JPH06291028A - レジスト硬化方法 - Google Patents
レジスト硬化方法Info
- Publication number
- JPH06291028A JPH06291028A JP5074897A JP7489793A JPH06291028A JP H06291028 A JPH06291028 A JP H06291028A JP 5074897 A JP5074897 A JP 5074897A JP 7489793 A JP7489793 A JP 7489793A JP H06291028 A JPH06291028 A JP H06291028A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- light
- ultraviolet rays
- moved
- wafer
- Prior art date
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- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジスト硬化方法に関し，ウエハを加熱しな
がら，紫外線照射を行ってもレジストの爆発を起こさな
いようにすることを目的とする。 【構成】 表面にレジストパターンが形成されたウエハ
を加熱し且つ該ウエハ表面に紫外線を照射するレジスト
硬化過程において，該紫外線を局部的に遮光する遮光板
を移動させながら, 該レジストパターン全面に照射する
ように構成する。
がら，紫外線照射を行ってもレジストの爆発を起こさな
いようにすることを目的とする。 【構成】 表面にレジストパターンが形成されたウエハ
を加熱し且つ該ウエハ表面に紫外線を照射するレジスト
硬化過程において，該紫外線を局部的に遮光する遮光板
を移動させながら, 該レジストパターン全面に照射する
ように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジストパターン形成後
に行う紫外線 (UV光) 照射を含むレジスト硬化方法に関
する。
に行う紫外線 (UV光) 照射を含むレジスト硬化方法に関
する。
【０００２】近年の, 半導体プロセスにおいては，高エ
ネルギーのイオン注入やエッチング時に起こる発熱に耐
えられる強固なレジストパターンが要求される。そのた
めにレジストパターンに紫外線を照射して硬化させるよ
うにしている。
ネルギーのイオン注入やエッチング時に起こる発熱に耐
えられる強固なレジストパターンが要求される。そのた
めにレジストパターンに紫外線を照射して硬化させるよ
うにしている。
【０００３】
【従来の技術】従来の紫外線照射を行うUVキュア装置
は，レジストパターンが形成されたウエハをホットプレ
ート上に載せて加熱しながら，ウエハ上部より紫外線を
照射していた。ところが, この方法ではウエハの加熱と
紫外線照射を同時に行うので, レジストから窒素と溶剤
が一緒に抜け出るため，特にレジストが厚膜の場合はレ
ジストの爆発が発生することがあった。
は，レジストパターンが形成されたウエハをホットプレ
ート上に載せて加熱しながら，ウエハ上部より紫外線を
照射していた。ところが, この方法ではウエハの加熱と
紫外線照射を同時に行うので, レジストから窒素と溶剤
が一緒に抜け出るため，特にレジストが厚膜の場合はレ
ジストの爆発が発生することがあった。
【０００４】さらに詳しく, このときの様子を説明す
る。ウエハ全面に紫外線照射とウエハ加熱を同時に行う
と，処理開始後数秒でレジスト上部は紫外線を受けて架
橋し，窒素が発生する。この窒素が抜けるとレジストは
硬化する。レジスト下部はホットプレートによって加熱
され溶剤が発生する。発生した溶剤はレジスト上部から
抜け出ようとする。
る。ウエハ全面に紫外線照射とウエハ加熱を同時に行う
と，処理開始後数秒でレジスト上部は紫外線を受けて架
橋し，窒素が発生する。この窒素が抜けるとレジストは
硬化する。レジスト下部はホットプレートによって加熱
され溶剤が発生する。発生した溶剤はレジスト上部から
抜け出ようとする。
【０００５】処理開始後数10秒で架橋されたレジスト上
部は硬化し，窒素や溶剤がレジスト外に抜けられなくな
り，数分後にはレジストは爆発を起こし, レジスト表面
にクレータが生ずる。
部は硬化し，窒素や溶剤がレジスト外に抜けられなくな
り，数分後にはレジストは爆発を起こし, レジスト表面
にクレータが生ずる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のホットプレート
によるウエハベークと紫外線照射を同時に行う方法で
は，紫外線照射によりレジスト表面が硬化されるため，
加熱に伴いレジスト内より発生する窒素や溶剤が外に抜
け出ることができず, レジストが爆発してしまうという
問題があった。
によるウエハベークと紫外線照射を同時に行う方法で
は，紫外線照射によりレジスト表面が硬化されるため，
加熱に伴いレジスト内より発生する窒素や溶剤が外に抜
け出ることができず, レジストが爆発してしまうという
問題があった。
【０００７】本発明はウエハを加熱しながら，紫外線照
射を行ってもレジストの爆発を起こさないようにするこ
とを目的とする。
射を行ってもレジストの爆発を起こさないようにするこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，表面
にレジストパターンが形成されたウエハを加熱し且つ該
ウエハ表面に紫外線を照射するレジスト硬化過程におい
て，該紫外線を局部的に遮光する遮光板を移動させなが
ら, 該レジストパターン全面に照射するレジスト硬化方
法により達成される。
にレジストパターンが形成されたウエハを加熱し且つ該
ウエハ表面に紫外線を照射するレジスト硬化過程におい
て，該紫外線を局部的に遮光する遮光板を移動させなが
ら, 該レジストパターン全面に照射するレジスト硬化方
法により達成される。
【０００９】
【作用】本発明では紫外線照射をウエハ全面に照射する
のではなく, UVランプの下部に可動型の局部遮光板を設
け, 遮光部を除々に移動させるようにして, レジストが
硬化しない遮光部から窒素と溶剤が抜け出るようにして
レジストの爆発を防止している。
のではなく, UVランプの下部に可動型の局部遮光板を設
け, 遮光部を除々に移動させるようにして, レジストが
硬化しない遮光部から窒素と溶剤が抜け出るようにして
レジストの爆発を防止している。
【００１０】
【実施例】図１(A),(B) は本発明の実施例の説明図であ
る。図１(A) はUVキュア装置の断面図, 図１(B) は本発
明の遮光板の平面図である。
る。図１(A) はUVキュア装置の断面図, 図１(B) は本発
明の遮光板の平面図である。
【００１１】図において， 1はラインアンドスペース構
成の上部遮光板, 2は上部遮光板と直交して設けられた
ラインアンドスペース構成の下部遮光板, 3はUVラン
ブ, 4はランプハウス, 5はホットプレート, 6は外側
容器, 7は熱排気口である。
成の上部遮光板, 2は上部遮光板と直交して設けられた
ラインアンドスペース構成の下部遮光板, 3はUVラン
ブ, 4はランプハウス, 5はホットプレート, 6は外側
容器, 7は熱排気口である。
【００１２】この例では，(a) 上部遮光板 1をの矢印
の方向に 2〜5 mm移動させ, (b) 次いで下部遮光板 2を
の矢印の方向に 2〜5 mm移動させ, (c) 最後に上部遮
光板1をの矢印の方向に 2〜5 mm移動させる。
の方向に 2〜5 mm移動させ, (b) 次いで下部遮光板 2を
の矢印の方向に 2〜5 mm移動させ, (c) 最後に上部遮
光板1をの矢印の方向に 2〜5 mm移動させる。
【００１３】実施例で使用した条件を以下に記す。 レジストの種類： ポジ型フォトレジスト レジストの膜厚： ４〜８μｍ レジストパターンの大きさ： 小さいものは10μｍ×20
μｍ程度 大きいものは 100μｍ×100 μｍ程度 遮光板のライン幅： 0.5〜1.0 mm 遮光板のスペース幅： 0.5〜1.0 mm UVランプ： 直管型特殊水銀ランプ UV照度： 650 mW/cm2 UV波長： 220〜320 nm ホットプレート温度： 120〜200 ℃ 上記(a),(b),(c) の各段階のUV照射時間： 各段階とも
60〜80秒 図２は本発明の他の実施例の説明図である。
μｍ程度 大きいものは 100μｍ×100 μｍ程度 遮光板のライン幅： 0.5〜1.0 mm 遮光板のスペース幅： 0.5〜1.0 mm UVランプ： 直管型特殊水銀ランプ UV照度： 650 mW/cm2 UV波長： 220〜320 nm ホットプレート温度： 120〜200 ℃ 上記(a),(b),(c) の各段階のUV照射時間： 各段階とも
60〜80秒 図２は本発明の他の実施例の説明図である。
【００１４】図１の実施例ではラインアンドスペース構
成の遮光板を２枚使用したが，これを１枚にして１方向
にゆっくり移動させる。従来例では, レジストの膜厚が
大きいと紫外線照射量によってレジストの爆発が発生し
ていた。そして，紫外線照射量が大きい場合ほど爆発す
る確率は高くなる。そのため，紫外線照射量を半分にし
てもレジストが厚膜であれば爆発が発生していた。従来
例ではレジストが爆発しない膜厚は 2μｍ程度以下であ
り, 膜厚が 4μｍ以上のものは処理できなかった。
成の遮光板を２枚使用したが，これを１枚にして１方向
にゆっくり移動させる。従来例では, レジストの膜厚が
大きいと紫外線照射量によってレジストの爆発が発生し
ていた。そして，紫外線照射量が大きい場合ほど爆発す
る確率は高くなる。そのため，紫外線照射量を半分にし
てもレジストが厚膜であれば爆発が発生していた。従来
例ではレジストが爆発しない膜厚は 2μｍ程度以下であ
り, 膜厚が 4μｍ以上のものは処理できなかった。
【００１５】これに対して, 実施例では膜厚が大きくて
も爆発を発生させることなく紫外線を照射できる。ま
た，実施例はスループットの面でも，従来例で紫外線照
射量を半分にしたときとはあまり変わらない。
も爆発を発生させることなく紫外線を照射できる。ま
た，実施例はスループットの面でも，従来例で紫外線照
射量を半分にしたときとはあまり変わらない。
【００１６】次に, 実施例の効果を示す具体例を従来例
と対比して説明する。従来例では， 基板上にレジストを 4〜8 μｍ被着し，基板を 100
〜130 ℃で10秒程度加熱する。 引き続いて基板を 200℃で加熱しながらUV照射を60
〜80秒行う。
と対比して説明する。従来例では， 基板上にレジストを 4〜8 μｍ被着し，基板を 100
〜130 ℃で10秒程度加熱する。 引き続いて基板を 200℃で加熱しながらUV照射を60
〜80秒行う。
【００１７】この際, 4μｍ以上の膜厚では必ずレジス
ト破裂が発生する。これに対し実施例では, 基板上にレジストを 4〜8 μｍ被着し，基板を 100
〜130 ℃で10秒程度加熱する (従来例と同じ) 。 引き続いて基板を 200℃で加熱しながらラインアン
ドスベースの遮光板を通してUV照射を60秒程度行う。
ト破裂が発生する。これに対し実施例では, 基板上にレジストを 4〜8 μｍ被着し，基板を 100
〜130 ℃で10秒程度加熱する (従来例と同じ) 。 引き続いて基板を 200℃で加熱しながらラインアン
ドスベースの遮光板を通してUV照射を60秒程度行う。
【００１８】この際, 照射部 (遮光板のスベース部) で
発生した窒素と溶剤は非照射部 (遮光板のライン部) か
ら離脱する。 次に, ラインアンドスベースの遮光板を移動して照
射部と非照射部を入れ換え, 引き続いて基板を 200℃で
加熱しながら遮光板を通してUV照射を60秒程度行う。
発生した窒素と溶剤は非照射部 (遮光板のライン部) か
ら離脱する。 次に, ラインアンドスベースの遮光板を移動して照
射部と非照射部を入れ換え, 引き続いて基板を 200℃で
加熱しながら遮光板を通してUV照射を60秒程度行う。
【００１９】この際, 照射部 (遮光板のスベース部) で
発生した窒素と溶剤は非照射部 (遮光板のライン部) か
ら離脱する。上記のとの動作は, 遮光板を連続的に
移動してもよい。
発生した窒素と溶剤は非照射部 (遮光板のライン部) か
ら離脱する。上記のとの動作は, 遮光板を連続的に
移動してもよい。
【００２０】実施例では膜厚 4μｍ以上のレジストでも
レジスト破裂を起こすことなく, 安定してUVキュアがで
きる。
レジスト破裂を起こすことなく, 安定してUVキュアがで
きる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば，ウエハを加熱しなが
ら，紫外線照射を行ってレジストの硬化を行う際に, レ
ジスト膜が厚い場合でもレジストの爆発が起こらなくな
った。この結果，デバイスの品質と製造歩留の向上に寄
与することができた。
ら，紫外線照射を行ってレジストの硬化を行う際に, レ
ジスト膜が厚い場合でもレジストの爆発が起こらなくな
った。この結果，デバイスの品質と製造歩留の向上に寄
与することができた。
【図１】 本発明の実施例の説明図
【図２】 本発明の他の実施例の説明図
1 ラインアンドスペースの上部遮光板 2 上部遮光板と直交するラインアンドスペースの下部
遮光板 3 UVランブ 4 ランプハウス 5 ホットプレート 6 外側容器 7 熱排気口
遮光板 3 UVランブ 4 ランプハウス 5 ホットプレート 6 外側容器 7 熱排気口
Claims (1)
- 【請求項１】 表面にレジストパターンが形成されたウ
エハを加熱し且つ該ウエハ表面に紫外線を照射するレジ
スト硬化過程において，該紫外線を局部的に遮光する遮
光板を移動させながら, 該レジストパターン全面に照射
することを特徴とするレジスト硬化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5074897A JPH06291028A (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | レジスト硬化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5074897A JPH06291028A (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | レジスト硬化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291028A true JPH06291028A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=13560645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5074897A Withdrawn JPH06291028A (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | レジスト硬化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291028A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008056610A1 (fr) * | 2006-11-06 | 2008-05-15 | Tokyo Electron Limited | Procédé de refusion, procédé de formation de motif et procédé de fabrication d'un transistor à couches minces ( tft ) |
-
1993
- 1993-04-01 JP JP5074897A patent/JPH06291028A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008056610A1 (fr) * | 2006-11-06 | 2008-05-15 | Tokyo Electron Limited | Procédé de refusion, procédé de formation de motif et procédé de fabrication d'un transistor à couches minces ( tft ) |
| JP2008117965A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Tokyo Electron Ltd | リフロー方法、パターン形成方法およびｔｆｔの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |