive index layer 22 is provided as needed from the viewpoint of further improving the sharpness of a radiation image. Specifically, CaF 2 (refractive index: 1.23 to 1.26), N
a 3 AlF 6 (refractive index 1.35), MgF 2 (refractive index 1.38)
, SiO 2 (refractive index 1.46) etc. layer; ethanol
(Refractive index 1.36), layer composed of liquid such as methanol (refractive index 1.33), diethyl ether (refractive index 1.35); layer composed of gas such as air, nitrogen, argon, etc .; Selected from the group consisting of: In particular,
A gas or vacuum layer is preferred. In this case, the low refractive index layer
The thickness of 22 is usually 0.05-3 mm.

【0043】低屈折率層22は、輝尽性蛍光体層19と密着
していることが好ましく、従って、低屈折率層22が液体
層、気体層、真空層の場合には、そのままでよいが、低
屈折率層22をCaF2 、Na3 AlF6 、MgF2 、S
iO2 等を用いて保護層20の内面に設けた場合には、輝
尽性蛍光体層19と低屈折率層22は例えば接着剤等により
密着させればよい。
The low-refractive-index layer 22 is preferably in close contact with the stimulable phosphor layer 19. Therefore, when the low-refractive-index layer 22 is a liquid layer, a gas layer, or a vacuum layer, it may be left as it is. However, the low-refractive-index layer 22 is made of CaF 2 , Na 3 AlF 6 , MgF 2 , S
When the protective layer 20 is provided on the inner surface of the protective layer 20 using iO 2 or the like, the stimulable phosphor layer 19 and the low refractive index layer 22 may be brought into close contact with each other by, for example, an adhesive.

【0044】保護層20を輝尽性蛍光体層19に対して距離
をおいて配設する場合には、基板18と保護層20との間
に、輝尽性蛍光体層19を取囲むスペーサ21が設けられ
る。スペーサ21としては、輝尽性蛍光体層19を外部雰囲
気から遮断した状態で保持することができるものであれ
ば特に制限されず、ガラス、セラミックス、金属、プラ
スチック等が用いられる。
When the protective layer 20 is disposed at a distance from the stimulable phosphor layer 19, a spacer surrounding the stimulable phosphor layer 19 is provided between the substrate 18 and the protective layer 20. 21 is provided. The spacer 21 is not particularly limited as long as it can hold the stimulable phosphor layer 19 in a state of being shielded from the external atmosphere, and glass, ceramics, metal, plastic, or the like is used.

【0045】本発明において「輝尽性蛍光体」とは、最
初の光または高エネルギー放射線が照射された後に、光
的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激(輝尽
励起)により、最初の光または高エネルギー放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体をいうが、実用的
な面からは、波長が 500nm以上の輝尽励起光によって輝
尽発光を示す蛍光体が好ましい。
In the present invention, the term "stimulable phosphor" refers to a stimulus such as optical, thermal, mechanical, chemical or electrical after the first irradiation of light or high-energy radiation. ) Means a phosphor that exhibits stimulated emission corresponding to the amount of initial light or high-energy radiation, but from a practical point of view, a phosphor that exhibits stimulated emission by a stimulated excitation light having a wavelength of 500 nm or more. The body is preferred.

【0046】輝尽性蛍光体層を構成する輝尽性蛍光体と
しては、下記一般式(1)で示されるアルカリハライド
蛍光体が好ましい。 一般式(1) MI X・aMIIX'2・bMIII X''3 ・cA:dB 式中、MI は、Li,Na,K,Rb,Csの少なくと
も1種のアルカリ金属を表す。MIIは、Be,Mg,C
a,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu,Niの少なくとも
1種の2価の金属を表す。MIII は、Sc,Y,La,
Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,D
y,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,In
の少なくとも1種の3価の金属を表す。X,X' , X''
は、F,Cl,Br,Iの少なくとも1種のハロゲンを
表す。Aは、酸素を含有する化合物組成であって、好ま
しくは前記MI 、MII、MIII 、さらに後記付活剤Bを
構成する化合物の少なくとも1種を表す。Bは、付活剤
組成であって、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,
Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,T
l,Na,Ag,Cu,In,Mgの少なくとも1種の
金属を表す。a,b,c,dは、0≦a<0.5 、0≦b
<0.5 、0<c≦0.5 、好ましくは10-6<c≦0.2 、0
<d≦0.2 を満たす数を表す。ただし、AがBを構成す
る付活剤の酸素化合物である場合は、d=0 でもよい。
The stimulable phosphor constituting the stimulable phosphor layer is preferably an alkali halide phosphor represented by the following general formula (1). Formula (1) M I X · aM II X '2 · bM III X''3 · cA: in dB formula, M I represents Li, Na, K, Rb, at least one alkali metal Cs . M II is Be, Mg, C
a, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu, and Ni represent at least one divalent metal. M III is Sc, Y, La,
Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, D
y, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, In
Represents at least one trivalent metal. X, X ', X''
Represents at least one halogen of F, Cl, Br, I. A is an oxygen-containing compound composition, and preferably represents at least one of the compounds constituting the above-mentioned M I , M II , M III and activator B described later. B is an activator composition, which is Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr,
Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, T
1, at least one metal of Na, Ag, Cu, In, and Mg. a, b, c, d are 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b
<0.5, 0 <c ≦ 0.5, preferably 10 −6 <c ≦ 0.2, 0
<D ≦ 0.2. However, when A is an oxygen compound of the activator constituting B, d may be 0.

