JPH06300275A - 放射電熱器の製造方法 - Google Patents
放射電熱器の製造方法Info
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- JPH06300275A JPH06300275A JP6029167A JP2916794A JPH06300275A JP H06300275 A JPH06300275 A JP H06300275A JP 6029167 A JP6029167 A JP 6029167A JP 2916794 A JP2916794 A JP 2916794A JP H06300275 A JPH06300275 A JP H06300275A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/68—Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates
- H05B3/74—Non-metallic plates, e.g. vitroceramic, ceramic or glassceramic hobs, also including power or control circuits
- H05B3/748—Resistive heating elements, i.e. heating elements exposed to the air, e.g. coil wire heater
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-
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 細長い電気的に伝導性のストリップヒータエ
レメントが、直接熱的及び電気的な絶縁物質上に固定さ
れる放射電熱器の製造方法を提供する。 【構成】 放射電熱器は、実質上連続する表面を有する
熱的及び電気的な絶縁物質であるマイクロポーラスから
成るベース（２）の設置と、細長い電気的に伝導性のス
トリップ（５）の形をとる加熱エレメント（４）の設置
とを包含して製造される。ストリップ（５）は、実質上
ストリップの全長にわたって、少なくともストリップの
高さの一部に対応する深さまで、ストリップ（５）の縁
に沿って絶縁物質内に埋め込んで支持するように、熱的
及び電気的な絶縁物質であるマイクロポーラスから成る
ベース（２）の連続する表面に縁に沿って押し進められ
る。
レメントが、直接熱的及び電気的な絶縁物質上に固定さ
れる放射電熱器の製造方法を提供する。 【構成】 放射電熱器は、実質上連続する表面を有する
熱的及び電気的な絶縁物質であるマイクロポーラスから
成るベース（２）の設置と、細長い電気的に伝導性のス
トリップ（５）の形をとる加熱エレメント（４）の設置
とを包含して製造される。ストリップ（５）は、実質上
ストリップの全長にわたって、少なくともストリップの
高さの一部に対応する深さまで、ストリップ（５）の縁
に沿って絶縁物質内に埋め込んで支持するように、熱的
及び電気的な絶縁物質であるマイクロポーラスから成る
ベース（２）の連続する表面に縁に沿って押し進められ
る。
Description
【０００１】本発明は、放射電熱器の製造方法に関する
もので、そして特に、しかし排他的ではなく、ガラスセ
ラミックスムーストップ調理器と共に使用するための放
射電熱器の製造方法に関する。
もので、そして特に、しかし排他的ではなく、ガラスセ
ラミックスムーストップ調理器と共に使用するための放
射電熱器の製造方法に関する。
【０００２】放射電熱器は、金属支持皿にぎっしり詰め
た熱的にそして電気的に絶縁する物質であるマイクロポ
ーラス（microporous）の層に、コイル状にした裸の電
気抵抗線のエレメントが支持され、ステープルによって
固定されていることが知られている。このような電熱器
は、たとえばＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載さ
れ、そしてガラスセラミックスムーストップ調理器に組
み入れられる。
た熱的にそして電気的に絶縁する物質であるマイクロポ
ーラス（microporous）の層に、コイル状にした裸の電
気抵抗線のエレメントが支持され、ステープルによって
固定されていることが知られている。このような電熱器
は、たとえばＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載さ
れ、そしてガラスセラミックスムーストップ調理器に組
み入れられる。
【０００３】「マイクロポーラス」という用語は、ここ
では根本的な大きさのセル又はボイドが標準温度及び標
準圧力における空気分子の平均自由行程より小さい、す
なわち１００ナノメートル（ｎｍ）のオーダー又はそれ
より小さい、多孔性あるいは細胞質の物質を同一視して
いる。このような概念のマイクロポーラスという物質
は、非常に低い空気伝導（空気分子間の衝突である）に
よる熱の移動を示すであろう。このようなマイクロポー
ラス物質はエアロゲル（aerogel）を包含する。このエ
アロゲルは、その液相がガス相に置換えられたゲルであ
り、こうすることによってもしゲルが液体から直接乾燥
された場合に発生するであろう収縮を避けることができ
る。実質上一致する構造は、溶液からの制御された沈
降、温度、そして開いた格子状の沈殿物を得るための沈
降中制御されたｐＨによって達成することができる。他
の同等の開いた格子構造は、ピロゲニック（pyrogeni
c）（融解）及び熱電（electrothermal）のタイプを包
含し、粒子の実質的な大きさは１００ｎｍより小さい根
本的な粒子サイズを有している。このような粒子状物
質、たとえばシリカ、アルミナ、又は他の金属酸化物を
ベースとした物質は、上記定義のマイクロポーラスとい
う構成物を調製するのに使用されるであろう。
では根本的な大きさのセル又はボイドが標準温度及び標
準圧力における空気分子の平均自由行程より小さい、す
なわち１００ナノメートル（ｎｍ）のオーダー又はそれ
より小さい、多孔性あるいは細胞質の物質を同一視して
いる。このような概念のマイクロポーラスという物質
は、非常に低い空気伝導（空気分子間の衝突である）に
よる熱の移動を示すであろう。このようなマイクロポー
ラス物質はエアロゲル（aerogel）を包含する。このエ
アロゲルは、その液相がガス相に置換えられたゲルであ
り、こうすることによってもしゲルが液体から直接乾燥
された場合に発生するであろう収縮を避けることができ
る。実質上一致する構造は、溶液からの制御された沈
降、温度、そして開いた格子状の沈殿物を得るための沈
降中制御されたｐＨによって達成することができる。他
の同等の開いた格子構造は、ピロゲニック（pyrogeni
c）（融解）及び熱電（electrothermal）のタイプを包
含し、粒子の実質的な大きさは１００ｎｍより小さい根
本的な粒子サイズを有している。このような粒子状物
質、たとえばシリカ、アルミナ、又は他の金属酸化物を
ベースとした物質は、上記定義のマイクロポーラスとい
う構成物を調製するのに使用されるであろう。
【０００４】マイクロポーラス絶縁材は、セラミックフ
ァイバ強化材、二酸化チタニウム乳白剤、そして、高温
で使用できるように、収縮に耐えるための少量のアルミ
ナ粉末を混合した、ドライ粒子状の上記定義によるマイ
クロポーラス物質を典型的に包含する。このような絶縁
物質はＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載されてい
る。
ァイバ強化材、二酸化チタニウム乳白剤、そして、高温
で使用できるように、収縮に耐えるための少量のアルミ
ナ粉末を混合した、ドライ粒子状の上記定義によるマイ
クロポーラス物質を典型的に包含する。このような絶縁
物質はＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載されてい
る。
【０００５】放射電熱器はまた、コイル状にした抵抗線
のエレメントのかわりに、金属又は合金の細長い電気的
に伝導性のストリップによって構成されるエレメントが
設けられ、該エレメントはエッジが絶縁ベース上に支持
されているものも提案されている。この種の配置は、た
とえばＵＳ−Ａ−６００ ０５７，ＵＳ−Ａ−３ ６１
２ ８２９，ＵＳ−Ａ−３ ９９１ ２９８，ＵＳ−Ａ
−４ １６１ ６４８，及びＵＳ−Ａ−４ ２９２ ５
０４に記載されている。ＵＳ−Ａ−６００ ０５７にお
いては、伝導体が金属サポート上、あるいはその中に形
成された溝内に、ガラス状エナメルのような絶縁物質の
コーティングを施すことによって据え付けられている。
ＵＳ−Ａ−３ ６１２ ８２９においては、らせん形を
形成する回旋状の伝導ストリップエレメントが、繊維状
のセラミック耐火性物質を鋳造し、あるいは型に入れて
造られた表面にあらかじめ形成された凹所に設置されて
いる。ストリップエレメントを支持ベースにしっかりと
固定するためにステープルが使用されている。ＵＳ−Ａ
−３ ９９１ ２９８においては、伝導性のストリップ
エレメントが、らせん形の形状をし、かつ、耐火モルタ
ルの堅いベース内にあらかじめ形成されたらせん溝の中
にゆるく適合している。
のエレメントのかわりに、金属又は合金の細長い電気的
に伝導性のストリップによって構成されるエレメントが
設けられ、該エレメントはエッジが絶縁ベース上に支持
されているものも提案されている。この種の配置は、た
とえばＵＳ−Ａ−６００ ０５７，ＵＳ−Ａ−３ ６１
２ ８２９，ＵＳ−Ａ−３ ９９１ ２９８，ＵＳ−Ａ
−４ １６１ ６４８，及びＵＳ−Ａ−４ ２９２ ５
０４に記載されている。ＵＳ−Ａ−６００ ０５７にお
いては、伝導体が金属サポート上、あるいはその中に形
成された溝内に、ガラス状エナメルのような絶縁物質の
コーティングを施すことによって据え付けられている。
ＵＳ−Ａ−３ ６１２ ８２９においては、らせん形を
形成する回旋状の伝導ストリップエレメントが、繊維状
のセラミック耐火性物質を鋳造し、あるいは型に入れて
造られた表面にあらかじめ形成された凹所に設置されて
いる。ストリップエレメントを支持ベースにしっかりと
固定するためにステープルが使用されている。ＵＳ−Ａ
−３ ９９１ ２９８においては、伝導性のストリップ
エレメントが、らせん形の形状をし、かつ、耐火モルタ
ルの堅いベース内にあらかじめ形成されたらせん溝の中
にゆるく適合している。
【０００６】ＵＳ−Ａ−４ １６１ ６４８において
は、らせん形の回旋状ストリップエレメントが、耐高温
の板状物質である電気的な絶縁シートを通過する、下向
きに延長した不可欠の設置タブと共に設けられている。
板状物質が薄いシートの場合には、設置タブは物質の後
側で曲げられる。その上にエレメントを備えている板に
似た絶縁シートは、それから支持皿内の断熱物質である
マイクロポーラス層の上面に設置される。板状物質が厚
いシートの場合には、硬化させることのできる物質が使
用され、そして硬化した後にはタブが物質内に押し進め
られている。
は、らせん形の回旋状ストリップエレメントが、耐高温
の板状物質である電気的な絶縁シートを通過する、下向
きに延長した不可欠の設置タブと共に設けられている。
板状物質が薄いシートの場合には、設置タブは物質の後
側で曲げられる。その上にエレメントを備えている板に
似た絶縁シートは、それから支持皿内の断熱物質である
マイクロポーラス層の上面に設置される。板状物質が厚
いシートの場合には、硬化させることのできる物質が使
用され、そして硬化した後にはタブが物質内に押し進め
られている。
【０００７】ＵＳ−Ａ−４ ２９２ ５０４において
は、エキスパンデットメタルを薄く箔状のストリップ形
状とした加熱エレメントが、セラミックファイバボード
の上面に形成された曲がりくねった溝内に、実質上その
全長にわたって、横に立って支持されている。この加熱
エレメントはセメントで固められ、あるいはボード内に
形成された溝の中で摩擦によって保持される。その中に
形成された溝を有する表面が実質上連続する表面になら
ないことの真価が認められるであろう。
は、エキスパンデットメタルを薄く箔状のストリップ形
状とした加熱エレメントが、セラミックファイバボード
の上面に形成された曲がりくねった溝内に、実質上その
全長にわたって、横に立って支持されている。この加熱
エレメントはセメントで固められ、あるいはボード内に
形成された溝の中で摩擦によって保持される。その中に
形成された溝を有する表面が実質上連続する表面になら
ないことの真価が認められるであろう。
【０００８】本発明の目的は、細長い電気的に伝導性の
ストリップヒータエレメントが直接熱的及び電気的な絶
縁物質上に固定される放射電熱器の製造方法を提供する
ことにある。
ストリップヒータエレメントが直接熱的及び電気的な絶
縁物質上に固定される放射電熱器の製造方法を提供する
ことにある。
【０００９】本発明によれば、実質上連続する表面を有
する熱的及び電気的に絶縁された物質であるマイクロポ
ーラスから成るベースを設けることと、細長い電気的に
伝導性のストリップの形をとる加熱エレメントを設ける
ことと、そして、表面が連続する熱的及び電気的に絶縁
された物質であるマイクロポーラスから成るベースに、
実質上ストリップの全長にわたって、少なくともストリ
ップの高さの一部に一致する深さまでストリップを縁に
沿ってその中に埋め込んで支持するように、ストリップ
を縁に沿って押し進めることを包含する放射電熱器の製
造方法が提供される。
する熱的及び電気的に絶縁された物質であるマイクロポ
ーラスから成るベースを設けることと、細長い電気的に
伝導性のストリップの形をとる加熱エレメントを設ける
ことと、そして、表面が連続する熱的及び電気的に絶縁
された物質であるマイクロポーラスから成るベースに、
実質上ストリップの全長にわたって、少なくともストリ
ップの高さの一部に一致する深さまでストリップを縁に
沿ってその中に埋め込んで支持するように、ストリップ
を縁に沿って押し進めることを包含する放射電熱器の製
造方法が提供される。
【００１０】驚くべきことに、絶縁物質であるマイクロ
ポーラスの微粒子としての性質のゆえに、加熱エレメン
トは物質に押し進められた時からその後のヒータ操作の
間ずっと確実に設置されたままであり、そしてこれ以上
の保安手段又は処置を必要としない。
ポーラスの微粒子としての性質のゆえに、加熱エレメン
トは物質に押し進められた時からその後のヒータ操作の
間ずっと確実に設置されたままであり、そしてこれ以上
の保安手段又は処置を必要としない。
【００１１】好適には、電気的に伝導性のストリップは
全長にわたって波形（また、波状の、曲がりくねった、
あるいは回旋状として知られている）の形状をしてい
る。
全長にわたって波形（また、波状の、曲がりくねった、
あるいは回旋状として知られている）の形状をしてい
る。
【００１２】このストリップは、絶縁物質であるマイク
ロポーラスより成るベースから突出する高さが意味のあ
る割合となる程度まで埋め込まれるのが好ましい。
ロポーラスより成るベースから突出する高さが意味のあ
る割合となる程度まで埋め込まれるのが好ましい。
【００１３】絶縁物質であるマイクロポーラスより成る
ベースは、好ましくは金属製の支持皿の内部に、緻密な
層として設けられるのが適当である。
ベースは、好ましくは金属製の支持皿の内部に、緻密な
層として設けられるのが適当である。
【００１４】絶縁物質であるマイクロポーラスより成る
ベースは、そこにストリップが押し進められる実質上平
坦な形状の表面と共に形成してもよい。
ベースは、そこにストリップが押し進められる実質上平
坦な形状の表面と共に形成してもよい。
【００１５】緻密な層の用意は、もし望むのであれば、
１段階以上の工程を包含してよい。第１段階において
は、絶縁物質であるマイクロポーラスの層が所望の最終
詰め込み密度以下で支持皿の中にぎっしりと詰め込まれ
ることによってベースを形成してもよく、そしてその後
のストリップをベースに押し進める間又はベースに押し
進めた後の第２段階においては、絶縁物質であるマイク
ロポーラスのより一層の詰め込みがベースにとっての所
望の最終詰め込み密度の達成をもたらすようにしてもよ
い。
１段階以上の工程を包含してよい。第１段階において
は、絶縁物質であるマイクロポーラスの層が所望の最終
詰め込み密度以下で支持皿の中にぎっしりと詰め込まれ
ることによってベースを形成してもよく、そしてその後
のストリップをベースに押し進める間又はベースに押し
進めた後の第２段階においては、絶縁物質であるマイク
ロポーラスのより一層の詰め込みがベースにとっての所
望の最終詰め込み密度の達成をもたらすようにしてもよ
い。
【００１６】ストリップは、金属、又は鉄−クロム−ア
ルミニウム合金のような合金によって構成してもよい。
ルミニウム合金のような合金によって構成してもよい。
【００１７】熱的及び電気的な絶縁物質として好適なマ
イクロポーラスはこの技術分野でよく知られており、た
とえばＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載されている
ように、典型的な構成は、マイクロポーラスピロゲニッ
クシリカが４９ないし９７重量パーセント、セラミック
ファイバ強化材が０．５ないし２０重量パーセント、乳
白剤が２ないし５０重量パーセント、アルミナが１２重
量パーセントに至るまでとなる。
イクロポーラスはこの技術分野でよく知られており、た
とえばＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載されている
ように、典型的な構成は、マイクロポーラスピロゲニッ
クシリカが４９ないし９７重量パーセント、セラミック
ファイバ強化材が０．５ないし２０重量パーセント、乳
白剤が２ないし５０重量パーセント、アルミナが１２重
量パーセントに至るまでとなる。
【００１８】アルミナの割合は、０．５から１２重量パ
ーセントの範囲が好適である。
ーセントの範囲が好適である。
【００１９】本発明の実施例を添付図面を参照して説明
する。
する。
【００２０】放射電熱器は、実質上平坦な表面を有する
と共にＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載されたよう
な構成を有する、熱的及び電気的な絶縁物質であるマイ
