JPH06281964A - 強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素子の製造方法及び液晶光学素子の階調表示方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 強誘電性高分子液晶を用いた高速応答性を有
し、階調表示が可能な液晶表示素子の簡便な製造方法を
提供するとともに、その簡便な階調表示方法を提供す
る。 【構成】 強誘電性高分子液晶からなる液晶材料を２枚
の電極間に挟持して液晶光学素子を構成し、液晶材料が
等方相と液晶相が共存するような温度域で素子を保持し
た後冷却する液晶光学素子の製造方法。この液晶光学素
子に、印加する電圧のパルス幅又は電界強度を変化させ
て電圧を印加し、階調表示を行なう液晶光学素子の階調
表示方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレイや広告媒
体に好適な強誘電性高分子液晶を用いた液晶光学素子の
製造方法及び液晶光学素子の階調表示方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】強誘電性液晶（ＦＬＣ）の双安定性を利
用した液晶光学素子がクラークとラガウォールによって
提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、特
開昭６３−１５３５２１号公報など。）。この液晶光学
素子は、高速応答、双安定性を利用した単純マトリクス
駆動が可能などの利点があり、大容量ディスプレイへの
応用が期待されている。しかしながら、双安定性は基本
的に明又は暗状態を用いるので中間調を出せないという
欠点があり、実際のテレビやコンピューター用ディスプ
レイへ応用する際の問題点となっている。

【０００３】明、暗以外の中間調を出す試みとして以下
のような提案がなされている。

【０００４】特開昭６２−１４５２１６号公報、同６２
−１５０２２６号公報、同６３−１３３１２１号公報な
どには、各画素内で液晶層の厚みに分布を持たせてしき
い値特性を変化させる方法が記載されているが、電極、
基板の加工が困難であるという問題がある。

【０００５】特開昭６２−２４４０１８号公報、特開平
２−１８４８２１号公報などには、複数の電極で一画素
を形成し、電極の面積比によって階調表示する方法が記
載されているが、表示容量（画素）が全体で減少し、ま
たＦＬＣの応答時間を相当速くしなければならないとい
う問題がある。

【０００６】特開昭６２−２６５６２７号公報、特開平
１−５２１２７号公報などには、２枚以上のＦＬＣ層
（パネル）を用いて階調表示を行なう方法が記載されて
いるが、液晶表示素子の構成が複雑になるという問題が
ある。

【０００７】特開平１−１０７２３３号公報、同４−１
４０１８号公報、同４−５７０２６号公報、同４−１８
４３２０号公報などには、配向膜の厚みを異ならせた
り、あるいは２種以上のポリマーからなる配向膜をミク
ロドメインに分離してしきい値特性を変化させ階調表示
するる方法が記載されているが、配向膜自体によって必
ずしもしきい値特性が変化できるとは限らないし、膜自
体に分布を持たせて基板につけるのが難しいという問題
がある。

【０００８】特開平３−１７４５１４号公報には、電極
上に分離膜を設け異なるＦＬＣを充填し、階調表示する
方法が記載されているが、液晶表示素子の加工が困難な
上、構成が複雑になるという問題がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は強誘電性高分
子液晶を用いた高速応答性を有し、階調表示が可能な液
晶光学素子の簡便な製造方法を提供するとともに、その
得られた液晶光学素子の階調表示方法を提供することを
目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決するため鋭意検討を行ったところ、強誘電性高分子
液晶からなる液晶材料を電極間で特定な温度域に保持し
た後、冷却することにより、しきい値特性の異なるミク
ロミクロドメインが形成され、階調表示が可能になるこ
とを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至
った。

【００１１】すなわち本発明は、強誘電性高分子液晶か
らなる液晶材料を２枚の電極間に挟持して液晶光学素子
を構成し、液晶材料が等方相と液晶相が共存するような
温度域で素子を保持した後冷却することを特徴とする液
晶光学素子の製造方法を提供するものである。

【００１２】上記液晶材料中には１種以上の低分子液晶
が含有されていてもよい。また、減粘剤などの液晶材料
中に含まれる各種添加剤、カイラル化合物等が含有され
ていてもよい。

