JPH06326465A - Manufacture of multilayer board - Google Patents
Manufacture of multilayer boardInfo
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- JPH06326465A JPH06326465A JP5111620A JP11162093A JPH06326465A JP H06326465 A JPH06326465 A JP H06326465A JP 5111620 A JP5111620 A JP 5111620A JP 11162093 A JP11162093 A JP 11162093A JP H06326465 A JPH06326465 A JP H06326465A
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- dummy pattern
- insulating layer
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は半導体デバイスなどを
実装する回路基板に関するもので、特に多層基板の製造
方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit board on which a semiconductor device or the like is mounted, and more particularly to a method for manufacturing a multilayer board.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に多層基板を製造する場合、基板に
銅などの導体パターンを形成した後にポリイミドなどの
絶縁体をコーティングし、レーザあるいはその他のエッ
チング方法で導通穴を形成し、これらの処理の繰り返し
で数層から数十層の多層構造を作りあげていく。例えば
図9は刊行物(「電子材料」5,p54(1990))
に示された従来の多層基板の製造方法を工程順に示す断
面図であり、図9(a)は工程Aすなわち基板のダイシ
ング工程、図9(b)は工程Bすなわち一層目の導体パ
ターン形成工程、図9(c)は工程Eすなわち一層目の
絶縁層の形成工程、図9(d)は工程Gすなわち導通穴
形成とダイシングライン上の絶縁体除去工程、図9
(e)は工程Hすなわち二層目の導体パターンの形成工
程、図9(f)は工程Iすなわち上記処理の繰り返しに
より形成された多層基板、図9(g)は工程Kすなわち
ダイシングにより個々に切断された多層基板のそれぞれ
を示す断面図である。図において、3は導通穴を開ける
ためのレーザ、4は銅などの導体、5はポリイミドなど
の絶縁層、6はシリコンなどの基板、7はレーザを遮る
マスクである。2. Description of the Related Art Generally, when manufacturing a multi-layer substrate, a conductor pattern such as copper is formed on the substrate, an insulator such as polyimide is coated on the substrate, and a through hole is formed by laser or other etching method. Repeatedly build up a multi-layer structure of several layers to several tens of layers. For example, Fig. 9 is a publication ("Electronic Materials" 5, p54 (1990))
9A to 9C are cross-sectional views showing a method of manufacturing the conventional multilayer substrate shown in FIG. 1 in order of steps, wherein FIG. 9A is a step A, that is, a substrate dicing step, and FIG. 9B is a step B, that is, a first-layer conductor pattern forming step. 9C is a step E, that is, a step of forming a first insulating layer, and FIG. 9D is a step G, that is, a step of forming a conductive hole and an insulator removing step on a dicing line.
9E is a step H, that is, a step of forming a second-layer conductor pattern, FIG. 9F is a step I, that is, a multilayer substrate formed by repeating the above process, and FIG. It is sectional drawing which shows each of the cut | disconnected multilayer substrate. In the figure, 3 is a laser for opening a conduction hole, 4 is a conductor such as copper, 5 is an insulating layer such as polyimide, 6 is a substrate such as silicon, and 7 is a mask that blocks the laser.
【0003】このようなプロセスで形成された多層基板
は小面積に多くの回路を形成できるため、高密度実装が
可能となり、電子デバイスの小型化、高速化に適してい
るため精力的に開発が進められている。Since a multi-layer substrate formed by such a process can form many circuits in a small area, it enables high-density mounting and is suitable for downsizing and speeding up of electronic devices. It is being advanced.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来の多層基板は以上
のように製造されているので、多層化を行なっていくう
ちに下層の導体パターン4の凸部が上層に影響し、これ
が積算されて導体パターン4の形状がくずれて信頼性が
低下したり、導体パターン4が形成できないという問題
点があった。Since the conventional multilayer substrate is manufactured as described above, the convex portions of the conductor pattern 4 in the lower layer affect the upper layer as the layers are made into multiple layers, and these are accumulated. There are problems that the shape of the conductor pattern 4 is broken and the reliability is lowered, or the conductor pattern 4 cannot be formed.
【0005】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、絶縁層5の凸部を除去でき、平
坦化ができることによって多層化が容易にできるととも
に、信頼性の高い基板が得られるような製造方法を提供
することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and the projections of the insulating layer 5 can be removed, and the flattening can be performed, so that a multilayer can be easily formed and a highly reliable substrate can be obtained. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method capable of obtaining
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係る多
層基板の製造方法は、基板に導体パターンを形成する工
程、上記導体パターン上に絶縁層を形成する工程、およ
び上記基板端部に上記導体パターンより突出してレーザ
光を遮るマスクを配置し、上記基板に並行にレーザ光を
照射して上記マスクを通過したレーザ光により上記マス
クより突出している絶縁層を除去する工程を施すもので
ある。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multi-layer substrate, including a step of forming a conductor pattern on the substrate, a step of forming an insulating layer on the conductor pattern, and an end portion of the substrate. A mask that projects from the conductor pattern and blocks the laser light is arranged, and the step of removing the insulating layer protruding from the mask by irradiating the substrate with the laser light in parallel and passing through the mask is performed. is there.
