JPH06294853A - 磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出装置Info
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- JPH06294853A JPH06294853A JP5084232A JP8423293A JPH06294853A JP H06294853 A JPH06294853 A JP H06294853A JP 5084232 A JP5084232 A JP 5084232A JP 8423293 A JP8423293 A JP 8423293A JP H06294853 A JPH06294853 A JP H06294853A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気感度が非直線的な感磁素子（例えばＭＲ
素子）の磁気感知動作領域を、磁気感度が高くしかも直
線的領域とする磁気検出装置を提供する。 【構成】 磁気探傷試験等に用いる磁気検出装置であっ
て、磁気を検出するＭＲ素子を導体を巻き回したコイル
内に配置し、該コイルに接続した直流電源から電流を流
す事により前記コイル内に磁界を発生させ、前記ＭＲ素
子の磁気感度が直線的領域内に収まるよう設定する装置
を具備する。 【構成】 簡単な構造で定量的に磁気を検出できる。
素子）の磁気感知動作領域を、磁気感度が高くしかも直
線的領域とする磁気検出装置を提供する。 【構成】 磁気探傷試験等に用いる磁気検出装置であっ
て、磁気を検出するＭＲ素子を導体を巻き回したコイル
内に配置し、該コイルに接続した直流電源から電流を流
す事により前記コイル内に磁界を発生させ、前記ＭＲ素
子の磁気感度が直線的領域内に収まるよう設定する装置
を具備する。 【構成】 簡単な構造で定量的に磁気を検出できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気探傷法で使用する磁
気検出装置に係わり、簡単な構造で高感度かつ、直線的
な感度領域で使用できる磁気検出装置に関する。
気検出装置に係わり、簡単な構造で高感度かつ、直線的
な感度領域で使用できる磁気検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、非直線的な磁気感度特性を有する
感磁素子、例えば磁気抵抗効果型素子（以下ＭＲ素子と
する）を高感度で使用する方法の例として、ＭＲ素子に
永久磁石を一体化して取り付け、該永久磁石が発生する
磁界を前記ＭＲ素子のバイアス磁界として印加し最大出
力を得るようにしたセンサが有る（特開平２−３２２８
０号公報）。またＭＲ素子近傍に配置したコイルに電流
を流し前記ＭＲ素子にバイアス磁界を印加する方法の例
として、特開昭６１−１８６８７３号公報が有る。この
方法は、ロータの回転位相検出等に使用する磁気センサ
であって、ＭＲ素子近傍にコイルとなる薄膜導電パター
ンを設け、該コイルに定まった直流電流を流しＭＲ素子
にバイアス磁界を印加し感度を向上させる方法である。
感磁素子、例えば磁気抵抗効果型素子（以下ＭＲ素子と
する）を高感度で使用する方法の例として、ＭＲ素子に
永久磁石を一体化して取り付け、該永久磁石が発生する
磁界を前記ＭＲ素子のバイアス磁界として印加し最大出
力を得るようにしたセンサが有る（特開平２−３２２８
０号公報）。またＭＲ素子近傍に配置したコイルに電流
を流し前記ＭＲ素子にバイアス磁界を印加する方法の例
として、特開昭６１−１８６８７３号公報が有る。この
方法は、ロータの回転位相検出等に使用する磁気センサ
であって、ＭＲ素子近傍にコイルとなる薄膜導電パター
ンを設け、該コイルに定まった直流電流を流しＭＲ素子
にバイアス磁界を印加し感度を向上させる方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＭＲ素子の感度特性の
例を図５に示す。ここで図５に示すＡ点，Ｂ点およびＣ
点はＭＲ素子が配置された位置での磁界強度を示す。か
かる状態で前記ＭＲ素子に同じ強度の磁界変化Δｈが印
加された時の前記Ａ点，Ｂ点およびＣ点における前記Ｍ
Ｒ素子に生じる電圧変化分を、それぞれΔｖａ，Δｖｂ
およびΔｖｃとすると、図５から明らかに、ｖｂ＞Δｖ
ａ≧Δｖｃである。このことは、前記ＭＲ素子を用いて
例えば磁性体金属の欠陥を磁気探傷法により漏洩磁気を
検出して該漏洩磁気の強さから前記欠陥の大きさ、ある
いは有害度を判定する検査システムにおいて、同じ大き
さの欠陥からの同じ大きさの漏洩磁気でも、前記ＭＲ素
子が配置された近傍の磁界強度が異なると、前記Δｖ
ａ，ΔｖｂおよびΔｖｃの値のごとく、大きさの異なる
信号として処理される。この結果同一の欠陥でも、前記
Ａ点あるいはＣ点の磁界雰囲気に配置されたＭＲ素子で
検出した信号では、微小な無害な欠陥として判定し、一
方前記Ｂ点の磁界雰囲気に配置されたＭＲ素子で検出し
た信号では有害な大きな欠陥と判定する事になり、品質
保証上問題が生じる。このためＭＲ素子に永久磁石を一
体化して取り付け、前記ＭＲ素子にバイアス磁界を印加
し、図５に示すＯ−Ｐ間のごとく磁気感度特性が直線的
な領域に動作点を移し、前記弊害を解決しようとした例
が前記特開平２−３２２８０号公報である。
例を図５に示す。ここで図５に示すＡ点，Ｂ点およびＣ
点はＭＲ素子が配置された位置での磁界強度を示す。か
かる状態で前記ＭＲ素子に同じ強度の磁界変化Δｈが印
加された時の前記Ａ点，Ｂ点およびＣ点における前記Ｍ
Ｒ素子に生じる電圧変化分を、それぞれΔｖａ，Δｖｂ
およびΔｖｃとすると、図５から明らかに、ｖｂ＞Δｖ
ａ≧Δｖｃである。このことは、前記ＭＲ素子を用いて
例えば磁性体金属の欠陥を磁気探傷法により漏洩磁気を
検出して該漏洩磁気の強さから前記欠陥の大きさ、ある
いは有害度を判定する検査システムにおいて、同じ大き
さの欠陥からの同じ大きさの漏洩磁気でも、前記ＭＲ素
子が配置された近傍の磁界強度が異なると、前記Δｖ
ａ，ΔｖｂおよびΔｖｃの値のごとく、大きさの異なる
信号として処理される。この結果同一の欠陥でも、前記
Ａ点あるいはＣ点の磁界雰囲気に配置されたＭＲ素子で
検出した信号では、微小な無害な欠陥として判定し、一
方前記Ｂ点の磁界雰囲気に配置されたＭＲ素子で検出し
た信号では有害な大きな欠陥と判定する事になり、品質
保証上問題が生じる。このためＭＲ素子に永久磁石を一
体化して取り付け、前記ＭＲ素子にバイアス磁界を印加
し、図５に示すＯ−Ｐ間のごとく磁気感度特性が直線的
な領域に動作点を移し、前記弊害を解決しようとした例
が前記特開平２−３２２８０号公報である。
【０００４】しかしながら、かかる方法では、磁界中を
導体が移動するような環境下でＭＲ素子を使用した場
合、導体の移動により生じる渦電流により磁界強度が変
化し、前記ＭＲ素子の動作点が、図５に示すＡ点，Ｂ点
あるいはＣ点等の磁界強度領域に移動する事となり、Ｍ
Ｒ素子にバイアス磁界を印加する手段が永久磁石である
事から、前記ＭＲ素子を配置した位置空間の磁界強度が
外乱によっ変化した場合、該磁界強度を最適値に制御す
る事が出来ず、定量的に磁気検出が出来ず上記品質保証
上の問題は解決できない。
導体が移動するような環境下でＭＲ素子を使用した場
合、導体の移動により生じる渦電流により磁界強度が変
化し、前記ＭＲ素子の動作点が、図５に示すＡ点，Ｂ点
あるいはＣ点等の磁界強度領域に移動する事となり、Ｍ
Ｒ素子にバイアス磁界を印加する手段が永久磁石である
事から、前記ＭＲ素子を配置した位置空間の磁界強度が
外乱によっ変化した場合、該磁界強度を最適値に制御す
る事が出来ず、定量的に磁気検出が出来ず上記品質保証
上の問題は解決できない。
【０００５】また、ＭＲ素子にバイアス磁界を印加する
コイルとなる薄膜導電パターンを前記ＭＲ素子近傍に配
置する方法（特開昭６１−１８６８７３号公報）は、前
記コイルに流す電流は自由に調整できるが、上記に示し
たごとく導体が移動しＭＲ素子近傍の磁界強度が絶えず
変化する環境では、ＭＲ素子を最適磁界強度下に置くよ
うに調整する事は不可能である。したがって、定量的な
磁気検出は不可能で上記品質保証上の問題は解決でき
ず、又ＭＲ素子１個に薄膜導電コイルパターンが１個必
要である事から、特に多チャンネル化する場合を考える
と、構造が複雑となり簡便に製作出来ないという問題が
ある。
コイルとなる薄膜導電パターンを前記ＭＲ素子近傍に配
置する方法（特開昭６１−１８６８７３号公報）は、前
記コイルに流す電流は自由に調整できるが、上記に示し
たごとく導体が移動しＭＲ素子近傍の磁界強度が絶えず
変化する環境では、ＭＲ素子を最適磁界強度下に置くよ
うに調整する事は不可能である。したがって、定量的な
磁気検出は不可能で上記品質保証上の問題は解決でき
ず、又ＭＲ素子１個に薄膜導電コイルパターンが１個必
要である事から、特に多チャンネル化する場合を考える
と、構造が複雑となり簡便に製作出来ないという問題が
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気検出装置
は、非直線的な磁気感度特性を有する感磁素子を、導体
を巻き回したコイル内に配置した磁気検出手段と、該コ
イルに直流電流を流し前記感磁素子にバイアス磁界を与
えるための電源で構成した事を特徴とする磁気検出装置
である。
は、非直線的な磁気感度特性を有する感磁素子を、導体
を巻き回したコイル内に配置した磁気検出手段と、該コ
イルに直流電流を流し前記感磁素子にバイアス磁界を与
えるための電源で構成した事を特徴とする磁気検出装置
である。
【０００７】また、前記コイル内に配置され、前記バイ
アス磁界の強度を検出する磁気感度が直線性を有する磁
気センサと該磁気センサの出力信号により前記コイル内
の磁界強度を所定内に制御する装置を具備した磁気検出
装置である。
アス磁界の強度を検出する磁気感度が直線性を有する磁
気センサと該磁気センサの出力信号により前記コイル内
の磁界強度を所定内に制御する装置を具備した磁気検出
装置である。
【０００８】
【作用】図５の例に示したＭＲ素子の磁気感度特性に見
られるごとく、ＭＲ素子の配置された磁界強度が、例え
ばＡ点とＢ点の場合ではその磁気感度の差は数倍から十
数倍になる。ＭＲ素子を磁気感度が直線的でかつ感度が
高い、図５に示すＯ−Ｐ間の領域でＭＲ素子を使用すれ
ば、安定して定量的に磁気検出が出来る。このため導体
を巻き回したコイル内にＭＲ素子を配置し、該ＭＲ素子
の動作域を常時前記Ｏ−Ｐ間の磁界強度中に置くよう
に、前記コイルに流す直流電流を調整して磁界強度を制
御する事により前記ＭＲ素子の感度を向上させる事が出
来る。
られるごとく、ＭＲ素子の配置された磁界強度が、例え
ばＡ点とＢ点の場合ではその磁気感度の差は数倍から十
数倍になる。ＭＲ素子を磁気感度が直線的でかつ感度が
高い、図５に示すＯ−Ｐ間の領域でＭＲ素子を使用すれ
ば、安定して定量的に磁気検出が出来る。このため導体
を巻き回したコイル内にＭＲ素子を配置し、該ＭＲ素子
の動作域を常時前記Ｏ−Ｐ間の磁界強度中に置くよう
に、前記コイルに流す直流電流を調整して磁界強度を制
御する事により前記ＭＲ素子の感度を向上させる事が出
来る。
【０００９】また、磁界中を磁性体が通過する事により
生じる渦電流によりＭＲ素子が配置された近傍の磁界強
度が変化する場合においても、前記コイル内に配置した
磁気感度特性が直線的な磁気センサで前記コイル内の磁
界強度を常時測定し該測定電圧を前記直流電源の電流制
御信号として用いる事により、前記ＭＲ素子を図５に示
すＯ−Ｐ間の磁界強度中に置く事が出来るので、欠陥等
からの漏洩磁気を感度良く定量的に検出できる。
生じる渦電流によりＭＲ素子が配置された近傍の磁界強
度が変化する場合においても、前記コイル内に配置した
磁気感度特性が直線的な磁気センサで前記コイル内の磁
界強度を常時測定し該測定電圧を前記直流電源の電流制
御信号として用いる事により、前記ＭＲ素子を図５に示
すＯ−Ｐ間の磁界強度中に置く事が出来るので、欠陥等
からの漏洩磁気を感度良く定量的に検出できる。
【００１０】また、磁界を制御する別な方法として予め
導体の移動速度と磁界強度の関係を測定しておき、導体
の移動速度を例えばロールの回転数（パルスゼネレー
タ）で測定し、該回転数によって前記コイルに流す直流
電流を制御しても同様の効果が得られる。
導体の移動速度と磁界強度の関係を測定しておき、導体
の移動速度を例えばロールの回転数（パルスゼネレー
タ）で測定し、該回転数によって前記コイルに流す直流
電流を制御しても同様の効果が得られる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の磁気検出装置の実施例を図面
により説明する。この磁気検出装置は、図１に示すよう
に導体を巻き回したコイル１，コイル１内の中心線上に
配置したＭＲ素子群２，コイル１の中央部でＭＲ素子群
２直近に配置したホール効果型磁気センサ３，磁気セン
サ３の出力信号を増幅するアンプ４およびローパスフィ
ルタ５，および、ローパスフィルター５の出力信号を増
幅しコイルドライバ（通電回路）７の出力電流レベル指
定する制御電圧をコイルドライバ７に与える演算増幅器
６とからなる。本発明による磁気検出装置は、まずＭＲ
素子の磁気感度を測定し図５に示す磁気感度特性のＯ−
Ｐ間、すなわち磁気感度の直線的な範囲が１０％以内の
特性を有するＭＲ素子を選択する。例えば、２ｍＴから
４ｍＴの磁界強度が前記Ｏ−Ｐ間の標準的値とすれば、
少なくとも１．８ｍＴから４．５ｍＴの範囲に直線的感
度を有するＭＲ素子を選択する。選択したＭＲ素子は直
線状かあるいは千鳥状にコイル１内の中心線上に配置す
る。バイアス磁界を発生させるコイル１に流す電流は、
磁気探傷を交流法で行う場合はＭＲ素子群２が配置され
た位置空間の磁束が少なく、ＭＲ素子群２の近傍を導体
が移動した場合でも渦電流による磁界強度の変化は小さ
いため、コイルドライバ７の出力電流はあらかじめ測定
して把握した最適バイアス磁界を生じさせる一定電流を
流す事でＭＲ素子群２を高感度な磁界強度範囲内で使用
できる。
により説明する。この磁気検出装置は、図１に示すよう
に導体を巻き回したコイル１，コイル１内の中心線上に
配置したＭＲ素子群２，コイル１の中央部でＭＲ素子群
２直近に配置したホール効果型磁気センサ３，磁気セン
サ３の出力信号を増幅するアンプ４およびローパスフィ
ルタ５，および、ローパスフィルター５の出力信号を増
幅しコイルドライバ（通電回路）７の出力電流レベル指
定する制御電圧をコイルドライバ７に与える演算増幅器
６とからなる。本発明による磁気検出装置は、まずＭＲ
素子の磁気感度を測定し図５に示す磁気感度特性のＯ−
Ｐ間、すなわち磁気感度の直線的な範囲が１０％以内の
特性を有するＭＲ素子を選択する。例えば、２ｍＴから
４ｍＴの磁界強度が前記Ｏ−Ｐ間の標準的値とすれば、
少なくとも１．８ｍＴから４．５ｍＴの範囲に直線的感
度を有するＭＲ素子を選択する。選択したＭＲ素子は直
線状かあるいは千鳥状にコイル１内の中心線上に配置す
る。バイアス磁界を発生させるコイル１に流す電流は、
磁気探傷を交流法で行う場合はＭＲ素子群２が配置され
た位置空間の磁束が少なく、ＭＲ素子群２の近傍を導体
が移動した場合でも渦電流による磁界強度の変化は小さ
いため、コイルドライバ７の出力電流はあらかじめ測定
して把握した最適バイアス磁界を生じさせる一定電流を
流す事でＭＲ素子群２を高感度な磁界強度範囲内で使用
できる。
【００１２】一方、磁気探傷を直流法で行うと、ＭＲ素
子群２が配置された位置空間の磁束密度が高く、ＭＲ素
子群２の近傍を導体が移動すると、これによって生じる
渦電流でＭＲ素子群２近傍の磁界強度は大きく変化し、
コイル１に流す電流を逐次制御して常に最適バイアス磁
界を印加しなければ定量的磁気検出を行う事が出来な
い。このため本発明では、磁気感度が分かっている磁気
センサ３をコイル１内の中央部でかつＭＲ素子群２の直
近に配置し、磁気センサ３が検出した信号、すなわちＭ
Ｒ素子群２を配置した位置空間の磁界強度信号を、アン
プ４に送り込みアンプ４で増幅し、さらにローパスフィ
ルタ５で高周波成分を除去する。ここでコイル１に流す
直流電流と該直流電流によってコイル１が発生する磁界
強度の関係、およびコイルドライバ７に印加する制御電
圧とコイルドライバ７の出力電流の関係をあらかじめ把
握しておき、コイル１内の磁界強度が所定の値になるよ
うにローパスフィルタ５の出力信号電圧を演算増幅器６
で演算増幅し制御電圧としてコイルドライバ７に印加す
る。この結果ＭＲ素子群２の動作範囲は、常に図５に示
す磁界強度Ｏ−Ｐ間に置かれ定量的な磁気検出が出来
る。
子群２が配置された位置空間の磁束密度が高く、ＭＲ素
子群２の近傍を導体が移動すると、これによって生じる
渦電流でＭＲ素子群２近傍の磁界強度は大きく変化し、
コイル１に流す電流を逐次制御して常に最適バイアス磁
界を印加しなければ定量的磁気検出を行う事が出来な
い。このため本発明では、磁気感度が分かっている磁気
センサ３をコイル１内の中央部でかつＭＲ素子群２の直
近に配置し、磁気センサ３が検出した信号、すなわちＭ
Ｒ素子群２を配置した位置空間の磁界強度信号を、アン
プ４に送り込みアンプ４で増幅し、さらにローパスフィ
ルタ５で高周波成分を除去する。ここでコイル１に流す
直流電流と該直流電流によってコイル１が発生する磁界
強度の関係、およびコイルドライバ７に印加する制御電
圧とコイルドライバ７の出力電流の関係をあらかじめ把
握しておき、コイル１内の磁界強度が所定の値になるよ
うにローパスフィルタ５の出力信号電圧を演算増幅器６
で演算増幅し制御電圧としてコイルドライバ７に印加す
る。この結果ＭＲ素子群２の動作範囲は、常に図５に示
す磁界強度Ｏ−Ｐ間に置かれ定量的な磁気検出が出来
る。
【００１３】図２に示すグラフは横１７ｍｍ、縦１０ｍ
ｍ、幅５ｍｍのプラスチック製の捲き枠に、０．４ｍｍ
Φのエナメル銅線を５８回捲いてコイルを製作し、該コ
イルの下部に幅２００ｍｍ、長さ３００ｍｍ、厚さ７ｍ
ｍの鋼板を置いて前記コイルに直流電流を流して前記コ
イルが発生する磁束密度分布を測定した結果である。図
２に示すデータは、試験条件が、前記コイルに流した直
流電流が０．９Ａ、前記コイルと前記鋼板とのギャップ
が０．８ｍｍであって、前記コイルの中心部を横方向に
０．５ｍｍピッチで測定した結果である。図２のグラフ
から前記コイル中心線上、すなわちＭＲ素子を配置する
空間の磁束密度＝磁界強度は、標準的ＭＲ素子において
磁気感度が直線領域である２ｍＴから４ｍＴ内の約３．
２ｍＴであり、横方向に１４ｍｍにわたってほぼ均一で
あり、ＭＲ素子に最適なバイアス磁界を印加するのに十
分な能力があることが分かる。
ｍ、幅５ｍｍのプラスチック製の捲き枠に、０．４ｍｍ
Φのエナメル銅線を５８回捲いてコイルを製作し、該コ
イルの下部に幅２００ｍｍ、長さ３００ｍｍ、厚さ７ｍ
ｍの鋼板を置いて前記コイルに直流電流を流して前記コ
イルが発生する磁束密度分布を測定した結果である。図
２に示すデータは、試験条件が、前記コイルに流した直
流電流が０．９Ａ、前記コイルと前記鋼板とのギャップ
が０．８ｍｍであって、前記コイルの中心部を横方向に
０．５ｍｍピッチで測定した結果である。図２のグラフ
から前記コイル中心線上、すなわちＭＲ素子を配置する
空間の磁束密度＝磁界強度は、標準的ＭＲ素子において
磁気感度が直線領域である２ｍＴから４ｍＴ内の約３．
２ｍＴであり、横方向に１４ｍｍにわたってほぼ均一で
あり、ＭＲ素子に最適なバイアス磁界を印加するのに十
分な能力があることが分かる。
【００１４】図３に示す信号波形は、前記コイルの中心
部にＭＲ素子を配置し、厚さ７ｍｍの鋼板表面に放電加
工した、幅０．２ｍｍ、長さ１０ｍｍ、深さ０．１３ｍ
ｍ、０．２２ｍｍ、０．３２ｍｍの３種類の欠陥をリフ
トオフ０．８ｍｍ、コイル１に流した電流が０．９Ａ
で、磁気バイアスは約３．２ｍＴの条件で交流磁気探傷
法で検出した例であって、図３の信号（ア）は深さ０．
１３ｍｍ、信号（イ）は深さ０．２２ｍｍ、信号（ウ）
は深さ０．３２ｍｍの欠陥をそれぞれ検出した例であ
る。
部にＭＲ素子を配置し、厚さ７ｍｍの鋼板表面に放電加
工した、幅０．２ｍｍ、長さ１０ｍｍ、深さ０．１３ｍ
ｍ、０．２２ｍｍ、０．３２ｍｍの３種類の欠陥をリフ
トオフ０．８ｍｍ、コイル１に流した電流が０．９Ａ
で、磁気バイアスは約３．２ｍＴの条件で交流磁気探傷
法で検出した例であって、図３の信号（ア）は深さ０．
１３ｍｍ、信号（イ）は深さ０．２２ｍｍ、信号（ウ）
は深さ０．３２ｍｍの欠陥をそれぞれ検出した例であ
る。
【００１５】図４に示す信号波形は、前記放電加工によ
り製作した欠陥を、リフトオフ０．８ｍｍで磁気バイア
スを印加せずに交流磁気探傷法で検出した例で、信号
（ア），（イ）および（ウ）は、図３と同様それぞれ深
さ０．１３ｍｍ，０．２２ｍｍおよび０．３２ｍｍの欠
陥と対応する。ここで前記ＭＲ素子の検出信号の処理装
置の増幅度等は、バイアス磁界の有無に拘らず同一に設
定しており、図３の縦軸電圧目盛りが５ｖ／ｄｉｖ、図
４の縦軸電圧目盛りが０．２ｖ／ｄｉｖである事から、
ＭＲ素子に適当なバイアス磁界を印加する事により、電
圧感度で約１８倍、シグナル対ノイズ比で２．５倍以上
検出能力が向上した。
り製作した欠陥を、リフトオフ０．８ｍｍで磁気バイア
スを印加せずに交流磁気探傷法で検出した例で、信号
（ア），（イ）および（ウ）は、図３と同様それぞれ深
さ０．１３ｍｍ，０．２２ｍｍおよび０．３２ｍｍの欠
陥と対応する。ここで前記ＭＲ素子の検出信号の処理装
置の増幅度等は、バイアス磁界の有無に拘らず同一に設
定しており、図３の縦軸電圧目盛りが５ｖ／ｄｉｖ、図
４の縦軸電圧目盛りが０．２ｖ／ｄｉｖである事から、
ＭＲ素子に適当なバイアス磁界を印加する事により、電
圧感度で約１８倍、シグナル対ノイズ比で２．５倍以上
検出能力が向上した。
【００１６】
【発明の効果】以上説明した本発明の磁気検出装置は、
導体を巻き回したコイル内にＭＲ素子を配置し前記コイ
ルに直流電流を流し、該電流によって生じる磁界を前記
ＭＲ素子にバイアスとして印加し該ＭＲ素子を常時高感
度かつ直線的な領域で使用できるようにしたもであっ
て、構造が簡単で製作が容易であり、安定して定量的に
磁気を検出できる。また、磁界中を導体が移動する事等
によって渦電流が生じ、該渦電流によって磁界強度が変
化するような環境下でも、前記コイルに流す電流を制御
して常に最適な磁界強度中で前記ＭＲ素子を使用できる
ので、磁気探傷法により漏洩磁気の大きさを測定して欠
陥の評価を行うシステムの磁気検出装置として十分な機
能があり磁性体金属、例えば鋼材の品質保証に寄与する
ところ大である。
導体を巻き回したコイル内にＭＲ素子を配置し前記コイ
ルに直流電流を流し、該電流によって生じる磁界を前記
ＭＲ素子にバイアスとして印加し該ＭＲ素子を常時高感
度かつ直線的な領域で使用できるようにしたもであっ
て、構造が簡単で製作が容易であり、安定して定量的に
磁気を検出できる。また、磁界中を導体が移動する事等
によって渦電流が生じ、該渦電流によって磁界強度が変
化するような環境下でも、前記コイルに流す電流を制御
して常に最適な磁界強度中で前記ＭＲ素子を使用できる
ので、磁気探傷法により漏洩磁気の大きさを測定して欠
陥の評価を行うシステムの磁気検出装置として十分な機
能があり磁性体金属、例えば鋼材の品質保証に寄与する
ところ大である。
【図１】 本発明の一実施例の構成を示すブロック図で
ある。
ある。
【図２】 図１に示すコイル１の中心線上の磁束密度分
布を示すグラフである。
布を示すグラフである。
【図３】 図１に示す実施例で、コイル１にバイアス磁
界を印加したときの人工欠陥検出信号を示すグラフであ
り、横軸は鋼板上の検出位置を、縦軸は検出信号レベル
を示す。
界を印加したときの人工欠陥検出信号を示すグラフであ
り、横軸は鋼板上の検出位置を、縦軸は検出信号レベル
を示す。
【図４】 図１に示す実施例で、コイル１にバイアス磁
界を印加していないときの人工欠陥検出信号を示すグラ
フであり、横軸は鋼板上の検出位置を、縦軸は検出信号
レベルを示す。
界を印加していないときの人工欠陥検出信号を示すグラ
フであり、横軸は鋼板上の検出位置を、縦軸は検出信号
レベルを示す。
【図５】 ＭＲ素子の磁気感度特性の一例を示すグラフ
である。
である。
１：コイル ２：ＭＲ素
子群 ３：磁気センサ ４：アンプ ５：ローパスフィルター ６：演算増
幅器 ７：コイルドライバ
子群 ３：磁気センサ ４：アンプ ５：ローパスフィルター ６：演算増
幅器 ７：コイルドライバ
Claims (2)
- 【請求項１】 非直線的な磁気感度特性を有する感磁素
子を、導体を巻き回したコイル内に配置した磁気検出手
段と、該コイルに直流電流を流し前記感磁素子にバイア
ス磁界を与えるための電源で構成した事を特徴とする磁
気検出装置。 - 【請求項２】 前記コイル内に配置した磁気感度特性が
直線性を有する磁気センサと該磁気センサの出力信号に
より前記コイル内の磁界強度を所定内に制御する装置を
具備した請求項１の磁気検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5084232A JPH06294853A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 磁気検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5084232A JPH06294853A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 磁気検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06294853A true JPH06294853A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13824735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5084232A Withdrawn JPH06294853A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 磁気検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06294853A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2367019A1 (en) | 2010-03-10 | 2011-09-21 | TDK Corporation | Magnetic sensor |
| WO2018147264A1 (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 東洋鋼鈑株式会社 | 磁気センサを用いた磁性体の漏洩磁束検出装置及び漏洩磁束検出方法 |
| JP2018128450A (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | セイコーＮｐｃ株式会社 | 磁気センサを用いた磁性体の漏洩磁束検出装置及び漏洩磁束検出方法 |
| CN111277231A (zh) * | 2020-02-18 | 2020-06-12 | 江苏多维科技有限公司 | 一种增益可控的磁阻模拟放大器 |
-
1993
- 1993-04-12 JP JP5084232A patent/JPH06294853A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2367019A1 (en) | 2010-03-10 | 2011-09-21 | TDK Corporation | Magnetic sensor |
| US8593139B2 (en) | 2010-03-10 | 2013-11-26 | Tdk Corporation | Magnetic sensor |
| WO2018147264A1 (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 東洋鋼鈑株式会社 | 磁気センサを用いた磁性体の漏洩磁束検出装置及び漏洩磁束検出方法 |
| JP2018128450A (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | セイコーＮｐｃ株式会社 | 磁気センサを用いた磁性体の漏洩磁束検出装置及び漏洩磁束検出方法 |
| CN111277231A (zh) * | 2020-02-18 | 2020-06-12 | 江苏多维科技有限公司 | 一种增益可控的磁阻模拟放大器 |
| WO2021164629A1 (zh) * | 2020-02-18 | 2021-08-26 | 江苏多维科技有限公司 | 一种增益可控的磁阻模拟放大器 |
| CN111277231B (zh) * | 2020-02-18 | 2022-02-18 | 江苏多维科技有限公司 | 一种增益可控的磁阻模拟放大器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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