JPH06310463A

JPH06310463A - 処理方法

Info

Publication number: JPH06310463A
Application number: JP5120502A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Fukazawa; 義男深澤; Shozo Hosoda; 正蔵細田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority date: 1993-04-23
Filing date: 1993-04-23
Publication date: 1994-11-04

Abstract

(57)【要約】【目的】個々の被処理体に固有の各種処理条件を、個
々の被処理体毎に各々自動的に設定して、処理を行う。【構成】処理されるべき半導体ウエハの一部に、当該
半導体ウエハ固有の各種条件情報をバーコードとして標
識表示する。ロードロック室２０内における位置合わせ
機構２２による位置合わせが完了した時点で、バーコー
トリーダ２３によって上記情報を読み取ってこれをコン
トローラ６に入力する。コントローラ６は上記情報に従
って、高周波電源３６、温度制御装置３８、排気バルブ
３９、マスフローコントローラ４７の設定条件を制御す
る。プロセスチャンバ３０内に搬入された半導体ウエハ
は、上記設定条件の下で処理される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを始めと
する各種被処理体に対して、エッチング処理、ＣＶＤ処
理などの各種処理を施すための処理方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】例えば被処理体として半導体ウエハ、当
該被処理体に施す処理としてドライエッチング処理を例
にとって説明すると、同じ装置を使用してドライエッチ
ング処理を施す場合にも、半導体ウエハの材質、大き
さ、レジスト、パターン、規格などによって、ドライエ
ッチング処理における各種の処理条件、例えばＲＦパワ
ー、エッチング反応ガスの種類及びその流量比、処理室
内の真空度、処理温度などが異なっている。

【０００３】即ち、個々の半導体ウエハは、その種類に
よって夫々ドライエッチング処理する際の固有の条件が
異なっているのである。そのためドライエッチング処理
をする際には、処理対象である半導体ウエハに固有の各
種処理条件の下で、エッチング処理装置を作動させて処
理を実行させる必要がある。もし、そのうちの１つのパ
ラメータでも誤ってしまうと、設計通りのエッチング処
理が行えなくなってしまう。

【０００４】これを具体例を挙げて説明すれば、例えば
レジストパターンをマスクとしたポリ−シリコンに対し
て、エッチング反応ガスとしてＨＣＬ／ＨＢｒを使用し
てドライエッチングする際、レジストの被覆率（パター
ン密度）に差がある場合には高周波電力のパワー、処理
室内の真空度、サセプタの温度等が同一であっても各々
に適した流量比のエッチング反応ガスを供給しなければ
ならない。

【０００５】例えば図４に示したものは、レジスト被覆
率が４０％のパターンＸに対してＨＣＬ／ＨＢｒの流量
比を２００／２０ＳＣＣＭに設定してエッチング処理を
施したときの様子を示しており、所期の設計通りのエッ
チング処理がなされている。ところがこれと同一ガス流
量比、即ち、ＨＣＬ／ＨＢｒの流量比を２００／２０Ｓ
ＣＣＭに設定したまま、被覆率が７．４％のパターンＹ
に対してエッチング処理を施すと、図５に示したように
レジストサイドの下方までエッチングされ、アンダーカ
ットが生じてしまう。これは上記被覆率が７．４％のも
のに対するガス流量比を誤ったことが原因であり、本来
レジスト被覆率が７．４％のものに対しては、ＨＣＬ／
ＨＢｒの流量比を２００／８０ＳＣＣＭに設定しなけれ
ばならないところを、上記のように被覆率が４０％のも
のにしたために起こったものである。従って、レジスト
の被覆率のみが異なった場合であってもそれに応じた条
件の下で、処理装置を制御してエッチングしなければな
らないことがわかる。