【0007】また、請求項2の発明に係る多層基板の製
造方法は、基板に少なくとも一面が所定角度で傾斜した
溝を設ける工程、上記基板に導体パターンを形成する工
程、上記溝の傾斜部と対向する基板上に上記導体パター
ンより突出しレーザ光を遮る端部ダミーパターンを形成
する工程、上記溝の傾斜部に上記端部ダミーパターンよ
り突出しレーザ光を反射する傾斜部ダミーパターンを形
成する工程、上記導体パターン上に絶縁層を形成する工
程、および上記傾斜部ダミーパターンにレーザ光を照射
して上記基板に並行な反射レーザ光を得、この反射レー
ザ光により上記端部ダミーパターンより突出している絶
縁層を除去する工程を施すものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multi-layer substrate, wherein at least one surface of the substrate is provided with a groove inclined at a predetermined angle, a step of forming a conductor pattern on the substrate, and an inclined portion of the groove. A step of forming an end dummy pattern projecting from the conductor pattern on the opposing substrate and blocking laser light, a step of forming an inclined dummy pattern projecting from the end dummy pattern and reflecting a laser beam on the inclined part of the groove, A step of forming an insulating layer on the conductor pattern and irradiating the inclined part dummy pattern with a laser beam to obtain a reflected laser beam parallel to the substrate, and the reflected laser beam projects from the end dummy pattern. The step of removing the insulating layer is performed.
【0008】さらに、請求項3の発明に係る多層基板の
製造方法は、基板に導体パターンを形成する工程、上記
基板に上記導体パターンより突出しレーザ光を遮るダミ
ーパターンを形成する工程、上記導体パターン上に絶縁
層を形成する工程、および上記ダミーパターン近傍に傾
斜させて挿入したミラーにレーザ光を照射して上記基板
に並行な反射レーザ光を得、この反射レーザ光により上
記ダミーパターンより突出している絶縁層を除去する工
程を施すものである。Further, in the method for manufacturing a multilayer substrate according to the invention of claim 3, the step of forming a conductor pattern on the substrate, the step of forming a dummy pattern protruding from the conductor pattern and blocking laser light on the substrate, the conductor pattern The step of forming an insulating layer on the above and irradiating a laser beam to a mirror inserted at a tilt in the vicinity of the dummy pattern to obtain a reflected laser beam parallel to the substrate, and this reflected laser beam causes the reflected laser beam to project from the dummy pattern. The step of removing the existing insulating layer is performed.
【0009】[0009]
【作用】請求項1の発明における多層基板の製造方法に
よれば、基板側面から基板に並行に照射されたレーザ光
の一部がマスクに遮られ、マスクを通過したレーザ光に
より絶縁層の凸部が除去され、導体パターン上の極薄い
絶縁膜のみが均一に残るため平坦化が達成される。According to the method of manufacturing a multilayer substrate in the first aspect of the invention, a part of the laser light radiated parallel to the substrate from the side surface of the substrate is shielded by the mask, and the insulating layer is projected by the laser light passing through the mask. The portions are removed, and only the extremely thin insulating film on the conductor pattern remains uniformly, so that planarization is achieved.
【0010】また、請求項2の発明における多層基板の
製造方法によれば、傾斜部ダミーパターンで反射した基
板に並行なレーザ光により絶縁層が除去される。このと
き端部ダミーパターンにより余分のレーザ光は遮られる
ため、導体パターン上の極薄い絶縁層のみが均一に残る
ため高精度に平坦化が達成される。According to the method of manufacturing a multilayer substrate in the second aspect of the invention, the insulating layer is removed by the laser beam parallel to the substrate reflected by the inclined dummy pattern. At this time, since the excess laser light is blocked by the end dummy pattern, only the extremely thin insulating layer on the conductor pattern remains uniformly, so that flattening is achieved with high accuracy.
【0011】さらに、請求項3の発明における多層基板
の製造方法によれば、ミラーで反射した基板に並行なレ
ーザ光により絶縁層が除去される。このときダミーパタ
ーンにより余分のレーザ光は遮られるため、導体パター
ン上の極薄い絶縁層のみが均一に残るため高精度に平坦
化が達成される。Further, according to the method of manufacturing a multilayer substrate in the third aspect of the invention, the insulating layer is removed by the laser light parallel to the substrate reflected by the mirror. At this time, since the extra laser beam is blocked by the dummy pattern, only the extremely thin insulating layer on the conductor pattern remains uniformly, so that the planarization is achieved with high accuracy.
【0012】[0012]
【実施例】実施例1.以下、請求項1の発明の一実施例
を図を用いて説明する。図1は実施例1による多層基板
の製造方法の要部を示す断面図であり、図において、3
は基板6の側面より基板6に並行に照射されたレーザ
光、4は基板6に形成された導体パターン、5は導体パ
ターン上に形成された絶縁体、7は基板6端部に導体パ
ターン4より突出して配置され不要なレーザ光を遮るマ
スクである。EXAMPLES Example 1. An embodiment of the invention of claim 1 will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing the main part of the method for manufacturing a multilayer substrate according to the first embodiment.
Is a laser beam applied parallel to the substrate 6 from the side surface of the substrate 6, 4 is a conductor pattern formed on the substrate 6, 5 is an insulator formed on the conductor pattern, and 7 is a conductor pattern 4 on the end of the substrate 6. It is a mask that is arranged so as to project further and shields unnecessary laser light.
【0013】この発明において、照射されたレーザ光3
は、マスク7により一部遮られ、所望の導体パターン4
上の極薄い絶縁層5のみを均一に残し、マスク7より突
出している余分な絶縁層が除去されるため平坦化が達成
される。In the present invention, the irradiated laser beam 3
Is partially shielded by the mask 7 and the desired conductor pattern 4
Only the extremely thin insulating layer 5 above is left evenly, and the excess insulating layer protruding from the mask 7 is removed, so that planarization is achieved.
