JPH06307927A - 放射エネルギー検出装置 - Google Patents
放射エネルギー検出装置Info
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- JPH06307927A JPH06307927A JP5120523A JP12052393A JPH06307927A JP H06307927 A JPH06307927 A JP H06307927A JP 5120523 A JP5120523 A JP 5120523A JP 12052393 A JP12052393 A JP 12052393A JP H06307927 A JPH06307927 A JP H06307927A
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- radiation energy
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- ingaas
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Links
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- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
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Landscapes
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】１個の装置形状で複数の受光感度に対応できる
放射エネルギー検出装置を提供する。 【構成】放射エネルギーＬは、キャップ１の窓材１０を
介し、Ｓｉ素子３、この裏面のＩｎＧａＡｓ素子４に入
射する、各素子、３、４の検出出力は、リード線５１、
５２、リードピン６１、６２、６３、６４により基台２
の外部へ取り出す。
放射エネルギー検出装置を提供する。 【構成】放射エネルギーＬは、キャップ１の窓材１０を
介し、Ｓｉ素子３、この裏面のＩｎＧａＡｓ素子４に入
射する、各素子、３、４の検出出力は、リード線５１、
５２、リードピン６１、６２、６３、６４により基台２
の外部へ取り出す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、測定対象からの放射
エネルギーを検出する装置に関するものである。
エネルギーを検出する装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】赤外線放射エネルギーを検出する素子に
はさまざまなものがあるが、通常は１素子を１つのパッ
ケージに収納して、その出力を取り出すようにしてい
る。
はさまざまなものがあるが、通常は１素子を１つのパッ
ケージに収納して、その出力を取り出すようにしてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１つの
素子では受光感度波長は限られており、広範囲の測温等
を行うことが困難である。そこで、受光感度波長の異る
素子を複数個用いて測定を行おうとすると、スペースを
多く必要とする問題点があった。
素子では受光感度波長は限られており、広範囲の測温等
を行うことが困難である。そこで、受光感度波長の異る
素子を複数個用いて測定を行おうとすると、スペースを
多く必要とする問題点があった。
【０００４】この発明の目的は、以上の点に鑑み、１個
の素子の装置形状で複数の受光感度の波長に対応できる
放射エネルギー検出装置を提供することである。
の素子の装置形状で複数の受光感度の波長に対応できる
放射エネルギー検出装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、放射エネル
ギーの入射光側に設けられたＳｉ素子と、このＳｉ素子
を透過した放射エネルギーを検出するＩｎＧａＡｓ素子
とを設けるようにした放射エネルギー検出装置である。
ギーの入射光側に設けられたＳｉ素子と、このＳｉ素子
を透過した放射エネルギーを検出するＩｎＧａＡｓ素子
とを設けるようにした放射エネルギー検出装置である。
【０００６】
【実施例】図１は、この発明の一実施例を示す構成説明
図である。
図である。
【０００７】図において、１は、放射エネルギーＬが入
射する窓材１０を頂部に有する円筒形状のキャップで、
基台２にその基部がはめ込まれて取り付けられるように
なっている。キャップ１内の窓材１０に面した放射エネ
ルギーＬの入射光側にＳｉ素子３が設けられ、その両側
がリード線５１を介し、リードピン６１、６２の一端に
接続し、リードピン６１、６２の他端は基台２を貫通し
て突出している。また、Ｓｉ素子３の裏面にはＳｉ素子
３を透過した放射エネルギーＬを検出するＩｎＧａＡｓ
素子４が設けられ、その両側がリード線５２を介しリー
ドピン６３、６４の一端に接続し、リードピン６３、６
４の他端は基台２を貫通して外部に突出している。この
ようにして、２素子を１つのパッケージ装置内に収納し
て設けるようにし、ハイブリッド形とし、各素子３、４
の出力がリードピン６１、６２、６３、６４から外部に
検出出力を取り出せるようになっている。
射する窓材１０を頂部に有する円筒形状のキャップで、
基台２にその基部がはめ込まれて取り付けられるように
なっている。キャップ１内の窓材１０に面した放射エネ
ルギーＬの入射光側にＳｉ素子３が設けられ、その両側
がリード線５１を介し、リードピン６１、６２の一端に
接続し、リードピン６１、６２の他端は基台２を貫通し
て突出している。また、Ｓｉ素子３の裏面にはＳｉ素子
３を透過した放射エネルギーＬを検出するＩｎＧａＡｓ
素子４が設けられ、その両側がリード線５２を介しリー
ドピン６３、６４の一端に接続し、リードピン６３、６
４の他端は基台２を貫通して外部に突出している。この
ようにして、２素子を１つのパッケージ装置内に収納し
て設けるようにし、ハイブリッド形とし、各素子３、４
の出力がリードピン６１、６２、６３、６４から外部に
検出出力を取り出せるようになっている。
【０００８】このように、Ｓｉ素子２は受光感度の波長
帯域が０．６〜１．１μｍにあり、１．１μｍ以上は透
過するので、ＩｎＧａＡｓ素子３は、Ｓｉ素子２の窓に
より受光感度０．６５〜１．７μｍのうち１．１〜１．
７μｍの光を検出する。
帯域が０．６〜１．１μｍにあり、１．１μｍ以上は透
過するので、ＩｎＧａＡｓ素子３は、Ｓｉ素子２の窓に
より受光感度０．６５〜１．７μｍのうち１．１〜１．
７μｍの光を検出する。
【０００９】図２で概略示すように、ＩｎＧａＡｓ素子
３の方が受光感度は高い。Ｓｉ素子２は波長０．９６μ
ｍで受光感度は０．５（Ａ／Ｗ）、ＩｎＧａＡｓ素子３
は、波長１．５μｍで０．８（Ａ／Ｗ）で約１．６倍あ
る。Ｓｉ素子２の透過率を５０％としても、ＩｎＧａＡ
ｓ素子３の感度は約０．４（Ａ／Ｗ）あり、いずれの素
子も特別な駆動用の電源は不要で十分測定ができる。
３の方が受光感度は高い。Ｓｉ素子２は波長０．９６μ
ｍで受光感度は０．５（Ａ／Ｗ）、ＩｎＧａＡｓ素子３
は、波長１．５μｍで０．８（Ａ／Ｗ）で約１．６倍あ
る。Ｓｉ素子２の透過率を５０％としても、ＩｎＧａＡ
ｓ素子３の感度は約０．４（Ａ／Ｗ）あり、いずれの素
子も特別な駆動用の電源は不要で十分測定ができる。
【００１０】たとえば、３００℃位からの低温はＩｎＧ
ａＡｓ素子４の出力で行い、数百度以上では、Ｓｉ素子
３との出力の合成を用い、１５００℃以上でＩｎＧａＡ
ｓ素子３の出力はフラットになるのでＳｉ素子３の寄与
で測温するようにしてもよい。また、各素子の出力を別
々に取り出し、温度その他種々の測定に用いてもよい。
さらに、ＩｎＧａＡｓ素子４の下に、サーモパイル、焦
電素子を設け、さらに多素子化を図り、測温領域等を拡
大してもよい。
ａＡｓ素子４の出力で行い、数百度以上では、Ｓｉ素子
３との出力の合成を用い、１５００℃以上でＩｎＧａＡ
ｓ素子３の出力はフラットになるのでＳｉ素子３の寄与
で測温するようにしてもよい。また、各素子の出力を別
々に取り出し、温度その他種々の測定に用いてもよい。
さらに、ＩｎＧａＡｓ素子４の下に、サーモパイル、焦
電素子を設け、さらに多素子化を図り、測温領域等を拡
大してもよい。
【００１１】図３は、この発明の一実施例を示す回路的
な構成説明図である。
な構成説明図である。
【００１２】図において、Ｓｉ素子３とＩｎＧａＡｓ素
子４とは並列に接続され、各素子３、４の一端は共通に
アースに接続され、他端は共通に演算増幅器等の増幅器
６の反転入力端子に接続されている。増幅器６の出力端
子７と反転入力端子との間には抵抗Ｒｆの帰還抵抗８が
接続され、非反転入力端子はアースに接続されている。
子４とは並列に接続され、各素子３、４の一端は共通に
アースに接続され、他端は共通に演算増幅器等の増幅器
６の反転入力端子に接続されている。増幅器６の出力端
子７と反転入力端子との間には抵抗Ｒｆの帰還抵抗８が
接続され、非反転入力端子はアースに接続されている。
【００１３】放射エネルギーＬが入射したときに発生す
るＳｉ素子３、ＩｎＧａＡｓ素子４の出力電流をそれぞ
れＩ１、Ｉ２とすると、増幅器６の出力Ｖは次式とな
る。
るＳｉ素子３、ＩｎＧａＡｓ素子４の出力電流をそれぞ
れＩ１、Ｉ２とすると、増幅器６の出力Ｖは次式とな
る。
【００１４】 Ｖ＝−（Ｉ１・Ｒｆ＋Ｉ２・Ｒｆ） ＝−（Ｉ１＋Ｉ２）・Ｒｆ （１） この出力Ｖから、マイクロコンピュータその他の演算手
段を利用してたとえば温度に変換し、測定を行う。
段を利用してたとえば温度に変換し、測定を行う。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、この発明は、Ｓｉ素
子にＩｎＧａＡｓ素子を重ねて用いたもので、形状は小
型なものですみ測定波長領域が拡大し、温度等の測温範
囲が拡大し、種々の用途に用いることができる。
子にＩｎＧａＡｓ素子を重ねて用いたもので、形状は小
型なものですみ測定波長領域が拡大し、温度等の測温範
囲が拡大し、種々の用途に用いることができる。
【図１】この発明の一実施例を示す構成説明図である。
【図２】この発明に係る素子の分光感度特性の説明図で
ある。
ある。
【図３】この発明の一実施例を示す構成説明図である。
１ キャップ ２ 基台 ３ Ｓｉ素子 ４ ＩｎＧａＡｓ素子 ５１、５２ リード線 ６１、６２、６３、６４ リードピン ７ 増幅器 ８ 出力端子 ９ 帰還抵抗 Ｌ 放射エネルギー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮坂 智哉 東京都板橋区熊野町32番８号 株式会社チ ノー内
Claims (1)
- 【請求項１】放射エネルギーの入射光側に設けられたＳ
ｉ素子と、このＳｉ素子を透過した放射エネルギーを検
出するＩｎＧａＡｓ素子とを設けたことを特徴とする放
射エネルギー検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120523A JPH06307927A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 放射エネルギー検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120523A JPH06307927A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 放射エネルギー検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06307927A true JPH06307927A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14788369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5120523A Pending JPH06307927A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 放射エネルギー検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06307927A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006292438A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 温度検出装置 |
| JP2006292437A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 温度検出装置 |
| JP2006292439A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 温度検出装置 |
| JP2007017408A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 鋼材の表面温度測定方法及び表面温度測定装置並びに鋼材の製造方法 |
| CN106500853A (zh) * | 2016-10-09 | 2017-03-15 | 南京理工大学 | 一种基于多传感器的宽范围高精度红外双色测温仪 |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP5120523A patent/JPH06307927A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006292438A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 温度検出装置 |
| JP2006292437A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 温度検出装置 |
| JP2006292439A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 温度検出装置 |
| JP4652874B2 (ja) * | 2005-04-06 | 2011-03-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 温度検出装置 |
| JP2007017408A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 鋼材の表面温度測定方法及び表面温度測定装置並びに鋼材の製造方法 |
| JP4569873B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2010-10-27 | 住友金属工業株式会社 | 鋼材の表面温度測定方法及び表面温度測定装置並びに鋼材の製造方法 |
| CN106500853A (zh) * | 2016-10-09 | 2017-03-15 | 南京理工大学 | 一种基于多传感器的宽范围高精度红外双色测温仪 |
| CN106500853B (zh) * | 2016-10-09 | 2019-05-07 | 南京理工大学 | 一种基于多传感器的宽范围高精度红外双色测温仪 |
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