JPH0632341B2 - 光フアイバ付半導体発光装置 - Google Patents
光フアイバ付半導体発光装置Info
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- JPH0632341B2 JPH0632341B2 JP10810485A JP10810485A JPH0632341B2 JP H0632341 B2 JPH0632341 B2 JP H0632341B2 JP 10810485 A JP10810485 A JP 10810485A JP 10810485 A JP10810485 A JP 10810485A JP H0632341 B2 JPH0632341 B2 JP H0632341B2
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4248—Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は光フアイバ付半導体発光装置、特に光通信など
に適用して好適な光フアイバ付半導体発光装置に関する
ものである。
に適用して好適な光フアイバ付半導体発光装置に関する
ものである。
光通信などに用いる光フアイバ付半導体発光装置は、レ
ーザダイオードなどの半導体発光素子の出射面と、光フ
アイバの先端である光結合端とが対面するように構成さ
れている。そして、光フアイバの光結合端は、半導体発
光素子からの光を効率よく導入するために、予めレンズ
加工をしている。この構造で光結合させると、半導体発
光素子と光フアイバの光結合端との光軸の相対位置ずれ
量により、光結合効率が変化する。今、半導体発光素子
として例えばレーザダイオードを用い、光フアイバとし
てコア径が５〜１０μφのシングルモードフアイバを用
い、このレーザダイオードと光フアイバの光結合端との
相対位置の変化として、光軸方向をｚ方向、光軸方向に
対して垂直方向をｙ方向、水平方向をｘ方向とした場
合、ｙ方向とｚ方向の位置ずれ量に対する光結合効率の
変化は第５図及び第６図に示すようになる。第５図及び
第６図でわかるように、光結合効率は、ｙ方向（ｘ方向
についても同様）の位置ずれに対し許容範囲が小さく、
位置ずれ量が±１μｍに対し光結合効率が約１５％低下
する。この結果は、光フアイバとしてシングルモードフ
アイバ（コア径５〜１０μφ）を使つたものであり、マ
ルチモードフアイバ（コア径４５〜６２μｍφ）に対し
ては、上記の許容範囲は幾分大きくなる。一方、ｚ方向
の位置ずれに対する許容範囲は、ｙ方向の許容範囲に比
べて大きくなる。
ーザダイオードなどの半導体発光素子の出射面と、光フ
アイバの先端である光結合端とが対面するように構成さ
れている。そして、光フアイバの光結合端は、半導体発
光素子からの光を効率よく導入するために、予めレンズ
加工をしている。この構造で光結合させると、半導体発
光素子と光フアイバの光結合端との光軸の相対位置ずれ
量により、光結合効率が変化する。今、半導体発光素子
として例えばレーザダイオードを用い、光フアイバとし
てコア径が５〜１０μφのシングルモードフアイバを用
い、このレーザダイオードと光フアイバの光結合端との
相対位置の変化として、光軸方向をｚ方向、光軸方向に
対して垂直方向をｙ方向、水平方向をｘ方向とした場
合、ｙ方向とｚ方向の位置ずれ量に対する光結合効率の
変化は第５図及び第６図に示すようになる。第５図及び
第６図でわかるように、光結合効率は、ｙ方向（ｘ方向
についても同様）の位置ずれに対し許容範囲が小さく、
位置ずれ量が±１μｍに対し光結合効率が約１５％低下
する。この結果は、光フアイバとしてシングルモードフ
アイバ（コア径５〜１０μφ）を使つたものであり、マ
ルチモードフアイバ（コア径４５〜６２μｍφ）に対し
ては、上記の許容範囲は幾分大きくなる。一方、ｚ方向
の位置ずれに対する許容範囲は、ｙ方向の許容範囲に比
べて大きくなる。
そこで、従来の装置は、例えば特開昭60-43889号公報に
