JPH06302951A - Wiring board and its manufacture - Google Patents

Wiring board and its manufacture

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JPH06302951A
JPH06302951A JP5087565A JP8756593A JPH06302951A JP H06302951 A JPH06302951 A JP H06302951A JP 5087565 A JP5087565 A JP 5087565A JP 8756593 A JP8756593 A JP 8756593A JP H06302951 A JPH06302951 A JP H06302951A
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JP
Japan
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layer
adhesion
wiring
wiring board
tantalum nitride
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JP5087565A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Koyama
鉄也 小山
Takahiro Iijima
隆廣 飯島
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Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To easily obtain a wiring board having a composite function by improving the adhesive property between a wiring pattern and substrate so as to eliminate the need of heating operation for improving the adhesion between the pattern and substrate. CONSTITUTION:At the time of forming a wiring pattern on a substrate 10 with an adhesive layer and barrier layer in between, a conductor pattern 12 is formed by etching a conductor layer and tantalum nitride layer 14 after successively forming the layer 14 and the conductor layer on the substrate 10 and, at the same time, resistors 18 are formed in a circuit by utilizing unetched parts of the layer 14 as resistor sections 18b.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はセラミック基板あるいは
ポリイミド等の電気的絶縁層を基材とする配線基板及び
その製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board having a ceramic substrate or an electrically insulating layer such as polyimide as a base material and a method for manufacturing the wiring board.

【0002】[0002]

【従来の技術】セラミック基板に導体パターンを設けて
なる配線基板においては、下地のセラミック基板と配線
層との密着性を良好にするためセラミック基板上に密着
層を設けるとともに、密着層と配線層との間にバリア層
を設けている。図3はセラミック配線基板に設ける密着
層、バリア層、配線層の構成例を示す。この例ではセラ
ミック基板2に密着層3としてのチタン層を設け、さら
にバリア層4としてのモリブデン層を設け、その上に配
線層5としてのニッケル層を設けている。
2. Description of the Related Art In a wiring board in which a conductor pattern is provided on a ceramic substrate, an adhesion layer is provided on the ceramic substrate to improve the adhesion between the underlying ceramic substrate and the wiring layer, and the adhesion layer and the wiring layer are also provided. And a barrier layer is provided between and. FIG. 3 shows a configuration example of an adhesion layer, a barrier layer, and a wiring layer provided on the ceramic wiring board. In this example, a titanium layer as the adhesion layer 3 is provided on the ceramic substrate 2, a molybdenum layer as the barrier layer 4 is further provided, and a nickel layer as the wiring layer 5 is provided thereon.

【0003】なお、密着層3としては上記のチタンにか
えて、クロム、タンタル、タングステン、チタン−タン
グステン合金等が使用でき、バリア層4としては白金、
コバルト、ニオブ等が使用できる。また、配線層5とし
ては銅等も使用できる。なお、配線層5には保護層とし
て金めっきを施す場合が多い。
Instead of the above titanium, chromium, tantalum, tungsten, titanium-tungsten alloy, etc. can be used for the adhesion layer 3, and platinum is used for the barrier layer 4.
Cobalt, niobium, etc. can be used. Further, copper or the like can be used as the wiring layer 5. The wiring layer 5 is often plated with gold as a protective layer.

【0004】また、図4はポリイミド層7を電気的絶縁
層として多層に配線パターンを設けた配線基板の例であ
る。この場合は配線層の銅層8とポリイミド層7との密
着性が低いことから、銅層8の両面にクロム層9を設
け、クロム層9を密着層およびバリア層とし、銅層8が
直接ポリイミド層7に接触しないようにして形成してい
る。
FIG. 4 shows an example of a wiring board in which a wiring pattern is provided in multiple layers using the polyimide layer 7 as an electrically insulating layer. In this case, since the adhesion between the copper layer 8 of the wiring layer and the polyimide layer 7 is low, the chrome layers 9 are provided on both sides of the copper layer 8, and the chrome layer 9 is used as the adhesion layer and the barrier layer, and the copper layer 8 is directly attached. It is formed so as not to contact the polyimide layer 7.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のセラ
ミック基板を用いた配線基板では配線層5と下地のセラ
ミック基板2との密着性を良好にするため、セラミック
基板2に密着層3、バリア層4、配線層5を設けた後、
基板全体を900℃程度まで加熱し、熱拡散させるよう
にしなければならず、製造工程が煩雑になるという問題
点があった。また、ポリイミド層7を利用して配線パタ
ーンを多層に形成する場合は、配線層と密着層との密着
性を向上させるための加熱操作は不要であるものの、た
とえば、回路内に抵抗体を作り込んで配線基板に複合機
能をもたせようとするような場合に、操作が複雑になる
という問題点があった。
However, in the wiring board using the above-mentioned ceramic substrate, in order to improve the adhesion between the wiring layer 5 and the underlying ceramic substrate 2, the adhesion layer 3 and the barrier layer are provided on the ceramic substrate 2. 4. After providing the wiring layer 5,
The entire substrate must be heated to about 900 ° C. for thermal diffusion, which causes a problem of complicated manufacturing process. In addition, when the wiring pattern is formed in multiple layers by using the polyimide layer 7, a heating operation for improving the adhesion between the wiring layer and the adhesion layer is unnecessary, but for example, a resistor is formed in the circuit. However, there is a problem that the operation becomes complicated when the wiring board is to be provided with a composite function.

【0006】本発明は、これら問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、セラミック配線
基板や上記の多層の配線基板で配線層を確実にかつ容易
な操作によって形成することができ、かつ機能的にすぐ
れた配線基板及びその製造方法を提供しようとするもの
である。
The present invention has been made in view of these problems, and an object thereof is to reliably and easily form a wiring layer on a ceramic wiring board or the above-mentioned multilayer wiring board. The present invention aims to provide a wiring board that can be manufactured and has excellent functionality, and a manufacturing method thereof.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、セラミック基板
あるいはポリイミド層の基材上に密着層およびバリア層
を介して配線パターンを設けた配線基板において、前記
密着層およびバリア層として単層の窒化タンタル層を設
けたことを特徴とする。また、前記配線基板において、
窒化タンタル層にかえて酸化タンタル層を設けたことを
特徴とする。また、前記配線基板において、窒化タンタ
ル層にかえてニッケル−クロム系合金層を設けたことを
特徴とする。また、セラミック基板あるいはポリイミド
層の基材上に密着層およびバリア層を介して配線パター
ンを設けた配線基板の製造方法において、前記基材に密
着層およびバリア層として窒化タンタルあるいはニッケ
ル−クロム系合金を被着することにより単層の密着バリ
ア層を設け、該密着バリア層上に配線パターンを形成す
るともに、前記密着バリア層を抵抗体部として利用し、
回路内に抵抗体を作り込むことを特徴とする。
The present invention has the following constitution in order to achieve the above object. That is, in a wiring board in which a wiring pattern is provided on a ceramic substrate or a base material of a polyimide layer via an adhesion layer and a barrier layer, a single tantalum nitride layer is provided as the adhesion layer and the barrier layer. . In the wiring board,
A tantalum oxide layer is provided instead of the tantalum nitride layer. In the wiring board, a nickel-chromium alloy layer is provided instead of the tantalum nitride layer. In addition, in a method for manufacturing a wiring board in which a wiring pattern is provided on a substrate of a ceramic substrate or a polyimide layer via an adhesion layer and a barrier layer, tantalum nitride or a nickel-chromium alloy is used as the adhesion layer and the barrier layer on the substrate. To provide a single-layer adhesion barrier layer, and to form a wiring pattern on the adhesion barrier layer, using the adhesion barrier layer as a resistor portion,
The feature is that a resistor is built in the circuit.

【0008】[0008]

