JPH06334271A - Semiconductor laser - Google Patents
Semiconductor laserInfo
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- JPH06334271A JPH06334271A JP14562393A JP14562393A JPH06334271A JP H06334271 A JPH06334271 A JP H06334271A JP 14562393 A JP14562393 A JP 14562393A JP 14562393 A JP14562393 A JP 14562393A JP H06334271 A JPH06334271 A JP H06334271A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ、特にレ
ーザダイオードをサージ電流から保護する保護ダイオー
ドを有する半導体レーザに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser, and more particularly to a semiconductor laser having a protection diode for protecting a laser diode from surge current.
【０００２】[0002]
【従来の技術】レーザダイオードにサージ電流が流れる
とそのレーザダイオードが劣化し、サージ電流が大きい
と単なる劣化にとどまらず完全に破壊してしまう。その
ため、特開昭６２−６９６９４号公報に紹介されたよう
な保護ダイオードを有する半導体レーザが開発されてい
る。2. Description of the Related Art When a surge current flows through a laser diode, the laser diode deteriorates, and when the surge current is large, the laser diode is not only deteriorated but completely destroyed. Therefore, a semiconductor laser having a protection diode as described in JP-A-62-69694 has been developed.
【０００３】その半導体レーザは、別体に形成したレー
ザダイオードと保護ダイオードを電気的に接続し、一つ
のサブマウント上に組み込んだものである。The semiconductor laser is one in which a laser diode and a protection diode, which are separately formed, are electrically connected to each other and assembled on one submount.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した特
開昭６２−６９６９４号公報に紹介された半導体レーザ
には、第１にレーザダイオードの形成後別個に形成され
た保護ダイオードに組み付けてレーザダイオードが保護
ダイオードにより保護される状態になる前の段階の組立
段階において静電気によりサージ電流が流れて破壊して
しまうことがあるという問題があった。By the way, in the semiconductor laser disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 62-69694, firstly, a laser diode is mounted on a protection diode formed separately after the formation of the laser diode. There was a problem that a surge current might flow and be destroyed by static electricity in the assembling stage before being protected by the protection diode.
【０００５】そして、この問題は、特にＹＡＧレーザの
励起用として用いられたり、あるいはレーザメスとして
用いられたりするハイパワー半導体レーザにおいて無視
できない。というのは、ハイパワー半導体レーザはもと
もと非常に製造が難しく高価（例えば１チップ数十万乃
至百数十万円）であるので、その破壊が非常に大きな損
失をもたらすからである。第２に、保護ダイオードとレ
ーザダイオードを別体に形成するので、保護ダイオード
付き半導体レーザの製造コストが高くなり、半導体レー
ザの低価格化を阻害する要因となるという問題があっ
た。This problem cannot be neglected especially in a high power semiconductor laser used for exciting a YAG laser or used as a laser knife. This is because a high-power semiconductor laser is originally very difficult to manufacture and expensive (for example, one chip costs several hundred thousand to several hundred million yen), and its destruction causes a very large loss. Secondly, since the protection diode and the laser diode are formed separately, there is a problem that the manufacturing cost of the semiconductor laser with the protection diode increases, which becomes a factor that hinders the cost reduction of the semiconductor laser.
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、半導体レーザの組立段階でサージ電
流による劣化、破壊の生じる虞れをコスト増を伴うこと
なくなくすことを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to eliminate the risk of deterioration and destruction due to a surge current at the assembly stage of a semiconductor laser without increasing the cost. To do.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明半導体レーザは、
半導体チップのレーザダイオードが形成された電流狭搾
領域と別の領域に保護ダイオード、例えばツェナーダイ
オードを形成したことを特徴とする。The semiconductor laser of the present invention comprises:
A protection diode, for example, a Zener diode is formed in a region other than the current narrowing region in which the laser diode of the semiconductor chip is formed.