記載のように、光フアイバの光結合端部を可塑性の支持
体に設けられた孔又は溝において固定し、該支持体を変
形させることによりｘ方向及びｙ方向に対するずれを調
整できる構造をとつている。
記載のように、光フアイバの光結合端部を可塑性の支持
体に設けられた孔又は溝において固定し、該支持体を変
形させることによりｘ方向及びｙ方向に対するずれを調
整できる構造をとつている。
また、特開昭57-138191 号公報に記載のように、半導体
レーザ固定部とフアイバ固定部との厚さ及び構成材料の
組み合せを考え、ｙ方向に対する相対変位がない構造に
なつている。
レーザ固定部とフアイバ固定部との厚さ及び構成材料の
組み合せを考え、ｙ方向に対する相対変位がない構造に
なつている。
しかしながら、このような従来の構造は、いずれも、パ
ツケージが受ける温度変化に対してｙ方向（ｘ方向）も
同様に発光する半導体発光素子と光フアイバとの相対位
置ずれを検討したものであり、ｚ方向に対しては配慮さ
れていなかつた。たとえば、特開昭60-43889号公報に記
載の構造において、半導体発光素子と光フアイバのｚ軸
方向の相対位置ずれ量を計算により求めると次のように
なる。パツケージのステムの材料であるコバールの熱膨
張係数α１を5.0×１０-6（℃-1）、フアイバガイド２
の材料である銅・ニツケルの熱膨張係数α2を１４×１
０-6（℃-1）、光フアイバの線膨張係数α３を0.5×１
０-6（℃-1）、フアイバ支持部とフアイバガイドの先端
との距離Ａを１mm、フアイバガイドのステム側面部から
の突出長さＢを２mmとし、温度がΔＴ（℃）変化したと
するとステムの熱変形量Ｌ１は Ｌ1＝（Ａ＋Ｂ）×α1×ΔＴ ＝３×5.0×１０-6×ΔＴ ＝１５×１０-6ΔＴ となる。一方、フアイバ側の熱変形量Ｌ２は、 Ｌ2＝Ａ×α3×ΔＴ＋Ｂ×α2×ΔＴ ＝（１×0.5×10-6＋２×14××10-6）ΔＴ ＝28.5×１０-6ΔＴ となる。Ｌ1とＬ2の値には大きな差があり、温度が変化
すると増々差が大きくなつて行く。たとえば、温度が上
昇すると、ステムよりフアイバ側の伸び量が大きくなる
ために、フアイバあるいはフアイバ支持部突出部先端と
フアイバとのはんだ接合部に熱ひずみが加わり、変形を
起こすことがあるため、半導体発光素子と光フアイバと
の相対位置ずれとなつたり、長期間使用による劣化の原
因となる。
ツケージが受ける温度変化に対してｙ方向（ｘ方向）も
同様に発光する半導体発光素子と光フアイバとの相対位
置ずれを検討したものであり、ｚ方向に対しては配慮さ
れていなかつた。たとえば、特開昭60-43889号公報に記
載の構造において、半導体発光素子と光フアイバのｚ軸
方向の相対位置ずれ量を計算により求めると次のように
なる。パツケージのステムの材料であるコバールの熱膨
張係数α１を5.0×１０-6（℃-1）、フアイバガイド２
の材料である銅・ニツケルの熱膨張係数α2を１４×１
０-6（℃-1）、光フアイバの線膨張係数α３を0.5×１
０-6（℃-1）、フアイバ支持部とフアイバガイドの先端
との距離Ａを１mm、フアイバガイドのステム側面部から
の突出長さＢを２mmとし、温度がΔＴ（℃）変化したと
するとステムの熱変形量Ｌ１は Ｌ1＝（Ａ＋Ｂ）×α1×ΔＴ ＝３×5.0×１０-6×ΔＴ ＝１５×１０-6ΔＴ となる。一方、フアイバ側の熱変形量Ｌ２は、 Ｌ2＝Ａ×α3×ΔＴ＋Ｂ×α2×ΔＴ ＝（１×0.5×10-6＋２×14××10-6）ΔＴ ＝28.5×１０-6ΔＴ となる。Ｌ1とＬ2の値には大きな差があり、温度が変化
すると増々差が大きくなつて行く。たとえば、温度が上
昇すると、ステムよりフアイバ側の伸び量が大きくなる
ために、フアイバあるいはフアイバ支持部突出部先端と
フアイバとのはんだ接合部に熱ひずみが加わり、変形を
起こすことがあるため、半導体発光素子と光フアイバと
の相対位置ずれとなつたり、長期間使用による劣化の原
因となる。
本発明の目的は、パツケージに温度変化が生じても、常
に安定した光結合効率を得ることができる光フアイバ付
半導体発光装置を得ることである。
に安定した光結合効率を得ることができる光フアイバ付
半導体発光装置を得ることである。
光フアイバ付半導体発光装置は、半導体発光素子の出射
面と光フアイバの光結合端とが対面するように構成され
ている。前述の半導体発光素子は、パツケージのステム
上にサブマウントを介して接合されている。前述の光フ
アイバは、ステム側面部に固着されたフアイバガイドを
貫通してフアイバガイド先端でその中間部が固定され半
導体発光素子近傍でフアイバ支持部によりその先端側が
固定されて、その光結合端を前述の半導体発光素子の出
射面に臨ませている。
面と光フアイバの光結合端とが対面するように構成され
ている。前述の半導体発光素子は、パツケージのステム
上にサブマウントを介して接合されている。前述の光フ
アイバは、ステム側面部に固着されたフアイバガイドを
貫通してフアイバガイド先端でその中間部が固定され半
導体発光素子近傍でフアイバ支持部によりその先端側が
固定されて、その光結合端を前述の半導体発光素子の出
射面に臨ませている。
本発明の特徴は、前述のような光フアイア付半導体発光
素子において、光フアイバの材料、パツケージのステム
の材料及びフアイバガイドの材料を積極的に変えて、か
つ各部材の長さ（比率）を特定することにより、発生す
る熱変位量を常に等しくさせることにより、熱ひずみの
発生をなくする構造にしたものである。具体的には、光
ファイバを石英ガラスとし、ステムをコバール材とし、
ファイバガイドはＦe−５０Ｎi合金材料とし、ファイバ
支持体とファイバガイドの突起部先端までの長さをＡ、
ファイバガイドの突起部先端からファイバガイドのステ
ム側面部端面までの長さをＢとしてＡ／Ｂを１．３とす
ることを特徴とする。
素子において、光フアイバの材料、パツケージのステム
の材料及びフアイバガイドの材料を積極的に変えて、か
つ各部材の長さ（比率）を特定することにより、発生す
る熱変位量を常に等しくさせることにより、熱ひずみの
発生をなくする構造にしたものである。具体的には、光
ファイバを石英ガラスとし、ステムをコバール材とし、
ファイバガイドはＦe−５０Ｎi合金材料とし、ファイバ
支持体とファイバガイドの突起部先端までの長さをＡ、
ファイバガイドの突起部先端からファイバガイドのステ
ム側面部端面までの長さをＢとしてＡ／Ｂを１．３とす
ることを特徴とする。
以下、本発明の実施例として、半導体発光素子がレーザ
ダイオードである場合を第１図〜第３図により説明す
る。
ダイオードである場合を第１図〜第３図により説明す
る。
パツケージのステム１は、コバール材料からなり、この
ステム１の底部１ｂには、セラミツクスＳｉＣ材料から
なるサブマウント２がはんだなどの低融点の接合材３に
より固定されている。レーザダイオード４は、このサブ
マウント２上に、はんだなどの低融点の接合材５により
固定されている。レーザダイオード４の一方の出射面に
対面するステム１の側面部１ａには、管体状のジヤケツ
トガイド６が、銀ろうなどの接合材７により固定されて
いる。そして、このジヤケツトガイド６には、フアイバ
ガイド８が銀ろうなどの接合材９により接合されてい
る。このフアイバガイド８は、パツケージ内に突出部８
ａを有する管体となつている。光フアイバ１０は石英か
らなり透明な材料からなる一様に高い屈折率を有するコ
ア１０ａとこのコア１０ａを覆い、コア１０ａより小さ
い一様の屈折率を有するクラツド１０ｂと図示はされて
いないがクラツド１０ｂを覆うジヤケツトからなる。こ
の光フアイバ１０は、前述のフアイバガイド８を貫通
し、その先端がレーザダイオード４のレーザ光を出射す
る出射面に対面するように配設される。そして、この光
フアイバ１０は、フアイバガイド８の突出部８ａの端部
においてはんだあるいは接着剤などの接合材１１により
接合固定される。この接合材１１による接合固定部は、
パツケージの内外の気密をとる部分でもある。また、光
フアイバ１０とジヤケツトガイド６とは、樹脂などの固
