JPH0627354A - フォトダイオードと光導波路との結合装置及び該結合装置を製造する方法 - Google Patents
フォトダイオードと光導波路との結合装置及び該結合装置を製造する方法Info
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- JPH0627354A JPH0627354A JP5071650A JP7165093A JPH0627354A JP H0627354 A JPH0627354 A JP H0627354A JP 5071650 A JP5071650 A JP 5071650A JP 7165093 A JP7165093 A JP 7165093A JP H0627354 A JPH0627354 A JP H0627354A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 非常に高いコストと信号強度の損失が伴うよ
うな別の減衰手段を用いることなく、光導波路の軸線方
向での反射が大きく抑圧され、しかも非常に簡単でコス
トのかからない、フォトダイオードと光ファイバとの結
合装置を提供すること。 【構成】 端面が当該導波路−長手軸線に垂直な面と角
度をなすように構成されており、さらに前記フォトダイ
オードの入射面が、該端面に対して実質的に平行になる
ように構成する。
うな別の減衰手段を用いることなく、光導波路の軸線方
向での反射が大きく抑圧され、しかも非常に簡単でコス
トのかからない、フォトダイオードと光ファイバとの結
合装置を提供すること。 【構成】 端面が当該導波路−長手軸線に垂直な面と角
度をなすように構成されており、さらに前記フォトダイ
オードの入射面が、該端面に対して実質的に平行になる
ように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトダイオードと光
導波路との結合装置であって、前記光導波路は、導波路
−長手軸線と端面とを有しており、前記フォトダイオー
ドは、当該端面に向いており、それによって当該光導波
路を通って伝送される光がフォトダイオードに供給され
ており、前記フォトダイオードは、部分的に反射する入
射面を有しており、該入射面を通過して光が当該フォト
ダイオードに供給される、フォトダイオードと光導波路
との結合装置及び該結合装置を製造する方法に関する。
導波路との結合装置であって、前記光導波路は、導波路
−長手軸線と端面とを有しており、前記フォトダイオー
ドは、当該端面に向いており、それによって当該光導波
路を通って伝送される光がフォトダイオードに供給され
ており、前記フォトダイオードは、部分的に反射する入
射面を有しており、該入射面を通過して光が当該フォト
ダイオードに供給される、フォトダイオードと光導波路
との結合装置及び該結合装置を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光導波路の長手軸に対して垂直に、すな
わち長手軸線の法線に沿って延在する光導波路の端面な
いしフォトダイオードの部分反射面は、当該光導波路の
内部において著しく大きな反射を引き起こす。反射成分
全体は４％より大になり得る。半導体ファイバは反射光
に対してきわめて敏感に反応するので、このようなこと
は障害に結び付く。このような障害を絶縁か又は減衰に
よって抑圧することは既に試みられている。しかしなが
らこれには非常に高いコストや信号強度における著しい
損失が伴ってしまう。
わち長手軸線の法線に沿って延在する光導波路の端面な
いしフォトダイオードの部分反射面は、当該光導波路の
内部において著しく大きな反射を引き起こす。反射成分
全体は４％より大になり得る。半導体ファイバは反射光
に対してきわめて敏感に反応するので、このようなこと
は障害に結び付く。このような障害を絶縁か又は減衰に
よって抑圧することは既に試みられている。しかしなが
らこれには非常に高いコストや信号強度における著しい
損失が伴ってしまう。
【０００３】ＤＥ−Ａ３９３２５７９号明細書及びＤＥ
−Ａ２９１６９５８号明細書（図２）及びＵＳ−Ａ５０
７４６８２号明細書からは次のような装置が公知であ
る。すなわちレーザダイオードからのビームが、光ファ
イバの端面を介して該ファイバに結合される装置が公知
である。この場合該端面はビーム軸線に対して傾斜して
おり、さらにファイバ軸線が当該ビーム軸線と心合わせ
されて配置されている。別の公知例（ＤＥ−Ａ２９１６
９５８号明細書）では、光ファイバの端面がファイバ軸
線に対して垂直に配置されている。但しこの場合はファ
イバ軸線がビーム軸線と角度をなしている。
−Ａ２９１６９５８号明細書（図２）及びＵＳ−Ａ５０
７４６８２号明細書からは次のような装置が公知であ