【０００８】[0008]
【作用】本発明半導体レーザによれば、一つの半導体チ
ップ内にレーザダイオードと保護ダイオードを一体化し
たので、組立工程においても保護ダイオードによりレー
ザダイオードを保護することができ、従って、組立工程
におけるサージ電流による破壊を確実に防止することが
できる。また、レーザダイオードと保護ダイオードがモ
ノリシックに形成されているので、レーザダイオードと
保護ダイオードとを別々に形成して両者を組立てる従来
の場合に比較して半導体レーザの製造コストを低減する
ことができる。According to the semiconductor laser of the present invention, since the laser diode and the protection diode are integrated in one semiconductor chip, the laser diode can be protected by the protection diode even in the assembling process. It is possible to reliably prevent damage due to electric current. Further, since the laser diode and the protection diode are formed monolithically, the manufacturing cost of the semiconductor laser can be reduced as compared with the conventional case where the laser diode and the protection diode are separately formed and both are assembled.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、本発明半導体レーザを図示実施例に従
って詳細に説明する。図１は本発明半導体レーザの一つ
の実施例を示す断面図である。図面において、１は半導
体基板で、ｎ+ 型のＧａＡｓ化合物半導体からなる。２
はクラッド層で、ｎ- 型のＡｌＧａＡｓ化合物半導体か
らなる。３は活性層で、真性のＡｌＧａＡｓ化合物半導
体からなる。４はクラッド層で、ｐ- 型のＡｌＧａＡｓ
化合物半導体からなる。５は電流路規定用のｎ+ 型半導
体層で、選択的に形成され、電流を阻む。このｎ+ 半導
体層５の形成されていない部分が電流狭搾領域となり、
ツェナーダイオード形成領域となる。The semiconductor laser of the present invention will be described in detail below with reference to the illustrated embodiments. FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of the semiconductor laser of the present invention. In the drawing, 1 is a semiconductor substrate, which is made of an n + -type GaAs compound semiconductor. Two
Is a cladding layer, which is made of an n − -type AlGaAs compound semiconductor. An active layer 3 is made of an intrinsic AlGaAs compound semiconductor. 4 is a cladding layer, p − type AlGaAs
It consists of compound semiconductors. An n + type semiconductor layer 5 for defining a current path is selectively formed and blocks current. The portion where the n + semiconductor layer 5 is not formed becomes the current narrowing region,
It becomes the Zener diode formation region.
【００１０】６はｐ- 型ＧａＡｓ層で、ｎ+ 型半導体層
５上に形成されている。７はｐ- 型ＧａＡｓ層６の表面
部の電流狭搾領域の上方にあたる部分に形成されたｐ+
型半導体領域、８は表面に形成された絶縁膜、９は該絶
縁膜８の窓開部である。１０ａは窓開部８を通してｐ+
型半導体層７に接続されたメタル電極膜で、アノード電
極となる。上記半導体層２、３、４、５、６はエピタキ
シャル成長により形成される。勿論、電流路規定用のｎ
+ 型半導体層５はエピタキシャル成長をした後選択的エ
ッチングによるパターニングを行うように形成される。
また、ｐ型半導体層７は不純物のイオン注入により形成
される。A p -- type GaAs layer 6 is formed on the n + type semiconductor layer 5. Reference numeral 7 indicates ap + formed on the surface of the p - type GaAs layer 6 above the current narrowing region.
A type semiconductor region, 8 is an insulating film formed on the surface, and 9 is a window opening of the insulating film 8. 10a is p + through the window opening 8
The metal electrode film connected to the type semiconductor layer 7 serves as an anode electrode. The semiconductor layers 2, 3, 4, 5, 6 are formed by epitaxial growth. Of course, n for current path definition
The + type semiconductor layer 5 is formed such that it is epitaxially grown and then patterned by selective etching.
The p-type semiconductor layer 7 is formed by ion implantation of impurities.
