JPH0627952Y2 - Wafer tray / susceptor / tray pedestal shape - Google Patents

Wafer tray / susceptor / tray pedestal shape

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JPH0627952Y2
JPH0627952Y2 JP7007089U JP7007089U JPH0627952Y2 JP H0627952 Y2 JPH0627952 Y2 JP H0627952Y2 JP 7007089 U JP7007089 U JP 7007089U JP 7007089 U JP7007089 U JP 7007089U JP H0627952 Y2 JPH0627952 Y2 JP H0627952Y2
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wafer
susceptor
wafer tray
peripheral surface
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清 久保田
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Nissin Electric Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】 (ア)産業上の利用分野 この考案は縦型気相成長装置のウエハトレイ、カセッ
ト、フォークの形状に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application This invention relates to the shapes of a wafer tray, a cassette, and a fork of a vertical vapor deposition apparatus.

ここで縦型気相成長装置というのは、ガスの流れが上か
ら下へ流れるものである。その中でも、ここではサセプ
タの上にウエハを水平に戴置する気相成長装置を対象に
する。
Here, the vertical vapor phase growth apparatus is one in which the flow of gas flows from top to bottom. Among them, here, a vapor phase growth apparatus for horizontally placing a wafer on a susceptor is targeted.

サセプタの上面にウエハを直接に置くこともあるが、そ
うするとウエハの着脱のため成長室を開かなくてはなら
ない。取り扱いに不便である。そこで、ウエハを薄い平
板状の容器に入れて容器ごと搬送、収容、気相成長など
をさせると便利である。このような容器をここではウエ
ハトレイという。
The wafer may be placed directly on the upper surface of the susceptor, but then the growth chamber must be opened for wafer attachment / detachment. Inconvenient to handle. Therefore, it is convenient to put the wafer in a thin flat plate-like container and carry, store, and vapor-phase grow the container together. Such a container is referred to as a wafer tray here.

ウエハトレイをいくつか真空室内に一時的に収容してお
き、サセプタの上へひとつずつ送り、処理するようにす
ると、成長室の真空を破る必要がなくなり能率が良い。
このように、ウエハトレイをいくつか収容しておくもの
をカセットとここでは呼ぶ。
If some wafer trays are temporarily housed in a vacuum chamber, and the wafer trays are fed one by one onto the susceptor for processing, it is not necessary to break the vacuum in the growth chamber, which is efficient.
The one that holds several wafer trays in this way is called a cassette here.

又、カセットとサセプタの間でウエハトレイを搬送する
装置のトレイを支持する部分をフォークという。
Further, a portion that supports the tray of the apparatus that conveys the wafer tray between the cassette and the susceptor is called a fork.

(イ)従来の技術 第12図に従来例に係るウエハトレイ・サセプタの構造
を示す。
(B) Conventional Technology FIG. 12 shows the structure of a wafer tray / susceptor according to a conventional example.

サセプタ6は単純な円柱形でありこの上にウエハトレイ
1が戴置される。ウエハ11はウエハトレイ1の上面に
形成されたウエハ戴置部2に嵌まり込んでいる。ウエハ
トレイ1の下面は円柱に沿うよう削られており、周縁4
がサセプタ6の側面に当たるので、ウエハトレイ1がサ
セプタから横へ落ちないようになっている。
The susceptor 6 has a simple cylindrical shape, and the wafer tray 1 is placed on the susceptor 6. The wafer 11 is fitted in the wafer mounting portion 2 formed on the upper surface of the wafer tray 1. The lower surface of the wafer tray 1 is cut so as to be along a cylinder, and the peripheral edge 4
Since it hits the side surface of the susceptor 6, the wafer tray 1 is prevented from falling sideways from the susceptor.

周縁4の内方は垂直壁21となっている。垂直壁21と
サセプタ側面との間には間隙gが生ずる。サセプタの直
径をD、ウエハトレイ1の下面の座グリ(円柱に沿う窪
み)の直径をEとすると、D+2g=E(1) であり、D<Eでなければならない。
Inside the peripheral edge 4 is a vertical wall 21. A gap g is formed between the vertical wall 21 and the side surface of the susceptor. Assuming that the diameter of the susceptor is D and the diameter of the spot facing (the recess along the cylinder) on the lower surface of the wafer tray 1 is E, D + 2g = E (1) and D <E must be satisfied.