る。すなわちレーザダイオードからのビームが、光ファ
イバの端面を介して該ファイバに結合される装置が公知
である。この場合該端面はビーム軸線に対して傾斜して
おり、さらにファイバ軸線が当該ビーム軸線と心合わせ
されて配置されている。別の公知例（ＤＥ−Ａ２９１６
９５８号明細書）では、光ファイバの端面がファイバ軸
線に対して垂直に配置されている。但しこの場合はファ
イバ軸線がビーム軸線と角度をなしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は次のよ
うな、フォトダイオードと光ファイバとの結合装置を提
供することである。すなわち非常に高いコストと信号強
度の大きな損失が伴うような別の減衰手段を用いること
なく、光導波路の軸線方向での反射が大きく抑圧され、
しかも非常に簡単でコストのかからない、フォトダイオ
ードと光ファイバとの結合装置を提供することである。
うな、フォトダイオードと光ファイバとの結合装置を提
供することである。すなわち非常に高いコストと信号強
度の大きな損失が伴うような別の減衰手段を用いること
なく、光導波路の軸線方向での反射が大きく抑圧され、
しかも非常に簡単でコストのかからない、フォトダイオ
ードと光ファイバとの結合装置を提供することである。
【０００５】また本発明の別の課題は、マイクロメカニ
ック技術の使用下で、反射の少ない、フォトダイオード
と光導波路との結合装置を合理的に製造することであ
る。
ック技術の使用下で、反射の少ない、フォトダイオード
と光導波路との結合装置を合理的に製造することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によ
り、端面が、当該導波路−長手軸線に垂直な面と角度を
なし、前記フォトダイオードの入射面が、当該端面に対
して実質的に平行になるように構成されて解決される。
り、端面が、当該導波路−長手軸線に垂直な面と角度を
なし、前記フォトダイオードの入射面が、当該端面に対
して実質的に平行になるように構成されて解決される。
【０００７】さらに上記課題は、端面と、長手側狭幅面
と、帯板状の並列な表面とを有する帯板状の支持基板を
製造し、この場合該表面のうちの一つには長手方向に延
在するＶ字溝が形成されており、前記支持基板を、長手
方向で相互にずらされている端面に連続して積み重ね、
この状態で当該支持基板を固定し、前記積み重ねられた
支持基板の片側の相互にずらされている端面を、前記表
面の平面と角度をなす平面内に共に収まるように研磨
し、入射面を有するフォトダイオードチップを、前記の
ように研磨された端面に載置し、傾斜した端面を有する
複数のファイバを製造し、これらの複数のファイバを前
記Ｖ字溝内へ挿入し、さらに当該複数のファイバを、該
ファイバの長手軸線を中心にして、当該ファイバの傾斜
された端面がそれぞれのフォトダイオードチップの入射
面に合わせて配向されるような配置構成の下で、固定す
るようにして解決される。
と、帯板状の並列な表面とを有する帯板状の支持基板を
製造し、この場合該表面のうちの一つには長手方向に延
在するＶ字溝が形成されており、前記支持基板を、長手
方向で相互にずらされている端面に連続して積み重ね、
この状態で当該支持基板を固定し、前記積み重ねられた
支持基板の片側の相互にずらされている端面を、前記表
面の平面と角度をなす平面内に共に収まるように研磨
し、入射面を有するフォトダイオードチップを、前記の
ように研磨された端面に載置し、傾斜した端面を有する
複数のファイバを製造し、これらの複数のファイバを前
記Ｖ字溝内へ挿入し、さらに当該複数のファイバを、該
ファイバの長手軸線を中心にして、当該ファイバの傾斜
された端面がそれぞれのフォトダイオードチップの入射
面に合わせて配向されるような配置構成の下で、固定す
るようにして解決される。
【０００８】上記構成によれば、研磨面ないしフォトダ
イオードの部分反射面において生じる反射が次のように
光導波路へ導かれることが回避される。すなわち当該反
射が光導波路において伝搬され続けていくように導かれ
ることが回避される。
イオードの部分反射面において生じる反射が次のように
光導波路へ導かれることが回避される。すなわち当該反
射が光導波路において伝搬され続けていくように導かれ
ることが回避される。
【０００９】最大感度を得るために、次のように配置構
成すると有利である。すなわちフォトダイオードを、光
導波路の長手軸線に対して心合わせして配置構成すると
有利である。この導波路は単モードグラスファイバであ
り得る。このグラスファイバは端部領域において毛管内
に埋め込むことができる。フォトダイオードは、有利に
は約１００μｍの間隔をあけて導波路の端面から離して
