JPH06310452A - 半導体装置の拡散方法 - Google Patents
半導体装置の拡散方法Info
- Publication number
- JPH06310452A JPH06310452A JP5120500A JP12050093A JPH06310452A JP H06310452 A JPH06310452 A JP H06310452A JP 5120500 A JP5120500 A JP 5120500A JP 12050093 A JP12050093 A JP 12050093A JP H06310452 A JPH06310452 A JP H06310452A
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- JP
- Japan
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- deposit layer
- wafer
- furnace
- semiconductor device
- diffusion
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- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】厚さの均一なデポジット層を形成し、一様な拡
散（プレドライブ）を行うことのできる半導体装置の拡
散方法を提供する。 【構成】複数のウェハーを載置したボートを炉内に配置
し、炉内に反応ガスＮ2を送り込んで該ウェハー上にデ
ポジット層を形成し、その後不活性ガスを送り込んでデ
ポジット層をプレドライブしてなる工程７を含む半導体
装置の拡散方法において、不活性ガスを、初めは少ない
流量１２（０．５リットル／ｍｉｎ）にして反応ガスを
パージし、その後流量を増して７（１０リットル／ｍｉ
ｎ）デポジット層をプレドライブする。
散（プレドライブ）を行うことのできる半導体装置の拡
散方法を提供する。 【構成】複数のウェハーを載置したボートを炉内に配置
し、炉内に反応ガスＮ2を送り込んで該ウェハー上にデ
ポジット層を形成し、その後不活性ガスを送り込んでデ
ポジット層をプレドライブしてなる工程７を含む半導体
装置の拡散方法において、不活性ガスを、初めは少ない
流量１２（０．５リットル／ｍｉｎ）にして反応ガスを
パージし、その後流量を増して７（１０リットル／ｍｉ
ｎ）デポジット層をプレドライブする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の拡散方法
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、炉内における拡散（プレドライ
ブ）時のウェハーの一般的な配置状態を示す略断面図で
ある。図中、１４は炉内を示し、１５はシリコン製のウ
ェハー、１６は複数のウェハー１５を立てて載置した石
英製のボートであり、拡散（プレドライブ）工程におい
て、必要な反応ガス及び不活性ガスは矢印Ａ方向に炉内
へ送り込まれる。
ブ）時のウェハーの一般的な配置状態を示す略断面図で
ある。図中、１４は炉内を示し、１５はシリコン製のウ
ェハー、１６は複数のウェハー１５を立てて載置した石
英製のボートであり、拡散（プレドライブ）工程におい
て、必要な反応ガス及び不活性ガスは矢印Ａ方向に炉内
へ送り込まれる。
【０００３】図４は、従来の拡散（プレドライブ）工程
の一部を示す概略図である。図中１は従来のデポジット
工程を示し、２はウェハー１５及び１６を炉内１４の所
定の位置まで搬送するロード工程、３は炉内１４にＮ2
等の不活性ガスを送り込み安定した環境を作る工程、４
は炉内１４にＯ2ガスを送り込み、ウェハー１５の表面
と反応させて薄いＳｉＯ2膜を形成するＰｒｅＯｘｉ工
程、５はＰｒｅＯｘｉ工程４におけるＯ2ガスを不活性
ガスによりパージする工程、６は炉内１４にＢｃｌ3，
Ｏ2，Ｎ2等の反応ガス及び不活性ガスを送り込み、ウェ
ハー１５上にデポジットする工程、７はデポジット工程
６における反応ガスを不活性ガスＮ2によりパージし、
プレドライブする工程である。
の一部を示す概略図である。図中１は従来のデポジット
工程を示し、２はウェハー１５及び１６を炉内１４の所
定の位置まで搬送するロード工程、３は炉内１４にＮ2
等の不活性ガスを送り込み安定した環境を作る工程、４
は炉内１４にＯ2ガスを送り込み、ウェハー１５の表面
と反応させて薄いＳｉＯ2膜を形成するＰｒｅＯｘｉ工
程、５はＰｒｅＯｘｉ工程４におけるＯ2ガスを不活性
ガスによりパージする工程、６は炉内１４にＢｃｌ3，
Ｏ2，Ｎ2等の反応ガス及び不活性ガスを送り込み、ウェ
ハー１５上にデポジットする工程、７はデポジット工程
６における反応ガスを不活性ガスＮ2によりパージし、
プレドライブする工程である。
【０００４】図５は、図４のデポジット工程１によりデ
ポジットされたアェハー１５にプレドライブする様子を
示す略断面図である。図中、８は図４のデポジット工程
１により形成されたＢ2Ｏ2のデポジット層、９はＰｒｅ
Ｏｘｉ工程４により形成されたＳｉＯ2膜、矢印Ｂはウ
ェハー１０内にプレドライブされる方向を示している。
ポジットされたアェハー１５にプレドライブする様子を
示す略断面図である。図中、８は図４のデポジット工程
１により形成されたＢ2Ｏ2のデポジット層、９はＰｒｅ
Ｏｘｉ工程４により形成されたＳｉＯ2膜、矢印Ｂはウ
ェハー１０内にプレドライブされる方向を示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、デポジット工程６におけるＢｃｌ3や
Ｏ2等の反応ガスをＮ2等の不活性ガスでパージする際
に、例えば１０リットル／ｍｉｎの多い流量の不活性ガ
スで一気にパージする為に、反応ガスの急な流れにより
ウェハー１５の表面上で反応に差が出てしまい、図５に
示すように、デポジット層８の厚みが均一でなくなる。
この為、ウェハー１５への拡散（プレドライブ）も一様
にはいかず、ウェハー面内のシート抵抗値のばらつきが
大きいという課題があった。
来例においては、デポジット工程６におけるＢｃｌ3や
Ｏ2等の反応ガスをＮ2等の不活性ガスでパージする際
に、例えば１０リットル／ｍｉｎの多い流量の不活性ガ
スで一気にパージする為に、反応ガスの急な流れにより
ウェハー１５の表面上で反応に差が出てしまい、図５に
示すように、デポジット層８の厚みが均一でなくなる。
この為、ウェハー１５への拡散（プレドライブ）も一様
にはいかず、ウェハー面内のシート抵抗値のばらつきが
大きいという課題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の課題は、不活性ガ
スを、初めは少ない流量にして反応ガスをパージし、そ
の後流量を増してデポジット層をプレドライブしたこと
により解決される。
スを、初めは少ない流量にして反応ガスをパージし、そ
の後流量を増してデポジット層をプレドライブしたこと
により解決される。
【０００７】
【作用】上記半導体装置の拡散方法によれば、均一なデ
ポジット層を形成することができ、一様な拡散が行われ
得る。
ポジット層を形成することができ、一様な拡散が行われ
得る。
【０００８】
【実施例】次に、本発明に係る半導体装置の拡散方法の
実施例について説明する。図１は、本発明に係る拡散
（プレドライブ）工程の一部を示す概略図である。図
中、図４と対応する箇所には同一符号を付し、その詳細
な説明は省略する。
実施例について説明する。図１は、本発明に係る拡散
（プレドライブ）工程の一部を示す概略図である。図
中、図４と対応する箇所には同一符号を付し、その詳細
な説明は省略する。
【０００９】図１中、１１は本発明によるデポジット工
程を示し、１２はデポジション工程６におけるＢｃｌ3
やＯ2等の反応ガスを、Ｎ2等の不活性ガスでパージする
際に、例えば０．５リットル／ｍｉｎの少ない流量の不
活性ガスを送り込む工程である。これにより図３に示す
ように、ボート１６上に林立する複数のウェハー１５と
ウェハー１５の間に反応ガスだまりを一時的に作った上
で除々にパージしていく。
程を示し、１２はデポジション工程６におけるＢｃｌ3
やＯ2等の反応ガスを、Ｎ2等の不活性ガスでパージする
際に、例えば０．５リットル／ｍｉｎの少ない流量の不
活性ガスを送り込む工程である。これにより図３に示す
ように、ボート１６上に林立する複数のウェハー１５と
ウェハー１５の間に反応ガスだまりを一時的に作った上
で除々にパージしていく。
【００１０】その後、図１中の工程７のように不活性ガ
スの流量を例えば１０リットル／ｍｉｎに増し、プレド
ライブを行う。
スの流量を例えば１０リットル／ｍｉｎに増し、プレド
ライブを行う。
【００１１】図２は、図１のデポジット工程１１により
デポジットされたウェハー１５に拡散（プレドライブ）
する様子を示す略断面図である。図中５と対応する部分
には同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
デポジットされたウェハー１５に拡散（プレドライブ）
する様子を示す略断面図である。図中５と対応する部分
には同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００１２】図２中、１３は図１のデポジット工程１１
により形成されたＢ2Ｏ2等のデポジット層である。上述
の如く、工程１２によってＢｃｌ3やＯ2等の反応ガスが
Ｎ2等の不活性ガスに除々にパージされることにより、
反応ガスの流れが緩やかになり、ウェハー１５の表面上
での反応差が小さくなり、デポジット層１３の厚みも均
一になる。この為、矢印Ｃに示す如くウェハー１５への
拡散（プレドライブ）が一様に行われる。
により形成されたＢ2Ｏ2等のデポジット層である。上述
の如く、工程１２によってＢｃｌ3やＯ2等の反応ガスが
Ｎ2等の不活性ガスに除々にパージされることにより、
反応ガスの流れが緩やかになり、ウェハー１５の表面上
での反応差が小さくなり、デポジット層１３の厚みも均
一になる。この為、矢印Ｃに示す如くウェハー１５への
拡散（プレドライブ）が一様に行われる。
【００１３】
【発明の効果】上述の如く、本発明に係る半導体装置の
拡散方法は、複数のウェハーを載置したボートを炉内に
配置し、該炉内に反応ガスを送り込んで該ウェハー上に
デポジット層を形成し、その後不活性ガスを送り込んで
該デポジット層をプレドライブしてなる工程を含む半導
体装置の拡散方法において、該不活性ガスを、初めは少
ない流量にして該反応ガスをパージし、その後流量を増
して該デポジット層をプレドライブしたため、ウエハー
の表面上での反応差が小さくなり、厚さの均一なデポジ
ット層が形成されて、ウェハーへの拡散（プレドライ
ブ）が一様に行われ、ウェハー面内のシート抵抗値のば
らつきが小さくなるという利点が生ずる。
拡散方法は、複数のウェハーを載置したボートを炉内に
配置し、該炉内に反応ガスを送り込んで該ウェハー上に
デポジット層を形成し、その後不活性ガスを送り込んで
該デポジット層をプレドライブしてなる工程を含む半導
体装置の拡散方法において、該不活性ガスを、初めは少
ない流量にして該反応ガスをパージし、その後流量を増
して該デポジット層をプレドライブしたため、ウエハー
の表面上での反応差が小さくなり、厚さの均一なデポジ
ット層が形成されて、ウェハーへの拡散（プレドライ
ブ）が一様に行われ、ウェハー面内のシート抵抗値のば
らつきが小さくなるという利点が生ずる。
【図１】本発明に係る拡散工程の一部を示す概略図であ
る。
る。
【図２】図１の工程によりデポジットされたウェハーへ
の拡散（プレドライブ）工程を示す略断面図である。
の拡散（プレドライブ）工程を示す略断面図である。
【図３】炉内における拡散（プレドライブ）時のウェハ
ーの一般的な配置状態を示す略断面図である。
ーの一般的な配置状態を示す略断面図である。
【図４】従来の拡散（プレドライブ）工程の一部を示す
概略図である。
概略図である。
【図５】図４の工程によりデポジットされたウェハーへ
の拡散（プレドライブ）工程を示す略断面図である。
の拡散（プレドライブ）工程を示す略断面図である。
７ プレドライブ工程 １２ 不活性ガスを少ない流量でパージする工程 １３ デポジット層 １４ 炉内 １５ ウェハー １６ ボート
Claims (1)
- 【請求項１】 複数のウェハーを載置したボートを炉内
に配置し、該炉内に反応ガスを送り込んで該ウェハー上
にデポジット層を形成し、その後不活性ガスを送り込ん
で該デポジット層をプレドライブしてなる工程を含む半
導体装置の拡散方法において、 該不活性ガスを、初めは少ない流量にして該反応ガスを
パージし、その後流量を増して該デポジット層をプレド
ライブしたことを特徴とする半導体装置の拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120500A JPH06310452A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体装置の拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120500A JPH06310452A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体装置の拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310452A true JPH06310452A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14787744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5120500A Pending JPH06310452A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体装置の拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310452A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8865494B2 (en) * | 2010-02-19 | 2014-10-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for compound semiconductor light-emitting element |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP5120500A patent/JPH06310452A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8865494B2 (en) * | 2010-02-19 | 2014-10-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for compound semiconductor light-emitting element |
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