このように、穴とサセプタ側面が垂直の面になっている
ので必ず間隙gが要求される。
Thus, since the hole and the side surface of the susceptor are vertical surfaces, the gap g is always required.

ここではサセプタだけを描いているが、カセットも同様
の形状である。
Although only the susceptor is drawn here, the cassette has the same shape.

フォークによって、ウエハトレイを搬送し、位置決めし
てこれをサセプタの上へ置き、或はカセットのトレイ受
台に置く。
A fork conveys the wafer tray, positions it, and places it on the susceptor or on the tray pedestal of the cassette.

(ウ)考案が解決しようとする課題 ウエハトレイの下面の穴は垂直の壁になっており、サセ
プタやカセットのトレイ受台も垂直の外周面になってい
る。このような嵌合になっているので、フォークにより
ウエハトレイを搬送し、サセプタやトレイ受台に置くと
きに位置決めするのが難しい。
(C) Problem to be solved by the invention The hole on the lower surface of the wafer tray is a vertical wall, and the tray pedestal of the susceptor and the cassette is also a vertical outer peripheral surface. Because of such fitting, it is difficult to carry the wafer tray by the fork and position it when it is placed on the susceptor or tray pedestal.

位置決めは、フォークの中心と、サセプタやトレイ受台
の中心とを合致させる事によってなされる。しかし、厳
密に一致することはなく、中心線の間にずれeが必ず生
ずる。
The positioning is performed by aligning the center of the fork with the center of the susceptor or tray pedestal. However, they do not exactly coincide with each other, and a deviation e always occurs between the center lines.

又フォークの中心とこれに戴せられているウエハトレイ
の中心との間にも位置ずれfがある。
There is also a positional deviation f between the center of the fork and the center of the wafer tray placed on it.

フォークをサセプタの直上へ移動させ、サセプタを上昇
させてウエハトレイの下面の座グリにサセプタ6を挿入
する。これが可能である為には、中心線のずれe、fの
和が、gより小さくなくてはならない。
The fork is moved directly above the susceptor, and the susceptor is raised to insert the susceptor 6 into the spot facing on the lower surface of the wafer tray. For this to be possible, the sum of the centerline deviations e, f must be smaller than g.

e+f<g(2) である。e + f <g (2).

フォークは水平に移動するものであり、真空中で片持ち
された部材である。停止位置の誤差eを小さくしようと
すれば、装置の精度を上げなければならない。これは必
ずしも容易でない。
The fork is a member that moves horizontally and is cantilevered in a vacuum. In order to reduce the error e at the stop position, the accuracy of the device must be increased. This is not always easy.

fはフォークとウエハトレイの外側の面のずれにより決
まる量である。fを小さくすると、フォークによってウ
エハトレイを持ち上げる時にミスが多くなる可能性があ
る。
f is an amount determined by the displacement of the outer surface of the fork and the wafer tray. When f is made small, mistakes may occur when the wafer tray is lifted by the fork.

こういうわけで、中心線のズレの量e、fをあまり小さ
くできない。すると、ウエハトレイの穴の直径Eとサセ
プタの直径Dの差であるgが大きくなってしまう。
For this reason, the amounts of deviation e and f of the center line cannot be made too small. Then, the difference g between the diameter E of the hole of the wafer tray and the diameter D of the susceptor becomes large.

間隙であるgが大きくなると、ウエハトレイがサセプタ
上で偏った位置に置かれる可能性がある。この場合、ガ
スの流れが軸対称にならない。このため薄膜形成に悪影
響を及ぼす惧れがある。
If the gap g is increased, the wafer tray may be placed in a biased position on the susceptor. In this case, the gas flow is not axisymmetric. Therefore, there is a possibility that the thin film formation may be adversely affected.

ウエハトレイをサセプタの上に戴せた時のウエハトレイ
とサセプタの中心線のずれをqとすると、qは0〜gの
任意の値を取りうる。
Assuming that the deviation between the center lines of the wafer tray and the susceptor when the wafer tray is placed on the susceptor is q, q can take any value from 0 to g.

0≦q≦g(3) qを小さくしようとするとgを小さくしなければならな
い。しかし、e、fは機構上の制約がありあまり小さく
できない。
0 ≦ q ≦ g (3) In order to reduce q, g must be reduced. However, e and f cannot be made too small because of mechanical restrictions.