【0014】実施例2.またこの発明において、マスク
7は基板6に密着していてもよく、離れていてもよい。
例えば図2に示したケース型のようなものであってもよ
い。Example 2. Further, in the present invention, the mask 7 may be in close contact with the substrate 6 or may be separated therefrom.
For example, the case type shown in FIG. 2 may be used.
【0015】実施例3.さらに、図3において2で示し
たようにダミーパターンを形成し、これをマスクとして
用いてもよい。このダミーパターン2は次の層への導通
路に用いることもできる。かかる後にダミーパターン2
は除去してもよく、残っていても特に問題ない場合残し
てもよい。Example 3. Further, a dummy pattern may be formed as shown by 2 in FIG. 3 and this may be used as a mask. This dummy pattern 2 can also be used as a conductive path to the next layer. After this, the dummy pattern 2
May be removed, or may be left if there is no particular problem.
【0016】なお、レーザ光照射はマスク転写でもよ
く、位置決めを行なったスポット照射でもよい。さらに
ミラーを用いて方向を調整した照射でもよい。The laser beam irradiation may be mask transfer or positioning spot irradiation. Irradiation whose direction is adjusted using a mirror may also be used.
【0017】また、マスク7およびダミーパターン2は
レーザ光3を遮る材質であれば特に限定するものではな
いが、例えばレーザ光3を反射する銅、金、銀、アルミ
ニュウムなどの金属が好ましい。例えば導体パターン4
にめっき銅を用いる場合は、同時に同じ材質で形成すれ
ばよい。また除去するために、絶縁層5より高いエネル
ギー密度が必要なアルミナなどのセラッミクを用いて、
絶縁層5が除去でき、アルミナが除去されないエネルギ
ー密度で照射を行ってもよい。またマスクやダミーパタ
ーンが同時に除去されてもよく、厚みで制御できる場合
は絶縁層5と同質の材料でもよく、他の有機材料でもよ
い。The mask 7 and the dummy pattern 2 are not particularly limited as long as they are materials that shield the laser light 3, but for example, metals such as copper, gold, silver and aluminum that reflect the laser light 3 are preferable. For example, conductor pattern 4
When plated copper is used for the above, it may be formed of the same material at the same time. In addition, in order to remove it, a ceramic such as alumina, which requires a higher energy density than the insulating layer 5, is used.
Irradiation may be performed at an energy density that can remove the insulating layer 5 but does not remove alumina. The mask and the dummy pattern may be removed at the same time, and if the thickness can be controlled, the same material as the insulating layer 5 may be used, or another organic material may be used.
【0018】また、絶縁層5は絶縁特性が良く、コーテ
ィングなどの処理が容易な材質であればよいが、一般に
はポリイミドやエポキシ樹脂のような高分子材料が用い
られる。The insulating layer 5 may be made of any material as long as it has good insulating properties and can be easily treated such as coating, but generally a polymer material such as polyimide or epoxy resin is used.
【0019】さらに、レーザ光3は特に限定するもので
はないが、低熱損傷で、高品質の除去が可能なエキシマ
レーザやYAG高調波などの短波長、短パルスレーザが
好ましい。例えばKrFエキシマレーザを用いた場合、
ポリイミドで形成された絶縁層5を除去するのに数十m
J/cm2〜数十J/cm2のエネルギーを用いればよ
い。Further, the laser light 3 is not particularly limited, but an excimer laser having a low heat damage and capable of high quality removal, a short wavelength laser such as a YAG harmonic, or a short pulse laser is preferable. For example, when using a KrF excimer laser,
Dozens of meters to remove the insulating layer 5 made of polyimide
Energy of J / cm 2 to several tens of J / cm 2 may be used.
【0020】実施例4.次に、請求項2の発明の一実施
例を図を用いて説明する。図4は実施例4による多層基
板の製造方法を工程順に示す断面図であり、図におい
て、1は溝の傾斜部に形成された傾斜部ダミーパター
ン、2は溝の傾斜部と対向する基板上に導体パターン4
より突出して形成された端部ダミーパターンであり、傾
斜部ダミーパターン1は端部ダミーパターン2より突出
して形成されている。図4(a)は工程Aすなわち基板
6をダイシングしてV字状の溝を形成したダイシング工
程を示す断面図、図4(b)は工程Bすなわち一層目の
導体パターン4形成工程を示す断面図、図4(c)は工
程Cすなわちダミーパターン1,2の形成工程を示す断
面図、図4(d)は工程Dすなわち傾斜部ダミーパター
ン1を端部ダミーパターン2より突出するように厚膜化
する工程を示す断面図、図4(e)は工程Eすなわち一
層目の絶縁層5の形成工程を示す断面図、図4(f)は
工程Fすなわちレーザ3照射により、導通穴形成、傾斜
部ダミーパターン1上の絶縁層5除去、および傾斜部ダ
ミーパターン1で反射した基板6に並行な反射レーザ光
により端部ダミーパターン2より突出している絶縁層5
を除去して平坦化を行なう工程を示す断面図、図4
(h)は工程Hすなわち二層目の導体パターンを形成す
る工程を示す断面図、図4(i)は工程Iすなわち上記
プロセスの繰り返しにより形成された多層基板を示す断
面図、図4(j)は工程Jすなわち形成したダミーパタ
ーンを除去する工程を示す断面図、図4(k)は工程K
すなわちダイシングラインをカッティングして個々の基
板を形成する工程を示す断面図である。Example 4. Next, an embodiment of the invention of claim 2 will be described with reference to the drawings. 4A to 4C are cross-sectional views showing a method of manufacturing a multilayer substrate according to a fourth embodiment in the order of steps. In FIG. 4, 1 is a dummy pattern of an inclined portion formed in an inclined portion of a groove, and 2 is a substrate facing the inclined portion of the groove. On conductor pattern 4
The end portion dummy pattern 1 is formed so as to protrude further, and the inclined portion dummy pattern 1 is formed so as to protrude from the end portion dummy pattern 2. 4A is a sectional view showing a step A, that is, a dicing step in which the substrate 6 is diced to form a V-shaped groove, and FIG. 4B is a sectional view showing a step B, that is, a step of forming the conductor pattern 4 of the first layer. FIG. 4C is a sectional view showing the step C, that is, the step of forming the dummy patterns 1 and 2, and FIG. 4D is the step D, that is, the thickness of the inclined dummy pattern 1 so as to protrude from the end dummy pattern 2. 4E is a sectional view showing a step of forming a film, FIG. 4E is a sectional view showing a step E, that is, a step of forming the first insulating layer 5, and FIG. 4F is a step F, that is, forming a conductive hole by irradiating the laser 3. The insulating layer 5 on the inclined dummy pattern 1 is removed, and the insulating layer 5 projected from the end dummy pattern 2 by the reflected laser light parallel to the substrate 6 reflected by the inclined dummy pattern 1.
