JPH06314601A - Ntc thermistor - Google Patents

Ntc thermistor

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JPH06314601A
JPH06314601A JP12514493A JP12514493A JPH06314601A JP H06314601 A JPH06314601 A JP H06314601A JP 12514493 A JP12514493 A JP 12514493A JP 12514493 A JP12514493 A JP 12514493A JP H06314601 A JPH06314601 A JP H06314601A
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JP
Japan
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electrodes
electrode
ntc thermistor
internal electrodes
ceramic layer
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吾郎 武内
Hiroshi Saito
洋 斎藤
Takaya Ishigaki
高哉 石垣
Makoto Numata
真 沼田
Kiyoshi Ito
伊藤  潔
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Abstract

PURPOSE:To provide an NTC thermistor which can ensure stable electric characteristics, when the surface crystal state of a ceramic element is changed by the influence of outer atmosphere, heat, etc., and the distance between outer terminal electrodes is changed. CONSTITUTION:One ends of inner electrodes 21, 31 face each other so as to keep an interval in the length direction. An intermediate electrode 41 is arranged in a ceramic layer 11 so as to keep intervals from the inner electrodes 21, 31. Auxiliary electrodes 51, 61 are arranged in the ceramic layer 11 so as to keep intervals in the thickness direction from the inner electrodes 21, 31, and one ends of the electrodes 51, 61 are positioned to be more inside than one ends of the inner electrodes 21, 31. Outer terminal electrodes 71, 81 are fixed to the side surfaces of both ends in the length direction of the ceramic base body 1. The inner electrodes 21, 31 and the auxiliary electrodes 51, 61 are connected with the outer electrodes.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、負の抵抗温度特性を有
するNTCサーミスタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an NTC thermistor having a negative resistance temperature characteristic.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来よりよく知られたNTCサーミスタ
は、セラミック基体の相対する両端部に外部端子電極を
設け、外部端子電極間にあるセラミック基体を利用して
必要な負の抵抗温度特性を得る単板型であった。単板型
のNTCサーミスタは、外部端子電極間のセラミック基
体を利用して必要な負の抵抗温度特性を得るので、外部
端子電極形成工程において、外部端子電極間の距離が変
動した場合、得られる電気特性、例えば抵抗値が変動す
る。また、セラミック基体の表面結晶状態が外部雰囲気
や熱等の影響を受けて変化した場合も、得られる負の抵
抗温度特性が変動する。
2. Description of the Related Art In a conventionally well-known NTC thermistor, external terminal electrodes are provided at opposite ends of a ceramic substrate, and a required negative resistance temperature characteristic is obtained by utilizing the ceramic substrate between the external terminal electrodes. It was a single plate type. Since the single plate type NTC thermistor obtains the necessary negative resistance temperature characteristic by utilizing the ceramic substrate between the external terminal electrodes, it can be obtained when the distance between the external terminal electrodes changes in the external terminal electrode forming step. The electrical characteristics, such as the resistance value, change. Also, when the surface crystal state of the ceramic substrate changes under the influence of the external atmosphere, heat, etc., the obtained negative resistance temperature characteristic also changes.

【0003】このような問題を解決する技術として、例
えば特開昭62ー137805号公報、特開平4ー13
0702号公報または特開平4ー283902号公報等
に開示された内部電極構造のNTCサーミスタが知られ
ている。
Techniques for solving such a problem include, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 62-137805 and Japanese Patent Laid-Open No. 4-13.
An NTC thermistor having an internal electrode structure disclosed in, for example, Japanese Patent No. 0702 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-283902 is known.

【0004】これらの公知文献に記載されたNTCサー
ミスタは、負の抵抗温度特性を有するセラミック基体の
厚み方向に、単層または複数層からなる内部電極を設
け、内部電極を、長さ方向の相対する両端に設けられた
外部端子電極に導通させてある。内部電極は、幅方向及
び長さ方向の寸法で定まる平面積を有し、長さ方向に間
隔を隔てて配置するか、または、厚み方向に間隔を隔て
て面対向するように配置されていた。
The NTC thermistors described in these publicly known documents are provided with an internal electrode consisting of a single layer or a plurality of layers in the thickness direction of a ceramic substrate having a negative resistance temperature characteristic. The electrodes are electrically connected to external terminal electrodes provided on both ends of the wiring. The internal electrodes had a flat area determined by the dimensions in the width direction and the length direction, and were arranged at intervals in the length direction, or were arranged so as to face each other at intervals in the thickness direction. .

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記公知文献
に記載された技術においても、内部電極間の距離と、外
部端子電極間の距離の相対比による影響を受けて抵抗値
が変動する。
However, even in the technique described in the above-mentioned publicly known document, the resistance value fluctuates under the influence of the relative ratio of the distance between the internal electrodes and the distance between the external terminal electrodes.

【0006】そこで、本発明の課題は、セラミック基体
の表面結晶状態が外部雰囲気や熱等の影響を受けて変化
しても、安定した負の抵抗温度特性を確保し得るNTC
サーミスタを提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to ensure a stable negative resistance-temperature characteristic even if the surface crystal state of the ceramic substrate changes under the influence of the external atmosphere or heat.
To provide a thermistor.

