JPH0629595A - 伝導性表面冷却レーザ結晶 - Google Patents
伝導性表面冷却レーザ結晶Info
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- JPH0629595A JPH0629595A JP5099802A JP9980293A JPH0629595A JP H0629595 A JPH0629595 A JP H0629595A JP 5099802 A JP5099802 A JP 5099802A JP 9980293 A JP9980293 A JP 9980293A JP H0629595 A JPH0629595 A JP H0629595A
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- G02F1/35—Non-linear optics
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、レーザシステムの光学装置のビー
ム路に平行な方向で完全に受動的な方法でレーザ結晶の
光学表面から熱を除去する熱除去技術を提供することを
目的とする。 【構成】 熱伝導ハウジング11と、ハウジング11内に配
置されてレーザエネルギが垂直に伝播する第1、第2の
表面12a を有する光透過性の光学素子12と、光透過性の
ヒートシンクを構成している第1および第2の光透過性
の窓13とを備え、各窓13は光学素子12の各表面12a に近
接して位置する表面13a を有しており、光学素子12で生
成された熱はレーザエネルギ伝播の方向に平行な方向で
光透過性の窓13およびハウジング11に伝導され、それに
より光学素子12に形成される熱勾配はそのレーザエネル
ギ伝播方向に平行に形成されていることを特徴とする。
ム路に平行な方向で完全に受動的な方法でレーザ結晶の
光学表面から熱を除去する熱除去技術を提供することを
目的とする。 【構成】 熱伝導ハウジング11と、ハウジング11内に配
置されてレーザエネルギが垂直に伝播する第1、第2の
表面12a を有する光透過性の光学素子12と、光透過性の
ヒートシンクを構成している第1および第2の光透過性
の窓13とを備え、各窓13は光学素子12の各表面12a に近
接して位置する表面13a を有しており、光学素子12で生
成された熱はレーザエネルギ伝播の方向に平行な方向で
光透過性の窓13およびハウジング11に伝導され、それに
より光学素子12に形成される熱勾配はそのレーザエネル
ギ伝播方向に平行に形成されていることを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザシステムで使用
する光学素子、特にレーザシステムで使用するための伝
導性表面冷却光学素子に関する。
する光学素子、特にレーザシステムで使用するための伝
導性表面冷却光学素子に関する。
【0002】
【従来の技術】非線形レーザ材料の周波数変換処理は吸
収のため非線形材料媒体内の熱を生成する。この熱は周
波数コンバータが高いパワーレベルで効率的に動作する
ならば除去されなければならない。また固体状態のレー
ザ増幅器材料中の蓄積エネルギ処理もまた、特に増幅器
が大きい入力パワーで動作するならばレーザ媒体内で除
去するべき熱を生成する。
収のため非線形材料媒体内の熱を生成する。この熱は周
波数コンバータが高いパワーレベルで効率的に動作する
ならば除去されなければならない。また固体状態のレー
ザ増幅器材料中の蓄積エネルギ処理もまた、特に増幅器
が大きい入力パワーで動作するならばレーザ媒体内で除
去するべき熱を生成する。
【0003】レーザシステムで使用される固体状態の結
晶材料の熱除去の典型的な方法はレーザエネルギ伝播方
向に対して横断方向に材料の側面から熱を取除いてい
る。横断方向の熱除去はこの方向の熱勾配を生じさせ
る。これは2つの問題を生む。第1の問題は熱光学応力
と屈折率変化がレーザビームを歪ませる熱収差を起こす
ことである。第2の問題は多くの周波数変換材料では例
えばレーザビームの伝播方向に対して横断方向の熱変化
は非常に狭い公差範囲域内に維持されなければならない
ことである。この方向の熱勾配の存在は穴の寸法とレー
ザシステム設計で許容されているパワー負荷とを厳しく
制限する。横断方向冷却は文献(National Technical I
nformation Serviceから得られるJ.L.Emmettによる“Th
e Potentialof High-Average Power Solid State Laser
s”、文献番号UCRL-53571、1984年9月25日)に記載さ
れている。
晶材料の熱除去の典型的な方法はレーザエネルギ伝播方
向に対して横断方向に材料の側面から熱を取除いてい
る。横断方向の熱除去はこの方向の熱勾配を生じさせ
る。これは2つの問題を生む。第1の問題は熱光学応力
と屈折率変化がレーザビームを歪ませる熱収差を起こす
ことである。第2の問題は多くの周波数変換材料では例
えばレーザビームの伝播方向に対して横断方向の熱変化
は非常に狭い公差範囲域内に維持されなければならない
ことである。この方向の熱勾配の存在は穴の寸法とレー
ザシステム設計で許容されているパワー負荷とを厳しく
制限する。横断方向冷却は文献(National Technical I
nformation Serviceから得られるJ.L.Emmettによる“Th
e Potentialof High-Average Power Solid State Laser
s”、文献番号UCRL-53571、1984年9月25日)に記載さ
れている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】通常のビーム成形技術
は結晶の冷却用に用いられ、レーザビームは光学的に一
方方向に平坦化される。これは結晶がより長い長さに沿
って冷却され、ビームの中心から冷却される結晶の端部
までの経路長の減少を可能にする。しかし、この方法は
全ての応用で実用的ではなく関連する光学系を比較的複
雑にする。
は結晶の冷却用に用いられ、レーザビームは光学的に一
方方向に平坦化される。これは結晶がより長い長さに沿
って冷却され、ビームの中心から冷却される結晶の端部
までの経路長の減少を可能にする。しかし、この方法は
全ての応用で実用的ではなく関連する光学系を比較的複
雑にする。
【0005】ある結晶材料および特定のβ硼酸バリウム
(BBO)では材料の最大熱伝導性の方向が光伝播の方
向とほぼ整列されている。この特性で材料から熱を効率
的に除去するため熱は光学面から取除かれなければなら
ない。表面冷却の1つの方法は対流処理であり、通常流
動ガスを使用することにより達成する。この方法ではガ
スは結晶面を横切る高速度で強制的に移動される。この
方法の最大の欠点は複雑で活性な冷却システムを必要と
し、さらに安価で低い重量および容積と高い信頼性を必
要とする応用では適していない。また光学表面を横切る
ガスの流れが光歪みを回避するように非常に均一でなけ
ればならないため技術が非常に複雑である。
(BBO)では材料の最大熱伝導性の方向が光伝播の方
向とほぼ整列されている。この特性で材料から熱を効率
的に除去するため熱は光学面から取除かれなければなら
ない。表面冷却の1つの方法は対流処理であり、通常流
動ガスを使用することにより達成する。この方法ではガ
スは結晶面を横切る高速度で強制的に移動される。この
方法の最大の欠点は複雑で活性な冷却システムを必要と
し、さらに安価で低い重量および容積と高い信頼性を必
要とする応用では適していない。また光学表面を横切る
ガスの流れが光歪みを回避するように非常に均一でなけ
ればならないため技術が非常に複雑である。
【0006】それ故、本発明の目的は、ビーム路に対し
て平行な方向で完全に受動的な方法でレーザ結晶の光学
