KR890001382B1 - Manufacture method for record element of sensing heat - Google Patents

Manufacture method for record element of sensing heat Download PDF

Info

Publication number
KR890001382B1
KR890001382B1 KR1019860001355A KR860001355A KR890001382B1 KR 890001382 B1 KR890001382 B1 KR 890001382B1 KR 1019860001355 A KR1019860001355 A KR 1019860001355A KR 860001355 A KR860001355 A KR 860001355A KR 890001382 B1 KR890001382 B1 KR 890001382B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wiring
matrix
polyamide
layer
double
Prior art date
Application number
KR1019860001355A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR870008171A (en
Inventor
황학인
양홍근
Original Assignee
삼성전자 주식회사
강진구
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사, 강진구 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR1019860001355A priority Critical patent/KR890001382B1/en
Publication of KR870008171A publication Critical patent/KR870008171A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR890001382B1 publication Critical patent/KR890001382B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D9/00Recording measured values
    • G01D9/02Producing one or more recordings of the values of a single variable
    • G01D9/10Producing one or more recordings of the values of a single variable the recording element, e.g. stylus, being controlled in accordance with the variable, and the recording medium, e.g. paper roll, being controlled in accordance with time

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

A method comprises (i) vapor-depositing Cr, Pd, Au onto ceramic CB (40) under vacuum and photolithograph to form metal layer (41) connected with heat-generating resistor, (ii) screen printing of matrix wiring parts with polyamide (43) as insulator with exception of the connector for dual wiring from (i), (iii) vapordepositing of thin metal layer (42) connected with input terminal (4) and photolithographing and (iv) full-printing with polyamide (44) for protection of the insulation between wirings and upper wiring.

Description

감열기록소자의 제조방법Method of manufacturing the thermal recording element

제 1도는 매트릭스(Matrix)배선방식에 의해 형성된 감열기록 헤드의 배선도.1 is a wiring diagram of a thermal recording head formed by a matrix wiring method.

제 2도는 종래의 플렉시블 PCB를 이용한 경우의 제 1도의 이중 배선부(5)를 A-A'의 방향에서 본 종단면.FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view of the dual wiring portion 5 of FIG. 1 when using a conventional flexible PCB as viewed from the direction of A-A '.

제 3도는 본 발명의 매트릭스 이중배선부 부분절개사시도.Figure 3 is a partial cutaway perspective view of the matrix double wiring of the present invention.

제 4도는 제 3도의 매트릭스 이중배선부(A)를 제 1도에서 도시한 A-A'의 방향에서 본 종단면도.4 is a longitudinal cross-sectional view of the matrix double interconnection portion A of FIG. 3 viewed from the direction of AA ′ shown in FIG.

제 5도는 제 4도의 형성부를 제조공정별로 나타낸 단면도.5 is a cross-sectional view showing the forming portion of FIG. 4 by manufacturing process.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 공통전극 2 : 다이오드1 common electrode 2 diode

3 : 발열저항체 4 : 입력단자부3: heat generating resistor 4: input terminal part

5 : 이중배선부 10 : 배선 및 발열저항부5: dual wiring part 10: wiring and heating resistance part

20 : 매트릭스 배선부 30,40 : 세라믹기판20: matrix wiring portion 30, 40: ceramic substrate

31 : 금속박막전도층 32 : 금도금층31 metal thin film conductive layer 32 gold plated layer

33 : 플렉시블구리박막 34 : 플렉 시블 PCB 고분자재료33: flexible copper thin film 34: flexible PCB polymer material

41 : 금속층 42 : 금속박막전도층41: metal layer 42: metal thin film conductive layer

43,44 : 폴리마이드층 45 : 포토레지스터43,44: polyamide layer 45: photoresist

본 발명은 팩시밀리의 수신 기록장치에 사용되는 감열기록소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 상기 감열 기록소자의 매트릭스 배선부의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a thermosensitive recording element for use in a reception recording apparatus of a facsimile, and more particularly, to a method of manufacturing a matrix wiring portion of the thermosensitive recording element.

팩스밀리에 사용되는 수신기록장치의 감열기록소자는 제 1도에 도시한 바와같이 배선 및 발열저항부(10)와 매트릭스 배선부(20)로 구성되어 있으며 상기 배선 및 발열저항부(10)는 일렬로 배열된 발열저항체 (3)와 상기 발열저항체 (3)에 직렬로 접속되며 전류의 역류를 방지하기 위한 다이오드(2)를 갖으며 매트릭스 배선부(20)는 매트릭스 구동을 가능케하는 이층 배선으로 된다.The thermosensitive recording element of the reception recording apparatus used for the facsimile machine is composed of a wiring and a heat generating resistor unit 10 and a matrix wiring unit 20 as shown in FIG. 1. It is connected in series with the heat generating resistors 3 and the heat generating resistors 3 arranged in series, and has a diode 2 for preventing the reverse flow of current, and the matrix wiring section 20 is a double layer wiring for enabling matrix driving. do.

즉 상기 발열저항체(3)들은 복수의 블럭으로 분할되어 각 블럭을 구성하는 전발열저항체는 전류의 역류를 방지하기 위해 개개의 다이오드(2)와 금속도선으로 연결되며 상기 각 블럭에 대응하는 다이오드는 한개의 다이오드 어레이칩내에 내장되어 공통전극(1)에 도전성 접착제로 접합되어 있고 상기 각 발열저항체 (3)들의 다른 한쪽 배선은 매트릭스 배선부(20)의 이중배선부(5)를 통하여 상기 발열저항체를 구동하는 신호를 제공하는 입력단자부(4)와 매트릭스 형태로 접속된다.That is, the heat generating resistors 3 are divided into a plurality of blocks, and the preheating resistors constituting each block are connected with individual diodes 2 and metal conductors to prevent reverse flow of current. It is embedded in one diode array chip and bonded to the common electrode 1 with a conductive adhesive. The other wire of each of the heating resistors 3 connects the heating resistor through the double wiring part 5 of the matrix wiring part 20. It is connected in the form of a matrix with an input terminal 4 which provides a driving signal.

상기와 같은 다이오드 매트릭스형 감열기록소자의 매트릭스 배선부(20)의 배선형성 방법은 세라믹 기판에 형성된 배선과, 구리 박판에 고분자재료(폴리에스테르, 폴리아미드등) 를 도포하여 식각후 배선을 제작한 플렉시블(Flexible) PCB 와를 금속의 용융점을 이용한 열압착 방식에 의해 제조하여 왔다.The wiring formation method of the matrix wiring portion 20 of the diode matrix type thermosensitive recording element as described above is a wiring formed on a ceramic substrate, and coated with a polymer material (polyester, polyamide, etc.) on a copper thin plate to produce wiring after etching. Flexible PCB has been manufactured by thermocompression method using melting point of metal.

즉 종래의 매트릭스 배선부(20)의 금속의 용융점을 이용한 열 압착방식에 의해 제작한 감열기로소자의 매트릭스 배선부(20)의 도면은 제 2도에 나타낸 바와같다.That is, the diagram of the matrix wiring part 20 of the element by the thermocompression method using the melting point of the metal of the conventional matrix wiring part 20 is as shown in FIG.

제 2도는 종래의 플렉시블 PCB를 이용한 경우의 제 1도의 이중배선부l(5)를 A-A'의 방향에서 본 종단면도를 보인 도면이다.FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the double wiring part 1 of FIG. 1 in the case of using a conventional flexible PCB as viewed from the direction of A-A '.

제 2도중 30은 세라믹기판, 31은 기판위에 형성된 발열저항체와 연결된 금속박막전도층, 32는 금(Au)도금층, 33은 PCB(print Circuit Board)플렉시블의 구리박막(35μm, 70μm), 34는 플렉시블 PCB 고분자재료, 35는 주석 (Sn)층이다.30 is a ceramic substrate, 31 is a metal thin film conductive layer connected to a heating resistor formed on the substrate, 32 is a gold (Au) plated layer, 33 is a copper thin film (35μm, 70μm) of PCB (print circuit board) flexible, 34 is Flexible PCB polymer material, 35, is a tin (Sn) layer.

따라서 종래의 감열기록소자 제조방법은 플렉시블 PCB 의 구리박막(33)에 주석 (35)을 도금하고 세라믹기판(30) 배선의 금속박막 전도층(31)에 금(32)을 도금하여 매트릭스형성점에서 금(Au)과 주석 (Sn)의 공융점을 이용하여 열압착방식에 의해 제조되어 왔었다. 그러나 상술한 종래의 감열기록소자 제조방법은 별도의 플렉시블 PCB와 주석을 도금하는 공정과, 기판의 배선에 금을 도금하는 공정 및 금도금을 위한 공통전극형성 의 증착공정이 요구되며, 또한 마지막으로 열압착공정을 거쳐야 하므로 이에따른 공정관리상의 복잡화와 제품의 생산수율(Yield)저하 및 원가 상승요인이 발생되는 문제점이 있었다.Therefore, in the conventional method of manufacturing a thermal recording element, a matrix 35 is formed by plating tin 35 on a copper thin film 33 of a flexible PCB and plating gold 32 on a metal thin film conductive layer 31 of a ceramic substrate 30 wiring. It has been produced by thermocompression using the eutectic point of gold (Au) and tin (Sn). However, the conventional method of manufacturing the thermal recording element described above requires a process of plating a separate flexible PCB and tin, a process of plating gold on the wiring of the substrate, and a process of depositing a common electrode for gold plating. Since it must go through the pressing process, there are problems of complicated process management, lower yield of the product, and a cost increase factor.

따라서 본 발명은 종래의 문제점을 해결하기 위해 일반적인 전공증착 및 식각과 스크린프린팅 공정에 의해 제조공정을 단순화 하고 양산성이 우수하며 신뢰성이 높은 감열기록소자를 제조할 수 있는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for simplifying a manufacturing process and manufacturing a highly thermally sensitive thermal recording element by a general electrodeposition, etching, and screen printing process to solve the conventional problems. have.

본 발명의 또다른 목적은 폴리마이드절연층에 의해 호울(hole)을 형성하여 발열저항체를 구동하는 입력단자부와 이중배선을 형성시킨 다이오드 매트릭스형의 감열기록소자를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a diode matrix type thermal recording element in which a hole is formed by a polyamide insulating layer to form an input terminal portion for driving a heating resistor and a double wiring.

이하 본 발명의 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings of the present invention will be described in detail.

제 3도는 본 발명의 매트릭스 이중배선부분 절개 사시도로서 제 3도중 40은 세라믹기판, 41은 제 1도 3의 발열저항체로 연결되는 이중 배선부 금속층에 대응하며, 42는 제 1도 4의 입력단자부와 연결되는 금속박막전도층이고, 43,44는 절연 및 외부보호용 폴리마이드층이며, 45는 포토레지스터이고, 절개부분 C가 이중배선 매트릭스 배선형성부이다.FIG. 3 is a perspective view of the cutaway portion of the matrix double wiring according to the present invention. In FIG. 3, 40 corresponds to a dual wiring metal layer connected to a ceramic substrate, 41 to a heat generating resistor of FIG. 3, and 42 is an input terminal of FIG. 4. 43 and 44 are polyimide layers for insulation and external protection, 45 are photoresists, and a cutout portion C is a double wiring matrix wiring forming portion.

제 4도는 본 발명에 따른 제 3도의 매트릭스 이중배선형성부(A)를 제 1도의 A-A'방향에서 종단면도로서 도면에 표시된 부호명칭은 제 3도에서 상술한 설명과 같으며 이에따른 제조과정을 제 5도에 나타낸 것으로 세라믹기판(40)위에 매트릭스 형성점을 제작하기 위해 제 3도의 41층은 진공증착기를 사응하여 크롬(Cr)을 1000-1400Å, 파라디움(Pd)를 800-1200Å, 금을 1μm-1.5μm, 크롬(Cr)을 800-1200Å의 층을 차례로 각각 갖도록 진공증착을 연속적으로 실행한다. 다음 매트릭스 형성점 즉 이중배선부만 남기고 사진식각(애칭)공정을 수행하는데 이식각공정은 일반적으로 많이 실행되고 있는 사진식각술(Photolithograph)방법으로 실행한다. 따라서 우선 깨끗하게 세정된 애칭할 금속층위에 포토레지스터(Photoresist)로 일정한 두께의 감광층을 스핀코팅 (Spin Coating)한 후 소정의 온도 분위기속에서 히팅 (heating)시킨다음 이중배선부 매트릭스형성점을 위한 포토마스크(Photomask)를 사용하여 UV 및 (Light)에 소정시간 노광시킨후 현상액에 넣어 현상한다음 DI 수로 린스(Rinse)후 다시 금속층과 래지스터간 접착력을 좋게하기위해 베이크(Bake)한 다음 애칭액에 넣으면 금속층이 애칭되면서 매트릭스 이층 배선부 패턴이 형성되며 여기서 패턴이 형성된 샘플은 아직 포토 레시스터가 남아있으므로 이것을 스트립 (Strip)하면 제 5(a)도에 도시한 금슥층(41)이 완성된다.4 is a longitudinal cross-sectional view of the matrix double wiring forming portion A of FIG. 3 according to the present invention in the direction of A-A 'of FIG. 1, and the same reference numerals as shown in FIG. As shown in FIG. 5, in order to fabricate a matrix forming point on the ceramic substrate 40, the 41 layer of FIG. 3 corresponds to a vacuum vapor deposition machine, so that chromium (Cr) is 1000-1400 kPa, palladium (Pd) 800-1200 kPa Vacuum deposition was performed continuously so that 1 micrometer-1.5 micrometers, and chromium (Cr) have 800-1200 micrometers of layers, respectively. Next, the photolithography process is performed leaving only the matrix forming point, that is, the double wiring part. The implantation angle process is generally performed by the photolithograph method. Therefore, first, spin-coating a photoresist layer having a certain thickness on the metal layer to be etched cleanly with a photoresist, and heating it in a predetermined temperature atmosphere, and then a photomask for the double wiring matrix formation point. After exposure to UV and (Light) for a predetermined time using (Photomask), develop into developer, rinse with DI water, and then bake to improve adhesion between the metal layer and the resist When the metal layer is inserted, a matrix double layer interconnection pattern is formed, and since the photoresistor still remains on the sample on which the pattern is formed, stripping it completes the metal layer 41 shown in FIG. 5 (a).

여기서 43층은 폴리마이드로 중간절연체를 이용하여 다층배선을 형성하기 위해 기판(40)위에서 이중배선을 위한 연결부를 제외 하고는 배선부를 폴리마이드로 스크린 프린팅하는 공정으로 이층은 폴리마이드를 80℃에서 30분, 150℃에서 30분, 350℃에서 30분 동안 큐어링하면 되는 것으로 제5(a)도 도면에 도시한 부분이 완료된다. 이어서 제 1도의 입력단자부(4)와 접속되기 위해서 제 4도의 금슥박막전도층(42)을 형성하는 공정이 제 5(b)도 공정으로 금속층(41)과 다른 금속(Al 또는 Cu) 을 사용하여 진공증착기에 의해 증착하면 폴리마이드(43)가 없는 부위에서만 연결된다. 따라서 제 1도의 입력단자부(4)에 따라 배선을 형성하기 위해 상술한 사진 식각방법 (Photolithograph)에 의해 애칭을 하면 제 5(a)도의 도면에서 같은 방향에서 볼때 제 5(b)도 도면이 되고 제 1도의 B방향에서 볼때 제 5(c)도 도면이 된다. 이어서 제 5(c)도의 도시한 포토레지스터 (45)를 제거하면 제 1도에서 상술한 매트릭스 이중 배선부가 제작완료된다.Here, 43 layers are polyamides, and the process of screen-printing the wiring portions with polyamide except for the connection portion for double wiring on the substrate 40 to form a multi-layer wiring using an intermediate insulator. The second layer is polyamide at 80 ° C. What is necessary is just to cure for 30 minutes, 30 minutes at 150 degreeC, and 30 minutes at 350 degreeC, and the part shown in FIG. 5 (a) is completed. Subsequently, the process of forming the gold thin film conductive layer 42 of FIG. 4 in order to be connected to the input terminal part 4 of FIG. 1 is a process of FIG. 5 (b) using a metal (Al or Cu) different from the metal layer 41. When the deposition by the vacuum evaporator is connected only in the region where the polyamide 43 is not. Therefore, if the nickname is etched by the above-described photolithography method to form the wiring along the input terminal part 4 of FIG. 1, FIG. 5 (b) also becomes a view when viewed from the same direction in the drawing of FIG. As seen from the direction B of FIG. 1, FIG. 5C is also a view. Subsequently, when the photoresist 45 shown in FIG. 5C is removed, the matrix double wiring portion described in FIG. 1 is completed.

완료된 금속박막전도층(42)위를 다시 폴리마이드(44)를 전면스크린 프린팅하여 배선간의 절연 및 배선윗면을 외부로부터 보호되도록하면 다이오드 매트릭스형 감열기록소자 제작이 완료된다. 이에대한 도면이 제 5(d)도가 된다.When the polyamide 44 is screen-printed on the completed metal thin film conductive layer 42 again, the insulation between the wirings and the upper surface of the wirings are protected from the outside. The drawing for this is the fifth (d).

상술한 바와같이 일반적인 사진 식각방법에 의해 매트릭스 이중 배선부를 제작하여 신뢰성이 높고, 원가가 절감되는 감열기록소자를 제조할수 있는 이점이 있다.As described above, there is an advantage in that a thermally sensitive recording element having high reliability and low cost can be manufactured by manufacturing a matrix double wiring part by a general photolithography method.

Claims (1)

수신기록장치의 감열기록소자 제조방법에 있어서, 세라믹기판(40)위에 발열저항체와 연결된 금속층(41)형성을 위해 소정의 원소로 진공증착한후 사진식각하는 제 1공정과, 상기 제 1공정에서 형성된 이중배선을 위한 연결부를 제외하고 매트릭스 배선부를 중간 절연체인 폴리마이드(43)로 스크린 프린팅하는 제 2공정과, 입력단자부(4)와 연결되는 금속박막층(42)을 진공 증착한 후 사진식각하는 제 3공정과, 상기 제 3공정이 완료 된 위의 배선간의 절연 및 배선윗면을 외부로부터 보호하기 위해 폴리마이드(44)로 전면 프린팅하는 제 4공정에 의해 매트릭스 이중배선부를 형성하는 공정을 가진것을 특징으로 하는 감열기록소자의 제조방법.In the method of manufacturing a thermal recording element of a reception recording apparatus, a first process of vacuum-depositing a predetermined element on the ceramic substrate 40 to form a metal layer 41 connected to a heating resistor, and then etching the photo, and in the first process The second step of screen-printing the matrix wiring part with the polyamide 43, which is an intermediate insulator, except for the connection part formed for the double wiring, and vacuum-depositing the metal thin film layer 42 connected to the input terminal part 4 after vacuum deposition Forming a matrix double wiring part by a third step and a fourth step of printing the entire surface with polyamide 44 to protect the insulation and the upper surface of the wiring from the outside after the third step is completed. A method of manufacturing a thermal recording element, characterized by the above-mentioned.
KR1019860001355A 1986-02-26 1986-02-26 Manufacture method for record element of sensing heat KR890001382B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019860001355A KR890001382B1 (en) 1986-02-26 1986-02-26 Manufacture method for record element of sensing heat

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019860001355A KR890001382B1 (en) 1986-02-26 1986-02-26 Manufacture method for record element of sensing heat

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR870008171A KR870008171A (en) 1987-09-24
KR890001382B1 true KR890001382B1 (en) 1989-05-02

Family

ID=19248605

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019860001355A KR890001382B1 (en) 1986-02-26 1986-02-26 Manufacture method for record element of sensing heat

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR890001382B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR870008171A (en) 1987-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5048179A (en) IC chip mounting method
US7223652B2 (en) Capacitor and manufacturing method thereof, semiconductor device and substrate for a semiconductor device
US4710592A (en) Multilayer wiring substrate with engineering change pads
US6153508A (en) Multi-layer circuit having a via matrix interlayer connection and method for fabricating the same
JPH02272737A (en) Projecting electrode structure of semiconductor and formation of projecting electrode
US6198052B1 (en) Circuit board with terminal accommodating level differences
GB2076747A (en) Thermal Recording Head
KR890001382B1 (en) Manufacture method for record element of sensing heat
US4110598A (en) Thermal printhead assembly
WO1991011025A1 (en) A method for manufacturing of mineature impedance matched interconnection patterns
US5036897A (en) Thermal printing head manufacturing method
JPS5851830B2 (en) thermal head
US6074728A (en) Multi-layered circuit substrate
JP2729647B2 (en) Thermoelectric device manufacturing method
JP2903331B2 (en) Thermoelectric device manufacturing method
KR920007534B1 (en) Thermal printer head
JPH06302951A (en) Wiring board and its manufacture
JPH0744343B2 (en) Multilayer substrate with built-in resistors
JPH04353472A (en) Manufacture of thermal head
JPS60112461A (en) Thermal head and manufacture thereof
JPH04326595A (en) Thin-film multilayer circuit board and manufacture thereof
JPS592329A (en) Manufacture of substrate of semiconductor integrated circuit
JPH0232592A (en) Formation of lead pattern
JPH01258961A (en) Manufacture of integrated circuit device and substrate for integrated circuit device
JPH0469428B2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040329

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee