JPH06306589A - 透明導電性積層体の製造方法 - Google Patents
透明導電性積層体の製造方法Info
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- JPH06306589A JPH06306589A JP9813793A JP9813793A JPH06306589A JP H06306589 A JPH06306589 A JP H06306589A JP 9813793 A JP9813793 A JP 9813793A JP 9813793 A JP9813793 A JP 9813793A JP H06306589 A JPH06306589 A JP H06306589A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低抵抗で透光性の良好な、エッチング性にも
優れた透明導電性積層体を、クラックとカールの発生を
抑えて製造する。 【構成】 透明な高分子フィルム基材上にインジウム酸
化物（Ｉｎ2 Ｏ3 ）を主成分とする透明導電層を圧力勾
配型放電によるイオンプレーティングによって連続的に
積層する際に、成膜直前にフィルム基材両面の温度を、
そして成膜直後に成膜面および基材面の温度を、各々８
０°Ｃ以下に調節し、表面抵抗が３０Ω／cm2 以下の低
抵抗で光線透過率７０％（波長550nm ）以上の高透光性
を有する透明導電性積層体を製造する。
優れた透明導電性積層体を、クラックとカールの発生を
抑えて製造する。 【構成】 透明な高分子フィルム基材上にインジウム酸
化物（Ｉｎ2 Ｏ3 ）を主成分とする透明導電層を圧力勾
配型放電によるイオンプレーティングによって連続的に
積層する際に、成膜直前にフィルム基材両面の温度を、
そして成膜直後に成膜面および基材面の温度を、各々８
０°Ｃ以下に調節し、表面抵抗が３０Ω／cm2 以下の低
抵抗で光線透過率７０％（波長550nm ）以上の高透光性
を有する透明導電性積層体を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、透明導電性積層体の
製造方法に関するものである。さらに詳しくは、この発
明は、低抵抗で透光性の良好な、エッチング性にも優れ
た透明導電性積層体を、クラックとカールの発生を抑え
て製造することのできる透明導電性積層体の製造方法に
関するものである。
製造方法に関するものである。さらに詳しくは、この発
明は、低抵抗で透光性の良好な、エッチング性にも優れ
た透明導電性積層体を、クラックとカールの発生を抑え
て製造することのできる透明導電性積層体の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、透明熱線反射体、透明面状発
熱体、透明電極等には、基材としての高分子フィルム表
面に透明導電層を設けた透明導電性積層体が広く用いら
れてきている。この透明導電性積層体に形成する透明導
電層については、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム
（Ｐｄ）などの金属薄膜タイプ、インジウム酸化物（Ｉ
ｎ2 Ｏ3 ）、スズ酸化物（ＳｎＯ2 ）、これらの混合物
であるＩＴＯ、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）などの金属酸化物
薄膜タイプ、さらにＴｉＯ2 ／Ａｇ／ＴｉＯ2 などの金
属／金属酸化物の多層薄膜タイプ等の各種のものが知ら
れている。これらの中でもＩＴＯ等の金属酸化物薄膜
は、透光性、導電性がともに非常に良好で、その上エッ
チング特性にも優れており、電極のパターン化が容易で
あるという特長を有しているものである。このため、精
細なパターンを必要とするディスプレイの透明電極など
に好適に用いられている。
熱体、透明電極等には、基材としての高分子フィルム表
面に透明導電層を設けた透明導電性積層体が広く用いら
れてきている。この透明導電性積層体に形成する透明導
電層については、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム
（Ｐｄ）などの金属薄膜タイプ、インジウム酸化物（Ｉ
ｎ2 Ｏ3 ）、スズ酸化物（ＳｎＯ2 ）、これらの混合物
であるＩＴＯ、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）などの金属酸化物
薄膜タイプ、さらにＴｉＯ2 ／Ａｇ／ＴｉＯ2 などの金
属／金属酸化物の多層薄膜タイプ等の各種のものが知ら
れている。これらの中でもＩＴＯ等の金属酸化物薄膜
は、透光性、導電性がともに非常に良好で、その上エッ
チング特性にも優れており、電極のパターン化が容易で
あるという特長を有しているものである。このため、精
細なパターンを必要とするディスプレイの透明電極など
に好適に用いられている。
【０００３】このような金属酸化物薄膜は、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ある
いはＣＶＤ法などの各種の成膜方法により作成されてい
る。
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ある
いはＣＶＤ法などの各種の成膜方法により作成されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、たとえ
ば以上の成膜方法によりＩＴＯなどの金属酸化物薄膜を
透明高分子フィルム基材上に形成する場合には、フィル
ム基材がガラス基材に比べて耐熱性が低い（熱変形温度
250 ℃以下）ため、基材温度を250 ℃以上に上げて成膜
したり、導入ガスとの反応性を向上させたり、あるいは
また、成膜速度を数十Å／sec 以上に高めることが難し
いという問題があった。このため、従来の成膜方法で
は、表面抵抗が３０Ω／cm2 以下、さらには１０／Ωcm
2 以下で、光線透過率が７０％（波長550nm ）以上のＩ
ＴＯ膜を成膜することは事実上困難であった。
ば以上の成膜方法によりＩＴＯなどの金属酸化物薄膜を
透明高分子フィルム基材上に形成する場合には、フィル
ム基材がガラス基材に比べて耐熱性が低い（熱変形温度
250 ℃以下）ため、基材温度を250 ℃以上に上げて成膜
したり、導入ガスとの反応性を向上させたり、あるいは
また、成膜速度を数十Å／sec 以上に高めることが難し
いという問題があった。このため、従来の成膜方法で
は、表面抵抗が３０Ω／cm2 以下、さらには１０／Ωcm
2 以下で、光線透過率が７０％（波長550nm ）以上のＩ
ＴＯ膜を成膜することは事実上困難であった。
【０００５】また、Ａｇを主体とする金属薄膜をＩＴＯ
やＴｉＯ2 等の金属酸化物で挟んだ多層構造からなる透
明導電層については、Ａｇを主体とする金属薄膜を大面
積に成膜する場合に、幅方向の膜厚制御が難しく、十分
な透光性や導電性等の特性の安定性が得られないという
問題があった。しかもこの多層構造の場合には、多層構
造とするが故にエッチングが容易でないという問題もあ
った。
やＴｉＯ2 等の金属酸化物で挟んだ多層構造からなる透
明導電層については、Ａｇを主体とする金属薄膜を大面
積に成膜する場合に、幅方向の膜厚制御が難しく、十分
な透光性や導電性等の特性の安定性が得られないという
問題があった。しかもこの多層構造の場合には、多層構
造とするが故にエッチングが容易でないという問題もあ
った。
【０００６】さらに、従来法により十分な導電特性を得
るためには、透明導電層の膜厚をある程度厚くせざるを
得なく、これによって、透光性が低下するとともに、薄
膜にクラックが入ったり、透明高分子フィルム基材がカ
ールするという問題があった。この発明は、以上の通り
の事情に鑑みてなされたものであり、従来の透明導電性
積層体の製造方法の欠点を解消し、低抵抗で、高透光性
を有する、エッチング性にも優れた透明導電性積層体
を、クラックがなく、しかもカールの発生を抑止して製
造することのできる、改善された透明導電性積層体の製
造方法を提供することを目的としている。
るためには、透明導電層の膜厚をある程度厚くせざるを
得なく、これによって、透光性が低下するとともに、薄
膜にクラックが入ったり、透明高分子フィルム基材がカ
ールするという問題があった。この発明は、以上の通り
の事情に鑑みてなされたものであり、従来の透明導電性
積層体の製造方法の欠点を解消し、低抵抗で、高透光性
を有する、エッチング性にも優れた透明導電性積層体
を、クラックがなく、しかもカールの発生を抑止して製
造することのできる、改善された透明導電性積層体の製
造方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、透明な高分子フィルム基材上に
インジウム酸化物（Ｉｎ2 Ｏ3 ）を主成分とする透明導
電層を圧力勾配型放電によるイオンプレーティングによ
って連続的に積層する方法において、成膜直前にフィル
ム基材両面の温度を、そして成膜直後には成膜面および
基材面の温度を、各々８０°Ｃ以下に調節し、低抵抗で
高透光性を有する透明導電性積層体を製造することを特
徴とする透明導電性積層体の製造方法を提供する。
を解決するものとして、透明な高分子フィルム基材上に
インジウム酸化物（Ｉｎ2 Ｏ3 ）を主成分とする透明導
電層を圧力勾配型放電によるイオンプレーティングによ
って連続的に積層する方法において、成膜直前にフィル
ム基材両面の温度を、そして成膜直後には成膜面および
基材面の温度を、各々８０°Ｃ以下に調節し、低抵抗で
高透光性を有する透明導電性積層体を製造することを特
徴とする透明導電性積層体の製造方法を提供する。
【０００８】高分子フィルム基材としては、耐熱性を有
する透明な高分子フィルムであれば特に制限はなく、た
とえば100 ℃以上においても耐熱性を有するものが好適
なものとして例示される。また、有機重合体をキャス
ト、あるいは押し出し、必要に応じて長手方向および／
または幅方向に延伸したものを使用することもできる。
その材質としては、たとえばポリエステル、ポリオレフ
ィン、ポリアミド、芳香族ポリアミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポ
リサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリ
レート、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレン
オキサイド、ポリパラバン酸等を例示することができ
る。また、これらの共重合体や他の有機重合体との共重
合体であってもよく、他の有機重合体を含有するもので
あってもよい。有機重合体中には、公知の添加剤、たと
えば帯電防止剤、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、可塑
剤、滑剤などを添加することも可能である。これらの高
分子フィルムは、同種または異種を２種以上積層するこ
ともでき、また、あらかじめコロナ放電処理、プラズマ
処理、粗面化処理等の表面処理や、公知のアンカーコー
ト処理を施したものであってもよい。高分子フィルムの
厚さについても特に制限はないが、可とう性および形態
保持性の観点からはたとえば５０〜250 μｍの範囲とす
ることが好ましい。
する透明な高分子フィルムであれば特に制限はなく、た
とえば100 ℃以上においても耐熱性を有するものが好適
なものとして例示される。また、有機重合体をキャス
ト、あるいは押し出し、必要に応じて長手方向および／
または幅方向に延伸したものを使用することもできる。
その材質としては、たとえばポリエステル、ポリオレフ
ィン、ポリアミド、芳香族ポリアミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポ
リサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリ
レート、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレン
オキサイド、ポリパラバン酸等を例示することができ
る。また、これらの共重合体や他の有機重合体との共重
合体であってもよく、他の有機重合体を含有するもので
あってもよい。有機重合体中には、公知の添加剤、たと
えば帯電防止剤、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、可塑
剤、滑剤などを添加することも可能である。これらの高
分子フィルムは、同種または異種を２種以上積層するこ
ともでき、また、あらかじめコロナ放電処理、プラズマ
処理、粗面化処理等の表面処理や、公知のアンカーコー
ト処理を施したものであってもよい。高分子フィルムの
厚さについても特に制限はないが、可とう性および形態
保持性の観点からはたとえば５０〜250 μｍの範囲とす
ることが好ましい。
【０００９】上記の透明高分子フィルム基材上に形成す
る透明導電層としては、インジウム酸化物（Ｉｎ
2 Ｏ3 ）またはこれにスズ酸化物（ＳｎＯ2 ）を３〜１
５重量％混合したＩＴＯの単独層とするのが好適であ
る。その厚さは、たとえば1000〜10000 Åが好ましく、
この範囲以内であれば表面抵抗を３０Ω／cm2 、さらに
は１０Ω／cm2 以下にすることができる。この範囲より
ずれると透光性が低下したり導電性等の特性が不十分と
なる。透明導電層の形成には１回の成膜であっても複数
回に分けて積層しても構わない。所定の表面抵抗が得ら
れればよい。また、単独層とすることにより、多層構造
に比べてエッチング性が向上する。層間剥離は発生しな
い。
る透明導電層としては、インジウム酸化物（Ｉｎ