4 is a cross-sectional view showing a step of removing the surface and performing planarization.
4H is a sectional view showing a step H, that is, a step of forming a second-layer conductor pattern, FIG. 4I is a sectional view showing a step I, that is, a multilayer substrate formed by repeating the above process, and FIG. 4) is a sectional view showing a step J, that is, a step of removing the formed dummy pattern, and FIG.
That is, it is a cross-sectional view showing a step of cutting the dicing lines to form individual substrates.
【0021】この発明において、照射されたレーザ光3
は傾斜部ダミーパターン1により反射されて基板6に並
行に照射され、端部ダミーパターン2により一部遮ら
れ、所望の導体パターン4上の極薄い絶縁層5のみを均
一に残し、余分な絶縁層5が除去されるため平坦化が達
成される。なお、この例においては、レーザ光3を反射
する傾斜部ダミーパターン1および不要な反射レーザ光
を遮る端部ダミーパターン2が基板6の所々(この例で
は各ダイシングライン毎)に設けられているため、レー
ザ光3の放散を防止でき、請求項1のものに比べてより
高精度な平坦化が可能となる。In the present invention, the irradiated laser beam 3
Is reflected by the inclined dummy pattern 1 and is irradiated on the substrate 6 in parallel, and is partially blocked by the end dummy pattern 2, leaving only the extremely thin insulating layer 5 on the desired conductor pattern 4 evenly and eliminating the extra insulation. Planarization is achieved because layer 5 is removed. In this example, an inclined dummy pattern 1 that reflects the laser light 3 and an end dummy pattern 2 that blocks unnecessary reflected laser light are provided in various places on the substrate 6 (each dicing line in this example). Therefore, it is possible to prevent the laser light 3 from being diffused, and it is possible to perform flattening with higher accuracy than in the first aspect.
【0022】また、この発明においては、図4(f)に
示したレーザ照射によって導通穴形成も同時に行なうこ
とができ、製造プロセスが省略できるが、別工程で行っ
てもよい。また端部に形成したダミーパターン2を導通
用に使用してもよい。さらに、図4(j)に示したダミ
ーパターン2の除去行程は残っていても特に問題ない場
合省略してもよい。Further, in the present invention, the conduction hole can be formed at the same time by the laser irradiation shown in FIG. 4F, and the manufacturing process can be omitted, but it may be performed in a separate step. Further, the dummy pattern 2 formed at the end may be used for conduction. Further, the removal process of the dummy pattern 2 shown in FIG. 4 (j) may be omitted if there is no particular problem even if it remains.
【0023】また、レーザ照射はマスク転写でもよく、
位置決めを行なったスポット照射でもよい。さらに、レ
ーザ光3を高精度に基板6に平行に照射するために、あ
らかじめ可視レーザなどを用いて照射位置を調整すれば
尚良い。The laser irradiation may be a mask transfer,
Positioned spot irradiation may also be used. Furthermore, in order to irradiate the laser beam 3 onto the substrate 6 in parallel with high accuracy, it is better to adjust the irradiation position in advance by using a visible laser or the like.
【0024】また、傾斜部ダミーパターン1及び端部ダ
ミーパターン2はレーザ光3を反射する材質であれば特
に限定するものではないが、銅、金、銀、アルミニュウ
ムなどの金属が好ましい。例えば導体パターン4にめっ
き銅を用いる場合は、同時に同じ材質で形成すればよ
い。The inclined dummy pattern 1 and the end dummy pattern 2 are not particularly limited as long as they are materials that reflect the laser beam 3, but metals such as copper, gold, silver and aluminum are preferable. For example, when plated copper is used for the conductor pattern 4, it may be formed of the same material at the same time.
【0025】また、図4(a)に示したダイシングライ
ンは高精度な加工が可能な方法であればどのような方法
でも良いが、例えばシリコン基板の結晶面を利用したエ
ッチングなどにより形成すればよく、幅数百μm程度の
溝を形成すればよい。The dicing line shown in FIG. 4A may be formed by any method as long as it can be processed with high accuracy. For example, if the dicing line is formed by etching using the crystal plane of a silicon substrate. It suffices to form a groove having a width of about several hundred μm.
