JPH06276025A - マイクロ波検波回路 - Google Patents
マイクロ波検波回路Info
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- JPH06276025A JPH06276025A JP8260293A JP8260293A JPH06276025A JP H06276025 A JPH06276025 A JP H06276025A JP 8260293 A JP8260293 A JP 8260293A JP 8260293 A JP8260293 A JP 8260293A JP H06276025 A JPH06276025 A JP H06276025A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ波検波回路の周波数特性を改善す
る。 【構成】 入力端子１０に印加されたマイクロ波信号を
ダイオードチップ１で検波して出力端子２０に送出す
る。ダイオードチップ１のキャパシタンスとボンディン
グワイヤ１及び３によるインダクタンスとでローパスフ
ィルタを形成する。マイクロ波信号の周波数帯域に応じ
てボンディングワイヤの長さを決定する。 【効果】 マイクロ波信号の周波数帯域よりローパスフ
ィルタのカットオフ周波数を高く設定すれば、カットオ
フ周波数までフラットな周波数特性が得られる。
る。 【構成】 入力端子１０に印加されたマイクロ波信号を
ダイオードチップ１で検波して出力端子２０に送出す
る。ダイオードチップ１のキャパシタンスとボンディン
グワイヤ１及び３によるインダクタンスとでローパスフ
ィルタを形成する。マイクロ波信号の周波数帯域に応じ
てボンディングワイヤの長さを決定する。 【効果】 マイクロ波信号の周波数帯域よりローパスフ
ィルタのカットオフ周波数を高く設定すれば、カットオ
フ周波数までフラットな周波数特性が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波検波回路に関
し、特にマイクロ波の送受信器に用いられるマイクロ波
検波回路に関する。
し、特にマイクロ波の送受信器に用いられるマイクロ波
検波回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波検波回路は、図５に示
されているように、マイクロ波入力用のマイクロストリ
ップライン４と検波用のダイオードチップ１のカソード
側とがボンディングワイヤ２でボンディング接続され、
ダイオードチップ１のアノード側がラジアルスタブ６で
高周波接地された構成になっていた。また、終端抵抗Ｒ
７（５０Ω）はマイクロストリップライン４及びラジア
ルスタブ５に接続されていた。なお、１０は入力端子、
２０は出力端子、ＬH はハイインピーダンスラインによ
るインダクタンスである。
されているように、マイクロ波入力用のマイクロストリ
ップライン４と検波用のダイオードチップ１のカソード
側とがボンディングワイヤ２でボンディング接続され、
ダイオードチップ１のアノード側がラジアルスタブ６で
高周波接地された構成になっていた。また、終端抵抗Ｒ
７（５０Ω）はマイクロストリップライン４及びラジア
ルスタブ５に接続されていた。なお、１０は入力端子、
２０は出力端子、ＬH はハイインピーダンスラインによ
るインダクタンスである。
【０００３】かかる構成とされた従来のマイクロ波検波
回路の等価回路は、図６に示されているようになる。す
なわち、マイクロ波周波数の帯域においては、ボンディ
ングワイヤはインダクタンスＬ20となり、また、ダイオ
ードチップ１はキャパシタンスＣとなる。
回路の等価回路は、図６に示されているようになる。す
なわち、マイクロ波周波数の帯域においては、ボンディ
ングワイヤはインダクタンスＬ20となり、また、ダイオ
ードチップ１はキャパシタンスＣとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマイク
ロ波検波回路では、出力端子２０とスタブ６によるグラ
ンドレベルとの間に検波出力が得られる。しかし、入力
マイクロ波の周波数が高くなると、ボンディングワイヤ
の長さによる等価インダクタンスや、検波用ダイオード
チップ１による等価キャパシタンスＣが影響して反射損
失が増加し、ダイオードチップに入力されるマイクロ波
信号の電力が変化してしまい、広帯域にわたって検波感
度を一定にできないという欠点があった。つまり、ボン
ディングワイヤの長さやダイオードの等価キャパシタン
スにより検波特性が変化してしまうという欠点があっ
た。
ロ波検波回路では、出力端子２０とスタブ６によるグラ
ンドレベルとの間に検波出力が得られる。しかし、入力
マイクロ波の周波数が高くなると、ボンディングワイヤ
の長さによる等価インダクタンスや、検波用ダイオード
チップ１による等価キャパシタンスＣが影響して反射損
失が増加し、ダイオードチップに入力されるマイクロ波
信号の電力が変化してしまい、広帯域にわたって検波感
度を一定にできないという欠点があった。つまり、ボン
ディングワイヤの長さやダイオードの等価キャパシタン
スにより検波特性が変化してしまうという欠点があっ
た。
【０００５】本発明は上述した従来技術の欠点を解決す
るためになされたものであり、その目的は検波用素子を
接続する際のボンディングワイヤのインダクタンスによ
る高周波検波特性の劣化を改善することのできるマイク
ロ波検波回路を提供することである。
るためになされたものであり、その目的は検波用素子を
接続する際のボンディングワイヤのインダクタンスによ