【0007】本発明のもう一つの課題は、外部端子電極
間の距離が変動しても、安定した負の抵抗温度特性を確
保し得るNTCサーミスタを提供することである。
Another object of the present invention is to provide an NTC thermistor which can secure a stable negative resistance temperature characteristic even if the distance between the external terminal electrodes changes.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、セラミック基体と、内部電極と、中間電
極と、補助電極と、外部端子電極とを含むNTCサーミ
スタであって、前記セラミック基体は、負の抵抗温度特
性を示すセラミック層を有しており、前記内部電極は、
少なくとも一対備えられ、前記セラミック基体に厚み方
向及び長さ方向を仮想したとき、それぞれの一端が長さ
方向に互いに間隔を隔てて対向し、それぞれの他端が長
さ方向の相対向する両側端面に導かれており、前記中間
電極は、前記内部電極の間において前記内部電極から間
隔を隔てて前記セラミック層内に配置されており、前記
補助電極は、前記内部電極から厚み方向に間隔を隔てて
前記セラミック層内に配置され、一端が前記内部電極の
前記一端よりも内側に位置し、他端が長さ方向の前記側
端面に導かれており、前記外部端子電極は、前記セラミ
ック基体の長さ方向の両側端面に付着され、前記内部電
極の前記他端及び前記補助電極の前記他端が接続されて
いる。
In order to solve the above problems, the present invention provides an NTC thermistor including a ceramic substrate, an internal electrode, an intermediate electrode, an auxiliary electrode, and an external terminal electrode. The substrate has a ceramic layer exhibiting a negative temperature coefficient of resistance, and the internal electrode is
At least one pair is provided, and when the thickness direction and the length direction are hypothesized on the ceramic base, one end of each end faces each other at intervals in the length direction, and the other ends of both end faces face each other in the length direction. The intermediate electrode is disposed in the ceramic layer at a distance from the internal electrodes between the internal electrodes, and the auxiliary electrode is spaced from the internal electrodes in a thickness direction. Is disposed in the ceramic layer, one end is located inside the one end of the internal electrode, and the other end is guided to the side end face in the longitudinal direction. Attached to both end faces in the length direction, the other end of the internal electrode and the other end of the auxiliary electrode are connected.

【0009】[0009]

【作用】セラミック基体は所要の負の抵抗温度特性を有
するセラミック層を有しており、少なくとも一対備えら
れる内部電極のそれぞれは、セラミック層内において長
さ方向に互いに間隔を隔てて対向しており、外部端子電
極は内部電極の他端が接続されているから、内部電極間
のセラミック層の有する負の抵抗温度特性が、外部端子
電極を介してそのまま引出される。内部電極間のセラミ
ック層の負の抵抗温度特性はセラミック基体の表面結晶
状態が外部雰囲気や熱等の影響を受けて変化しても変化
しない。このため、セラミック基体の表面結晶状態が外
部雰囲気や熱等の影響を受けて変化しても、安定した負
の抵抗温度特性を確保し得る。
The ceramic substrate has a ceramic layer having a required negative resistance-temperature characteristic, and at least one pair of internal electrodes are opposed to each other in the ceramic layer at intervals in the longitudinal direction. Since the other end of the internal electrode is connected to the external terminal electrode, the negative resistance temperature characteristic of the ceramic layer between the internal electrodes is directly extracted via the external terminal electrode. The negative resistance temperature characteristic of the ceramic layer between the internal electrodes does not change even if the surface crystal state of the ceramic substrate changes under the influence of the external atmosphere or heat. Therefore, even if the surface crystal state of the ceramic substrate changes under the influence of the external atmosphere, heat, etc., a stable negative resistance temperature characteristic can be secured.

【0010】中間電極は、内部電極の間において内部電
極から間隔を隔ててセラミック層内に配置されているか
ら、中間電極を介して、内部電極間に電界が集中し、長
さ方向の両端に位置する外部端子電極間の電界が緩和さ
れる。このため、外部端子電極間で見た抵抗値が内部電
極及び中間電極の間で見た抵抗値によって支配され、外
部端子電極間の距離の変動に対する抵抗値の変化が小さ
くなり、安定した負の抵抗温度特性が得られる。
Since the intermediate electrodes are arranged in the ceramic layer at a distance from the internal electrodes between the internal electrodes, an electric field is concentrated between the internal electrodes via the intermediate electrodes, and the intermediate electrodes are provided at both ends in the longitudinal direction. The electric field between the external terminal electrodes located is relaxed. Therefore, the resistance value seen between the external terminal electrodes is dominated by the resistance value seen between the internal electrode and the intermediate electrode, and the change in the resistance value due to the variation in the distance between the external terminal electrodes becomes small, and the stable negative Resistance temperature characteristics can be obtained.

【0011】補助電極は、内部電極から厚み方向に間隔
を隔ててセラミック層内に配置され、一端が内部電極の
一端よりも内側に位置し、他端が長さ方向の側端面に導
かれている。この構造により、電界が中間電極を介して
内部電極間に、より一層集中し、外部端子電極間で見た
抵抗値が内部電極及び中間電極の間で見た抵抗値によっ
て支配され、外部端子電極間の距離の変動に対する抵抗
値の変化が一層小さくなり、安定した負の抵抗温度特性
が得られることが分かった。
The auxiliary electrode is arranged in the ceramic layer at a distance from the internal electrode in the thickness direction, one end is located inside one end of the internal electrode, and the other end is guided to the side end face in the length direction. There is. With this structure, the electric field is further concentrated between the internal electrodes via the intermediate electrode, the resistance value seen between the external terminal electrodes is controlled by the resistance value seen between the internal electrode and the intermediate electrode, and the external terminal electrode is It was found that the change of the resistance value due to the change of the distance between the two became smaller, and a stable negative resistance temperature characteristic was obtained.

【0012】[0012]

【実施例】図1は本発明に係るNTCサーミスタの正面
断面図である。1はセラミック基体、21、31は内部
電極、41は中間電極、51、61は補助電極、71、
81は外部端子電極である。
1 is a front sectional view of an NTC thermistor according to the present invention. 1 is a ceramic substrate, 21 and 31 are internal electrodes, 41 is an intermediate electrode, 51 and 61 are auxiliary electrodes, 71,
81 is an external terminal electrode.

【0013】セラミック基体1は、所要の負の抵抗温度
特性を有するセラミック層11を有している。セラミッ
ク層11は負の抵抗温度特性を有するセラミック材料で
構成されている。具体的には、セラミック層11はMn、
Ni、 Co、 Cu、 Al、 Fe、 CrまたはZrの少なくとも2種を含
む化合物であるセラミック材料等である。
The ceramic substrate 1 has a ceramic layer 11 having a required negative resistance temperature characteristic. The ceramic layer 11 is made of a ceramic material having a negative resistance temperature characteristic. Specifically, the ceramic layer 11 is Mn,
A ceramic material or the like which is a compound containing at least two kinds of Ni, Co, Cu, Al, Fe, Cr or Zr.