【0047】前記アルカリハライド輝尽性蛍光体を構成
する輝尽性蛍光体原料としては、下記のものが用いられ
る。 (1)LiF、LiCl、LiBr、LiI、NaF、
NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、
KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、
CsCl、CsBr、CsIの少なくとも1種。 (2)BeF2 、BeCl2 、BeBr2 、BeI2
MgF2 、MgCl2 、MgBr2 、MgI2 、CaF
2 、CaCl2 、CaBr2 、CaI2 、SrF2 、S
rCl2 、SrBr2 、SrI2 、BaF2 、BaCl
2 、BaBr2 、BaBr2 ・2H2 O、BaI2 、Z
nF2 、ZnCl2 、ZnBr2 、ZnI2 、Cd
2 、CdCl2 、CdBr2 、CdI2 、CuF2
CuCl2 、CuBr2 、CuI2 、NiF2 、NiC
2 、NiBr2 、NiI2 の少なくとも1種。 (3)ScF3 、ScCl3 、ScBr3 、ScI3
YF3 、YCl3 、YBr3 、YI3 、LaF3 、La
Cl3 、LaBr3 、LaI3 、CeF3 、CeC
3 、CeBr3 、CeI3 、PrI3 、PrF3 、P
rCl3 、PrBr3、PrI3 、NdF3 、NdCl
3 、NdBr3 、NdI3 、PmF3 、PmCl3 、P
mBr3 、PmI3 、SmF3 、SmCl3 、SmBr
3 、SmI3 、EuF3 、EuCl3 、EuBr3 、E
uI3 、GdF3 、GdCl3 、GdBr3 、Gd
3 、TbF3 、TbCl3 、TbBr3 、TbI3
DyF3 、DyCl3 、DyBr3 、DyI3 、HoF
3 、HoCl3 、HoBr3 、HoI3 、ErF3 、E
rCl3 、ErBr3 、ErI3 、TmF3 、TmCl
3 、TmBr3 、TmI3 、YbF3 、YbCl3 、Y
bBr3 、YbI3 、LuF3、LuCl3 、LuBr
3 、LuI3 、AlF3 、AlCl3 、AlBr3 、A
lI3 、GaF3 、GaCl3 、GaBr3 、Ga
3 、InF3 、InCl3、InBr3 、InI3
少なくとも1種。 (4)Eu化合物群、Tb化合物群、Ce化合物群、T
m化合物群、Dy化合物群、Pr化合物群、Ho化合物
群、Nd化合物群、Yb化合物群、Er化合物群、Gd
化合物群、Lu化合物群、Sm化合物群、Y化合物群、
Tl化合物群、Na化合物群、Ag化合物群、Cu化合
物群、In化合物群、Mg化合物群の少なくとも1種の
付活剤原料。
The following stimulable phosphor raw materials constituting the alkali halide stimulable phosphor are used. (1) LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF,
NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr,
KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF,
At least one of CsCl, CsBr and CsI. (2) BeF 2 , BeCl 2 , BeBr 2 , BeI 2 ,
MgF 2 , MgCl 2 , MgBr 2 , MgI 2 , CaF
2 , CaCl 2 , CaBr 2 , CaI 2 , SrF 2 , S
rCl 2 , SrBr 2 , SrI 2 , BaF 2 , BaCl
2 , BaBr 2 , BaBr 2 .2H 2 O, BaI 2 , Z
nF 2 , ZnCl 2 , ZnBr 2 , ZnI 2 , Cd
F 2 , CdCl 2 , CdBr 2 , CdI 2 , CuF 2 ,
CuCl 2 , CuBr 2 , CuI 2 , NiF 2 , NiC
at least one of l 2 , NiBr 2 and NiI 2 . (3) ScF 3 , ScCl 3 , ScBr 3 , ScI 3 ,
YF 3 , YCl 3 , YBr 3 , YI 3 , LaF 3 , La
Cl 3 , LaBr 3 , LaI 3 , CeF 3 , CeC
l 3, CeBr 3, CeI 3 , PrI 3, PrF 3, P
rCl 3 , PrBr 3 , PrI 3 , NdF 3 , NdCl
3, NdBr 3, NdI 3, PmF 3, PmCl 3, P
mBr 3 , PmI 3 , SmF 3 , SmCl 3 , SmBr
3 , SmI 3 , EuF 3 , EuCl 3 , EuBr 3 , E
uI 3 , GdF 3 , GdCl 3 , GdBr 3 , Gd
I 3 , TbF 3 , TbCl 3 , TbBr 3 , TbI 3 ,
DyF 3, DyCl 3, DyBr 3 , DyI 3, HoF
3 , HoCl 3 , HoBr 3 , HoI 3 , ErF 3 , E
rCl 3 , ErBr 3 , ErI 3 , TmF 3 , TmCl
3, TmBr 3, TmI 3, YbF 3, YbCl 3, Y
bBr 3 , YbI 3 , LuF 3 , LuCl 3 , LuBr
3 , LuI 3 , AlF 3 , AlCl 3 , AlBr 3 , A
11 3 , GaF 3 , GaCl 3 , GaBr 3 , Ga
At least one of I 3 , InF 3 , InCl 3 , InBr 3 , and InI 3 . (4) Eu compound group, Tb compound group, Ce compound group, T
m compound group, Dy compound group, Pr compound group, Ho compound group, Nd compound group, Yb compound group, Er compound group, Gd
Compound group, Lu compound group, Sm compound group, Y compound group,
At least one activator raw material of a Tl compound group, a Na compound group, an Ag compound group, a Cu compound group, an In compound group, and a Mg compound group.

【0048】基板上に輝尽性蛍光体層またはその母体層
を形成するためには、アルカリハライド蛍光体が蒸着法
に好適であることから特に好ましく用いることができ
る。すなわち、蒸着法により容易に柱状化しやすいた
め、その後の被膜形成用塗布液の塗布および熱処理によ
り柱状に沿って均一に酸素化合物が添加できる。ただ
し、本発明においては、以上の蛍光体に限定されず、放
射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に輝尽発
光を示す蛍光体であれば、その他の蛍光体をも用いるこ
とができる。
In order to form a stimulable phosphor layer or its base layer on a substrate, an alkali halide phosphor is particularly preferably used because it is suitable for a vapor deposition method. That is, since the columnar shape is easily formed by the vapor deposition method, the oxygen compound can be added uniformly along the columnar shape by the subsequent application of the coating liquid for forming a film and heat treatment. However, in the present invention, it is not limited to the above phosphors, and other phosphors may be used as long as the phosphors show stimulated emission when irradiated with radiation and then irradiated with stimulated excitation light. Can be.

