JPH06302433A - 着磁装置 - Google Patents
着磁装置Info
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- JPH06302433A JPH06302433A JP9110393A JP9110393A JPH06302433A JP H06302433 A JPH06302433 A JP H06302433A JP 9110393 A JP9110393 A JP 9110393A JP 9110393 A JP9110393 A JP 9110393A JP H06302433 A JPH06302433 A JP H06302433A
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- phase control
- voltage
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速でしかも正確に充電するコンデンサ充放
電型の着磁装置を得る。 【構成】 コンデンサ１６と、このコンデンサ１６に供
給する充電電圧を制御する位相制御回路サイリスタ１２
及び１３と、このサイリスタ１２及び１３に位相制御信
号を供給する位相制御信号発生回路２０と、コンデンサ
１６の放電を制御するサイリスタ１７と、コンデンサ１
６よりの放電電流が供給される着磁コイル１８と、この
コンデンサ１６の充電電圧制御情報を予め記憶する記憶
装置２６より構成してなる着磁装置。
電型の着磁装置を得る。 【構成】 コンデンサ１６と、このコンデンサ１６に供
給する充電電圧を制御する位相制御回路サイリスタ１２
及び１３と、このサイリスタ１２及び１３に位相制御信
号を供給する位相制御信号発生回路２０と、コンデンサ
１６の放電を制御するサイリスタ１７と、コンデンサ１
６よりの放電電流が供給される着磁コイル１８と、この
コンデンサ１６の充電電圧制御情報を予め記憶する記憶
装置２６より構成してなる着磁装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えば、永久磁石を着磁
するコンデンサ充放電型の着磁装置に関する。
するコンデンサ充放電型の着磁装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に永久磁石を着磁するには、その磁
石鋼のもつ最大磁束密度の飽和点に達する強さの磁界を
与えることが必要である。このような強磁界発生装置に
は、連続的に強磁界を発生する装置と、瞬間的に強磁界
を発生する装置があるが、後者の方が簡便な設備と費用
でより強大な磁界を発生させることができる。
石鋼のもつ最大磁束密度の飽和点に達する強さの磁界を
与えることが必要である。このような強磁界発生装置に
は、連続的に強磁界を発生する装置と、瞬間的に強磁界
を発生する装置があるが、後者の方が簡便な設備と費用
でより強大な磁界を発生させることができる。
【０００３】この瞬間的に強磁界を発生させる装置とし
てコンデンサ充放電型の着磁装置がある。このコンデン
サ充放電型の着磁装置は、商用電源を使用してコンデン
サに充電し、充電した電気エネルギーを瞬間大電流とし
て着磁コイルに流すもので、一般に能く用いられる着磁
装置である。
てコンデンサ充放電型の着磁装置がある。このコンデン
サ充放電型の着磁装置は、商用電源を使用してコンデン
サに充電し、充電した電気エネルギーを瞬間大電流とし
て着磁コイルに流すもので、一般に能く用いられる着磁
装置である。
【０００４】図４に従来のコンデンサ充放電型の着磁装
置の１例を示す。図４において、１１は商用電源を示
し、この商用電源１１の一端を位相制御回路を構成する
２個のサイリスタ１２及び１３のアノード及びカソード
に夫々接続する。そして、このサイリスタ１２及び１３
のカソード及びアノードを昇圧トランス１４の１次巻線
の一端に接続し、この１次巻線の他端を商用電源１１の
他端に接続する。この昇圧トランス１４の２次巻線の一
端を整流用のダイオード１５及び充放電用コンデンサ１
６の直列回路を介してこの２次巻線の他端に接続する。
充放電用コンデンサ１６としては、例えばケミカルコン
デンサまたはオイルコンデンサが用いられる。このダイ
オード１５及びコンデンサ１６の接続点を、着磁放電ス
イッチを構成するサイリスタ１７及び着磁コイル１８の