クロポーラスがぎっしり詰め込まれたベース２の層を内
に含む金属製の支持皿１を包含して構成されている。
と共にＧＢ−Ａ−１ ５８０ ９０９に記載されたよう
な構成を有する、熱的及び電気的な絶縁物質であるマイ
クロポーラスがぎっしり詰め込まれたベース２の層を内
に含む金属製の支持皿１を包含して構成されている。
【００２１】加熱エレメント４は、厚さがたとえば０．
０５から０．２ｍｍで、かつ高さｈがたとえば３から６
ｍｍの金属又は鉄−クロム−アルミニウム合金のような
合金より成る細長いストリップ５から供給される。けれ
ども、もし望むならば、細長いストリップ５のエッジが
輪郭を描くようにしてもよいし、あるいは熱的及び電気
的な絶縁物質であるマイクロポーラスが詰め込まれたベ
ース２の層に埋め込むためのタブが設けられてもよい。
このストリップ５は、それ自体が波形の形状（時には波
状の、曲がりくねった、あるいは回旋状の形状としても
知られている）をし、かつ、図１に示したように、この
技術分野でよく知られている技術を用いて、加熱エレメ
ントにとって望ましい形状に曲げられている。とはい
え、上記引用のストリップの厚さの寸法は、波形の形状
に成形する前のストリップの寸法であることに注意する
べきである。この結果、加熱エレメント４は熱的及び電
気的な絶縁物質であるマイクロポーラスより成るベース
２の表面と接触して設置され、そしてストリップ５をそ
の縁に沿ってベース２に押し進めるため加熱エレメント
４に圧力が均等にかけられ、そしてその結果として、加
熱エレメント４は少なくともストリップ５の高さｈの一
部に対応する深さまでベース２の中に確実に埋め込まれ
る。加熱エレメント４は、むしろストリップ５の高さｈ
の５０パーセントを超えないように絶縁物質であるマイ
クロポーラスより成るベース２に埋め込まれる。加熱エ
レメント４を電気的に接続して電気を供給し、その操作
を行うために、端子コネクタ６が設けられている。
０５から０．２ｍｍで、かつ高さｈがたとえば３から６
ｍｍの金属又は鉄−クロム−アルミニウム合金のような
合金より成る細長いストリップ５から供給される。けれ
ども、もし望むならば、細長いストリップ５のエッジが
輪郭を描くようにしてもよいし、あるいは熱的及び電気
的な絶縁物質であるマイクロポーラスが詰め込まれたベ
ース２の層に埋め込むためのタブが設けられてもよい。
このストリップ５は、それ自体が波形の形状（時には波
状の、曲がりくねった、あるいは回旋状の形状としても
知られている）をし、かつ、図１に示したように、この
技術分野でよく知られている技術を用いて、加熱エレメ
ントにとって望ましい形状に曲げられている。とはい
え、上記引用のストリップの厚さの寸法は、波形の形状
に成形する前のストリップの寸法であることに注意する
べきである。この結果、加熱エレメント４は熱的及び電
気的な絶縁物質であるマイクロポーラスより成るベース
２の表面と接触して設置され、そしてストリップ５をそ
の縁に沿ってベース２に押し進めるため加熱エレメント
４に圧力が均等にかけられ、そしてその結果として、加
熱エレメント４は少なくともストリップ５の高さｈの一
部に対応する深さまでベース２の中に確実に埋め込まれ
る。加熱エレメント４は、むしろストリップ５の高さｈ
の５０パーセントを超えないように絶縁物質であるマイ
クロポーラスより成るベース２に埋め込まれる。加熱エ
レメント４を電気的に接続して電気を供給し、その操作
を行うために、端子コネクタ６が設けられている。
【００２２】アルミノケイ酸塩ファイバから製造された
セラミックファイバ物質、又は代わりにマイクロポーラ
ス絶縁物質のような熱的な絶縁物質から成る周囲壁３が
支持皿１のサイドにもたれて設けられている。
セラミックファイバ物質、又は代わりにマイクロポーラ
ス絶縁物質のような熱的な絶縁物質から成る周囲壁３が
支持皿１のサイドにもたれて設けられている。
【００２３】加熱エレメント４の上に伸びる、よく知ら
れた形状のサーマルカット−アウト装置７が設けられ、
ヒータが設置されてこのようなガラスセラミック調理面
を有する調理器具の中で操作する時にまんがいちガラス
セラミック調理面がオーバーヒーティングとなった場合
には加熱エレメントのスイッチをオフにする。
れた形状のサーマルカット−アウト装置７が設けられ、
ヒータが設置されてこのようなガラスセラミック調理面
を有する調理器具の中で操作する時にまんがいちガラス
セラミック調理面がオーバーヒーティングとなった場合
には加熱エレメントのスイッチをオフにする。
【００２４】緻密な層の用意は、もし望むのであれば、
１段階以上の工程を包含してよい。第１段階において、
