JPH06295078A - 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ - Google Patents
電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリInfo
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- JPH06295078A JPH06295078A JP12984392A JP12984392A JPH06295078A JP H06295078 A JPH06295078 A JP H06295078A JP 12984392 A JP12984392 A JP 12984392A JP 12984392 A JP12984392 A JP 12984392A JP H06295078 A JPH06295078 A JP H06295078A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】実用的な高感度特性と繰り返し使用における安
定な電位特性を有する電子写真感光体を提供することで
ある。 【構成】導電性支持体上に下記ジスアゾ顔料を含有する
感光層を有することを特徴とする電子写真感光体であ
る。
定な電位特性を有する電子写真感光体を提供することで
ある。 【構成】導電性支持体上に下記ジスアゾ顔料を含有する
感光層を有することを特徴とする電子写真感光体であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は特定の構造を有するジス
アゾ顔料を感光層に含有する電子写真感光体、該電子写
真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリに関
する。
アゾ顔料を感光層に含有する電子写真感光体、該電子写
真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真感光体としては、セレ
ン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機光導電性物質
が広く用いられていた。一方、有機光導電性物質からな
る電子写真感光体としてはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ−
ルに代表される光導電性ポリマ−や２，５−ビス（ｐ−
ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ
−ルのような低分子の有機光導電性物質を用いたもの、
さらにはこのような有機光導電性物質と各種の染料や顔
料を組み合わせたものなどが知られている。有機光導電
性物質を用いた電子写真感光体は成膜性がよく、塗工に
よって生産できるため、極めて生産性が高く安価な感光
体を提供できる利点を有している。また、使用する染料
や顔料の選択により、感色性を自在にコントロ−ルでき
るなどの利点を有し、これまで、幅広い検討が成されて
きた。特に最近では、有機光導電性染料や顔料を含有し
た電荷発生層と前述の光導電性ポリマ−や低分子の有機
光導電性物質を含有した電荷輸送層を積層した機能分離
型感光体の開発により、従来の有機電子写真感光体の欠
点とされていた感度や耐久性に著しい改善が成されてき
た。
ン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機光導電性物質
が広く用いられていた。一方、有機光導電性物質からな
る電子写真感光体としてはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ−
ルに代表される光導電性ポリマ−や２，５−ビス（ｐ−
ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ
−ルのような低分子の有機光導電性物質を用いたもの、
さらにはこのような有機光導電性物質と各種の染料や顔
料を組み合わせたものなどが知られている。有機光導電
性物質を用いた電子写真感光体は成膜性がよく、塗工に
よって生産できるため、極めて生産性が高く安価な感光
体を提供できる利点を有している。また、使用する染料
や顔料の選択により、感色性を自在にコントロ−ルでき
るなどの利点を有し、これまで、幅広い検討が成されて
きた。特に最近では、有機光導電性染料や顔料を含有し
た電荷発生層と前述の光導電性ポリマ−や低分子の有機
光導電性物質を含有した電荷輸送層を積層した機能分離
型感光体の開発により、従来の有機電子写真感光体の欠
点とされていた感度や耐久性に著しい改善が成されてき
た。
【０００３】アゾ顔料は優れた光導電性を示し、しか
も、アゾ成分とカプラ−成分の組み合わせ方で様々な特
性を持った化合物が容易に得られることから、これまで
に数多くの化合物が提案されており、例えば特開平１−
１９８７６３号公報、特開平１−１９８７６３号公報、
特開平２−２４７６５７号公報などが挙げられる。しか
しながら、従来のアゾ顔料を用いた電子写真感光体は、
感度や繰り返し使用時の電位安定性の面で必ずしも十分
なものとは言えず、実用化されているのは極くかな材料
のみである。
も、アゾ成分とカプラ−成分の組み合わせ方で様々な特
性を持った化合物が容易に得られることから、これまで
に数多くの化合物が提案されており、例えば特開平１−
１９８７６３号公報、特開平１−１９８７６３号公報、
特開平２−２４７６５７号公報などが挙げられる。しか
しながら、従来のアゾ顔料を用いた電子写真感光体は、
感度や繰り返し使用時の電位安定性の面で必ずしも十分
なものとは言えず、実用化されているのは極くかな材料
のみである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は新規な
光導電性材料を提供すること、実用的な高感度特性と繰
り返し使用における安定した電位特性を有する電子写真
感光体を提供すること、該電子写真感光体を備えた電子
写真装置並びにファクシミリを提供することにある。
光導電性材料を提供すること、実用的な高感度特性と繰
り返し使用における安定した電位特性を有する電子写真
感光体を提供すること、該電子写真感光体を備えた電子
写真装置並びにファクシミリを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は導電性支持体上
に一般式（１）で示すジスアゾ顔料を含有する感光層を
有することを特徴とする電子写真感光体から構成され
る。一般式（１）
に一般式（１）で示すジスアゾ顔料を含有する感光層を
有することを特徴とする電子写真感光体から構成され
る。一般式（１）
【化１０】 式中、Ｒ１およびＲ2は同一または異なって水素原子ま
たはアルキル基を表わし、Ｒ３およびＲ４は同一または
異なって水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、シアノ基またはトリフルオロメチル基を表わ
し、Ａ１は一般式（２）で示すカプラ−殘基を表わし、
Ａ２は一般式（２）〜（８）で示すカプラ−殘基からな
る群から選ばれるカプラ−殘基を表わす。一般式（２）
たはアルキル基を表わし、Ｒ３およびＲ４は同一または
異なって水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、シアノ基またはトリフルオロメチル基を表わ
し、Ａ１は一般式（２）で示すカプラ−殘基を表わし、
Ａ２は一般式（２）〜（８）で示すカプラ−殘基からな
る群から選ばれるカプラ−殘基を表わす。一般式（２）
【化１１】 一般式（３）
【化１２】 一般式（４）
【化１３】 一般式（５）
【化１４】 一般式（６）
【化１５】 一般式（７）
【化１６】 一般式（８）
【化１７】 式中、Ｘ１はベンゼン環と縮合して多環芳香環または複
素環を形成するのに必要な殘基を表わし、Ｚ１は酸素原
子または硫黄原子を表わし、Ｒ５〜Ｒ10は水素原子、置
換基を有してもよいアルキル基、アリ−ル基、アラルキ
ル基または複素環基を表わし、Ｒ５とＲ６は窒素原子と
ともに環を形成してもよく、Ｒ7とＲ8は炭素原子ととも
に環を形成してもよく、ｐは１または２の整数、ｍは
０、１または２の整数を表わす。
素環を形成するのに必要な殘基を表わし、Ｚ１は酸素原
子または硫黄原子を表わし、Ｒ５〜Ｒ10は水素原子、置
換基を有してもよいアルキル基、アリ−ル基、アラルキ
ル基または複素環基を表わし、Ｒ５とＲ６は窒素原子と
ともに環を形成してもよく、Ｒ7とＲ8は炭素原子ととも
に環を形成してもよく、ｐは１または２の整数、ｍは
０、１または２の整数を表わす。
【０００６】具体的にはＲ1〜Ｒ4の定義において、アル
キル基としてはメチル、エチル、プロピル、ｔ−ブチル
などの基、アルコキシ基としてはメトキシ、エトキシな
どの基、ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、
臭素原子などが挙げられる。
キル基としてはメチル、エチル、プロピル、ｔ−ブチル
などの基、アルコキシ基としてはメトキシ、エトキシな
どの基、ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、
臭素原子などが挙げられる。
【０００７】Ｘ1 の定義において、多環芳香環または複
素環としてはナフタレン環、アントラセン環、カルバゾ
−ル環、ベンズカルバゾ−ル環、ジベンゾカルバゾ−ル
環などが挙げられる。
素環としてはナフタレン環、アントラセン環、カルバゾ
−ル環、ベンズカルバゾ−ル環、ジベンゾカルバゾ−ル
環などが挙げられる。
【０００８】Ｒ5 〜Ｒ10の定義において、アルキル基と
してはメチル、エチル、プロピルなどの基、アリ−ル基
としてはフェニル、ナフチル、アンスリルなどの基、ア
ラルキル基としてはベンジル、フェネチルなどの基、複
素環基としてはピリジル、チエニル、カルバゾリル、ベ
ンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリルなどの基、窒素原