【００１３】本発明の液晶光学素子は素子内のミクロド
メインのしきい値特性が互いに異なることによって単一
画素内においても階調表示を行なうことが可能となる。

【００１４】図１は、本発明の液晶光学素子の構成の一
例を示す断面説明図である。液晶材料５は２枚の配向膜
４を有する電極３付基板２により挟持されており、基板
２の両外側には偏光板１が配置されている。後に述べる
ようにせん断法を用いて液晶を配向させる場合には配向
膜４は不要となる。

【００１５】偏光板は必要に応じて電極付基板の両外側
又は片外側に設けられ、通常の液晶光学素子に使用され
る偏光板が好適に用いられる。偏光軸方向としては特に
制限はないが、基板の両外側に偏光板を設ける場合、２
枚の偏光板の偏光軸が互いに直交していることが好まし
い。

【００１６】電極付基板の基板としては、少なくとも一
方が透明性の材料からなるものであれば特に制限はな
い。例えば、ガラス、ポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボ
ネート（ＰＣ）などのプラスチックフィルムなどが挙げ
られる。本発明では高分子液晶を用いているので生産性
を向上させるためプラスチックフィルムのような可撓性
基板を用いることが好ましい。基板の厚さとしては１０
μｍ〜１０ｍｍが好ましい。

【００１７】電極としては、少なくとも一方が透明性の
材料からなるものであれば特に制限はない。例えば、酸
化インジウム又は酸化インジウムと酸化スズとの混合物
からなるＩＴＯ等の透明電極を基板に蒸着したものなど
が好ましい。

【００１８】本発明の液晶光学素子では、電極間に挟持
される液晶材料を一方向に配向させて光学素子として用
いる。配向方法は一般に知られているあらゆる方法を用
いることができる。配向膜を用いる場合は、ポリイミド
やポリビニルアルコールなどの高分子膜を一方向にラビ
ング処理したもの、酸化シリコンを斜方蒸着したものな
どの種々の配向膜を用いることができる。配向膜を用い
ない場合は剪断法を用いることができる。また、可撓性
基板を用いる場合には特開昭２−１０３２２号公報に示
した方法などを用いることができる。

【００１９】上記の電極付基板間に挟持される液晶材料
の強誘電性高分子液晶としては使用温度で強誘電相を示
す高分子液晶であり、素子を使用する温度以上の温度で
等方相と液晶相とが共存する温度域が存在するものであ
れば特に制限はない。特に以下に示すように２枚の電極
間に挟持し、液晶光学素子としたときに素子面内におい
て強誘電性高分子液晶が分子量の異なる複数種類のミク
ロドメインを形成することが必要である。ミクロドメイ
ンの大きさ（直径）は１ｎｍ〜１０ｍｍが好ましい。

【００２０】素子の強誘電性高分子液晶が等方相から液
晶相へ転移するときの両相の共存温度域で素子を保持
し、分子量の異なる成分へミクロ的に相分離させるため
には用いる用いる強誘電性高分子液晶の分子量分布が広
い方が好ましい。分子量分布を示す指標としてＭｗ／Ｍ
ｎを用いると、この値は好ましくは１．５以上、更に好
ましくは２．０以上である。分子量分布が狭いと共存温
度域で保持しても分子量の異なる成分へ分離しにくい。
ここで液晶相とは具体的にはコレステリック相、スメク
ティックＡ相、カイラルスメクティックＣ相などを示
す。

【００２１】素子を保持する時間は長い方がよいが、あ
まり長いと生産性が悪くなる。短いと分離が不十分とな
る。好ましくは１分以上、更に好ましくは１０分以上で
ある。

【００２２】低分子液晶を混合する場合、用いる低分子
液晶は特に制限されないが、好ましくはスメクティック
液晶が用いられる。

【００２３】通常、強誘電性高分子液晶を含んだ液晶材
料の等方相−液晶相の相転移の温度幅は１〜５℃、長い
ものでは１０℃を超える。この温度域で液晶材料を保持
すると、分子量の高い成分が液晶相として析出し、低い
成分が等方相として残る。ある程度の時間保持すること
により、分離が進み、平衡状態が得られるものと考えら
れる。この状態から素子を冷却すると、液晶材料は分子
量の異なるミクロなドメインに分離されるものと考えら
れる。この冷却速度は好ましくは３℃／分、更に好まし
くは１０℃／分とする。

【００２４】本発明において用いられる強誘電性高分子
液晶の具体例としては、例えば、ポリアクリレート系、
ポリメタクリレート系、ポリクロロアクリレート系、ポ
リオキシラン系、ポリシロキサン系、ポリエステル系等
の強誘電性高分子液晶が挙げられる。

【００２５】ポリアクリレート系強誘電性高分子液晶の
繰り返し単位としては、例えば、

【００２６】

【化１】 などが挙げられる。

【００２７】ポリメタクリレート系強誘電性高分子液晶
の繰り返し単位としては、例えば、

【００２８】

【化２】 などが挙げられる。

【００２９】ポリクロロアクリレート系強誘電性高分子
液晶の繰り返し単位としては、例えば、

【００３０】

【化３】 などが挙げられる。

【００３１】ポリオキシラン系強誘電性高分子液晶の繰
り返し単位としては、例えば、

【００３２】

【化４】 などが挙げられる。

【００３３】ポリシロキサン系強誘電性高分子液晶の繰
り返し単位としては、例えば、

【００３４】

【化５】 などが挙げられる。

【００３５】ポリエステル系強誘電性高分子液晶の繰り
返し単位としては、例えば、

【００３６】

【化６】 などが挙げられる。

【００３７】なお、上記の強誘電性高分子液晶の繰り返
し単位は、側鎖の骨格がビフェニル骨格、フェニルベン
ゾエート骨格、ビフェニルベンゾエート骨格、フェニル
−４−フェニルベンゾエート骨格で置き換えられてもよ
く、これらの骨格中のベンゼン環がピリミジン環、ピリ
ジン環、ピリダジン環、ピラジン環、テトラジン環、シ
クロヘキサン環、ジオキサン環、ジオキサボリナン環で
置き換えられてもよく、フッ素、塩素などのハロゲン基
あるいはシアノ基で置換されてもよい。光学活性基は１
−メチルアルキル基、２−フルオロアルキル基、２−ク
ロロアルキル基、２−クロロ−３−メチルアルキル基、
２−トリフルオロメチルアルキル基、１−アルコキシカ
ルボニルエチル基、２−アルコキシ−１−メチルエチル
基、２−アルコキシプロピル基、２−クロロ−１−メチ
ルアルキル基、２−アルコキシカルボニル−１−トリフ
ルオロメチルプロピル基などの光学活性基でもよく、骨
格とはエーテル結合、エステル結合、単結合を介して連
絡されている。またスペーサの長さは、メチレン鎖長が
２〜３０の範囲で変化してもよい。

【００３８】また、下記の一般式で表わされる繰り返し
単位

【００３９】

【化７】 ［式中、ｒ及びｐは２〜５の整数、ｑは０〜３の整数、
ｍは１〜２０の整数であり、Ｒ¹は

【００４０】

【化８】 である。ただしＲ²は−ＣＯＯＲ³、−ＯＲ³又は−ＯＣ
ＯＲ³であり、Ｒ³は

【００４１】

【化９】 であり、Ｒ⁴及びＲ⁵は−ＣＨ₃又はハロゲン原子であ
り、ａ、ｄは０〜１０の整数であり、ｂは０又は１であ
る（Ｒ⁵が−ＣＨ₃で場合、ｄは０ではない。）。］から
なり、［Ｉ］と［ＩＩ］のモル比がほぼ１：１である強
誘電性液晶性共重合体が好適に用いられる。この液晶性
共重合体としては下記に示すような（ａ）〜（ｌ）の共
重合体が挙げられる。

【００４２】

【化１０】

【００４３】

【化１１】

【００４４】

【化１２】

【００４５】強誘電性高分子液晶の数平均分子量として
は、１０００〜２０万が好適である。また、強誘電性高
分子液晶には必要に応じて各種添加物が含まれていても
よい。

【００４６】強誘電性高分子液晶は１種単独のみなら
ず、２種以上併用してもよい。また、液晶材料中に配合
される低分子液晶の割合は特に限定しない。液晶材料中
の高分子液晶の割合は１０〜９０重量％とすることが好
ましい。高分子液晶の割合が１０重量％未満では階調表
示を行なおうとしても効果が著しく低下し、９０重量％
を超えると電界変化に対する応答時間が長くなる。

【００４７】低分子液晶としては、特に制限はないが、
高分子液晶と相溶性を有する低分子液晶、スメクチック
液晶、強誘電性液晶が好適に用いられる。低分子強誘電
性液晶の具体例を以下に示す。