定材１６により接合固定されるこの光フアイバ１０のフ
アイバガイド８内及び突出する部分は、ジヤケツトが剥
離されてクラツド１０ｂが露出しており、その先端でレ
ンズ加工処理した光結合端１０ｃがレーザダイオード４
の一の出射面に対面し、レーザ光を光フアイバ１０内に
取り込むようになつている。また、光フアイバ１０の光
結合端側は、レーザダイオード４の近傍に設けられたフ
アイバ支持体１２に穿設された円形断面の孔１３に挿入
され、この孔１３内に充填された樹脂などの固定材１４
により固定される。このフアイバ支持体１２は、ステム
１の底面部１ｂの穴部に嵌め込まれ、銀ろうなどの接合
材１５により固定されている。レーザダイオード４の他
方の出射面にはフオトダイオードなどの受光素子１７が
対面している。この受光素子１７は、ステム１の底面部
１ｂに接合された支持体１８に取付けられている。受光
素子１７の信号引出用リード線１９，２０は、ステム１
の側面部１ａを貫通して外部に延長しており、ステム１
の側面部１ａとリード線１９，２０とは、ガラス封止さ
れている。
ステム１の底部１ｂには、セラミツクスＳｉＣ材料から
なるサブマウント２がはんだなどの低融点の接合材３に
より固定されている。レーザダイオード４は、このサブ
マウント２上に、はんだなどの低融点の接合材５により
固定されている。レーザダイオード４の一方の出射面に
対面するステム１の側面部１ａには、管体状のジヤケツ
トガイド６が、銀ろうなどの接合材７により固定されて
いる。そして、このジヤケツトガイド６には、フアイバ
ガイド８が銀ろうなどの接合材９により接合されてい
る。このフアイバガイド８は、パツケージ内に突出部８
ａを有する管体となつている。光フアイバ１０は石英か
らなり透明な材料からなる一様に高い屈折率を有するコ
ア１０ａとこのコア１０ａを覆い、コア１０ａより小さ
い一様の屈折率を有するクラツド１０ｂと図示はされて
いないがクラツド１０ｂを覆うジヤケツトからなる。こ
の光フアイバ１０は、前述のフアイバガイド８を貫通
し、その先端がレーザダイオード４のレーザ光を出射す
る出射面に対面するように配設される。そして、この光
フアイバ１０は、フアイバガイド８の突出部８ａの端部
においてはんだあるいは接着剤などの接合材１１により
接合固定される。この接合材１１による接合固定部は、
パツケージの内外の気密をとる部分でもある。また、光
フアイバ１０とジヤケツトガイド６とは、樹脂などの固
定材１６により接合固定されるこの光フアイバ１０のフ
アイバガイド８内及び突出する部分は、ジヤケツトが剥
離されてクラツド１０ｂが露出しており、その先端でレ
ンズ加工処理した光結合端１０ｃがレーザダイオード４
の一の出射面に対面し、レーザ光を光フアイバ１０内に
取り込むようになつている。また、光フアイバ１０の光
結合端側は、レーザダイオード４の近傍に設けられたフ
アイバ支持体１２に穿設された円形断面の孔１３に挿入
され、この孔１３内に充填された樹脂などの固定材１４
により固定される。このフアイバ支持体１２は、ステム
１の底面部１ｂの穴部に嵌め込まれ、銀ろうなどの接合
材１５により固定されている。レーザダイオード４の他
方の出射面にはフオトダイオードなどの受光素子１７が
対面している。この受光素子１７は、ステム１の底面部
１ｂに接合された支持体１８に取付けられている。受光
素子１７の信号引出用リード線１９，２０は、ステム１
の側面部１ａを貫通して外部に延長しており、ステム１
の側面部１ａとリード線１９，２０とは、ガラス封止さ
れている。
また、ステム１には、２本のリード線２１，２２が配設
されている。一方のリード線２１は、グランドリードで
あり、ステム１に溶接され、ステム１及びサブマウント
２を経てレーザダイオード４の下部電極と電気的に接続
している。また、他方のリード線２２は、ステム１に図
示はされていないが、ガラス封止され内端側がレーザダ
イオード４の上部電極と電気的に接続している。
されている。一方のリード線２１は、グランドリードで
あり、ステム１に溶接され、ステム１及びサブマウント
２を経てレーザダイオード４の下部電極と電気的に接続
している。また、他方のリード線２２は、ステム１に図
示はされていないが、ガラス封止され内端側がレーザダ
イオード４の上部電極と電気的に接続している。
前述の受光素子１７は、レーザダイオード４から出射さ
れるレーザ光の光強度を測定し、その測定信号に基づ
き、レーザダイオード４の作動用電流を調整し、光フア
イバ１０内を伝送するレーザ光の光強度を所定値に制御
する。
れるレーザ光の光強度を測定し、その測定信号に基づ
き、レーザダイオード４の作動用電流を調整し、光フア
イバ１０内を伝送するレーザ光の光強度を所定値に制御
する。
上記のような構造において、レーザダイオード４の出射
面と、光フアイバ１０の光結合端との光結合効率は、光
フアイバ、ステム材料及びフアイバガイド材料との組合
せで発生する熱変形をできるだけ一致させることにより
向上する。
面と、光フアイバ１０の光結合端との光結合効率は、光
フアイバ、ステム材料及びフアイバガイド材料との組合
せで発生する熱変形をできるだけ一致させることにより
向上する。
またフアイバ支持体１２とフアイバガイド８の突起部８
ａ先端の接合材１１までの長さをＡ、フアイバガイド８
の突起部８ａ先端の接合材１１からフアイバガイド８の
ステム側面部１ａの端面までの長さＢとしたとき、光フ
アイバ１０とステム１の材料とフアイバガイド８の材料
との組合せは、前述の長さＡとＢの比Ａ／Ｂによつて決
まる。
ａ先端の接合材１１までの長さをＡ、フアイバガイド８
の突起部８ａ先端の接合材１１からフアイバガイド８の
ステム側面部１ａの端面までの長さＢとしたとき、光フ
アイバ１０とステム１の材料とフアイバガイド８の材料
との組合せは、前述の長さＡとＢの比Ａ／Ｂによつて決
まる。
すなわち本発明における手段としては、前述の光フアイ
バ、ステム材料及びフアイバガイド材料の組合せと長さ
ＡとＢの比Ａ／Ｂとの相互関係により、前述の材料と長
さＡ，Ｂとを決め、前述の熱変形をできるだけ一致させ
ている。
バ、ステム材料及びフアイバガイド材料の組合せと長さ
ＡとＢの比Ａ／Ｂとの相互関係により、前述の材料と長
さＡ，Ｂとを決め、前述の熱変形をできるだけ一致させ
ている。
この実施例においては、フアイバガイド８の材料として
Ｆｅ−５０Ｎｉ合金材料とした組合せである。（ステム
１は前述の如くコバール材、光ファイバ１０は同じく前
述の如く石英ガラスである）。このとき前述の長さＡと
Ｂの比Ａ／Ｂは１．３である。
Ｆｅ−５０Ｎｉ合金材料とした組合せである。（ステム
１は前述の如くコバール材、光ファイバ１０は同じく前
述の如く石英ガラスである）。このとき前述の長さＡと
Ｂの比Ａ／Ｂは１．３である。
このように、ステム１とフアイバガイド８の材料を選定
すると、温度変化に対して相対位置のずれが発生しない
構造における前述の長さＡとＢの比Ａ／Ｂは、一義的に
決まる。
すると、温度変化に対して相対位置のずれが発生しない
構造における前述の長さＡとＢの比Ａ／Ｂは、一義的に
決まる。
しかし、ステム１とフアイバガイド８の材料を変える
と、温度変化に対する相対位置ずれの生じない構造にお
ける前述の長さＡとＢの比Ａ／Ｂは変化する。
と、温度変化に対する相対位置ずれの生じない構造にお
ける前述の長さＡとＢの比Ａ／Ｂは変化する。
即ち、ステム１の熱膨張係数αｓとフアイバガイド８の
熱膨張係数αｇとの比αｇ／αｓと前述の長さＡとＢの
比Ａ／Ｂの組合せにより、目的とする相対位置ずれが発
生しない構造が決定される。第４図はこのαｇ／αｓと
Ａ／Ｂとの関係を示したもので、横軸にαｇ／αｓ，縦
軸にＡ／Ｂをとつている。
熱膨張係数αｇとの比αｇ／αｓと前述の長さＡとＢの
比Ａ／Ｂの組合せにより、目的とする相対位置ずれが発
生しない構造が決定される。第４図はこのαｇ／αｓと
Ａ／Ｂとの関係を示したもので、横軸にαｇ／αｓ，縦
軸にＡ／Ｂをとつている。
したがつて、前述の各実施例は、第４図に示す関係に基
づき、コバール材料からなるステム１に対し、フアイバ
ガイド８の材料の組合せが選定されている。なお、α
g，αsは同じ熱膨張率であってはならない。ステムとフ
ァイバガイドとは一緒に伸縮するが、光ファイバは伸縮
しずらいから、光ファイバ及びファイバガイドのトータ
ル（距離にしてＡ＋Ｂ）の熱変位量がステムの（距離に
してＡ＋Ｂ）の熱変化量と一致しなくなってしまう。ち
なみに第４図はαg／αs＝１におけるＡ／Ｂ値を示して
いない（測定していない）。
づき、コバール材料からなるステム１に対し、フアイバ
ガイド８の材料の組合せが選定されている。なお、α
g，αsは同じ熱膨張率であってはならない。ステムとフ
ァイバガイドとは一緒に伸縮するが、光ファイバは伸縮
しずらいから、光ファイバ及びファイバガイドのトータ
ル（距離にしてＡ＋Ｂ）の熱変位量がステムの（距離に
してＡ＋Ｂ）の熱変化量と一致しなくなってしまう。ち
なみに第４図はαg／αs＝１におけるＡ／Ｂ値を示して
いない（測定していない）。
以上説明したような構造にすることにより、レーザダイ
オード等の半導体発光素子や光フアイバ等を搭載した発
光装置が低温，高温の繰返し温度変化を受けても、光フ
ァイバ側と光フアイバを支持するステム側との熱膨張が
ほぼ等しくなる。このため、剛性の大きいステムの熱変
形によつて構成の小さい光フアイバ側が熱変形による拘
束を受けず、常に相対位置ずれや応力がない発光装置を
得ることができる。
オード等の半導体発光素子や光フアイバ等を搭載した発
光装置が低温，高温の繰返し温度変化を受けても、光フ
ァイバ側と光フアイバを支持するステム側との熱膨張が
ほぼ等しくなる。このため、剛性の大きいステムの熱変
形によつて構成の小さい光フアイバ側が熱変形による拘
束を受けず、常に相対位置ずれや応力がない発光装置を
得ることができる。
即ち、光フアイバ付半導体発光装置は、発光素子から出
射される光が最大の光結合効率で光フアイバに取込まれ
る状態で当初組立てられる。この状態は、組立て後の温
度変化に対しても常に維持継続され、発光素子と光フア
イバの光結合効率が低下しない。
射される光が最大の光結合効率で光フアイバに取込まれ
る状態で当初組立てられる。この状態は、組立て後の温
度変化に対しても常に維持継続され、発光素子と光フア
イバの光結合効率が低下しない。
以上説明したように、本発明によれば、パツケージに温
度変化が生じても、発光素子と光フアイバとを常に安定
した光結合効率を得ることができる。
度変化が生じても、発光素子と光フアイバとを常に安定
した光結合効率を得ることができる。
第１図は本発明の発光装置の一実施例の平面図、第２図
は第１図のII−II′線に沿う断面図、第３図は第１図の
要部拡大断面図、第４図は本発明の発光装置における要
部の熱膨張係数比と、要部の長さの比との関係を示す
図、第５図及び第６図は従来の発光装置における発光素
子と光フアイバとの位置ずれ量を説明する図である。 １……ステム、２……サブマウント、３，５，７，９，
１１，１５……接合材、４……レーザダイオード、６…
…ジヤケツトガイド、８……フアイバガイド、１０……
光フアイバ、１２……フアイバ支持体、１７……受光素
子。
は第１図のII−II′線に沿う断面図、第３図は第１図の
要部拡大断面図、第４図は本発明の発光装置における要
部の熱膨張係数比と、要部の長さの比との関係を示す
図、第５図及び第６図は従来の発光装置における発光素
子と光フアイバとの位置ずれ量を説明する図である。 １……ステム、２……サブマウント、３，５，７，９，
１１，１５……接合材、４……レーザダイオード、６…
…ジヤケツトガイド、８……フアイバガイド、１０……
光フアイバ、１２……フアイバ支持体、１７……受光素
子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 翼 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 安達 栄一 長野県小諸市大字柏木190番地 株式会社 日立製作所小諸工場内 (56)参考文献 特開 昭60−43889（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体発光素子と、この発光素子の出射面