【０００６】また一方個々の半導体ウエハ毎に、処理条
件を固定した個別の処理装置を使用することは、非現実
的であって汎用性に欠ける。従って、一般的には、１の
処理装置を使用して、そのような処理条件の異なった各
種の半導体ウエハの処理を行うにあたっては、それに応
じて個々の運転条件を変更して、制御する必要がある
が、作業員の操作によってそのような制御を逐次行うの
は、正確性、迅速性等に欠ける。そこで従来は、この種
の処理装置の未処理の半導体ウエハを例えば２５枚収納
する収納カセットに対して、収納した半導体ウエハの各
種処理条件の情報を、例えばバーコードなどで表示して
おき、処理に当たっては、まずバーコードリーダで当該
バーコードを読み取り、それに記録されている処理条件
を認識させて、適宜のコントローラに入力させるように
している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで最近ではユー
ザの要求が多様化し、この種の半導体ウエハに対しては
少量多品種の処理をすることが要求されている。かかる
要求に照らせば、上記従来の方法では、同一条件での処
理を必要とする、半導体ウエハが２５枚あれば都合がよ
いが、例えば同一条件の処理を必要とする半導体ウエハ
が２〜３枚しかない場合には、２〜３枚の処理が終了す
る度にその都度収納カセットを交換しなければならない
ことになり、極めて効率が悪い。従って従来の方法で
は、事実上、例えば２〜３枚などの小さいロットに対応
することができないのである。

【０００８】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、個々の被処理体毎に処理条件を自動的に変えら
れることを可能とした処理方法を提供して、上記問題の
解決を図ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】そのため請求項１では、
被処理体に施すべき処理の条件情報を標識化し、当該標
識を、前記被処理体の一部に表示し、前記標識を認識す
る手段によって前記標識を認識し、この認識に基づいて
得られた前記条件情報に従い、前記処理を実行する各種
装置の制御を行って、当該被処理体に処理を施すことを
特徴とする、処理方法を提供する。

【００１０】ここでいう標識とは、例えば既述のバーコ
ードの他に、アルファベットや数字等の記号、イメージ
シンボルなどの図形表示がその例として挙げられる。ま
たこれら各標識を認識するための手段としては、例えば
バーコードリーダを始めとして各種光学系の読み取り装
置や画像認識処理装置などが挙げられる。さらにまたこ
こにいう被処理体に施すべき処理の条件情報とは、例え
ば半導体ウエハのプロセスについていうと、例えばＲＦ
パワー、エッチング反応ガスの種類及びその流量、処理
室内の真空度、処理温度などが挙げられ、さらにその
他、例えばマルチチャンバ方式のシリアル処理の場合に
は、後処理としての他のチャンバ内への搬送や、当該他
のチャンバ内の処理の際の処理条件等も含むものであ
る。

【００１１】またそのように被処理体上の標識を上記認
識手段によって認識するに当たっては、請求項２に記載
したように、被処理体の位置合わせの段階においてなさ
れるように構成してもよい。

【００１２】

【作用】被処理体に施すべき処理の条件情報を認識させ
るための標識が、当該被処理体の一部に設けられ、当該
表示を認識してその認識結果によって得られた各種処理
条件に従って、前記処理を実行する各種装置の制御を行
うものであるから、個々の被処理体毎に処理条件を自動
的に変更したり、設定したりして、各被処理体に対して
固有の処理条件の下での処理を施すことが可能である。

【００１３】また請求項２によれば、特に前記標識の認
識を、被処理体の位置合わせの段階でなされるので、例
えば光学系の認識手段を用いる場合には、常に所定の位
置に固定しておけばよく、例えば被処理体全部に渡って
走査する必要もないので、認識手段による認識に誤動作
が起こる可能性はなく、認識自体も迅速、かつ正確に行
われるものである。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
すると、図１は本実施例を実施するためのエッチング処
理装置１の構成を模式的に示しており、このエッチング
処理装置１は、カセットチャンバ１０、このカセットチ
ャンバ１０にゲートバルブ２を介して隣接しているロー
ドロックチャンバ２０、このロードロックチャンバ２０
にゲートバルブ３を介して隣接しているプロセスチャン
バ３０の３つのチャンバを有している。

【００１５】上記カセットチャンバ１０内には、大気側
のゲートバルブ４を介してチャンバ内に搬入される収納
カセット１１を載置する載置台１２が設けられ、さらに
このカセットチャンバ１０の底部には、排気バルブ１３
を介して真空ポンプなどの排気手段５に通ずる排気口１
４が設けられており、当該排気手段５の作動によって、
上記カセットチャンバ１０内は、所定の減圧雰囲気、例
えば１Ｔｏｒｒに設定維持が可能なように構成されてい
る。なお上記収納カセット１１は、エッチング対象であ
る半導体ウエハが上下方向に例えば２５枚収納されるよ
うに構成されている。

【００１６】上記ロードロックチャンバ２０内には、上
記ゲートバルブ２を介して半導体ウエハをカセットチャ
ンバ１０内との間で搬送し、また上記ゲートバルブ３を
介して半導体ウエハをプロセスチャンバ３０との間で搬
送するための搬送装置２１が設けられている。

【００１７】この搬送装置２１の近傍には、例えば上記
半導体ウエハの周縁部に沿った形態の位置合わせ部を有
する位置合わせ機構２２が設けられており、上記カセッ
トチャンバ１０から搬入された未処理の半導体ウエハ
は、一旦ロードロックチャンバ２０内にて保持され、こ
の搬送装置２１の上で上記位置合わせ機構２２によっ
て、オリフラ合わせと呼ばれる所定の位置合わせが行わ
れるようになっている。

【００１８】また上記位置合わせ機構２２の上方には、
レーザを利用した読み取り装置、例えばバーコードリー
ダ２３が配置されている。このバーコードリーダ２３
は、水平方向に進退自在なように構成されており、上記
位置合わせ機構２２による位置合わせが完了した時点
で、半導体ウエハの上方の所定の位置に移動して、該半
導体ウエハの所定の位置に表示されているバーコードを
読み取り、それによって認識した情報を信号化し、これ
を外部に設けられているコントローラ６に出力するよう
に構成されている。

【００１９】上記ロードロックチャンバ２０の底部に
も、排気バルブ２４を介して既述の排気手段５に通ずる
排気口２５が設けられており、当該排気手段５の作動に
よって、上記ロードロックチャンバ２０内は、所定の減
圧雰囲気、例えば０．５Ｔｏｒｒに設定維持が可能なよ
うに構成されている。

【００２０】上記プロセスチャンバ３０内には、上記ゲ
ートバルブ３を介して搬送される半導体ウエハを載置、
保持するためのサセプタ３１が設けられている。保持す
るための機構としては、例えば誘電体に直流電圧を印加
した際に生ずる静電気力を利用した静電チャックなどの
機構を用いることができる。

【００２１】このサセプタ３１はアルミ等の材質によっ
て構成され、上記プロセスチャンバ３０の底部に設けた
セラミックなどからなる絶縁板３２を介して設けられて
いるサセプタ支持台３３の上面に設けられており、接地
されているプロセスチャンバ３０とは絶縁されている。
そして上記サセプタ３１は、ブロッキングコンデンサ３
４、マッチング装置３５を介して接続されている高周波
電源３６からの、例えば周波数が１３．５６ＭＨｚ、パ
ワーが１００Ｗ〜１５００Ｗまでの任意の値の高周波電
力が印加されるように構成されている。また上記高周波
電源３６の出力は、既述のコントローラ６によって制御
されるようになっている。

【００２２】上記サセプタ支持台３３内には、上記サセ
プタ３１を所定温度、例えば−３０゜Ｃ〜＋６０゜Ｃま
での任意の温度に制御するための温度調節機構３７が設
けられており、この温度調節機構３７は、上記プロセス
チャンバ３０外部に設けられている温度制御装置３８に
よって制御され、さらにこの温度制御装置３８自体も、
既述のコントローラ６によって制御されるように構成さ
れている。

【００２３】上記プロセスチャンバ３０の底部には、排
気バルブ３９を介して既述の排気手段５に通ずる排気口
４０が設けられており、当該排気手段５、並びに該排気
バルブ３９の作動によって、上記プロセスチャンバ３０
内は、例えば１０^-2〜１０^-1Ｔｏｒｒまでの間の任意の
減圧雰囲気に設定、維持が可能である。そしてこの排気
バルブ３９の作動、開閉度等は、既述のコントローラ６
によって制御されるように構成されている。

【００２４】上記プロセスチャンバ３０内の上方には、
上記サセプタ３１と対向するように上部電極４１が設け
られている。この上部電極４１は全体として中空構造を
有しており、また上記サセプタ３１との対向面の材質は
例えばアモルファスカーボンからなっている。そしてこ
の対向面には、多数のガス拡散孔４２が設けられてお
り、上記上部電極４１の中心上部に設けられているガス
導入口４３から供給されるエッチング反応ガスなどの処
理ガスは、これら各ガス拡散孔４２から、上記サセプタ
３１上に載置される半導ウエハに対して均等に吐出され
る構成となっている。

【００２５】上記ガス導入口４３は、バルブ４４を介し
てガス供給管４５と接続されており、さらにこのガス供
給管４５はさらに３つに分岐されて、各分岐先には、各
々バルブ４６、ガス供給量の調整を担うマスフロー・コ
ントローラ４７を介して、各々異なった処理ガスが充填
されているガスボンベが接続されている。本実施例で
は、ガスボンベ４８にＨＣＬガスが、ガスボンベ４９に
はＨＢｒガスが、ガスボンベ５０には不活性ガスである
Ｎ₂が夫々充填されている。そして上記各バルブ４６及
び各マスフロー・コントローラ４７は、既述のコントロ
ーラ６によってそれぞれ制御されるように構成されてい
る。

【００２６】本実施例を実施するために使用されるエッ
チング処理装置１は、以上のように構成されており、次
にこのエッチング処理装置１を使用して、被処理体であ
る半導体ウエハに対してエッチング処理する場合のプロ
セスについて説明する。

【００２７】本実施例における被処理体となる半導体ウ
エハＷは、図２に示したようにそのオリフラ５１の近辺
に、当該半導体ウエハＷのドライエッチング処理を施す
際の固有の各種条件、例えばＲＦパワー、エッチング反
応ガスの種類及びその流量、処理室内の真空度、処理温
度が情報化されてバーコード５２として表示されてい
る。

【００２８】そしてそのようにして個々の半導体ウエハ
固有の各種処理条件がバーコード表示されている複数の
半導体ウエハＷ₁〜Ｗ₂₅が上記収納カセット１１に収納
されて、例えば搬送ロボット（図示せず）によってゲー
トバルブ４を介してカセットチャンバ１０内の載置台１
２に載置される。

【００２９】その後上記カセットチャンバ１０内とロー
ドロックチャンバ２０内とが排気手段５によって同一の
減圧雰囲気、例えば１Ｔｏｒｒにされてから、ゲートバ
ルブ２が開放されて上記ロードロックチャンバ２０内の
搬送装置２１によって、まず半導体ウエハＷ₁がロード
ロックチャンバ２０内に搬入される。

【００３０】その後位置合わせ機構２２によって上記半
導体ウエハＷ₁のオリフラ合わせが完了すると、バーコ
ードリーダ２３が上記半導体ウエハＷ₁の上方所定位置
に移動して、上記半導体ウエハＷ₁のオリフラ近辺に表
示された既述の各種処理条件が情報化されているバーコ
ードを読み取り、その情報をコントローラ６に出力す
る。

【００３１】コントローラ６では、入力された上記半導
体ウエハＷ₁固有の各種処理条件情報を演算処理して、
それに応じたコマンドを既述の高周波電源３６、バルブ
３９、温度制御装置３８、並びに処理ガス系の各バルブ
４６、マスフローコントローラ４７に出力する。

【００３２】次にゲートバルブ３が開放されて上記半導
体ウエハＷ₁は、搬送装置２１によってプロセスチャン
バ３０内のサセプタ上に載置される。その後上記ゲート
バルブ３が閉鎖されると、上記コントローラ６のコマン
ドに従って、まずプロセスチャンバ３０内が排気手段
５、排気バルブ３９によって上記半導体ウエハＷ₁のド
ライエッチング処理に適した減圧雰囲気、例えば０．６
Ｔｏｒｒに維持される。

【００３３】また同時に、既述のコントローラ６のコマ
ンドに従って温度制御装置３８によって、サセプタ３１
は所定温度、例えば４０゜Ｃに設定、維持され、さらに
同じく既述のコントローラ６のコマンドに従った処理ガ
スが所定の流量比の下で、ガス導入口４３からプロセス
チャンバ３０内に導入される。例えば上記半導体ウエハ
Ｗ₁のレジスト被覆率が４０％の場合には、ＨＣＬ／Ｈ
Ｂｒガスが流量比２００／２０ＳＣＣＭの比率でプロセ
スチャンバ３０内に導入される。その後に既述のコント
ローラ６のコマンドによる設定条件に従って、高周波電
源３６から例えばパワーが２７５ｗ、周波数が１３．５
６ＭＨｚの高周波電力が上記サセプタ３１に対して印加
され、上記半導体ウエハＷ₁に対してエッチング処理が
行われるのである。

【００３４】かかる場合、上記の各種処理条件はいずれ
も、予め上記半導体ウエハＷ₁にバーコードとして情報
化され、この情報に従って叙上の各種装置が制御され
て、その処理条件が設定されているので、極めて正確な
エッチング処理がなされる。そしてそのようにして上記
半導体ウエハＷ₁に対する所定のエッチング処理が完了
した後、次の被処理体である半導体ウエハＷ₂に対して
エッチング処理を行う場合も上記と同様なプロセスを経
て、上記半導体ウエハＷ₂固有の条件下で実施される。

【００３５】例えば次の半導体ウエハＷ₂の被覆率が、
処理済みの上記半導体ウエハＷ₁と異なり、７．４％で
ある場合には、それに応じた各種処理条件が同じくバー
コード化されて半導体ウエハＷ₂の表面に表示されてい
るから、ロードロックチャンバ２０内でのオリフラ合わ
せが完了した時点での、バーコードリーダ２３による読
み取り動作によって、この半導体ウエハＷ₂固有の処理
条件がコントローラ６に入力され、それに基づき、高周
波電源３６、バルブ３９、温度制御装置３８、並びに処
理ガス系の各バルブ４６、マスフローコントローラ４７
等がセットアップされる。具体的にいえば、上記半導体
ウエハＷ₂は、そのレジストの被覆率が７．４％である
ので、それに応じたＨＣＬ／ＨＢｒガスの流量比、２０
０／８０ＳＣＣＭが設定される。

【００３６】而して、上記セットアップが完了して上記
半導体ウエハＷ₂が、プロセスチャンバ３０内のサセプ
タ３１上の載置されると、上記設定条件下でのエッチン
グ処理が開始され、既述の半導体ウエハＷ₁の場合と異
なり、プロセスチャンバ３０内にはＨＣＬ／ＨＢｒガス
が流量比、２００／８０ＳＣＣＭの下で供給される。従
って、既述の半導体ウエハＷ₁とは異なった条件での処
理が必要な上記半導体ウエハＷ₂に対して、相応する適
切な処理が自動的、かつ正確に実行されるものである。

【００３７】このようにして、夫々異なった固有の処理
条件を有する他の半導体ウエハＷ₃〜₂₅に対しても、各
々自動的に処理条件が変更されて適切なエッチング処理
がなされる。またそれを実行する際のバーコードの読み
取りは、半導体ウエハの位置合わせが完了した時点で行
われるので、常に正確な読み取りが可能である。

【００３８】なお既述の半導体ウエハＷ₁とＷ₂とは、そ
の処理条件が、処理ガスの流量比のみが異なっていた
が、もちろんその他高周波電力のパワーや温度、減圧雰
囲気等が異なっている場合に対しても、そのことがバー
コード化されて被処理体である半導体ウエハ上に表示さ
れていれば、適切に対処できるものである。

【００３９】なお上記実施例では、バーコードとして標
識化されている情報が、被処理体に施されるいわば環境
的な条件についてのケースであったが、もちろん本発明
によればそれに限らず、例えばマルチプロセスチャンバ
方式の下での個々の処理内容が、被処理体毎に異なって
いる場合にも適用可能である。これを例えば図３に示し
たようなマルチプロセスチャンバ方式の真空処理装置６
１に基づいて以下に説明する。

【００４０】図３に示したマルチプロセスチャンバ方式
の真空処理装置６１は、収納カセット６２を搬入するカ
セットチャンバ６３と、このカセットチャンバ６３に隣
接して設けられるロードロックチャンバ６４、このロー
ドロックチャンバ６４に隣接して設けられる搬送チャン
バ６５有しており、さらにこの搬送チャンバ６５には、
洗浄処理を実行するプロセスチャンバＡ、エッチング処
理を実行するプロセスチャンバＢ、ＣＶＤ処理を実行す
るプロセスチャンバＣが設けられている。

【００４１】かかるマルチプロセスチャンバ方式の真空
処理装置６１を用いて個々の被処理体、例えば半導体ウ
エハに対して夫々固有な個別処理をする場合、当該半導
体ウエハの表面に必要な個別処理を情報化して、例えば
前出実施例と同様これをバーコード化して表示しておけ
ば、ある半導体ウエハに対してはプロセスチャンバＡで
の洗浄処理だけを実行し、他の半導体ウエハに対しては
プロセスチャンバＡでの洗浄処理の後にさらに、プロセ
スチャンバＢにおいてエッチング処理を実行し、また別
の半導体ウエハに対してはプロセスチャンバＡでの洗浄
処理、プロセスチャンバＢにおけるエッチング処理の後
にさらに、プロセスチャンバＣにおけるＣＶＤ処理を実
行することを、全て自動化することが可能である。

【００４２】この場合、そのような処理を実行するため
のバーコード化された情報の読み取りは、通常この種の
マルチプロセスチャンバ方式の真空処理装置において位
置合わせが行われるロードロックチャンバ６４内での位
置合わせ完了の時点で、行うように構成すればよい。も
ちろん上記の場合、各プロセスチャンバにおいて、さら
に個々の処理条件を各半導体ウエハ毎に設定変更するこ
とも可能である。

【００４３】なお上記実施例においては、処理条件等を
情報化してこれを表示する標識として、バーコードを利
用したが、もちろんこれに限らず、例えば数字、アルフ
ァベット、イメージシンボル等の記号、図形によって表
示してもよい。またその場合の読み取り手段も例えば画
像処理手段を利用した装置によってもよい。

【００４４】また以上のような情報化された標識の被処
理体への表示は、例えば半導体ウエハの場合、マスク形
成時に同時に行うことが可能であり、本発明を実行する
に当たり、特に異質の別なプロセスを付加する必要はな
い。

【００４５】さらにまた上記実施例における被処理体
は、半導体ウエハであったが、これに限らず、例えばＬ
ＣＤ基板などについても本発明は適用可能である。もち
ろん被処理体に施す処理の種類も、既述のドライエッチ
ングに限らず、アッシング処理、成膜処理等であっても
適用可能である。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、個々の被処理体毎に夫
々固有な各種処理条件を自動的に設定変更して、必要な
処理を実行することが可能である。従って、枚葉処理を
実行する装置に対して特に有効であり、今後益々増大す
ると予想される少量多品種の製造プロセスにとって、適
切に対処できるものである。またそのようにして各種処
理条件が設定変更されるにあたっては、被処理体に付さ
れた標識に基づいて行われるので、レシピ入力のミスが
なく、極めて正確な処理がなされるものである。

【００４７】請求項２によれば、特に認識手段による標
識の認識が、被処理体の位置合わせの段階でなされるの
で、上記の認識が常に迅速、かつ正確に行われるもので
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を実施するために用いたにエッ
チング処理装置の側面断面の様子を模式的に示した説明
図である。

【図２】本発明の実施例で使用した半導体ウエハの平面
図である。

【図３】本発明の他の適用例を説明するために使用した
マルチプロセスチャンバ方式の真空処理装置の平面図で
ある。

【図４】レジスト被覆率に正しく対処したガス流量比の
下でエッチング処理を実行したときのパターンの拡大斜
視図である。

【図５】レジスト被覆率に誤って対処したガス流量比の
下でエッチング処理を実行したときのパターンの拡大斜
視図である。

【符号の説明】

１エッチング処理装置５排気手段６コントローラ１０カセットチャンバ１１収納カセット２０ロードロックチャンバ２１搬送装置２２位置合わせ機構２３バーコードリーダ３０プロセスチャンバ３１サセプタ３６高周波電源３８温度制御装置３９排気バルブ４１上部電極４３ガス導入口４６バルブ４７マスフローコントローラ５２バーコードＷ半導体ウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体に施すべき処理の条件情報を標
識化し、当該標識を、前記被処理体の一部に表示し、前
記標識を認識する手段によって前記標識を認識し、この
認識に基づいて得られた前記条件情報に従い、前記処理
を実行する各種装置の制御を行って、当該被処理体に処
理を施すことを特徴とする、処理方法。
【請求項２】前記標識の認識は、被処理体の位置合わ
せの段階においてなされることを特徴とする、請求項１
に記載の処理方法。