る高周波検波特性の劣化を改善することのできるマイク
ロ波検波回路を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるマイクロ波
検波回路は、所定容量を有しかつ入力端子に印加された
マイクロ波信号を検波して出力端子に送出する検波素子
を含み、前記検波素子の一端を高周波接地し、他端を所
定長のボンディングワイヤにより前記入力端子及び前記
出力端子に夫々接続したことを特徴とする。
検波回路は、所定容量を有しかつ入力端子に印加された
マイクロ波信号を検波して出力端子に送出する検波素子
を含み、前記検波素子の一端を高周波接地し、他端を所
定長のボンディングワイヤにより前記入力端子及び前記
出力端子に夫々接続したことを特徴とする。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明によるマイクロ波検波回路の
一実施例の構成を示す斜視図であり、図５及び図６と同
等部分は同一符号により示されている。図において、本
発明の一実施例によるマイクロ波検波回路は、ダイオー
ドチップ１の一端がラジアルスタブ６により高周波接地
されており、他端が入力側のマイクロストリップライン
４及び検波出力端子２０側に夫々ボンディングワイヤ
２，３でボンディング接続されている。本実施例ではダ
イオードのアノード側が高周波接地され、カソード側に
ボンディングワイヤが接続されているものとする。
一実施例の構成を示す斜視図であり、図５及び図６と同
等部分は同一符号により示されている。図において、本
発明の一実施例によるマイクロ波検波回路は、ダイオー
ドチップ１の一端がラジアルスタブ６により高周波接地
されており、他端が入力側のマイクロストリップライン
４及び検波出力端子２０側に夫々ボンディングワイヤ
２，３でボンディング接続されている。本実施例ではダ
イオードのアノード側が高周波接地され、カソード側に
ボンディングワイヤが接続されているものとする。
【０００９】検波出力端子２０側には、ラジアルスタブ
５及び終端抵抗７が接続されている。そして、終端抵抗
７のボンディングワイヤ３側は、ハイインピーダンスラ
インＨを介して検波出力端子２０に接続されている。ダ
イオードチップ１のアノード側はグランド端子Ｇにも接
続されており、出力端子２０とグランド端子Ｇとの間に
検波出力が得られる。
５及び終端抵抗７が接続されている。そして、終端抵抗
７のボンディングワイヤ３側は、ハイインピーダンスラ
インＨを介して検波出力端子２０に接続されている。ダ
イオードチップ１のアノード側はグランド端子Ｇにも接
続されており、出力端子２０とグランド端子Ｇとの間に
検波出力が得られる。
【００１０】かかる構成とされた本実施例のマイクロ波
検波回路を回路図で表したものが図２に示されている。
図２において、図１中の各部と同等部分は同一符号によ
り示されている。
検波回路を回路図で表したものが図２に示されている。
図２において、図１中の各部と同等部分は同一符号によ
り示されている。
【００１１】この図２の回路を参照すると、本実施例の
マイクロ波検波回路は従来の回路（図５）とは異なり、
マイクロ波がボンディングワイヤ２を介して検波素子た
るダイオードチップ１に入力され、その検波出力がボン
ディングワイヤ３を介して出力される構成になってい
る。そして、検波出力は終端抵抗７とボンディングワイ
ヤ３との間の点Ａからハイインピーダンスラインによる
インダクタンスＬH を介して出力端子２０を送出され
る。
マイクロ波検波回路は従来の回路（図５）とは異なり、
マイクロ波がボンディングワイヤ２を介して検波素子た
るダイオードチップ１に入力され、その検波出力がボン
ディングワイヤ３を介して出力される構成になってい
る。そして、検波出力は終端抵抗７とボンディングワイ
ヤ３との間の点Ａからハイインピーダンスラインによる
インダクタンスＬH を介して出力端子２０を送出され
る。
【００１２】さらに、この図２の回路をマイクロ波帯の
等価回路で表したものが図３である。この図３では、ボ
ンディングワイヤ２，３によるインダクタンスがＬ2 ，
Ｌ3で表されおり、またダイオードチップ１によるキャ
パシタンスがＣで表されている。
等価回路で表したものが図３である。この図３では、ボ
ンディングワイヤ２，３によるインダクタンスがＬ2 ，
Ｌ3で表されおり、またダイオードチップ１によるキャ
パシタンスがＣで表されている。
【００１３】ここで、インダクタンスＬ2 及びＬ3 並び
にキャパシタンスＣに着目すると、周知のＬ―Ｃ―Ｌ型
のローパスフィルタが形成されることになる。したがっ
て、点Ａには、このローパスフィルタを通過した検波出
力が導出されることになる。
にキャパシタンスＣに着目すると、周知のＬ―Ｃ―Ｌ型
のローパスフィルタが形成されることになる。したがっ
て、点Ａには、このローパスフィルタを通過した検波出
力が導出されることになる。
【００１４】インダクタンスＬ2 及びＬ3 の値は、ボン
ディングワイヤ長に比例する。よって、ボンディングワ
イヤ長を適当に選べば、このローパスフィルタのカット
オフ周波数を入力されるマイクロ波の周波数よりも高く
でき、マイクロ波の周波数までフラットな特性が得られ
ることになる。
ディングワイヤ長に比例する。よって、ボンディングワ
イヤ長を適当に選べば、このローパスフィルタのカット
オフ周波数を入力されるマイクロ波の周波数よりも高く
でき、マイクロ波の周波数までフラットな特性が得られ
ることになる。
【００１５】次に、このマイクロ波検波回路の周波数特
性について図４を参照して説明する。図４には、本実施
例のマイクロ波検波回路の周波数特性が従来回路の特性
と共に示されており、実線部が本実施例の回路の特性曲
線、破線部が従来の回路の特性曲線である。
性について図４を参照して説明する。図４には、本実施
例のマイクロ波検波回路の周波数特性が従来回路の特性
と共に示されており、実線部が本実施例の回路の特性曲
線、破線部が従来の回路の特性曲線である。
【００１６】本実施例では入力されるマイクロ波の周波
数帯域Ｂを１４〜１４．５［ＧＨZ］とし、この周波数
帯域ではフラットな特性を得るようにするものとする。
すなわち、図４に示されているように、低域から周波数
帯域Ｂより少し高い周波数まではフラット（０［ｄ
Ｂ］）となるような通過特性４０を有するローパスフィ
ルタを構成すれば良い。
数帯域Ｂを１４〜１４．５［ＧＨZ］とし、この周波数
帯域ではフラットな特性を得るようにするものとする。
すなわち、図４に示されているように、低域から周波数
帯域Ｂより少し高い周波数まではフラット（０［ｄ
Ｂ］）となるような通過特性４０を有するローパスフィ
ルタを構成すれば良い。
【００１７】さらに、図４に示されているように、周波
数帯域Ｂにおける反射損４１、すなわち、入力端子１０
側からみたＶＳＷＲ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｔａｎｄｉｎ
ｇＷａｖｅ Ｒａｔｉｏ）をできるだけ小さな値にする
必要がある。このためには、回路内の全素子を、回路の
特性インピーダンスが５０Ωになるような値にしなけれ
ばならない。
数帯域Ｂにおける反射損４１、すなわち、入力端子１０
側からみたＶＳＷＲ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｔａｎｄｉｎ
ｇＷａｖｅ Ｒａｔｉｏ）をできるだけ小さな値にする
必要がある。このためには、回路内の全素子を、回路の
特性インピーダンスが５０Ωになるような値にしなけれ
ばならない。
【００１８】ここで、カットオフ周波数をｆc とすれ
ば、１／２πｆc Ｃ＝２×５０［Ω］、２πｆc Ｌ2 ＝
５０［Ω］、２πｆc Ｌ3 ＝５０［Ω］であり、ダイオ
ードチップのキャパシタンスＣを０．１［ｐＦ］とすれ
ば、ｆc ＝１５．９［ＧＨZ ］，ボンディングワイヤの
キャパシンタスＬ2 ＝Ｌ3 ＝０．５［ｎＨ］となる。一
般に、ボンディングワイヤは１［ｍｍ］当り０．６［ｎ
Ｈ］であるから、Ｌ2 及びＬ3 を０．５［ｎＨ］とする
ためには、ボンディングワイヤの長さを０．８〜０．９
［ｍｍ］程度にすれば良い。
ば、１／２πｆc Ｃ＝２×５０［Ω］、２πｆc Ｌ2 ＝
５０［Ω］、２πｆc Ｌ3 ＝５０［Ω］であり、ダイオ
ードチップのキャパシタンスＣを０．１［ｐＦ］とすれ
ば、ｆc ＝１５．９［ＧＨZ ］，ボンディングワイヤの
キャパシンタスＬ2 ＝Ｌ3 ＝０．５［ｎＨ］となる。一
般に、ボンディングワイヤは１［ｍｍ］当り０．６［ｎ
Ｈ］であるから、Ｌ2 及びＬ3 を０．５［ｎＨ］とする
ためには、ボンディングワイヤの長さを０．８〜０．９
［ｍｍ］程度にすれば良い。
【００１９】以上のように回路を構成すれば、１５．９
［ＧＨZ ］において３［ｄＢ］低下するまではフラット
な通過特性４０が得られ、従来回路より良好な特性とな
る。また、反射損４１についても、周波数帯域Ｂにおい
て従来回路より損失の低い特性が得られるのである。よ
って、周波数特性を改善できる。
［ＧＨZ ］において３［ｄＢ］低下するまではフラット
な通過特性４０が得られ、従来回路より良好な特性とな
る。また、反射損４１についても、周波数帯域Ｂにおい
て従来回路より損失の低い特性が得られるのである。よ
って、周波数特性を改善できる。
【００２０】なお、５０Ω系に限らず、７５Ω系等の特
性インピーダンスを有する検波回路についても同様に構
成できる。つまり、入力されるマイクロ波の周波数帯域
に応じてボンディングワイヤの長さを決定すれば所望の
周波数特性を有するマイクロ波検波回路を構成できるの
である。
性インピーダンスを有する検波回路についても同様に構
成できる。つまり、入力されるマイクロ波の周波数帯域
に応じてボンディングワイヤの長さを決定すれば所望の
周波数特性を有するマイクロ波検波回路を構成できるの
である。
【００２１】また、検波用のダイオードチップ１の等価
キャパシタンスの値にバラツキがあっても、ローパスフ
ィルタを形成しているため、そのバラツキによる影響を
軽減できる。
キャパシタンスの値にバラツキがあっても、ローパスフ
ィルタを形成しているため、そのバラツキによる影響を
軽減できる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、検波素子
によるキャパシタンスとボンディングワイヤとでローパ
スフィルタを形成する構成にすることにより、マイクロ
波帯での検波回路の周波数特性を改善できるという効果
がある。
によるキャパシタンスとボンディングワイヤとでローパ
スフィルタを形成する構成にすることにより、マイクロ
波帯での検波回路の周波数特性を改善できるという効果
がある。
【図１】本発明の実施例によるマイクロ波検波回路の構
成を示す斜視図である。
成を示す斜視図である。
【図２】図１のマイクロ波検波回路の回路図である。
【図３】図２のマイクロ波検波回路の等価回路図であ
る。
る。
【図４】図１のマイクロ波検波回路の周波数特性図であ
る。
る。
【図５】従来のマイクロ波検波回路の回路図である。
【図６】従来のマイクロ波検波回路の等価回路図であ
る。
る。
１ ダイオードチップ ２，３ ボンディングワイヤ ４ マイクロストリップライン ５，６ ラジアルスタブ ７ 終端抵抗 １０ 入力端子 ２０ 出力端子