【００１１】以上にレーザダイオードの構造を説明した
が、次にサージ保護用のツェナーダイオードの構造を説
明する。ツェナーダイオードは、ｐ- 型ＡｌＧａＡｓ層
６の電流狭搾領域と別の領域内に形成され、下記の各半
導体領域からなる。１１はｎ+ 型の接合分離用半導体領
域で、ツェナーダイオードをｐ- 型ＧａＡｓ層６から接
合分離するために設けられており、ＳｉあるいはＳｅが
不純物としてイオン打込みされている。１２はｎ型接合
分離用半導体領域１１の表面部に選択的に形成されたｐ
型の半導体領域で、ツェナーダイオードのアノードを成
し、不純物として例えばＭｇ、ＺｎあるいはＢｅがイオ
ン打込みされており、不純物濃度は例えば５×１０16ｃ
ｍ-3である。The structure of the laser diode has been described above. Next, the structure of the Zener diode for surge protection will be described. The Zener diode is formed in a region different from the current narrowing region of the p − type AlGaAs layer 6 and is composed of the following semiconductor regions. Reference numeral 11 denotes an n + -type junction separating semiconductor region, which is provided for junction separating the zener diode from the p − -type GaAs layer 6, and Si or Se is ion-implanted as an impurity. Reference numeral 12 denotes a p that is selectively formed on the surface of the n-type junction isolation semiconductor region 11.
In the semiconductor region of the type, the anode of the Zener diode is formed, and for example, Mg, Zn or Be is ion-implanted as an impurity, and the impurity concentration is, for example, 5 × 10 16 c.
m -3 .
【００１２】１３はアノード領域１２の表面部に選択的
に形成されたｎ+ 型の半導体領域で、ツェナーダイオー
ドのカソードを成し、絶縁膜８の窓開部５を通して上記
メタル電極膜１０ａに接続されている。しかして、レー
ザダイオードのアノードが該電極膜１０ａを介してツェ
ナーダイオードのカソードに接続される。尚、カソード
領域１３はｎ型不純物としてＳｉあるいはＳｅをイオン
打込みされ、その濃度は例えば３〜５×１０17ｃｍ-3で
ある。１４はｐ型アノード領域１２のカソード領域１３
とは別の部分に形成されたｐ+ 型半導体領域で、アノー
ド電極取出し用として形成され、絶縁膜８の窓開部９を
通してメタル電極膜１０ｂに接続されており、不純物と
して例えばＭｇあるいはＢｅあるいはＺｎがイオン打込
みされ、その濃度は例えば１〜２×１０18ｃｍ-3であ
る。このｐ+ 型半導体領域１４はレーザダイオードのｐ
+ 型半導体領域７と同時に形成することができる。Reference numeral 13 denotes an n + type semiconductor region selectively formed on the surface of the anode region 12, which serves as the cathode of the Zener diode and is connected to the metal electrode film 10a through the window opening 5 of the insulating film 8. Has been done. Therefore, the anode of the laser diode is connected to the cathode of the Zener diode via the electrode film 10a. The cathode region 13 is ion-implanted with Si or Se as an n-type impurity, and its concentration is, for example, 3 to 5 × 10 17 cm −3 . 14 is a cathode region 13 of the p-type anode region 12
Is a p + type semiconductor region formed in a portion different from that for forming the anode electrode, is connected to the metal electrode film 10b through the window opening 9 of the insulating film 8, and may be an impurity such as Mg or Be or Zn is ion-implanted, and the concentration thereof is, for example, 1 to 2 × 10 18 cm −3 . This p + type semiconductor region 14 is a p of the laser diode.
It can be formed simultaneously with the + type semiconductor region 7.