(エ)課題を解決するための手段 本考案においては、ウエハトレイの裏面の窪みの内周面
を、垂直面ではなく傾斜面とする。さらにこれに応じ
て、サセプタの上方の一部の外周面、トレイ受台の外周
面も垂直面ではなく傾斜面とする。
(D) Means for Solving the Problem In the present invention, the inner peripheral surface of the recess on the back surface of the wafer tray is an inclined surface instead of a vertical surface. Further, in accordance with this, a part of the outer peripheral surface above the susceptor and the outer peripheral surface of the tray pedestal are also inclined surfaces rather than vertical surfaces.

傾斜面同士で嵌合させる事にする。こうすると、ウエハ
トレイ、サセプタ、トレイ受台の傾斜面の幅をa、b、
cとして、この最小値だけ位置決めの余裕ができる事に
なる。つまり条件(2)にかえて e+f<min{a,b,c}(4) という事になる。さらに、ウエハトレイをサセプタに戴
せてしまえば、ウエハトレイ中心線とサセプタ中心線の
ずれqは完全に0である。
The slanted surfaces will be fitted together. By doing this, the widths of the inclined surfaces of the wafer tray, the susceptor, and the tray pedestal are set to a, b,
As c, a positioning margin can be provided by this minimum value. In other words, instead of the condition (2), e + f <min {a, b, c} (4). Further, if the wafer tray is placed on the susceptor, the deviation q between the wafer tray center line and the susceptor center line is completely zero.

q=0(5) 図面によって説明する。q = 0 (5) This will be described with reference to the drawings.

第1図は本考案におけるウエハトレイの一例を示す縦断
面図である。
FIG. 1 is a vertical sectional view showing an example of a wafer tray according to the present invention.

ウエハトレイ1は略円板状の薄い容器で、例えばカーボ
ンで作られる。上面に浅くウエハ戴置部2が穿たれてい
る。ウエハはここに戴せられる。ウエハトレイ1の下面
は窪みになっているが、裏板部3は平坦であり、この外
側に下方へ延びる周縁4がある。周縁4と裏板部3とを
結ぶ縦方向の面が内傾斜周面5となっている。垂直壁面
でなく、垂直と角θをなすような内傾斜面となっている
のである。しかも、下に向かって漸開する形状になって
いる。
The wafer tray 1 is a thin container having a substantially disc shape, and is made of, for example, carbon. The wafer mounting portion 2 is shallowly formed on the upper surface. The wafer is placed here. Although the lower surface of the wafer tray 1 is hollow, the back plate portion 3 is flat, and a peripheral edge 4 extending downward is provided on the outer side thereof. A longitudinal surface connecting the peripheral edge 4 and the back plate portion 3 is an inwardly inclined peripheral surface 5. It is not a vertical wall surface, but an inwardly inclined surface that makes an angle θ with the vertical. Moreover, the shape gradually opens downward.

内傾斜周面5の高さをh、半径方向の幅をa、傾斜角を
θとすると、 a=htanθ(6) である。
If the height of the inner inclined peripheral surface 5 is h, the radial width is a, and the inclination angle is θ, then a = htan θ (6).

第2図はサセプタの略縦断面図である。単なる円柱形で
はなく、少なくとも上方の一部が外傾斜周面8になって
いる。残りの下半は円筒状の周面10であっても良い。
上面部7は従来と同じ平坦な面である。
FIG. 2 is a schematic vertical sectional view of the susceptor. The outer peripheral surface 8 is not only a columnar shape but at least a part of the upper side. The remaining lower half may be the cylindrical peripheral surface 10.
The upper surface portion 7 is a flat surface as in the conventional case.

サセプタ6の下面にはサセプタ指示シャフト9が固着さ
れる。サセプタ6はシャフト9により回転昇降自在に支
持される。
A susceptor instruction shaft 9 is fixed to the lower surface of the susceptor 6. The susceptor 6 is supported by a shaft 9 so as to be rotatable and vertically movable.

外傾斜周面8の高さをk、半径方向の幅をb、傾斜角を
θとすると b=ktanθ(7) である。
When the height of the outer inclined peripheral surface 8 is k, the width in the radial direction is b, and the inclination angle is θ, b = ktan θ (7).