2 Ｏ3 ）またはこれにスズ酸化物（ＳｎＯ2 ）を３〜１
５重量％混合したＩＴＯの単独層とするのが好適であ
る。その厚さは、たとえば1000〜10000 Åが好ましく、
この範囲以内であれば表面抵抗を３０Ω／cm2 、さらに
は１０Ω／cm2 以下にすることができる。この範囲より
ずれると透光性が低下したり導電性等の特性が不十分と
なる。透明導電層の形成には１回の成膜であっても複数
回に分けて積層しても構わない。所定の表面抵抗が得ら
れればよい。また、単独層とすることにより、多層構造
に比べてエッチング性が向上する。層間剥離は発生しな
い。
【００１０】透明導電層の形成には圧力勾配型放電によ
るイオンプレーティングを用いる。この圧力勾配型放電
によるイオンプレーティングとは、陰極と陽極の間に中
間電極を設け、陰極側の真空度と陽極側の真空度との間
に圧力勾配をもたせて行う放電方式をイオンプレーティ
ングに応用したものである。これによって、従来の真空
蒸着法やスパッタリング法に比べて数十倍から数百倍の
成膜速度が実現されるのである。
るイオンプレーティングを用いる。この圧力勾配型放電
によるイオンプレーティングとは、陰極と陽極の間に中
間電極を設け、陰極側の真空度と陽極側の真空度との間
に圧力勾配をもたせて行う放電方式をイオンプレーティ
ングに応用したものである。これによって、従来の真空
蒸着法やスパッタリング法に比べて数十倍から数百倍の
成膜速度が実現されるのである。
【００１１】そして、この発明においては、透明導電性
積層体の製造に際し、成膜直前に透明高分子フィルム基
材の両面の温度を、さらに成膜直後には成膜面と基材面
の温度を、各々８０°Ｃ以下、より好ましくは、たとえ
ば−２０〜６０℃の温度範囲に調節する。この成膜直前
および直後の温度調節によって、透明高分子フィルム基
材への熱ダメージや厚さ方向での急激な温度勾配を防止
することができ、クラックがなく、しかもカールの少な
い良質の透明導電性積層体が可能となる。得られる積層
体は低抵抗でかつ高透光性を有する。たとえばその表面
抵抗は３０Ω／cm2 、さらには１０Ω／cm2 以下で、光
線透過率は７０％（波長550nm ）以上となる。なお、成
膜以前には、透明高分子フィルム基材が変形しない温度
範囲において大気中や真空中で加熱し、基材に含まれる
水分等の脱ガスを行うことが望ましい。
積層体の製造に際し、成膜直前に透明高分子フィルム基
材の両面の温度を、さらに成膜直後には成膜面と基材面
の温度を、各々８０°Ｃ以下、より好ましくは、たとえ
ば−２０〜６０℃の温度範囲に調節する。この成膜直前
および直後の温度調節によって、透明高分子フィルム基
材への熱ダメージや厚さ方向での急激な温度勾配を防止
することができ、クラックがなく、しかもカールの少な
い良質の透明導電性積層体が可能となる。得られる積層
体は低抵抗でかつ高透光性を有する。たとえばその表面
抵抗は３０Ω／cm2 、さらには１０Ω／cm2 以下で、光
線透過率は７０％（波長550nm ）以上となる。なお、成
膜以前には、透明高分子フィルム基材が変形しない温度
範囲において大気中や真空中で加熱し、基材に含まれる
水分等の脱ガスを行うことが望ましい。
【００１２】図１は、この発明の製造方法に用いること
のできる製造装置の一例を示した断面図である。この例
においては、巻出しロール（１）および巻取りロール
（２）とキャンロール（３）との間に、それぞれ２本の
温度調節ロール（４）（５）を設けている。この温度調
節ロール（４）（５）は適宜な温度に設定可能としてお
り、これらのロール（１）（２）（３）（４）（５）に
掛けて搬送される基材としての透明高分子フィルム
（６）の表裏両面および透明導電層の成膜面を加熱また
は冷却することができる。
のできる製造装置の一例を示した断面図である。この例
においては、巻出しロール（１）および巻取りロール
（２）とキャンロール（３）との間に、それぞれ２本の
温度調節ロール（４）（５）を設けている。この温度調
節ロール（４）（５）は適宜な温度に設定可能としてお
り、これらのロール（１）（２）（３）（４）（５）に
掛けて搬送される基材としての透明高分子フィルム
（６）の表裏両面および透明導電層の成膜面を加熱また
は冷却することができる。
【００１３】成膜する際には、透明高分子フィルム
（６）を巻出しロール（１）より温度調節ロール（４）
（５）、キャンロール（３）および温度調節ロール
（４）（５）を介して巻取りロール（２）にセットした
後、真空槽（７）内を真空ポンプ等によって減圧する。
次いで、圧力勾配型プラズマガン（８）よりＩＴＯ等の
成膜材料が充填されたハース（９）に向けて放電し、プ