【００１３】１５はレーザダイオードのカソード（半導
体基板１）とツェナーダイオードのアノードとの間を接
続するためのスルーホールで、半導体基板１の表面部に
達する深さを有している。１６はスルーホールの表面部
に形成された絶縁領域で、例えばＢ、Ｏ、Ｈ等をイオン
注入することにより形成されている。表面部が絶縁領域
で覆われている上記スルーホール１５には上記メタル電
極膜１０ｂが埋められており、該電極膜１０ｂを介して
レーザダイオードのカソードとツェナーダイオードのア
ノードとが接続される。Reference numeral 15 is a through hole for connecting between the cathode of the laser diode (semiconductor substrate 1) and the anode of the Zener diode, which has a depth reaching the surface of the semiconductor substrate 1. Reference numeral 16 denotes an insulating region formed on the surface of the through hole, which is formed by ion implantation of B, O, H or the like. The metal electrode film 10b is buried in the through hole 15 whose surface is covered with an insulating region, and the cathode of the laser diode and the anode of the Zener diode are connected via the electrode film 10b.
【００１４】しかして、レーザダイオードのカソードと
ツェナーダイオードのアノードとが接続され、レーザダ
イオードのアノードとツェナーダイオードのカソードと
が接続されたサージ保護用ツェナーダイオード付き半導
体レーザが構成される。このような半導体レーザによれ
ば、一つの半導体チップ内にレーザダイオードと保護ダ
イオードを形成したので、組立工程においても保護ダイ
オードによりレーザダイオードを保護することができ、
従って、組立工程におけるサージ電流による破壊を確実
に防止することができる。また、レーザダイオードと保
護ダイオードがモノリシックに形成されているので、レ
ーザダイオードと保護ダイオードとを別々に形成して両
者を組立てる従来の場合に比較して半導体レーザの製造
コストを低減することができる。Thus, a semiconductor laser with a Zener diode for surge protection is constructed in which the cathode of the laser diode and the anode of the Zener diode are connected, and the anode of the laser diode and the cathode of the Zener diode are connected. According to such a semiconductor laser, since the laser diode and the protection diode are formed in one semiconductor chip, the laser diode can be protected by the protection diode even in the assembly process,
Therefore, it is possible to reliably prevent damage due to a surge current in the assembly process. Further, since the laser diode and the protection diode are formed monolithically, the manufacturing cost of the semiconductor laser can be reduced as compared with the conventional case where the laser diode and the protection diode are separately formed and both are assembled.
【００１５】図２は図１に示した半導体レーザの変形例
を示すもので、この半導体レーザはメタル電極１０ｂ上
を絶縁膜８ａで完全に覆い、メタル電極１０ｂを該絶縁
膜８ａ上も含め半導体レーザ表面の全域を占有するよう
に形成したものであり、それ以外の点では図１の半導体
レーザと全く同じである。図２に示す変形例によれば、
半導体レーザを図２における上側の面にて図示しないヒ
ートシンクにボンディングすることが、即ちジャンクシ
ョンダウンのボンディングが可能になり、ジャンクショ
ンとヒートシンクとの距離を近づけて放熱性が高くなる
ようにすることが可能になる。FIG. 2 shows a modification of the semiconductor laser shown in FIG. 1. This semiconductor laser completely covers the metal electrode 10b with an insulating film 8a, and the metal electrode 10b including the insulating film 8a is a semiconductor. It is formed so as to occupy the entire surface of the laser, and is otherwise the same as the semiconductor laser of FIG. According to the modification shown in FIG.
The semiconductor laser can be bonded to a heat sink (not shown) on the upper surface in FIG. 2, that is, junction down bonding can be performed, and the distance between the junction and the heat sink can be reduced to improve heat dissipation. become.
【００１６】図３は本発明半導体レーザの他の実施例を
示す断面図である。本実施例は、図１の実施例とは、ス
ルーホール１４を設けず、従って、半導体チップ内では
レーザダイオードのカソードとツェナーダイオードのア
ノードとの接続が行われていない。従って、ダイボンデ
ィング、ワイヤボンディングされたときに半導体チップ
外部においてその接続が行われることになり、その接続
が行われるまではレーザダイオードはツェナーダイオー
ドによる保護を受け得ないことになる。FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the semiconductor laser of the present invention. This embodiment is different from the embodiment of FIG. 1 in that the through hole 14 is not provided, and therefore, the cathode of the laser diode and the anode of the Zener diode are not connected in the semiconductor chip. Therefore, when die bonding or wire bonding is performed, the connection is made outside the semiconductor chip, and the laser diode cannot be protected by the Zener diode until the connection is made.