サセプタの外傾斜周面の傾斜角と、ウエハトレイの傾斜
角とは同一であるのが最も良い。しかし、多少の違いが
あっても良い。又、傾斜周面は厳密に円錐の一部でなく
ても良く、縦断面において多少丸みを帯びたものであっ
ても良い。
It is best that the inclination angle of the outer inclined peripheral surface of the susceptor and the inclination angle of the wafer tray are the same. However, there may be some differences. Further, the inclined peripheral surface may not be strictly a part of a cone, and may have a slightly rounded vertical cross section.

第3図はトレイ受台の略縦断面図である。FIG. 3 is a schematic vertical sectional view of the tray pedestal.

平坦な上面部13、下面部14を有し、略円板状の部材
である。中心に縦方向の穴17が穿たれている。これは
ウエハトレイ1とトレイ受台12で囲まれる空間からガ
スを外部へ出すための穴である。
It is a substantially disk-shaped member having a flat upper surface portion 13 and a lower surface portion 14. A vertical hole 17 is formed in the center. This is a hole for letting the gas out from the space surrounded by the wafer tray 1 and the tray holder 12.

一方の側には取付柄部16が形成され、これにより縦方
向の部材であるトレイ受台ベース板19に固着される。
A mounting handle 16 is formed on one side, and is fixed to a tray receiving base plate 19 which is a vertical member.

上面部13と下面部14の中間の側周部は外傾斜周面1
5となっている。円錐面の一部であるが、上方で小さく
下方で大きいような円錐台形状である。
The side peripheral portion between the upper surface portion 13 and the lower surface portion 14 is the outer inclined peripheral surface 1.
It is 5. Although it is a part of the conical surface, it has a truncated cone shape that is small at the top and large at the bottom.

外傾斜周面15の傾斜角も、ウエハトレイ1やサセプタ
6の傾斜角と同じである事が望ましい。
The inclination angle of the outer inclined peripheral surface 15 is preferably the same as the inclination angle of the wafer tray 1 and the susceptor 6.

トレイ受台12の外傾斜周面15の高さをl、半径方向
の幅をc、傾斜角をθとすると、 c=ltanθ(8) である。
When the height of the outer inclined peripheral surface 15 of the tray support 12 is 1, the radial width is c, and the inclination angle is θ, c = l tan θ (8).

(オ)作用 ウエハトレイ1の内傾斜周面5が、サセプタ6の外傾斜
周面8、又はトレイ受台12の外傾斜周面15に嵌合す
る。いずれも上で狭く下で広い傾斜周面であるので、直
径が同一になる高さでウエハトレイ1が位置決めされ
る。このときウエハトレイの中心軸と、サセプタ6、ト
レイ受台12の中心軸とのずれqは0である。q=0で
あるから自動的に厳密な位置決めがなされる。
(E) Action The inner inclined peripheral surface 5 of the wafer tray 1 is fitted to the outer inclined peripheral surface 8 of the susceptor 6 or the outer inclined peripheral surface 15 of the tray pedestal 12. Since each of them has an inclined peripheral surface that is narrow at the top and wide at the bottom, the wafer tray 1 is positioned at the height where the diameter is the same. At this time, the deviation q between the central axis of the wafer tray and the central axes of the susceptor 6 and the tray pedestal 12 is zero. Since q = 0, strict positioning is automatically performed.

第4図はサセプタにウエハトレイ1を戴置した状態の縦
断面図である。ウエハトレイ1をフォーク21で搬送
し、サセプタ6の上面に置いた後の図である。
FIG. 4 is a vertical sectional view showing a state where the wafer tray 1 is placed on the susceptor. FIG. 6 is a diagram after the wafer tray 1 is transported by the fork 21 and placed on the upper surface of the susceptor 6.

嵌合した後は、ウエハトレイの内傾斜周面5が、サセプ
タ6の外傾斜周面8に密接している。中心軸間のずれは
ない(q=0)。
After fitting, the inner inclined peripheral surface 5 of the wafer tray is in close contact with the outer inclined peripheral surface 8 of the susceptor 6. There is no deviation between the central axes (q = 0).

しかし、嵌合する前は、ウエハトレイの中心軸とサセプ
タの中心軸が多少ずれていても良い。このずれが、傾斜
周面の幅a、bの小さい方よりもさらに小さければ、傾
斜周面に案内されて正しく位置決めされる。
However, before fitting, the central axis of the wafer tray and the central axis of the susceptor may be slightly deviated. If this deviation is smaller than the smaller one of the widths a and b of the inclined peripheral surface, the inclined peripheral surface is guided and positioned correctly.