Claims (2)
- 【請求項１】 所定容量を有しかつ入力端子に印加され
たマイクロ波信号を検波して出力端子に送出する検波素
子を含み、前記検波素子の一端を高周波接地し、他端を
所定長のボンディングワイヤにより前記入力端子及び前
記出力端子に夫々接続したことを特徴とするマイクロ波
検波回路。 - 【請求項２】 前記ボンディングワイヤの長さを、前記
マイクロ波信号の周波数に応じて決定したことを特徴と
する請求項１記載のマイクロ波検波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8260293A JPH06276025A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | マイクロ波検波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8260293A JPH06276025A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | マイクロ波検波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06276025A true JPH06276025A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13779037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8260293A Pending JPH06276025A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | マイクロ波検波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06276025A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762493B2 (en) | 2002-03-27 | 2004-07-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Microwave integrated circuit |
| WO2011062278A1 (ja) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | マスプロ電工株式会社 | 電子回路 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535530A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mic double balance type mixer |
| JPS60116204A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-22 | Fujitsu Ltd | Ｍｉｃ装置 |
| JPS60116203A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-22 | Fujitsu Ltd | マイクロ波集積回路 |
| JPH0248808A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-19 | Nec Corp | バランス型ミキサ |
-
1993
- 1993-03-17 JP JP8260293A patent/JPH06276025A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535530A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mic double balance type mixer |
| JPS60116204A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-22 | Fujitsu Ltd | Ｍｉｃ装置 |
| JPS60116203A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-22 | Fujitsu Ltd | マイクロ波集積回路 |
| JPH0248808A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-19 | Nec Corp | バランス型ミキサ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762493B2 (en) | 2002-03-27 | 2004-07-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Microwave integrated circuit |
| WO2011062278A1 (ja) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | マスプロ電工株式会社 | 電子回路 |
| JP2011130430A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-30 | Toyohashi Univ Of Technology | 検波／整流回路 |
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