絶縁物質であるマイクロポーラスの層が所望の最終詰め
込み密度以下で支持皿１の中にぎっしりと詰め込まれる
ことによってベース２を形成してもよく、そしてその後
のストリップ５をベースに押し進める間又はベースに押
し進めた後の第２段階において、絶縁物質であるマイク
ロポーラスのより一層の詰め込みがベース２にとっての
所望の最終詰め込み密度の達成をもたらすようにしても
よい。
１段階以上の工程を包含してよい。第１段階において、
絶縁物質であるマイクロポーラスの層が所望の最終詰め
込み密度以下で支持皿１の中にぎっしりと詰め込まれる
ことによってベース２を形成してもよく、そしてその後
のストリップ５をベースに押し進める間又はベースに押
し進めた後の第２段階において、絶縁物質であるマイク
ロポーラスのより一層の詰め込みがベース２にとっての
所望の最終詰め込み密度の達成をもたらすようにしても
よい。
【図１】本発明に用いる電気的に伝導性のストリップを
包含する加熱エレメントの斜視図である。
包含する加熱エレメントの斜視図である。
【図２】図１の加熱エレメントを受けるための、本発明
に用いる放射電熱器のベースの平面図である。
に用いる放射電熱器のベースの平面図である。
【図３】図１及び図２の構成要素を包含しかつ本発明の
方法によって製造された放射電熱器の平面図である。
方法によって製造された放射電熱器の平面図である。
【図４】図３の放射電熱器のＡ−Ａ断面図である。
１ 支持皿 ２ ベース ３ 周囲壁 ４ 加熱エレメント ５ ストリップ ６ 端子コネクタ ７ サーマルカット−アウト装置
Claims (8)
- 【請求項１】実質上連続する表面を有する熱的及び電気
的に絶縁された物質であるマイクロポーラスから成るベ
ース（２）を設けることと、細長い電気的に伝導性のス
トリップ（５）の形をとる加熱エレメント（４）を設け
ることと、そして、表面が連続する熱的及び電気的に絶
縁された物質であるマイクロポーラスから成るベース
（２）に、実質上ストリップの全長にわたって、少なく
ともストリップの高さ（ｈ）の一部に一致する深さまで
ストリップ（５）を縁に沿ってその中に埋め込んで支持
するように、ストリップ（５）を縁に沿って押し進める
こととを包含する放射電熱器の製造方法。 - 【請求項２】電気的に伝導性のストリップ（５）を全長
にわたって波形の形状にしたことを特徴とする請求項１
記載の製造方法。 - 【請求項３】ストリップ（５）が、高さ（ｈ）のうちマ
イクロポーラスの絶縁物質より成るベースから突出する
部分が意味ある割合で埋め込まれたことを特徴とする請
求項１又は２記載の製造方法。 - 【請求項４】絶縁物質であるマイクロポーラスから成る
ベースが支持皿（１）の内部の緻密な層として設けられ
ていることを特徴とする請求項１，２又は３記載の製造
方法。 - 【請求項５】第１段階において、絶縁物質であるマイク
ロポーラスの層が所望の最終詰め込み密度以下で支持皿
（１）の中にぎっしり詰め込まれることによってベース
（２）が形成され、そしてその後の第２段階において、
ストリップ（５）をベース（２）に押し進める間又は押
し進めた後に、絶縁物質であるマイクロポーラスのより
一層の詰め込みが所望の最終詰め込み密度の達成をもた
らすことを特徴とする請求項４記載の製造方法。 - 【請求項６】絶縁物質であるマイクロポーラスより成る
ベース（２）は、そこにストリップが押し進められる実
質上平坦な形状の表面と共に形成されることを特徴とす
る上記各請求項記載の製造方法。 - 【請求項７】ストリップ（５）が金属又は合金によって
構成されることを特徴とする上記各請求項記載の製造方
法。 - 【請求項８】合金が鉄−クロム−アルミニウム合金を包
含することを特徴とする請求項７記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| GB9302688A GB2275160B (en) | 1993-02-11 | 1993-02-11 | Method of manufacturing a radiant electric heater |
| GB9302688.8 | 1993-02-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06300275A true JPH06300275A (ja) | 1994-10-28 |