直列回路を介して、２次巻線の他端に接続する。またこ
のコンデンサ１６の両端電圧をマイクロコンピュータ等
より構成した位相制御信号発生回路３０に供給し、この
位相制御信号発生回路３０においては、このコンデンサ
１６の両端電圧に応じた位相制御信号を形成し、この位
相制御信号を位相制御回路を構成するサイリスタ１２及
び１３の夫々のゲートに供給する如くする。
置の１例を示す。図４において、１１は商用電源を示
し、この商用電源１１の一端を位相制御回路を構成する
２個のサイリスタ１２及び１３のアノード及びカソード
に夫々接続する。そして、このサイリスタ１２及び１３
のカソード及びアノードを昇圧トランス１４の１次巻線
の一端に接続し、この１次巻線の他端を商用電源１１の
他端に接続する。この昇圧トランス１４の２次巻線の一
端を整流用のダイオード１５及び充放電用コンデンサ１
６の直列回路を介してこの２次巻線の他端に接続する。
充放電用コンデンサ１６としては、例えばケミカルコン
デンサまたはオイルコンデンサが用いられる。このダイ
オード１５及びコンデンサ１６の接続点を、着磁放電ス
イッチを構成するサイリスタ１７及び着磁コイル１８の
直列回路を介して、２次巻線の他端に接続する。またこ
のコンデンサ１６の両端電圧をマイクロコンピュータ等
より構成した位相制御信号発生回路３０に供給し、この
位相制御信号発生回路３０においては、このコンデンサ
１６の両端電圧に応じた位相制御信号を形成し、この位
相制御信号を位相制御回路を構成するサイリスタ１２及
び１３の夫々のゲートに供給する如くする。
【０００５】この着磁装置により着磁するときは、着磁
コイル１８に磁石鋼５０を配し、所定の電圧にコンデン
サ１６が充電され、充電電圧が安定した時点に、着磁放
電スイッチ１７をオンすると瞬間的に大電流例えば５Ｋ
Ａ〜４０ＫＡが着磁コイル１８に流れ、強力な磁界が発
生する。この磁界により装着した磁石鋼５０は所定の磁
気を帯びたマグネット５１となる。
コイル１８に磁石鋼５０を配し、所定の電圧にコンデン
サ１６が充電され、充電電圧が安定した時点に、着磁放
電スイッチ１７をオンすると瞬間的に大電流例えば５Ｋ
Ａ〜４０ＫＡが着磁コイル１８に流れ、強力な磁界が発
生する。この磁界により装着した磁石鋼５０は所定の磁
気を帯びたマグネット５１となる。
【０００６】この際、充電に要する時間は通常３〜１０
秒程度で、放電は１／１００秒以下で行なわれる。この
着磁装置は量産化の装置であるから所定の着磁磁界が安
定して、しかも短時間で得られることが望ましい。
秒程度で、放電は１／１００秒以下で行なわれる。この
着磁装置は量産化の装置であるから所定の着磁磁界が安
定して、しかも短時間で得られることが望ましい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら一般にコ
ンデンサ１６の充電時間を短縮するため、コンデンサを
急速充電する場合は図５に破線で示す如く、このコンデ
ンサ１６に、より高い電圧を供給する必要がある。とこ
ろがこの供給電圧を制御するサイリスタ１２及び１３と
位相制御信号発生回路３０とを含む制御回路は、一般に
応答性が遅く、このコンデンサ１６の充電電圧が設定電
圧となり、このより高くした供給電圧Ｐ4を設定電圧Ｐ
S に下げるように位相制御するようにしても、図５に破
線で示す如くこの供給電圧を高くすればする程設定電圧
ＰS になるには時間がかかり、この供給電圧によりコン
デンサを充電することとなるので、このコンデンサ１６
を設定電圧を超えて過充電することとなる。このように
コンデンサ１６を一旦過充電すると、このコンデンサ１
６の両端電圧を設定電圧ＰS まで下げるのに時間を要し
最終的充電時間は、比較的長い時間Ｔ1 となりサイリス
タを使用した充電回路は高速充電には向かないという問
題があった。
ンデンサ１６の充電時間を短縮するため、コンデンサを
急速充電する場合は図５に破線で示す如く、このコンデ
ンサ１６に、より高い電圧を供給する必要がある。とこ
ろがこの供給電圧を制御するサイリスタ１２及び１３と
位相制御信号発生回路３０とを含む制御回路は、一般に
応答性が遅く、このコンデンサ１６の充電電圧が設定電
圧となり、このより高くした供給電圧Ｐ4を設定電圧Ｐ
S に下げるように位相制御するようにしても、図５に破
線で示す如くこの供給電圧を高くすればする程設定電圧