に光結合端が対面する光ファイバを有し、前記発光素子
は、ステムの底面部にサブマウントを介して設けられ、
前記光ファイバは、ステムの側面部に設けられたファイ
バガイドを貫通し、前記発光素子の近傍に設けられたフ
ァイバ支持体によりその光結合端側が支持されている光
ファイバ付半導体発光装置において、光ファイバを石英
ガラスとし、ステムをコバール材とし、ファイバガイド
はＦe−５０Ｎi合金材料とし、前記ファイバ支持体とフ
ァイバガイドの突起部先端までの長さをＡ、ファイバガ
イドの突起部先端からファイバガイドのステム側面部端
面までの長さをＢとしてＡ／Ｂを１．３とすることを特
徴とする光ファイバ付半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10810485A JPH0632341B2 (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 光フアイバ付半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10810485A JPH0632341B2 (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 光フアイバ付半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267386A JPS61267386A (ja) | 1986-11-26 |
| JPH0632341B2 true JPH0632341B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=14475974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10810485A Expired - Lifetime JPH0632341B2 (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 光フアイバ付半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0632341B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5613026A (en) * | 1993-12-28 | 1997-03-18 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Package structure for optical element and fibers and composite structure thereof |
| US9500808B2 (en) * | 2012-05-09 | 2016-11-22 | The Boeing Company | Ruggedized photonic crystal sensor packaging |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043889A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-08 | Hitachi Ltd | 光ファイバー付レーザーダイオード装置の組立方法 |
-
1985
- 1985-05-22 JP JP10810485A patent/JPH0632341B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61267386A (ja) | 1986-11-26 |
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