【００４８】

【化１３】 上記の低分子強誘電性液晶化合物のほかにも以下の低分
子強誘電性液晶化合物が好適に用いられる。例えばシッ
フ塩基系低分子強誘電性液晶化合物、アゾ及びアゾキシ
系低分子強誘電性液晶化合物、ビフェニル及びアロマテ
ィックスエステル系低分子強誘電性液晶化合物、１級又
は２級アルコールを不斉源とした非シッフ塩基系低分子
強誘電性液晶化合物、ハロゲン、シアノ基等の環置換基
を導入した低分子強誘電性液晶化合物、複素環を有する
低分子強誘電性液晶化合物、乳酸誘導体又はアミノ酸誘
導体を不斉源とする低分子強誘電性液晶化合物、ハロゲ
ン又はシアノ基が不斉炭素に直結した低分子強誘電性液
晶化合物などが掲げられる。

【００４９】シッフ塩基系低分子強誘電性液晶化合物と
しては、例えば、

【００５０】

【化１４】 などのアミルアルコールを不斉源とした化合物、

【００５１】

【化１５】 などの水酸基を導入したシッフ塩基系化合物、

【００５２】

【化１６】 などの２級アルコール等を不斉源としたシッフ塩基系化
合物、

【００５３】

【化１７】 などのハロゲン、シアノ基が不斉炭素に直結した化合物
などが挙げられる。

【００５４】アゾ及びアゾキシ系低分子強誘電性液晶化
合物としては、例えば、

【００５５】

【化１８】 などが挙げられる。

【００５６】ビフェニル及びアロマティックスエステル
系低分子強誘電性液晶化合物としては、例えば、

【００５７】

【化１９】 などの２環系化合物、

【００５８】

【化２０】 などの多環系化合物などが挙げられる。

【００５９】１級又は２級アルコールを不斉源とした非
シッフ塩基系低分子強誘電性液晶化合物としては、例え
ば、

【００６０】

【化２１】 などが挙げられる。

【００６１】ハロゲン、シアノ基等の環置換基を導入し
た低分子強誘電性液晶化合物としては、例えば、

【００６２】

【化２２】 などが挙げられる。

【００６３】複素環を有する低分子強誘電性液晶化合物
としては、例えば、

【００６４】

【化２３】 などが挙げられる。

【００６５】乳酸誘導体を不斉源とする低分子強誘電性
液晶化合物としては、例えば、

【００６６】

【化２４】 などが挙げられる。

【００６７】ハロゲン又はシアノ基が不斉炭素に直結し
た強誘電性低分子液晶化合物としては、例えば

【００６８】

【化２５】

【００６９】

【化２６】 などが挙げられる。

【００７０】また、上記化合物以外にも、例えば

【００７１】

【化２７】 などが挙げられる。

【００７２】なお、前記化合物は、低分子強誘電性液晶
化合物の代表的な化合物であり、本発明の低分子強誘電
性液晶化合物はなんら、これらの構造のものに限定され
るものではない。

【００７３】次に、本発明において用いられるスメクチ
ック液晶としては、特に制限はなく、従来公知の化合物
の中から任意のものを１種以上選択して用いることがで
きる。例えば次のような化合物が挙げられる。

【００７４】

【化２８】 （式中のＲ⁶及びＲ⁷は、それぞれ炭素数１〜１２の直鎖
状又は分岐状のアルキル基、アルコキシ基又はアシルオ
キシであり、それらは同一であってもよいし、互いに異
なっていてもよい）などを挙げることができる。

【００７５】更に、一般式

【００７６】

【化２９】 で表される化合物なども用いることができる。前記一般
式（ＩＩＩ）におけるＲ⁸は炭素数７〜１２のアルキル
基、炭素数６〜１１アルコキシ基、炭素数６〜１２のア
シルオキシ基又は炭素数６〜１２のアルコキシカルボニ
ル基、Ｒ⁹は炭素数７〜１２のアルキル基又は炭素数６
〜１１のアルコキシ基である。また、一般式（ＩＶ）に
おけるＲ¹⁰及びＲ¹¹は、それぞれ炭素数４〜１４のアル
キル基又はアルコキシ基であり、それらは同一であって
もよいし、互いに異なっていてもよい。一方、一般式
（Ｖ）におけるＲ¹²は炭素数４〜１４のアルキル基、Ｒ
¹³は炭素数５〜１４のアルキル基又は炭素数４〜１４の
アルコキシ基である。