【0049】図5は本発明の方法により製造された放射
線画像変換パネルを用いて構成された放射線画像変換装
置の概略を示し、23は放射線発生装置、24は被写体、25
は放射線画像変換パネル、26は輝尽励起光源、27は放射
線画像変換パネル25より放射された輝尽発光を検出する
光電変換装置、28は光電変換装置27で検出された信号を
画像として再生する再生装置、29は再生装置28により再
生された画像を表示する表示装置、30は輝尽励起光と輝
尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフィルタ
ーである。
FIG. 5 schematically shows a radiation image conversion apparatus constituted by using a radiation image conversion panel manufactured by the method of the present invention.
Is a radiation image conversion panel, 26 is a stimulating excitation light source, 27 is a photoelectric conversion device that detects stimulable luminescence emitted from the radiation image conversion panel 25, and 28 is a signal reproduced by the photoelectric conversion device 27 as an image. A reproducing device, 29 is a display device for displaying an image reproduced by the reproducing device, and 30 is a filter that separates stimulated excitation light and stimulated emission and transmits only stimulated emission.

【0050】この放射線画像変換装置においては、放射
線発生装置23からの放射線は被写体24を通して放射線画
像変換パネル25に入射する。この入射した放射線は放射
線画像変換パネル25の輝尽性蛍光体層に吸収され、その
エネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成さ
れる。次に、この蓄積像を輝尽励起光源26からの輝尽励
起光で励起して輝尽発光として放射させる。放射される
輝尽発光の強弱は、蓄積された放射線エネルギー量に比
例するので、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電
変換装置27で光電変換し、再生装置28によって画像とし
て再生し、表示装置29によって表示することにより、被
写体24の放射線透過像を観察することができる。
In this radiation image conversion apparatus, the radiation from the radiation generation apparatus 23 enters the radiation image conversion panel 25 through the subject 24. The incident radiation is absorbed by the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 25, and its energy is accumulated, so that an accumulated radiation transmission image is formed. Next, the accumulated image is excited by stimulating light from the stimulating light source 26 and emitted as stimulating light. Since the intensity of the radiated stimulated emission is proportional to the amount of accumulated radiation energy, the optical signal is photoelectrically converted by a photoelectric conversion device 27 such as a photomultiplier tube, and reproduced as an image by a reproduction device 28. By displaying the image on the display device 29, a radiographic image of the subject 24 can be observed.

【0051】以下、さらに具体的な実施例について説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。 実施例1 約 400mm× 500mm×1mmの結晶化ガラス板からなる基板
に、電子ビーム蒸着法によりアルカリハライド蛍光体の
母体(RbI)を 300μmの厚さで蒸着した。蛍光体の
母体の柱状結晶間の隙間の幅は約2μmであった。この
プレートを、キシレン媒体中に容積濃度が3%となる量
の被膜形成物質TiSiO4 (フジトク製GLASS−
TS−100)を分散させた被膜形成用塗布液(20℃に
おける粘度12cp)に浸漬させた後、10cm/分の速度
で引き上げた。その後 120℃で1時間の乾燥を行った。
被膜の厚さは1μmであった。このプレートとRbI:
5×10-4TlI(母体:付活剤)の粉末1kgと、雰
囲気粉に対して 0.2重量%のSiO2 とを、図1の熱処
理容器にいれて、温度 500℃で2時間にわたり熱処理を
行った。熱処理後のプレートを用いて放射線画像変換パ
ネルを作製した。
Hereinafter, more specific examples will be described, but the present invention is not limited to these examples. Example 1 A base (RbI) of an alkali halide phosphor was deposited to a thickness of 300 μm on a substrate made of a crystallized glass plate of about 400 mm × 500 mm × 1 mm by an electron beam evaporation method. The width of the gap between the columnar crystals of the phosphor base was about 2 μm. This plate is coated with a film-forming substance, TiSiO 4 (GLASS- manufactured by FUJI-TOK) in an amount of 3% in volume concentration in a xylene medium.
TS-100) was immersed in a coating solution (viscosity at 20 ° C. of 12 cp) in which it was dispersed, and then pulled up at a rate of 10 cm / min. Thereafter, drying was performed at 120 ° C. for 1 hour.
The thickness of the coating was 1 μm. This plate and RbI:
1 kg of 5 × 10 −4 TlI (base material: activator) powder and 0.2% by weight of SiO 2 with respect to the atmosphere powder were placed in the heat treatment vessel shown in FIG. 1 and heat-treated at a temperature of 500 ° C. for 2 hours. went. A radiation image conversion panel was produced using the heat-treated plate.

