JPH06329686A - 環状構造要素を含むシランカップリング剤 - Google Patents
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】有用な液晶用配向膜を提供する。
【構成】式(II):
CY−SP−An (II)
[式中、CYは8個以上の環要素を有する中環状又は大
環状炭素環であり、この環は融合ベンゼン環及び、ヘテ
ロ原子としての−O−、−N−、−S−、−Si−及び
−B−を含むこともできる;SPは炭素数1〜20のア
ルキル基であり、ここで1個以上の非隣接−CH2−基
が−O−、−S−、−CO−、−O−CO−、−NH−
CO−、−O−COO−、−NH−CO−NH−、−N
H−CO−O−、−SO2−、−Si(CH3)2−、−
CH=CH−又は−C≡C−によって置換されていても
よい;AnはSiX1X2X3であり、ここでX1は単結合
であり、X2とX3は相互から独立的に単結合又はアルキ
ル又はアルコキシ基である]で示される化合物の準単分
子層を含む液晶用配向膜。
環状炭素環であり、この環は融合ベンゼン環及び、ヘテ
ロ原子としての−O−、−N−、−S−、−Si−及び
−B−を含むこともできる;SPは炭素数1〜20のア
ルキル基であり、ここで1個以上の非隣接−CH2−基
が−O−、−S−、−CO−、−O−CO−、−NH−
CO−、−O−COO−、−NH−CO−NH−、−N
H−CO−O−、−SO2−、−Si(CH3)2−、−
CH=CH−又は−C≡C−によって置換されていても
よい;AnはSiX1X2X3であり、ここでX1は単結合
であり、X2とX3は相互から独立的に単結合又はアルキ
ル又はアルコキシ基である]で示される化合物の準単分
子層を含む液晶用配向膜。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は配向膜としての環状構造
要素を含むシランカップリング剤(coupler)に関する。
要素を含むシランカップリング剤(coupler)に関する。
【0002】
【従来の技術】強誘電性液晶混合物を含むスイッチング
及びディスプレイ装置(FLCディスプレイ)は例えば
ヨーロッパ特許第B0032362号(米国特許第A
4,367,924号)に開示されている。液晶ディス
プレイは、例えば電気的スイッチングによって、入射光
線(及び恐らく反射光線も)の強度を調節するようにそ
れらの光学的透過性を変化させることができる装置であ
る。例としては、公知の時計及び計算機ディスプレイ、
又はOA(オフィス オートメーション)又はTVセク
ターにおける液晶ディスプレイがある[液晶装置ハンド
ブック,日刊工業新聞社,東京,1989;ISBN4
−526−02590−9C3054及びこれに記載さ
れている論文を参照のこと]。
及びディスプレイ装置(FLCディスプレイ)は例えば
ヨーロッパ特許第B0032362号(米国特許第A
4,367,924号)に開示されている。液晶ディス
プレイは、例えば電気的スイッチングによって、入射光
線(及び恐らく反射光線も)の強度を調節するようにそ
れらの光学的透過性を変化させることができる装置であ
る。例としては、公知の時計及び計算機ディスプレイ、
又はOA(オフィス オートメーション)又はTVセク
ターにおける液晶ディスプレイがある[液晶装置ハンド
ブック,日刊工業新聞社,東京,1989;ISBN4
−526−02590−9C3054及びこれに記載さ
れている論文を参照のこと]。
【0003】これらのFLCディスプレイは、液晶層
が、通常はFLC層から出発して、少なくとも1つの配
向膜、電極及び限定プレート(例えばガラス製)の順序
である層によって両側を囲まれるように構成される。さ
らに、FLCディスプレイは、“ゲスト−ホスト”もし
くは反射モードで操作される場合には1個の偏光子を含
み、又は使用モードが透過複屈折である場合には2個の
偏光子を含む。スイッチング及びディスプレイ素子はさ
らに、拡散バリアまたは絶縁層等の補助層を含んでいて
もよい。
が、通常はFLC層から出発して、少なくとも1つの配
向膜、電極及び限定プレート(例えばガラス製)の順序
である層によって両側を囲まれるように構成される。さ
らに、FLCディスプレイは、“ゲスト−ホスト”もし
くは反射モードで操作される場合には1個の偏光子を含
み、又は使用モードが透過複屈折である場合には2個の
偏光子を含む。スイッチング及びディスプレイ素子はさ
らに、拡散バリアまたは絶縁層等の補助層を含んでいて
もよい。
【0004】有機物質(例えばポリイミド、ポリアミド
もしくはポリビニルアルコール)又は無機物質(例えば
SiO)を含む配向膜、及び充分に小さいように選択さ
れる限定プレートの間のスペースによって、混合物のF
LC分子は分子がそれらの長軸が平行になるような配置
をとり、スメクチック面は配向膜に対して垂直又は傾斜
する。この配置において分子は、知られているように、
2種の等価の配向を有し、パルス化電界を印加すること
によって、分子はこれらの配向間で切り替えられる。す
なわちFLCディスプレイは双安定性スイッチングが可
能である。応答時間はFLC混合物の自発分極に逆比例
し、マイクロ秒の範囲内である。
もしくはポリビニルアルコール)又は無機物質(例えば
SiO)を含む配向膜、及び充分に小さいように選択さ
れる限定プレートの間のスペースによって、混合物のF
LC分子は分子がそれらの長軸が平行になるような配置
をとり、スメクチック面は配向膜に対して垂直又は傾斜
する。この配置において分子は、知られているように、
2種の等価の配向を有し、パルス化電界を印加すること
によって、分子はこれらの配向間で切り替えられる。す
なわちFLCディスプレイは双安定性スイッチングが可
能である。応答時間はFLC混合物の自発分極に逆比例
し、マイクロ秒の範囲内である。
【0005】有機ポリマーから構成される上記配向膜の
他に、配向膜はラングミュア−ブロジェット(Langmuir-
Blodgett)法による単分子配向膜として塗布される両親
媒性物質を含むこともできる[例えば、ケイ.ヒルトロ
ップ(K.Hiltrop),エッチ.ステゲマイヤー(H.Stegemey
er),Ber.Bunsenges.Phy.Chem.
82,883(1978)を参照のこと]。準単分子(q
uasi-monomolecular)配向膜を構成する他の方法は、F
LCディスプレイのシラン化(silanization)、すなわち
塗布されたガラス又は電極のシラン化である。この方法
は種々な分野で長い間用いられれており、ラングミュア
法よりも非常に簡単に実施することができる。この方法
は、アルキルシロキサン、例えばR−SiX3又はR2S
iX2(X=O−アルキルもしくはハロゲン)をガラス
面と反応させて確実に結合させ、HXを脱離させて、S
i−O−Si結合を形成することを含む。この方法は例
えばケイ.オガワ(K.Ogawa),エム.マカジマ(M.Makaj
ima),ワイ.アズマ(Y.Azuma),ティ.オクムラ(T.Okum
ura)によってLangmuir1991,1473−1
477及びヨーロッパ特許第A0386782号に述べ
られている。しかし、この方法を用いて達せられるコン
トラストと明度(brightness value)は全ての用途に充分
であるとはいえない。
他に、配向膜はラングミュア−ブロジェット(Langmuir-
Blodgett)法による単分子配向膜として塗布される両親
媒性物質を含むこともできる[例えば、ケイ.ヒルトロ
ップ(K.Hiltrop),エッチ.ステゲマイヤー(H.Stegemey
er),Ber.Bunsenges.Phy.Chem.