ラズマビームを発生させて、成膜材料を蒸発させ、透明
高分子フィルム（６）上に成膜する。この時、必要に応
じて反応ガス導入口（１０）より酸素ガス等の反応性ガ
スを導入することができる。
（６）を巻出しロール（１）より温度調節ロール（４）
（５）、キャンロール（３）および温度調節ロール
（４）（５）を介して巻取りロール（２）にセットした
後、真空槽（７）内を真空ポンプ等によって減圧する。
次いで、圧力勾配型プラズマガン（８）よりＩＴＯ等の
成膜材料が充填されたハース（９）に向けて放電し、プ
ラズマビームを発生させて、成膜材料を蒸発させ、透明
高分子フィルム（６）上に成膜する。この時、必要に応
じて反応ガス導入口（１０）より酸素ガス等の反応性ガ
スを導入することができる。
【００１４】
【作 用】この発明の透明導電性積層体の製造方法にお
いては、反応速度や成膜速度を向上させるのに有効な圧
力勾配型放電によるイオンプレーティングによって透明
導電性積層体を製造する際に、成膜直前にフィルム基材
両面の温度を、そして成膜直後に成膜面および基材面の
温度を特定範囲に調節するため、透明高分子フィルム基
材への熱ダメージや厚さ方向での急激な温度勾配を防止
することができる。低抵抗で高透光性な、エッチング性
にも優れた透明導電性積層体を、クラックがなく、しか
もカールの発生を抑えて製造することが可能となる。
いては、反応速度や成膜速度を向上させるのに有効な圧
力勾配型放電によるイオンプレーティングによって透明
導電性積層体を製造する際に、成膜直前にフィルム基材
両面の温度を、そして成膜直後に成膜面および基材面の
温度を特定範囲に調節するため、透明高分子フィルム基
材への熱ダメージや厚さ方向での急激な温度勾配を防止
することができる。低抵抗で高透光性な、エッチング性
にも優れた透明導電性積層体を、クラックがなく、しか
もカールの発生を抑えて製造することが可能となる。
【００１５】
【実施例】以下実施例を示し、この発明の透明導電性積
層体の製造方法についてさらに詳しく説明する。実施例１ 圧力勾配型放電によるイオンプレーティングにより、12
5 μのポリエチレンテレフタレート基材上にＩＴＯ（Ｓ
ｎＯ2 ５重量％含有）の透明導電層を成膜速度150 Å／
sec で成膜し、透明導電性積層体を得た。膜厚は7000Å
であった。なお、基材フィルムは成膜直前に両面を図１
に例示したような温度調節ロールで１０℃に調節し、成
膜中にはキャンロールの温度を６０℃にし、成膜直後に
は温度調節ロールで成膜面と基材面をともに１０℃に冷
却した。
層体の製造方法についてさらに詳しく説明する。実施例１ 圧力勾配型放電によるイオンプレーティングにより、12
5 μのポリエチレンテレフタレート基材上にＩＴＯ（Ｓ
ｎＯ2 ５重量％含有）の透明導電層を成膜速度150 Å／
sec で成膜し、透明導電性積層体を得た。膜厚は7000Å
であった。なお、基材フィルムは成膜直前に両面を図１
に例示したような温度調節ロールで１０℃に調節し、成
膜中にはキャンロールの温度を６０℃にし、成膜直後に
は温度調節ロールで成膜面と基材面をともに１０℃に冷
却した。
【００１６】圧力勾配型放電は真空度８×１０-4Torrで
行い、放電電流は200 Ａ、放電電圧は６０Ｖとした、ま
た、反応性ガスとして酸素を３０cc／min 導入した。得
られた透明導電性積層体の表面抵抗は5.5 Ω／cm2 で、
光線透過率は波長550nm で75.0％、波長2000nmで7.0 ％
であった。ＩＴＯ膜面のクラックはなく、カール高さは
１mmであった。エッチング性も良好であった。また、６
０℃，９５％ＲＨの環境下に500 時間放置しても外観や
特性の変化はみられなかった。
行い、放電電流は200 Ａ、放電電圧は６０Ｖとした、ま
た、反応性ガスとして酸素を３０cc／min 導入した。得
られた透明導電性積層体の表面抵抗は5.5 Ω／cm2 で、
光線透過率は波長550nm で75.0％、波長2000nmで7.0 ％
であった。ＩＴＯ膜面のクラックはなく、カール高さは
１mmであった。エッチング性も良好であった。また、６
０℃，９５％ＲＨの環境下に500 時間放置しても外観や
特性の変化はみられなかった。
【００１７】実施例２ 透明導電層をインジウム酸化物（Ｉｎ2 Ｏ3 ）とした他
は実施例１と同様にして成膜した。得られた透明導電性
積層体の表面抵抗は5.0 Ω／cm2 で、光線透過率は波長
550nm で74.0％、波長2000nmで6.0 ％であった。Ｉｎ2
Ｏ3 膜面のクラックはなく、カール高さは０mmであっ
た。エッチング性も良好で、６０℃，９５％ＲＨの環境