ウエハトレイ1の裏板部3と、サセプタ6の上面部7の
間に僅かであるが間隙sが生ずる。sが有限であれば、
内外傾斜面5、8が全周において接触し、正しく位置決
めされる事になる。
There is a slight gap s between the back plate portion 3 of the wafer tray 1 and the upper surface portion 7 of the susceptor 6. If s is finite,
The inner and outer inclined surfaces 5 and 8 are in contact with each other over the entire circumference, so that they are correctly positioned.

s=0とすると、内外傾斜面5、8は一部で接触するだ
けであるが、この場合でも、位置決めの精度は第12図
のものより高い。本考案ではs≠0が望ましいがs=0
であっても良い。傾斜周面の作用により、ウエハトレイ
が正しく案内されて、中心軸間のずれが最小になるとい
う事が重要なのである。
If s = 0, the inner and outer inclined surfaces 5 and 8 only partially contact, but in this case as well, the positioning accuracy is higher than that of FIG. In the present invention, s ≠ 0 is desirable, but s = 0
May be It is important that the action of the inclined peripheral surface guides the wafer tray correctly and minimizes the deviation between the central axes.

つまり、フォークの上でのウエハトレイのずれをf、フ
ォークとサセプタの中心のずれをeとして、 e+f<min{a,b}(9) でさえあれば、サセプタを上昇したとき、ウエハトレイ
1の内傾斜周面5がサセプタ6の外傾斜周面8に接触で
きる。サセプタを上昇すれば、内外の傾斜周面5、8に
そって正しく嵌合される。
In other words, if the deviation of the wafer tray on the fork is f and the deviation of the center of the fork and the susceptor is e, and if e + f <min {a, b} (9), then when the susceptor is lifted, The inclined peripheral surface 5 can contact the outer inclined peripheral surface 8 of the susceptor 6. When the susceptor is lifted, it is fitted properly along the inner and outer inclined peripheral surfaces 5 and 8.

第5図はカセットにおけるウエハトレイ1とトレイ受台
12の嵌合状態を示す縦断面図である。
FIG. 5 is a vertical cross-sectional view showing the fitted state of the wafer tray 1 and the tray pedestal 12 in the cassette.

トレイ受台12の外傾斜周面15に、ウエハトレイ1の
内傾斜周面5が嵌合している。この状態でウエハトレイ
の周縁4の底がトレイ受台12に接触している。ここで
ウエハトレイの重さが支えられている。
The inner inclined peripheral surface 5 of the wafer tray 1 is fitted to the outer inclined peripheral surface 15 of the tray pedestal 12. In this state, the bottom of the peripheral edge 4 of the wafer tray is in contact with the tray holder 12. Here, the weight of the wafer tray is supported.

厳密に言えば、ウエハトレイ1とトレイ受台12の中心
軸は合致しないが、これらは気相成長とは関係がないの
で、厳密に合致する必要はない。しかし、寸法を適当に
決めれば、両者の中心軸を殆ど一致させる事ができる。
Strictly speaking, the central axes of the wafer tray 1 and the tray pedestal 12 do not match, but they do not need to strictly match because they are not related to vapor phase growth. However, if the dimensions are appropriately determined, the central axes of the two can be made to substantially coincide with each other.

ウエハトレイ1とトレイ受台12の中間には間隙tがあ
る。穴17は、この空間からガスを抜くためのものであ
る。
There is a gap t between the wafer tray 1 and the tray pedestal 12. The hole 17 is for venting gas from this space.

間隙tは、サセプタ6とウエハトレイ1の間隙sよりも
格段に広い。間隙tが広くなっているのは、トレイ受台
12を薄くしたためである。トレイ受台12の外傾斜周
面15の高さlを小さくしている。h>lであるので間
隙tが広くなる。外傾斜周面15の高さlを小さくすれ
ば、トレイ受台を薄くできる。すると限られたカセット
の高さにより多くのトレイ受台12を取り付ける事がで
きる。
The gap t is significantly wider than the gap s between the susceptor 6 and the wafer tray 1. The reason why the gap t is wide is that the tray holder 12 is thin. The height l of the outer inclined peripheral surface 15 of the tray support 12 is reduced. Since h> l, the gap t becomes wider. If the height l of the outer inclined peripheral surface 15 is reduced, the tray support can be made thinner. Then, more tray receiving trays 12 can be attached due to the limited height of the cassette.