【0052】実施例2 実施例1において、被膜形成用塗布液として、キシレン
媒体中に容積濃度が5%となる量の被膜形成物質MgF
2 (住友セメント製ARG401)を分散させた被膜形
成用塗布液(20℃における粘度2cp)を用いたほかは
同様にして塗布、乾燥および熱処理を行い、放射線画像
変換パネルを作製した。
Example 2 In Example 1, the coating liquid for forming a film was prepared in such a manner that the volume concentration of the film-forming substance MgF in a xylene medium was 5%.
2 A radiation image conversion panel was prepared in the same manner as above except that a coating liquid (viscosity at 20 ° C. 2 cp) in which (ARG401 manufactured by Sumitomo Cement) was dispersed was used.

【0053】実施例3 実施例1において、塗布液をスピナーを用いて、回転数
2000rpm、塗布液量2mlの条件で塗布したほかは同
様にして放射線画像変換パネルを作製した。
Example 3 The same procedure as in Example 1 was carried out except that the coating liquid was applied at a rotational speed using a spinner.
A radiation image conversion panel was produced in the same manner except that the coating was performed under the conditions of 2000 rpm and a coating solution amount of 2 ml.

【0054】実施例4 実施例1において、被膜形成用塗布液として、イソプロ
ピルアルコール媒体中に容積濃度が3%となる量の被膜
形成物質TiSiO4 (フジトク製GLASS−TS−
100)を分散させた被膜形成用塗布液(20℃における
粘度12cp)を用いたほかは同様にして放射線画像変換
パネルを作製した。
Example 4 In Example 1, as a coating solution for forming a film, an amount of a film forming material TiSiO 4 (GLASS-TS- manufactured by FUJI SPECIAL CO., LTD.) Having a volume concentration of 3% in an isopropyl alcohol medium was used.
A radiation image conversion panel was prepared in the same manner except that a coating liquid for forming a film (viscosity at 20 ° C. of 12 cp) in which 100) was dispersed was used.

【0055】実施例5 実施例1において、被膜形成用塗布液として、キシレン
媒体中に容積濃度が12%となる量の被膜形成物質TiS
iO4 (フジトク製GLASS−TS−100)を分散
させた被膜形成用塗布液(20℃における粘度50cp)を
用いたほかは同様にして放射線画像変換パネルを作製し
た。
Example 5 In Example 1, the amount of the film-forming substance TiS in the xylene medium was 12% by volume as the coating liquid for forming the film.
A radiation image conversion panel was produced in the same manner except that a coating liquid (viscosity at 20 ° C. 50 cp) in which iO 4 (GLASS-TS-100 manufactured by Fujitok) was dispersed was used.