【作用】配線パターンの密着層およびバリア層として窒
化タンタル層、酸化タンタル層、ニッケル−クロム系合
金層を設けることによって、配線パターンと基材との密
着性が向上し、基材を高温に加熱せずに所要の密着性を
得ることができ、製造工程を簡略にすることができる。
また、窒化タンタル等の抵抗体を配線パターンの下地層
である密着層、バリア層として使用することによって、
配線パターンを形成する際に容易に抵抗体を形成するこ
ともでき、複合機能を有する配線基板を容易に作製する
ことができる。
[Function] By providing the tantalum nitride layer, the tantalum oxide layer, and the nickel-chromium alloy layer as the adhesion layer and the barrier layer of the wiring pattern, the adhesion between the wiring pattern and the base material is improved, and the base material is heated to a high temperature. The required adhesion can be obtained without doing so, and the manufacturing process can be simplified.
Further, by using a resistor such as tantalum nitride as an adhesion layer or a barrier layer which is an underlayer of the wiring pattern,
The resistor can be easily formed when forming the wiring pattern, and the wiring board having a composite function can be easily manufactured.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る配線基板の
一実施例としてセラミック基板10上にニッケルによる
配線パターン12を形成した例を示す。本実施例のセラ
ミック配線基板はセラミック基板10上に配線パターン
12を形成する際に、配線パターン12とセラミック基
板10との間に配線パターン12の密着層およびバリア
層として窒化タンタル層14を設けたことを特徴とす
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows an example in which a wiring pattern 12 made of nickel is formed on a ceramic substrate 10 as an example of the wiring substrate according to the present invention. In the ceramic wiring board of this embodiment, when the wiring pattern 12 is formed on the ceramic substrate 10, the tantalum nitride layer 14 is provided between the wiring pattern 12 and the ceramic substrate 10 as an adhesion layer of the wiring pattern 12 and a barrier layer. It is characterized by

【0010】窒化タンタル層14は単層でセラミック基
板10と配線パターン12との密着性を向上させること
ができ、バリア層としても機能するもので、従来のチタ
ンやモリブデンによる密着層あるいはバリア層とは異な
り、密着性を向上させるため基板全体を加熱したりする
必要がなく、単なる膜形成の方法によって従来の密着層
による場合と同等の密着性が得られるという特徴があ
る。
The tantalum nitride layer 14 is a single layer which can improve the adhesion between the ceramic substrate 10 and the wiring pattern 12 and also functions as a barrier layer. In contrast, it is not necessary to heat the entire substrate to improve the adhesiveness, and it is possible to obtain the same adhesiveness as in the case of the conventional adhesive layer by a simple film forming method.

【0011】すなわち、実施例のセラミック配線基板を
形成する場合には、スパッタリング法によってセラミッ
ク基板10上に窒化タンタル層を設け、窒化タンタル層
をエッチングして所定パターンを形成した後、ニッケル
をスパッタリングしてニッケル層を設け、該ニッケル層
をエッチングして所定の導体パターン12を形成する。
図1で16は層間の配線パターン間を接続するビアであ
る。ビア16はたとえばタングステンメタライズによっ
て形成する。
That is, when the ceramic wiring board of the embodiment is formed, a tantalum nitride layer is provided on the ceramic substrate 10 by a sputtering method, the tantalum nitride layer is etched to form a predetermined pattern, and then nickel is sputtered. A nickel layer is provided by etching, and the nickel layer is etched to form a predetermined conductor pattern 12.
In FIG. 1, reference numeral 16 is a via connecting the wiring patterns between the layers. The via 16 is formed by, for example, tungsten metallization.

【0012】なお、窒化タンタルは抵抗体であるから、
上記のようにして配線パターン12を形成する際に、同
時に配線層内に抵抗体を作り込むことができる。図1で
18が窒化タンタル層14を利用して作成した抵抗体を
示す。18a、18aが抵抗体の電極であり、ニッケル
層から配線パターン12を形成する際に同時に形成でき
る。18bが窒化タンタル層14による抵抗体部であ
る。窒化タンタル層14の膜厚、抵抗体部18bの長さ
によって適当な抵抗値を設定することが可能である。
Since tantalum nitride is a resistor,
When the wiring pattern 12 is formed as described above, a resistor can be built in the wiring layer at the same time. In FIG. 1, reference numeral 18 denotes a resistor formed by using the tantalum nitride layer 14. Reference numerals 18a and 18a are electrodes of resistors, which can be formed simultaneously when the wiring pattern 12 is formed from the nickel layer. Reference numeral 18b is a resistor portion formed by the tantalum nitride layer 14. It is possible to set an appropriate resistance value depending on the film thickness of the tantalum nitride layer 14 and the length of the resistor portion 18b.