表面または他の光学素子から熱を除去する熱除去技術を
提供することである。
て平行な方向で完全に受動的な方法でレーザ結晶の光学
表面または他の光学素子から熱を除去する熱除去技術を
提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の問題をビ
ーム路に平行な方向にレーザ増幅器結晶または非線形周
波数変換結晶のような光学素子の光学表面から熱を受動
的に除去することによって解決する。光学素子は素子の
明瞭な穴を形成する光学表面を通って隣接近接した熱伝
導媒体への熱伝導により冷却される。熱は直接的な接触
により、或いは本発明の実施例で示されているように狭
いガス充満ギャップを通して熱伝導性媒体に伝達され
る。
ーム路に平行な方向にレーザ増幅器結晶または非線形周
波数変換結晶のような光学素子の光学表面から熱を受動
的に除去することによって解決する。光学素子は素子の
明瞭な穴を形成する光学表面を通って隣接近接した熱伝
導媒体への熱伝導により冷却される。熱は直接的な接触
により、或いは本発明の実施例で示されているように狭
いガス充満ギャップを通して熱伝導性媒体に伝達され
る。
【0008】1つの開示された実施例を参照してさらに
説明すると、本発明は熱伝導ハウジングと、ハウジング
内に位置する第1、第2の表面を有する光透過性の光学
素子を具備するレーザシステムで使用するための光学装
置を提供する。レーザシステムにより発生されたレーザ
エネルギは第1、第2の表面をほぼ横切る方向に伝播す
る。第1、第2の光透過性の窓は光透過性のヒートシン
クを構成している。各窓は光学的な透過性光学素子の第
1、第2の表面にそれぞれ接触し、又は近接して配置さ
れている表面を有する。結果的な構造は光学素子中で生
成された熱がレーザエネルギ伝播に平行な方向で第1、
第2の光透過性の窓およびハウジングに伝導される。光
学素子に形成される熱勾配はレーザエネルギ伝播方向と
平行に形成され、従って通常の光学設計と関連して熱勾
配の関する問題を最少にする。
説明すると、本発明は熱伝導ハウジングと、ハウジング
内に位置する第1、第2の表面を有する光透過性の光学
素子を具備するレーザシステムで使用するための光学装
置を提供する。レーザシステムにより発生されたレーザ
エネルギは第1、第2の表面をほぼ横切る方向に伝播す
る。第1、第2の光透過性の窓は光透過性のヒートシン
クを構成している。各窓は光学的な透過性光学素子の第
1、第2の表面にそれぞれ接触し、又は近接して配置さ
れている表面を有する。結果的な構造は光学素子中で生
成された熱がレーザエネルギ伝播に平行な方向で第1、
第2の光透過性の窓およびハウジングに伝導される。光
学素子に形成される熱勾配はレーザエネルギ伝播方向と
平行に形成され、従って通常の光学設計と関連して熱勾
配の関する問題を最少にする。
【0009】本発明は、従って非線形周波数変換結晶ま
たは光透過性の表面を通るレーザ結晶からの受動的な熱
の除去のための技術を提供する。熱は結晶の光学表面に
近接して位置する光透過性のヒートシンクによって除去
される。熱はエネルギの伝播方向に平行な方向で結晶か
ら移動され、従って熱勾配に関連する問題を最少化す
る。本発明の種々の特徴および利点は添付図面を参照し
て後述の詳細な説明を参照してより簡単に理解されるで
あろう。
たは光透過性の表面を通るレーザ結晶からの受動的な熱
の除去のための技術を提供する。熱は結晶の光学表面に
近接して位置する光透過性のヒートシンクによって除去
される。熱はエネルギの伝播方向に平行な方向で結晶か
ら移動され、従って熱勾配に関連する問題を最少化す
る。本発明の種々の特徴および利点は添付図面を参照し
て後述の詳細な説明を参照してより簡単に理解されるで
あろう。
【0010】
【実施例】図面を参照すると、図1は本発明の原理によ
る伝導性表面冷却を備えた光システム10の一部分を示し
ている。図1は実際の大きさで示されていない。詳しく
説明すると、図1はアルミニウム又は他の金属ハウジン
グ11に取付けられているレーザ結晶12を具備するレーザ
システム10の一部分を示している。レーザ結晶12はレー
ザシステム10で使用される光学素子でもよく、例えばレ
ーザ結晶又は非線形周波数変換結晶を含んでいることが
理解されよう。ハウジング11は金属以外の熱伝導材料か
ら作られてもよい。
る伝導性表面冷却を備えた光システム10の一部分を示し
ている。図1は実際の大きさで示されていない。詳しく
説明すると、図1はアルミニウム又は他の金属ハウジン
グ11に取付けられているレーザ結晶12を具備するレーザ
システム10の一部分を示している。レーザ結晶12はレー
ザシステム10で使用される光学素子でもよく、例えばレ
ーザ結晶又は非線形周波数変換結晶を含んでいることが
理解されよう。ハウジング11は金属以外の熱伝導材料か
ら作られてもよい。
【0011】本発明はレーザ結晶12又は例えばKTiO
PO4 (KTP)結晶のような非線形高調波生成結晶を
冷却するための技術を提供し、結晶12は明瞭な穴を構成
する光学面12aを通って近接した熱伝導媒体13に熱伝導
を使用して冷却される。典型的な熱伝導媒体13は例えば
サフィア光窓を含む。熱は直接的接触により熱伝導媒体
13に移動され(矢印により示す)、レーザ結晶12はそれ
ぞれ熱伝導媒体13の隣接表面13aと接触して位置され
る。代りに、実際上減少された本発明の実施例で示され
ているように、熱は光学面12aとそれぞれの近接する熱
伝導媒体13との間に位置される狭いガス充満ギャップ15
を通って移動される。ガス充満ギャップは典型的に0.00
025 インチ程度の厚さである。ギャップ15で使用される
ガスはレーザ動作波長に応じて空気、水素又は他の適切
なガスで充満される。ギャップ15は結晶12と熱伝導媒体
13との間にOリング、誘電体スペーサ、シム14等を置く
ことにより形成されている。誘電体スペーサは熱伝導媒
体13の表面に薄いフィルムを置くことにより形成され
る。結晶12は結晶12の上部および下部端とハウジング11
の近接する部分との間のギャップ17により図1で示され
ているようにハウジング11と直接接触しない。
PO4 (KTP)結晶のような非線形高調波生成結晶を
冷却するための技術を提供し、結晶12は明瞭な穴を構成
する光学面12aを通って近接した熱伝導媒体13に熱伝導
を使用して冷却される。典型的な熱伝導媒体13は例えば
サフィア光窓を含む。熱は直接的接触により熱伝導媒体
13に移動され(矢印により示す)、レーザ結晶12はそれ
ぞれ熱伝導媒体13の隣接表面13aと接触して位置され
る。代りに、実際上減少された本発明の実施例で示され
ているように、熱は光学面12aとそれぞれの近接する熱
伝導媒体13との間に位置される狭いガス充満ギャップ15
を通って移動される。ガス充満ギャップは典型的に0.00
025 インチ程度の厚さである。ギャップ15で使用される
ガスはレーザ動作波長に応じて空気、水素又は他の適切
なガスで充満される。ギャップ15は結晶12と熱伝導媒体
13との間にOリング、誘電体スペーサ、シム14等を置く
ことにより形成されている。誘電体スペーサは熱伝導媒
体13の表面に薄いフィルムを置くことにより形成され
る。結晶12は結晶12の上部および下部端とハウジング11
の近接する部分との間のギャップ17により図1で示され
ているようにハウジング11と直接接触しない。
【0012】狭いガス充満ギャップ15を使用する利点
は、表面12a,13aが接触せず、従って構造処理期間中
の光表面12a,13aおよび通常の方法の光表面12a,13
a機能上の反射防止被覆に対する損傷の危険性がない。
ギャップ15はレーザ結晶12と熱伝導媒体13との間に薄い
シム14又はスペーサを置くことにより形成される。ギャ
ップ15は熱伝導媒体13又は結晶12が熱伝導媒体13と接触
する周辺全域を囲む選択された位置に誘電体フィルム
(0.00025 インチの厚さ)を真空付着させることにより