【0056】実施例6 約 400mm× 500mm×1mmの結晶化ガラス板からなる基板
に、電子ビーム蒸着法によりアルカリハライド蛍光体
(RbI:5×10-4TlI)を 300μmの厚さで蒸着
した。蛍光体の柱状結晶間の隙間の幅は約2μmであっ
た。このプレートを、キシレン媒体中に容積濃度が3%
となる量の被膜形成物質TiSiO4 (フジトク製GL
ASS−TS−100)を分散させた被膜形成用塗布液
(20℃における粘度12cp)に浸漬させた後、10cm/
分の速度で引き上げた。その後 120℃で1時間の乾燥を
行った。被膜の厚さは1μmであった。このプレートと
RbI:5×10-4TlI(母体:付活剤)の粉末1k
gと、雰囲気粉に対して 0.2重量%のSiO2 とを、図
1の熱処理容器にいれて、温度 500℃で2時間にわたり
熱処理を行った。熱処理後のプレートを用いて放射線画
像変換パネルを作製した。
Example 6 An alkali halide phosphor (RbI: 5 × 10 -4 TlI) was vapor-deposited to a thickness of 300 μm on a substrate made of a crystallized glass plate of about 400 mm × 500 mm × 1 mm by an electron beam vapor deposition method. The width of the gap between the columnar crystals of the phosphor was about 2 μm. This plate is prepared by adding 3% by volume in xylene medium.
Amount of the film-forming substance TiSiO 4 (Fujitoku GL
ASS-TS-100) was immersed in a coating solution (viscosity 12 cp at 20 ° C.) in which 10 cm /
Raised in minutes. Thereafter, drying was performed at 120 ° C. for 1 hour. The thickness of the coating was 1 μm. This plate and powder of RbI: 5 × 10 -4 TlI (base material: activator) 1 k
g and 0.2% by weight of SiO 2 with respect to the atmosphere powder were placed in the heat treatment container of FIG. 1 and heat-treated at a temperature of 500 ° C. for 2 hours. A radiation image conversion panel was produced using the heat-treated plate.

【0057】実施例7 約 400mm× 500mm×1mmの結晶化ガラス板からなる基板
に、電子ビーム蒸着法によりアルカリハライド蛍光体
(RbI;5×10-4TlI)を 300μmの厚さで蒸着
した。蛍光体の柱状結晶間の隙間の幅は約2μmであっ
た。このプレートを、キシレン媒体中に容積濃度が3%
となる量の被膜形成物質TiSiO4 (フジトク製GL
ASS−TS−100)を分散させた被膜形成用塗布液
(20℃における粘度12cp)に浸漬させた後、10cm/
分の速度で引き上げた。その後 120℃で1時間の乾燥を
行った。被膜の厚さは1μmであった。このプレート
を、図1の熱処理容器にいれて、温度 500℃で2時間に
わたり熱処理を行った。熱処理後のプレートを用いて放
射線画像変換パネルを作製した。
Example 7 An alkali halide phosphor (RbI; 5 × 10 -4 TlI) was vapor-deposited to a thickness of 300 μm on a substrate made of a crystallized glass plate of about 400 mm × 500 mm × 1 mm by an electron beam vapor deposition method. The width of the gap between the columnar crystals of the phosphor was about 2 μm. This plate is prepared by adding 3% by volume in xylene medium.
Amount of the film-forming substance TiSiO 4 (Fujitoku GL
ASS-TS-100) was immersed in a coating solution (viscosity 12 cp at 20 ° C.) in which 10 cm /
Raised in minutes. Thereafter, drying was performed at 120 ° C. for 1 hour. The thickness of the coating was 1 μm. This plate was placed in the heat treatment container of FIG. 1 and heat treated at a temperature of 500 ° C. for 2 hours. A radiation image conversion panel was produced using the heat-treated plate.

【0058】比較例1 約 400mm× 500mm×1mmの結晶化ガラス板からなる基板
に、電子ビーム蒸着法によりアルカリハライド蛍光体の
母体(RbI)を 300μmの厚さで蒸着した。蛍光体の
母体の柱状結晶間の隙間の幅は約2μmであった。この
プレートとRbI:5×10-4TlI(母体:付活剤)
の粉末1kgと、雰囲気粉に対して 0.2重量%のSiO
2 とを、図1の熱処理容器にいれて、温度 500℃で2時
間にわたり熱処理を行った。熱処理後のプレートを用い
て放射線画像変換パネルを作製した。
Comparative Example 1 A base (RbI) of an alkali halide phosphor was vapor-deposited to a thickness of 300 μm on a substrate made of a crystallized glass plate of about 400 mm × 500 mm × 1 mm by an electron beam vapor deposition method. The width of the gap between the columnar crystals of the phosphor base was about 2 μm. This plate and RbI: 5 × 10 -4 TlI (Base: activator)
1 kg of powder and 0.2% by weight of SiO
2 was placed in the heat treatment container of FIG. 1 and heat treated at a temperature of 500 ° C. for 2 hours. A radiation image conversion panel was produced using the heat-treated plate.