【００１７】しかし、かかる接続後においても封止され
るまでにいくつかの組立工程があり、その組立工程にお
いてサージ電流によりレーザダイオードが劣化したり破
壊したりすることは保護ダイオードによって阻むことが
できる。そして、スルーホール１５を形成することに
は、それが数μｍと深いので、高度な技術を必要としエ
ッチング時間も長くなるという面があるが、本実施例で
はスルーホール１５を形成しないのでその点で有利であ
る。尚、本実施例は半導体チップ内ではレーザダイオー
ドのカソードとツェナーダイオードのアノードとの接続
が行われていないという点を除けば図１の実施例と全く
同じである。However, even after such connection, there are some assembling steps before being sealed, and the protective diode can prevent the laser diode from being deteriorated or destroyed by a surge current in the assembling step. . Forming the through hole 15 requires a high level of technology because it is as deep as several .mu.m, and the etching time becomes long. However, in this embodiment, the through hole 15 is not formed. Is advantageous. The present embodiment is exactly the same as the embodiment of FIG. 1 except that the cathode of the laser diode and the anode of the Zener diode are not connected in the semiconductor chip.
【００１８】図４は図３に示した実施例の変形例を示す
断面図である。本実施例は、図３に示した半導体レーザ
を放熱性向上のためジャンクションダウンにヒートシン
クにボンディングできるように変形したものであり、半
導体基板としてｎ- 型のＧａＡｓ基板１ａを用い、その
表面（図４における下側の表面）にｐ- 型のクラッド層
２ａ、活性層３、ｎ- 型クラッド層４ａ、ｎ+ 型の電流
路規定用半導体層５ａ及びｐ+ 型ＧａＡｓ層６ａを形成
し、ＧａＡｓ基板１ａの裏面（図４における上側の表
面）部にレーザダイオードのカソード電極引出し用半導
体領域７ａ、ツェナーダイオードを形成したものであ
る。FIG. 4 is a sectional view showing a modification of the embodiment shown in FIG. In the present embodiment, the semiconductor laser shown in FIG. 3 is modified so that it can be bonded to a heat sink with a junction down to improve heat dissipation. An n − type GaAs substrate 1a is used as a semiconductor substrate and its surface (FIG. 4), a p − -type clad layer 2a, an active layer 3, an n − -type clad layer 4a, an n + -type current path defining semiconductor layer 5a and a p + -type GaAs layer 6a are formed on the GaAs layer. The semiconductor region 7a for extracting the cathode electrode of the laser diode and the Zener diode are formed on the back surface (upper surface in FIG. 4) of the substrate 1a.
【００１９】１１ａはツェナーダイオードを半導体基板
１ａから電気的に絶縁するための接合分離用ｐ型半導体
領域で、Ｍｇ、ＢｅあるいはＺｎを不純物としている。
１２ａはｐ型半導体領域１１ａの表面部に選択的に形成
されたｎ型のカソード領域で、不純物として例えばＳｉ
あるいはＳｅがイオン打込みされ、不純物濃度は例えば
５×１０16ｃｍ-3である。１３ａはカソード領域の表面
部に選択的に形成されたｐ+ 型アノード領域で、メタル
電極膜１０ａを介してレーザダイオードのカソード取出
し領域７ａに接続されている。１４ａはｎ+ 型のカソー
ド電極取出し領域で、不純物として例えばＭｇ、Ｚｎあ
るいはＢｅがイオン打込みされ、その濃度は例えば１〜
２×１０18ｃｍ-3である。Reference numeral 11a is a p-type semiconductor region for junction separation for electrically insulating the Zener diode from the semiconductor substrate 1a, and contains Mg, Be or Zn as impurities.
Reference numeral 12a is an n-type cathode region selectively formed on the surface of the p-type semiconductor region 11a.