形成される。付加的にギャップ15は誘電体フィルムを熱
伝導媒体13の1つに真空蒸着し、ハウジングを結晶12
(0.00025 インチ)の厚さより僅かに大きく適切に機械
加工することにより形成される。結晶12は片側のフィル
ムに対して位置され、ハウジング11は結晶12より僅かに
大きいので第2の熱伝導体媒体13がハウジング11と接触
して位置されるとき第2のギャップ15が形成される。従
って、最後に説明した装置では第2のシム14は必要では
ない。
は、表面12a,13aが接触せず、従って構造処理期間中
の光表面12a,13aおよび通常の方法の光表面12a,13
a機能上の反射防止被覆に対する損傷の危険性がない。
ギャップ15はレーザ結晶12と熱伝導媒体13との間に薄い
シム14又はスペーサを置くことにより形成される。ギャ
ップ15は熱伝導媒体13又は結晶12が熱伝導媒体13と接触
する周辺全域を囲む選択された位置に誘電体フィルム
(0.00025 インチの厚さ)を真空付着させることにより
形成される。付加的にギャップ15は誘電体フィルムを熱
伝導媒体13の1つに真空蒸着し、ハウジングを結晶12
(0.00025 インチ)の厚さより僅かに大きく適切に機械
加工することにより形成される。結晶12は片側のフィル
ムに対して位置され、ハウジング11は結晶12より僅かに
大きいので第2の熱伝導体媒体13がハウジング11と接触
して位置されるとき第2のギャップ15が形成される。従
って、最後に説明した装置では第2のシム14は必要では
ない。
【0013】本発明の熱除去の原理を利用する光学装置
が実施化された。組立てられ試験される装置は2つの第
2の高調波発生(SHG)モジュール30を有し、それぞ
れ非線形媒体としてKTiOPO4 (KTP)結晶を使
用している。これらのモジュール30の一方の2つの異な
った断面図が図2、3に示されている。図2は本発明の
原理による冷却技術を使用しレーザシステムの一部分を
形成するレーザ結晶モジュール30の部分的断面図を示し
ており、図3は図2のレーザ結晶モジュール30の第2の
部分的断面図を示している。
が実施化された。組立てられ試験される装置は2つの第
2の高調波発生(SHG)モジュール30を有し、それぞ
れ非線形媒体としてKTiOPO4 (KTP)結晶を使
用している。これらのモジュール30の一方の2つの異な
った断面図が図2、3に示されている。図2は本発明の
原理による冷却技術を使用しレーザシステムの一部分を
形成するレーザ結晶モジュール30の部分的断面図を示し
ており、図3は図2のレーザ結晶モジュール30の第2の
部分的断面図を示している。
【0014】KTP結晶22はアルミニウムハウジング11
中に配置され、2つの小さい空気ギャップ15は結晶22と
結晶22の両側に位置するサフィアプレート23との間の境
界に位置される。サフィアプレート23は例えば捩子によ
りハウジング11に取付けられている2つの保持装置38に
よりハウジング11に取付けられている。2つのOリング
39は保持装置38とサフィア窓23との間に配置されてい
る。抵抗性ヒータ41と熱拡散器42は例えばばね43、カバ
ープレート44、捩子手段によりKTP結晶23を予め定め
られた温度に加熱するために使用されるハウジングに取
付けられる。温度センサ46はKTP結晶23の温度を制御
するためフィードバック制御ループで使用される。
中に配置され、2つの小さい空気ギャップ15は結晶22と
結晶22の両側に位置するサフィアプレート23との間の境
界に位置される。サフィアプレート23は例えば捩子によ
りハウジング11に取付けられている2つの保持装置38に
よりハウジング11に取付けられている。2つのOリング
39は保持装置38とサフィア窓23との間に配置されてい
る。抵抗性ヒータ41と熱拡散器42は例えばばね43、カバ
ープレート44、捩子手段によりKTP結晶23を予め定め
られた温度に加熱するために使用されるハウジングに取
付けられる。温度センサ46はKTP結晶23の温度を制御
するためフィードバック制御ループで使用される。
【0015】結晶22から内部に生成された熱は小さい空
気ギャップ15を通ってサフィアプレート23に伝導され、
サフィアプレート23は熱をアルミニウムハウジング11に
伝導し、熱パイプ又は他の手段(図示せず)手段により
外部冷却プレート(図示せず)に伝導する。
気ギャップ15を通ってサフィアプレート23に伝導され、
サフィアプレート23は熱をアルミニウムハウジング11に
伝導し、熱パイプ又は他の手段(図示せず)手段により
外部冷却プレート(図示せず)に伝導する。
【0016】この冷却方法の効果は有限の素子の熱解析
を使用して理論上立証された。横断する熱伝導の典型的
方法が使用される場合には結晶22を横切って発生した熱
勾配ΔTはΔT=αP/4πK=8℃により算定され、
ここでα=0.06/cmは吸収係数であり、P=50Wは供
給されたレーザビームのパワーであり、K=0.03W/c
m/℃はKTP結晶22の熱伝導度である。このことは効
果的な周波数変換を維持するのに好ましい熱勾配で約2
°の制限を遥かに超過する。しかし本発明の原理による
表面冷却の方法を使用して有限の素子の熱モデルはこの
必要性が満たされたことを示している。
を使用して理論上立証された。横断する熱伝導の典型的
方法が使用される場合には結晶22を横切って発生した熱
勾配ΔTはΔT=αP/4πK=8℃により算定され、
ここでα=0.06/cmは吸収係数であり、P=50Wは供
給されたレーザビームのパワーであり、K=0.03W/c
m/℃はKTP結晶22の熱伝導度である。このことは効
果的な周波数変換を維持するのに好ましい熱勾配で約2
°の制限を遥かに超過する。しかし本発明の原理による
表面冷却の方法を使用して有限の素子の熱モデルはこの
必要性が満たされたことを示している。
【0017】2つのSHGモジュール30を含むこの装置
が試験された。性能の低下は20Hz動作の下では見られ
ず、一方この熱処理方法を使用しない従来の試験はモジ
ュール30内に熱勾配の着手により10%の低下が生じる。
が試験された。性能の低下は20Hz動作の下では見られ
ず、一方この熱処理方法を使用しない従来の試験はモジ
ュール30内に熱勾配の着手により10%の低下が生じる。
【0018】以上高パワーレーザシステムで使用する新
規で改良された伝導表面冷却光学素子を説明した。前述
の実施例は本発明の原理の応用を表す多くの特別の実施
例の単なる例示にすぎない。明白に、多数の他の装置は
本発明の技術的範囲内を逸脱することなく当業者により
容易に発明されるであろう。
規で改良された伝導表面冷却光学素子を説明した。前述
の実施例は本発明の原理の応用を表す多くの特別の実施
例の単なる例示にすぎない。明白に、多数の他の装置は
本発明の技術的範囲内を逸脱することなく当業者により
容易に発明されるであろう。
【図1】本発明の原理による伝導性表面冷却を備えた光
システムの部分図。
システムの部分図。
【図2】本発明の原理による伝導表面冷却を備えたレー
ザシステムの一部分を形成するレーザ結晶モジュールの
部分的切断図。
ザシステムの一部分を形成するレーザ結晶モジュールの
部分的切断図。
【図3】図2のレーザ結晶モジュールの第2の部分的切
断図。
断図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームス・エス・ソース アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90503、トーランス、アパートメント・デ ー、エメラルド・ストリート 3719 (72)発明者 マリオ・ピー・パロンボ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90266、マンハッタン・ビーチ、サーティ ーサード・ストリート 656
Claims (16)