【0014】内部電極21、31は、少なくとも一対備
えられる。内部電極21、31のそれぞれは、セラミッ
ク基体1に厚み方向T及び長さ方向Lを仮想したとき、
一端がセラミック層11内において長さ方向Lに互いに
間隔L1を隔てて対向し、それぞれの他端が長さ方向の
相対向する両側端面に導かれている。内部電極21、3
1はAg、 AgーPd、 Pd、 Au、 Pt 等の貴金属またはCu、Ni 等
の卑金属を主成分として形成できる。
At least one pair of internal electrodes 21 and 31 are provided. When the thickness direction T and the length direction L are hypothesized on the ceramic substrate 1, the internal electrodes 21 and 31 respectively,
One end of the ceramic layer 11 faces the lengthwise direction L in the ceramic layer 11 with a space L1 between them, and the other ends of the ceramic layer 11 are guided to opposite side faces of the lengthwise direction. Internal electrodes 21, 3
No. 1 can be formed using a noble metal such as Ag, Ag-Pd, Pd, Au, or Pt or a base metal such as Cu or Ni as a main component.

【0015】中間電極41は、内部電極21、31の間
において、内部電極21、31から間隔を隔ててセラミ
ック層11内に配置されている。中間電極41は、内部
電極21、31と同様に、Ag、AgーPd、Pd、A
u、Pt等の貴金属またはCu、Ni等の卑金属を主成
分として形成できる。
The intermediate electrode 41 is arranged in the ceramic layer 11 between the internal electrodes 21 and 31 at a distance from the internal electrodes 21 and 31. The intermediate electrode 41, like the internal electrodes 21 and 31, is made of Ag, Ag-Pd, Pd, A.
A noble metal such as u or Pt or a base metal such as Cu or Ni can be formed as a main component.

【0016】補助電極51、61は、内部電極21、3
1から厚み方向Tに間隔を隔ててセラミック層11内に
配置されている。補助電極51、61は、一端が内部電
極21、31の一端よりも内側に位置し、他端が長さ方
向Lの側端面に導かれている。補助電極51、61も、
内部電極21、31及び中間電極41と同様に、Ag、
AgーPd、Pd、Au、Pt等の貴金属またはCu、
Ni等の卑金属を主成分として形成できる。
The auxiliary electrodes 51, 61 are the internal electrodes 21, 3
It is arranged in the ceramic layer 11 at a distance from the thickness direction T in the ceramic layer 11. One end of each of the auxiliary electrodes 51 and 61 is located inside one end of each of the internal electrodes 21 and 31, and the other end is guided to the side end surface in the length direction L. The auxiliary electrodes 51 and 61 are also
Similarly to the internal electrodes 21, 31 and the intermediate electrode 41, Ag,
Noble metal such as Ag-Pd, Pd, Au, Pt or Cu,
A base metal such as Ni can be formed as a main component.

【0017】外部端子電極71、81は、セラミック基
体1の長さ方向Lの両側端面に互いに独立して付着さ
れ、内部電極21、31の他端及び補助電極51、61
の他端がそれぞれ接続されている。外部端子電極71、
81は貴金属、卑金属またはこられの組合せになる金属
により、厚膜、スパッタもしくは蒸着等による薄膜また
はメッキ膜として形成することができる。
The external terminal electrodes 71, 81 are attached to both end surfaces of the ceramic substrate 1 in the length direction L independently of each other, and the other ends of the internal electrodes 21, 31 and the auxiliary electrodes 51, 61 are attached.
The other ends of are connected. External terminal electrode 71,
Reference numeral 81 is a noble metal, a base metal, or a combination of these metals, and can be formed as a thick film, a thin film by sputtering or vapor deposition, or a plated film.

【0018】図2は図1に示したNTCサーミスタの等
価回路図である。RH1は内部電極21と中間電極41
との間に生じるNTCサーミスタ要素、RH2は中間電
極41と内部電極31との間に生じるNTCサーミスタ
要素である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the NTC thermistor shown in FIG. RH1 is an internal electrode 21 and an intermediate electrode 41
The RH2 is an NTC thermistor element generated between and, and RH2 is an NTC thermistor element generated between the intermediate electrode 41 and the internal electrode 31.

【0019】ここで、セラミック基体1は負の抵抗温度
特性を有するセラミック層11を有しており、少なくと
も一対備えられる内部電極21、31のそれぞれは、セ
ラミック層11内において長さ方向Lに互いに間隔L1
を隔てて対向しており、外部端子電極71、81は内部
電極21、31の他端が接続されているから、内部電極
21ー31間のセラミック層11の有する負の抵抗温度
特性が、外部端子電極71、81を介してそのまま引出
される。内部電極21ー31間のセラミック層11の負
の抵抗温度特性はセラミック基体1の表面結晶状態が外
部雰囲気や熱等の影響を受けて変化しても変化しない。
このため、セラミック基体1の表面結晶状態が外部雰囲
気や熱等の影響を受けて変化しても、安定した負の抵抗
温度特性を確保し得る。
Here, the ceramic substrate 1 has a ceramic layer 11 having a negative resistance-temperature characteristic, and at least a pair of internal electrodes 21 and 31 respectively provided in the ceramic layer 11 in the lengthwise direction L. Interval L1
Since the other ends of the internal electrodes 21 and 31 are connected to the external terminal electrodes 71 and 81, the negative resistance temperature characteristic of the ceramic layer 11 between the internal electrodes 21 and 31 is It is directly drawn out via the terminal electrodes 71 and 81. The negative resistance-temperature characteristic of the ceramic layer 11 between the internal electrodes 21-31 does not change even if the surface crystal state of the ceramic substrate 1 changes under the influence of the external atmosphere, heat, or the like.
Therefore, even if the surface crystal state of the ceramic substrate 1 changes due to the influence of the external atmosphere, heat, etc., a stable negative resistance temperature characteristic can be secured.