子とともに環を形成する基としてはピロ−ル、ピロリ
ン、ピロリジン、ピロリドン、インド−ル、インドリ
ン、カルバゾ−ル、イミダゾ−ル、ピラゾ−ル、ピラゾ
リン、オキサジン、フェノキサジンなどの基、炭素原子
とともに形成してもよい環としてはシクロペンチル、シ
クロヘキシル、インダニルなどの基が挙げられる。
してはメチル、エチル、プロピルなどの基、アリ−ル基
としてはフェニル、ナフチル、アンスリルなどの基、ア
ラルキル基としてはベンジル、フェネチルなどの基、複
素環基としてはピリジル、チエニル、カルバゾリル、ベ
ンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリルなどの基、窒素原
子とともに環を形成する基としてはピロ−ル、ピロリ
ン、ピロリジン、ピロリドン、インド−ル、インドリ
ン、カルバゾ−ル、イミダゾ−ル、ピラゾ−ル、ピラゾ
リン、オキサジン、フェノキサジンなどの基、炭素原子
とともに形成してもよい環としてはシクロペンチル、シ
クロヘキシル、インダニルなどの基が挙げられる。
【０００９】また、上記基における置換基としてはフッ
素、塩素、ヨウ素、臭素などのハロゲン原子、メチル、
エチル、プロピルなどのアルキル基、メトキシ、エトキ
シなどのアルコキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミ
ノなどのアルキルアミノ基、フェニルカルバモイル基、
ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチルなどのハロメ
チル基などが挙げられる。
素、塩素、ヨウ素、臭素などのハロゲン原子、メチル、
エチル、プロピルなどのアルキル基、メトキシ、エトキ
シなどのアルコキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミ
ノなどのアルキルアミノ基、フェニルカルバモイル基、
ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチルなどのハロメ
チル基などが挙げられる。
【００１１】また、本発明は導電性支持体上に一般式
（９）で示すジスアゾ顔料を含有する感光層を有するこ
とを特徴とする電子写真感光体から構成される。一般式
（９）
（９）で示すジスアゾ顔料を含有する感光層を有するこ
とを特徴とする電子写真感光体から構成される。一般式
（９）
【化１８】 式中、Ａ３およびＡ４は同一または異なってフェノ−ル
性水酸基を有するカプラ−殘基を表わす。
性水酸基を有するカプラ−殘基を表わす。
【００１２】上記フェノ−ル性水酸基を有するカプラ−
殘基の好ましい例としては、下記一般式（１０）〜（１
４）で示すカプラ−殘基が挙げられる。一般式（１０）
殘基の好ましい例としては、下記一般式（１０）〜（１
４）で示すカプラ−殘基が挙げられる。一般式（１０）
【化１９】 一般式（１１）
【化２０】 一般式（１２）
【化２１】 一般式（１３）
【化２２】 一般式（１４）
【化２３】 一般式（１５）
【化２４】
【００１２】式中、Ｘ2 はベンゼン環と縮合して多環芳
香環または複素環を形成するのに必要な殘基を表わし、
Ｚ2 は酸素原子または硫黄原子を表わし、Ｒ11〜Ｒ12は
水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリ−ル
基、アラルキル基または複素環基を表わし、またＲ11と
Ｒ12は窒素原子とともに環を形成してもよく、Ｒ13は水
素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリ−ル
基、アラルキル基または複素環基を表わし、Ｒ14は置換
基を有してもよいアルキル基、アリ−ル基、アラルキル
基または複素環基を表わし、Ｙは置換基を有してもよい
２価の芳香族炭化水素または窒素原子を環内に含む２価
の複素環基を表わす。
香環または複素環を形成するのに必要な殘基を表わし、
Ｚ2 は酸素原子または硫黄原子を表わし、Ｒ11〜Ｒ12は
水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリ−ル
基、アラルキル基または複素環基を表わし、またＲ11と
Ｒ12は窒素原子とともに環を形成してもよく、Ｒ13は水
素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリ−ル
基、アラルキル基または複素環基を表わし、Ｒ14は置換
基を有してもよいアルキル基、アリ−ル基、アラルキル
基または複素環基を表わし、Ｙは置換基を有してもよい
２価の芳香族炭化水素または窒素原子を環内に含む２価
の複素環基を表わす。
【００１３】具体的にはＲ11〜Ｒ14の定義において、ア
ルキル基としてはメチル、エチル、プロピルなどの基、
アリ−ル基としてはフェニル、ナフチル、アンスリルな
どの基、アラルキル基としてはベンジル、フェネチルな
どの基、複素環基としてはピリジル、チオニル、チアゾ
イル、カルバゾイル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチア
ゾリルなどの基、窒素原子とともに形成する環としては
ピロ−ル、ピロリン、ピリジン、インド−ル、インドリ
ン、カルバゾ−ル、イミダゾ−ル、ピラゾ−ル、ピラゾ
リン、オキサジン、フェノキサジンなどの基が挙げられ
る。
ルキル基としてはメチル、エチル、プロピルなどの基、
アリ−ル基としてはフェニル、ナフチル、アンスリルな
どの基、アラルキル基としてはベンジル、フェネチルな
どの基、複素環基としてはピリジル、チオニル、チアゾ
イル、カルバゾイル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチア
ゾリルなどの基、窒素原子とともに形成する環としては
ピロ−ル、ピロリン、ピリジン、インド−ル、インドリ
ン、カルバゾ−ル、イミダゾ−ル、ピラゾ−ル、ピラゾ
リン、オキサジン、フェノキサジンなどの基が挙げられ
る。
【００１４】Ｙの定義において、２価の芳香族炭化水素
基または窒素原子を環内に含む２価の複素環基の具体例
としてはｏ−フェニレン、ｏ−ナフチレン、ペリナフチ
レン、１，２−アンスリレン、３，４−ピラゾ−ルジイ
ル、２，３−ピリジンジイル、４，５−ピリジンジイ
ル、６，７−インダゾ−ルジイル、６，７−キノリンジ
イルなどの２価の基が挙げられる。
基または窒素原子を環内に含む２価の複素環基の具体例
としてはｏ−フェニレン、ｏ−ナフチレン、ペリナフチ
レン、１，２−アンスリレン、３，４−ピラゾ−ルジイ
ル、２，３−ピリジンジイル、４，５−ピリジンジイ
ル、６，７−インダゾ−ルジイル、６，７−キノリンジ
イルなどの２価の基が挙げられる。
【００１６】また、上記基における置換基としてはフッ
素、塩素、ヨウ素、臭素などのハロゲン原子、メチル、
エチル、プロピルなどのアルキル基、メトキシ、エトキ
シなどのアルコキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミ
ノなどのアルキルアミノ基、フェニルカルバモイル基、
ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチルなどのハロメ
チル基などが挙げられる。
素、塩素、ヨウ素、臭素などのハロゲン原子、メチル、
エチル、プロピルなどのアルキル基、メトキシ、エトキ
シなどのアルコキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミ
ノなどのアルキルアミノ基、フェニルカルバモイル基、
ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチルなどのハロメ
チル基などが挙げられる。
【００１７】本発明におけるジスアゾ顔料の代表例を表
１〜３１に挙げるが、本発明におけるジスアゾ顔料はこ
れらに限定されるものではない。なお、例示顔料は、基
本型において、変化する部分のみを記載することで具体
的構造を表わすこととする。
１〜３１に挙げるが、本発明におけるジスアゾ顔料はこ
れらに限定されるものではない。なお、例示顔料は、基
本型において、変化する部分のみを記載することで具体
的構造を表わすこととする。
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
【表６】
【表７】
【表８】
【表９】
【表１０】
【表１１】
【表１２】
【表１３】
【表１４】
【表１５】
【表１６】
【表１７】
【表１８】
【表１９】
【表２０】
【表２１】
【表２２】
【表２３】
【表２４】
【表２５】
【表２６】
【表２７】
【表２８】
【表２９】
【表３０】
【表３１】
【００１４】前記一般式（１）または（９）で示すジス
アゾ顔料は、相当するアミンを常法によりテトラゾ化
し、アルカリの存在下カプラ−と水系でカップリングす
るか、テトラゾニウム塩をホウフッ化塩や塩化亜鉛複塩
などに変換した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシドなどの有機溶剤中で酢酸ソ−ダ、ト
リエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリンなどの塩基の存
在下カプラ−とカップリングすることにより容易に合成
できる。一般式（１）または（９）におけるＡ1とＡ2
が相異なるカプラ−殘基であるジスアゾ顔料およびＡ3
とＡ4 が相異なるカプラ−殘基であるジスアゾ顔料を合
成する場合は、前述のテトラゾニウム塩１モルに対し、
初めに一方のカプラ−１モルをカップリングさせ、次い
で、他方のカプラ−１モルをカップリングさせて合成す
るか、あるいはジアミンの一方のアミノ基をアセチル基
などで保護しておき、これをジアゾ化し、他方のカプラ
−をカップリングさせた後、保護基を塩酸などで加水分
解し、これを再びジアゾ化し、一方のカプラ−をカップ
リングさせて合成できる。
アゾ顔料は、相当するアミンを常法によりテトラゾ化
し、アルカリの存在下カプラ−と水系でカップリングす
るか、テトラゾニウム塩をホウフッ化塩や塩化亜鉛複塩
などに変換した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシドなどの有機溶剤中で酢酸ソ−ダ、ト
リエチルアミン、Ｎ−メチルモルホリンなどの塩基の存
在下カプラ−とカップリングすることにより容易に合成
できる。一般式（１）または（９）におけるＡ1とＡ2
が相異なるカプラ−殘基であるジスアゾ顔料およびＡ3
とＡ4 が相異なるカプラ−殘基であるジスアゾ顔料を合
成する場合は、前述のテトラゾニウム塩１モルに対し、
初めに一方のカプラ−１モルをカップリングさせ、次い
で、他方のカプラ−１モルをカップリングさせて合成す
るか、あるいはジアミンの一方のアミノ基をアセチル基
などで保護しておき、これをジアゾ化し、他方のカプラ
−をカップリングさせた後、保護基を塩酸などで加水分
解し、これを再びジアゾ化し、一方のカプラ−をカップ
リングさせて合成できる。
【００１５】合成例１（顔料１の合成） ３００ミリリットルビ−カ−に水１５０ミリリットル、
濃塩酸２０ミリリットル（０．２３モル）と下記のジア
ミン化合物８．５ｇ（０．０３２モル）
濃塩酸２０ミリリットル（０．２３モル）と下記のジア
ミン化合物８．５ｇ（０．０３２モル）
【化２５】 を入れ、０℃まで冷却し、亜硝酸ソ−ダ４．６ｇ（０．
０６７モル）を水１０ミリリットルに溶解した液を、液
温を５℃以下に保ちながら１０分間で滴下した。１５分
間撹拌した後、カ−ボン濾過し、この溶液中にホウフッ
化ソ−ダ１０．５ｇ（０．０９６モル）を水９０ミリリ
ットルに溶かし液を滴下し、析出したホウフッ化塩を濾
取し、冷水で洗浄した後、アセトニトリルで洗浄し、室
温で減圧乾燥した。収量１２．６ｇ、収率８５％
０６７モル）を水１０ミリリットルに溶解した液を、液
温を５℃以下に保ちながら１０分間で滴下した。１５分
間撹拌した後、カ−ボン濾過し、この溶液中にホウフッ
化ソ−ダ１０．５ｇ（０．０９６モル）を水９０ミリリ
ットルに溶かし液を滴下し、析出したホウフッ化塩を濾
取し、冷水で洗浄した後、アセトニトリルで洗浄し、室
温で減圧乾燥した。収量１２．６ｇ、収率８５％
【００１６】次に、１リットルビ−カ−にＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド５００ミリリットルを入れ、カプラ−
チルホルムアミド５００ミリリットルを入れ、カプラ−
【化２６】 １２．９ｇ（０．０４２モル）を溶解し液温を５℃に冷
却した後、先に得たホウフッ化塩９．３ｇ（０．０２０
モル）を溶解し、次いでトリエチルアミン５．１ｇ
（０．０５０モル）を５分間で滴下した。２時間撹拌
後、析出した顔料を濾取し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミドで４回、水で３回洗浄した後凍結乾燥した。収量１
６．９ｇ、収率９４％
却した後、先に得たホウフッ化塩９．３ｇ（０．０２０
モル）を溶解し、次いでトリエチルアミン５．１ｇ
（０．０５０モル）を５分間で滴下した。２時間撹拌
後、析出した顔料を濾取し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミドで４回、水で３回洗浄した後凍結乾燥した。収量１
６．９ｇ、収率９４％
【００１７】合成例２（顔料５５の合成） ３００ミリリットルビ−カ−に水１５０ミリリットル、
濃塩酸２０ミリリットル（０．２３モル）と下記のジア
ミン化合物１０．５ｇ（０．０３２モル）
濃塩酸２０ミリリットル（０．２３モル）と下記のジア
ミン化合物１０．５ｇ（０．０３２モル）
【化２７】 を入れ、０℃まで冷却し、亜硝酸ソ−ダ４．６ｇ（０．
０６７モル）を水１０ミリリットルに溶解した液を、液
温を５℃以下に保ちながら１０分間で液中へ滴下した。
１５分間撹拌した後、カ−ボン濾過し、この溶液中にホ
ウフッ化ソ−ダ１０．５ｇ（０．０９６モル）を水９０
ミリリットルに溶かし液を滴下し、析出したホウフッ化
塩を濾取し、冷水で洗浄した後、アセトニトリルで洗浄
し、室温で減圧乾燥した。収量１３．７ｇ、収率８１％
０６７モル）を水１０ミリリットルに溶解した液を、液
温を５℃以下に保ちながら１０分間で液中へ滴下した。
１５分間撹拌した後、カ−ボン濾過し、この溶液中にホ
ウフッ化ソ−ダ１０．５ｇ（０．０９６モル）を水９０
ミリリットルに溶かし液を滴下し、析出したホウフッ化
塩を濾取し、冷水で洗浄した後、アセトニトリルで洗浄
し、室温で減圧乾燥した。収量１３．７ｇ、収率８１％
【００１８】次に、１リットルビ−カ−にＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド５００ミリリットルを入れ、カプラ−
チルホルムアミド５００ミリリットルを入れ、カプラ−
【化２８】 １２．９ｇ（０．０４２モル）を溶解し液温を５℃に冷
却した後、先に得たホウフッ化塩１０．５ｇ（０．０２
０モル）を溶解し、次いでトリエチルアミン５．１ｇ
（０．０５０モル）を５分間で滴下した。２時間撹拌し
た後析出した顔料を濾取し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミドで４回、水で３回洗浄した後凍結乾燥した。収量１
７．９ｇ、収率９３％
却した後、先に得たホウフッ化塩１０．５ｇ（０．０２
０モル）を溶解し、次いでトリエチルアミン５．１ｇ
（０．０５０モル）を５分間で滴下した。２時間撹拌し
た後析出した顔料を濾取し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミドで４回、水で３回洗浄した後凍結乾燥した。収量１
７．９ｇ、収率９３％
【００１７】本発明の電子写真感光体は、導電性支持体
上に一般式（１）で示すジスアゾ顔料を含有する感光層
を有する。感光層の形態は公知のいかなる形態を採って
もよいが、一般式（１）で示すジスアゾ顔料を含有する
層を電荷発生層とし、これに電荷輸送物質を含有する電
荷輸送層を積層した機能分離型の感光層が特に好まし
い。
上に一般式（１）で示すジスアゾ顔料を含有する感光層
を有する。感光層の形態は公知のいかなる形態を採って
もよいが、一般式（１）で示すジスアゾ顔料を含有する
層を電荷発生層とし、これに電荷輸送物質を含有する電
荷輸送層を積層した機能分離型の感光層が特に好まし
い。
【００１８】電荷発生層は、前記のジスアゾ顔料を適当
な溶剤中でバインダ−樹脂と共に分散した塗布液を、導
電性支持体上に公知の方法によって塗布することによっ
て形成することができ、その膜厚は５μｍ以下、好まし
くは０．１〜１μｍの薄膜層とすることが望ましい。こ
の際用いられるバインダー樹脂は、広範な絶縁性樹脂あ
るいは有機光導電性ポリマ−から選択されるが、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルベンザ−ル、ポリアリレー
ト、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹
脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタンな
どが好ましく、その使用量は、電荷発生層中の含有率で
８０重量％以下、好ましくは４０重量％以下である。ま
た使用する溶剤は前記の樹脂を溶解し、後述の電荷輸送
層や下引層を溶解しないものから選択することが好まし
い。具体的には、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキ
サンなどのエ−テル類、シクロヘキサノン、メチルエチ
ルケトンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ドなどのアミド類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエス
テル類、トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどの芳
香族類、メタノール、エタノール、２−プロパノールな
どのアルコール類、クロロホルム、塩化メチレン、ジク
ロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの
脂肪族ハロゲン化炭化水素類など挙げられる。
な溶剤中でバインダ−樹脂と共に分散した塗布液を、導
電性支持体上に公知の方法によって塗布することによっ
て形成することができ、その膜厚は５μｍ以下、好まし
くは０．１〜１μｍの薄膜層とすることが望ましい。こ
の際用いられるバインダー樹脂は、広範な絶縁性樹脂あ
るいは有機光導電性ポリマ−から選択されるが、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルベンザ−ル、ポリアリレー
ト、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹
脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタンな
どが好ましく、その使用量は、電荷発生層中の含有率で
８０重量％以下、好ましくは４０重量％以下である。ま
た使用する溶剤は前記の樹脂を溶解し、後述の電荷輸送
層や下引層を溶解しないものから選択することが好まし
い。具体的には、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキ
サンなどのエ−テル類、シクロヘキサノン、メチルエチ
ルケトンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ドなどのアミド類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエス
テル類、トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどの芳
香族類、メタノール、エタノール、２−プロパノールな
どのアルコール類、クロロホルム、塩化メチレン、ジク
ロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの
脂肪族ハロゲン化炭化水素類など挙げられる。
【００１９】電荷輸送層は電荷発生層の上または下に積
層され、電荷輸送物質を必要に応じて適当なバインダ−
樹脂と共に溶剤中に溶解し塗布することによって形成さ
れ、その膜厚は一般的には５〜４０μｍであるが１５〜
３０μｍが好ましい。
層され、電荷輸送物質を必要に応じて適当なバインダ−
樹脂と共に溶剤中に溶解し塗布することによって形成さ
れ、その膜厚は一般的には５〜４０μｍであるが１５〜
３０μｍが好ましい。
【００２０】電荷輸送物質は電子輸送性物質と正孔輸送
性物質があり、電子輸送性物質としては、例えば２，
４，７ートリニトロフルオレノン、２，４，５，７ーテ
トラニトロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキ
ノジメタンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物
質を高分子化したものなどが挙げられる。正孔輸送性物
質としてはピレン、アントラセンなどの多環芳香族化合
物、カルバゾール系、インド−ル系、イミダゾ−ル系、
オキサゾ−ル系、チアゾ−ル系、オキサジアゾ−ル系、
ピラゾ−ル系、ピラゾリン系、チアジアゾ−ル系、トリ
アゾ−ル系化合物などの複素環化合物、ｐージエチルア
ミノベンズアルデヒドーＮ，Ｎージフェニルヒドラゾ
ン、Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−
９−エチルカルバゾ−ルなどのヒドラゾン系化合物、ト
リ−ｐ−トリルアミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）
−ビフェニル、２−（ジ−ｐ−トリル）−アミノ−９，
９’−ジメチルフルオレン、１−ジ−ｐ−トリル−アミ
ノピレンなどのトリアリ−ルアミン系化合物、α−フェ
ニル−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン、５
−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）ベンジリデン］−５
Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテンなどのスチリル
系化合物、ベンジジン系化合物、トリアリ−ルメタン系
化合物、トリフェニルアミンあるいは、これらの化合物
から成る基を主鎖または側鎖に有するポリマ−（例えば
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ−ル、ポリビニルアントラセ
ンなど）が挙げられる。これらの有機電荷輸送物質の他
にセレン、セレンーテルル、アモルファスシリコン、硫
化カドミウムなどの無機材料も用いることができる。ま
た、これらの電荷輸送物質は１種または２種以上組合せ
て用いることができる。電荷輸送物質が成膜性を有して
いないときには適当なバインダーを用いることができ
る。具体的には、アクリル樹脂、ポリアリレート、ポリ
エステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリロ
ニトリルースチレンコポリマー、ポリアクリルアミド、
ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるいはポリ
ーＮービニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンな
どの有機光導電性ポリマーなどが挙げられる。
性物質があり、電子輸送性物質としては、例えば２，
４，７ートリニトロフルオレノン、２，４，５，７ーテ
トラニトロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキ
ノジメタンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物
質を高分子化したものなどが挙げられる。正孔輸送性物
質としてはピレン、アントラセンなどの多環芳香族化合
物、カルバゾール系、インド−ル系、イミダゾ−ル系、
オキサゾ−ル系、チアゾ−ル系、オキサジアゾ−ル系、
ピラゾ−ル系、ピラゾリン系、チアジアゾ−ル系、トリ
アゾ−ル系化合物などの複素環化合物、ｐージエチルア
ミノベンズアルデヒドーＮ，Ｎージフェニルヒドラゾ
ン、Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−
９−エチルカルバゾ−ルなどのヒドラゾン系化合物、ト
リ−ｐ−トリルアミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）
−ビフェニル、２−（ジ−ｐ−トリル）−アミノ−９，
９’−ジメチルフルオレン、１−ジ−ｐ−トリル−アミ
ノピレンなどのトリアリ−ルアミン系化合物、α−フェ
ニル−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン、５
−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）ベンジリデン］−５
Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｄ］シクロヘプテンなどのスチリル
系化合物、ベンジジン系化合物、トリアリ−ルメタン系
化合物、トリフェニルアミンあるいは、これらの化合物
から成る基を主鎖または側鎖に有するポリマ−（例えば
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ−ル、ポリビニルアントラセ
ンなど）が挙げられる。これらの有機電荷輸送物質の他
にセレン、セレンーテルル、アモルファスシリコン、硫
化カドミウムなどの無機材料も用いることができる。ま
た、これらの電荷輸送物質は１種または２種以上組合せ
て用いることができる。電荷輸送物質が成膜性を有して
いないときには適当なバインダーを用いることができ
る。具体的には、アクリル樹脂、ポリアリレート、ポリ
エステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリロ
ニトリルースチレンコポリマー、ポリアクリルアミド、
ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるいはポリ
ーＮービニルカルバゾール、ポリビニルアントラセンな
どの有機光導電性ポリマーなどが挙げられる。
【００２１】感光層が形成される導電性支持体として
は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜
鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チ
タン、ニッケル、インジウム、金や白金などが用いられ
る。またこうした金属あるいは合金を、真空蒸着法によ
って被膜形成したプラスチック（例えばポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフ
タレート、アクリル樹脂など）や導電性粒子（例えばカ
ーボンブラック、銀粒子など）を適当なバインダー樹脂
と共にプラスチックまたは金属基板上に被覆した支持体
あるいは導電性粒子をプラスチックや紙に含浸した支持
体などを用いることができる。
は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜
鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チ
タン、ニッケル、インジウム、金や白金などが用いられ
る。またこうした金属あるいは合金を、真空蒸着法によ
って被膜形成したプラスチック（例えばポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフ
タレート、アクリル樹脂など）や導電性粒子（例えばカ
ーボンブラック、銀粒子など）を適当なバインダー樹脂
と共にプラスチックまたは金属基板上に被覆した支持体
あるいは導電性粒子をプラスチックや紙に含浸した支持
体などを用いることができる。
【００２２】導電性支持体と感光層の中間にバリヤー機
能と接着機能をもつ下引き層を設けることもできる。下
引き層はカゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセル
ロース、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイ
ロン６１０、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど）、ポリウレタン、酸化アルミニウムなどによ
って形成できる。下引き層の膜厚は５μｍ以下、好まし
くは０．１〜３μｍである。
能と接着機能をもつ下引き層を設けることもできる。下
引き層はカゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセル
ロース、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイ
ロン６１０、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど）、ポリウレタン、酸化アルミニウムなどによ
って形成できる。下引き層の膜厚は５μｍ以下、好まし
くは０．１〜３μｍである。
【００２３】本発明の別の具体例として、一般式（１）
または（９）で示すジスアゾ顔料と電荷輸送物質を同一
層に含有させた電子写真感光体を挙げることができる。
この際電荷輸送物質としてポリーＮービニルカルバゾー
ルとトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯体を用
いることもできる。この例の電子写真感光体は、一般式
（１）または（９）で示すジスアゾ顔料と電荷移動錯体
を適当な樹脂溶液中に分散させた液を塗布乾燥して形成
することができる。いずれの電子写真感光体において
も、一般式（１）または（９）で示すジスアゾ顔料の結
晶形は非晶質であっても結晶質であってもよく、また必
要に応じて一般式（１）または（９）で示すジスアゾ顔
料を２種類以上組み合せたり、公知の電荷発生物質と組
み合せて使用することも可能である。
または（９）で示すジスアゾ顔料と電荷輸送物質を同一
層に含有させた電子写真感光体を挙げることができる。
この際電荷輸送物質としてポリーＮービニルカルバゾー
ルとトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯体を用
いることもできる。この例の電子写真感光体は、一般式
（１）または（９）で示すジスアゾ顔料と電荷移動錯体
を適当な樹脂溶液中に分散させた液を塗布乾燥して形成
することができる。いずれの電子写真感光体において
も、一般式（１）または（９）で示すジスアゾ顔料の結
晶形は非晶質であっても結晶質であってもよく、また必
要に応じて一般式（１）または（９）で示すジスアゾ顔
料を２種類以上組み合せたり、公知の電荷発生物質と組
み合せて使用することも可能である。
【００２４】本発明の電子写真感光体は電子写真複写機
に利用するのみならず、レーザービ−ムプリンター、Ｃ
ＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター、
レーザー製版、ファクシミリなどの電子写真応用分野に
も広く用いることができる。
に利用するのみならず、レーザービ−ムプリンター、Ｃ
ＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、液晶プリンター、
レーザー製版、ファクシミリなどの電子写真応用分野に
も広く用いることができる。
【００２５】また、本発明は、前記本発明の電子写真感
光体を備えた電子写真装置から構成される。
光体を備えた電子写真装置から構成される。
【００２６】また、本発明は、前記本発明の電子写真感
光体を備えた電子写真装置およびリモ−ト端末からの画
像情報を受信する手段を有するファクシミリから構成さ
れる。
光体を備えた電子写真装置およびリモ−ト端末からの画
像情報を受信する手段を有するファクシミリから構成さ
れる。
【００２７】次に、本発明の電子写真感光体を備えた電
子写真装置並びにファクシミリについて説明する。図１
に本発明のドラム型感光体を用いた一般的な転写式電子
写真装置の概略構成を示した。図において、１は像担持
体としてのドラム型感光体であり軸１ａを中心に矢印方
向に所定の周速度で回転駆動される。該感光体１はその
回転過程で帯電手段２によりその周面に正または負の所
定電位の均一帯電を受け、次いで露光部３にて不図示の
像露光手段により光像露光Ｌ（スリット露光・レ−ザ−
ビ−ム走査露光など）を受ける。これにより感光体周面
に露光像に対応した静電潜像が順次形成されていく。そ
の静電潜像は、次いで現像手段４でトナ−現像され、そ
のトナ−現像像が転写手段５により不図示の給紙部から
感光体１と転写手段５との間に感光体１の回転と同期取
りされて給送された転写材Ｐの面に順次転写されてい
く。像転写を受けた転写材Ｐは感光体面から分離されて
像定着手段８へ導入されて像定着を受けて複写物（コピ
−）として機外へプリントアウトされる。像転写後の感
光体１の表面はクリ−ニング手段６にて転写残りトナ−
の除去を受けて清浄面化され、前露光手段７により除電
処理がされて繰り返して像形成に使用される。感光体１
の均一帯電手段２としてはコロナ帯電装置が一般に広く
使用されている。また、転写装置５もコロナ転写手段が
一般に広く使用されている。電子写真装置として、上述
の感光体や現像手段、クリ−ニング手段などの構成要素
のうち、複数のものを装置ユニットとして一体に結合し
て構成し、このユニットを装置本体に対して着脱自在に
構成しても良い。例えば、感光体１とクリ−ニング手段
６とを一体化して一つの装置ユニットとし、装置本体の
レ−ルなどの案内手段を用いて着脱自在の構成にしても
よい。このとき、上記の装置ユニットのほうに帯電手段
および／または現像手段を伴って構成してもよい。ま
た、光像露光Ｌは、電子写真装置を複写機やプリンタ−
として使用する場合には、原稿からの反射光や透過光、
あるいは、原稿を読み取り信号化し、この信号によりレ
−ザ−ビ−ムの走査、発光ダイオ−ドアレイの駆動、ま
たは液晶シャッタ−アレイの駆動などにより行われる。
子写真装置並びにファクシミリについて説明する。図１
に本発明のドラム型感光体を用いた一般的な転写式電子
写真装置の概略構成を示した。図において、１は像担持
体としてのドラム型感光体であり軸１ａを中心に矢印方
向に所定の周速度で回転駆動される。該感光体１はその
回転過程で帯電手段２によりその周面に正または負の所
定電位の均一帯電を受け、次いで露光部３にて不図示の
像露光手段により光像露光Ｌ（スリット露光・レ−ザ−
ビ−ム走査露光など）を受ける。これにより感光体周面
に露光像に対応した静電潜像が順次形成されていく。そ
の静電潜像は、次いで現像手段４でトナ−現像され、そ
のトナ−現像像が転写手段５により不図示の給紙部から
感光体１と転写手段５との間に感光体１の回転と同期取
りされて給送された転写材Ｐの面に順次転写されてい
く。像転写を受けた転写材Ｐは感光体面から分離されて
像定着手段８へ導入されて像定着を受けて複写物（コピ
−）として機外へプリントアウトされる。像転写後の感
光体１の表面はクリ−ニング手段６にて転写残りトナ−
の除去を受けて清浄面化され、前露光手段７により除電
処理がされて繰り返して像形成に使用される。感光体１
の均一帯電手段２としてはコロナ帯電装置が一般に広く
使用されている。また、転写装置５もコロナ転写手段が
一般に広く使用されている。電子写真装置として、上述
の感光体や現像手段、クリ−ニング手段などの構成要素
のうち、複数のものを装置ユニットとして一体に結合し
て構成し、このユニットを装置本体に対して着脱自在に
構成しても良い。例えば、感光体１とクリ−ニング手段
６とを一体化して一つの装置ユニットとし、装置本体の
レ−ルなどの案内手段を用いて着脱自在の構成にしても
よい。このとき、上記の装置ユニットのほうに帯電手段
および／または現像手段を伴って構成してもよい。ま
た、光像露光Ｌは、電子写真装置を複写機やプリンタ−
として使用する場合には、原稿からの反射光や透過光、
あるいは、原稿を読み取り信号化し、この信号によりレ
−ザ−ビ−ムの走査、発光ダイオ−ドアレイの駆動、ま
たは液晶シャッタ−アレイの駆動などにより行われる。
【００２８】また、ファクシミリのプリンタ−として使
用する場合には、光像露光Ｌは受信デ−タをプリントす
るための露光になる。図２は、この場合の１例をブロッ
ク図で示したものである。コントロ−ラ１０は画像読取
部９とプリンタ−１８を制御する。コントロ−ラ１０の
全体はＣＰＵ１６により制御されている。画像読取部か
らの読取りデ−タは、送信回路１２を通して相手局に送
信される。相手局から受けたデ−タは受信回路１１を通
してプリンタ−１８に送られる。画像メモリには所定の
画像デ−タが記憶される。プリンタコントロ−ラ１７は
プリンタ−１８を制御している。１３は電話である。回
線１４から受信された画像（回線を介して接続されたリ
モ−ト端末からの画像情報）は、受信回路１１で復調さ
れた後、ＣＰＵ１６は画像情報の信号処理を行い順次画
像メモリ１５に格納される。そして、少なくとも１ペ−
ジの画像がメモリ１５に格納されると、そのペ−ジの画
像記憶を行う。ＣＰＵ１６は、メモリ１５より１ペ−ジ
の画像情報を読み出しプリンタコントロ−ラ１７に信号
化された１ペ−ジの画像情報を送出する。プリンタコン
トロ−ラ１７は、ＣＰＵ１６からの１ペ−ジの画像情報
を受け取るとそのペ−ジの画像情報記録を行うべく、プ
リンタ１８を制御する。なお、ＣＰＵ１６は、プリンタ
１８による記録中に、次のペ−ジの受信を行っている。
以上のように、画像の受信と記録が行われる。
用する場合には、光像露光Ｌは受信デ−タをプリントす
るための露光になる。図２は、この場合の１例をブロッ
ク図で示したものである。コントロ−ラ１０は画像読取
部９とプリンタ−１８を制御する。コントロ−ラ１０の
全体はＣＰＵ１６により制御されている。画像読取部か
らの読取りデ−タは、送信回路１２を通して相手局に送
信される。相手局から受けたデ−タは受信回路１１を通
してプリンタ−１８に送られる。画像メモリには所定の
画像デ−タが記憶される。プリンタコントロ−ラ１７は
プリンタ−１８を制御している。１３は電話である。回
線１４から受信された画像（回線を介して接続されたリ
モ−ト端末からの画像情報）は、受信回路１１で復調さ
れた後、ＣＰＵ１６は画像情報の信号処理を行い順次画
像メモリ１５に格納される。そして、少なくとも１ペ−
ジの画像がメモリ１５に格納されると、そのペ−ジの画
像記憶を行う。ＣＰＵ１６は、メモリ１５より１ペ−ジ
の画像情報を読み出しプリンタコントロ−ラ１７に信号
化された１ペ−ジの画像情報を送出する。プリンタコン
トロ−ラ１７は、ＣＰＵ１６からの１ペ−ジの画像情報
を受け取るとそのペ−ジの画像情報記録を行うべく、プ
リンタ１８を制御する。なお、ＣＰＵ１６は、プリンタ
１８による記録中に、次のペ−ジの受信を行っている。
以上のように、画像の受信と記録が行われる。
【００２９】
実施例１〜２０ アルミ支持体上にメトキシメチル化ナイロン（重量平均
分子量３万２千）５ｇとアルコ−ル可溶性共重合ナイロ
ン（重量平均分子量２万９千）１０ｇをメタノ−ル９５
ｇに溶解した液をマイヤ−バ−で塗布し、乾燥後の膜厚
が１μｍの下引き層を形成した。
分子量３万２千）５ｇとアルコ−ル可溶性共重合ナイロ
ン（重量平均分子量２万９千）１０ｇをメタノ−ル９５
ｇに溶解した液をマイヤ−バ−で塗布し、乾燥後の膜厚
が１μｍの下引き層を形成した。
【００３０】次に、顔料１の５ｇをシクロヘキサノン９
５ｇにポリビニルベンザ−ル（ベンザ−ル化度７５％以
上）２ｇを溶かした液に加えサンドミルで２０時間分散
した。この分散液を先に形成した下引き層の上に乾燥後
の膜厚が０．２μｍとなるようにマイヤ−バ−で塗布し
乾燥して電荷発生層を形成した。
５ｇにポリビニルベンザ−ル（ベンザ−ル化度７５％以
上）２ｇを溶かした液に加えサンドミルで２０時間分散
した。この分散液を先に形成した下引き層の上に乾燥後
の膜厚が０．２μｍとなるようにマイヤ−バ−で塗布し
乾燥して電荷発生層を形成した。
【００３１】次に、下記構造式で示すスチリル化合物５
ｇと
ｇと
【化２９】 ポリメチルメタクリレ−ト（数平均分子量１０万）５ｇ
をクロロベンゼン４０ｇに溶解し、これを電荷発生層の
上に乾燥後の膜厚が２０μｍとなるようにマイヤ−バ−
で塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成し、実施例１の電
子写真感光体を作成した。
をクロロベンゼン４０ｇに溶解し、これを電荷発生層の
上に乾燥後の膜厚が２０μｍとなるようにマイヤ−バ−
で塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成し、実施例１の電
子写真感光体を作成した。
【００３２】顔料１に代えて他の顔料を用い、実施例２
〜２０に対応する電子写真感光体を全く同様にして作成
した。
〜２０に対応する電子写真感光体を全く同様にして作成
した。
【００２９】実施例２１〜３２ 顔料５５を用いた他は、実施例１と同様にしてアルミ支
持体上に下引き層と電荷発生層までを形成した。
持体上に下引き層と電荷発生層までを形成した。
【００３１】次に、下記構造式で示すヒドラゾン化合物
５ｇと
５ｇと
【化３０】 ポリメチルメタクリレ−ト（重量平均分子量１０万）５
ｇをクロロベンゼン４０ｇに溶解し、これを電荷発生層
の上に乾燥後の膜厚が２０μｍとなるようにマイヤ−バ
−で塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成し、実施例２１
の電子写真感光体を作成した。
ｇをクロロベンゼン４０ｇに溶解し、これを電荷発生層
の上に乾燥後の膜厚が２０μｍとなるようにマイヤ−バ
−で塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成し、実施例２１
の電子写真感光体を作成した。
【００３２】顔料５５に代えて他の顔料を用い、実施例
２２〜３２に対応する電子写真感光体を全く同様にして
作成した。
２２〜３２に対応する電子写真感光体を全く同様にして
作成した。
【００３３】作成した電子写真感光体を川口電機（株）
製、静電複写紙試験装置ＭｏｄｅｌＳＰ−４２８を用い
て−５ＫＶのコロナ放電で負に帯電し、暗所で１秒間保
持した後、ハロゲンランプを用い照度１０ルックスで露
光し、帯電特性を評価した。帯電特性としては、表面電
位（Ｖ0 ）と暗所放置後の表面電位が１／２に減衰する
に必要な露光量（Ｅ１／２）を測定した。結果を示す。
製、静電複写紙試験装置ＭｏｄｅｌＳＰ−４２８を用い
て−５ＫＶのコロナ放電で負に帯電し、暗所で１秒間保
持した後、ハロゲンランプを用い照度１０ルックスで露
光し、帯電特性を評価した。帯電特性としては、表面電
位（Ｖ0 ）と暗所放置後の表面電位が１／２に減衰する
に必要な露光量（Ｅ１／２）を測定した。結果を示す。
【００３４】実施例１ 顔料１ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：２．８ルッ
クス・秒 実施例２ 顔料３ Ｖ0 ：−７１０Ｖ、Ｅ１／２：２．６ルッ
クス・秒 実施例３ 顔料６ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：２．２ルッ
クス・秒 実施例４ 顔料７ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：２．７ルッ
クス・秒 実施例５ 顔料９ Ｖ0 ：−６９０Ｖ、Ｅ１／２：３．０ルッ
クス・秒 実施例６ 顔料１０ Ｖ0 ：−７１０Ｖ、Ｅ１／２：３．２ルッ
クス・秒 実施例７ 顔料１２ Ｖ0 ：−７２０Ｖ、Ｅ１／２：４．０ルッ
クス・秒 実施例８ 顔料１４ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：２．６ルッ
クス・秒 実施例９ 顔料１５ Ｖ0 ：−７１０Ｖ、Ｅ１／２：２．８ルッ
クス・秒 実施例１０ 顔料２５ Ｖ0 ：−７１０Ｖ、Ｅ１／２：３．０ルッ
クス・秒 実施例１１ 顔料２６ Ｖ0 ：−６９０Ｖ、Ｅ１／２：２．９ルッ
クス・秒 実施例１２ 顔料３１ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：３．２ルッ
クス・秒 実施例１３ 顔料３４ Ｖ0 ：−７２０Ｖ、Ｅ１／２：３．２ルッ
クス・秒 実施例１４ 顔料３６ Ｖ0 ：−６８０Ｖ、Ｅ１／２：４．０ルッ
クス・秒 実施例１５ 顔料３８ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：３．４ルッ
クス・秒 実施例１６ 顔料４１ Ｖ0 ：−７１０Ｖ、Ｅ１／２：２．６ルッ
クス・秒 実施例１７ 顔料４５ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：３．４ルッ
クス・秒 実施例１８ 顔料４６ Ｖ0 ：−７２０Ｖ、Ｅ１／２：４．４ルッ
クス・秒 実施例１９ 顔料５０ Ｖ0 ：−６９０Ｖ、Ｅ１／２：２．８ルッ
クス・秒 実施例２０ 顔料５３ Ｖ0 ：−７１０Ｖ、Ｅ１／２：３．４ルッ
クス・秒 実施例２１ 顔料５５ Ｖ0 ：−６９１Ｖ、Ｅ１／２：１．６７ル
ックス・秒 実施例２２ 顔料５６ Ｖ0 ：−６８２Ｖ、Ｅ１／２：２．３８ル
ックス・秒 実施例２３ 顔料６２ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：１．５１ル
ックス・秒 実施例２４ 顔料６４ Ｖ0 ：−７０４Ｖ、Ｅ１／２：２．１０ル
ックス・秒 実施例２５ 顔料６７ Ｖ0 ：−７０１Ｖ、Ｅ１／２：１．３２ル
ックス・秒 実施例２６ 顔料６８ Ｖ0 ：−６８０Ｖ、Ｅ１／２：１．３３ル
ックス・秒 実施例２７ 顔料７３ Ｖ0 ：−７１５Ｖ、Ｅ１／２：１．５０ル
ックス・秒 実施例２８ 顔料８６ Ｖ0 ：−６９０Ｖ、Ｅ１／２：１．４３ル
ックス・秒 実施例２９ 顔料９９ Ｖ0 ：−６９５Ｖ、Ｅ１／２：２．９０ル
ックス・秒 実施例３０ 顔料１０２ Ｖ0 ：−７０３Ｖ、Ｅ１／２：１．２０ル
ックス・秒 実施例３１ 顔料１０３ Ｖ0 ：−６９８Ｖ、Ｅ１／２：１．７４ル
ックス・秒 実施例３２ 顔料１０４ Ｖ0 ：−７０２Ｖ、Ｅ１／２：１．３５ル
ックス・秒
クス・秒 実施例２ 顔料３ Ｖ0 ：−７１０Ｖ、Ｅ１／２：２．６ルッ
クス・秒 実施例３ 顔料６ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：２．２ルッ
クス・秒 実施例４ 顔料７ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：２．７ルッ
クス・秒 実施例５ 顔料９ Ｖ0 ：−６９０Ｖ、Ｅ１／２：３．０ルッ
クス・秒 実施例６ 顔料１０ Ｖ0 ：−７１０Ｖ、Ｅ１／２：３．２ルッ
クス・秒 実施例７ 顔料１２ Ｖ0 ：−７２０Ｖ、Ｅ１／２：４．０ルッ
クス・秒 実施例８ 顔料１４ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：２．６ルッ
クス・秒 実施例９ 顔料１５ Ｖ0 ：−７１０Ｖ、Ｅ１／２：２．８ルッ
クス・秒 実施例１０ 顔料２５ Ｖ0 ：−７１０Ｖ、Ｅ１／２：３．０ルッ
クス・秒 実施例１１ 顔料２６ Ｖ0 ：−６９０Ｖ、Ｅ１／２：２．９ルッ
クス・秒 実施例１２ 顔料３１ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：３．２ルッ
クス・秒 実施例１３ 顔料３４ Ｖ0 ：−７２０Ｖ、Ｅ１／２：３．２ルッ
クス・秒 実施例１４ 顔料３６ Ｖ0 ：−６８０Ｖ、Ｅ１／２：４．０ルッ
クス・秒 実施例１５ 顔料３８ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：３．４ルッ
クス・秒 実施例１６ 顔料４１ Ｖ0 ：−７１０Ｖ、Ｅ１／２：２．６ルッ
クス・秒 実施例１７ 顔料４５ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：３．４ルッ
クス・秒 実施例１８ 顔料４６ Ｖ0 ：−７２０Ｖ、Ｅ１／２：４．４ルッ
クス・秒 実施例１９ 顔料５０ Ｖ0 ：−６９０Ｖ、Ｅ１／２：２．８ルッ
クス・秒 実施例２０ 顔料５３ Ｖ0 ：−７１０Ｖ、Ｅ１／２：３．４ルッ
クス・秒 実施例２１ 顔料５５ Ｖ0 ：−６９１Ｖ、Ｅ１／２：１．６７ル
ックス・秒 実施例２２ 顔料５６ Ｖ0 ：−６８２Ｖ、Ｅ１／２：２．３８ル
ックス・秒 実施例２３ 顔料６２ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：１．５１ル
ックス・秒 実施例２４ 顔料６４ Ｖ0 ：−７０４Ｖ、Ｅ１／２：２．１０ル
ックス・秒 実施例２５ 顔料６７ Ｖ0 ：−７０１Ｖ、Ｅ１／２：１．３２ル
ックス・秒 実施例２６ 顔料６８ Ｖ0 ：−６８０Ｖ、Ｅ１／２：１．３３ル
ックス・秒 実施例２７ 顔料７３ Ｖ0 ：−７１５Ｖ、Ｅ１／２：１．５０ル
ックス・秒 実施例２８ 顔料８６ Ｖ0 ：−６９０Ｖ、Ｅ１／２：１．４３ル
ックス・秒 実施例２９ 顔料９９ Ｖ0 ：−６９５Ｖ、Ｅ１／２：２．９０ル
ックス・秒 実施例３０ 顔料１０２ Ｖ0 ：−７０３Ｖ、Ｅ１／２：１．２０ル
ックス・秒 実施例３１ 顔料１０３ Ｖ0 ：−６９８Ｖ、Ｅ１／２：１．７４ル
ックス・秒 実施例３２ 顔料１０４ Ｖ0 ：−７０２Ｖ、Ｅ１／２：１．３５ル
ックス・秒
【００３５】比較例１〜４ 比較顔料１
【化３１】 比較顔料２
【化３２】 比較顔料３
【化３３】 比較顔料４
【化３４】
【００３５】実施例１で用いたジスアゾ顔料を比較顔料
１および２に代えた他は、実施例１とまったく同様にし
て電子写真感光体を作成し、同様に帯電特性を評価し
た。結果を示す。 比較例１ 比較顔料１ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：６．４ルッ
クス・秒 比較例２ 比較顔料２ Ｖ0 ：−７１６Ｖ、Ｅ１／２：６．０ルッ
クス・秒
１および２に代えた他は、実施例１とまったく同様にし
て電子写真感光体を作成し、同様に帯電特性を評価し
た。結果を示す。 比較例１ 比較顔料１ Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：６．４ルッ
クス・秒 比較例２ 比較顔料２ Ｖ0 ：−７１６Ｖ、Ｅ１／２：６．０ルッ
クス・秒
【００３５】実施例２１で用いたジスアゾ顔料を比較顔
料３および４に代えた他は、実施例２１とまったく同様
にして電子写真感光体を作成し、同様に帯電特性を評価
した。結果を示す。 比較例３ 比較顔料３ Ｖ0 ：−６６３Ｖ、Ｅ１／２：５．８ルッ
クス・秒 比較例４ 比較顔料４ Ｖ0 ：−６８５Ｖ、Ｅ１／２：４．９ルッ
クス・秒 この結果から、本発明の電子写真感光体は優れた感度を
有することが分かる。
料３および４に代えた他は、実施例２１とまったく同様
にして電子写真感光体を作成し、同様に帯電特性を評価
した。結果を示す。 比較例３ 比較顔料３ Ｖ0 ：−６６３Ｖ、Ｅ１／２：５．８ルッ
クス・秒 比較例４ 比較顔料４ Ｖ0 ：−６８５Ｖ、Ｅ１／２：４．９ルッ
クス・秒 この結果から、本発明の電子写真感光体は優れた感度を
有することが分かる。
【００３６】実施例３３〜３８ 実施例１で作成した電子写真感光体を−６．５ＫＶのコ
ロナ帯電器、露光光学系、現像器、転写帯電器、除電露
光光学系およびクリ−ナ−を備えた電子写真複写機のシ
リンダ−に貼り付けた。初期の暗部電位ＶD と明部電位
ＶL をそれぞれ−７００Ｖ、−２００Ｖ付近に設定し、
５千回繰り返し使用した際の暗部電位の変動量ΔＶD と
明部電位の変動量ΔＶL を測定した。
ロナ帯電器、露光光学系、現像器、転写帯電器、除電露
光光学系およびクリ−ナ−を備えた電子写真複写機のシ
リンダ−に貼り付けた。初期の暗部電位ＶD と明部電位
ＶL をそれぞれ−７００Ｖ、−２００Ｖ付近に設定し、
５千回繰り返し使用した際の暗部電位の変動量ΔＶD と
明部電位の変動量ΔＶL を測定した。
【００３６】実施例５、９、２５、２６および２８で作
成した電子写真感光体についても同様にして評価した。
結果を示す。なお、電位の変動量における負記号は電位
の絶対値の低下を表わし、正記号は電位の絶対値の増加
を表わす。
成した電子写真感光体についても同様にして評価した。
結果を示す。なお、電位の変動量における負記号は電位
の絶対値の低下を表わし、正記号は電位の絶対値の増加
を表わす。
【００３７】 実施例３３ ΔＶD ：−１０Ｖ、ΔＶL ：＋１５Ｖ 実施例３４ ΔＶD ：−１５Ｖ、ΔＶL ：＋２０Ｖ 実施例３５ ΔＶD ：−１０Ｖ、ΔＶL ：＋２０Ｖ 実施例３６ ΔＶD ： ０Ｖ、ΔＶL ： ＋５Ｖ 実施例３７ ΔＶD ： −１Ｖ、ΔＶL ： ＋７Ｖ 実施例３８ ΔＶD ： ０Ｖ、ΔＶL ： ＋４Ｖ
【００３８】比較例５〜７ 比較例１、２および３で作成した電子写真感光体につい
て、実施例３３と同様の方法により繰り返し使用時の電
位変動を測定した。結果を示す。 比較例５ ΔＶD ：−４０Ｖ、ΔＶL ：＋７５Ｖ 比較例６ ΔＶD ：−４５Ｖ、ΔＶL ：＋７０Ｖ 比較例７ ΔＶD ：−４３Ｖ、ΔＶL ：＋３１Ｖ 上記の結果から、本発明の電子写真感光体は繰り返し使
用時の電位変動が少ないことが分かる。
て、実施例３３と同様の方法により繰り返し使用時の電
位変動を測定した。結果を示す。 比較例５ ΔＶD ：−４０Ｖ、ΔＶL ：＋７５Ｖ 比較例６ ΔＶD ：−４５Ｖ、ΔＶL ：＋７０Ｖ 比較例７ ΔＶD ：−４３Ｖ、ΔＶL ：＋３１Ｖ 上記の結果から、本発明の電子写真感光体は繰り返し使
用時の電位変動が少ないことが分かる。
【００３９】実施例３９ アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレ−トフィルムのアル
ミ面上に膜厚０．５μｍのポリビニルアルコ−ルの下引
き層を形成した。この上に顔料１の５ｇをシクロヘキサ
ノン９５ｇにブチラ−ル樹脂（ブチラ−ル化度６３モル
％）２ｇを溶かした液に加え、サンドミルで２０時間分
散して調製した分散液を塗布乾燥して、膜厚０．２μｍ
の電荷発生層を形成した。
ミ面上に膜厚０．５μｍのポリビニルアルコ−ルの下引
き層を形成した。この上に顔料１の５ｇをシクロヘキサ
ノン９５ｇにブチラ−ル樹脂（ブチラ−ル化度６３モル
％）２ｇを溶かした液に加え、サンドミルで２０時間分
散して調製した分散液を塗布乾燥して、膜厚０．２μｍ
の電荷発生層を形成した。
【００３９】次いで下記構造式のヒドラゾン化合物５ｇ
と
と
【化３５】 ポリカ−ボネ−ト（重量平均分子量５万５千）５ｇをテ
トラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を電荷発生層の上
に塗布乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成し
た。作成した電子写真感光体について帯電特性と耐久特
性を実施例１と実施例３３と同じ方法によって測定し
た。結果を示す。 Ｖ0 ：−７１５Ｖ、Ｅ１／２：２．７ルックス・秒 ΔＶD ：−１０Ｖ、ΔＶL ：＋２０Ｖ
トラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を電荷発生層の上
に塗布乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成し
た。作成した電子写真感光体について帯電特性と耐久特
性を実施例１と実施例３３と同じ方法によって測定し
た。結果を示す。 Ｖ0 ：−７１５Ｖ、Ｅ１／２：２．７ルックス・秒 ΔＶD ：−１０Ｖ、ΔＶL ：＋２０Ｖ
【００３９】実施例４０ アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレ−トフィルムのアル
ミ面上に膜厚０．５μｍのポリビニルアルコ−ルの下引
き層を形成した。この上に実施例２５で用いた顔料分散
液をマイヤ−バ−で塗布乾燥して、膜厚０．２μｍの電
荷発生層を形成した。
ミ面上に膜厚０．５μｍのポリビニルアルコ−ルの下引
き層を形成した。この上に実施例２５で用いた顔料分散
液をマイヤ−バ−で塗布乾燥して、膜厚０．２μｍの電
荷発生層を形成した。
【００３９】次いで下記構造式のスチリル化合物５ｇと
【化３６】 ポリカ−ボネ−ト（重量平均分子量５万５千）５ｇをテ
トラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を電荷発生層の上
に塗布乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成し
た。作成した電子写真感光体について帯電特性と耐久特
性を実施例１と実施例３３と同じ方法によって測定し
た。結果を示す。 Ｖ0 ：−７０２Ｖ、Ｅ１／２：１．５１ルックス・秒 ΔＶD ：−６Ｖ、ΔＶL ：＋１３Ｖ
トラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を電荷発生層の上
に塗布乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成し
た。作成した電子写真感光体について帯電特性と耐久特
性を実施例１と実施例３３と同じ方法によって測定し
た。結果を示す。 Ｖ0 ：−７０２Ｖ、Ｅ１／２：１．５１ルックス・秒 ΔＶD ：−６Ｖ、ΔＶL ：＋１３Ｖ
【００４２】実施例４１ アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレ−トフィルムのアル
ミ面上に膜厚０．５μｍのポリビニルアルコ−ルの下引
き層を形成した。この上に顔料５の５ｇをテトラヒドロ
フラン９５ｇにポリ−ｐ−フルオロビニルベンザ−ル
（ベンザ−ル化度７５％以上）２ｇを溶かした液に加
え、サンドミルで２０時間分散して調製した分散液を塗
布乾燥して、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。
ミ面上に膜厚０．５μｍのポリビニルアルコ−ルの下引
き層を形成した。この上に顔料５の５ｇをテトラヒドロ
フラン９５ｇにポリ−ｐ−フルオロビニルベンザ−ル
（ベンザ−ル化度７５％以上）２ｇを溶かした液に加
え、サンドミルで２０時間分散して調製した分散液を塗
布乾燥して、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【００４２】次いで下記構造式のトリアリ−ルアミン系
化合物５ｇと
化合物５ｇと
【化３７】 ポリカ−ボネ−ト（重量平均分子量５万５千）５ｇをテ
トラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を電荷発生層の上
に塗布乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成し
た。作成した電子写真感光体について帯電特性と耐久特
性を実施例１と実施例３３と同じ方法によって測定し
た。結果を示す。 Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：３．２ルックス・秒 ΔＶD ：−２０Ｖ、ΔＶL ：＋１５Ｖ
トラヒドロフラン４０ｇに溶かした液を電荷発生層の上
に塗布乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成し
た。作成した電子写真感光体について帯電特性と耐久特
性を実施例１と実施例３３と同じ方法によって測定し
た。結果を示す。 Ｖ0 ：−７００Ｖ、Ｅ１／２：３．２ルックス・秒 ΔＶD ：−２０Ｖ、ΔＶL ：＋１５Ｖ
【００４２】実施例４２ 実施例３９で作成した電子写真感光体の電荷発生層と電
荷輸送層を逆の順番で積層して電子写真感光体を作成
し、実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただし
帯電は正帯電とした。 Ｖ0 ：＋６８０Ｖ、Ｅ１／２：４．８ルックス・秒
荷輸送層を逆の順番で積層して電子写真感光体を作成
し、実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただし
帯電は正帯電とした。 Ｖ0 ：＋６８０Ｖ、Ｅ１／２：４．８ルックス・秒
【００４２】実施例４３ 実施例４０で作成した電子写真感光体の電荷発生層と電
荷輸送層を逆の順番で積層して電子写真感光体を作成
し、実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただし
帯電は正帯電とした。 Ｖ0 ：＋７００Ｖ、Ｅ１／２：１．４３ルックス・秒
荷輸送層を逆の順番で積層して電子写真感光体を作成
し、実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただし
帯電は正帯電とした。 Ｖ0 ：＋７００Ｖ、Ｅ１／２：１．４３ルックス・秒
【００４２】実施例４４ 実施例２１で作成した電荷発生層上に２，４，７−トリ
ニトロ−９−フルオレノン５ｇとポリ−４，４’−ジオ
キシジフェニル−２，２−プロパンカ−ボネ−ト（分子
量３０万）５ｇをテトラヒドロフラン５０ｇに溶解した
液をマイヤ−バ−で塗布し、乾燥後の膜厚が１８μｍの
電荷輸送層を形成した。作成した電子写真感光体につい
て実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただし、
帯電は正帯電とした。 Ｖ0 ：＋６８５Ｖ、Ｅ１／２：３．０１ルックス・秒
ニトロ−９−フルオレノン５ｇとポリ−４，４’−ジオ
キシジフェニル−２，２−プロパンカ−ボネ−ト（分子
量３０万）５ｇをテトラヒドロフラン５０ｇに溶解した
液をマイヤ−バ−で塗布し、乾燥後の膜厚が１８μｍの
電荷輸送層を形成した。作成した電子写真感光体につい
て実施例１と同じ方法で帯電特性を評価した。ただし、
帯電は正帯電とした。 Ｖ0 ：＋６８５Ｖ、Ｅ１／２：３．０１ルックス・秒
【００４３】実施例４５ 顔料６７の０．５ｇをシクロヘキサノン９．５ｇと共に
ペイントシェイカ−で５時間分散した。ここへ実施例２
１で用いたと同じ電荷輸送物質５ｇとポリカ−ボネ−ト
５ｇをテトラヒドロフラン４０ｇに溶解した液を加え、
さらに１時間振とうした。こうして調製した塗布液をア
ルミ支持体上にマイヤ−バ−で塗布乾燥して膜厚が２０
μｍの感光層を形成した。こうして作成した電子写真感
光体を実施例１と同様の方法で帯電特性を評価した。た
だし、帯電は正帯電とした。 Ｖ0 ：＋６８５Ｖ、Ｅ１／２：３．９８ルックス・秒
ペイントシェイカ−で５時間分散した。ここへ実施例２
１で用いたと同じ電荷輸送物質５ｇとポリカ−ボネ−ト
５ｇをテトラヒドロフラン４０ｇに溶解した液を加え、
さらに１時間振とうした。こうして調製した塗布液をア
ルミ支持体上にマイヤ−バ−で塗布乾燥して膜厚が２０
μｍの感光層を形成した。こうして作成した電子写真感
光体を実施例１と同様の方法で帯電特性を評価した。た
だし、帯電は正帯電とした。 Ｖ0 ：＋６８５Ｖ、Ｅ１／２：３．９８ルックス・秒
【００４４】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、感光層に特
定構造のジスアゾ顔料を用いたことにより、感光層内部
に置ける電荷キャリアの発生効率ないしは注入効率のい
ずれか一方あるいは双方が改善され、感度や繰り返し使
用時の電位安定性に優れた特性が得られるという顕著な
効果を奏し、また、該電子写真感光体を備えた電子写真
装置並びにファクシミリにおいても同様の顕著な効果を
奏する。
定構造のジスアゾ顔料を用いたことにより、感光層内部
に置ける電荷キャリアの発生効率ないしは注入効率のい
ずれか一方あるいは双方が改善され、感度や繰り返し使
用時の電位安定性に優れた特性が得られるという顕著な
効果を奏し、また、該電子写真感光体を備えた電子写真
装置並びにファクシミリにおいても同様の顕著な効果を
奏する。
【図１】一般的な転写式電子写真装置の概略構成図であ
る。
る。
【図２】電子写真装置をプリンタ−として使用したファ
クシミリのブロック図である。
クシミリのブロック図である。
１ 像担持体としてのドラム型感光体（本発明の電子
写真感光体） ２ コロナ帯電装置 ３ 露光部 ４ 現像手段 ５ 転写手段 ６ クリ−ニング手段 ７ 前露光手段 ８ 像定着手段 Ｌ 光像露光 Ｐ 像転写を受けた転写材 ９ 画像読取部 １０ コントロ−ラ− １１ 受信回路 １２ 送信回路 １３ 電話 １４ 回線 １５ 画像メモリ １６ ＣＰＵ １７ プリンタコントロ−ラ １８ プリンタ−
写真感光体） ２ コロナ帯電装置 ３ 露光部 ４ 現像手段 ５ 転写手段 ６ クリ−ニング手段 ７ 前露光手段 ８ 像定着手段 Ｌ 光像露光 Ｐ 像転写を受けた転写材 ９ 画像読取部 １０ コントロ−ラ− １１ 受信回路 １２ 送信回路 １３ 電話 １４ 回線 １５ 画像メモリ １６ ＣＰＵ １７ プリンタコントロ−ラ １８ プリンタ−
Claims (8)
- 【請求項１】 導電性支持体上に一般式（１）で示すジ
スアゾ顔料を含有する感光層を有することを特徴とする
電子写真感光体。一般式（１） 【化１】 式中、Ｒ1 およびＲ2 は同一または異なって水素原子ま
たはアルキル基を表わし、Ｒ3 およびＲ4 は同一または
異なって水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、シアノ基またはトリフルオロメチル基を表わ
し、Ａ1 は一般式（２）で示すカプラ−殘基を表わし、
Ａ2 は一般式（２）〜（８）で示すカプラ−殘基からな
る群から選ばれるカプラ−殘基を表わす。一般式（２） 【化２】 一般式（３） 【化３】 一般式（４） 【化４】 一般式（５） 【化５】 一般式（６） 【化６】 一般式（７） 【化７】 一般式（８） 【化８】 式中、Ｘ1はベンゼン環と縮合して多環芳香環または複
素環を形成するのに必要な殘基を表わし、Ｚ1は酸素原
子または硫黄原子を表わし、Ｒ5〜Ｒ10は水素原子、置
換基を有してもよいアルキル基、アリ−ル基、アラルキ
ル基または複素環基を表わし、Ｒ5とＲ6は窒素原子とと
もに環を形成してもよく、Ｒ7とＲ8は炭素原子とともに
環を形成してもよく、ｐは１または２の整数、ｍは０、
１または２の整数を表わす。 - 【請求項２】導電性支持体上に一般式（９）で示すジス
アゾ顔料を含有する感光層を有することを特徴とする電
子写真感光体。一般式（９） 【化９】 式中、Ａ3およびＡ4は同一または異なってフェノ−ル性
水酸基を有するカプラ−殘基を表わす。 - 【請求項３】 感光層が一般式（１）で示すジスアゾ顔
料を含有する電荷発生層と電荷輸送層の少なくとも二層
からなる請求項１記載の電子写真感光体。 - 【請求項４】 感光層が一般式一般式（９）で示すジス
アゾ顔料を含有する電荷発生層と電荷輸送層の少なくと
も二層からなる請求項１記載の電子写真感光体。 - 【請求項５】請求項１記載の電子写真感光体を備えた電
子写真装置。 - 【請求項６】請求項２記載の電子写真感光体を備えた電
子写真装置。 - 【請求項７】請求項１記載の電子写真感光体を備えた電
子写真装置およびリモ−ト端末からの画像情報を受信す
る手段を有するファクシミリ。 - 【請求項８】請求項２記載の電子写真感光体を備えた電
子写真装置およびリモ−ト端末からの画像情報を受信す
る手段を有するファクシミリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12984392A JPH06295078A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12984392A JPH06295078A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295078A true JPH06295078A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=15019614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12984392A Pending JPH06295078A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06295078A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8093265B2 (en) | 2007-03-09 | 2012-01-10 | Renovis, Inc. | Bicycloheteroaryl compounds as P2X7 modulators and uses thereof |
-
1992
- 1992-04-24 JP JP12984392A patent/JPH06295078A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8093265B2 (en) | 2007-03-09 | 2012-01-10 | Renovis, Inc. | Bicycloheteroaryl compounds as P2X7 modulators and uses thereof |
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