JPH0629774A - 圧電セラミックフィルタ回路及び圧電セラミックフィルタ - Google Patents
圧電セラミックフィルタ回路及び圧電セラミックフィルタInfo
- Publication number
- JPH0629774A JPH0629774A JP4203049A JP20304992A JPH0629774A JP H0629774 A JPH0629774 A JP H0629774A JP 4203049 A JP4203049 A JP 4203049A JP 20304992 A JP20304992 A JP 20304992A JP H0629774 A JPH0629774 A JP H0629774A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric ceramic
- ceramic filter
- insertion loss
- group delay
- center frequencies
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 101100014500 Dictyostelium discoideum gdt2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000645421 Homo sapiens Transmembrane protein 165 Proteins 0.000 description 1
- 102100025755 Transmembrane protein 165 Human genes 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/562—Monolithic crystal filters comprising a ceramic piezoelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
- H03H2003/0435—Modification of the thickness of an element of a piezoelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0471—Resonance frequency of a plurality of resonators at different frequencies
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】挿入損失の低下と群遅延特性改善とを同時に満
たし得る圧電セラミックフィルタ回路及び圧電セラミッ
クフィルタを提供する。 【構成】圧電セラミックフィルタ１、２は、互いに縦続
接続され、互いに異なる中心周波数を有する。圧電セラ
ミックフィルタ１、２は中心周波数の周波数差ｄＦ0 の
絶対値を｜ｄＦ0 ｜とし、挿入損失が３ｄＢ以下である
通過帯域幅をＢＷ3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0 ｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たす。
たし得る圧電セラミックフィルタ回路及び圧電セラミッ
クフィルタを提供する。 【構成】圧電セラミックフィルタ１、２は、互いに縦続
接続され、互いに異なる中心周波数を有する。圧電セラ
ミックフィルタ１、２は中心周波数の周波数差ｄＦ0 の
絶対値を｜ｄＦ0 ｜とし、挿入損失が３ｄＢ以下である
通過帯域幅をＢＷ3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0 ｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たす。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧電セラミックフィル
タ回路及び圧電セラミックフィルタに関し、更に詳しく
は、挿入損失の低下と群遅延特性改善とを同時に満たす
圧電セラミックフィルタ回路及び圧電セラミックフィル
タの改良に係る。
タ回路及び圧電セラミックフィルタに関し、更に詳しく
は、挿入損失の低下と群遅延特性改善とを同時に満たす
圧電セラミックフィルタ回路及び圧電セラミックフィル
タの改良に係る。
【０００２】
【従来の技術】この種の圧電セラミックフィルタは、各
種移動体通信機、ＦＭ音声多重受信機において、例えば
ＩＦフィルタとして用いられる。圧電セラミックフィル
タ回路としては、中心周波数がほぼ等しい複数個のエネ
ルギー閉じ込め型圧電振動子を縦続接続した多段型圧電
セラミックフィルタ回路またはセラミックフィルタは、
従来よりよく知られている。
種移動体通信機、ＦＭ音声多重受信機において、例えば
ＩＦフィルタとして用いられる。圧電セラミックフィル
タ回路としては、中心周波数がほぼ等しい複数個のエネ
ルギー閉じ込め型圧電振動子を縦続接続した多段型圧電
セラミックフィルタ回路またはセラミックフィルタは、
従来よりよく知られている。
【０００３】圧電セラミックフィルタ回路及び圧電セラ
ミックフィルタに要求される重要な特性として、挿入損
失と群遅延特性とがある。挿入損失はフィルタによる信
号減衰を押さえるために小さくする必要がある。群遅延
特性は通過帯域内における信号伝送に周波数に起因する
時間差を生じないようにするために、通過帯域内におい
て、できるだけ平坦な特性であることが望ましい。エネ
ルギー閉じ込め型圧電振動子は共振型フィルタであり、
振幅特性と群遅延特性とを独立に設計することができな
い。そこで、従来は、圧電振動子のＱを小さくすること
によって、群遅延特性を改善していた。
ミックフィルタに要求される重要な特性として、挿入損
失と群遅延特性とがある。挿入損失はフィルタによる信
号減衰を押さえるために小さくする必要がある。群遅延
特性は通過帯域内における信号伝送に周波数に起因する
時間差を生じないようにするために、通過帯域内におい
て、できるだけ平坦な特性であることが望ましい。エネ
ルギー閉じ込め型圧電振動子は共振型フィルタであり、
振幅特性と群遅延特性とを独立に設計することができな
い。そこで、従来は、圧電振動子のＱを小さくすること
によって、群遅延特性を改善していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、圧電振動子の
Ｑを小さくすることによって、群遅延特性を改善する従
来技術では、振幅特性が劣化し、挿入損失が極端に大き
くなってしまい、フィルタ伝送効率が低下する。挿入損
失を低下させるには、Ｑを大きくしなければならず、群
遅延特性が劣化する。
Ｑを小さくすることによって、群遅延特性を改善する従
来技術では、振幅特性が劣化し、挿入損失が極端に大き
くなってしまい、フィルタ伝送効率が低下する。挿入損
失を低下させるには、Ｑを大きくしなければならず、群
遅延特性が劣化する。
【０００５】すなわち、従来の技術では、挿入損失と群
遅延特性とを同時に改善することが困難である。
遅延特性とを同時に改善することが困難である。
【０００６】そこで、本発明の課題は、上述する従来の
問題点を解決し、挿入損失の低下と群遅延特性改善とを
同時に満たし得る圧電セラミックフィルタ回路及び圧電
セラミックフィルタを提供することである。
問題点を解決し、挿入損失の低下と群遅延特性改善とを
同時に満たし得る圧電セラミックフィルタ回路及び圧電
セラミックフィルタを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、複数の圧電セラミックフィルタを含む圧
電セラミックフィルタ回路であって、前記圧電セラミッ
クフィルタの少なくとも２つは、互いに縦続接続され、
異なる中心周波数を有し、前記中心周波数の周波数差ｄ
Ｆ0の絶対値を｜ｄＦ0｜とし、挿入損失が３ｄＢ以下で
ある帯域幅をＢＷ3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たす。
め、本発明は、複数の圧電セラミックフィルタを含む圧
電セラミックフィルタ回路であって、前記圧電セラミッ
クフィルタの少なくとも２つは、互いに縦続接続され、
異なる中心周波数を有し、前記中心周波数の周波数差ｄ
Ｆ0の絶対値を｜ｄＦ0｜とし、挿入損失が３ｄＢ以下で
ある帯域幅をＢＷ3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たす。
【０００８】また、本発明は、同一の圧電セラミック基
板上に複数個のエネルギー閉じ込め型の振動部を有する
圧電セラミックフィルタであって、前記振動部の少なく
とも２つは、互いに縦続接続され、互いに異なる中心周
波数を有し、前記中心周波数の周波数差ｄＦ0の絶対値
を｜ｄＦ0｜とし、挿入損失が３ｄＢ以下である通過帯
域幅をＢＷ3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たす
板上に複数個のエネルギー閉じ込め型の振動部を有する
圧電セラミックフィルタであって、前記振動部の少なく
とも２つは、互いに縦続接続され、互いに異なる中心周
波数を有し、前記中心周波数の周波数差ｄＦ0の絶対値
を｜ｄＦ0｜とし、挿入損失が３ｄＢ以下である通過帯
域幅をＢＷ3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たす
【０００９】
【作用】圧電セラミックフィルタの少なくとも２つは、
互いに縦続接続され、互いに異なる中心周波数を有する
から、中心周波数の選定の仕方によっては、各圧電セラ
ミックフィルタの群遅延特性を合成し、通過帯域内にお
いて平坦化された合成郡遅延特性を得ることが可能であ
る。特に中心周波数の周波数差ｄＦ0の絶対値を｜ｄＦ0
｜とし、挿入損失が３ｄＢ以下である通過帯域幅をＢＷ
3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たす圧電セラミックフィルタ回路は、合成群遅延特
性が、通過帯域内において著しく平坦化される。しか
も、Ｑを小さくする従来の群遅延特性制御と異なって、
挿入損失が増大することもない。
互いに縦続接続され、互いに異なる中心周波数を有する
から、中心周波数の選定の仕方によっては、各圧電セラ
ミックフィルタの群遅延特性を合成し、通過帯域内にお
いて平坦化された合成郡遅延特性を得ることが可能であ
る。特に中心周波数の周波数差ｄＦ0の絶対値を｜ｄＦ0
｜とし、挿入損失が３ｄＢ以下である通過帯域幅をＢＷ
3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たす圧電セラミックフィルタ回路は、合成群遅延特
性が、通過帯域内において著しく平坦化される。しか
も、Ｑを小さくする従来の群遅延特性制御と異なって、
挿入損失が増大することもない。
【００１０】同一の圧電基板上に複数個のエネルギー閉
じ込め型の振動部を有する圧電セラミックフィルタに適
用した場合は、複数の圧電セラミックフィルタを用いて
１つの圧電セラミックィルタ回路を作成するよりもコン
パクトに実装でき、しかも、挿入損失が増大することこ
ともなく、合成群遅延特性が、通過帯域内において著し
く平坦化された圧電セラミックフィルタが得られる。
じ込め型の振動部を有する圧電セラミックフィルタに適
用した場合は、複数の圧電セラミックフィルタを用いて
１つの圧電セラミックィルタ回路を作成するよりもコン
パクトに実装でき、しかも、挿入損失が増大することこ
ともなく、合成群遅延特性が、通過帯域内において著し
く平坦化された圧電セラミックフィルタが得られる。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明に係る圧電セラミックフィル
タ回路の構成を示す図である。図において、１及び２は