82,883(1978)を参照のこと]。準単分子(q
uasi-monomolecular)配向膜を構成する他の方法は、F
LCディスプレイのシラン化(silanization)、すなわち
塗布されたガラス又は電極のシラン化である。この方法
は種々な分野で長い間用いられれており、ラングミュア
法よりも非常に簡単に実施することができる。この方法
は、アルキルシロキサン、例えばR−SiX3又はR2S
iX2(X=O−アルキルもしくはハロゲン)をガラス
面と反応させて確実に結合させ、HXを脱離させて、S
i−O−Si結合を形成することを含む。この方法は例
えばケイ.オガワ(K.Ogawa),エム.マカジマ(M.Makaj
ima),ワイ.アズマ(Y.Azuma),ティ.オクムラ(T.Okum
ura)によってLangmuir1991,1473−1
477及びヨーロッパ特許第A0386782号に述べ
られている。しかし、この方法を用いて達せられるコン
トラストと明度(brightness value)は全ての用途に充分
であるとはいえない。
【0006】スイッチング状態のコントラスト及び双安
定性を改良するために特に好ましい方法は、環状構造要
素を含む物質(例えばクラウンエーテル、アザクラウン
及び炭素環)によるポリマー配向膜の修飾であることが
判明している(例えば国際特許第A92/13290号
を参照のこと)。
定性を改良するために特に好ましい方法は、環状構造要
素を含む物質(例えばクラウンエーテル、アザクラウン
及び炭素環)によるポリマー配向膜の修飾であることが
判明している(例えば国際特許第A92/13290号
を参照のこと)。
【0007】ポリマー面に化学的に固定されるこのよう
な化合物は、一般に環状構造要素、スペーサー基及び、
表面への結合を可能にする反応基を含む。反応基は例え
ばハロゲン又はヒドロキシル基である。ヨーロッパ特許
第A0453966号もケイ素含有反応基を含む2種の
化合物を記載している。先行技術によると、環状構造要
素を含む化合物を予め塗布された有機ポリマー配向膜に
別の工程で塗布し、その後に加熱によって固定する。
な化合物は、一般に環状構造要素、スペーサー基及び、
表面への結合を可能にする反応基を含む。反応基は例え
ばハロゲン又はヒドロキシル基である。ヨーロッパ特許
第A0453966号もケイ素含有反応基を含む2種の
化合物を記載している。先行技術によると、環状構造要
素を含む化合物を予め塗布された有機ポリマー配向膜に
別の工程で塗布し、その後に加熱によって固定する。
【0008】この二重塗布は仕事が多くなることを意味
し、工業的大量生産にとって特に不利である。さらに、
多重塗布は配向膜の厚さを高める。しかし、比較的厚い
層はある種の環境下では配向膜の誘電損を生じ、このた
めゴースト画像の出現を増加させる。
し、工業的大量生産にとって特に不利である。さらに、
多重塗布は配向膜の厚さを高める。しかし、比較的厚い
層はある種の環境下では配向膜の誘電損を生じ、このた
めゴースト画像の出現を増加させる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】以上のことから、本発
明の目的は非常に薄い膜厚さと同時に、非常に良好なコ
ントラストと明度とを可能にする配向膜を開発すること
である。
明の目的は非常に薄い膜厚さと同時に、非常に良好なコ
ントラストと明度とを可能にする配向膜を開発すること
である。
【0010】
【課題を解決するための手段】環状構造要素を含むある
種のケイ素含有化合物が、液晶用、特に強誘電性液晶用
の配向膜として非常に適することが判明した。
種のケイ素含有化合物が、液晶用、特に強誘電性液晶用
の配向膜として非常に適することが判明した。
【0011】本発明は式(I): CY−SP−RG (I) [式中、CYは8個以上の環要素を有する中環状又は大
環状炭素環であり、この環は融合ベンゼン環及び、ヘテ
ロ原子としての−O−、−N−、−S−、−Si−及び
−B−を含むこともできる;SPは炭素数1〜20のア
ルキル基であり、ここで1個以上の非隣接−CH2−基
が−O−、−S−、−CO−、−O−CO−、−NH−
CO−、−O−COO−、−NH−CO−NH−、−N
H−CO−O−、−SO2−、−Si(CH3)2−、−
CH=CH−又は−C≡C−によって置換されていても
よい;RGは−SiX1X2X3であり、ここでX1はC1−
C10アルコキシ、F、Cl又はBrであり、X2及びX3
は互いに独立的にC1−C10アルキル、C1−C10アルコ
キシ、Cl又はBrである;但し下記化合物:
環状炭素環であり、この環は融合ベンゼン環及び、ヘテ
ロ原子としての−O−、−N−、−S−、−Si−及び
−B−を含むこともできる;SPは炭素数1〜20のア
ルキル基であり、ここで1個以上の非隣接−CH2−基
が−O−、−S−、−CO−、−O−CO−、−NH−
CO−、−O−COO−、−NH−CO−NH−、−N
H−CO−O−、−SO2−、−Si(CH3)2−、−
CH=CH−又は−C≡C−によって置換されていても
よい;RGは−SiX1X2X3であり、ここでX1はC1−
C10アルコキシ、F、Cl又はBrであり、X2及びX3
は互いに独立的にC1−C10アルキル、C1−C10アルコ
キシ、Cl又はBrである;但し下記化合物:
【化4】 は除く]で示されるケイ素含有カップリング試薬に関す
る。
る。
【0012】本発明はさらに、 式(II): CY−SP−An (II) [式中、CY及びSPは式Iで定義した通りであり、An
はSiX1X2X3であり、ここでX1は単結合であり、X
2及びX3は互いに独立的に単結合又はアルキル又はアル
コキシ基である]で示される化合物を1個以上含み、式
(II)の化合物がAn基の単結合を介して酸化物基体
(substrate)に結合している液晶用配向膜に関する。
はSiX1X2X3であり、ここでX1は単結合であり、X
2及びX3は互いに独立的に単結合又はアルキル又はアル
コキシ基である]で示される化合物を1個以上含み、式
(II)の化合物がAn基の単結合を介して酸化物基体
(substrate)に結合している液晶用配向膜に関する。
【0013】本発明によるケイ素含有カップリング試薬
から製造される本発明の膜は、液晶、特に強誘電性液晶
の配向に非常に適する。配向膜の薄い厚さはディスプレ
イの誘電損を防止する。ゴースト画像の出現は抑制され
る。
から製造される本発明の膜は、液晶、特に強誘電性液晶
の配向に非常に適する。配向膜の薄い厚さはディスプレ