| JP3500583B2 JP3500583B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=10730233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02916794A Expired - Fee Related JP3500583B2 (ja) | 1993-02-11 | 1994-02-02 | 放射電熱器の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0612196B1 (ja) |
| JP (1) | JP3500583B2 (ja) |
| AT (1) | ATE162356T1 (ja) |
| DE (2) | DE9421796U1 (ja) |
| DK (1) | DK0612196T3 (ja) |
| ES (1) | ES2111847T3 (ja) |
| GB (1) | GB2275160B (ja) |
| GR (1) | GR3026557T3 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| DE19522798A1 (de) * | 1995-06-23 | 1997-01-02 | Ego Elektro Blanc & Fischer | Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsheizkörpers und Strahlungsheizkörper |
| DE29702590U1 (de) * | 1997-02-14 | 1997-04-03 | E.G.O. Elektro-Gerätebau Gmbh, 75038 Oberderdingen | Wärmeisolierender Abstandshalter für Strahlungsheizkörper |
| GB2323507B (en) * | 1997-03-21 | 2000-11-29 | Ceramaspeed Ltd | Electric heater unit and method of manufacture |
| US5973298A (en) * | 1998-04-27 | 1999-10-26 | White Consolidated Industries, Inc. | Circular film heater and porcelain enamel cooktop |
| US6225608B1 (en) | 1999-11-30 | 2001-05-01 | White Consolidated Industries, Inc. | Circular film heater |
| GB0811980D0 (en) * | 2008-07-07 | 2008-07-30 | Ceramaspeed Ltd | Radiant electric heater |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US600057A (en) * | 1898-03-01 | Rheostat and electric heater | ||
| US2570975A (en) * | 1946-07-27 | 1951-10-09 | Mcgraw Electric Co | Electric heating element |
| US3612829A (en) * | 1970-07-17 | 1971-10-12 | Gen Motors Corp | Ceramic top infrared cooking assembly |
| US3986416A (en) * | 1975-05-19 | 1976-10-19 | Guy Wade | Synthetic fiber cutting tool and method |
| US3991298A (en) * | 1975-07-28 | 1976-11-09 | Gould Inc. | Heating unit for a ceramic top electric range |
| DE2551137C2 (de) * | 1975-11-14 | 1986-04-24 | E.G.O. Elektro-Geräte Blanc u. Fischer, 7519 Oberderdingen | Elektrischer Strahlungsheizkörper für Glaskeramikkochplatten |
| GB1580909A (en) * | 1977-02-10 | 1980-12-10 | Micropore Internatioonal Ltd | Thermal insulation material |
| ZA774922B (en) * | 1977-03-09 | 1978-06-28 | Emerson Electric Co | Open coil heater |
| US4292504A (en) * | 1979-10-02 | 1981-09-29 | Tutco, Inc. | Expanded metal electric heating element with edge support |
| DE3519350A1 (de) * | 1985-05-30 | 1986-12-04 | E.G.O. Elektro-Geräte Blanc u. Fischer, 7519 Oberderdingen | Strahlungs-heizeinheit |
| DE3527413A1 (de) * | 1985-07-31 | 1987-02-12 | Ego Elektro Blanc & Fischer | Elektrischer strahlheizkoerper zur beheizung von heizflaechen sowie verfahren und vorrichtung zu seiner herstellung |
| DE3539881A1 (de) * | 1985-11-11 | 1987-05-14 | Ego Elektro Blanc & Fischer | Elektrischer strahlheizkoerper zur beheizung von heizflaechen sowie verfahren und vorrichtung zu seiner herstellung |
-
1993
- 1993-02-11 GB GB9302688A patent/GB2275160B/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-02-01 AT AT94300744T patent/ATE162356T1/de not_active IP Right Cessation
- 1994-02-01 EP EP94300744A patent/EP0612196B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-01 ES ES94300744T patent/ES2111847T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-01 DK DK94300744T patent/DK0612196T3/da active
- 1994-02-01 DE DE9421796U patent/DE9421796U1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-01 DE DE69407833T patent/DE69407833T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-02 JP JP02916794A patent/JP3500583B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-08 US US08/192,996 patent/US5471737A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-04-07 GR GR980400744T patent/GR3026557T3/el unknown
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| DE69407833D1 (de) | 1998-02-19 |
| ES2111847T3 (es) | 1998-03-16 |
| EP0612196A1 (en) | 1994-08-24 |
| GB2275160A (en) | 1994-08-17 |
| DE69407833T2 (de) | 1998-09-24 |
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| DK0612196T3 (da) | 1998-09-14 |
| US5471737A (en) | 1995-12-05 |
| GB9302688D0 (en) | 1993-03-24 |
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