ＰS になるには時間がかかり、この供給電圧によりコン
デンサを充電することとなるので、このコンデンサ１６
を設定電圧を超えて過充電することとなる。このように
コンデンサ１６を一旦過充電すると、このコンデンサ１
６の両端電圧を設定電圧ＰS まで下げるのに時間を要し
最終的充電時間は、比較的長い時間Ｔ1 となりサイリス
タを使用した充電回路は高速充電には向かないという問
題があった。
【０００８】本発明は斯る点に鑑み、高速でしかも正確
に充電するコンデンサ充放電型の着磁装置を提供するこ
とを目的とするものである。
に充電するコンデンサ充放電型の着磁装置を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の着磁装置は、例
えば図１に示す如く、コンデンサ１６とこのコンデンサ
１６に供給する充電電圧を制御する位相制御回路１２，
１３と、この位相制御回路１２，１３に位相制御信号を
供給する位相制御信号発生回路２０と、このコンデンサ
１６の放電を制御するスイッチ１７と、このコンデンサ
１６よりの放電電流が供給される着磁コイル１８と、こ
のコンデンサ１６の充電電圧制御情報を予め記憶する記
憶装置２６とを有し、この記憶装置２６に記憶された充
電電圧制御情報に従ってこのコンデンサ１６を充電する
ようにしたものである。
えば図１に示す如く、コンデンサ１６とこのコンデンサ
１６に供給する充電電圧を制御する位相制御回路１２，
１３と、この位相制御回路１２，１３に位相制御信号を
供給する位相制御信号発生回路２０と、このコンデンサ
１６の放電を制御するスイッチ１７と、このコンデンサ
１６よりの放電電流が供給される着磁コイル１８と、こ
のコンデンサ１６の充電電圧制御情報を予め記憶する記
憶装置２６とを有し、この記憶装置２６に記憶された充
電電圧制御情報に従ってこのコンデンサ１６を充電する
ようにしたものである。
【００１０】
【作用】本発明の着磁装置によれば、予め記憶装置２６
に、コンデンサ１６の設定電圧に対応した位相制御情報
を記憶しておき、このコンデンサ１６を充電するとき
に、このコンデンサ１６の両端電圧が設定電圧となった
ときには、この記憶装置２６に記憶した位相制御情報に
より位相制御回路１２，１３を制御して充電供給電圧を
設定電圧ＰS とするので、高速で充電を行っても、コン
デンサ両側の電圧が設定電圧に達した時点で、直ちに供
給電圧が設定電圧となり、コンデンサ１６の両端電圧は
この設定電圧で安定し、高速で正確に充電でき、高速で
高精度に着磁することができる。
に、コンデンサ１６の設定電圧に対応した位相制御情報
を記憶しておき、このコンデンサ１６を充電するとき
に、このコンデンサ１６の両端電圧が設定電圧となった
ときには、この記憶装置２６に記憶した位相制御情報に
より位相制御回路１２，１３を制御して充電供給電圧を
設定電圧ＰS とするので、高速で充電を行っても、コン
デンサ両側の電圧が設定電圧に達した時点で、直ちに供
給電圧が設定電圧となり、コンデンサ１６の両端電圧は
この設定電圧で安定し、高速で正確に充電でき、高速で
高精度に着磁することができる。
【００１１】
【実施例】以下図１〜図３を参照しながら本発明着磁装
置の一実施例を説明する。この図１において前述した図
４との対応する部分には、同一符号を付してその詳細説
明は省略する。
置の一実施例を説明する。この図１において前述した図
４との対応する部分には、同一符号を付してその詳細説
明は省略する。
【００１２】図１においては、商用電源１１の一端を、
位相制御回路を構成する２個のサイリスタ１２及び１３
のアノード及びカソードに夫々接続する。これらサイリ
スタ１２及び１３のカソード及びアノードを昇圧トラン
ス１４の１次巻線の一端に接続し、この１次巻線の他端
を商用電源１１の他端に接続する。この昇圧トランス１
４の２次巻線の一端を整流用ダイオード１５及び充放電
用コンデンサ１６の直列回路を介してこの２次巻線の他
端に接続する。そして、このダイオード１５及びコンデ
ンサ１６の接続点を、着磁放電スイッチを構成するサイ
リスタ１７及び着磁コイル１８の直列回路を介して、２
次巻線の他端に接続する。この場合着磁コイル１８は着
磁ヨーク１９に巻装する如くなされたものである。
位相制御回路を構成する２個のサイリスタ１２及び１３
のアノード及びカソードに夫々接続する。これらサイリ
スタ１２及び１３のカソード及びアノードを昇圧トラン
ス１４の１次巻線の一端に接続し、この１次巻線の他端
を商用電源１１の他端に接続する。この昇圧トランス１
４の２次巻線の一端を整流用ダイオード１５及び充放電
用コンデンサ１６の直列回路を介してこの２次巻線の他
端に接続する。そして、このダイオード１５及びコンデ
ンサ１６の接続点を、着磁放電スイッチを構成するサイ
リスタ１７及び着磁コイル１８の直列回路を介して、２
次巻線の他端に接続する。この場合着磁コイル１８は着
磁ヨーク１９に巻装する如くなされたものである。
【００１３】またコンデンサ１６の両端電圧を位相制御
信号発生回路２０に供給する。この位相制御信号発生回
路２０においては、先ずこのコンデンサ１６の両端電圧
はＡ／Ｄコンバータ２１へ導かれ、一方あらかじめ入力
された設定値メモリ２２と、この両者の値を比較する比
較器２３で比較され、その結果がＣＰＵ２５に送られ
る。ＣＰＵ２５ではこれに応じた位相制御信号を形成
し、この信号を位相制御回路を構成するサイリスタ１２
及び１３のゲートに供給する。
信号発生回路２０に供給する。この位相制御信号発生回
路２０においては、先ずこのコンデンサ１６の両端電圧
はＡ／Ｄコンバータ２１へ導かれ、一方あらかじめ入力
された設定値メモリ２２と、この両者の値を比較する比
較器２３で比較され、その結果がＣＰＵ２５に送られ
る。ＣＰＵ２５ではこれに応じた位相制御信号を形成
し、この信号を位相制御回路を構成するサイリスタ１２
及び１３のゲートに供給する。
【００１４】本例においてはＣＰＵ２５は記憶装置２６
と接続され、ＣＰＵ２５で形成した位相制御情報を記憶
装置２６に記憶することができるようにすると共に、こ
のＣＰＵ２５からの指令により、この記憶させた位相制
御情報をこの記憶装置２６より読み出し、このＣＰＵ２
５において、この位相制御情報に基づき位相制御信号を
形成して、この位相制御信号を位相制御回路を構成する
サイリスタ１２及び１３のゲートに供給するよう構成し
てなる。
と接続され、ＣＰＵ２５で形成した位相制御情報を記憶
装置２６に記憶することができるようにすると共に、こ
のＣＰＵ２５からの指令により、この記憶させた位相制
御情報をこの記憶装置２６より読み出し、このＣＰＵ２
５において、この位相制御情報に基づき位相制御信号を
形成して、この位相制御信号を位相制御回路を構成する
サイリスタ１２及び１３のゲートに供給するよう構成し
てなる。
【００１５】また本例においては、この記憶装置２６に
設定電圧ＰS に対応した位相制御情報を記憶する如くす
る。この設定電圧ＰS に対応した位相制御情報を得る例
につき図２を参照して説明する。
設定電圧ＰS に対応した位相制御情報を記憶する如くす
る。この設定電圧ＰS に対応した位相制御情報を得る例
につき図２を参照して説明する。
【００１６】この図２においてはコンデンサ１６の両端
に得られる充電電圧は供給電圧を越えることがないの
で、この供給電圧を長時間かけて徐々に設定電圧ＰS と
する如くして充電するようにしたもので、このときは供
給電圧と充電電圧とが略一致し、このコンデンサ１６の
両端電圧が、設定電圧ＰS となったときの位相制御情報
が、この設定電圧ＰS に対応した位相制御情報となり、
この位相制御情報を記憶装置２６に記憶する如くする。
その他は従来のコンデンサ充放電型の着磁装置と同様に
構成する。
に得られる充電電圧は供給電圧を越えることがないの
で、この供給電圧を長時間かけて徐々に設定電圧ＰS と
する如くして充電するようにしたもので、このときは供
給電圧と充電電圧とが略一致し、このコンデンサ１６の
両端電圧が、設定電圧ＰS となったときの位相制御情報
が、この設定電圧ＰS に対応した位相制御情報となり、
この位相制御情報を記憶装置２６に記憶する如くする。
その他は従来のコンデンサ充放電型の着磁装置と同様に
構成する。
【００１７】以下本例により着磁する場合につき説明す
る。まず位相制御回路を構成するサイリスタ１２及び１
３のゲートに位相制御信号発生回路２０からスタート信
号が入り、ゲートの位相角を０から少しづつ進めるが、
供給電圧は、コンデンサ１６の両端電圧よりも高目の電
圧で急速に電圧を上げていく。コンデンサ１６の両端電
圧は、位相制御信号発生回路２０に供給され、設定電圧
との比較が行われる。
る。まず位相制御回路を構成するサイリスタ１２及び１
３のゲートに位相制御信号発生回路２０からスタート信
号が入り、ゲートの位相角を０から少しづつ進めるが、
供給電圧は、コンデンサ１６の両端電圧よりも高目の電
圧で急速に電圧を上げていく。コンデンサ１６の両端電
圧は、位相制御信号発生回路２０に供給され、設定電圧
との比較が行われる。
【００１８】この位相制御信号発生回路２０によりコン
デンサ１６の両端電圧を高速で上昇する如くし、このコ
ンデンサ１６の両端電圧と設定電圧とが一致したとき、
ＣＰＵ２５は、指令信号を出して記憶装置２６に記憶し
た位相制御情報を読み出し、これに応じた位相制御信号
を形成し、この信号を位相制御回路を構成するサイリス
タ１２及び１３のゲートに供給する。これにより供給電
圧はコンデンサ１６の両端電圧が設定電圧ＰS を保持す
る供給電圧となり、コンデンサ１６は過充電とはなら
ず、短時間で安定した設定電圧に充電できる。その充電
時間は、大幅に短縮した時間、Ｔ3 となる。
デンサ１６の両端電圧を高速で上昇する如くし、このコ
ンデンサ１６の両端電圧と設定電圧とが一致したとき、
ＣＰＵ２５は、指令信号を出して記憶装置２６に記憶し
た位相制御情報を読み出し、これに応じた位相制御信号
を形成し、この信号を位相制御回路を構成するサイリス
タ１２及び１３のゲートに供給する。これにより供給電
圧はコンデンサ１６の両端電圧が設定電圧ＰS を保持す
る供給電圧となり、コンデンサ１６は過充電とはなら
ず、短時間で安定した設定電圧に充電できる。その充電
時間は、大幅に短縮した時間、Ｔ3 となる。
【００１９】このコンデンサ１６の両端電圧が設定電圧
と一致、保持され、充電は完了する。そして着磁放電用
スイッチを構成するサイリスタ１７の導通と共に着磁コ
イル１８に、コンデンサ１６に設定電圧に充電された電
気エネルギーが瞬間的に放電され、着磁コイル１８に配
された磁石鋼５０は、所定の残留磁束密度を持ったマグ
ネット５１となる。
と一致、保持され、充電は完了する。そして着磁放電用
スイッチを構成するサイリスタ１７の導通と共に着磁コ
イル１８に、コンデンサ１６に設定電圧に充電された電
気エネルギーが瞬間的に放電され、着磁コイル１８に配
された磁石鋼５０は、所定の残留磁束密度を持ったマグ
ネット５１となる。
【００２０】以上本例の着磁装置は、予め記憶装置２６
にコンデンサ１６の設定電圧に対応した位相制御情報を
記憶しておいて、このコンデンサ１６を高速に充電し、
コンデンサ電圧が設定電圧に達した時点で、直ちに記憶
装置に記憶させておいた位相制御情報により、位相制御
回路を制御して充電供給電圧を設定電圧となし、コンデ
ンサ１６は設定電圧に安定充電される。従って所定の磁
石鋼５０を短時間で高精度に着磁することができる。
にコンデンサ１６の設定電圧に対応した位相制御情報を
記憶しておいて、このコンデンサ１６を高速に充電し、
コンデンサ電圧が設定電圧に達した時点で、直ちに記憶
装置に記憶させておいた位相制御情報により、位相制御
回路を制御して充電供給電圧を設定電圧となし、コンデ
ンサ１６は設定電圧に安定充電される。従って所定の磁
石鋼５０を短時間で高精度に着磁することができる。
【００２１】尚本発明は、上述の実施例に限らず、本発
明の要旨を逸脱することなく、その他種々変形・変更が
可能である。
明の要旨を逸脱することなく、その他種々変形・変更が
可能である。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、コンデンサ充放電型の
着磁装置で、予め記憶装置にコンデンサの設定電圧に対
応した位相制御情報を記憶しておき、高速充電を行い、
コンデンサ電圧が設定電圧に達した時点で、直ちにこの
記憶装置に記憶した位相制御情報により、位相制御回路
を制御して充電供給電圧を設定電圧とするので、コンデ
ンサが設定電圧以上に充電されることはなく、過充電に
ならずに高速で正確に所定電圧に充電でき、従って高速
で高精度に安定して着磁することができるという効果が
ある。
着磁装置で、予め記憶装置にコンデンサの設定電圧に対
応した位相制御情報を記憶しておき、高速充電を行い、
コンデンサ電圧が設定電圧に達した時点で、直ちにこの
記憶装置に記憶した位相制御情報により、位相制御回路
を制御して充電供給電圧を設定電圧とするので、コンデ
ンサが設定電圧以上に充電されることはなく、過充電に
ならずに高速で正確に所定電圧に充電でき、従って高速
で高精度に安定して着磁することができるという効果が
ある。
【図１】本発明の着磁装置の一実施例を示す構成図であ
る。
る。
【図２】本発明の着磁装置の低速充電時の供給及びコン
デンサ電圧と時間との関係を示す図である。
デンサ電圧と時間との関係を示す図である。
【図３】本発明の着磁装置の一実施例の充電時の供給及
びコンデンサ電圧と時間との関係を示す図である。
びコンデンサ電圧と時間との関係を示す図である。
【図４】従来の着磁装置の例の構成図である。
【図５】従来の着磁装置の例の充電時の供給及びコンデ
ンサ電圧と時間との関係を示す図である。
ンサ電圧と時間との関係を示す図である。
１１ 商用電源 １２，１３，１７ サイリスタ １４ 昇圧トランス １５ 整流用のダイオード １６ 充放電コンデンサ １８ 着磁コイル ２０ 位相制御信号発生回路 ５０ 磁石鋼
Claims (1)
- 【請求項１】 コンデンサと該コンデンサに供給する充
電電圧を制御する位相制御回路と、該位相制御回路に位
相制御信号を供給する位相制御信号発生回路と前記コン
デンサの放電を制御するスイッチと前記コンデンサより
放電電流を供給される着磁コイルと前記コンデンサの充
電電圧制御情報を予め記憶する記憶装置とを有し該記憶
装置に記憶された充電電圧制御情報に従って前記コンデ
ンサを充電するようにしたことを特徴とする着磁装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9110393A JP2511783B2 (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 着磁装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9110393A JP2511783B2 (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 着磁装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302433A true JPH06302433A (ja) | 1994-10-28 |
| JP2511783B2 JP2511783B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=14017195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9110393A Expired - Lifetime JP2511783B2 (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 着磁装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2511783B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101065957B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2011-09-19 | 한전케이피에스 주식회사 | 영구자석 발전기의 자화장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5080179B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2012-11-21 | 株式会社ディー・エム・ティー | 着磁電源 |
-
1993
- 1993-04-19 JP JP9110393A patent/JP2511783B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101065957B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2011-09-19 | 한전케이피에스 주식회사 | 영구자석 발전기의 자화장치 |
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|---|---|
| JP2511783B2 (ja) | 1996-07-03 |
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