【0059】評価1 以上の実施例1〜7および比較例1で得られた放射線画
像変換パネルについて、下記のようにして放射線感度、
鮮鋭性および残光を評価した。評価結果については後記
表1に示した。
Evaluation 1 The radiation image conversion panels obtained in Examples 1 to 7 and Comparative Example 1 were evaluated for radiation sensitivity and
Sharpness and afterglow were evaluated. The evaluation results are shown in Table 1 below.

【0060】放射線感度 X線曝射後、半導体レーザ光で励起した際の発光量を測
定し、実施例1で得られた放射線画像変換パネルの場合
を 100とする相対値で示した。
Radiation Sensitivity After X-ray exposure, the amount of light emitted when excited by a semiconductor laser beam was measured. The relative value was set to 100 with the case of the radiation image conversion panel obtained in Example 1.

【0061】鮮鋭性 放射線画像変換パネルにCTFチャートを貼付けた後、
管電圧80kVP-P のX線を10 mR(管球からパネルまで
の距離:1.5 m)照射した後、半導体レーザ光(発振波
長:780nm 、ビーム径: 100μm) で走査して輝尽励起
し、CTFチャート像を輝尽性蛍光体層から放射される
輝尽発光として読取り、光検出器 (光電子増倍管) で光
電変換して画像信号を得た。この信号値により、画像の
変調伝達関数 (MTF)を調べ、放射線画像の鮮鋭性
を、実施例1で得られた放射線画像変換パネルの場合を
100とする相対値で示した。なお、MTFは、空間周波
数が1サイクル/mmの時の値である。
Sharpness After attaching the CTF chart to the radiation image conversion panel,
After irradiating X-rays with a tube voltage of 80 kV PP at 10 mR (distance from the bulb to the panel: 1.5 m), the semiconductor laser light (oscillation wavelength: 780 nm, beam diameter: 100 μm) is used to perform stimulating excitation, and CTF The chart image was read as stimulated emission emitted from the stimulable phosphor layer, and photoelectrically converted by a photodetector (photomultiplier) to obtain an image signal. Based on this signal value, the modulation transfer function (MTF) of the image is examined, and the sharpness of the radiation image is determined by using the radiation image conversion panel obtained in the first embodiment.
The relative value was set to 100. The MTF is a value when the spatial frequency is 1 cycle / mm.

【0062】残光 励起停止直前の信号S1 と、励起停止後 200μsec 経過
した時の信号値S2 の比S1 /S2 を測定し、実施例1
で得られた放射線画像変換パネルの場合を 100とする相
対値で示した。
Afterglow The ratio S 1 / S 2 of the signal S 1 immediately before the stop of the excitation and the signal value S 2 200 μsec after the stop of the excitation was measured.
In the case of the radiation image conversion panel obtained in the above, the values are shown as relative values with 100 as the values.

【0063】[0063]

【表1】 [Table 1]

【0064】表1から明らかなように、本発明の製造方
法によれば、画像の鮮鋭性が高い放射線画像変換パネル
が得られる。特に、被膜形成物質として酸化物を用いる
ことによって、残光量の少ない放射線画像変換パネルが
得られる。
As is clear from Table 1, according to the manufacturing method of the present invention, a radiation image conversion panel having high image sharpness can be obtained. In particular, by using an oxide as a film-forming substance, a radiation image conversion panel having a small amount of residual light can be obtained.

【0065】[0065]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、輝尽性蛍光体層またはその母体層において、被膜
形成用塗布液が蛍光体の結晶の隙間内に進入するため、
熱処理の際に蛍光体の結晶が互いに融着することが防止
され、従って画像の鮮鋭性の高い放射線画像変換パネル
が得られる。しかも、熱処理によって形成される被膜が
酸化物であるときには、熱処理する際に、付活剤および
酸素化合物を含有する雰囲気でなくても残光量の少ない
放射線画像変換パネルが得られる。
As described above in detail, according to the present invention, in the stimulable phosphor layer or its base layer, the coating liquid for forming a film enters the gap between the phosphor crystals.
The fusion of the phosphor crystals to each other during the heat treatment is prevented, so that a radiation image conversion panel with high image sharpness can be obtained. In addition, when the film formed by the heat treatment is an oxide, a radiation image conversion panel with a small residual light amount can be obtained even when the heat treatment is not performed in an atmosphere containing an activator and an oxygen compound.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】熱処理装置の一例を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a heat treatment apparatus.