【0013】こうして、窒化タンタル層14を利用する
ことによって、セラミック基板10上に密着させて配線
パターン12を形成することができ、回路部品としての
抵抗体をつくり込むことも容易に可能になる。なお、実
施例では密着層およびバリア層として窒化タンタルを用
いたが、このかわりに酸化タンタル、ニッケル−クロム
系合金を使用することもできる。これらの場合も、実施
例と同様に高温に加熱せずにセラミック基板と配線パタ
ーンとの所要の密着性を得ることができる。また、ニッ
ケル−クロム系合金を使用する場合は窒化タンタルと同
様に抵抗体として利用することも可能である。
By using the tantalum nitride layer 14 in this manner, the wiring pattern 12 can be formed in close contact with the ceramic substrate 10 and a resistor as a circuit component can be easily formed. Although tantalum nitride was used as the adhesion layer and the barrier layer in the examples, tantalum oxide or a nickel-chromium alloy may be used instead. Also in these cases, the required adhesion between the ceramic substrate and the wiring pattern can be obtained without heating to a high temperature as in the embodiment. When a nickel-chromium alloy is used, it can be used as a resistor like tantalum nitride.

【0014】図2はポリイミド層20を電気的絶縁層と
して層間に配線パターンを形成した多層配線基板の実施
例を示す。この実施例では配線パターン12として銅層
を使用しているが、ポリイミド層20と配線パターン1
2との密着性を良好にするとともに配線パターン12と
ポリイミド層20とのバリア層として上記実施例と同様
に窒化タンタル層14を使用することを特徴とする。窒
化タンタル層14は図4に示す従来例でのクロム層9と
同様にポリイミド層20と配線パターン12との密着層
およびバリア層として有効に作用する。
FIG. 2 shows an embodiment of a multilayer wiring board in which a wiring pattern is formed between layers using the polyimide layer 20 as an electrically insulating layer. Although a copper layer is used as the wiring pattern 12 in this embodiment, the polyimide layer 20 and the wiring pattern 1 are used.
The tantalum nitride layer 14 is used as a barrier layer between the wiring pattern 12 and the polyimide layer 20 in the same manner as in the above-described embodiment while improving the adhesiveness with the wiring pattern 12. The tantalum nitride layer 14 effectively acts as an adhesion layer and a barrier layer between the polyimide layer 20 and the wiring pattern 12, like the chromium layer 9 in the conventional example shown in FIG.

【0015】なお、図2では多層に配線パターン12を
形成する際、中間層に窒化タンタル層14による抵抗体
18を設けた例を示す。抵抗体18の形成方法は上記実
施例と同様で、18aが銅層による抵抗体18の電極、
18bが窒化タンタルによる抵抗体部である。電極18
aの上層には窒化タンタル層14を設けてポリイミド層
20と配線パターン12が直接的に接触しないようにし
ており、上層の配線パターン12も窒化タンタル層14
によって配線パターン12を挟むようにしてポリイミド
層20と配線パターン12とが直接的に接触しないよう
にしている。
FIG. 2 shows an example in which a resistor 18 made of a tantalum nitride layer 14 is provided as an intermediate layer when the wiring patterns 12 are formed in multiple layers. The method of forming the resistor 18 is the same as in the above-described embodiment, 18a is an electrode of the resistor 18 made of a copper layer,
18b is a resistor portion made of tantalum nitride. Electrode 18
The tantalum nitride layer 14 is provided on the upper layer of a so that the polyimide layer 20 and the wiring pattern 12 do not come into direct contact with each other.
With the wiring pattern 12, the polyimide layer 20 and the wiring pattern 12 are prevented from directly contacting each other.

【0016】本実施例のポリイミド層20を電気的絶縁
層として多層に配線パターンを設ける場合も、上記実施
例と同様に窒化タンタル層14が配線パターン12の密
着層およびバリア層として有効に機能し、好適な多層配
線基板として提供することができる。また、窒化タンタ
ル層14を利用して回路内に抵抗体を作り込むことも容
易にでき、複合機能を有する多層配線基板の製造方法と
して効果的に使用することができる。なお、本実施例に
おいても、窒化タンタルのかわりにニッケル−クロム系
合金を使用してもよい。
Even when a multilayer wiring pattern is provided by using the polyimide layer 20 of this embodiment as an electrical insulating layer, the tantalum nitride layer 14 effectively functions as an adhesion layer and a barrier layer of the wiring pattern 12 as in the above embodiment. Can be provided as a suitable multilayer wiring board. Further, it is possible to easily form a resistor in a circuit by utilizing the tantalum nitride layer 14, and it can be effectively used as a method for manufacturing a multilayer wiring board having a composite function. Also in this embodiment, nickel-chromium alloy may be used instead of tantalum nitride.