イの誘電損を防止する。ゴースト画像の出現は抑制され
る。
【0014】好ましい式(I)化合物は、CYが環要素
12〜30個、特に15〜27個を有する炭素環である
ような化合物であり、ここで1〜4個のベンゼン環が環
に融合していることも可能であり、1個以上の酸素及び
/又は窒素原子が存在することも可能である。
12〜30個、特に15〜27個を有する炭素環である
ような化合物であり、ここで1〜4個のベンゼン環が環
に融合していることも可能であり、1個以上の酸素及び
/又は窒素原子が存在することも可能である。
【0015】特に適した炭素環は、環要素15、16、
17又は24個を有する環、例えばムスコン誘導体、シ
クロヘキサンデカノン誘導体、ジベトン誘導体、シクロ
テトラコサジエン誘導体又はシクロテトラコサトリエン
誘導体である。これらは、例えばシクロオクタジエン、
シクロドデカジエンからメタセシス(metathesis)反応に
よって、又はシクロヘキサデセノンの環膨張(expansio
n)反応によって得られる。特に有利である複素環化合
物は、クラウンエーテル誘導体及び、誘導体化アザクラ
ウンエーテル及びジアザクラウンエーテル、例えば官能
化アルコキシ−15−クラウン−5、アルコキシ−18
−クラウン−6、1−アザ−15−クラウン−5、1−
アザ−18−クラウン−6及び1,10−ジアザ−18
−クラウン−6である。
17又は24個を有する環、例えばムスコン誘導体、シ
クロヘキサンデカノン誘導体、ジベトン誘導体、シクロ
テトラコサジエン誘導体又はシクロテトラコサトリエン
誘導体である。これらは、例えばシクロオクタジエン、
シクロドデカジエンからメタセシス(metathesis)反応に
よって、又はシクロヘキサデセノンの環膨張(expansio
n)反応によって得られる。特に有利である複素環化合
物は、クラウンエーテル誘導体及び、誘導体化アザクラ
ウンエーテル及びジアザクラウンエーテル、例えば官能
化アルコキシ−15−クラウン−5、アルコキシ−18
−クラウン−6、1−アザ−15−クラウン−5、1−
アザ−18−クラウン−6及び1,10−ジアザ−18
−クラウン−6である。
【0016】好ましい環構造の例を下記に挙げる:
【化5】 スペーサー基(SP)は、好ましくは炭素数1〜16の
アルキレン基であり、ここで1〜3個、好ましくは1個
又は2個の非隣接−CH2−基が−O−、−CO−、−
O−CO−、−NH−CO−、−O−CO−O−、−C
H=CH−、−NH−CO−O−又は−NH−CO−N
H−によって置換されていてもよい。
アルキレン基であり、ここで1〜3個、好ましくは1個
又は2個の非隣接−CH2−基が−O−、−CO−、−
O−CO−、−NH−CO−、−O−CO−O−、−C
H=CH−、−NH−CO−O−又は−NH−CO−N
H−によって置換されていてもよい。
【0017】特に好ましいスペーサーは3〜12個の鎖
要素を有するスペーサーであり、ここで1個又は2個の
−CH2−基が−O−、−CO−、−NH−CO−、−
NH−CO−NH−又は−NH−CO−O−によって置
換されていてもよい。
要素を有するスペーサーであり、ここで1個又は2個の
−CH2−基が−O−、−CO−、−NH−CO−、−
NH−CO−NH−又は−NH−CO−O−によって置
換されていてもよい。
【0018】適当なスペーサーの例は、誘導体化1,2
−、1,3−、1,4−、1,6−及び1,8−アルカ
ンジオール(例えばグリコール、プロパンジオール、ブ
タンジオール、2−ブタンジオール、1,6−ヘキサン
ジオール及び1,8−オクタンジオール)の誘導体であ
り、さらに6−ヒドロキシ−カプロン酸誘導体、6−ア
ミノカプロン酸誘導体、1,9−ノナンジカルボン酸又
は、スペーサーの基礎として、アリル酢酸である。ジエ
チレングリコール及びトリエチレングリコールもまたス
ペーサーとして適切である。
−、1,3−、1,4−、1,6−及び1,8−アルカ
ンジオール(例えばグリコール、プロパンジオール、ブ
タンジオール、2−ブタンジオール、1,6−ヘキサン
ジオール及び1,8−オクタンジオール)の誘導体であ
り、さらに6−ヒドロキシ−カプロン酸誘導体、6−ア
ミノカプロン酸誘導体、1,9−ノナンジカルボン酸又
は、スペーサーの基礎として、アリル酢酸である。ジエ
チレングリコール及びトリエチレングリコールもまたス
ペーサーとして適切である。
【0019】反応性ケイ素含有基(RG)は、好ましく
は−Si(CH3)2Cl;−Si(O−アルキル)3、
特に−Si(OC2H5)3及び−Si(OCH3)3;−
Si(CH3)(O−アルキル)2、特に−Si(C
H3)(OC2H5)2及び−Si(CH3)(OC
H3)2;及び−Si(CH3)2(O−アルキル)、特に
−Si(CH3)2(OC2H5)及び−Si(CH3)
2(OCH3)である。
は−Si(CH3)2Cl;−Si(O−アルキル)3、
特に−Si(OC2H5)3及び−Si(OCH3)3;−
Si(CH3)(O−アルキル)2、特に−Si(C
H3)(OC2H5)2及び−Si(CH3)(OC
H3)2;及び−Si(CH3)2(O−アルキル)、特に
−Si(CH3)2(OC2H5)及び−Si(CH3)
2(OCH3)である。
【0020】本発明による化合物は、当業者にとって通
例の公知方法によって合成される。例えば、スペーサー
基とシリル基とが適当な結合反応によって結合すること
ができる大環状化合物(macrocycle)を合成することがで
きる。
例の公知方法によって合成される。例えば、スペーサー
基とシリル基とが適当な結合反応によって結合すること
ができる大環状化合物(macrocycle)を合成することがで
きる。
【0021】本発明の対応するカップリング試薬に転化
することができる大環状化合物の合成は、例えば国際特
許第A90/02018号、ヨーロッパ特許第A045
1822号及びヨーロッパ特許第A0453966号、
ならびにこれらに引用されている参考文献に述べられて
いる。
することができる大環状化合物の合成は、例えば国際特
許第A90/02018号、ヨーロッパ特許第A045
1822号及びヨーロッパ特許第A0453966号、
ならびにこれらに引用されている参考文献に述べられて
いる。
【0022】多くのこのような化合物、例えば1−アザ
−12−クラウン−4、1−アザ−15−クラウン−5
及び1−アザ−18−クラウン−6等の、アザクラウン
エーテルは、例えばフルカとブックス(Fluka and Buch
s)から商業的に入手可能である。
