JPH06301988A - 横断トラック数カウント装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】光ディスク面上の汚れや傷等がある場合でも、
光ビームのトラック横断数が計数可能な装置を提供する
こと。 【構成】トラッキング誤差信号ａは波形整形回路１２で
クロストラック信号ｂとなり、移動方向検出回路１７に
入力される。トラッキング和信号ｃはリミッタ回路２２
で通常の振幅値に制限された後、上側エンベロープ検波
回路１３及び下側エンベロープ検波回路１４を介して平
均値検出回路１５に入力され、トラッキング和信号ｃの
振幅の平均値を示す信号ｆが求められる。トラッキング
和信号ｃと平均値信号ｆはレベル比較回路１６に入力さ
れてオントラック信号ｇとなり、移動方向検出回路１７
に入力される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば光ディスクや光
磁気ディスク記録再生装置等の横断トラック数カウント
装置に係り、特にディスク上に汚れや傷等がある場合で
も、目標トラックへの光ビームの位置決め性能を向上さ
せる横断トラック数カウント装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光学式あるいは磁気光学式記録再
生装置では、現在のトラックと目標トラックとの差分を
計算し、その差分に相当するトラック数だけ光ビームを
移動させることにより目標トラックを検索するようにし
ている。目標トラックを検索するいわゆるアクセス動作
において、光ビームを目標トラックに正確に位置決めす
るためには、正確なトラック横断数の計数が必要とな
る。このため、光ビームとトラックとの相対的なずれ量
を示すトラッキング誤差信号と、光ビームがトラック上
にあるかトラック間にあるかを示すオントラック信号に
基づいて、内周方向横断パルス及び外周方向横断パルス
を生成し、これらのパルスにより目標トラックまでのト
ラック横断数を計数するようにしている。ここで、上記
オントラック信号は、トラッキング和信号をある閾値で
スライスした２値化信号で与えられるが、トラッキング
和信号は、光ビームがトラック上にある場合とトラック
間にある場合とで、ディスクからの反射光量が異なるこ
とを利用して検出される信号であるため、トラック（案
内溝）の深さや幅あるいはディスクの反射率の変動等に
より振幅やＤＣ成分が変動する。このため、ある一定の
閾値でトラッキング和信号をスライスしても、光ビーム
とトラックとの相対位置（トラック上あるいはトラック
間）に対応したオントラック信号が検出できなくなる恐
れがある。従って、上記のようにトラッキング和信号が
変動した場合でも確実に光ビームとトラックとの相対位
置を検出するため、トラッキング和信号の振幅の最大値
と最小値の平均を閾値としてトラッキング和信号をスラ
イスすることで、確実にオントラック信号が検出できる
ようにしている。

【０００３】図８は従来の横断トラック数カウント装置
の一例を示すブロック図である。１は光ディスク、２は
スピンドルモータ、３は光ピックアップ、４及び５は光
電変換器、６は差動アンプ、７は加算アンプ、８は位相
補償回路、９はスイッチ、１０は駆動回路、１１はトラ
ッキングアクチュエータ、１２は波形整形回路、１３は
上側エンベロープ検波回路、１４は下側エンベロープ検
波回路、１５は平均値検出回路、１６はレベル比較回
路、１７は移動方向検出回路、１８はトラック数カウン
タ、１９はフリップフロップ回路、２０はマイクロコン
ピュータである。また、図９は図８に示す従来例の各部
動作波形を示すタイムチャートである。

【０００４】光ディスク１はスピンドルモータ２により
回転駆動され、光ディスク１からの反射光は光ピックア
ップ３により取り出されて、光電変換器４及び５で電気
信号に変換された後、差動アンプ６でトラッキング誤差
信号ａが、加算アンプ７でトラッキング和信号ｃが生成
される。トラッキング誤差信号ａは位相補償回路８、ス
イッチ９を介して駆動回路１０に入力され、トラッキン
グアクチュエータ１１を駆動してトラック追従動作を行
う。また、トラッキング誤差信号ａは波形整形回路１２
に入力されてクロストラック信号ｂが生成され、移動方
向検出回路１７に入力される。

【０００５】一方、トラッキング和信号ｃは上側エンベ
ロープ検波回路１３及び下側エンベロープ検波回路１４
に入力される。上側エンベロープ検波回路１３はトラッ
キング和信号ｃの振幅の最大値をピークホールドして上
側エンベロープ信号ｄを出力し、下側エンベロープ検波
回路１４はトラッキング和信号ｃの振幅の最小値をピー
クホールドして下側エンベロープ信号ｅを出力する。上
側エンベロープ信号ｄ及び下側エンベロープ信号ｅは平
均値検出回路１５に入力され、両エンベロープ信号ｄ及
びｅの平均値を示す信号ｆが求められる。平均値信号ｆ
はレベル比較回路１６に入力され、トラッキング和信号
ｃとレベル比較されてオントラック信号ｇとなり、移動
方向検出回路１７に入力される。移動方向検出回路１７
は、クロストラック信号ｂとオントラック信号ｇに基づ
いて、内周方向横断パルスｈ及び外周方向横断パルスｉ
を生成する。ここで、光ビームがトラック上にあるとき
にはオントラック信号ｇはＨレベルであり、トラック間
上にあるときにはＬレベルである。また、クロストラッ
ク信号ｂは光ビームの移動方向により極性が逆転する。
このため、オントラック信号ｇがＨレベルの時のクロス
トラック信号ｂの極性変化（ＨレベルからＬレベルに変
化するか、あるいはＬレベルからＨレベルに変化する
か）を検出すれば光ビームの移動方向を検出することが
できる。

【０００６】アクセス動作においては、まずマイクロコ
ンピュータ２０によりトラック数カウンタ１８に目標ト
ラックまでのトラック数を設定すると共にフリップフロ
ップ１９をリセット状態とし、これによりスイッチ９が
開となってトラッキング制御ループを開とする。このと
き、ここには図示しない移送手段により、光ビームを目
標トラック方向に移動させると、図９に示すようなトラ
ッキング誤差信号ａ及びトラッキング和信号ｃが出力さ
れる。更に、クロストラック信号ｂ及びオントラック信
号ｇが生成され、移動方向検出回路１７で内周方向横断
パルスｈ及び外周方向横断パルスｉが生成される。トラ
ック数カウンタ１８は、内周方向横断パルスｈ及び外周
方向横断パルスｉに基づいてトラック横断数をカウント
し、目標トラックと一致した時点で、アクセス終了信号
をフリップフロップ１９に出力する。フリップフロップ
１９はこのアクセス終了信号によってセットされ、これ
と同時にスイッチ９が閉となりトラッキング制御ループ
が閉とされると、光ビームは目標トラックを追従するよ
うに制御される。ここで、図９は光ビームが内周方向に
移動した場合の各部動作波形であるが、光ビームが外周
方向に移動した場合には、クロストラック信号ｂの極性
が逆転するため、移動方向検出回路１７からは外周方向
横断パルスｉが出力される。

【０００７】尚、この種の装置に関する発明としては特
開平２−６６７３５号公報等が挙げられる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来例で
は、トラック（案内溝）の深さや幅あるいはディスクの
反射率等の変動には対応可能であるが、ディスク面上の
汚れや傷等の欠陥によりトラッキング和信号の振幅やＤ
Ｃ成分が急激かつ大きく変動した場合には、この時のト
ラッキング和信号レベルをピーク値としてホールドして
しまうため、欠陥通過後の上側エンベロープ信号あるい
は下側エンベロープ信号はトラッキング和信号の振幅の
最大値あるいは最小値とは大きく異なった値となってし
まう。このため、両エンベロープ信号の平均値はトラッ
キング和信号の振幅の平均値とは異なった値となり、こ
の値でトラッキング和信号をスライスすると、光ビーム
とトラックとの相対位置に対応したオントラック信号が
検出できなくなってしまう。このため、光ビームのトラ
ック横断数のカウントミスが発生するという問題が生
じ、アクセス時の目標トラックへの位置決め制度が悪化
するという問題が生じる。

【０００９】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、例えば、光ディスク面上に汚れや傷等があり、トラ
ッキング和信号の振幅あるいはＤＣ成分が大きく変動し
た場合でも、光ビームとトラックとの相対位置に対応し
たオントラック信号が検出可能であり、光ビームの正確
なトラック横断数の計数を可能とする記録再生装置のた
めの横断トラック数カウント装置を提供することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明の横断トラック数カウント装置は、トラ
ッキング和信号の振幅値を制限するためのリミッタ回
路、あるいはディスク面上の欠陥を検出するための欠陥
検出回路と、上記欠陥検出回路の出力信号により上側エ
ンベロープ検波回路あるいは下側エンベロープ検波回路
の放電時定数を切り換えるための放電時定数切り換え回
路を設けるようにした。

【００１１】

【作用】本発明の横断トラック数カウント装置は、リミ
ッタ回路によりトラッキング和信号の振幅を制限し、ト
ラッキング和信号の振幅よりも大きく変動した分をカッ
トした後、上側及び下側エンベロープ検波回路で、トラ
ッキング和信号の振幅値をピークホールドすることによ
り、ディスク面上の汚れや傷等の欠陥による影響の少な
い上側及び下側エンベロープ信号を得るようにする。あ
るいは、欠陥検出回路によりディスク面上の欠陥を検出
し、この欠陥検出信号によりエンベロープ検波回路の放
電時定数を切り換えることにより、ディスク面上の欠陥
通過後に検出される、通常のトラッキング和信号の振幅
値をピークホールドすることを可能とし、トラッキング
和信号の振幅に対応した上側及び下側エンベロープ信号
を得るようにする。

【００１２】以上の方法により、ディスク面上の汚れや
傷等の欠陥によりトラッキング和信号の振幅あるいはＤ
Ｃ成分が大きく変動した場合でも、欠陥の影響を受ける
ことなく通常のトラッキング和信号の振幅値をピークホ
ールドすることができ、また正確に平均値を求めること
ができるので、確実にトラッキング和信号のＤＣ成分が
除去され、光ビームとトラックとの相対位置に対応した
オントラック信号が検出される。従って、光ビームの横
断トラック数の計数を誤る恐れがなく、目標トラックに
確実に位置決めすることが可能となる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。

【００１４】図１は第１の実施例を示すブロック図であ
る。図１において図８の従来例と同一機能部分には同一
の番号を附し、その説明は特に必要のない限り省略す
る。

【００１５】図１において、２１はオントラック信号検
出回路、２２はリミッタ回路である。光ディスク１から
の反射光は光ピックアップ３により取り出され、光電変
換器４及び５で電気信号に変換された後、差動アンプ６
でトラッキング誤差信号ａが生成され、加算アンプ７で
トラッキング和信号ｃが生成される。トラッキング誤差
信号ａは波形整形回路１２でクロストラック信号ｂとな
り、移動方向検出回路１７に入力される。一方、トラッ
キング和信号ｃはリミッタ回路２２に入力されて、平均
値検出回路１５の出力である平均値信号ｆに基づいて、
平均値信号ｆ±Ｖｚ以上の電圧が制限された信号ｊ（以
下、和信号ｊと記す）となる。和信号ｊは、上側エンベ
ロープ検波回路１３及び下側エンベロープ検波回路１４
に入力され、上側エンベロープ検波回路１３では和信号
ｊの最大値がピークホールドされて、上側エンベロープ
信号ｄが生成され、下側エンベロープ検波回路１４では
和信号ｊの最小値がピークホールドされて、下側エンベ
ロープ信号ｅが生成される。上側エンベロープ信号ｄ及
び下側エンベロープ信号ｅは、平均値検出回路１５に入
力されて平均値信号ｆが生成され、レベル比較回路１６
とリミッタ回路２２に入力される。レベル比較回路１６
では、和信号ｊと平均値信号ｆに基づいてオントラック
信号ｇが生成されて、移動方向検出回路１７に入力さ
れ、クロストラック信号ｂとオントラック信号ｇによ
り、光ビームの移動方向に応じて内周方向横断パルスｈ
及び外周方向横断パルスｉが生成される。

【００１６】以下に、オントラック信号検出回路２１の
具体的な構成例を示し、オントラック信号検出回路２１
の動作を更に詳しく説明する。図２はオントラック信号
検出回路の具体的な構成例を示す図である。

【００１７】リミッタ回路２２は、互いに逆向きに並列
接続されたダイオードとバッファアンプで構成されてい
る。バッファアンプには平均値検出回路１５の出力であ
る平均値信号ｆが入力されており、各ダイオードのａ端
子側は平均値信号ｆ相当の電圧レベルに設定されてい
る。また、各ダイオードのｂ端子側は、上側エンベロー
プ検波回路１３及び下側エンベロープ検波回路１４の入
力に接続されている。ここで、図３を用いて和信号ｊの
検出方法を説明する。図に示すように、光ディスク１面
上の欠陥によりトラッキング和信号ｃが大きく変動する
と、下側エンベロープ信号ｅがこの変動に追従して変化
するため、同時に平均値信号ｆも変化する（時間ｔ
０）。このトラッキング和信号ｃの変動分と平均値信号
ｆとのレベルの差がＶｚ（Ｖｚ：ダイオードの順方向電
圧）以上になると、リミッタ回路２２によりトラッキン
グ和信号ｃのレベルがリミッタされ（時間ｔ１）、トラ
ッキング和信号ｃは斜線の部分がカットされた和信号ｊ
となる。

【００１８】和信号ｊは、上側エンベロープ検波回路１
３及び下側エンベロープ検波回路１４に入力され、上側
エンベロープ信号ｄ及び下側エンベロープ信号ｅが生成
される。ここで、上側エンベロープ検波回路１３及び下
側エンベロープ検波回路１４について説明する。上側エ
ンベロープ検波回路１３及び下側エンベロープ検波回路
１４は、ダイオードＤ、放電抵抗Ｒ、ホールドコンデン
サＣ及びバッファアンプで構成されている。和信号ｊは
ダイオードＤを介してホールドコンデンサＣに充電さ
れ、和信号ｊの電圧がホールドコンデンサＣに充電され
た電圧よりも低くなると、充電されていた電荷がある時
定数を持ってホールドコンデンサＣから放電される。こ
のようにして、和信号ｊのピーク値を検出し、検出され
たピーク値をホールドすることにより上側エンベロープ
信号ｄ及び下側エンベロープ信号ｅを生成するようにし
ている。上側エンベロープ信号ｄ及び下側エンベロープ
信号ｅは、平均値検出回路１５に入力され、上側エンベ
ロープ信号ｄ及び下側エンベロープ信号ｅの平均レベル
が求められて平均値信号ｆが生成され、レベル比較回路
１６とリミッタ回路２２に入力される。レベル比較回路
１６は、差動アンプとヒステリシスコンパレータで構成
されており、差動アンプでは和信号ｊと平均値信号ｆと
の差を求めることにより和信号ｊのＤＣ成分を除去し、
基準電圧Ｖrefを中心とした信号ｍが生成される。この
信号ｍをヒステリシスコンパレータで基準電圧Ｖrefと
比較することにより、トラッキング和信号ｃの二値化信
号であるオントラック信号ｇが生成される。

【００１９】従って、図４に示すようにトラッキング和
信号ｃが大きく変動した場合でも、上側エンベロープ検
波回路１３及び下側エンベロープ検波回路１４には、点
線で示す部分がカットされた和信号ｊが入力されるた
め、確実にトラッキング和信号ｃの振幅値をピークホー
ルドすることが可能となり、光ディスク１面上の欠陥に
よる影響の少ない、上側エンベロープ信号ｄ及び下側エ
ンベロープ信号ｅが検出可能となる。このため、欠陥の
影響の少ない平均値信号ｆが求められるので、平均値信
号ｆと和信号ｊの差を求めることにより、ＤＣ成分が除
去された上記信号ｍが検出でき、トラッキング和信号ｃ
に対応したオントラック信号ｇが検出可能となる。

【００２０】次に、オントラック信号検出回路２１の第
２の実施例について説明する。上側エンベロープ検波回
路１３及び下側エンベロープ検波回路１４の充電時定数
は、上側エンベロープ信号ｄ及び下側エンベロープ信号
ｅがトラッキング和信号ｃに追従し、トラッキング和信
号ｃのピーク値を検出可能とするために、短く設定され
ている。また、放電時定数は、検出したピーク値を長く
ホールドして安定した上側エンベロープ信号ｄ及び下側
エンベロープ信号ｅを得るために、光ビームのトラック
横断周期より十分長い値に設定されている。このため、
ディスク面上の欠陥によりトラッキング和信号ｃが大き
く変動すると、上側エンベロープ信号ｄ及び下側エンベ
ロープ信号ｅはこの変動に追従し、この時のレベルをピ
ークホールドするので、トラッキング和信号ｃが欠陥通
過後に通常の振幅値に戻っても、上側エンベロープ信号
ｄ及び下側エンベロープ信号ｅは、トラッキング和信号
ｃに対応した値にならなくなる。第２の実施例は、トラ
ッキング和信号ｃが大きく変動したときには、上側エン
ベロープ検波回路１３あるいは下側エンベロープ検波回
路１４の放電時定数を短くして、充電された電圧を直ち
に放電することにより、確実にトラッキング和信号ｃの
振幅のピーク値を検出可能とし、トラッキング和信号ｃ
の振幅値に対応した、上側エンベロープ信号ｄ及び下側
エンベロープ信号ｅを検出可能とするものである。

【００２１】図５は本発明の第２の実施を示すブロック
図である。図５において図１の実施例と同一機能部分に
は同一の番号を附し、その説明は特に必要のない限り省
略する。

【００２２】図５の２３は欠陥検出回路である。トラッ
キング和信号ｃは、上側エンベロープ検波回路１３及び
下側エンベロープ検波回路１４に入力され、上側エンベ
ロープ信号ｄ及び下側エンベロープ信号ｅが生成され
る。上側エンベロープ信号ｄ及び下側エンベロープ信号
ｅは平均値検出回路１５に入力されて、平均値信号ｆが
生成され、レベル比較回路１６で、トラッキング和信号
ｃと平均値信号ｆに基づいてオントラック信号ｇが生成
される。また、上側エンベロープ検波回路１３及び下側
エンベロープ検波回路１４には、欠陥検出回路２３から
欠陥検出信号ｋが入力されている。欠陥検出信号ｋは、
例えば欠陥が検出されたときにはＨレベル、検出されな
いときにはＬレベルとなる信号であり、上側エンベロー
プ検波回路１３及び下側エンベロープ検波回路１４の放
電時定数が欠陥検出信号ｋによって切り換えられる。欠
陥が検出された場合には、上側エンベロープ検波回路１
３及び下側エンベロープ検波回路１４の放電時定数を短
くすることにより、光ディスク１面上の欠陥を通過した
後でも、通常のトラッキング和信号の振幅値をピークホ
ールドすることが可能となる。ここで、欠陥検出方法と
しては、エンベロープ信号、情報信号あるいはトラッキ
ング和信号等を用いて検出する方法が考えられるが、以
下にエンベロープ信号を用いて欠陥を検出する場合の具
体的な構成例を示し、トラッキング和信号ｃが大きく変
動した場合の下側エンベロープ検波回路１４の動作を説
明する。

【００２３】図６は第２の実施例の下側エンベロープ検
波回路１４と欠陥検出回路２３の具体的な構成例を示す
図、図７は第２の実施例の各部動作波形を示すタイムチ
ャートである。下側エンベロープ検波回路１４は、ダイ
オードＤ，放電抵抗Ｒ１とＲ２、ホールドコンデンサ
Ｃ、バッファアンプ及び放電時定数切り換えスイッチＳ
Ｗで構成されている。トラッキング和信号ｃはダイオー
ドＤを介してホールドコンデンサＣに充電され、トラッ
キング和信号ｃの電圧がホールドコンデンサＣに充電さ
れた電圧よりも低くなると、充電されていた電荷がホー
ルドコンデンサＣから放電される。ここで、放電時定数
は放電抵抗Ｒ１とＲ２、ホールドコンデンサＣの値で設
定されるが、欠陥が検出された場合（例えば、欠陥検出
信号ｋがＨレベルの時）には、放電時定数切り換えスイ
ッチＳＷを閉として放電時定数を短くし、欠陥が検出さ
れない場合（例えば、欠陥検出信号ｋがＬレベルの時）
には、放電時定数切り換えスイッチＳＷを開として長く
する。ここで、欠陥検出方法について説明する。欠陥検
出回路２３は高域通過フィルタとヒステリシスコンパレ
ータで構成されている。高域通過フィルタには下側エン
ベロープ信号ｅが入力されており、下側エンベロープ信
号ｅの変化分が検出される。高域通過フィルタの出力信
号ｎはヒステリシスコンパレータに入力され、基準電圧
Ｖrefと比較されて欠陥検出信号ｋが生成される。図７
に示すようにトラッキング和信号ｃが大きく変動する
と、下側エンベロープ信号ｅもトラッキング和信号ｃに
追従して大きく変動するため、上記信号ｎは基準電圧Ｖ
refに対して大きく変化し（時間ｔ０）、図に示すよう
な波形となる。この信号ｎをヒステリシスコンパレータ
で基準電圧Ｖrefと比較することにより、時間ｔ０から
時間ｔ１の間でＨレベルとなる欠陥検出信号ｋが検出さ
れ、ディスク１面上の欠陥により、トラッキング和信号
ｃが大きく変動したことが検出される。

【００２４】欠陥検出回路２３により、トラッキング和
信号ｃが大きく変動したこと（ドロップアウトの場合）
が検出された場合には、欠陥検出信号ｋにより放電時定
数切り換えスイッチＳＷを閉として、下側エンベロープ
検波回路１４の放電時定数を短くすれば、トラッキング
和信号ｃの変動分に相当する電荷がホールドコンデンサ
Ｃに充電されても、直ちにホールドコンデンサＣから放
電されるので、トラッキング和信号ｃが大きく変動した
直後でも、確実にトラッキング和信号ｃの振幅値をピー
クホールドすることが可能となる。従って、図７に示す
ようにトラッキング和信号ｃが大きく変動すると、下側
エンベロープ検波回路１４はこのトラッキング和信号ｃ
のレベルをピーク値としてホールドするが、時間ｔ０か
ら時間ｔ１の間、放電時定数切り換えスイッチＳＷを閉
とし、放電時定数を短くすることにより、コンデンサＣ
に充電された電荷は直ちに放電されるので、下側エンベ
ロープ信号ｅは、直ちにトラッキング和信号ｃの振幅値
に対応した信号となる。このため、平均値信号ｆも直ち
にトラッキング和信号ｃの振幅の平均値相当のレベルと
なるので、トラッキング和信号ｃに対応したオントラッ
ク信号ｇが検出可能となる。

【００２５】尚、上記実施例では下側エンベロープ検波
回路１４の動作について説明したが、上側エンベロープ
検波回路１３についても同様であり、上側エンベロープ
信号ｄにより欠陥を検出し、この欠陥検出信号により上
側エンベロープ検波回路１３の放電時定数を切り換える
ようにすればよい。

【００２６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、トラッキ
ング和信号の振幅値を制限した後で、上側及び下側エン
ベロープ検波回路に入力する、あるいはトラッキング和
信号の振幅が大きく変動した場合には、上側あるいは下
側エンベロープ検波回路の放電時定数を切り換えるよう
にしているので、光ディスク面上に汚れや傷等の欠陥が
ある光ディスクを再生した場合でも、安定してオントラ
ック信号が検出できる。このため、光ビームのトラック
横断数の誤カウントが防止できるので、確実に光ビーム
を目標トラックに位置決めすることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示すブロック図であ
る。

【図２】本発明の第１の実施例のオントラック信号検出
回路の具体的な構成例を示す図である。

【図３】リミッタ回路の動作を説明する図である。

【図４】本発明の第１の実施例のオントラック信号検出
回路の各部動作波形を示すタイムチャートである。

【図５】本発明の第２の実施例を示すブロック図であ
る。

【図６】本発明の第２の実施例のオントラック信号検出
回路の具体的な構成例を示す図である。

【図７】本発明の第２の実施例のオントラック信号検出
回路の各部動作波形を示すタイムチャートである。

【図８】従来例を示すブロック図である。

【図９】従来例の各部動作波形を示すタイムチャートで
ある。

【符号の説明】

１…光ディスク，３…光ピックアップ，６…差動アン
プ，７…加算アンプ，１２…波形整形回路，１３…上側
エンベロープ検波回路，１４…下側エンベロープ検波回
路，１５…平均値検出回路，１６…レベル比較回路，１
７…移動方向検出回路，２１…オントラック信号検出回
路，２２…リミッタ回路，２３…欠陥検出回路。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光ビームにより情報記録媒体からの反射光
   量に応じた信号を検出する反射光量検出手段と、前記反
   射光量検出手段の出力の最大値あるいは最小値を検出す
   る最大値あるいは最小値検出手段と、前記最大値検出手
   段の出力と前記最小値検出手段の出力との平均値を求め
   る平均値検出手段と、前記平均値検出手段の出力と前記
   反射光量検出手段の出力とを比較し、前記光ビームが前
   記トラック上にあるかトラック間にあるかを示す信号を
   検出するレベル比較手段を有する情報記録再生装置の横
   断トラック数カウント装置において、前記最大値検出手
   段及び前記最小値検出手段に入力される、前記反射光量
   検出手段の出力を制限するようにしたことを特徴とする
   横断トラック数カウント装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の横断トラック数カウント装
   置において、前記情報記録媒体の欠陥を検出するための
   欠陥検出手段と、前記欠陥検出手段の出力により前記最
   大値あるいは最小値検出手段の放電時定数を切り換える
   ための放電時定数切り換え手段を設け、前記欠陥検出手
   段の出力により前記放電時定数切り換え手段を制御し
   て、前記最大値あるいは最小値検出手段の放電時定数を
   切り換えるようにしたことを特徴とする横断トラック数
   カウント装置。