【0020】また、中間電極41は、内部電極21、3
1の間において、内部電極21、31から間隔を隔てて
セラミック層11内に配置されているから、中間電極4
1を介して、内部電極21ー31間に電界が集中し、長
さ方向Lの両端に位置する外部端子電極71ー81間の
電界が緩和される。このため、外部端子電極71ー81
間で見た抵抗値が内部電極21、31及び中間電極41
の間で見た抵抗値によって支配され、外部端子電極71
ー81間の距離の変動に対する抵抗値の変化が小さくな
り、安定した負の抵抗温度特性が得られる。
The intermediate electrode 41 is composed of the internal electrodes 21, 3
1 is disposed in the ceramic layer 11 at a distance from the internal electrodes 21 and 31, the intermediate electrode 4
1, the electric field is concentrated between the internal electrodes 21-31, and the electric field between the external terminal electrodes 71-81 located at both ends in the length direction L is relaxed. Therefore, the external terminal electrodes 71-81
The resistance value seen between the inner electrodes 21 and 31 and the intermediate electrode 41 is
Controlled by the resistance value seen between the external terminal electrode 71
The change in the resistance value with respect to the change in the distance between -81 becomes small, and a stable negative resistance temperature characteristic is obtained.

【0021】更に、補助電極51、61は、内部電極2
1、31から、厚み方向Tに間隔を隔ててセラミック層
11内に配置され、一端が内部電極21、31の一端よ
りも内側に位置し、他端が長さ方向の側端面に導かれて
いる。この構造により、電界が中間電極41及び内部電
極21、31の間に、より一層集中し、外部端子電極7
1ー81間で見た抵抗値が内部電極21、31及び中間
電極41の間で見た抵抗値によって支配され、外部端子
電極71ー81間の距離の変動に対する抵抗値の変化が
一層小さくなり、安定した負の抵抗温度特性が得られる
ことが分かった。
Further, the auxiliary electrodes 51 and 61 are the internal electrodes 2
1, 31 are arranged in the ceramic layer 11 at intervals in the thickness direction T, one end is located inside one end of the internal electrodes 21, 31, and the other end is guided to the side end face in the length direction. There is. With this structure, the electric field is further concentrated between the intermediate electrode 41 and the internal electrodes 21 and 31, and the external terminal electrode 7
The resistance value seen between 1-81 is dominated by the resistance value seen between the internal electrodes 21, 31 and the intermediate electrode 41, and the change of the resistance value due to the change of the distance between the external terminal electrodes 71-81 becomes smaller. It was found that a stable negative resistance temperature characteristic was obtained.

【0022】更に、図1に図示されるように、内部電極
21、31は、それぞれがセラミック層11内の厚み方
向Tのほぼ同一に配置されている。このような構造であ
ると、内部電極21、31を同一工程において、同時に
形成できる。この内部電極21、31の配置に対して、
中間電極41は、内部電極21、31からセラミック基
体1の厚み方向Tに間隔を隔てて配置されている。中間
電極41は間隔L1をほぼ埋めるような長さを有する。
従って、図2のNTCサーミスタ要素RH1、RH2は
セラミック層11の厚み方向に生じる。
Further, as shown in FIG. 1, the internal electrodes 21 and 31 are arranged substantially the same in the thickness direction T in the ceramic layer 11. With such a structure, the internal electrodes 21 and 31 can be simultaneously formed in the same step. With respect to the arrangement of the internal electrodes 21 and 31,
The intermediate electrode 41 is arranged at a distance from the internal electrodes 21, 31 in the thickness direction T of the ceramic substrate 1. The intermediate electrode 41 has a length that substantially fills the interval L1.
Therefore, the NTC thermistor elements RH1 and RH2 in FIG. 2 are generated in the thickness direction of the ceramic layer 11.

【0023】外部端子電極71、81は側端面から長さ
方向Lに延びる端部711、811が内部電極21、3
1よりは外側で終っている。具体的には、端部711と
内部電極21との間に間隔L2が生じ、端部811と内
部電極22との間に間隔L3が生じるようなものであ
る。この構造は、セラミック基体1の表面比抵抗が小さ
いときに、外部端子電極71ー81間の距離変動に伴な
う抵抗値変動を抑制するのに有効である。
The external terminal electrodes 71, 81 have end portions 711, 811 extending in the lengthwise direction L from the side end surfaces, and the internal electrodes 21, 3 have their ends.
It ends outside 1. Specifically, a space L2 is formed between the end 711 and the internal electrode 21, and a space L3 is formed between the end 811 and the internal electrode 22. This structure is effective in suppressing the resistance value variation due to the distance variation between the external terminal electrodes 71-81 when the surface specific resistance of the ceramic substrate 1 is small.

【0024】セラミック基体1は、セラミック層11の
厚み方向の両面に他のセラミック層12、13を有する
こともできる。この構造によれば、セラミック層12、
13をセラミック層11の比抵抗値よりも高い材料によ
って形成することが可能であり、それによって、外部端
子電極71ー81間の距離の変動に対する負の抵抗温度
特性の変動をより一層小さくすることができる。
The ceramic substrate 1 may have other ceramic layers 12 and 13 on both sides in the thickness direction of the ceramic layer 11. According to this structure, the ceramic layer 12,
13 can be formed of a material having a specific resistance value higher than that of the ceramic layer 11, thereby further reducing the variation of the negative resistance temperature characteristic with respect to the variation of the distance between the external terminal electrodes 71-81. You can

【0025】次に図3〜図11を参照して、本発明に係
るNTCサーミスタの実施例を説明する。これらの図に
おいて、図1と同一の参照符号は同一性ある構成部分を
示している。
Next, an embodiment of the NTC thermistor according to the present invention will be described with reference to FIGS. In these figures, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same components.

【0026】図3の実施例では、内部電極21、31
は、互いに、セラミック層11内の厚み方向Tの異なる
位置に配置されている。この実施例の場合も、図1と同
様の作用効果が得られる。
In the embodiment of FIG. 3, the internal electrodes 21, 31 are
Are arranged at different positions in the ceramic layer 11 in the thickness direction T. Also in the case of this embodiment, the same operational effect as in FIG. 1 can be obtained.

【0027】図4の実施例では、内部電極21、31が
セラミック層11内の厚み方向Tのほぼ同一位置に配置
され、中間電極41が内部電極21ー31間の間隔L1
内に間隔を隔てて配置されている。この電極構造によれ
ば、中間電極41を内部電極21、31と同一の工程で
同時に形成できる。
In the embodiment shown in FIG. 4, the internal electrodes 21 and 31 are arranged at substantially the same position in the ceramic layer 11 in the thickness direction T, and the intermediate electrode 41 is arranged at a distance L1 between the internal electrodes 21-31.
It is arranged at intervals inside. According to this electrode structure, the intermediate electrode 41 can be formed simultaneously with the internal electrodes 21 and 31 in the same step.

【0028】図5の実施例では、中間電極41、42が
複数備えられ、それぞれが互いに間隔を隔てて配置され
ている。中間電極41、42は2つであり、同一高さ位
置において2つに分割されている。この構造によれば、
中間電極41、42と内部電極21、31との間の電界
集中を、中間電極41ー42間の間隔によってコントロ
ールすることができる。
In the embodiment shown in FIG. 5, a plurality of intermediate electrodes 41 and 42 are provided and are arranged at intervals. There are two intermediate electrodes 41 and 42, and they are divided into two at the same height position. According to this structure,
The electric field concentration between the intermediate electrodes 41, 42 and the internal electrodes 21, 31 can be controlled by the distance between the intermediate electrodes 41-42.

【0029】図6の実施例では、中間電極41の両端が
内部電極21、31の端部と重なり合っている。この構
造により、中間電極41と内部電極21、31及び補助
電極51、61との間の電界集中をコントロールするこ
とができる。
In the embodiment shown in FIG. 6, both ends of the intermediate electrode 41 overlap the end portions of the internal electrodes 21 and 31. With this structure, the electric field concentration between the intermediate electrode 41 and the internal electrodes 21, 31 and the auxiliary electrodes 51, 61 can be controlled.

【0030】図7の実施例では、内部電極21、31に
よる電極対と、内部電極22、32による電極対の複数
の電極対が備えられている。これらの電極対(21、3
1)、(22、32)のそれぞれはセラミック基体1の
厚み方向Tに間隔を隔てて配置されている。補助電極5
1、61は、電極対(21、31)、(22、32)の
間のセラミック層11内に配置されている。図8は図7
に示したNTCサーミスタの等価回路図である。RH1
は内部電極21と中間電極41との間に生じるNTCサ
ーミスタ要素、RH2は内部電極22と中間電極41と
の間に生じるNTCサーミスタ要素、RH3は内部電極
31と中間電極41との間に生じるNTCサーミスタ要
素、RH4は内部電極21と中間電極41との間に生じ
るNTCサーミスタ要素をそれぞれ示している。図8か
ら明らかなように、図7に示される構造の場合、内部電
極対数の選択により、外部端子電極71ー81間で見た
合成抵抗値を調整できる。
The embodiment shown in FIG. 7 is provided with a plurality of electrode pairs of the internal electrodes 21, 31 and the internal electrodes 22, 32. These electrode pairs (21, 3
1) and (22, 32) are arranged at intervals in the thickness direction T of the ceramic substrate 1. Auxiliary electrode 5
1, 61 are arranged in the ceramic layer 11 between the electrode pairs (21, 31), (22, 32). FIG. 8 is FIG.
3 is an equivalent circuit diagram of the NTC thermistor shown in FIG. RH1
Is an NTC thermistor element generated between the internal electrode 21 and the intermediate electrode 41, RH2 is an NTC thermistor element generated between the internal electrode 22 and the intermediate electrode 41, and RH3 is an NTC generated between the internal electrode 31 and the intermediate electrode 41. The thermistor element, RH4, represents an NTC thermistor element generated between the internal electrode 21 and the intermediate electrode 41, respectively. As is clear from FIG. 8, in the case of the structure shown in FIG. 7, the combined resistance value seen between the external terminal electrodes 71-81 can be adjusted by selecting the number of pairs of internal electrodes.

【0031】図9の実施例では、3つの内部電極対(2
1、31)、(22、32)及び(23、33)を有す
る。角電極対の間には2つの中間電極41、42が備え
られ、また2対の補助電極(51、52)、(61、6
2)が備えられている。
In the embodiment of FIG. 9, three internal electrode pairs (2
1, 31), (22, 32) and (23, 33). Two intermediate electrodes 41, 42 are provided between the pair of corner electrodes, and two pairs of auxiliary electrodes (51, 52), (61, 6) are provided.
2) is provided.

【0032】図10の実施例では、2つの内部電極対
(21、31)、(22、32)を有している。2つの
内部電極対(21、31)、(22、32)の間に中間
電極41、42及び補助電極(51、52、53)、
(61、62、63)が備えられている。
The embodiment shown in FIG. 10 has two internal electrode pairs (21, 31) and (22, 32). Between the two internal electrode pairs (21, 31), (22, 32), the intermediate electrodes 41, 42 and the auxiliary electrodes (51, 52, 53),
(61, 62, 63) are provided.

【0033】図11の実施例では、2つの内部電極対
(21、31)、(22、32)を有している。内部電
極21、31の間に中間電極41が配置され、内部電極
22、32の間に中間電極42が配置され、内部電極対
(21、31)、(22、32)の間に補助電極51、
61が備えられている。
The embodiment of FIG. 11 has two internal electrode pairs (21, 31) and (22, 32). The intermediate electrode 41 is disposed between the internal electrodes 21 and 31, the intermediate electrode 42 is disposed between the internal electrodes 22 and 32, and the auxiliary electrode 51 is disposed between the internal electrode pairs (21, 31) and (22, 32). ,
61 is provided.

【0034】本発明に係るNTCサーミスタは例えばシ
ート積層法によって製造できる。まず、一面上に内部電
極の群を形成したグリーンシートを用意する。グリーン
シートは所定の負の抵抗温度特性を有するセラミック材
料、例えば、Mn、 Ni、 Co、 Cu、 Al、 Fe、 CrまたはZrの少
なくとも2種を含む化合物であるセラミック材料によっ
て構成される。これらのセラミック材料を用い公知の技
術によってグリーンシートを製造する。具体的には、前
述したセラミック材料を湿式混合等の手段によって均一
に混合した後、乾燥させ、更に適切に選定された焼成条
件で仮焼成し、仮焼粉を湿式粉砕する。粉砕された仮焼
粉末にバインダを加えてスラリー化する。スラリーをド
クターブレード法またはスクリーン印刷法等の手段によ
ってシート化する。その後に乾燥させてグリーンシート
を得る。
The NTC thermistor according to the present invention can be manufactured, for example, by a sheet laminating method. First, a green sheet having a group of internal electrodes formed on one surface is prepared. The green sheet is composed of a ceramic material having a predetermined negative resistance temperature characteristic, for example, a ceramic material which is a compound containing at least two kinds of Mn, Ni, Co, Cu, Al, Fe, Cr or Zr. A green sheet is manufactured by a known technique using these ceramic materials. Specifically, the above-mentioned ceramic materials are uniformly mixed by means such as wet mixing, dried, and then calcined under appropriately selected firing conditions, and the calcined powder is wet-ground. A binder is added to the pulverized calcined powder to form a slurry. The slurry is formed into a sheet by a means such as a doctor blade method or a screen printing method. Then, it is dried to obtain a green sheet.

【0035】内部電極はAg、 AgーPd、 Pd、 Au、 Pt 等の貴
金属またはCu、Ni 等の卑金属を主成分とする電極ペース
トを、印刷法等の手段によって、グリーンシートの上に
塗布することによって形成できる。
For the internal electrodes, an electrode paste containing a noble metal such as Ag, Ag-Pd, Pd, Au, or Pt or a base metal such as Cu or Ni as a main component is applied onto the green sheet by a printing method or the like. Can be formed by

【0036】同様にして、一面上に中間電極の群を形成
したグリーンシート及び電極を持たないグリーンシート
を用意する。
Similarly, a green sheet having a group of intermediate electrodes formed on one surface and a green sheet having no electrodes are prepared.

【0037】これらのグリーンシートを重ね合せ、圧力
を加えて圧着し、乾燥工程等の必要な工程を経た後、切
断し、NTCサーミスタ素子を取出す。切断は、ダイシ
ングソー等を用いて行なうことができる。このようにし
て取出されたNTCサーミスタ素子を焼成し、焼成後に
外部端子電極を付与することにより、目的のNTCサー
ミスタが得られる。
These green sheets are superposed on each other, pressure-bonded to them, and after the necessary steps such as a drying step, they are cut and the NTC thermistor element is taken out. The cutting can be performed using a dicing saw or the like. The desired NTC thermistor is obtained by firing the NTC thermistor element thus taken out and applying external terminal electrodes after the firing.

【0038】次に、NTCサーミスタの具体的な製造例
と、得られたNTCサーミスタの特性を示す。出発原料
として、Mn304,NiO 及びAl2O3 を用い、 Mn/Ni/Al=66.7/28.6/4.7 (mol%) となるように秤量し、湿式混合によって均一に混合した
後、乾燥させ、更に1100℃、2時間の条件で仮焼成
し、仮焼粉を湿式粉砕する。粉砕された仮焼粉末にバイ
ンダを加えてスラリーを得た。スラリーをドクターブレ
ード法によってシート化し、その後に乾燥させてグリー
ンシートを得た。
Next, a concrete example of manufacturing the NTC thermistor and characteristics of the obtained NTC thermistor will be shown. As a starting material, using the Mn 3 0 4, NiO and Al 2 O 3, were weighed such that the Mn / Ni / Al = 66.7 / 28.6 / 4.7 (mol%), were uniformly mixed by wet mixing, drying Then, the calcined powder is wet-pulverized under the condition of 1100 ° C. for 2 hours. A binder was added to the pulverized calcined powder to obtain a slurry. The slurry was formed into a sheet by the doctor blade method and then dried to obtain a green sheet.

【0039】次にこのグリーンシート上に、Pdペースト
を印刷し、内部電極、中間電極及び補助電極用のグリー
ンシートを作製した。この電極用グリーンシートと別に
用意された他のグリーンシートとを、目的の電極パター
ンとなるように重ね合わせ、400kg/cm2 の圧力を
加えて圧着した。
Next, a Pd paste was printed on this green sheet to prepare green sheets for internal electrodes, intermediate electrodes and auxiliary electrodes. This green sheet for electrodes and another green sheet prepared separately were overlapped so as to have a desired electrode pattern, and pressure of 400 kg / cm 2 was applied to perform pressure bonding.

【0040】次に、乾燥工程を経た後、ダイシングソー
を用いて、2.3×1.43×1.14 mmに切断し、チップ形状に
した。このチップを1300℃、2時間の条件で焼成し
た。焼成済のチップの両端にディップ法によりAgーPd 電
極ペーストを塗布し、850℃で焼付けた。これによ
り、図7に示す構造を有するNTCサーミスタが得られ
る。
Next, after passing through a drying step, a dicing saw was used to cut into 2.3 × 1.43 × 1.14 mm to obtain a chip shape. This chip was fired at 1300 ° C. for 2 hours. The Ag-Pd electrode paste was applied to both ends of the fired chip by the dipping method and baked at 850 ° C. As a result, an NTC thermistor having the structure shown in FIG. 7 is obtained.

【0041】上記のNTCサーミスタを25℃と85℃
のシリコーンオイルバスに浸漬し、直流四端子法を用い
て抵抗値を測定した。比較のため、セラミック基体の相
対する両端部に外部端子電極を設け、外部端子電極間に
あるセラミック基体を利用して必要な負の抵抗温度特性
を得る単板型のNTCサーミスタ(従来品と称する)
を、同一の出発原料及び同一の製造条件の下で、同一の
形状となるように製造し、同一の測定条件で抵抗値を測
定した。測定結果を下に示す。
Apply the above NTC thermistor to 25 ° C and 85 ° C.
Was immersed in the silicone oil bath and the resistance value was measured by the DC four-terminal method. For comparison, a single plate type NTC thermistor (referred to as a conventional product) in which external terminal electrodes are provided at opposite ends of a ceramic substrate and a ceramic substrate between the external terminal electrodes is used to obtain necessary negative resistance temperature characteristics )
Was manufactured to have the same shape under the same starting material and the same manufacturing condition, and the resistance value was measured under the same measuring condition. The measurement results are shown below.

【0042】 但し、 R25:25℃における抵抗値 個数N=40の平均 B25/85 :25℃と85℃の抵抗値から算出 個数N=
40の平均 B25/85 ={ln(R25)ーln(R85)}/{(1/25+273.15)ー(1/85+27
3.15)} R25・C.V:25℃における抵抗値変動係数 C.V=(σ/個数Nの平均抵抗値)×100(%) 上記試験データから明らかなように、本発明に係るNT
Cサーミスタは従来の単板型NTCサーミスタに比べ
て、抵抗値のバラツキが小さくなった。抵抗値及びB定
数については、材料組成及び内部電極構成を変えること
により目的の特性を確保できる。
[0042] However, R25: Average of resistance value at 25 ℃ N = 40 B25 / 85: Calculated from resistance value at 25 ℃ and 85 ℃ N =
40 average B25 / 85 = {ln (R25) ー ln (R85)} / {(1/25 + 273.15) ー (1/85 + 27
3.15)} R25 · CV: Coefficient of variation in resistance value at 25 ° C. CV = (σ / average resistance value of number N) × 100 (%) As apparent from the above test data, NT according to the present invention
The C thermistor has less variation in resistance value than the conventional single-plate type NTC thermistor. Regarding the resistance value and B constant, desired characteristics can be secured by changing the material composition and the internal electrode configuration.

【0043】次に、125℃、1000時間の高温放置
試験後における抵抗変化の試験結果を下に示す。
Next, the test results of the resistance change after the high temperature storage test at 125 ° C. for 1000 hours are shown below.

【0044】 但し: △R25={(高温放置後の抵抗値ー初期抵抗値)/初期
抵抗値}×100(%) △B25/85={(高温放置後のB定数値ー初期B定数値)
/初期B定数値}×100(%) 上記試験データから明らかなように、本発明に係るNT
Cサーミスタは従来のNTCサーミスタに比べて高温放
置後の抵抗変化が著しく小さい。
[0044] However: ΔR25 = {(resistance value after high temperature-initial resistance value) / initial resistance value} × 100 (%) △ B25 / 85 = {(B constant value after high temperature storage-initial B constant value)
/ Initial B constant value} × 100 (%) As is clear from the above test data, NT according to the present invention
The C thermistor has a significantly smaller change in resistance after being left at a high temperature than the conventional NTC thermistor.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上述べたように本考案によれば、次の
ような効果を得ることができる。 (a)セラミック基体の表面結晶状態が外部雰囲気や熱
等の影響を受けて変化しても、安定した負の抵抗温度特
性を確保し得るNTCサーミスタを提供することができ
る。 (b)外部端子電極間の距離が変動しても、安定した負
の抵抗温度特性を確保し得るNTCサーミスタを提供す
ることができる。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (A) It is possible to provide an NTC thermistor that can secure stable negative resistance-temperature characteristics even if the surface crystal state of the ceramic substrate changes due to the influence of the external atmosphere, heat, and the like. (B) It is possible to provide an NTC thermistor that can secure a stable negative resistance temperature characteristic even if the distance between the external terminal electrodes changes.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係るNTCサーミスタの正面断面図で
ある。
FIG. 1 is a front sectional view of an NTC thermistor according to the present invention.

【図2】図1に示したNTCサーミスタの等価回路図で
ある。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the NTC thermistor shown in FIG.

【図3】本発明に係るNTCサーミスタの別の実施例に
おける正面断面図である。
FIG. 3 is a front sectional view of another embodiment of the NTC thermistor according to the present invention.

【図4】本発明に係るNTCサーミスタの別の実施例に
おける正面断面図である。
FIG. 4 is a front sectional view of another embodiment of the NTC thermistor according to the present invention.

【図5】本発明に係るNTCサーミスタの別の実施例に
おける正面断面図である。
FIG. 5 is a front sectional view of another embodiment of the NTC thermistor according to the present invention.

【図6】本発明に係るNTCサーミスタの別の実施例に
おける正面断面図である。
FIG. 6 is a front sectional view of another embodiment of the NTC thermistor according to the present invention.

【図7】本発明に係るNTCサーミスタの別の実施例に
おける正面断面図である。
FIG. 7 is a front sectional view of another embodiment of the NTC thermistor according to the present invention.

【図8】図7に示したNTCサーミスタの等価回路図で
ある。
8 is an equivalent circuit diagram of the NTC thermistor shown in FIG.

【図9】本発明に係るNTCサーミスタの別の実施例に
おける正面断面図である。
FIG. 9 is a front sectional view of another embodiment of the NTC thermistor according to the present invention.

【図10】本発明に係るNTCサーミスタの別の実施例
における正面断面図である。
FIG. 10 is a front sectional view of another embodiment of the NTC thermistor according to the present invention.

【図11】本発明に係るNTCサーミスタの別の実施例
における正面断面図である。
FIG. 11 is a front sectional view of another embodiment of the NTC thermistor according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 セラミック基体 21、22、23 内部電極 31、32、33 内部電極 41、42 中間電極 51、52、53 補助電極 61、62、63 補助電極 71、81 外部端子電極 1 Ceramic Substrate 21, 22, 23 Internal Electrodes 31, 32, 33 Internal Electrodes 41, 42 Intermediate Electrodes 51, 52, 53 Auxiliary Electrodes 61, 62, 63 Auxiliary Electrodes 71, 81 External Terminal Electrodes

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沼田 真 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 伊藤 潔 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Makoto Numata 1-13-1 Nihonbashi Chuo-ku, Tokyo TDC Corporation (72) Inventor Kiyoshi Ito 1-13-1 Nihonbashi Chuo-ku, Tokyo TDC Within the corporation

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミック基体と、内部電極と、中間電
極と、補助電極と、外部端子電極とを含むNTCサーミ
スタであって、 前記セラミック基体は、負の抵抗温度特性を示すセラミ
ック層を有しており、 前記内部電極は、少なくとも一対備えられ、前記セラミ
ック基体に厚み方向及び長さ方向を仮想したとき、それ
ぞれの一端が長さ方向に互いに間隔を隔てて対向し、そ
れぞれの他端が長さ方向の相対向する両側端面に導かれ
ており、 前記中間電極は、前記内部電極の間において前記内部電
極から間隔を隔てて前記セラミック層内に配置されてお
り、 前記補助電極は、前記内部電極から厚み方向に間隔を隔
てて前記セラミック層内に配置され、一端が前記内部電
極の前記一端よりも内側に位置し、他端が長さ方向の前
記側端面に導かれており、 前記外部端子電極は、前記セラミック基体の長さ方向の
両側端面に付着され、前記内部電極の前記他端及び前記
補助電極の前記他端が接続されているNTCサーミス
タ。
1. An NTC thermistor including a ceramic base, an internal electrode, an intermediate electrode, an auxiliary electrode, and an external terminal electrode, wherein the ceramic base has a ceramic layer exhibiting negative resistance-temperature characteristics. At least one pair of the internal electrodes are provided, and when the thickness direction and the length direction are hypothesized on the ceramic base, one ends of the internal electrodes face each other at intervals in the length direction, and the other ends of the internal electrodes are long. The intermediate electrodes are disposed in the ceramic layer at a distance from the internal electrodes between the internal electrodes, and the auxiliary electrodes are the internal electrodes. It is arranged in the ceramic layer at a distance from the electrode in the thickness direction, one end is located inside the one end of the internal electrode, and the other end is guided to the side end face in the length direction. Ri, the external terminal electrodes, the are attached to both side end surfaces in the length direction of the ceramic base, the other end and the NTC thermistor in which the other end of the auxiliary electrode is connected to the internal electrodes.
【請求項2】 前記内部電極は、それぞれが前記セラミ
ック層内の厚み方向のほぼ同一に配置されている請求項
1に記載のNTCサーミスタ。
2. The NTC thermistor according to claim 1, wherein the internal electrodes are arranged substantially in the same thickness direction in the ceramic layer.
【請求項3】 前記内部電極は、それぞれが前記セラミ
ック層内の厚み方向の異なる位置に配置されている請求
項1に記載のNTCサーミスタ。
3. The NTC thermistor according to claim 1, wherein the internal electrodes are arranged at different positions in the ceramic layer in the thickness direction.
【請求項4】 前記内部電極は、複数対備えられ、電極
対のそれぞれは前記セラミック基体の厚み方向に間隔を
隔てて配置されている請求項1に記載のNTCサーミス
タ。
4. The NTC thermistor according to claim 1, wherein a plurality of pairs of the internal electrodes are provided, and each of the electrode pairs is arranged at intervals in the thickness direction of the ceramic substrate.
【請求項5】 前記中間電極は、前記セラミック基体の
厚み方向に前記内部電極から間隔を隔てて配置されてい
る請求項1、2、3または4の何れかに記載のNTCサ
ーミスタ。
5. The NTC thermistor according to claim 1, wherein the intermediate electrode is arranged at a distance from the internal electrode in the thickness direction of the ceramic substrate.
【請求項6】 前記中間電極は、前記セラミック基体の
長さ方向に前記内部電極から間隔を隔てて配置されてい
る請求項1、2、3または4の何れかに記載のNTCサ
ーミスタ。
6. The NTC thermistor according to claim 1, wherein the intermediate electrode is arranged at a distance from the internal electrode in the length direction of the ceramic substrate.
【請求項7】 前記中間電極は、複数備えられ、それぞ
れが互いに間隔を隔てて配置されている請求項1に記載
のNTCサーミスタ。
7. The NTC thermistor according to claim 1, wherein a plurality of the intermediate electrodes are provided, and the intermediate electrodes are spaced apart from each other.
【請求項8】 前記補助電極は、前記内部電極のそれぞ
れごとに備えられている請求項1に記載のNTCサーミ
スタ。
8. The NTC thermistor according to claim 1, wherein the auxiliary electrode is provided for each of the internal electrodes.
【請求項9】 前記セラミック層は、Mn、 Ni、 Co、 Cu、
Al、 Fe、 CrまたはZrの少なくとも2種を含む化合物であ
る請求項1に記載のNTCサーミスタ。
9. The ceramic layer comprises Mn, Ni, Co, Cu,
The NTC thermistor according to claim 1, which is a compound containing at least two kinds of Al, Fe, Cr or Zr.
【請求項10】 前記セラミック基体は、前記セラミッ
ク層の厚み方向の両面に他のセラミック層を有する請求
項1に記載のNTCサーミスタ。
10. The NTC thermistor according to claim 1, wherein the ceramic substrate has another ceramic layer on both sides in the thickness direction of the ceramic layer.
【請求項11】 前記他のセラミック層は、比抵抗値が
前記内部電極間に位置する前記セラミック層の比抵抗値
と同等かまたはそれよりも低い値を有している請求項1
0に記載のNTCサーミスタ。
11. The specific resistance value of the other ceramic layer is equal to or lower than the specific resistance value of the ceramic layer located between the internal electrodes.
The NTC thermistor described in 0.
【請求項12】 前記他のセラミック層は、比抵抗値が
前記内部電極間に位置する前記セラミック層の比抵抗値
よりも高い値を有している請求項10に記載のNTCサ
ーミスタ。
12. The NTC thermistor according to claim 10, wherein the other ceramic layer has a specific resistance value higher than a specific resistance value of the ceramic layer located between the internal electrodes.
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