−12−クラウン−4、1−アザ−15−クラウン−5
及び1−アザ−18−クラウン−6等の、アザクラウン
エーテルは、例えばフルカとブックス(Fluka and Buch
s)から商業的に入手可能である。
【0023】大環状化合物は、同様に公知の通常の方法
によってスペーサーに結合する。例えば、アザクラウン
エーテルは酸塩化物と反応して、対応アミドを生成する
ことができ、又はイソシアネートと反応して、対応尿素
誘導体を生成することができる。OH基を有する大環状
化合物は、イソシアネートと反応して対応ウレタンを生
成することができ、又は適当な試薬によってエーテルに
転化することができる。
によってスペーサーに結合する。例えば、アザクラウン
エーテルは酸塩化物と反応して、対応アミドを生成する
ことができ、又はイソシアネートと反応して、対応尿素
誘導体を生成することができる。OH基を有する大環状
化合物は、イソシアネートと反応して対応ウレタンを生
成することができ、又は適当な試薬によってエーテルに
転化することができる。
【0024】ケト基を含む大環状化合物は、例えばウィ
ッチヒ(Wittig)反応及びその後の水素化によってスペー
サー基とC−C結合を形成することができる。
ッチヒ(Wittig)反応及びその後の水素化によってスペー
サー基とC−C結合を形成することができる。
【0025】反応性ケイ素含有基は、例えばスペーサー
基中に存在する二重結合のヒドロシリル化によって導入
することができる。
基中に存在する二重結合のヒドロシリル化によって導入
することができる。
【0026】スペーサーフラグメントに結合することが
できる反応性オルガノシリル化合物は、それ自体公知の
方法によって製造することができる[例えば、シー.イ
ーボルン(C.Eaborn)等、第IV族元素の有機金属化合物
(Organometallic Compoundsofthe Group IV Element
s),1巻,1部,デッカー,ニューヨーク,1968;
イー.ルークヴィックス(E.Lukevics)等,J.Orga
nomet.Chem.Libr.5,1(197
7)、又はアール.ホイマー(R.Heumer)等,有機化学の
ホーベン−ヴァイル方法(Houben−Weyl M
ethods derOrg.Chemie.)[Me
thods of Organic Chemistr
y],E18/2,685頁以下,シーム−フェルラグ
(Thieme-Verlag),シュタットガルト−ニューヨーク,
1986]。
できる反応性オルガノシリル化合物は、それ自体公知の
方法によって製造することができる[例えば、シー.イ
ーボルン(C.Eaborn)等、第IV族元素の有機金属化合物
(Organometallic Compoundsofthe Group IV Element
s),1巻,1部,デッカー,ニューヨーク,1968;
イー.ルークヴィックス(E.Lukevics)等,J.Orga
nomet.Chem.Libr.5,1(197
7)、又はアール.ホイマー(R.Heumer)等,有機化学の
ホーベン−ヴァイル方法(Houben−Weyl M
ethods derOrg.Chemie.)[Me
thods of Organic Chemistr
y],E18/2,685頁以下,シーム−フェルラグ
(Thieme-Verlag),シュタットガルト−ニューヨーク,
1986]。
【0027】次に、例えばスペーサー基中に存在する二
重結合のヒドロシリル化によって、結合を実施する。
重結合のヒドロシリル化によって、結合を実施する。
【0028】このようにして、貴金属触媒(例えば、イ
ソプロパノール中のH2PtCl6)の存在下で、必要な
場合には不活性有機溶媒の存在下で、0〜150℃の温
度において、不飽和化合物をジアルキルクロロシランH
SiX2X3Clと反応させることができ、この場合にシ
ランを過剰に用いることが有利である。
ソプロパノール中のH2PtCl6)の存在下で、必要な
場合には不活性有機溶媒の存在下で、0〜150℃の温
度において、不飽和化合物をジアルキルクロロシランH
SiX2X3Clと反応させることができ、この場合にシ
ランを過剰に用いることが有利である。
【0029】ケイ素官能基をスペーサー基に結合させる
他の方法は、例えば3−シアノプロピルジメチルクロロ
シラン、3−シアノプロピルトリエトキシシラン及び3
−シアノプロピルトリクロロシラン等の、商業的に入手
可能なケイ素含有シアニドを、NH又はOH官能基を含
むスペーサーフラグメントと反応させて、ウレタン又は
尿素構造を含むスペーサー基を形成することを含む。
他の方法は、例えば3−シアノプロピルジメチルクロロ
シラン、3−シアノプロピルトリエトキシシラン及び3
−シアノプロピルトリクロロシラン等の、商業的に入手
可能なケイ素含有シアニドを、NH又はOH官能基を含
むスペーサーフラグメントと反応させて、ウレタン又は
尿素構造を含むスペーサー基を形成することを含む。
【0030】本発明による配向膜を製造するためには、
本発明による化合物を酸化物基体と結合させる。例え
ば、これらの化合物を直接ガラス基体に又は電極に塗布
することができる。電極は好ましくはインジウム−スズ
酸化物(ITO)を含む。しかし、本発明による配向膜
を電極上の、例えばSiO2又はTa2O5の絶縁層に塗
布することも可能である。
本発明による化合物を酸化物基体と結合させる。例え
ば、これらの化合物を直接ガラス基体に又は電極に塗布
することができる。電極は好ましくはインジウム−スズ
酸化物(ITO)を含む。しかし、本発明による配向膜
を電極上の、例えばSiO2又はTa2O5の絶縁層に塗
布することも可能である。
【0031】本発明による化合物は、例えばディップコ
ーティング又はスピンコーティングにより塗布し、この
場合には、例えば本発明による式Iの化合物を適当な、
好ましくは極性の、非プロトン性溶媒(例えば、1−メ
トキシ−2−プロパノール又はジオキサン)中に溶解す
る。本発明による化合物の溶液中の含量は、溶液全体に
基づいて、0.001〜0.1重量%、好ましくは0.
005〜0.05重量%である。
ーティング又はスピンコーティングにより塗布し、この
場合には、例えば本発明による式Iの化合物を適当な、
好ましくは極性の、非プロトン性溶媒(例えば、1−メ
トキシ−2−プロパノール又はジオキサン)中に溶解す
る。本発明による化合物の溶液中の含量は、溶液全体に
基づいて、0.001〜0.1重量%、好ましくは0.