ウエハトレイ、サセプタ、フォークがどのような使われ
方をするのかを、第6図、第7図によって簡単に説明す
る。これらは搬送装置を有する気相成長装置の全体を示
す平面図と縦断面図である。
How the wafer tray, susceptor and fork are used will be briefly described with reference to FIGS. 6 and 7. These are a plan view and a vertical cross-sectional view showing the entire vapor phase growth apparatus having a transfer device.

気相成長装置はロードロック室F、成長室G、搬送予備
室Hを順に並べたものである。隣接する空間はゲートバ
ルブ25、26により仕切られている。それぞれの空間
は独立に真空に引くことができる。
The vapor phase growth apparatus comprises a load lock chamber F, a growth chamber G, and a transfer preliminary chamber H arranged in order. Adjacent spaces are partitioned by gate valves 25 and 26. Each space can be evacuated independently.

ロードロック室Fには、カセット23がある。これは縦
方向に設けられたトレイ受台ベース板19と、これに対
して複数枚取り付けられたトレイ受台12とよりなる。
カセット23は自由に昇降できる。
The load lock chamber F has a cassette 23. This comprises a tray pedestal base plate 19 provided in the vertical direction and a plurality of tray pedestals 12 attached thereto.
The cassette 23 can be raised and lowered freely.

成長室Gにはサセプタ6が回転昇降自在に設けられる。
上頂部から原料ガスが導入される。サセプタ6にウエハ
トレイ1を戴せ、ウエハ11の上に薄膜を形成させる。
高周波加熱用コイル24がサセプタ6、ウエハ11を加
熱するために設けられる。
The growth chamber G is provided with a susceptor 6 which is rotatable and vertically movable.
Raw material gas is introduced from the top. The wafer tray 1 is placed on the susceptor 6, and a thin film is formed on the wafer 11.
A high frequency heating coil 24 is provided to heat the susceptor 6 and the wafer 11.

搬送予備室Hには、搬送装置28が設けられる。これは
ウエハトレイを把持するためのフォーク21と、これを
水平に移動させる直線導入機27とからなっている。
A transfer device 28 is provided in the transfer preliminary chamber H. This comprises a fork 21 for holding the wafer tray and a straight line introducing machine 27 for horizontally moving the fork 21.

ゲートバルブ25、26を開くと、フォーク21を成長
室Gやロードロック室Fに差し入れる事ができる。
When the gate valves 25 and 26 are opened, the fork 21 can be inserted into the growth chamber G or the load lock chamber F.

サセプタ6やトレイ受台12は昇降でき、フォーク21
は水平移動できるので、ウエハトレイ1をフォーク21
によりサセプタ6からトレイ受台12へ或はその反対方
向へと搬送できる。
The susceptor 6 and the tray pedestal 12 can be raised and lowered, and the fork 21
Since the wafer tray 1 can be moved horizontally,
Thus, it can be transported from the susceptor 6 to the tray pedestal 12 or in the opposite direction.

サセプタ6、トレイ受台12のウエハトレイ1をフォー
ク21に移すためには次のようにする。サセプタ、トレ
イ受台を少し上方へ上げておき、フォーク21の先端を
ウエハトレイ1の真下に入れる。サセプタ、トレイ受台
を下げる。ウエハトレイ1はフォーク21に戴り上げ
る。フォーク21を横へ移動させる。フォーク21か
ら、サセプタ6、トレイ受台12に戴せるのはその反対
を行えば良い。
The wafer tray 1 of the susceptor 6 and the tray pedestal 12 is transferred to the fork 21 as follows. The susceptor and the tray pedestal are raised slightly upward, and the tip of the fork 21 is put under the wafer tray 1. Lower the susceptor and tray pedestal. The wafer tray 1 is lifted up by the fork 21. The fork 21 is moved to the side. The opposite process can be performed from the fork 21 to the susceptor 6 and the tray pedestal 12.

(カ)実施例 トレイ受台の形状の一例を第8図、第9図に示す。この
実施例では、外傾斜周面15が一様ではなく、傾斜の異
なる2面からなっている。側方から見ると外傾斜周面が
折線でつながれている。
(F) Example An example of the shape of the tray pedestal is shown in FIGS. 8 and 9. In this embodiment, the outer inclined peripheral surface 15 is not uniform and is composed of two surfaces having different inclinations. When viewed from the side, the sloping outer surface is connected by fold lines.

