JPH06283401A - 投影露光装置及び露光方法 - Google Patents
投影露光装置及び露光方法Info
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- JPH06283401A JPH06283401A JP5092477A JP9247793A JPH06283401A JP H06283401 A JPH06283401 A JP H06283401A JP 5092477 A JP5092477 A JP 5092477A JP 9247793 A JP9247793 A JP 9247793A JP H06283401 A JPH06283401 A JP H06283401A
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- Japan
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- mask
- projection
- light
- temperature
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- Withdrawn
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 常にマスク温度を一定に保持することによ
り、マスクの重ね合わせによる総合重ね合わせの変動を
小さくし得る投影露光装置及び方法を提供する。 【構成】 所定パターンが形成されたマスク５を光照射
手段１によって照射し、このパターンの像を被投影基板
７上に投影・転写する。被投影基板７上に投影・転写を
行わない時にも、マクス５に光を照射する手段１０，１
１を有している。被投影基板７に対して露光を開始する
前にマスク５に露光を照射しておき、マスク５の温度を
飽和温度まで上昇させておく。露光開始時には、マスク
５はほぼその飽和温度に抑えられ、これによりマスク５
の重ね合わせによる総合重ね合わせ精度を安定的に保持
することができる。
り、マスクの重ね合わせによる総合重ね合わせの変動を
小さくし得る投影露光装置及び方法を提供する。 【構成】 所定パターンが形成されたマスク５を光照射
手段１によって照射し、このパターンの像を被投影基板
７上に投影・転写する。被投影基板７上に投影・転写を
行わない時にも、マクス５に光を照射する手段１０，１
１を有している。被投影基板７に対して露光を開始する
前にマスク５に露光を照射しておき、マスク５の温度を
飽和温度まで上昇させておく。露光開始時には、マスク
５はほぼその飽和温度に抑えられ、これによりマスク５
の重ね合わせによる総合重ね合わせ精度を安定的に保持
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被投影基板上にパター
ンを投影・転写する投影露光装置及び方法に関する。
ンを投影・転写する投影露光装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の縮小投影露光装置においては、ウ
ェハに露光する時のみ、投影露光をマスクに照射するよ
うにしていた。図４は、従来のこの種の縮小投影露光装
置の概略構成を示している。図４において、光源１から
発せられた光は、フィルター２を通過することにより、
特定の波長のみが選択され、更にシャッター３及びコン
デンサレンズ４を通ってマスク５へ導かれる。そしてこ
のマスク５のパターンに応じた透過光は、縮小レンズ６
を介して、ウェハステージ８上のウェハ７に投影され
る。
ェハに露光する時のみ、投影露光をマスクに照射するよ
うにしていた。図４は、従来のこの種の縮小投影露光装
置の概略構成を示している。図４において、光源１から
発せられた光は、フィルター２を通過することにより、
特定の波長のみが選択され、更にシャッター３及びコン
デンサレンズ４を通ってマスク５へ導かれる。そしてこ
のマスク５のパターンに応じた透過光は、縮小レンズ６
を介して、ウェハステージ８上のウェハ７に投影され
る。
【０００３】上記ウェハ７は、ウェハステージ８の移動
によって水平移動することにより、露光が繰り返される
が、通常、１枚のウェハ７に対して数十回程度の露光が
行われる。これによりウェハ７には、同一のパターンが
数十個形成される。各露光は、シャッター３を開くこと
により行われるが、該シャッター３は、所定の露光時間
以外は閉じている。
によって水平移動することにより、露光が繰り返される
が、通常、１枚のウェハ７に対して数十回程度の露光が
行われる。これによりウェハ７には、同一のパターンが
数十個形成される。各露光は、シャッター３を開くこと
により行われるが、該シャッター３は、所定の露光時間
以外は閉じている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の投影露光装置では、特に一定時間の不使用状態か
ら再度使用し始める際、マスク５は光を吸収することに
よって、その温度が徐々に上昇して、膨張し始める。そ
の場合、該マスク５の遮光膜の面積率が大きい場合は特
に、その膜の温度が上がり易くなり、熱膨張の程度とし
ても０．１５μｍ／２０ｎｍと極めて大きくなる。この
結果、マスクの重ね合わせによる総合重ね合わせ精度
は、無視することができない程度の大きな変動を誘発す
るという問題があった。
従来の投影露光装置では、特に一定時間の不使用状態か
ら再度使用し始める際、マスク５は光を吸収することに
よって、その温度が徐々に上昇して、膨張し始める。そ
の場合、該マスク５の遮光膜の面積率が大きい場合は特
に、その膜の温度が上がり易くなり、熱膨張の程度とし
ても０．１５μｍ／２０ｎｍと極めて大きくなる。この
結果、マスクの重ね合わせによる総合重ね合わせ精度
は、無視することができない程度の大きな変動を誘発す
るという問題があった。
【０００５】そこで、本発明は、常にマスク温度を一定
に保持することにより、マスクの重ね合わせによる総合
重ね合わせの変動を小さくし得る投影露光装置及び方法
を提供することを目的とする。
に保持することにより、マスクの重ね合わせによる総合
重ね合わせの変動を小さくし得る投影露光装置及び方法
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の投影露光装置
は、所定パターンが形成されたマスクを光照射手段によ
って照射し、このパターンの像を被投影基板上に投影・
転写するが、特に前記被投影基板上に投影・転写を行わ
ない時にも、前記マクスに光を照射する手段を有してい
る。
は、所定パターンが形成されたマスクを光照射手段によ
って照射し、このパターンの像を被投影基板上に投影・
転写するが、特に前記被投影基板上に投影・転写を行わ
ない時にも、前記マクスに光を照射する手段を有してい
る。
【０００７】本発明の投影露光方法は、所定パターンが
形成されたマスクを光照射手段によって照射し、このパ
ターンの像を被投影基板上に投影・転写するが、特に前
記被投影基板上に投影・転写を行わない時にも、前記マ
クスに光を照射するようにしたものである。
形成されたマスクを光照射手段によって照射し、このパ
ターンの像を被投影基板上に投影・転写するが、特に前
記被投影基板上に投影・転写を行わない時にも、前記マ
クスに光を照射するようにしたものである。
【０００８】
【作用】露光開始時には、マスク温度は周囲温度と同一
温度であり、露光開始と共に該マスクが露光の一部を吸
収してその温度が上昇し始める。そして一定の温度に達
すると飽和するが（この温度を飽和温度という）、この
飽和温度までの間のマスクの伸縮が長寸法変動となり、
そのままではマスクの重ね合わせによる総合重ね合わせ
精度に悪影響を及ぼす。本発明によれば、ウェハに対し
て露光を開始する前にマスクに露光を照射しておき、該
マスク温度を飽和温度まで上昇させておく。従って、露
光開始時には、マスクはほぼその飽和温度に抑えられ、
これによりマスクの重ね合わせによる総合重ね合わせ精
度を安定的に保持することができる。
温度であり、露光開始と共に該マスクが露光の一部を吸
収してその温度が上昇し始める。そして一定の温度に達
すると飽和するが（この温度を飽和温度という）、この
飽和温度までの間のマスクの伸縮が長寸法変動となり、
そのままではマスクの重ね合わせによる総合重ね合わせ
精度に悪影響を及ぼす。本発明によれば、ウェハに対し
て露光を開始する前にマスクに露光を照射しておき、該
マスク温度を飽和温度まで上昇させておく。従って、露
光開始時には、マスクはほぼその飽和温度に抑えられ、
これによりマスクの重ね合わせによる総合重ね合わせ精
度を安定的に保持することができる。
【０００９】
【実施例】以下、図１乃至図３に基づき、従来例と実質
的に同一部材には同一符号を用いて本発明による投影露
光装置及びその方法の好適な一実施例を説明する。図１
は、本発明の一実施例による縮小投影露光装置の概略構
成を示している。図において、光源１から発せられた光
は、フィルター２、コンデンサレンズ４、マスク５及び
縮小レンズ６を通って、ウェハステージ８上のウェハ７
に投影される。
的に同一部材には同一符号を用いて本発明による投影露
光装置及びその方法の好適な一実施例を説明する。図１
は、本発明の一実施例による縮小投影露光装置の概略構
成を示している。図において、光源１から発せられた光
は、フィルター２、コンデンサレンズ４、マスク５及び
縮小レンズ６を通って、ウェハステージ８上のウェハ７
に投影される。
【００１０】本実施例では、特に光源１及びマスク５間
の光路９上に、好適にはフィルター２及びコンデンサレ
ンズ４間にシャッター１０が挿入され、またマスク５及
びウェハ７間の光路９上に、好適にはマスク５及び縮小
レンズ６間にシャッター１１が挿入される。ウェハ７に
対する露光時間は、上記シャッター１０の開閉によって
制御される。また上記シャッター１１は、ほぼ半円形の
窓部１１ａを有する円板により構成され、回転軸１２の
まわりに回転自在に支持されている。そして上記窓部１
１ａを介して透光可能であるが、回転軸１２のまわりに
１８０°回転することにより、上記光路９の開閉を行う
ことができる。
の光路９上に、好適にはフィルター２及びコンデンサレ
ンズ４間にシャッター１０が挿入され、またマスク５及
びウェハ７間の光路９上に、好適にはマスク５及び縮小
レンズ６間にシャッター１１が挿入される。ウェハ７に
対する露光時間は、上記シャッター１０の開閉によって
制御される。また上記シャッター１１は、ほぼ半円形の
窓部１１ａを有する円板により構成され、回転軸１２の
まわりに回転自在に支持されている。そして上記窓部１
１ａを介して透光可能であるが、回転軸１２のまわりに
１８０°回転することにより、上記光路９の開閉を行う
ことができる。
【００１１】本発明によれば、通常の露光処理を行う場
合、シャッター１０及びシャッター１１が共に開いた状
態になる。またウェハステージ８上のウェハ７の移動時
には、シャッター１０が開放したままの状態で、シャッ
ター１１により光路９が閉じるように制御される。即
ち、シャッター１１は、基本的には従来例の場合と同様
に、ウェハステージ８における位置合わせに同期して開
閉し、ウェハ７を照射する。従って、露光処理を停止し
ている時においても、マスク５に対して光が照射され
る。なお仮に該マスク５の温度が異常に上昇し始める場
合、シャッター１０を適宜開閉することにより、その温
度上昇を調節することができる。更に露光時間以外で、
シャッター１０を開いて露光処理を行う場合（この場合
実際には、マスク５の加熱を行っている）、常にシャッ
ター１１を閉じているため、ウェハ７に対して不必要な
露光を行わないで済む。
合、シャッター１０及びシャッター１１が共に開いた状
態になる。またウェハステージ８上のウェハ７の移動時
には、シャッター１０が開放したままの状態で、シャッ
ター１１により光路９が閉じるように制御される。即
ち、シャッター１１は、基本的には従来例の場合と同様
に、ウェハステージ８における位置合わせに同期して開
閉し、ウェハ７を照射する。従って、露光処理を停止し
ている時においても、マスク５に対して光が照射され
る。なお仮に該マスク５の温度が異常に上昇し始める場
合、シャッター１０を適宜開閉することにより、その温
度上昇を調節することができる。更に露光時間以外で、
シャッター１０を開いて露光処理を行う場合（この場合
実際には、マスク５の加熱を行っている）、常にシャッ
ター１１を閉じているため、ウェハ７に対して不必要な
露光を行わないで済む。
【００１２】次に、図３は本発明の具体的な効果を示し
ている。マスク５の設置雰囲気の温度が２３．０℃の場
合、従来では露光開始時においてマスク５の温度は２
３．０℃であり、露光処理開始と伴にその温度が徐々に
上昇し始める。マスク５の保有面積や１ショット当たり
の露光時間等によって変化するが、本発明者等の実験に
よれば、露光処理中におけるマスク５の最高温度２６．
０℃まで上昇し、その温度で飽和する。
ている。マスク５の設置雰囲気の温度が２３．０℃の場
合、従来では露光開始時においてマスク５の温度は２
３．０℃であり、露光処理開始と伴にその温度が徐々に
上昇し始める。マスク５の保有面積や１ショット当たり
の露光時間等によって変化するが、本発明者等の実験に
よれば、露光処理中におけるマスク５の最高温度２６．
０℃まで上昇し、その温度で飽和する。
【００１３】これに対して、本発明に係る投影露光装置
の場合、露光を行う前に、シャッター１０を開いてお
き、また光をマスク５に照射しておき、該マスク５の温
度を２６．０℃に上昇させ飽和状態にする。従って、従
来の露光処理ではマスク５の温度が上記のように３℃前
後変動していたが、本発明によれば０℃に抑え、また露
光を開始しても常にマスク５の温度は２６．０℃程度に
安定保持される。即ち、露光処理中でもマスク５の伸縮
変動は生じず、この結果該マスク５の重ね合わせによる
総合重ね合わせ精度を向上させることができる。つま
り、マスク５の基板合成石英の熱膨張率は、約５×１０
-7（／℃）であるから、３℃の温度変動に対して１５μ
ｍ／１００ｎｍとなる。これは、縮小レンズ６の縮小倍
率が１／５とすると、ウェハ７上において０．０３μｍ
／２０ｎｍとなり、ＬＳＩ製造における総合重ね合わせ
精度に対して無視し得ない値である。
の場合、露光を行う前に、シャッター１０を開いてお
き、また光をマスク５に照射しておき、該マスク５の温
度を２６．０℃に上昇させ飽和状態にする。従って、従
来の露光処理ではマスク５の温度が上記のように３℃前
後変動していたが、本発明によれば０℃に抑え、また露
光を開始しても常にマスク５の温度は２６．０℃程度に
安定保持される。即ち、露光処理中でもマスク５の伸縮
変動は生じず、この結果該マスク５の重ね合わせによる
総合重ね合わせ精度を向上させることができる。つま
り、マスク５の基板合成石英の熱膨張率は、約５×１０
-7（／℃）であるから、３℃の温度変動に対して１５μ
ｍ／１００ｎｍとなる。これは、縮小レンズ６の縮小倍
率が１／５とすると、ウェハ７上において０．０３μｍ
／２０ｎｍとなり、ＬＳＩ製造における総合重ね合わせ
精度に対して無視し得ない値である。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、露
光中のマスクの温度変動を最小限に抑えるようにしたこ
とにより、非露光中においてもマスクに光を照射し安定
したマスクの重ね合わせによる総合重ね合わせ精度を達
成することができる。
光中のマスクの温度変動を最小限に抑えるようにしたこ
とにより、非露光中においてもマスクに光を照射し安定
したマスクの重ね合わせによる総合重ね合わせ精度を達
成することができる。
【図１】本発明の一実施例による縮小投影露光装置の概
略構成を示す図である。
略構成を示す図である。
【図２】本発明に係るマスク及び縮小レンズ間に挿入さ
れるシャッターの構成例を示す平面図である。
れるシャッターの構成例を示す平面図である。
【図３】本発明における露光時間とウェハ温度との関係
を従来例との比較において示す図である。
を従来例との比較において示す図である。
【図４】従来の縮小投影露光装置の概略構成を示す図で
ある。
ある。
１ 光源 ２ フィルター ４ コンデンサレンズ ５ マスク ６ 縮小レンズ ７ ウェハ ８ ウェハステージ ９ 光路 １０ シャッター １１ シャッター
Claims (5)
- 【請求項１】 所定パターンが形成されたマスクを光照
射手段によって照射し、このパターンの像を被投影基板
上に投影・転写する投影露光装置において、前記被投影
基板上に投影・転写を行わない時にも、前記マクスに光
を照射する手段を有していることを特徴とする投影露光
装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の投影露光装置におい
て、前記被投影基板上への光の照射を遮断する手段を有
していることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の投影露光装置におい
て、前記光の遮断手段は、前記マスクと前記被投影基板
の間に設けられたシャッターであることを特徴とする投
影露光装置。 - 【請求項４】 所定パターンが形成されたマスクを光照
射手段によって照射し、このパターンの像を被投影基板
上に投影・転写する投影露光方法において、前記被投影
基板上に投影・転写を行わない時にも、前記マクスに光
を照射するようにしたことを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の投影露光方法におい
て、前記被投影基板の搬送時に、該被投影基板への光の
照射を遮断することを特徴とする投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5092477A JPH06283401A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 投影露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5092477A JPH06283401A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 投影露光装置及び露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283401A true JPH06283401A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=14055397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5092477A Withdrawn JPH06283401A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 投影露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283401A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11571744B2 (en) | 2016-12-21 | 2023-02-07 | Sanvac (Beijing) Magnetics Co., Ltd. | Micro powder for preparing neodymium-iron-boron permanent magnet material, method for preparing powder by target-type jet milling, and powder |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP5092477A patent/JPH06283401A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11571744B2 (en) | 2016-12-21 | 2023-02-07 | Sanvac (Beijing) Magnetics Co., Ltd. | Micro powder for preparing neodymium-iron-boron permanent magnet material, method for preparing powder by target-type jet milling, and powder |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000530 |