005〜0.05重量%である。
【0032】固定は一般に熱によって、80〜150
℃、好ましくは100〜145℃の温度において10〜
30分間加熱することによって実施する。マイクロ波又
は超音波による固定も可能である。次に基体を通常の手
法でラビングした後に、組み立ててディスプレイを形成
する。
℃、好ましくは100〜145℃の温度において10〜
30分間加熱することによって実施する。マイクロ波又
は超音波による固定も可能である。次に基体を通常の手
法でラビングした後に、組み立ててディスプレイを形成
する。
【0033】本発明はまた液晶用配向膜の製造方法に関
する。この方法においては、式Iの化合物を極性の非プ
ロトン性溶媒中に溶解し、スピンコーティングによって
酸化物基体上に塗布し、その後80〜150℃における
熱固定とラビングによる後処理とを実施する。
する。この方法においては、式Iの化合物を極性の非プ
ロトン性溶媒中に溶解し、スピンコーティングによって
酸化物基体上に塗布し、その後80〜150℃における
熱固定とラビングによる後処理とを実施する。
【0034】配向膜は、種々の環サイズの混合物又は異
なる長さのスペーサーを含む同様な化合物の混合物を用
いて構成することもできる。好ましくは、このような混
合物は式(I)化合物1〜5種を含む。二重化スペーサ
ーシロケイン(silocane)官能基を含むジアゾクラウンを
用いることもできる。
なる長さのスペーサーを含む同様な化合物の混合物を用
いて構成することもできる。好ましくは、このような混
合物は式(I)化合物1〜5種を含む。二重化スペーサ
ーシロケイン(silocane)官能基を含むジアゾクラウンを
用いることもできる。
【0035】上記式(I)化合物を用いて得られる効果
と同じ効果は、反応性ケイ素含有基を両端に含む鎖状分
子を用いても得ることができる。酸化物基体に固定した
後に、これらの化合物は基体と共にループを形成する。
と同じ効果は、反応性ケイ素含有基を両端に含む鎖状分
子を用いても得ることができる。酸化物基体に固定した
後に、これらの化合物は基体と共にループを形成する。
【0036】このような鎖状分子の例は、2末端アミノ
基を含むポリエーテル[例えば、ジェファミン(Jeffami
ne)(登録商標)−400、テキサコ(Texaco)からの商
品]と例えばイソシアナトシロキサン2モルとの反応生
成物である:
基を含むポリエーテル[例えば、ジェファミン(Jeffami
ne)(登録商標)−400、テキサコ(Texaco)からの商
品]と例えばイソシアナトシロキサン2モルとの反応生
成物である:
【化6】 (式中、n=1〜10)。
【0037】例えばガラス表面に塗布すると、2個のア
ンカー基(SiOEt3)はこの表面と共にループを閉
じる。
ンカー基(SiOEt3)はこの表面と共にループを閉
じる。
【0038】
【実施例】以下に、本発明を実施例によってさらに詳し
く説明する。
く説明する。
【0039】実施例1 N−(アザ−18−クラウン−6)−11−(トリエト
キシシリル)ウンデシルカルボキサミド ジクロロメタン30ml中の1−アザ−18−クラウン
−6 9gとトリエチルアミン8mlとの溶液を、ジク
ロロメタン70ml中の10−ウンデセニルカルボニル
クロリド4mlに滴加する。この混合物を最初に氷水に
よって冷却し、次に室温において6時間撹拌する。塩酸
トリエチルアンモニウムの沈殿をフリットを介しての吸
引によって濾別し、濾液を蒸発させる。
キシシリル)ウンデシルカルボキサミド ジクロロメタン30ml中の1−アザ−18−クラウン
−6 9gとトリエチルアミン8mlとの溶液を、ジク
ロロメタン70ml中の10−ウンデセニルカルボニル
クロリド4mlに滴加する。この混合物を最初に氷水に
よって冷却し、次に室温において6時間撹拌する。塩酸
トリエチルアンモニウムの沈殿をフリットを介しての吸
引によって濾別し、濾液を蒸発させる。
【0040】残渣14.7gを、溶離剤としてジクロロ
メタン:メタノール=19:1を用いるシリカゲル上で
のカラムクロマトグラフィーによって精製して、GCに
よって98%純度のN−(アザ−18−クラウン−6)
−10−ウンデセニルカルボキサミド8.5gを得る。
メタン:メタノール=19:1を用いるシリカゲル上で
のカラムクロマトグラフィーによって精製して、GCに
よって98%純度のN−(アザ−18−クラウン−6)
−10−ウンデセニルカルボキサミド8.5gを得る。
【0041】この3.12gをアルゴンのブランケット
下の乾燥フラスコ中の無酸素トルエン40ml中に溶解
し、トリエトキシ−H−シラン1.5mlと触媒として
のテトラメチルジビニルシロキサン/白金とを加え、混
合物をAr下で72時間還流させる。次にこの暗色溶液
から溶媒を除去し、溶離剤としてジクロロメタン:イソ
プロパノール=19:1を用いて、シリカゲル上でクロ
マトグラフィーして、GCによって94.7%純度のN
−(アザ−18−クラウン−6)−11−トリエトキシ
シリルウンデシルカルボキサミド1.4gを得る。
下の乾燥フラスコ中の無酸素トルエン40ml中に溶解
し、トリエトキシ−H−シラン1.5mlと触媒として
のテトラメチルジビニルシロキサン/白金とを加え、混
合物をAr下で72時間還流させる。次にこの暗色溶液
から溶媒を除去し、溶離剤としてジクロロメタン:イソ
プロパノール=19:1を用いて、シリカゲル上でクロ
マトグラフィーして、GCによって94.7%純度のN
−(アザ−18−クラウン−6)−11−トリエトキシ
シリルウンデシルカルボキサミド1.4gを得る。
【0042】IR(KCl):C=O 1700cm-1
まで、NH(広幅) 3300cm-1まで。
まで、NH(広幅) 3300cm-1まで。
【0043】NMR:四重項 3.78ppm,領域6 三重項 1.15ppm,領域9 −OC2H5 多重項 3.70ppm,領域24 アザクラウン 三重項 2.25ppm,領域2 多重項 1.30ppm,領域16。
【0044】実施例2 (トリエトキシシリルプロピル)アザ−18−クラウン
−6−尿素
−6−尿素
【化7】 イソシアナトプロピルトリエトキシシラン1mlを、ジ
オキサン10ml中に溶解した1−アザ−18−クラウ
ン−6 1gに加え、混合物を100℃において3時間
加温する。
オキサン10ml中に溶解した1−アザ−18−クラウ
ン−6 1gに加え、混合物を100℃において3時間
加温する。
【0045】3時間後に、IRの1250cm-1におけ
るイソシアネート帯は消失し、尿素−C=O帯が167
0cm-1に出現する。溶媒を留去した後に、生成物を溶
離剤としてCH2Cl2:エタノール=9:1を用いるS
iO2上でのクロマトグラフィーによって精製して、9
4%純度(GCによる)の物質1.1gを得る。
るイソシアネート帯は消失し、尿素−C=O帯が167
0cm-1に出現する。溶媒を留去した後に、生成物を溶
離剤としてCH2Cl2:エタノール=9:1を用いるS
iO2上でのクロマトグラフィーによって精製して、9
4%純度(GCによる)の物質1.1gを得る。
【0046】NMRスペクトルは次の通りである: 三重項 6.0ppm,領域1,NH 四重項 3.8ppm,領域6,−O−CH2−CH3 三重項 1.15ppm,領域9,−O−CH2−CH3 多重項 3.7ppm,領域24,アザクラウン 四重項 3.05ppm,領域2,N−CH2− 多重項 1.5ppm,領域2,プロピルラジカル 多重項 0.6ppm,領域2,Si−CH2 1−アザ−15−クラウン−5から出発して、同じプロ
セスによりアザ−15−クラウン−5を含む対応化合物
を生成する。
セスによりアザ−15−クラウン−5を含む対応化合物
を生成する。
【0047】実施例3 N,N’−ビス(1,10−ジアザ−18−クラウン−
6)トリエトキシシリルプロピル尿素 1,10−ジアザ−18−クラウン−6 0.5gをT
HF10ml中に溶解し、イソシアナトプロピルトリメ
トキシシラン1.0mlを加え、混合物を8時間還流さ
せる。次に、THFを留去し、残渣をCH2Cl2:エタ
ノール=9:1を用いて、SiO2上でクロマトグラフ
ィーして、所望のジアダクツ(di-adduct)90%(GC
による)とモノアダクツ(mono-adduct)10%とを含む
液体0.8gのフラクションを得る。さらにクロマトグ
ラフィーすると、所望のジアダクツが>95%純度で得
られる。
6)トリエトキシシリルプロピル尿素 1,10−ジアザ−18−クラウン−6 0.5gをT
HF10ml中に溶解し、イソシアナトプロピルトリメ
トキシシラン1.0mlを加え、混合物を8時間還流さ
せる。次に、THFを留去し、残渣をCH2Cl2:エタ
ノール=9:1を用いて、SiO2上でクロマトグラフ
ィーして、所望のジアダクツ(di-adduct)90%(GC
による)とモノアダクツ(mono-adduct)10%とを含む
液体0.8gのフラクションを得る。さらにクロマトグ
ラフィーすると、所望のジアダクツが>95%純度で得
られる。
【0048】 NMR:三重項 5.9ppm,領域1,NH 四重項 3.8ppm,領域6,−OC2H5 三重項 1.2ppm,領域9,−OC2H5 多重項 3.7ppm,領域12,アザクラウン 四重項 3.05ppm,領域2,プロピルラジカル 多重項 1.5ppm,領域2,プロピルラジカル 多重項 0.6ppm,領域2,プロピルラジカル実施例4 8−シクロヘキサデセニル 3−トリエトキシシリルプ
ロピルカルバメート エタノール中でのNaBH4を用い
た8−シクロヘキサデセン−1−オンの還元によって製
造される8−シクロヘキサデセン−1−オール0.9g
に、3−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン1m
lとトリエチルアミン50mgとを加え、混合物を80
℃に24時間保持する。低沸点成分を90℃/0.1ミ
リバールにおいて除去する。残渣は冷却時に凝固して、
ワックスを形成し、IRスペクトルにイソシアネート帯
の痕跡のみを示すが、その代わりに、−O−CO−NH
−基の強い吸収帯(1700cm-1)を示す。1H−N
MR:δ=3.1(q,2H,−NHCH2);4.8
(m,1H,−CHO−CO−);5.2(m,2H,
−CH=CH−);0.6(m,CH2Si)。GLC
によると、この化合物は(補外)沸点427℃を有す
る。
ロピルカルバメート エタノール中でのNaBH4を用い
た8−シクロヘキサデセン−1−オンの還元によって製
造される8−シクロヘキサデセン−1−オール0.9g
に、3−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン1m
lとトリエチルアミン50mgとを加え、混合物を80
℃に24時間保持する。低沸点成分を90℃/0.1ミ
リバールにおいて除去する。残渣は冷却時に凝固して、
ワックスを形成し、IRスペクトルにイソシアネート帯
の痕跡のみを示すが、その代わりに、−O−CO−NH
−基の強い吸収帯(1700cm-1)を示す。1H−N
MR:δ=3.1(q,2H,−NHCH2);4.8
(m,1H,−CHO−CO−);5.2(m,2H,
−CH=CH−);0.6(m,CH2Si)。GLC
によると、この化合物は(補外)沸点427℃を有す
る。
【0049】実施例5 クロロジメチルシリルメチルシクロヘキサデク−8−エ
ン n−ブチルリチウム(ヘキサン中1.55モル)20m
lとジエチルエーテル60mlとの混合物に、トリフェ
ニルメチルホスホニウムブロミド10.7gを室温にお
いて加える。この混合物を室温において4時間保持した
後に、8−シクロヘキサデセン−1−オン7.3gを滴
加し、混合物を18時間還流させる。濾過後に、溶媒を
留去し、残渣をクロマトグラフィー(SiO2、ヘキサ
ン/酢酸エチル95:5)によって精製し、1−メチレ
ン−8−シクロヘキサデセン2.5gを得て、1H−N
MRスペクトルによって確認する: δ=5.2(t,−CH=CH−);δ=4.75
(s,C=CH2) 上記化合物2.5gを、圧力容器内で、ジメチルクロロ
シラン2.0mlと白金/ジビニルテトラメチルジシロ
キサン複合体(キシレン中10%)0.5mlと共に、
60℃において24時間加温する。蒸留によって沸点1
05〜110℃/0.01ミリバールの生成物3.1g
が得られる;1H−NMR:δ=5.2(m,2H,−
CH=CH−);0.85(m,2H,−CH2S
i);0.3(s,6H,−CH3)。
ン n−ブチルリチウム(ヘキサン中1.55モル)20m
lとジエチルエーテル60mlとの混合物に、トリフェ
ニルメチルホスホニウムブロミド10.7gを室温にお
いて加える。この混合物を室温において4時間保持した
後に、8−シクロヘキサデセン−1−オン7.3gを滴
加し、混合物を18時間還流させる。濾過後に、溶媒を
留去し、残渣をクロマトグラフィー(SiO2、ヘキサ
ン/酢酸エチル95:5)によって精製し、1−メチレ
ン−8−シクロヘキサデセン2.5gを得て、1H−N
MRスペクトルによって確認する: δ=5.2(t,−CH=CH−);δ=4.75
(s,C=CH2) 上記化合物2.5gを、圧力容器内で、ジメチルクロロ
シラン2.0mlと白金/ジビニルテトラメチルジシロ
キサン複合体(キシレン中10%)0.5mlと共に、
60℃において24時間加温する。蒸留によって沸点1
05〜110℃/0.01ミリバールの生成物3.1g
が得られる;1H−NMR:δ=5.2(m,2H,−
CH=CH−);0.85(m,2H,−CH2S
i);0.3(s,6H,−CH3)。
【0050】使用例 試験セルの製造 本発明による配向膜の有利な性質を実証するために、試
験セルを製造し、強誘電性液晶混合物を充填した後に、
試験する。
験セルを製造し、強誘電性液晶混合物を充填した後に、
試験する。
【0051】このために、インジウム−スズ酸化物(I
TO)を塗布し、組織化した(structured)ガラスプレー
トを、超音波浴において60℃で、最初は界面活性剤水
溶液中で、その後、ミリポアフィルター(Millipore fil
ter)ユニットを通して予め精製した水中で2回洗浄す
る。ガラス基体を熱風によって乾燥させた後に、これら
のガラス基体に1−メトキシ−2−プロパノール中に溶
解した本発明による適当な化合物(0.01%重量濃
度)をコーティングする。コーティングはスピンコータ
ーにより実施されるが、他の方法、例えばプリンティン
グ、吹付け又はディップコーティング等を用いて実施す
ることもできる。ガラス基体上にこの溶液を滴下し、5
00rpmで5秒間予回転させた後、4000rpmで
30秒間主要回転させる。湿った膜を150℃において
30分間乾燥させる。次に乾燥した膜を超音波浴におい
てイソプロピルアルコールによって5分間すすぎ洗い
し、ベルベット様物質によってラビングし、基体を共に
結合させて、本発明によるセルを形成する。
TO)を塗布し、組織化した(structured)ガラスプレー
トを、超音波浴において60℃で、最初は界面活性剤水
溶液中で、その後、ミリポアフィルター(Millipore fil
ter)ユニットを通して予め精製した水中で2回洗浄す
る。ガラス基体を熱風によって乾燥させた後に、これら
のガラス基体に1−メトキシ−2−プロパノール中に溶
解した本発明による適当な化合物(0.01%重量濃
度)をコーティングする。コーティングはスピンコータ
ーにより実施されるが、他の方法、例えばプリンティン
グ、吹付け又はディップコーティング等を用いて実施す
ることもできる。ガラス基体上にこの溶液を滴下し、5
00rpmで5秒間予回転させた後、4000rpmで
30秒間主要回転させる。湿った膜を150℃において
30分間乾燥させる。次に乾燥した膜を超音波浴におい
てイソプロピルアルコールによって5分間すすぎ洗い
し、ベルベット様物質によってラビングし、基体を共に
結合させて、本発明によるセルを形成する。
【0052】用いた配向膜は下記のシランであり、これ
らを上記方法で塗布する:
らを上記方法で塗布する:
【化8】 実施例:測定例(本発明による配向膜の特性化) 本発明による配向膜を強誘電性液晶混合物を用いて特性
化する。本発明による配向膜を含む試験セル中の液晶の
配向;マトリックスディスプレイの動作をシミュレート
する短アドレッシングパルスの印加時の液晶のスイッチ
ング挙動、及び明暗スイッチング状態における透過率の
比である光学的コントラストを評価する。
化する。本発明による配向膜を含む試験セル中の液晶の
配向;マトリックスディスプレイの動作をシミュレート
する短アドレッシングパルスの印加時の液晶のスイッチ
ング挙動、及び明暗スイッチング状態における透過率の
比である光学的コントラストを評価する。
【0053】本発明による配向膜を、最初に述べたシェ
ブロン構造とブックシェルフもしくは準ブックシェルフ
構造との両方で用いる。ブックシェルフ構造はシェブロ
ン構造から出発して、約10Hz、約10〜15V/μ
mの振幅の矩形電圧を印加することによって誘導され
る。フォトダイオードを付加的に取り付けた偏光顕微鏡
の光路にセルを配置する。このフォトダイオードはスト
レージオシロスコープに接続し、液晶セルの光の透過率
の記録を可能にする。
ブロン構造とブックシェルフもしくは準ブックシェルフ
構造との両方で用いる。ブックシェルフ構造はシェブロ
ン構造から出発して、約10Hz、約10〜15V/μ
mの振幅の矩形電圧を印加することによって誘導され
る。フォトダイオードを付加的に取り付けた偏光顕微鏡
の光路にセルを配置する。このフォトダイオードはスト
レージオシロスコープに接続し、液晶セルの光の透過率
の記録を可能にする。
【0054】下流に電圧増幅器を備えた、自由にプログ
ラム可能な関数発生器により、スイッチングに必要なス
イッチングパルスを試験セルに供給する。種々のパルス
形は、コンピューターインターフェースを介して関数発
生器に対して定義することができる。用いるパルス形の
1つは、マトリックスディスプレイに用いられる1−ピ
クセル試験セルの動作をシミュレートする。列電圧及び
行電圧間の比(データパルス)はこの場合に重要なパラ
メーターであり、バイアス比として定義される。この比
はできるだけ大きくあるべきである。対応する高いコン
トラストは低いデータパルス振幅においてのみ可能とな
るからである。
ラム可能な関数発生器により、スイッチングに必要なス
イッチングパルスを試験セルに供給する。種々のパルス
形は、コンピューターインターフェースを介して関数発
生器に対して定義することができる。用いるパルス形の
1つは、マトリックスディスプレイに用いられる1−ピ
クセル試験セルの動作をシミュレートする。列電圧及び
行電圧間の比(データパルス)はこの場合に重要なパラ
メーターであり、バイアス比として定義される。この比
はできるだけ大きくあるべきである。対応する高いコン
トラストは低いデータパルス振幅においてのみ可能とな
るからである。
【0055】他の重要なパラメーターとして、有効傾き
角が配向膜の特性化に用いられる。スメクチック層のブ
ックシェルフ構造に対しては、傾き角の2倍がスイッチ
ング角に等しい。シェブロン構造の有効傾き角は傾斜し
た層構造のため、分子の傾き角(層の法線に対する分子
の傾斜)より小さい。
角が配向膜の特性化に用いられる。スメクチック層のブ
ックシェルフ構造に対しては、傾き角の2倍がスイッチ
ング角に等しい。シェブロン構造の有効傾き角は傾斜し
た層構造のため、分子の傾き角(層の法線に対する分子
の傾斜)より小さい。
【0056】いわゆるツイスト又はベンド状態は有効傾
き角をさらに減少させる。この場合に暗スイッチング状
態で観察される青みを帯びた色と明状態における低い透
過率とのため、コントラストは極度に低下する。
き角をさらに減少させる。この場合に暗スイッチング状
態で観察される青みを帯びた色と明状態における低い透
過率とのため、コントラストは極度に低下する。
【0057】ブックシェルフ構造における有効傾き角は
非常に大きく、従って明状態はより高い明度によって特
徴づけられる。しかし、ツイスト状態の出現は再び、こ
の場合のコントラストをかなり低下させる。本発明によ
る配向膜はツイスト状態の形成を実質的に抑制すること
ができる。
非常に大きく、従って明状態はより高い明度によって特
徴づけられる。しかし、ツイスト状態の出現は再び、こ
の場合のコントラストをかなり低下させる。本発明によ
る配向膜はツイスト状態の形成を実質的に抑制すること
ができる。
【0058】用いるFLC混合物M1は下記組成(モル
%)を有し:
%)を有し:
【化9】 かつ相系列:SC* 65 SA 73 N* 86 I
及び25℃において38nC・cm-2の自発分極を有す
る。
及び25℃において38nC・cm-2の自発分極を有す
る。
【0059】液晶の有効傾き角は、セルの充填直後に形
成されるシェブロン構造において評価する。これに対し
て、マルチプレックス及びスイッチング特性は、シェブ
ロン構造から矩形電圧(10Hz、10〜15V/μ
m、30秒間)を印加することによって得られるブック
シェルフもしくは準ブックシェルフ構造において測定す
る。
成されるシェブロン構造において評価する。これに対し
て、マルチプレックス及びスイッチング特性は、シェブ
ロン構造から矩形電圧(10Hz、10〜15V/μ
m、30秒間)を印加することによって得られるブック
シェルフもしくは準ブックシェルフ構造において測定す
る。
【0060】本発明による配向膜を含む試験セルに強誘
電性液晶混合物M1を充填する。用いた基準例は配向膜
としてラビングしたITO電極を含むセルである。結果
は表1に示す。
電性液晶混合物M1を充填する。用いた基準例は配向膜
としてラビングしたITO電極を含むセルである。結果
は表1に示す。
【0061】
【表1】 本発明による配向膜(AF)の特性化 AF1 AF2 AF3 基準(ラビング したITO電極) 有効傾き角 10゜ 10゜ 10゜ 8゜ ツイスト状態 なし なし なし あり/場合によって マルチプレックス 約5 約4 約5 マルチプレックス 条件下での最大バイアス 不可能
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07F 7/18 S 7/02 A G02F 1/1337 530 9225−2K // C08J 5/12 9267−4F
Claims (13)
- 【請求項1】式(I): CY−SP−RG (I) [式中、 CYは8個以上の環要素を有する中環状又は大環状炭素
環であり、この環は融合ベンゼン環及び、ヘテロ原子と
しての−O−、−N−、−S−、−Si−及び−B−を
含むこともできる;SPは炭素数1〜20のアルキル基
であり、ここで1個以上の非隣接−CH2−基が−O
−、−S−、−CO−、−O−CO−、−NH−CO
−、−O−COO−、−NH−CO−NH−、−NH−
CO−O−、−SO2−、−Si(CH3)2−、−CH
=CH−又は−C≡C−によって置換されることができ
る;RGは−SiX1X2X3であり、ここでX1はC1−C
10アルコキシ、F、Cl又はBrであり、X2及びX3は
互いに独立的にC1−C10アルキル、C1−C10アルコキ
シ、Cl又はBrである;但し下記化合物: 【化1】 は除く]で示されるケイ素含有カップリング試薬。 - 【請求項2】ラジカルCYが環要素12〜30個、特に
15〜27個を有する炭素環であり、ここで1〜4個の
ベンゼン環が環に融合していることも可能であり、1個
以上の酸素及び/又は窒素原子が存在することも可能で
ある、請求項1記載のケイ素含有カップリング試薬。 - 【請求項3】式I中のラジカルCYが次のいずれかの
基: 【化2】 である請求項1又は2に記載の請求項1記載のケイ素含
有カップリング試薬。 - 【請求項4】液晶用の配向膜の製造のために請求項1記
載の式Iのケイ素含有カップリング試薬を使用する方
法。 - 【請求項5】式II: CY−SP−An (II) [式中、CY及びSPは式Iで定義した通りであり、An
はSiX1X2X3であり、ここでX1は単結合であり、X
2及びX3は互いに独立的に単結合又はC1−C10アルキ
ル又はC1−C10アルコキシ基である]で示される化合
物を1個以上含み、ここで式IIの化合物がAn基の単
結合を介して酸化物層に結合している液晶用配向膜。 - 【請求項6】ラジカルCYが環要素12〜30個、特に
15〜27個を有する炭素環であり、1〜4個のベンゼ
ン環が融合することも可能であり、1個以上の酸素及び
/又は窒素原子が存在することも可能である請求項5記
載の液晶用配向膜。 - 【請求項7】式I中のラジカルCYが、 【化3】 である請求項5又は6に記載の液晶用配向膜。
- 【請求項8】液晶が強誘電性である請求項5〜7のいず
れかに記載の液晶用配向膜。 - 【請求項9】基体又は電極に直接塗布される請求項5〜
8のいずれかに記載の液晶用配向膜。 - 【請求項10】絶縁層に塗布される請求項5〜8のいず
れかに記載の液晶用配向膜。 - 【請求項11】2個の反応性ケイ素含有基を介して酸化
物基体に結合し、この基体と共にループを形成する鎖状
分子を含む液晶用配向膜。 - 【請求項12】液晶用配向膜の製造方法であって、請求
項1における式Iの化合物を極性の非プロトン性溶媒中
に溶解し、スピンコーティングによって酸化物基体上に
塗布し、その後80〜150℃における熱固定及びラビ
ングによる後処理とを実施する方法。 - 【請求項13】請求項5〜11のいずれかに記載の配向