ウエハトレイ1の周縁4の底は、トレイ支え部31と取
付柄部16に当たるように置かれる。これらを除くと、
円周上には外傾斜周面15しか存在しない。
The bottom of the peripheral edge 4 of the wafer tray 1 is placed so as to contact the tray support portion 31 and the attachment handle portion 16. Excluding these,
Only the outer inclined peripheral surface 15 exists on the circumference.

フォーク21の形状の一例を第10図、第11図に示
す。円環状で前方の開口した部材である。段部32にウ
エハトレイ1を置く事ができる。フォークは本考案の対
象ではないから詳しく説明しない。しかし、このような
フォーク21にウエハトレイ1を置くと、両者の中心線
が食い違うという事が分かる。段部32の中でウエハト
レイ1が動きうるからである。このずれをfとして説明
した。
An example of the shape of the fork 21 is shown in FIGS. 10 and 11. It is an annular member having a front opening. The wafer tray 1 can be placed on the step portion 32. The fork is not the subject of the present invention and will not be described in detail. However, when the wafer tray 1 is placed on such a fork 21, it can be seen that the center lines of the two are different from each other. This is because the wafer tray 1 can move in the step portion 32. This shift is described as f.

(キ)考案の効果 (1)ウエハトレイにウエハを予め装着してから搬送す
る。このためどんな材質のウエハでも容易に安全に搬送
することができる。
(G) Advantages of the invention (1) A wafer is mounted on a wafer tray in advance and then transferred. Therefore any material of the wafer can be easily and safely transported.

(2)ウエハトレイ、サセプタ、トレイ受台に内外傾斜周
面を設けたので、容易に厳密な位置決めができる。
(2) Since the wafer tray, the susceptor, and the tray pedestal are provided with the inner and outer inclined peripheral surfaces, precise positioning can be easily performed.

(3)トレイ受台の傾斜周面の高さlを、ウエハトレイの
傾斜周面の高さhより小さくすれば、狭い空間により多
くの枚数のトレイ受台を取り付けることができる。
(3) If the height l of the inclined peripheral surface of the tray pedestal is made smaller than the height h of the inclined peripheral surface of the wafer tray, a larger number of tray pedestals can be mounted in a narrow space.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本考案の一例に係るウエハトレイの縦断面図。 第2図は本考案の一例に係るサセプタの縦断面図。 第3図は本考案の一例に係るトレイ受台の縦断面図。 第4図はサセプタにウエハトレイを戴置したものの縦断
面図。 第5図はウエハトレイをトレイ受台に戴置したものの縦
断面図。 第6図は気相成長装置の一例を示す平面図。 第7図は同じものの縦断面図。 第8図は実施例に係るトレイ受台の平面図。 第9図は同じトレイ受台の正面図。 第10図はフォークの平面図。 第11図は第10図のIX−IX断面図。 第12図は従来例に係るウエハトレイ、サセプタの嵌合
状態を示す縦断面図。 1……ウエハトレイ 2……ウエハ戴置部 3……裏板部 4……周縁 5……内傾斜周面 6……サセプタ 7……上面部 8……外傾斜周面 9……サセプタ指示シャフト 10……円筒周面 11……ウエハ 12……トレイ受台 13……上面部 14……下面部 15……外傾斜周面 16……取付柄部 17……穴 19……トレイ受台ベース板 21……垂直壁 23……カセット 25,26……ゲートバルブ 27……直線導入機 28……搬送装置 F……ロードロック室 G……成長室 H……ゲートバルブ s……サセプタとウエハトレイの間隙 t……トレイ受台とトレイの間隙
FIG. 1 is a vertical cross-sectional view of a wafer tray according to an example of the present invention. FIG. 2 is a vertical sectional view of a susceptor according to an example of the present invention. FIG. 3 is a vertical sectional view of a tray holder according to an example of the present invention. FIG. 4 is a vertical cross-sectional view of the wafer tray placed on the susceptor. FIG. 5 is a vertical cross-sectional view of the wafer tray placed on the tray holder. FIG. 6 is a plan view showing an example of a vapor phase growth apparatus. FIG. 7 is a vertical sectional view of the same thing. FIG. 8 is a plan view of the tray holder according to the embodiment. FIG. 9 is a front view of the same tray pedestal. FIG. 10 is a plan view of the fork. FIG. 11 is a sectional view taken along the line IX-IX in FIG. FIG. 12 is a vertical cross-sectional view showing a fitted state of a wafer tray and a susceptor according to a conventional example. 1 ... Wafer tray 2 ... Wafer mounting part 3 ... Back plate part 4 ... Edge 5 ... Inner inclined peripheral surface 6 ... Susceptor 7 ... Upper surface 8 ... External inclined peripheral surface 9 ... Susceptor instruction shaft 10 ... Cylindrical peripheral surface 11 ... Wafer 12 ... Tray pedestal 13 ... Upper surface 14 ... Lower surface 15 ... Outer inclined peripheral surface 16 ... Mounting handle 17 ... Hole 19 ... Tray pedestal base Plate 21 ...... Vertical wall 23 ...... Cassette 25, 26 ...... Gate valve 27 …… Straight line introduction machine 28 …… Transfer device F …… Load lock chamber G …… Growth chamber H …… Gate valve s …… Susceptor and wafer tray Gap t …… Gap between tray tray and tray

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】上面にウエハを戴置すべきウエハ戴置部2
が穿たれ下面にはサセプタへ差し込むための穴が周縁4
を残して穿たれ、該穴の中央の平坦な裏板部3と周縁4
底部とを結ぶ周面が上で狭く下で広くなるよう傾斜した
内傾斜周面5となっているウエハトレイ1と、平坦な上
面部7と側周部の少なくとも上方の一部に形成され上で
狭く下で広い外傾斜周面8とを有するサセプタ6とより
なり、ウエハトレイ1がサセプタ6の上に置かれた時両
者が内外傾斜周面5、8によって接触するようにした事
を特徴とするウエハトレイ・サセプタの形状。
1. A wafer mounting part 2 on which a wafer is to be mounted.
The bottom surface has a hole for inserting into the susceptor.
And a flat back plate 3 and a peripheral edge 4 at the center of the hole.
The wafer tray 1 has an inner inclined peripheral surface 5 that is inclined so that the peripheral surface connecting to the bottom is narrowed upward and widened downward, and the flat upper surface portion 7 and the peripheral surface formed on at least a part of the side peripheral portion It is characterized by comprising a susceptor 6 having a narrow and wide outer inclined peripheral surface 8 so that when the wafer tray 1 is placed on the susceptor 6, both are contacted by the inner and outer inclined peripheral surfaces 5, 8. Wafer tray / susceptor shape.
【請求項2】平坦な上面部13、下面部14と、取付柄
部16と、上面部13と下面部14を結ぶ周面であって
上で狭く下で広くなるよう傾斜する外傾斜周面15とを
有するトレイ受台12と、上面にウエハを戴置すべきウ
エハ戴置部2が穿たれ下面にはトレイ受台12へ差し込
むための穴が周縁4を残して穿たれ、該穴の中央の平坦
な裏板部3と周縁4底部とを結ぶ周面が上で狭く下で広
くなるよう傾斜した内傾斜周面5となっているウエハト
レイ1とよりなり、ウエハトレイ1をトレイ受台12の
上へ戴置させる際、ウエハトレイ1が内外傾斜周面5、
15によって案内され、ウエハトレイ1の周縁4の底が
トレイ支持部31と取付柄部16に接触するようにした
事を特徴とするウエハトレイ・トレイ受台の形状。
2. A flat upper surface portion 13, a lower surface portion 14, a mounting handle portion 16, and a peripheral surface connecting the upper surface portion 13 and the lower surface portion 14 and having an outer inclined peripheral surface which inclines so as to narrow upward and wide downward. A tray holder 12 having a number 15 and a wafer holder 2 on which a wafer is to be placed are formed on the upper surface, and a hole for inserting into the tray holder 12 is formed on the lower surface, leaving a peripheral edge 4. The wafer tray 1 is composed of a wafer tray 1 whose inner peripheral peripheral surface 5 is inclined so that the peripheral surface connecting the central flat back plate portion 3 and the bottom portion of the peripheral edge 4 is narrow at the top and wide at the bottom. When the wafer tray 1 is placed on the upper surface of the wafer tray 1,
A shape of a wafer tray / tray pedestal, characterized in that the bottom of the peripheral edge 4 of the wafer tray 1 is brought into contact with the tray support portion 31 and the attachment handle portion 16 by being guided by 15.
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