JPH06281947A - 液晶パネルおよびその製造法 - Google Patents
液晶パネルおよびその製造法Info
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- JPH06281947A JPH06281947A JP7143993A JP7143993A JPH06281947A JP H06281947 A JPH06281947 A JP H06281947A JP 7143993 A JP7143993 A JP 7143993A JP 7143993 A JP7143993 A JP 7143993A JP H06281947 A JPH06281947 A JP H06281947A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶パネルの視角を拡大し、良好な表示品位
の液晶表示装置を提供する。 【構成】 少なくともひとつの絵素よりも小さい単位に
区切られた液晶単位セル１２によって構成された液晶パ
ネル１１において液晶層１４の中央の液晶分子１５の無
電界時のプレチルト角がほぼ０度であり、電界を印加し
たときに、異なる方向に傾く液晶領域１６（ドメイン）
が混在することで全体の液晶パネルの視角特性を向上す
ることが出来る。
の液晶表示装置を提供する。 【構成】 少なくともひとつの絵素よりも小さい単位に
区切られた液晶単位セル１２によって構成された液晶パ
ネル１１において液晶層１４の中央の液晶分子１５の無
電界時のプレチルト角がほぼ０度であり、電界を印加し
たときに、異なる方向に傾く液晶領域１６（ドメイン）
が混在することで全体の液晶パネルの視角特性を向上す
ることが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表用パネルに係わり、特
に液晶パネル及びその製造法に関するものである。
に液晶パネル及びその製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶パネルの視角を拡大するため
に以下のような方式が用いられていた。 (1) 視角度の変化により偏光板自体の幾何学的な透過軸
変化のために光が漏れる。
に以下のような方式が用いられていた。 (1) 視角度の変化により偏光板自体の幾何学的な透過軸
変化のために光が漏れる。
【０００３】これを防ぐために位相差板を偏光板と液晶
パネルの間に挿入する。参考文献として ９２年３月
高分子学会主催 高分子可能性講座 「ＣＲＴを超える
液晶ディスプレイ」講演予行集 ４３ページ 「液晶デ
ィスプレイ用偏光板と位相差板」に詳しい。 (2) 負の屈折率を有する位相差板を用いた光学的な補償
方式。（参考文献として ヤマウチら エスアイデー
８９ダイジェスト、３７８ページ、１９８９年：S.Yama
uchi,et.al.,SID 89 DIGEST, p.378(1989)に詳しい）。 (3) 液晶分子の電界に対する傾きによる視角依存を単位
絵素を分割して傾きの異なるドメインを作ることで全体
としての液晶パネルの視角依存を小さくする。参考文献
として以下のものに詳しい。
パネルの間に挿入する。参考文献として ９２年３月
高分子学会主催 高分子可能性講座 「ＣＲＴを超える
液晶ディスプレイ」講演予行集 ４３ページ 「液晶デ
ィスプレイ用偏光板と位相差板」に詳しい。 (2) 負の屈折率を有する位相差板を用いた光学的な補償
方式。（参考文献として ヤマウチら エスアイデー
８９ダイジェスト、３７８ページ、１９８９年：S.Yama
uchi,et.al.,SID 89 DIGEST, p.378(1989)に詳しい）。 (3) 液晶分子の電界に対する傾きによる視角依存を単位
絵素を分割して傾きの異なるドメインを作ることで全体
としての液晶パネルの視角依存を小さくする。参考文献
として以下のものに詳しい。
【０００４】a)ケー.エッチ.ヤン "ツート゛メイン ツイステット゛ ネマチック アン
ト゛ ティルテット゛ ホメオトロヒ゜ック リキット゛ クリスタルテ゛ィスフ゜レイ フォー アクティフ
゛ マトリクス アフ゜リケーション" アイ テ゛ー アール シー 91 タ゛イシ゛ェスト, 68ヘ゜
ーシ゛(1991)：K.H.Yang, "Two-Domain Twisted Nematic a