膜を含む電気光学的スイッチング及びディスプレイ装
置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4305970:8 | 1993-02-26 | ||
DE19934305970 DE4305970A1 (de) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Cyclische Strukturelemente enthaltende Silan-Koppler als Orientierungsfilme |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06329686A true JPH06329686A (ja) | 1994-11-29 |
Family
ID=6481412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3016294A Pending JPH06329686A (ja) | 1993-02-26 | 1994-02-28 | 環状構造要素を含むシランカップリング剤 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5702777A (ja) |
EP (1) | EP0612755A1 (ja) |
JP (1) | JPH06329686A (ja) |
KR (1) | KR940019836A (ja) |
DE (1) | DE4305970A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020014996A (ko) * | 2000-06-26 | 2002-02-27 | 포만 제프리 엘 | 개선된 액정 디스플레이 |
WO2009148099A1 (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-10 | 日産化学工業株式会社 | ケイ素系液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5578351A (en) * | 1995-01-20 | 1996-11-26 | Geo-Centers, Inc. | Liquid crystal composition and alignment layer |
US6517401B1 (en) | 1997-11-18 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for the production of monomolecular chemisorption film, and processes for the production of liquid crystal alignment films and liquid crystal displays by using the chemisorption film |
AUPP373698A0 (en) * | 1998-05-27 | 1998-06-18 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Molecular coatings |
AU747895B2 (en) * | 1998-05-27 | 2002-05-30 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Molecular coatings |
WO2003066646A2 (en) * | 2002-02-07 | 2003-08-14 | Covalent Partners, Llc | Macrocyclic module compositions |
EP1481268A4 (en) * | 2002-02-07 | 2005-06-29 | Covalent Partners Llc | NANOFILM AND MEMBRANE COMPOSITIONS |
US20040106741A1 (en) * | 2002-09-17 | 2004-06-03 | Kriesel Joshua W. | Nanofilm compositions with polymeric components |
WO2005030711A2 (en) * | 2003-08-06 | 2005-04-07 | Covalent Partners Llc | Bridged macrocyclic module compositions |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5133895A (en) * | 1989-03-09 | 1992-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Alignment film for liquid crystal and method for production thereof, as well as liquid crystal display device utilizing said alignment film and method for production thereof |
DE4012750A1 (de) * | 1990-04-21 | 1991-10-24 | Hoechst Ag | Ferroelektrisches fluessigkristalldisplay mit hohem kontrast und hoher helligkeit |
DE4127287A1 (de) * | 1991-08-17 | 1993-02-18 | Hoechst Ag | Verwendung von zusatzstoffen in orientierungsschichten von flc-displays zur reduzierung der optischen hysterese |
TW226994B (ja) * | 1991-08-21 | 1994-07-21 | Hoechst Ag |
-
1993
- 1993-02-26 DE DE19934305970 patent/DE4305970A1/de not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-02-22 EP EP19940102630 patent/EP0612755A1/de not_active Withdrawn
- 1994-02-25 KR KR1019940003428A patent/KR940019836A/ko not_active Application Discontinuation
- 1994-02-28 JP JP3016294A patent/JPH06329686A/ja active Pending
-
1996
- 1996-05-20 US US08/650,591 patent/US5702777A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020014996A (ko) * | 2000-06-26 | 2002-02-27 | 포만 제프리 엘 | 개선된 액정 디스플레이 |
WO2009148099A1 (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-10 | 日産化学工業株式会社 | ケイ素系液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
JP5578074B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2014-08-27 | 日産化学工業株式会社 | ケイ素系液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940019836A (ko) | 1994-09-15 |
DE4305970A1 (de) | 1994-09-01 |
EP0612755A1 (de) | 1994-08-31 |
US5702777A (en) | 1997-12-30 |
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