- 【請求項1】 レーザシステムで使用するための光学装
置において、 熱伝導ハウジングと、 ハウジング内に配置され、第1および第2の表面を有
し、レーザエネルギが第1、第2の表面に対して実質的
に横切る方向に伝播するように構成されている光透過性
の光学素子と、 光透過性のヒートシンクを構成している第1および第2
の光透過性の窓とを具備し、 各窓は光透過性の光学素子のそれぞれ第1、第2の表面
に近接して配置されている表面を有しており、 光学素子で生成された熱はレーザエネルギ伝播の方向に
平行な方向で第1および第2の光透過性の窓およびハウ
ジングに伝導され、光学素子に形成される熱勾配は光学
素子のレーザエネルギ伝播方向に平行に形成されること
を特徴とする光学装置。 - 【請求項2】 第1、第2の光透過性の窓がそれぞれ光
学素子の表面に接触して配置される請求項1記載の光学
装置。 - 【請求項3】 光学素子と第1、第2の光透過性の窓と
の間に位置されているガス充満ギャップを有する請求項
1記載の光学装置。 - 【請求項4】 一方のガス充満ギャップが光学素子の周
辺に隣接する光透過性の窓のうちの1つに付着されたギ
ャップの厚さを有する誘電体フィルムにより形成され、
他方のガス充満ギャップは光学素子の厚さより僅かに大
きいハウジングを機械加工することにより形成されてい
る請求項3記載の光学装置。 - 【請求項5】 ガス充満ギャップは光学素子とそれぞれ
第1、第2の光透過性の窓との間にスペーサを置くこと
により形成される請求項3記載の光学装置。 - 【請求項6】 スペーサが誘電体シムで構成されている
請求項5記載の光学装置。 - 【請求項7】 スペーサが真空蒸着された誘電体フィル
ムで構成されている請求項5記載の光学装置。 - 【請求項8】 光学素子がレーザ結晶を含む請求項1記
載の光学装置。 - 【請求項9】 光学素子が非線形周波数変換結晶を含む
請求項1記載の光学装置。 - 【請求項10】 非線形周波数変換結晶がKTiOPO
4 (KTP)からなる請求項9記載の光学装置。 - 【請求項11】 第1および第2の光透過性の窓がそれ
ぞれサフィア窓で構成されている請求項1記載の光学装
置。 - 【請求項12】 光学素子を予め定められた温度まで加
熱するためハウジングに結合されている抵抗性ヒータと
熱拡散器とを備えている請求項1記載の光学装置。 - 【請求項13】 光学素子の温度を制御するためフィー
ドバック制御ループで使用される光学素子に近接して配
置されている温度センサを備えている請求項12記載の
光学装置。 - 【請求項14】 光学素子を予め定められた温度まで加
熱するためにハウジングに結合された抵抗性ヒータと熱
拡散器とを備えている請求項3記載の光学装置。 - 【請求項15】 光学素子の温度を制御するためフィー
ドバック制御ループで使用されている光学素子に近接し
て位置する温度センサを備えている請求項14記載の光
学装置。 - 【請求項16】 レーザシステムで使用するための光学
装置において、 熱伝導ハウジングと、 ハウジング内に配置されている第1および第2の表面を
有し、レーザエネルギが第1、第2の表面に対して実質
的に横切る方向に伝播するように構成されている光透過
性の光学素子と、 光透過性のヒートシンクを有する第1および第2の光透
過性の窓であって、各窓は光透過性の光学素子のそれぞ
れ第1および第2の表面に接触して配置されている第1
の表面を有している第1、第2の光透過性の窓と、 光学素子と第1および第2の光透過性の各窓との間に配
置されているガス充満ギャップとを備えており、 光学素子で生成された熱はレーザエネルギ伝播方向に平
行な方向に第1および第2の光透過性の窓およびハウジ
ングに伝導され、光学素子に形成される熱勾配は光学素
子のレーザエネルギ伝播方向に平行に形成されているこ
とを特徴とする光学装置。
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