【0017】[0017]

【発明の効果】本発明に係る配線基板及びその製造方法
によれば、上述したように、配線パターンと基材との密
着性が良好となり、密着性を向上させるために高温で加
熱するといった操作が不要になり、配線基板の製造を容
易にすることができる。また、配線基板に配線パターン
を形成するとともに、回路内に抵抗体を作り込むことが
でき、複合機能を有する配線基板を容易に得ることがで
きる等の著効を奏する。
As described above, according to the wiring board and the method for manufacturing the same of the present invention, the adhesion between the wiring pattern and the base material becomes good, and the operation of heating at a high temperature to improve the adhesion is performed. Is unnecessary, and the manufacturing of the wiring board can be facilitated. In addition, a wiring pattern can be formed on the wiring board, and a resistor can be built in the circuit, so that a wiring board having a composite function can be easily obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】配線基板の一実施例の構成を示す説明図であ
る。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a configuration of an embodiment of a wiring board.

【図2】多層配線基板の一実施例の構成を示す説明図で
ある。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a configuration of an example of a multilayer wiring board.

【図3】セラミック基板上に配線層を設けた従来例の構
成を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a configuration of a conventional example in which a wiring layer is provided on a ceramic substrate.

【図4】ポリイミド層を電気的絶縁層として多層形成し
た配線基板の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a wiring board in which a polyimide layer is formed in multiple layers as an electrically insulating layer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2、10 セラミック基板 3 密着層 4 バリア層 5 配線層 7、20 ポリイミド層 8 銅層 9 クロム層 12 配線パターン層 14 窒化タンタル層 16 ビア 18 抵抗体 18a 電極 18b 抵抗体部 2, 10 Ceramic substrate 3 Adhesion layer 4 Barrier layer 5 Wiring layer 7, 20 Polyimide layer 8 Copper layer 9 Chrome layer 12 Wiring pattern layer 14 Tantalum nitride layer 16 Via 18 Resistor 18a Electrode 18b Resistor part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/46 Q 6921−4E 8719−4M H01L 23/12 B ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI technical display location H05K 3/46 Q 6921-4E 8719-4M H01L 23/12 B

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミック基板あるいはポリイミド層の
基材上に密着層およびバリア層を介して配線パターンを
設けた配線基板において、 前記密着層およびバリア層として単層の窒化タンタル層
を設けたことを特徴とする配線基板。
1. A wiring board in which a wiring pattern is provided on a ceramic substrate or a base material of a polyimide layer via an adhesion layer and a barrier layer, wherein a single tantalum nitride layer is provided as the adhesion layer and the barrier layer. Characteristic wiring board.
【請求項2】 請求項1記載の配線基板において、窒化
タンタル層にかえて酸化タンタル層を設けたことを特徴
とする配線基板。
2. The wiring board according to claim 1, wherein a tantalum oxide layer is provided instead of the tantalum nitride layer.
【請求項3】 請求項1記載の配線基板において、窒化
タンタル層にかえてニッケル−クロム系合金層を設けた
ことを特徴とする配線基板。
3. The wiring board according to claim 1, wherein a nickel-chromium alloy layer is provided instead of the tantalum nitride layer.
【請求項4】 セラミック基板あるいはポリイミド層の
基材上に密着層およびバリア層を介して配線パターンを
設けた配線基板の製造方法において、 前記基材に密着層およびバリア層として窒化タンタルあ
るいはニッケル−クロム系合金を被着することにより単
層の密着バリア層を設け、 該密着バリア層上に配線パターンを形成するともに、前
記密着バリア層を抵抗体部として利用し、回路内に抵抗
体を作り込むことを特徴とする配線基板の製造方法。
4. A method for manufacturing a wiring substrate, wherein a wiring pattern is provided on a ceramic substrate or a base material of a polyimide layer via an adhesion layer and a barrier layer, wherein tantalum nitride or nickel-containing nickel is used as the adhesion layer and the barrier layer on the base material. A single adhesion barrier layer is provided by depositing a chromium-based alloy, a wiring pattern is formed on the adhesion barrier layer, and the adhesion barrier layer is used as a resistor section to form a resistor in a circuit. A method for manufacturing a wiring board, comprising:
JP5087565A 1993-04-14 1993-04-14 Wiring board and its manufacture Pending JPH06302951A (en)

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Cited By (4)

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