圧電セラミックフィルタであり、３は結合コンデンサー
である。図１は、複数の圧電セラミックフィルタから構
成された圧電セラミックフィルタ回路のうち、互いに結
合コンデンサー３を介して縦続接続された２個の圧電セ
ラミックフィルタから構成された圧電セラミックフィル
タ回路を示している。
タ回路の構成を示す図である。図において、１及び２は
圧電セラミックフィルタであり、３は結合コンデンサー
である。図１は、複数の圧電セラミックフィルタから構
成された圧電セラミックフィルタ回路のうち、互いに結
合コンデンサー３を介して縦続接続された２個の圧電セ
ラミックフィルタから構成された圧電セラミックフィル
タ回路を示している。
【００１２】圧電セラミックフィルタ１及び圧電セラミ
ックフィルタ２は、互いに異なる中心周波数Ｆ01とＦ02
とを有し、中心周波数Ｆ01とＦ02との中心周波数差ｄＦ
0の絶対値｜ｄＦ0｜＝｜Ｆ02−Ｆ01｜が、次式を満たし
ている。
ックフィルタ２は、互いに異なる中心周波数Ｆ01とＦ02
とを有し、中心周波数Ｆ01とＦ02との中心周波数差ｄＦ
0の絶対値｜ｄＦ0｜＝｜Ｆ02−Ｆ01｜が、次式を満たし
ている。
【００１３】０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ ここで、ＢＷ3 は、挿入損失３ｄＢ以下である通過帯域
幅である。
幅である。
【００１４】上述のように、圧電セラミックフィルタ１
及び圧電セラミックフィルタ２は、互いに縦続接続さ
れ、互いに異なる中心周波数Ｆ01とＦ02とを有するか
ら、図２が示すように、中心周波数の選定の仕方によっ
ては、圧電セラミックフィルタ回路の合成群遅延特性
を、通過帯域内において平坦化することが可能である。
特に、両圧電セラミックフィルタの中心周波数差ｄＦ0
の絶対値｜ｄＦ0｜が ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たすと、縦続接続された各圧電セラミックフィルタ
の群遅延特性が合成され、通過帯域幅内において著しく
平坦化された合成郡遅延特性が得られる。しかも、Ｑを
小さくする従来の群遅延特性制御と異なって、挿入損失
が増大することもない。
及び圧電セラミックフィルタ２は、互いに縦続接続さ
れ、互いに異なる中心周波数Ｆ01とＦ02とを有するか
ら、図２が示すように、中心周波数の選定の仕方によっ
ては、圧電セラミックフィルタ回路の合成群遅延特性
を、通過帯域内において平坦化することが可能である。
特に、両圧電セラミックフィルタの中心周波数差ｄＦ0
の絶対値｜ｄＦ0｜が ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たすと、縦続接続された各圧電セラミックフィルタ
の群遅延特性が合成され、通過帯域幅内において著しく
平坦化された合成郡遅延特性が得られる。しかも、Ｑを
小さくする従来の群遅延特性制御と異なって、挿入損失
が増大することもない。
【００１５】図２は、中心周波数差の選定の仕方で圧電
セラミックフィルタ回路の合成群遅延特性が平坦化され
ることを示す図である。図２において、横軸に周波数
（ＭＨｚ）をとり、左縦軸にゲイン（ｄＢ）をとり、右
縦軸に群遅延時間を（μｓ）をとってある。
セラミックフィルタ回路の合成群遅延特性が平坦化され
ることを示す図である。図２において、横軸に周波数
（ＭＨｚ）をとり、左縦軸にゲイン（ｄＢ）をとり、右
縦軸に群遅延時間を（μｓ）をとってある。
【００１６】図２に示すように、中心周波数Ｆ01の圧電
セラミックフィルタの群遅延特性ＧＤＴ１と中心周波数
Ｆ02の圧電セラミックフィルタの群遅延特性ＧＤＴ２と
は、互いに中心周波数差を選定することにより、山と谷
が重なり合うように合成される。このため、平坦化され
た群遅延特性ＧＤＴが得られる。ここで、ＢＷ3 とは、
圧電セラミックフィルタ回路が有する挿入損失特性Ｇの
最大値から３ｄＢ以内の周波数帯域幅である。
セラミックフィルタの群遅延特性ＧＤＴ１と中心周波数
Ｆ02の圧電セラミックフィルタの群遅延特性ＧＤＴ２と
は、互いに中心周波数差を選定することにより、山と谷
が重なり合うように合成される。このため、平坦化され
た群遅延特性ＧＤＴが得られる。ここで、ＢＷ3 とは、
圧電セラミックフィルタ回路が有する挿入損失特性Ｇの
最大値から３ｄＢ以内の周波数帯域幅である。
【００１７】次に、実測データを挙げて説明する。図３
は、圧電セラミックフィルタ１及び圧電セラミックフィ
ルタ２の中心周波数Ｆ01とＦ02との中心周波数差ｄＦ0
が０、２０、４０、６０、８０及び１００（ｋＨｚ）か
らなる圧電セラミックフィルタ回路の周波数−振幅及び
群遅延特性図である。図３において、横軸に周波数（Ｍ
Ｈｚ）をとり、左縦軸にゲイン（ｄＢ）をとり、右縦軸
に群遅延時間を（μｓ）をとってある。
は、圧電セラミックフィルタ１及び圧電セラミックフィ
ルタ２の中心周波数Ｆ01とＦ02との中心周波数差ｄＦ0
が０、２０、４０、６０、８０及び１００（ｋＨｚ）か
らなる圧電セラミックフィルタ回路の周波数−振幅及び
群遅延特性図である。図３において、横軸に周波数（Ｍ
Ｈｚ）をとり、左縦軸にゲイン（ｄＢ）をとり、右縦軸
に群遅延時間を（μｓ）をとってある。
【００１８】図３に示すように、中心周波数差ｄＦo が
０（ｋＨＺ）（｜ｄＦ0｜／ＢＷ3＝０）より６０（ｋＨ
ｚ）（｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＝０．３３）のほうの合成群
遅延特性は平坦化している。さらに、中心周波数差ｄＦ
0が６０（ｋＨｚ）よりも１００（ｋＨｚ）（｜ｄＦ0｜
／ＢＷ3 ＝０．５５）の方の合成群遅延特性ＧＤＴは平
坦化している。しかも、Ｑを小さくする従来の群遅延特
性制御と異なって、挿入損失が増大することもない。
０（ｋＨＺ）（｜ｄＦ0｜／ＢＷ3＝０）より６０（ｋＨ
ｚ）（｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＝０．３３）のほうの合成群
遅延特性は平坦化している。さらに、中心周波数差ｄＦ
0が６０（ｋＨｚ）よりも１００（ｋＨｚ）（｜ｄＦ0｜
／ＢＷ3 ＝０．５５）の方の合成群遅延特性ＧＤＴは平
坦化している。しかも、Ｑを小さくする従来の群遅延特
性制御と異なって、挿入損失が増大することもない。
【００１９】図４は、同一の圧電基板上に形成されたエ
ネルギー閉じ込め型圧電セラミックフィルタの平面図、
図５は図４に示した圧電セラミックフィルタの底面図で
ある。図において、１０は圧電セラミック基板であり、
１１は絶縁樹脂で構成された外装体であり、２０、３０
は振動部であり、２１、３１は接続電極であり、２２、
３２は駆動電極であり、２３、３３は駆動電極であり、
２４、３４は共通電極であり、２５はコンデンサー電極
であり、２６はグランド電極であり、４０、４１、４２
はリード端子である。
ネルギー閉じ込め型圧電セラミックフィルタの平面図、
図５は図４に示した圧電セラミックフィルタの底面図で
ある。図において、１０は圧電セラミック基板であり、
１１は絶縁樹脂で構成された外装体であり、２０、３０
は振動部であり、２１、３１は接続電極であり、２２、
３２は駆動電極であり、２３、３３は駆動電極であり、
２４、３４は共通電極であり、２５はコンデンサー電極
であり、２６はグランド電極であり、４０、４１、４２
はリード端子である。
【００２０】振動部２０、３０は、互いに縦続接続さ
れ、互いに異なる中心周波数Ｆ01、 Ｆ02を有し、この中
心周波数の周波数差ｄＦ0の絶対値を｜ｄＦ0｜とし、挿
入損失が３ｄＢ以下である帯域幅をＢＷ3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たす。
れ、互いに異なる中心周波数Ｆ01、 Ｆ02を有し、この中
心周波数の周波数差ｄＦ0の絶対値を｜ｄＦ0｜とし、挿
入損失が３ｄＢ以下である帯域幅をＢＷ3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たす。
【００２１】上述したように、同一の圧電基板上に複数
個のエネルギー閉じ込め型の振動部を有する圧電セラミ
ックフィルタに適用した場合は、複数の圧電セラミック
フィルタを用いて１つの圧電セラミックィルタ回路を作
成するよりもコンパクトに実装でき、しかも、挿入損失
が増大することこともなく、合成群遅延特性が、通過帯
域内において著しく平坦化された圧電セラミックフィル
タが得られる。
個のエネルギー閉じ込め型の振動部を有する圧電セラミ
ックフィルタに適用した場合は、複数の圧電セラミック
フィルタを用いて１つの圧電セラミックィルタ回路を作
成するよりもコンパクトに実装でき、しかも、挿入損失
が増大することこともなく、合成群遅延特性が、通過帯
域内において著しく平坦化された圧電セラミックフィル
タが得られる。
【００２２】図６は、一方の振動部に絶縁物で塗布され
た圧電セラミックフィルタを示す図である。図におい
て、図４及び図５と同一の参照符号は同一性のある構成
部分を示している。１００は絶縁物である。図６に示す
ように、絶縁物１００が塗布された振動部２０は、質量
負荷を受けて中心周波数Ｆ01が減少する。従って、絶縁
物１００が塗布されていない方の振動部３０の中心周波
数Ｆ02との中心周波数差ｄＦ0が生じ、この中心周波数
差ｄＦ0の選定の仕方により、これらの合成群遅延特性
ＧＤＴが平坦化される。
た圧電セラミックフィルタを示す図である。図におい
て、図４及び図５と同一の参照符号は同一性のある構成
部分を示している。１００は絶縁物である。図６に示す
ように、絶縁物１００が塗布された振動部２０は、質量
負荷を受けて中心周波数Ｆ01が減少する。従って、絶縁
物１００が塗布されていない方の振動部３０の中心周波
数Ｆ02との中心周波数差ｄＦ0が生じ、この中心周波数
差ｄＦ0の選定の仕方により、これらの合成群遅延特性
ＧＤＴが平坦化される。
【００２３】図７は、振動部の電極に膜厚差を設けて質
量負荷を与えた圧電セラミックフィルタを示す図であ
る。図７中の符号は従前の図面に記載された符号の内容
と同一とする。図７示すように、膜厚が厚い駆動電極２
２、２３の振動部２０は、膜厚が薄い駆動電極３２、３
２の振動部３０よりも質量負荷を受け、中心周波数ｄＦ
0が低い。従って、膜厚の厚い駆動電極２２、２３を持
つ振動部２０と膜厚の薄い駆動電極３２、３３を持つ振
動部３０との中心周波数差ｄＦ0が生じ、この中心周波
数差ｄＦ0の選定の仕方により、これらの合成群遅延特
性ＧＤＴが平坦化される。
量負荷を与えた圧電セラミックフィルタを示す図であ
る。図７中の符号は従前の図面に記載された符号の内容
と同一とする。図７示すように、膜厚が厚い駆動電極２
２、２３の振動部２０は、膜厚が薄い駆動電極３２、３
２の振動部３０よりも質量負荷を受け、中心周波数ｄＦ
0が低い。従って、膜厚の厚い駆動電極２２、２３を持
つ振動部２０と膜厚の薄い駆動電極３２、３３を持つ振
動部３０との中心周波数差ｄＦ0が生じ、この中心周波
数差ｄＦ0の選定の仕方により、これらの合成群遅延特
性ＧＤＴが平坦化される。
【００２４】図８は、振動部の圧電セラミック基板の厚
みが互いに異なる圧電セラミックフィルタの振動部の中
心を通る面での断面図である。図８中の符号は従前の図
面に記載された符号の内容と同一とする。圧電セラミッ
クの基板の共振周波数は圧電セラミック基板に反比例す
るので、図８に示すように、圧電セラミック基板の厚み
が薄い振動部２０の中心周波数Ｆ01と圧電セラミック基
板の厚い振動部３０の中心周波数Ｆ02との中心周波数差
ｄＦ0が生じ、この中心周波数差ｄＦ0の選定の仕方によ
り、これらの合成群遅延特性ＧＤＴが平坦化される。
みが互いに異なる圧電セラミックフィルタの振動部の中
心を通る面での断面図である。図８中の符号は従前の図
面に記載された符号の内容と同一とする。圧電セラミッ
クの基板の共振周波数は圧電セラミック基板に反比例す
るので、図８に示すように、圧電セラミック基板の厚み
が薄い振動部２０の中心周波数Ｆ01と圧電セラミック基
板の厚い振動部３０の中心周波数Ｆ02との中心周波数差
ｄＦ0が生じ、この中心周波数差ｄＦ0の選定の仕方によ
り、これらの合成群遅延特性ＧＤＴが平坦化される。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 （ａ）圧電セラミックフィルタの少なくとも２つは、互
いに縦続接続され、異なる中心周波数を有し、前記中心
周波数の周波数差ｄＦ0の絶対値を｜ｄＦ0｜とし、挿入
損失が３ｄＢ以下である帯域幅をＢＷ3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たすから、Ｑを小さくする従来の群遅延特性制御と
異なって、挿入損失が増大することなく、群遅延特性を
通過帯域内において平坦化し得る圧電セラミックフィル
タ回路を提供できる。 （ｂ）同一の圧電基板上に複数個のエネルギー閉じ込め
型の振動部を有する圧電セラミックフィルタであって、
振動部の少なくとも２つは、互いに縦続接続され、異な
る中心周波数を有し、中心周波数の周波数差ｄＦ0の絶
対値を｜ｄＦ0｜とし、挿入損失が３ｄＢ以下である帯
域幅をＢＷ3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たすから、同一の圧電基板上に複数個のエネルギー
閉じ込め型の振動部を有する圧電セラミックフィルタ
は、複数の圧電セラミックフィルタを用いて１つの圧電
セラミックィルタ回路を作成するよりもコンパクトに実
装できる圧電セラミックフィルタを提供できる。
のような効果を得ることができる。 （ａ）圧電セラミックフィルタの少なくとも２つは、互
いに縦続接続され、異なる中心周波数を有し、前記中心
周波数の周波数差ｄＦ0の絶対値を｜ｄＦ0｜とし、挿入
損失が３ｄＢ以下である帯域幅をＢＷ3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たすから、Ｑを小さくする従来の群遅延特性制御と
異なって、挿入損失が増大することなく、群遅延特性を
通過帯域内において平坦化し得る圧電セラミックフィル
タ回路を提供できる。 （ｂ）同一の圧電基板上に複数個のエネルギー閉じ込め
型の振動部を有する圧電セラミックフィルタであって、
振動部の少なくとも２つは、互いに縦続接続され、異な
る中心周波数を有し、中心周波数の周波数差ｄＦ0の絶
対値を｜ｄＦ0｜とし、挿入損失が３ｄＢ以下である帯
域幅をＢＷ3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たすから、同一の圧電基板上に複数個のエネルギー
閉じ込め型の振動部を有する圧電セラミックフィルタ
は、複数の圧電セラミックフィルタを用いて１つの圧電
セラミックィルタ回路を作成するよりもコンパクトに実
装できる圧電セラミックフィルタを提供できる。
【図１】本発明に係る圧電セラミックフィルタ回路の構
成示す図である。
成示す図である。
【図２】中心周波数差の選定の仕方で圧電セラミックフ
ィルタ回路の合成群遅延特性が平坦化することを示す図
である。
ィルタ回路の合成群遅延特性が平坦化することを示す図
である。
【図３】２個の圧電セラミックフィルタを含む場合の周
波数差ｄＦ0と挿入損失及び群遅延特性を示す図であ
る。
波数差ｄＦ0と挿入損失及び群遅延特性を示す図であ
る。
【図４】同一の圧電基板上に形成されたエネルギー閉じ
込め型圧電セラミックフィルタの平面図である。
込め型圧電セラミックフィルタの平面図である。
【図５】図３に示した圧電セラミックフィルタの底面図
である。
である。
【図６】振動部の片方に絶縁物で塗布された圧電セラミ
ックフィルタを示す図である。
ックフィルタを示す図である。
【図７】振動部の電極に膜厚差を設けて質量負荷を与え
た圧電セラミックフィルタを示す図である。
た圧電セラミックフィルタを示す図である。
【図８】振動部の圧電セラミック基板の厚みが互いに異
なる圧電セラミックフィルタの振動部の中心を通る面で
の断面図である。
なる圧電セラミックフィルタの振動部の中心を通る面で
の断面図である。
１、２ 圧電セラミックフィルタ ３ 結合コンデンサー １０ 圧電セラミック基板 ２０、３０ 振動部 ２１、３１ 接続電極 ２２、２３、３２、３３ 駆動電極 ２４、３４ 共通電極 ２５ コンデンサー電極 ２６ グランド電極 ４０、４１、４２ リード端子
Claims (7)
- 【請求項１】 複数の圧電セラミックフィルタを含む圧
電セラミックフィルタ回路であって、 前記圧電セラミックフィルタの少なくとも２つは、互い
に縦続接続され、互いに異なる中心周波数を有し、前記
中心周波数の周波数差ｄＦ0 の絶対値を｜ｄＦ0｜と
し、挿入損失が３ｄＢ以下である通過帯域幅をＢＷ3 と
したとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たす圧電セラミックフィルタ回路。 - 【請求項２】 前記圧電セラミックフィルタは、同一の
圧電セラミック基板上に形成されている請求項１に記載
の圧電セラミックフィルタ回路。 - 【請求項３】 同一の圧電セラミック基板上に複数個の
エネルギー閉じ込め型の振動部を有する圧電セラミック
フィルタであって、 前記振動部の少なくとも２つは、互いに縦続接続され、
互いに異なる中心周波数を有し、前記中心周波数の周波
数差ｄＦ0の絶対値を｜ｄＦ0｜とし、挿入損失が３ｄＢ
以下である通過帯域幅をＢＷ3 としたとき、 ０＜｜ｄＦ0｜／ＢＷ3 ＜０．８ を満たす圧電セラミックフィルタ。 - 【請求項４】 前記振動部は、互いに異なる質量負荷を
有する請求項３に記載の圧電セラミックフィルタ。 - 【請求項５】 前記振動部は、前記質量負荷が塗布され
た絶縁物でなる請求項４に記載の圧電セラミックフィル
タ。 - 【請求項６】 前記振動部は、前記質量負荷が電極の膜
厚差により与えられる請求項４に記載の圧電セラミック
フィルタ。 - 【請求項７】 前記振動部は、圧電セラミック基板の厚
みが互いに異なる請求項３に記載の圧電セラミックフィ
ルタ。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203049A JPH0629774A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 圧電セラミックフィルタ回路及び圧電セラミックフィルタ |
| EP93914955A EP0650255B1 (en) | 1992-07-07 | 1993-07-05 | Piezoelectric ceramic filter circuit and piezoelectric ceramic filter |
| KR1019950700068A KR100287361B1 (ko) | 1992-07-07 | 1993-07-05 | 압전 세라믹 필터 회로와 압전 세라믹 필터(piezoelectric ceramic filter circuit and piezoelectric ceramic filter) |
| US08/792,709 US5850166A (en) | 1992-07-07 | 1993-07-05 | Piezoelectric ceramic filter circuit and piezoelectric ceramic filter |
| PCT/JP1993/000922 WO1994001931A1 (en) | 1992-07-07 | 1993-07-05 | Piezoelectric ceramic filter circuit and piezoelectric ceramic filter |
| CA002139763A CA2139763C (en) | 1992-07-07 | 1993-07-05 | Piezoelectric ceramic filter circuit and piezoelectric ceramic filter |
| DE69329495T DE69329495T2 (de) | 1992-07-07 | 1993-07-05 | Piezoelektrische keramische filterschaltung und piezoelektrisches keramisches filter |
| CN93107682A CN1034541C (zh) | 1992-07-07 | 1993-07-06 | 压电陶瓷滤波电路及压电陶瓷滤波器 |
| MYPI93001324A MY131449A (en) | 1992-07-07 | 1993-07-06 | Piezoelectric ceramic filter circuit and piezoelectric ceramic filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203049A JPH0629774A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 圧電セラミックフィルタ回路及び圧電セラミックフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629774A true JPH0629774A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16467499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4203049A Pending JPH0629774A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 圧電セラミックフィルタ回路及び圧電セラミックフィルタ |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5850166A (ja) |
| EP (1) | EP0650255B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0629774A (ja) |
| KR (1) | KR100287361B1 (ja) |
| CN (1) | CN1034541C (ja) |
| CA (1) | CA2139763C (ja) |
| DE (1) | DE69329495T2 (ja) |
| MY (1) | MY131449A (ja) |
| WO (1) | WO1994001931A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6867667B2 (en) | 2001-11-29 | 2005-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric filter, communication device, and method for manufacturing communication device |
| CN109951172A (zh) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 株式会社大真空 | 压电滤波器装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6150703A (en) * | 1998-06-29 | 2000-11-21 | Trw Inc. | Lateral mode suppression in semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR) devices using tapered electrodes, and electrodes edge damping materials |
| US6437667B1 (en) * | 2000-02-04 | 2002-08-20 | Agere Systems Guardian Corp. | Method of tuning thin film resonator filters by removing or adding piezoelectric material |
| US8814996B2 (en) | 2010-12-01 | 2014-08-26 | University Of South Carolina | Methods and sensors for the detection of active carbon filters degradation with EMIS-ECIS PWAS |
| WO2019107105A1 (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 株式会社村田製作所 | 無線通信装置 |
| CN110890873A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-03-17 | 湖南嘉业达电子有限公司 | 一种压电陶瓷滤波器 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3633134A (en) * | 1969-10-10 | 1972-01-04 | Motorola Inc | Crystal band pass filter circuit |
| FR2186175A5 (ja) * | 1972-05-24 | 1974-01-04 | Thomson Csf | |
| JPS5329265B2 (ja) * | 1972-09-20 | 1978-08-19 | ||
| JPS5710092Y2 (ja) * | 1975-08-18 | 1982-02-26 | ||
| JPS5842649B2 (ja) * | 1975-12-01 | 1983-09-21 | 東光株式会社 | アツデンロハキ |
| JPS548440A (en) * | 1977-06-21 | 1979-01-22 | Murata Manufacturing Co | Multiple mode filter |
| JPS5518190A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Nec Corp | Frequency adjustment method for high-coupled piezoelectric oscillator |
| JPS5624820A (en) * | 1979-08-06 | 1981-03-10 | Noto Denshi Kogyo Kk | Piezoelectric unit |
| JPS5812810A (ja) * | 1981-07-13 | 1983-01-25 | Harufusa Matsuda | 二輪車けん引装置 |
| US4511202A (en) * | 1981-12-29 | 1985-04-16 | Fujitsu Limited | Ceramic resonator and a ceramic filter using the same |
| US4651109A (en) * | 1984-06-12 | 1987-03-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonance component having an improved group delay time characteristic |
| JPS6175629U (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-21 | ||
| JPS6214511A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振部品及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP4203049A patent/JPH0629774A/ja active Pending
-
1993
- 1993-07-05 KR KR1019950700068A patent/KR100287361B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-05 WO PCT/JP1993/000922 patent/WO1994001931A1/ja active IP Right Grant
- 1993-07-05 US US08/792,709 patent/US5850166A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-05 DE DE69329495T patent/DE69329495T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-05 EP EP93914955A patent/EP0650255B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-05 CA CA002139763A patent/CA2139763C/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-06 CN CN93107682A patent/CN1034541C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-06 MY MYPI93001324A patent/MY131449A/en unknown
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6867667B2 (en) | 2001-11-29 | 2005-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric filter, communication device, and method for manufacturing communication device |
| CN109951172A (zh) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 株式会社大真空 | 压电滤波器装置 |
| JP2019110490A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-04 | 株式会社大真空 | 圧電フィルタ装置 |
| CN109951172B (zh) * | 2017-12-20 | 2023-07-21 | 株式会社大真空 | 压电滤波器装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69329495D1 (de) | 2000-11-02 |
| CN1081795A (zh) | 1994-02-09 |
| MY131449A (en) | 2007-08-30 |
| EP0650255A4 (en) | 1995-09-20 |
| CA2139763A1 (en) | 1994-01-20 |
| WO1994001931A1 (en) | 1994-01-20 |
| CN1034541C (zh) | 1997-04-09 |
| EP0650255B1 (en) | 2000-09-27 |
| KR100287361B1 (ko) | 2001-04-16 |
| KR960701509A (ko) | 1996-02-24 |
| US5850166A (en) | 1998-12-15 |
| EP0650255A1 (en) | 1995-04-26 |
| CA2139763C (en) | 2000-02-22 |
| DE69329495T2 (de) | 2001-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5592135A (en) | Surface acoustic wave filter with different filter portions satisfying complex conjugate relationship of impedances | |
| US5831493A (en) | Surface acoustic wave ladder filter utilizing a generated spurious component of the parallel arm | |
| US5999069A (en) | Surface acoustic wave ladder filter having a parallel resonator with a larger electrostatic capacitance | |
| US7843285B2 (en) | Piezoelectric thin-film filter | |
| US7498898B2 (en) | Surface acoustic wave filter, and saw duplexer | |
| KR20020029922A (ko) | 사다리형 필터, 무선 주파수 대역 통과 필터, 무선 주파수수신기 및/또는 송신기 장치 | |
| JPH0629774A (ja) | 圧電セラミックフィルタ回路及び圧電セラミックフィルタ | |
| KR100308220B1 (ko) | 이중 반사 격자를 갖는 음향파 공진기 및 필터 | |
| JP3185591B2 (ja) | Ｓａｗ共振子 | |
| Onoe | Crystal, ceramic, and mechanical filters in Japan | |
| JP3366477B2 (ja) | 縦型複合４重モードｓａｗフィルタ | |
| US6992424B2 (en) | Piezoelectric vibrator ladder-type filter using piezoeletric vibrator and double-mode piezolectric filter | |
| JPH0766668A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| KR20030016414A (ko) | 탄성표면파 필터장치 | |
| US6313563B1 (en) | Edge reflection type surface acoustic wave device | |
| JP3075124B2 (ja) | 表面波共振子 | |
| JP3839866B2 (ja) | 弾性表面波フィルタおよび通過周波数帯域の形成方法 | |
| JPH0669749A (ja) | 圧電セラミックフィルタ回路 | |
| JPS61296809A (ja) | トラツプ回路 | |
| JP3331733B2 (ja) | 弾性表面波共振子フィルタ | |
| JP3397120B2 (ja) | 圧電フィルタ | |
| JPH04249907A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| WO2023080142A1 (ja) | フィルタデバイス | |
| JPH06132778A (ja) | 厚み滑り振動モードを利用したセラミックフィルタ | |
| JP3224455B2 (ja) | 弾性表面波素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020213 |