下に500 時間放置しても外観や特性の変化はみられなか
った。
は実施例１と同様にして成膜した。得られた透明導電性
積層体の表面抵抗は5.0 Ω／cm2 で、光線透過率は波長
550nm で74.0％、波長2000nmで6.0 ％であった。Ｉｎ2
Ｏ3 膜面のクラックはなく、カール高さは０mmであっ
た。エッチング性も良好で、６０℃，９５％ＲＨの環境
下に500 時間放置しても外観や特性の変化はみられなか
った。
【００１８】比較例１ 実施例１の温度調節ロールを使用せずに成膜を行った。
得られた透明導電性積層体の表面抵抗は6.0 Ω／cm
2 で、光線透過率は波長550nm で71.0％、波長2000nmで
8.0 ％であった。ＩＴＯ膜面のクラックはなく、エッチ
ング性も比較的良好であったが、カール高さが６mmであ
った。なお、６０℃，９５％ＲＨの環境下に500 時間放
置しても外観や特性の変化はみられなかった。
得られた透明導電性積層体の表面抵抗は6.0 Ω／cm
2 で、光線透過率は波長550nm で71.0％、波長2000nmで
8.0 ％であった。ＩＴＯ膜面のクラックはなく、エッチ
ング性も比較的良好であったが、カール高さが６mmであ
った。なお、６０℃，９５％ＲＨの環境下に500 時間放
置しても外観や特性の変化はみられなかった。
【００１９】比較例２ 実施例１と同一条件でＩＴＯを膜厚250 Åに成膜した
後、その上に同様にしてＡｇを膜厚140 Åに、さらにそ
の上にＩＴＯを膜厚250 Åに積層した。得られた三層構
造の透明導電性積層体の表面抵抗は11.0Ω／cm2 で、光
線透過率は波長550nm で74.5％、波長2000nmで4.5 ％で
あった。しかしながら、エッチング性が不良で、１規定
の塩酸水溶液に浸漬した直後、Ａｇ膜が全面剥離した。
また、６０℃，９５％ＲＨの環境下に500 時間放置する
と、Ａｇ膜の劣化に起因する白点が発生した。
後、その上に同様にしてＡｇを膜厚140 Åに、さらにそ
の上にＩＴＯを膜厚250 Åに積層した。得られた三層構
造の透明導電性積層体の表面抵抗は11.0Ω／cm2 で、光
線透過率は波長550nm で74.5％、波長2000nmで4.5 ％で
あった。しかしながら、エッチング性が不良で、１規定
の塩酸水溶液に浸漬した直後、Ａｇ膜が全面剥離した。
また、６０℃，９５％ＲＨの環境下に500 時間放置する
と、Ａｇ膜の劣化に起因する白点が発生した。
【００２０】なお、以上の例において、光線透過率、表
面抵抗、カールおよびエッチング性は以下のようにして
測定した。 ａ．光線透過率 分光光度計（（株）日立製作所製：Ｕ−3500）を用いて
波長550 nmおよび2000nmでの光線透過率（％）を測定し
た。
面抵抗、カールおよびエッチング性は以下のようにして
測定した。 ａ．光線透過率 分光光度計（（株）日立製作所製：Ｕ−3500）を用いて
波長550 nmおよび2000nmでの光線透過率（％）を測定し
た。
【００２１】ｂ．表面抵抗 表面抵抗計（三菱油化（株）製：ロレスタ）を用いて表
面抵抗（Ω／cm2）を測定した。 ｃ．カール 試料を100mm 角に切り、平坦なガラス板上に置き、カー
ルの高さ（mm）を測定した。
面抵抗（Ω／cm2）を測定した。 ｃ．カール 試料を100mm 角に切り、平坦なガラス板上に置き、カー
ルの高さ（mm）を測定した。
【００２２】ｄ．エッチング性 感光液（東京応化工業（株）製：Ｐ−Ｒ300 ）を膜厚５
μで試料にパターン塗工後露光し、現像液（Ｐ−１Ｓ）
で現像する。この後、１規定塩酸水溶液でエッチングを
行い、感光膜を剥離液（ＰＳ）を用いて剥離し、パター
ン化した薄膜の切れ等を光学顕微鏡で観察した。
μで試料にパターン塗工後露光し、現像液（Ｐ−１Ｓ）
で現像する。この後、１規定塩酸水溶液でエッチングを
行い、感光膜を剥離液（ＰＳ）を用いて剥離し、パター
ン化した薄膜の切れ等を光学顕微鏡で観察した。
【００２３】もちろんこの発明は、以上の例によって限
定されるものではない。成膜条件等の細部については様
々な態様が可能であることはいうまでもない。
定されるものではない。成膜条件等の細部については様
々な態様が可能であることはいうまでもない。
【００２４】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
って、精細なエッチングパターンを必要とするディスプ
レイ用の透明電極や、透明熱線反射体、透明面状発熱体
等に好適な、クラックがなく、しかもカールの少ない、
低抵抗で高透光性を有する、エッチング性にも優れた透
明導電性積層体が得られる。