【００７７】これら液晶化合物の具体例としては、

【００７８】

【化３０】 などが挙げられる。

【００７９】なお、液晶材料の液晶相を示す温度範囲を
広げるためには、３環系の液晶化合物を用いることが好
ましい。

【００８０】液晶材料の混合方法は特に制限はなく、直
接混合でも溶液混合でもよい。例えば、溶液混合として
は、強誘電性高分子液晶、低分子液晶の所定量を容器に
入れてジクロルメタン等の溶媒に溶解し、混合して溶媒
を蒸発させる方法が好適である。

【００８１】本発明の液晶光学素子の階調表示方法は、
上記のようにして得られた液晶光学素子に、印加する電
圧のパルス幅又は電界強度を変化させて電圧を印加する
ことにより行なわれる。

【００８２】まず、しきい値電圧について説明する。配
向させた強誘電性液晶素子に図２（ａ）のようなパルス
波形電圧を印加する。例えばリセットパルスで暗状態に
して書込みパルスで明状態にスイッチングしようとす
る。このときの透過光強度の変化の様子は図２（ｂ）の
ようである。パルス波形電圧印加後の透過光強度を書込
みパルスの電圧に対してグラフにすると図２（ｃ）のよ
うになる。図２（ｃ）において、透過光強度の変化し始
める電圧をこのパルス幅τのパルスに対してしきい値電
圧と呼ぶ。

【００８３】各々のパルスのパルス幅（時間）は強誘電
性液晶の応答時間程度にする。また、リセットパルスの
電圧は十分に強誘電性液晶が反転するように大きな電圧
（Ｖ_sat以上）とする。

【００８４】このようなしきい値は同じセル厚、同じパ
ルス幅のパルスを印加したときに強誘電性液晶の種類に
よって異なっているのが通常である。これは液晶によっ
て応答時間が異なることや、基板（電極を含む）と液晶
との相互作用が異なることが理由であると考えられる。

【００８５】次に階調表示の原理について説明する。強
誘電性液晶ではセル厚をうすくしていくと、双安定性を
示すようになり、分子の方向が２状態が安定になる。こ
の双安定性のため単純マトリックス駆動による光学素子
が可能となる。

【００８６】しかしながら、２状態のみが安定というこ
とは明あるいは暗の２状態しか示さないことであり、中
間調を出せないという欠点にもなる。すなわち、前述し
たしきい値以下の電圧では暗状態であり、しきい値以上
の電圧では明状態である。

【００８７】本発明では強誘電性高分子液晶の分子量の
異なる成分がミクロドメインに分かれて存在している。
図３に示すように単一の電極（画素）内に複数の分子量
の異なるドメインａ₁、ａ₂、・・・、ａ_i、ａ_jがあると
き、例えば図４に示すように同じパルス幅のパルスに対
してしきい値電圧が異なっているとする。Ｖ₁の電圧を
印加したときはどちらも反転せず暗状態であるが、Ｖ₂
ではａ_iのみ反転し、画素全体で見れば、中間調、Ｖ₃で
は両方反転するので明状態となる。この場合、３階調が
可能となる。画素全体（ドメインａ₁、ａ₂、・・・、ａ
_n）としてのしきい値特性を図５に示す。また、印加電
圧のパルス幅を変化させて電圧を印加した場合も同様に
階調表示が可能である。

【００８８】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例１ 下記の繰り返し単位を有する強誘電性高分子液晶Ａ（特
開平４−３１４７８４号記載の方法で合成した。）をＩ
ＴＯ電極付のガラス基板で挟持し、液晶光学素子とし
た。

【００８９】

【化３１】 （ｇｌａｓｓ：ガラス状態、Ｓ _C ^*：カイラルスメクティ
ックＣ相、Ｓ_A：スメクティックＡ相、Ｉｓｏ：等方
相） このとき電極面積は１０ｍｍ×１０ｍｍ、配向膜として
はポリイミドラビング膜を用い、セルギャップ３μｍと
し、１２０℃の等方相で液晶を注入した。このセルを９
５℃の等方相、Ｓ_A相共存温度域で１０分間保持し、そ
の後１０℃／分の速度で冷却し、室温にした。室温で図
６のようなパルス波形を用いてしきい値特性を評価した
ところ、図７のようになった。

【００９０】パルス幅４ｍｓ、電圧値を５Ｖ、１５Ｖ、
２０Ｖ、３０Ｖと変化させてパルス波形を印加したとこ
ろ、クロスニコル下で透過光強度の比が１：８：１５：
３０となり、電圧値により階調表示が可能であることが
わかった。

【００９１】比較例 実施例１と同じ液晶Ａを用いて液晶光学素子を作製し
た。１２０℃の等方相で液晶を注入するところまでは同
様の方法を用いた。その後、１２０℃から１０℃／分で
冷却し、室温にした。実施例１と同様にしきい値特性を
評価したところ、図８のようになった。

【００９２】実施例１と比較するとしきい値特性が急峻
であり、同様にパルス幅４ｍｓ、電圧値を５Ｖ、１５
Ｖ、２０Ｖ、３０Ｖと変化させてパルス波形を印加した
ところ、透過光強度の比が１：１：３０：３０となり、
明暗の２値しか実現できず、階調表示ができなかった。

【００９３】実施例２ 下記強誘電性高分子液晶Ｂと低分子液晶Ｃとを重量比
８：２で混合した。

【００９４】

【化３２】 液晶Ｂ１ｇと液晶Ｃ０．２５ｇを計りとり、溶媒（ジク
ロロメタン）５０ｃｃに溶解し、お互いによく攪拌した
後、約１００℃で溶媒を蒸発させ、組成物（混合物）と
した。

【００９５】上記組成物をＩＴＯ電極付のガラス基板で
挟持し、液晶光学素子とした（配向膜なし。）。素子の
作製は、一方の基板に組成物を等方相の９０℃でバーコ
ーターを用いて塗布し、３μｍのシリカスペーサーを散
布した後、もう一方のガラス基板を重ね合わせた。この
素子を７７℃で１５分間保持し、その後、７０℃まで１
０℃／分で急冷した。

【００９６】７０℃にで上下基板間に１ｍｍずれるよう
に剪断を数回かけ、液晶を配向させた。その後、室温ま
で冷却した。

【００９７】パルス幅５ｍｓ、電圧値５Ｖ、１０Ｖ、１
５Ｖ、２０Ｖ、３０Ｖのパルス波形を印加したところ、
クロスニコル下で透過光強度の比が１：３：１０：２
０：３０となり、電圧値により階調表示が可能であるこ
とがわかった。

【００９８】液晶Ｂの合成は、以下のようにして行っ
た。下記式で表わされる光学活性モノマーＤ２．０ｇ及
び非光学活性モノマーＥ０．４３ｇをトルエン２０ｍｌ
に溶解させ系をアルゴン置換した。１，１，３，３−テ
トラメチルジシロキサン０．３４ｇと触媒量の塩化白金
酸６水和物を加え８５℃にて９時間重合させた。溶媒を
減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによ
り精製し目的とする上記共重合比の高分子液晶Ｂ２．３
ｇを得た。（収率８３％）

【００９９】

【化３３】

【０１００】

【発明の効果】本発明により電界変化に対する高速応答
性を示し、階調表示が可能な強誘電性高分子液晶を用い
た液晶光学素子を簡便な製造方法により得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶光学素子の構成の一例を示す断面
説明図。

【図２】しきい値電圧を説明する説明図。

【図３】ミクロドメインの説明図。

【図４】電圧と透過光強度の関係を示すグラフ。

【図５】電圧と透過光強度の関係を示すグラフ。

【図６】電圧の印加方法を示す説明図

【図７】電圧と透過光強度の関係を示すグラフ。

【図８】電圧と透過光強度の関係を示すグラフ。

【符号の説明】

１ 偏光板 ２ 基板 ３ 電極 ４ 配向膜 ５ 液晶材料 ６ ドメインａ₁ ７ ドメインａ₂ ８ ドメインａ_i ９ ドメインａ_j

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 強誘電性高分子液晶からなる液晶材料を
   ２枚の電極間に挟持して液晶光学素子を構成し、液晶材
   料が等方相と液晶相が共存するような温度域で素子を保
   持した後冷却することを特徴とする液晶光学素子の製造
   方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の方法で製造された液晶光
   学素子。
3. 【請求項３】 請求項１記載の方法で製造された液晶光
   学素子に、印加する電圧のパルス幅又は電界強度を変化
   させて電圧を印加し、階調表示を行なうことを特徴とす
   る液晶光学素子の階調表示方法。