【図2】熱処理装置の他の例を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing another example of the heat treatment apparatus.

【図3】熱処理装置のさらに他の例を示す断面図であ
る。
FIG. 3 is a sectional view showing still another example of the heat treatment apparatus.

【図4】放射線画像変換パネルの一例を示す断面図であ
る。
FIG. 4 is a sectional view showing an example of a radiation image conversion panel.

【図5】放射線画像変換装置の概略を示す説明図であ
る。
FIG. 5 is an explanatory view schematically showing a radiation image conversion apparatus.

【図6】斜め蒸着法により形成された輝尽性蛍光体層
に、被膜形成用塗布液が塗布された状態を示す説明図で
ある。
FIG. 6 is an explanatory view showing a state in which a coating liquid for forming a film is applied to a stimulable phosphor layer formed by an oblique vapor deposition method.

【図7】輝尽性蛍光体層の表面上の被膜形成用塗布液が
除去された状態を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing a state in which a coating liquid for forming a film on the surface of a stimulable phosphor layer is removed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プレート 1A 基板 1B 輝尽性蛍光体層 2 熱処理容
器 3 熱処理容器用ヒータ 4 熱処理炉 5 蒸発容器用ヒータ 6 蒸発容器 7 雰囲気粉(付活剤および酸素化合物を含有する粉
末) 8 ガス量調整バルブ 9 雰囲気粉 10 熱処理容器 11 イオン源
部 12 引出し電極 13 質量分析
部 14 偏向部 15 試料室 16 プレート 17 ヒータ 18 基板 19 輝尽性蛍
光体層 20 保護層 21 スペーサ 22 低屈折率層 23 放射線発
生装置 24 被写体 25 放射線画
像変換パネル 26 輝尽励起光源 27 光電変換
装置 28 再生装置 29 表示装置 30 フィルター 41 柱状結晶 42 輝尽性蛍光体層の表面 43 柱状結晶
間の隙間 44 被膜形成用塗布液
Reference Signs List 1 plate 1A substrate 1B stimulable phosphor layer 2 heat treatment container 3 heater for heat treatment container 4 heat treatment furnace 5 heater for evaporation container 6 evaporation container 7 atmosphere powder (powder containing activator and oxygen compound) 8 gas amount adjustment valve REFERENCE SIGNS LIST 9 atmosphere powder 10 heat treatment container 11 ion source unit 12 extraction electrode 13 mass analysis unit 14 deflection unit 15 sample chamber 16 plate 17 heater 18 substrate 19 stimulable phosphor layer 20 protective layer 21 spacer 22 low refractive index layer 23 radiation generator Reference Signs List 24 subject 25 radiation image conversion panel 26 photostimulated excitation light source 27 photoelectric conversion device 28 reproducing device 29 display device 30 filter 41 columnar crystal 42 surface of photostimulable phosphor layer 43 gap between columnar crystals 44 coating liquid for forming film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G21K 4/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G21K 4/00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換
パネルの製造方法において、 基板上に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体層ま
たはその母体層に、熱処理することによって酸化物また
はフッ化物よりなる被膜を形成する被膜形成用塗布液を
塗布して乾燥させ、その後、熱処理する工程を有するこ
とを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
1. A method of manufacturing a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer, comprising: oxidizing a stimulable phosphor layer formed on a substrate by a vapor phase deposition method or a base layer thereof by heat treatment; A method for producing a radiation image conversion panel, comprising a step of applying a coating liquid for forming a coating made of a substance or a fluoride, drying the coating liquid , and then performing a heat treatment .
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