って、精細なエッチングパターンを必要とするディスプ
レイ用の透明電極や、透明熱線反射体、透明面状発熱体
等に好適な、クラックがなく、しかもカールの少ない、
低抵抗で高透光性を有する、エッチング性にも優れた透
明導電性積層体が得られる。
【図１】この発明の製造方法に用いることのできる製造
装置の一例を示した断面図である。
装置の一例を示した断面図である。
１ 巻出しロール ２ 巻取りロール ３ キャンロール ４，５ 温度調節ロール ６ 透明高分子フィルム ７ 真空槽 ８ 圧力勾配型プラズマガン ９ ハース １０ 反応性ガス導入口
Claims (6)
- 【請求項１】 透明な高分子フィルム基材上にインジウ
ム酸化物（Ｉｎ2 Ｏ 3 ）を主成分とする透明導電層を圧
力勾配型放電によるイオンプレーティングによって連続
的に積層する方法において、成膜直前にフィルム基材両
面の温度を、そして成膜直後に成膜面および基材面の温
度を、各々８０°Ｃ以下に調節し、低抵抗で高透光性を
有する透明導電性積層体を製造することを特徴とする透
明導電性積層体の製造方法。 - 【請求項２】 −２０〜６０℃の範囲に温度調節する請
求項１の製造方法。 - 【請求項３】 温度調節自在とした温度調節ロールによ
り基材両面と成膜面の温度を調節する請求項１または２
の製造方法。 - 【請求項４】 透明導電層をインジウム酸化物（Ｉｎ2
Ｏ3 ）またはこれとスズ酸化物（ＳｎＯ2 ）の混合物
（ＩＴＯ）の単独層から形成する請求項１、２または３
いずれかの製造方法。 - 【請求項５】 透明高分子フィルム基材と、その表面に
圧力勾配型放電によるイオンプレーティングによって積
層したインジウム酸化物（Ｉｎ2 Ｏ3 ）、もしくはこれ
を主成分とする透明導電層とからなる積層体であって、
表面抵抗が３０Ω／cm2 以下で、光線透過率が７０％
（波長550nm ）以上であることを特徴とする透明導電性
積層体。 - 【請求項６】 表面抵抗が１０Ω／cm2 以下、光線透過
率が７０％以上である請求項５の透明導電性積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09813793A JP3373888B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 透明導電性積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09813793A JP3373888B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 透明導電性積層体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06306589A true JPH06306589A (ja) | 1994-11-01 |
| JP3373888B2 JP3373888B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=14211851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09813793A Expired - Fee Related JP3373888B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 透明導電性積層体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3373888B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013245366A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Ｉｔｏ透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP09813793A patent/JP3373888B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013245366A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Ｉｔｏ透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3373888B2 (ja) | 2003-02-04 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |