JPH06317621A - 半導体測定装置 - Google Patents
半導体測定装置Info
- Publication number
- JPH06317621A JPH06317621A JP12482193A JP12482193A JPH06317621A JP H06317621 A JPH06317621 A JP H06317621A JP 12482193 A JP12482193 A JP 12482193A JP 12482193 A JP12482193 A JP 12482193A JP H06317621 A JPH06317621 A JP H06317621A
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- JP
- Japan
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- sensor
- light
- photoelectric conversion
- output
- bits
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- Pending
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- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光電変換要素間のショートの有無を判別でき
るようにする。 【構成】 光源１から放出された光を、複数の光電変換
要素からなる光電変換素子４に照射することで検査を行
う半導体測定装置において、前記光電変換素子４と前記
光源１との間に、各光電変換要素に入射する光量を不均
一にする遮光部材３を設ける。
るようにする。 【構成】 光源１から放出された光を、複数の光電変換
要素からなる光電変換素子４に照射することで検査を行
う半導体測定装置において、前記光電変換素子４と前記
光源１との間に、各光電変換要素に入射する光量を不均
一にする遮光部材３を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体測定装置に係
り、特に複数の光電変換要素からなる光電変換素子の不
良を検出するための半導体測定装置に関するものであ
る。
り、特に複数の光電変換要素からなる光電変換素子の不
良を検出するための半導体測定装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、一次元ラインセンサーの光照射に
よる出力レベルの確認は、図５に示すように、光源１か
ら放出される光を拡散板２により一様な光として一次元
ラインセンサー４に照射し行われていた為に、センサー
の各ビットの入射光量は一定であり、図６に示すような
均一なセンサー出力が得られていた。
よる出力レベルの確認は、図５に示すように、光源１か
ら放出される光を拡散板２により一様な光として一次元
ラインセンサー４に照射し行われていた為に、センサー
の各ビットの入射光量は一定であり、図６に示すような
均一なセンサー出力が得られていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体測定装置では、センサービット間のアルミ配
線によるビットショートが存在した不良品を検査する場
合、出力が均一になる為、ビットショートの検出が困難
であった。
来の半導体測定装置では、センサービット間のアルミ配
線によるビットショートが存在した不良品を検査する場
合、出力が均一になる為、ビットショートの検出が困難
であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体測定装置
は、光源から放出された光を、複数の光電変換要素から
なる光電変換素子に照射することで検査を行う半導体測
定装置において、前記光電変換素子と前記光源との間
に、各光電変換要素に入射する光量を不均一にする手段
を設けたことを特徴とする。
は、光源から放出された光を、複数の光電変換要素から
なる光電変換素子に照射することで検査を行う半導体測
定装置において、前記光電変換素子と前記光源との間
に、各光電変換要素に入射する光量を不均一にする手段
を設けたことを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明は、複数の光電変換要素（センサービッ
ト）からなる光電変換素子と光源との間に、各光電変換
要素に入射する光量を不均一にする手段を設けることに
より、各光電変換要素の出力を不均一とし、光電変換要
素間のショート不良を検出することを可能としたもので
ある。
ト）からなる光電変換素子と光源との間に、各光電変換
要素に入射する光量を不均一にする手段を設けることに
より、各光電変換要素の出力を不均一とし、光電変換要
素間のショート不良を検出することを可能としたもので
ある。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【０００７】図１は本発明の半導体測定装置の一実施例
の構成図である。同図において、１は光源、２は光源１
からの光を拡散する拡散板、３はセンサー上に配置され
る遮光マスク、４は一次元ラインセンサーである。
の構成図である。同図において、１は光源、２は光源１
からの光を拡散する拡散板、３はセンサー上に配置され
る遮光マスク、４は一次元ラインセンサーである。
【０００８】図２は遮光マスクを光源側から一次元ライ
ンセンサーに向かって見た図であり、図３は遮光マスク
３を付けた時のセンサー出力である。光源１から拡散板
２と遮光マスク３を通して一次元ラインセンサー４の受
光部に光を照射する。
ンセンサーに向かって見た図であり、図３は遮光マスク
３を付けた時のセンサー出力である。光源１から拡散板
２と遮光マスク３を通して一次元ラインセンサー４の受
光部に光を照射する。
【０００９】遮光マスク３の形状は、例えば図２に示す
ように、開口部を三角形形状とし、隣接する各ビットの
受光部にそれぞれ違う光量が照射されるようにする。遮
光マスク３を設けることにより、正常なチップでは一次
元ラインセンサーの出力としては、図３に示す様にそれ
ぞれ隣接するビットの出力としてレベル差があるセンサ
ー出力が得られる。ここで、隣接するセンサービット間
にショート不良が存在した場合、センサー出力波形は図
４に示すように、隣接ビットどうしにレベル差のない出
力波形５が得られる。
ように、開口部を三角形形状とし、隣接する各ビットの
受光部にそれぞれ違う光量が照射されるようにする。遮
光マスク３を設けることにより、正常なチップでは一次
元ラインセンサーの出力としては、図３に示す様にそれ
ぞれ隣接するビットの出力としてレベル差があるセンサ
ー出力が得られる。ここで、隣接するセンサービット間
にショート不良が存在した場合、センサー出力波形は図
４に示すように、隣接ビットどうしにレベル差のない出
力波形５が得られる。
【００１０】なお、遮光マスクの形状は、一次元ライン
センサーの隣接するビットに出力差が得られる形状であ
れば図２に示すような形状に限らずどのような形状であ
ってもよい。
センサーの隣接するビットに出力差が得られる形状であ
れば図２に示すような形状に限らずどのような形状であ
ってもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の半
導体測定装置によれば、光電変換素子と光源との間に、
各光電変換要素に入射する光量を不均一にする手段を設
けることにより、光電変換要素間のショートの有無を判
別することできる。即ち、光電変換要素間のショートが
存在した場合、隣接の光電変換要素からの出力が同レベ
ルとなって出力される為、その電位差を読み込んで判別
することにより、光電変換要素間のショートの有無が確
認できる。
導体測定装置によれば、光電変換素子と光源との間に、
各光電変換要素に入射する光量を不均一にする手段を設
けることにより、光電変換要素間のショートの有無を判
別することできる。即ち、光電変換要素間のショートが
存在した場合、隣接の光電変換要素からの出力が同レベ
ルとなって出力される為、その電位差を読み込んで判別
することにより、光電変換要素間のショートの有無が確
認できる。
【図１】本発明の半導体測定装置の一実施例の構成図で
ある。
ある。
【図２】遮光マスクを光源側から一次元ラインセンサー
に向かって見た図である。
に向かって見た図である。
【図３】遮光マスクを付けた時に得られるセンサー出力
図である。
図である。
【図４】隣接するセンサービット間にショート不良が存
在した場合に遮光マスクをつけた時に得られるセンサー
出力図である。
在した場合に遮光マスクをつけた時に得られるセンサー
出力図である。
【図５】従来の半導体測定装置の構成図である。
【図６】図５の従来の半導体測定装置のセンサー出力図
である。
である。
１ 光源 ２ 拡散板 ３ 遮光マスク ４ 一次元ラインセンサー
Claims (1)
- 【請求項１】 光源から放出された光を、複数の光電変
換要素からなる光電変換素子に照射することで検査を行
う半導体測定装置において、 前記光電変換素子と前記光源との間に、各光電変換要素
に入射する光量を不均一にする手段を設けたことを特徴
とする半導体測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12482193A JPH06317621A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 半導体測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12482193A JPH06317621A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 半導体測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06317621A true JPH06317621A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=14894948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12482193A Pending JPH06317621A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 半導体測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06317621A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111044092A (zh) * | 2020-01-18 | 2020-04-21 | 广州雪塘电子科技有限公司 | 一种光敏传感器检测装置 |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP12482193A patent/JPH06317621A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111044092A (zh) * | 2020-01-18 | 2020-04-21 | 广州雪塘电子科技有限公司 | 一种光敏传感器检测装置 |
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