【0026】実施例5,6 また、この溝すなわちダイシングラインの形状は図4
(a)のものに限らず、少なくとも片側に45゜程度の
傾斜を持てばよく、例えば図5や図6に示したような形
のものでもよい。さらに、この傾斜角はレーザ光3の角
度を変えることができる場合には必ずしも45゜でなく
てもよい。Embodiments 5 and 6 Further, the shape of this groove, that is, the dicing line is shown in FIG.
Not only (a), but at least one side may have an inclination of about 45 °, for example, the shape shown in FIGS. 5 and 6. Further, this inclination angle is not necessarily 45 ° if the angle of the laser beam 3 can be changed.
【0027】実施例7.次に、請求項3の発明の一実施
例を図を用いて説明する。図7は実施例7による多層基
板の製造方法を工程順に示す断面図であり、この例では
ダイシングラインに沿って溝を設けない場合を示してい
る。図において、2は導体パターン4より突出しレーザ
光を遮るダミーパターンであり、この例ではダイシング
ラインに沿って複数個設けられており上記実施例4で示
した端部ダミーパターンと同様のものである。8はダミ
ーパターン2近傍に傾斜させて挿入されてレーザ光3を
反射するミラー、9はレーザ光3を遮るブロックであ
り、ダミーパターン2より突出して反射レーザ光3が隣
の単位基板に達するのを阻止している。図7(a)は工
程Bすなわち一層目の導体パターン4を形成した断面
図、図7(b)は工程Cすなわちダイシングラインに沿
ってダミーパターン2を形成した断面図、図7(c)は
工程Eすなわち一層目の絶縁層5を形成した断面図、図
7(d)はF1工程すなわちレーザ光3照射によりダイ
シングライン上の絶縁膜除去および導通穴を形成した断
面図、図7(e)はF2工程すなわちレーザ光3照射に
より絶縁膜5の平坦化を行なった断面図、図7(f)は
工程Hすなわち二層目の導体パターン4を形成したした
断面図、図7(g)は工程Iすなわち上記プロセスの繰
り返しにより多層化を行なった断面図、図7(h)は工
程Jすなわち形成したダミーパターン2を除去した断面
図、図7(i)は工程Kすなわちダイシングラインをカ
ッティングして個々の基板を形成した断面図である。Example 7. Next, an embodiment of the invention of claim 3 will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing a multilayer substrate according to the seventh embodiment in the order of steps, and in this example, a case where no groove is provided along the dicing line is shown. In the figure, reference numeral 2 denotes a dummy pattern which protrudes from the conductor pattern 4 and shields the laser beam. In this example, a plurality of dummy patterns are provided along the dicing line and are similar to the end dummy patterns shown in the fourth embodiment. . Reference numeral 8 denotes a mirror which is inserted in the vicinity of the dummy pattern 2 with an inclination and reflects the laser light 3, and 9 is a block which blocks the laser light 3 and which projects from the dummy pattern 2 and the reflected laser light 3 reaches an adjacent unit substrate. Is being blocked. 7A is a cross-sectional view of step B, that is, the first-layer conductive pattern 4 is formed, FIG. 7B is a cross-sectional view of step C, that is, the dummy pattern 2 is formed along the dicing line, and FIG. Step E, that is, a sectional view in which the insulating layer 5 of the first layer is formed, and FIG. 7D is a sectional view in which the insulating film on the dicing line is removed and a conduction hole is formed by the irradiation of the laser beam 3 in the F1 step, FIG. 7E. Is a cross-sectional view in which the insulating film 5 is flattened by the F2 process, that is, irradiation with the laser beam 3, FIG. 7F is a cross-sectional view in which the process H is performed, that is, the second-layer conductor pattern 4 is formed, and FIG. Step I, that is, a cross-sectional view in which multilayering is performed by repeating the above process, FIG. 7H is a cross-sectional view in which step J, that is, the formed dummy pattern 2 is removed, and FIG. And packaging is a cross-sectional view of forming the individual substrate.
【0028】この発明において、照射されたレーザ光3
は傾斜させて挿入されたミラー8により反射されて基板
6に平行に照射され、端部ダミーパターン2により一部
遮られ、所望の導体パターン4上の極薄い絶縁層5のみ
を均一に残し、余分な絶縁層が除去されるため平坦化が
達成される。なお、この例においては、不要な反射レー
ザ光を遮る端部ダミーパターン2が基板6の所々(この
例では各ダイシングライン毎)に設けられており1個の
単位基板毎にミラー8とブロック9を挿入してレーザ光
3を照射して平坦化しているため、レーザ光3の放散を
防止でき、請求項1のものに比べてより高精度な平坦化
が可能となる。In the present invention, the irradiated laser beam 3
Is reflected by a mirror 8 inserted at an angle and irradiated parallel to the substrate 6, partially shielded by the end dummy pattern 2, leaving only the ultrathin insulating layer 5 on the desired conductor pattern 4 uniformly. Planarization is achieved because the excess insulating layer is removed. In this example, the end dummy patterns 2 that block unnecessary reflected laser light are provided in various places on the substrate 6 (each dicing line in this example), and the mirror 8 and the block 9 are provided for each unit substrate. Since the laser beam 3 is inserted and is irradiated with the laser beam 3 for flattening, it is possible to prevent the laser beam 3 from being diffused, and it is possible to perform the flattening with higher precision than that of the first aspect.