nd Tilted HomeotoropicLiquid Crystal Display for A
ctive Matrix Applications", IDRC DIGEST,p.68(1991) b)コイケら、エスアイデー ９２ ダイジェスト、７９
８ページ（１９９２）：Y.Koike et.al.,SID 92 DIGEST
p.798(1992) c)タカトリら、アイデーアールシー ９２ ダイジェス
ト、 ５９１ページ（１９９２）：K.Takatori et.al.,
IDRC 92 DIGEST, p.591(1992) (4)高分子と液晶の複合体を用いることでランダム配向
を利用して視角を拡大する。参考文献として以下のもの
に詳しい。
ト゛ ティルテット゛ ホメオトロヒ゜ック リキット゛ クリスタルテ゛ィスフ゜レイ フォー アクティフ
゛ マトリクス アフ゜リケーション" アイ テ゛ー アール シー 91 タ゛イシ゛ェスト, 68ヘ゜
ーシ゛(1991)：K.H.Yang, "Two-Domain Twisted Nematic a
nd Tilted HomeotoropicLiquid Crystal Display for A
ctive Matrix Applications", IDRC DIGEST,p.68(1991) b)コイケら、エスアイデー ９２ ダイジェスト、７９
８ページ（１９９２）：Y.Koike et.al.,SID 92 DIGEST
p.798(1992) c)タカトリら、アイデーアールシー ９２ ダイジェス
ト、 ５９１ページ（１９９２）：K.Takatori et.al.,
IDRC 92 DIGEST, p.591(1992) (4)高分子と液晶の複合体を用いることでランダム配向
を利用して視角を拡大する。参考文献として以下のもの
に詳しい。
【０００５】エッチ．ヨシダら アイデーアールシー
９２ ダイジェスト、６３１ページ（１９９２）：H.Yo
shida et.al., IDRC 92 DIGEST, p.631(1992)
９２ ダイジェスト、６３１ページ（１９９２）：H.Yo
shida et.al., IDRC 92 DIGEST, p.631(1992)
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の技術に対しては以下のような課題があっ
た。 (1) 位相差板、あるいは負の屈折率を有する位相差板を
用いる方式（上記(1)、(2)）では液晶分子が電界によっ
て傾くときの視角依存を補償できない。 (2) 絵素を分割する方式（上記(3)）ではフォト工程な
どを用いなければならずプロセスが複雑となる。 (3) ランダム配向を用いる場合（上記(4)）は偏光板を
利用すると配向処理が為されていないために光利用効率
が悪くなり、暗くなってしまう。
ような従来の技術に対しては以下のような課題があっ
た。 (1) 位相差板、あるいは負の屈折率を有する位相差板を
用いる方式（上記(1)、(2)）では液晶分子が電界によっ
て傾くときの視角依存を補償できない。 (2) 絵素を分割する方式（上記(3)）ではフォト工程な
どを用いなければならずプロセスが複雑となる。 (3) ランダム配向を用いる場合（上記(4)）は偏光板を
利用すると配向処理が為されていないために光利用効率
が悪くなり、暗くなってしまう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を鑑み、本発明
ではひとつの絵素を壁面によって分割し、液晶層の中央
部にあたる液晶分子の無電界時の傾き角（以下、ミッド
プレーンのプレチルト角：θp(m)）と呼ぶ）をほぼ０度
とすることで電界印加時に液晶分子の傾く方向の異なる
ドメインを多数誘起することで視角特性を向上すること
が出来る。
ではひとつの絵素を壁面によって分割し、液晶層の中央
部にあたる液晶分子の無電界時の傾き角（以下、ミッド
プレーンのプレチルト角：θp(m)）と呼ぶ）をほぼ０度
とすることで電界印加時に液晶分子の傾く方向の異なる
ドメインを多数誘起することで視角特性を向上すること
が出来る。
【０００８】
【作用】以下、本発明の作用について図面を用いて説明
する。
する。
【０００９】図１(a)(b)は本発明の作用を表す液晶パネ
ルの断面模式図である。液晶パネル１１はひとつの絵素
より小さな、段差または壁面１２によって区切られた液
晶単位セル１３からなる。
ルの断面模式図である。液晶パネル１１はひとつの絵素
より小さな、段差または壁面１２によって区切られた液
晶単位セル１３からなる。
【００１０】ひとつの単位セル内において無電界時（図
１(a)）には液晶層１４のセル厚に対するほぼ中央の液
晶分子１５はほぼ０度のプレチルト角（θp(m)）を有し
ている。
１(a)）には液晶層１４のセル厚に対するほぼ中央の液
晶分子１５はほぼ０度のプレチルト角（θp(m)）を有し
ている。
【００１１】電界印加時（図１(b)）には中央の液晶分
子のθp(m)がほぼ０度のために電界に対して傾く方向は
規制されておらず、どちらの方向に傾いても良い。
子のθp(m)がほぼ０度のために電界に対して傾く方向は
規制されておらず、どちらの方向に傾いても良い。
【００１２】そのため、結果として図１(b)のようにお
互い異なる方向に傾いた液晶領域１６（以下、ドメイン
と呼ぶ）がひとつの絵素内に混在するようになる。
互い異なる方向に傾いた液晶領域１６（以下、ドメイン
と呼ぶ）がひとつの絵素内に混在するようになる。
【００１３】このとき、各液晶単位セルを区切る壁面が
無いとそれぞれのドメインはひとつの絵素よりも大きく
なってしまい、視角の異なる部分が目だってしまう。
無いとそれぞれのドメインはひとつの絵素よりも大きく
なってしまい、視角の異なる部分が目だってしまう。
【００１４】壁面で区切られていればドメインの成長は
をその範囲で止めることができ、視角を向上することが
出来る。
をその範囲で止めることができ、視角を向上することが
出来る。
【００１５】
（実施例１）一実施例である一般的なＴＦＴ液晶パネル
の構成図について図２に示す。
の構成図について図２に示す。
【００１６】図２(a)は、一方の基板にＴＦＴ素子が形
成された液晶素子の構成を示す平面図であり、図２(b)
は、図２(a)におけるＡ−Ａ’線上での断面図を示して
いる。
成された液晶素子の構成を示す平面図であり、図２(b)
は、図２(a)におけるＡ−Ａ’線上での断面図を示して
いる。
【００１７】一方のガラス基板２５ａ上にはＩＴＯ膜で
形成された絵素電極２１と、その周囲にゲート電極２３
とソース電極２２がマトリクス状に配置されている。ソ
ース電極２２は、絵素電極２１に対して約５００ｎｍ高
く形成されている。
形成された絵素電極２１と、その周囲にゲート電極２３
とソース電極２２がマトリクス状に配置されている。ソ
ース電極２２は、絵素電極２１に対して約５００ｎｍ高
く形成されている。
【００１８】また、ソース電極２２と絵素電極２１との
間には、ゲートパルスによりスイッチング動作を行うＴ
ＦＴ素子２４が形成されている。他方の基板２５ｂに
は、対向電極２６となるＩＴＯ膜が形成されている。
間には、ゲートパルスによりスイッチング動作を行うＴ
ＦＴ素子２４が形成されている。他方の基板２５ｂに
は、対向電極２６となるＩＴＯ膜が形成されている。
【００１９】以下、本発明の一実施例について説明す
る。絵素電極２１の大きさは３５０×３５０μｍとし
た。対向基板のＩＴＯ膜上の絵素電極よりも小さい単位
の段差の作製法を以下に述べる。
る。絵素電極２１の大きさは３５０×３５０μｍとし
た。対向基板のＩＴＯ膜上の絵素電極よりも小さい単位
の段差の作製法を以下に述べる。
【００２０】ＩＴＯ基板上にネガ型フォトレジストＯＮ
ＮＲ−２０（東京応化(株)製）をスピンナーによって塗
布し、プリベークを行い、フォトマスクを用いた通常の
プロセス（東京応化(株)のカタログにそって行った）を
経て、図３の簡略図に示すような厚みが約２．５μｍの
格子状段差でちょうどひとつの絵素を４分割するように
形成した。図３において３２はひとつの絵素の大きさ、
３１は格子状の段差、３１は基板、３４は液晶の注入を
行いやすくするための切れ目である。切れ目の無い閉ル
ープ構造では液晶が注入しにくかった。
ＮＲ−２０（東京応化(株)製）をスピンナーによって塗
布し、プリベークを行い、フォトマスクを用いた通常の
プロセス（東京応化(株)のカタログにそって行った）を
経て、図３の簡略図に示すような厚みが約２．５μｍの
格子状段差でちょうどひとつの絵素を４分割するように
形成した。図３において３２はひとつの絵素の大きさ、
３１は格子状の段差、３１は基板、３４は液晶の注入を
行いやすくするための切れ目である。切れ目の無い閉ル
ープ構造では液晶が注入しにくかった。
【００２１】まず、ＴＦＴ素子付き、および格子形状段
差付きそれぞれの基板上に日本合成ゴム社製のポリイミ
ド配向膜オプトマーＡＬ−２０６１を印刷方式で塗布し
た。硬化温度は、１９０℃３０分クリーンオーブンで行
った。ポリイミド膜厚は約６０ｎｍであった。
差付きそれぞれの基板上に日本合成ゴム社製のポリイミ
ド配向膜オプトマーＡＬ−２０６１を印刷方式で塗布し
た。硬化温度は、１９０℃３０分クリーンオーブンで行
った。ポリイミド膜厚は約６０ｎｍであった。
【００２２】次に、両方の基板を、左回りのスプレイ配
向ＴＮセルとなるように、レーヨン布でラビング処理を
施した（図４参照：図４において４１は上基板のラビン
グ方向、４２は下基板のラビング方向である）。
向ＴＮセルとなるように、レーヨン布でラビング処理を
施した（図４参照：図４において４１は上基板のラビン
グ方向、４２は下基板のラビング方向である）。
【００２３】このようにラビング処理することで上下基
板上のプレチルト角は同じ方向となり、スプレイ配向と
なってθp(m)はほぼ０度とすることが出来た。
板上のプレチルト角は同じ方向となり、スプレイ配向と
なってθp(m)はほぼ０度とすることが出来た。
【００２４】対向基板には、エポキシ系接着剤をスクリ
ーン印刷することによって、シール部を作成した後、積
水ファインケミカル(株)製ミクロパール（平均粒子径５
μm）を均一に散布した。
ーン印刷することによって、シール部を作成した後、積
水ファインケミカル(株)製ミクロパール（平均粒子径５
μm）を均一に散布した。
【００２５】以上のような処理を経た対向基板と、ＴＦ
Ｔ素子の付いた一方の基板とを貼り合わせた後、約１kg
/cm2の圧力で均一に加圧したまま、１５０℃で１時間加
熱硬化して左回りＴＮ配向となる空セルを作製した。
Ｔ素子の付いた一方の基板とを貼り合わせた後、約１kg
/cm2の圧力で均一に加圧したまま、１５０℃で１時間加
熱硬化して左回りＴＮ配向となる空セルを作製した。
【００２６】以上のようにして作製されたセルに、メル
ク(株)製液晶ＺＬＩ４７９２にメルク(株)製カイラル剤
Ｓ８１１をピッチが８０μmとなるように調合された液
晶材料を、真空注入法により注入した。注入完了後エポ
キシ封止剤で、注入口を封止した。切れ目があるために
液晶は気泡が存在せず、均一に封入出来た。
ク(株)製液晶ＺＬＩ４７９２にメルク(株)製カイラル剤
Ｓ８１１をピッチが８０μmとなるように調合された液
晶材料を、真空注入法により注入した。注入完了後エポ
キシ封止剤で、注入口を封止した。切れ目があるために
液晶は気泡が存在せず、均一に封入出来た。
【００２７】このように作製したＴＦＴ素子付きのＴＮ
液晶パネルに、ゲート電極にはゲートパルスを、ソース
電極には動作信号電圧を印加してアクティブマトリクス
駆動を行った。動作信号電圧は、隣合うソース電極の極
性は等しく、かつ１フィールドごとに極性が反転するよ
うな駆動（１フィールド反転駆動）で行った。
液晶パネルに、ゲート電極にはゲートパルスを、ソース
電極には動作信号電圧を印加してアクティブマトリクス
駆動を行った。動作信号電圧は、隣合うソース電極の極
性は等しく、かつ１フィールドごとに極性が反転するよ
うな駆動（１フィールド反転駆動）で行った。
【００２８】また偏光板はクロスニコルの配置にして表
示を行った。駆動した表示を見ると視角が広く良好な品
位であった。
示を行った。駆動した表示を見ると視角が広く良好な品
位であった。
【００２９】またルーペで拡大して視角方向を変えて観
察すると４分割された各単位セルで異なる方向に液晶分
子が傾いていることが確認された。
察すると４分割された各単位セルで異なる方向に液晶分
子が傾いていることが確認された。
【００３０】また比較例として対向電極であるＩＴＯ基
板に格子状段差を設けなかった場合でも上記と同様な方
法でパネルを作製し、駆動させたところドメインがひと
つの絵素よりも大きくなってしまい視角特性の異なる部
分が目だってしまい、表示品位が損なわれた。
板に格子状段差を設けなかった場合でも上記と同様な方
法でパネルを作製し、駆動させたところドメインがひと
つの絵素よりも大きくなってしまい視角特性の異なる部
分が目だってしまい、表示品位が損なわれた。
【００３１】（実施例２）実施例１と同様な構成のＴＦ
Ｔ素子付基板および段差付き対向基板を作製した。配向
膜は垂直配向用の一塩基性クロム錯体（作製法等は 参
考文献 マツモトらアプライド フィジックス レター
２７巻 ２６８ページ（１９７５） ：S.Matsumoto
et.al., Appl. Phys. Lett., 27 , p.268(1975) に詳し
い。）を用いて上記参考文献に沿って作製した。
Ｔ素子付基板および段差付き対向基板を作製した。配向
膜は垂直配向用の一塩基性クロム錯体（作製法等は 参
考文献 マツモトらアプライド フィジックス レター
２７巻 ２６８ページ（１９７５） ：S.Matsumoto
et.al., Appl. Phys. Lett., 27 , p.268(1975) に詳し
い。）を用いて上記参考文献に沿って作製した。
【００３２】液晶材料はメルクジャパン(株)製ＭＪ９０
２８８０を用いた。セル厚は４．５μｍとした。
２８８０を用いた。セル厚は４．５μｍとした。
【００３３】その他の製法は実施例１に準じて作製し
た。実施例１と同様に駆動して表示させたところ、視角
が広く、良好な表示であった。またルーペで拡大して視
角方向を変えて観察すると４分割された各単位セルで異
なる方向に液晶分子が傾いていることが確認された。
た。実施例１と同様に駆動して表示させたところ、視角
が広く、良好な表示であった。またルーペで拡大して視
角方向を変えて観察すると４分割された各単位セルで異
なる方向に液晶分子が傾いていることが確認された。
【００３４】（実施例３）以下、本発明の一実施例であ
る高分子複合型液晶パネルについて図面を用いて説明す
る。
る高分子複合型液晶パネルについて図面を用いて説明す
る。
【００３５】実施例１と同様に配向膜などを施したＴＦ
Ｔ素子付き基板および対向ＩＴＯ基板を作製し、実施例
１と同様にパネルとして組み立てた。
Ｔ素子付き基板および対向ＩＴＯ基板を作製し、実施例
１と同様にパネルとして組み立てた。
【００３６】個々で配向処理は実施例１と同様に処理
し、θp(m)がほぼ０度となるようにした。
し、θp(m)がほぼ０度となるようにした。
【００３７】ＵＶ硬化型モノマー（ＩＮＣ９０：日本化
薬(株)製）と実施例１で用いたネマチック液晶を１：１
０の重量比で混合したものを実施例１と同様な方法で注
入し、封孔した。
薬(株)製）と実施例１で用いたネマチック液晶を１：１
０の重量比で混合したものを実施例１と同様な方法で注
入し、封孔した。
【００３８】またネマチック液晶には実施例１と同じカ
イラル剤を加えて左回りとしておいた。
イラル剤を加えて左回りとしておいた。
【００３９】その後、図５のようなひとつの絵素５２の
１／４の大きさの小単位５３に区切られた格子状マスク
５１を用いてまずＵＶ照射を３０℃で紫外線強度200mW/
cm2で１分間照射した。このように部分的に硬化した
後、表示領域全体に３０℃の温度で紫外線強度２００mW
/cm2で紫外線を１分間照射して硬化した。
１／４の大きさの小単位５３に区切られた格子状マスク
５１を用いてまずＵＶ照射を３０℃で紫外線強度200mW/
cm2で１分間照射した。このように部分的に硬化した
後、表示領域全体に３０℃の温度で紫外線強度２００mW
/cm2で紫外線を１分間照射して硬化した。
【００４０】またできあがった液晶パネルを観察すると
格子状に沿ってある程度液晶単位セルとしての区切りが
なされていた。
格子状に沿ってある程度液晶単位セルとしての区切りが
なされていた。
【００４１】実施例１と同様に表示駆動を行ったところ
良好な視角特性を示した。また上記のようなマスクをし
て液晶単位セル区切りを意図的にしなくとも高分子によ
って細かな網状組織に液晶は区切られているため、視角
拡大に関しては高分子分散型液晶は効果があった。
良好な視角特性を示した。また上記のようなマスクをし
て液晶単位セル区切りを意図的にしなくとも高分子によ
って細かな網状組織に液晶は区切られているため、視角
拡大に関しては高分子分散型液晶は効果があった。
【００４２】また本実施例は高分子との複合体であるが
配向処理を施してあるために偏光板を用いても暗くなら
ず、通常のＴＮとほぼ同じ程度の明るさが得られた。
配向処理を施してあるために偏光板を用いても暗くなら
ず、通常のＴＮとほぼ同じ程度の明るさが得られた。
【００４３】
【発明の効果】本発明は液晶パネルの視角を拡大させ、
良好な表示品位を有する液晶パネルを提供できる。
良好な表示品位を有する液晶パネルを提供できる。
【図１】本発明の作用を表す液晶パネルの模式図
【図２】実施例における一般的なＴＦＴ素子の構成図
【図３】本発明の実施例の段差付き基板の簡略図
【図４】本発明の実施例のスプレイ配向用ラビング処理
法の模式図
法の模式図
【図５】本発明の実施例に用いた格子状フォトマスクの
構成図
構成図
１１ 液晶パネル １２ ひとつの絵素 １３ 液晶単位セル １４ 液晶層 １５ 中央の液晶分子 １６ 液晶領域（ドメイン）
Claims (10)
- 【請求項１】段差、または壁面によって区切られたひと
つの絵素よりも小さい液晶単位セルからなり、少なくと
も一枚の偏光板を有し、液晶パネルの基板の少なくとも
一方に配向処理を施したことを特徴とする液晶パネル。 - 【請求項２】電界印加時に少なくとも液晶単位セル間に
おいて液晶分子の傾く方向が異なることを特徴とする請
求項１記載の液晶パネル。 - 【請求項３】段差または壁面が閉ループを作らないよう
な形状であることを特徴とする請求項１または記載の液
晶パネル。 - 【請求項４】液晶パネルがツイステッドネマチック液晶
パネルであることを特徴とする請求項１、２または３記
載の液晶パネル。 - 【請求項５】液晶パネルがホメオトロピックネマチック
方式を用いたことを特徴とする請求項１、２または３記
載の液晶パネル。 - 【請求項６】液晶パネルの液晶層のセル厚方向に対して
中央部にあたる分子の傾きが無電界時ではほぼ０度であ
ることを特徴とする請求項１から５記載の液晶パネル。 - 【請求項７】高分子と液晶の複合体からなることを特徴
とする請求項１から６記載の液晶パネル。 - 【請求項８】液晶と高分子前駆体との混合物を部分的に
硬化するプロセスを少なくとも含んで作製したことを特
徴とする請求項７記載の液晶パネル。 - 【請求項９】部分的に硬化する手段が紫外線硬化である
ことを特徴とする請求項８記載の液晶パネル。 - 【請求項１０】請求項(8)および(9)記載の液晶パネルの
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7143993A JP3218780B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7143993A JP3218780B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 液晶パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06281947A true JPH06281947A (ja) | 1994-10-07 |
| JP3218780B2 JP3218780B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=13460581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7143993A Expired - Fee Related JP3218780B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3218780B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004083947A1 (ja) * | 2003-03-20 | 2004-09-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
| KR100510437B1 (ko) * | 1997-06-24 | 2005-10-21 | 삼성전자주식회사 | 액정표시소자및이에사용되는액정셀의형성방법 |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP7143993A patent/JP3218780B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100510437B1 (ko) * | 1997-06-24 | 2005-10-21 | 삼성전자주식회사 | 액정표시소자및이에사용되는액정셀의형성방법 |
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