Alternatively, Se is ion-implanted and the impurity concentration is, for example, 5 × 10 16 cm −3 . Reference numeral 13a denotes ap + type anode region selectively formed on the surface of the cathode region, which is connected to the cathode extraction region 7a of the laser diode via the metal electrode film 10a. 14a is an n + -type cathode electrode extraction region, for example, Mg, Zn or Be is ion-implanted as an impurity, and its concentration is, for example, 1 to
It is 2 × 10 18 cm −3 .
【００２０】[0020]
【発明の効果】本発明半導体レーザは、半導体チップの
レーザダイオードが形成された電流狭搾領域と別の領域
に保護ダイオード、例えばツェナーダイオードを形成し
たことを特徴とするものである。従って、本発明半導体
レーザによれば、一つの半導体チップ内にレーザダイオ
ードと保護ダイオードを一体化したので、組立工程にお
いても保護ダイオードによりレーザダイオードを保護す
ることができ、従って、組立工程におけるサージ電流に
よる破壊を確実に防止することができる。また、レーザ
ダイオードと保護ダイオードがモノリシックに形成され
ているので、レーザダイオードと保護ダイオードとを別
々に形成して両者を組立てる従来の場合に比較して半導
体レーザの製造コストを低減することができる。The semiconductor laser of the present invention is characterized in that a protection diode, for example, a Zener diode is formed in a region other than the current narrowing region in which the laser diode of the semiconductor chip is formed. Therefore, according to the semiconductor laser of the present invention, since the laser diode and the protection diode are integrated in one semiconductor chip, the laser diode can be protected by the protection diode even in the assembly process, and accordingly, the surge current in the assembly process can be improved. It is possible to reliably prevent the destruction due to. Further, since the laser diode and the protection diode are formed monolithically, the manufacturing cost of the semiconductor laser can be reduced as compared with the conventional case where the laser diode and the protection diode are separately formed and both are assembled.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明半導体レーザの一つの実施例を示す断面
図である。FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of a semiconductor laser of the present invention.
【図２】図１に示す半導体レーザの変形例を示す断面図
である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a modified example of the semiconductor laser shown in FIG.
【図３】本発明半導体レーザの他の実施例を示す断面図
である。FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the semiconductor laser of the present invention.
【図４】図２に示す半導体レーザの変形例を示す断面図
である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a modified example of the semiconductor laser shown in FIG.
１ 基板 ５ 電流路規定用（電流狭搾用）半導体領域 1 substrate 5 semiconductor region for current path regulation (current narrowing)
Claims (2)
搾領域にレーザダイオードが形成され、 上記半導体チップの他部に上記レーザダイオードをサー
ジから保護する保護ダイオードが形成されたことを特徴
とする半導体レーザ1. A laser diode is formed in a current narrowing region provided in a part of a semiconductor chip, and a protection diode for protecting the laser diode from a surge is formed in the other part of the semiconductor chip. Semiconductor laser
らなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ2. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the protection diode is a Zener diode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14562393A JPH06334271A (en) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14562393A JPH06334271A (en) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | Semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334271A true JPH06334271A (en) | 1994-12-02 |
Family
ID=15389298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14562393A Pending JPH06334271A (en) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | Semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334271A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1622238A3 (en) * | 2004-07-29 | 2006-05-10 | Seiko Epson Corporation | Surface-emitting light source and method for manufacturing the same |
| CN100384040C (en) * | 2004-07-29 | 2008-04-23 | 精工爱普生株式会社 | Surface-emitting type device and method for manufacturing the same |
| JP2011171741A (en) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Lg Innotek Co Ltd | Light emitting element, and method of manufacturing the same |
-
1993
- 1993-05-25 JP JP14562393A patent/JPH06334271A/en active Pending
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| US8637885B2 (en) | 2010-02-18 | 2014-01-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package, method of manufacturing light emitting device and lighting system |
| US9287465B2 (en) | 2010-02-18 | 2016-03-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package, method of manufacturing light emitting device and lighting system |
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