【0029】またこの発明においては図7(d)の工程
F1に示したようにレーザ光3照射によって導通穴形成
も同時に行なうことができ、製造プロセスが省略できる
が、別工程で行ってもよい。また端部に形成したダミー
パターン2を導通用に使用してもよい。Further, in the present invention, as shown in step F1 of FIG. 7D, the formation of the conductive hole can be simultaneously performed by the irradiation of the laser beam 3 and the manufacturing process can be omitted, but it may be performed in another step. . Further, the dummy pattern 2 formed at the end may be used for conduction.
【0030】また、レーザ光3照射はマスク転写でもよ
く、位置決めを行なったスポット照射でもよい。Irradiation of the laser beam 3 may be mask transfer or spot irradiation with positioning.
【0031】また、回路形成前にあらかじめダイシング
ラインを形成して、図7(i)の工程Kに示したプロセ
スでカッティングを行ってもよい。Alternatively, a dicing line may be formed in advance before forming a circuit, and cutting may be performed by the process shown in step K of FIG. 7 (i).
【0032】さらに、図7(e)の工程F2において、
レーザ光3が隣接のパターンに悪影響を与えない場合は
ブロック9は無くてもよい。Further, in step F2 of FIG.
If the laser beam 3 does not adversely affect the adjacent pattern, the block 9 may be omitted.
【0033】また、ミラー8はレーザ光を反射する材質
であれば特に限定するものではないが、例えば合成石英
板などに誘電体を多層に蒸着した誘電体多層膜などの反
射率の高いものが好ましい。The mirror 8 is not particularly limited as long as it is a material that reflects laser light, but a material having a high reflectance, such as a dielectric multilayer film obtained by vapor-depositing a dielectric in multiple layers on a synthetic quartz plate or the like, is used. preferable.
【0034】実施例8.次に、請求項3の発明の他の実
施例を図を用いて説明する。図8は実施例8による多層
基板の製造方法を工程順に示す断面図であり、この例で
はダイシングラインに沿って溝を設ける場合を示してい
る。図において、2はダイシングラインに沿って設けら
れた端部ダミーパターン、8は端部ダミーパターン2に
対向して挿入されたレーザ光3を反射する三角柱状ミラ
ーである。図8(a)は工程Aすなわち基板6に溝を加
工した断面図、図8(b)は工程Bすなわち一層目の導
体パターン4を形成した断面図、図8(c)は工程Cす
なわちダミーパターン2を形成した断面図、図8(d)
は工程Eすなわち一層目の絶縁層5を形成した断面図、
図8(e)は工程F1すなわちレーザ光3照射により溝
上の絶縁層除去および導通穴形成を行なった断面図、図
8(f)は工程F2すなわちレーザ光3をミラー8で反
射させ絶縁層5の平坦化を行なった断面図、図8(g)
は工程Hすなわち二層目の導体パターン4を形成した断
面図、図8(h)は工程Iすなわち上記プロセスの繰り
返しにより多層化を行なった断面図、図8(i)は工程
Jすなわち形成したダミーパターン2を除去した断面
図、図8(j)は工程Kすなわち溝部をカッティングし
て個々の基板を形成した断面図である。Example 8. Next, another embodiment of the invention of claim 3 will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a multilayer substrate according to the eighth embodiment in the order of steps, and in this example, a case where a groove is provided along a dicing line is shown. In the figure, 2 is an end dummy pattern provided along the dicing line, and 8 is a triangular prism that reflects the laser beam 3 inserted so as to face the end dummy pattern 2. 8A is a sectional view in which a groove is formed on the substrate 6 in step A, FIG. 8B is a sectional view in which the conductor pattern 4 of the first layer is formed in step B, and FIG. 8C is step C in which a dummy is formed. Sectional view in which the pattern 2 is formed, FIG.
Is a cross-sectional view of step E, that is, the first insulating layer 5 is formed,
8E is a cross-sectional view in which the insulating layer on the groove is removed and the conductive hole is formed by irradiating the laser beam 3 in step F1. FIG. 8F shows the insulating layer 5 in which step F2, that is, the laser beam 3 is reflected by the mirror 8. Figure 8 (g)
Is a cross-sectional view of step H, that is, the second-layer conductive pattern 4 is formed, FIG. 8H is a cross-sectional view of step I, which is a multilayered structure by repeating the above process, and FIG. FIG. 8J is a cross-sectional view in which the dummy pattern 2 is removed, and FIG. 8J is a cross-sectional view in which the substrate is formed by cutting the process K, that is, the groove portion.
【0035】この発明において、照射されたレーザ光3
はミラー8により反射されて基板6に平行に照射され、
端部ダミーパターン2により一部遮られ、所望の導体パ
ターン4上の極薄い絶縁層5のみを均一に残し、余分な
絶縁層が除去されるため平坦化が達成される。なお、こ
の例においては、レーザ光3を反射するミラー8および
不要な反射レーザ光を遮る端部ダミーパターン2が基板
6の所々(この例では各ダイシングライン毎)に設けら
れているため、レーザ光3の放散を防止でき、請求項1
のものに比べてより高精度な平坦化が可能となる。In the present invention, the irradiated laser beam 3
Is reflected by the mirror 8 and irradiated parallel to the substrate 6,
Partial blocking by the end dummy pattern 2 leaves only the extremely thin insulating layer 5 on the desired conductor pattern 4 uniformly, and the excess insulating layer is removed, so that planarization is achieved. In this example, since the mirror 8 that reflects the laser beam 3 and the end dummy pattern 2 that blocks the unnecessary reflected laser beam are provided everywhere on the substrate 6 (each dicing line in this example), Dispersion of light 3 can be prevented, and claim 1
It is possible to perform flattening with higher accuracy than that of the above.
【0036】またこの発明においては図8(e)の工程
F1に示したレーザ光3照射によって導通穴形成も同時
に行なうことができ、製造プロセスが省略できるが、別
工程で行ってもよい。また端部に形成したダミーパター
ンを導通用に使用してもよい。Further, in the present invention, the conduction hole can be formed at the same time by the irradiation of the laser beam 3 shown in step F1 of FIG. 8E, and the manufacturing process can be omitted, but it may be performed in another step. Further, a dummy pattern formed at the end may be used for conduction.
【0037】また、レーザ光照射はマスク転写でもよ
く、位置決めを行なったスポット照射でもよい。また図
8(e)の工程F1におけるマスクと図8(f)の工程
F2におけるマスクは同一のものであってもよい。The laser light irradiation may be mask transfer or spot irradiation with positioning. The mask in step F1 of FIG. 8E and the mask in step F2 of FIG. 8F may be the same.
【0038】[0038]
【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、基板に導体パターンを形成する工程、上記導体パタ
ーン上に絶縁層を形成する工程、および上記基板端部に
上記導体パターンより突出してレーザ光を遮るマスクを
配置し、上記基板に並行にレーザ光を照射して上記マス
クを通過したレーザ光により上記マスクより突出してい
る絶縁層を除去する工程を施すので、マスクを通過した
レーザ光により絶縁層の凸部が除去され、導体パターン
上の極薄い絶縁膜のみが均一に残るため平坦化が達成さ
れる。As described above, according to the invention of claim 1, the step of forming a conductor pattern on a substrate, the step of forming an insulating layer on the conductor pattern, and A mask that projects and blocks the laser light is arranged, and the substrate is irradiated with the laser light in parallel and the process of removing the insulating layer protruding from the mask by the laser light that has passed through the mask is performed. The projection of the insulating layer is removed by the laser light, and only the extremely thin insulating film on the conductor pattern remains uniformly, so that planarization is achieved.
【0039】また、請求項2の発明によれば、基板に少
なくとも一面が所定角度で傾斜した溝を設ける工程、上
記基板に導体パターンを形成する工程、上記溝の傾斜部
と対向する基板上に上記導体パターンより突出しレーザ
光を遮る端部ダミーパターンを形成する工程、上記溝の
傾斜部に上記端部ダミーパターンより突出しレーザ光を
反射する傾斜部ダミーパターンを形成する工程、上記導
体パターン上に絶縁層を形成する工程、および上記傾斜
部ダミーパターンにレーザ光を照射して上記基板に並行
な反射レーザ光を得、この反射レーザ光により上記端部
ダミーパターンより突出している絶縁層を除去する工程
を施すので、端部ダミーパターンにより余分のレーザ光
は遮られるため、導体パターン上の極薄い絶縁層のみが
均一に残るため平坦化が達成される。さらに、傾斜部ダ
ミーパターンおよび端部ダミーパターンを基板の所々に
設ければより高精度に平坦化できる。Further, according to the invention of claim 2, the step of providing a groove in which at least one surface is inclined at a predetermined angle on the substrate, the step of forming a conductor pattern on the substrate, and the step of forming a conductor pattern on the substrate on the inclined portion of the groove. Forming an end dummy pattern projecting from the conductor pattern and blocking laser light; forming an inclined dummy pattern projecting from the end dummy pattern and reflecting laser light on the inclined part of the groove; on the conductor pattern Step of forming an insulating layer, and irradiating the inclined dummy pattern with a laser beam to obtain a reflected laser beam parallel to the substrate, and the reflected laser beam removes the insulating layer protruding from the end dummy pattern. Since the process is performed, excess laser light is blocked by the end dummy pattern, so only the ultra-thin insulating layer on the conductor pattern remains evenly. It is achieved. Further, if the inclined part dummy pattern and the end part dummy pattern are provided in various places on the substrate, the flattening can be performed with higher accuracy.
【0040】さらに、請求項3の発明によれば、基板に
導体パターンを形成する工程、上記基板に上記導体パタ
ーンより突出しレーザ光を遮るダミーパターンを形成す
る工程、上記導体パターン上に絶縁層を形成する工程、
および上記ダミーパターン近傍に傾斜させて挿入したミ
ラーにレーザ光を照射して上記基板に並行な反射レーザ
光を得、この反射レーザ光により上記ダミーパターンよ
り突出している絶縁層を除去する工程を施すので、ダミ
ーパターンにより余分のレーザ光は遮られるため、導体
パターン上の極薄い絶縁層のみが均一に残るため平坦化
が達成される。さらに、ミラーおよびダミーパターンを
基板の所々に設ければより高精度に平坦化できる。Further, according to the invention of claim 3, the step of forming a conductor pattern on the substrate, the step of forming a dummy pattern protruding from the conductor pattern and blocking laser light on the substrate, and an insulating layer on the conductor pattern. Forming process,
And irradiating a laser beam on a mirror inserted in the vicinity of the dummy pattern with a tilt to obtain a reflected laser beam parallel to the substrate, and performing a step of removing the insulating layer protruding from the dummy pattern by the reflected laser beam. Therefore, since the dummy pattern blocks excess laser light, only the extremely thin insulating layer on the conductor pattern remains uniformly, so that planarization is achieved. Furthermore, if mirrors and dummy patterns are provided in various places on the substrate, planarization can be performed with higher accuracy.
【図1】この発明の実施例1による多層基板の製造方法
を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a method for manufacturing a multilayer substrate according to a first embodiment of the present invention.
【図2】この発明の実施例2による多層基板の製造方法
を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a method for manufacturing a multilayer substrate according to a second embodiment of the present invention.
【図3】この発明の実施例3による多層基板の製造方法
を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a method for manufacturing a multilayer substrate according to a third embodiment of the present invention.
【図4】この発明の実施例4による多層基板の製造方法
を工程順に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a multilayer substrate according to a fourth embodiment of the present invention in the order of steps.
【図5】この発明の実施例5による多層基板の製造方法
の要部を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing an essential part of a method for manufacturing a multilayer substrate according to a fifth embodiment of the present invention.
【図6】この発明の実施例6による多層基板の製造方法
の要部を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing the main parts of a method for manufacturing a multilayer substrate according to a sixth embodiment of the present invention.
【図7】この発明の実施例7による多層基板の製造方法
を工程順に示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a multilayer substrate according to a seventh embodiment of the present invention in the order of steps.
【図8】この発明の実施例8による多層基板の製造方法
を工程順に示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a multilayer substrate according to the eighth embodiment of the present invention in the order of steps.
【図9】従来の多層基板の製造方法を工程順に示す断面
図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a conventional method of manufacturing a multilayer substrate in the order of steps.
1 傾斜部ダミーパターン 2 端部ダミーパターン 3 レーザ光 4 導体パターン 5 絶縁層 6 基板 7 マスク 8 ミラー 1 Dummy pattern for inclined portion 2 Dummy pattern for end portion 3 Laser light 4 Conductor pattern 5 Insulating layer 6 Substrate 7 Mask 8 Mirror
Claims (3)
記導体パターン上に絶縁層を形成する工程、および上記
基板端部に上記導体パターンより突出してレーザ光を遮
るマスクを配置し、上記基板に並行にレーザ光を照射し
て上記マスクを通過したレーザ光により上記マスクより
突出している絶縁層を除去する工程を施す多層基板の製
造方法。1. A step of forming a conductor pattern on a substrate, a step of forming an insulating layer on the conductor pattern, and a mask protruding from the conductor pattern to block laser light are arranged at an end portion of the substrate, and the mask is provided on the substrate. A method for manufacturing a multi-layer substrate, which comprises performing a step of irradiating a laser beam in parallel and removing the insulating layer protruding from the mask by the laser beam passing through the mask.
した溝を設ける工程、上記基板に導体パターンを形成す
る工程、上記溝の傾斜部と対向する基板上に上記導体パ
ターンより突出しレーザ光を遮る端部ダミーパターンを
形成する工程、上記溝の傾斜部に上記端部ダミーパター
ンより突出しレーザ光を反射する傾斜部ダミーパターン
を形成する工程、上記導体パターン上に絶縁層を形成す
る工程、および上記傾斜部ダミーパターンにレーザ光を
照射して上記基板に並行な反射レーザ光を得、この反射
レーザ光により上記端部ダミーパターンより突出してい
る絶縁層を除去する工程を施す多層基板の製造方法。2. A step of forming a groove in which at least one surface is inclined at a predetermined angle on the substrate, a step of forming a conductor pattern on the substrate, and a laser beam which is projected from the conductor pattern on the substrate facing the inclined portion of the groove to block laser light. A step of forming an end dummy pattern, a step of forming an inclined part dummy pattern projecting from the end dummy pattern and reflecting laser light in the inclined part of the groove, a step of forming an insulating layer on the conductor pattern, and A method of manufacturing a multi-layer substrate, comprising: irradiating a laser beam on a dummy pattern of an inclined portion to obtain a reflected laser beam parallel to the substrate, and removing the insulating layer protruding from the dummy pattern on the edge by the reflected laser beam.
記基板に上記導体パターンより突出しレーザ光を遮るダ
ミーパターンを形成する工程、上記導体パターン上に絶
縁層を形成する工程、および上記ダミーパターン近傍に
傾斜させて挿入したミラーにレーザ光を照射して上記基
板に並行な反射レーザ光を得、この反射レーザ光により
上記ダミーパターンより突出している絶縁層を除去する
工程を施す多層基板の製造方法。3. A step of forming a conductor pattern on a substrate, a step of forming a dummy pattern on the substrate that protrudes from the conductor pattern and blocks laser light, a step of forming an insulating layer on the conductor pattern, and the vicinity of the dummy pattern. A method for manufacturing a multi-layered substrate, which comprises performing a step of irradiating a laser beam which is tilted and inserted with a laser beam to obtain a reflected laser beam parallel to the substrate, and removing the insulating layer protruding from the dummy pattern by the reflected laser beam. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5111620A JPH06326465A (en) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | Manufacture of multilayer board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5111620A JPH06326465A (en) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | Manufacture of multilayer board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06326465A true JPH06326465A (en) | 1994-11-25 |
Family
ID=14565941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5111620A Pending JPH06326465A (en) | 1993-05-13 | 1993-05-13 | Manufacture of multilayer board |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06326465A (en) |
-
1993
- 1993-05-13 JP JP5111620A patent/JPH06326465A/en active Pending
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