配置するか、又は導波路の端面にほぼ直接配置すること
ができる。
成すると有利である。すなわちフォトダイオードを、光
導波路の長手軸線に対して心合わせして配置構成すると
有利である。この導波路は単モードグラスファイバであ
り得る。このグラスファイバは端部領域において毛管内
に埋め込むことができる。フォトダイオードは、有利に
は約１００μｍの間隔をあけて導波路の端面から離して
配置するか、又は導波路の端面にほぼ直接配置すること
ができる。
【００１０】有利には光導波路の端面及び／又はフォト
ダイオードの部分反射面は、光導波路の長手軸線の法線
に対して所定の角度だけ傾斜している。この角度は光導
波路の受け角度よりも大きい。有利にはこの傾斜角度は
ほぼ１２゜である。
ダイオードの部分反射面は、光導波路の長手軸線の法線
に対して所定の角度だけ傾斜している。この角度は光導
波路の受け角度よりも大きい。有利にはこの傾斜角度は
ほぼ１２゜である。
【００１１】フォトダイオードは、既製のフォトダイオ
ードか又はボンディングフォトダイオードチップであり
得る。フォトダイオードは局部的に直接電気的に接続さ
れ得る。さらにフォトダイオードは、光透過性でかつ光
導波路の屈折率に適合する接着剤を用いて導波路及び場
合によっては毛管と接続され得るものである。この接着
剤は、有利にはＵＶ−接着剤である。
ードか又はボンディングフォトダイオードチップであり
得る。フォトダイオードは局部的に直接電気的に接続さ
れ得る。さらにフォトダイオードは、光透過性でかつ光
導波路の屈折率に適合する接着剤を用いて導波路及び場
合によっては毛管と接続され得るものである。この接着
剤は、有利にはＵＶ−接着剤である。
【００１２】本発明による有利な実施例では、導波路
と、場合によって毛管と、フォトダイオードと、場合に
よってそれらの結線接続部が接着剤か又は溶融温度の低
いはんだを用いたろう付けによってそれらの支持体に固
定され得る。それにより非常に簡単でかつ耐久性にすぐ
れた接続構成が達成される。
と、場合によって毛管と、フォトダイオードと、場合に
よってそれらの結線接続部が接着剤か又は溶融温度の低
いはんだを用いたろう付けによってそれらの支持体に固
定され得る。それにより非常に簡単でかつ耐久性にすぐ
れた接続構成が達成される。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づき詳細に説
明する。
明する。
【００１４】図１には支持体（例えば支持板）が符号１
で示されている。この支持板には接着剤２を用いて毛管
３が固定されている。毛管３の内部には単モードグラス
ファイバ４が設けられている。毛管３内部のグラスファ
イバ４の延在経過は破線で示されている。このグラスフ
ァイバ４は毛管３の内部で有利には接着剤によって固定
されている。毛管３の自由端部とその中にあるグラスフ
ァイバ４の自由端部は次のような研磨面となるように光
学的に研磨される。すなわち当該グラスファイバ４及び
毛管３の長手軸線に対して垂直に延在するのではなく、
該長手軸線の垂線に対して約１２度の角度をなすような
研磨面となるように研磨される。
で示されている。この支持板には接着剤２を用いて毛管
３が固定されている。毛管３の内部には単モードグラス
ファイバ４が設けられている。毛管３内部のグラスファ
イバ４の延在経過は破線で示されている。このグラスフ
ァイバ４は毛管３の内部で有利には接着剤によって固定
されている。毛管３の自由端部とその中にあるグラスフ
ァイバ４の自由端部は次のような研磨面となるように光
学的に研磨される。すなわち当該グラスファイバ４及び
毛管３の長手軸線に対して垂直に延在するのではなく、
該長手軸線の垂線に対して約１２度の角度をなすような
研磨面となるように研磨される。
【００１５】この研磨面にはフォトダイオードチップ５
が接着剤によって固定される。この接着剤には、光透過
性でかつファイバコアにおける屈折率に適合するＵＶ−
接着剤が用いられる。
が接着剤によって固定される。この接着剤には、光透過
性でかつファイバコアにおける屈折率に適合するＵＶ−
接着剤が用いられる。
【００１６】この配置構成によっては次のような作用が
生ぜしめられる。すなわちグラスファイバ４を通って伝
送された光（この光はグラスファイバの研磨面及び／又
はフォトダイオードの部分反射面において反射されるも
のである）が、グラスファイバ４内へ戻って、そこで全
反射によって伝播され続けていくのではなく、当該結合
装置から矢印６の方向へ出射するような作用が生ぜしめ
られる。
生ぜしめられる。すなわちグラスファイバ４を通って伝
送された光（この光はグラスファイバの研磨面及び／又
はフォトダイオードの部分反射面において反射されるも
のである）が、グラスファイバ４内へ戻って、そこで全
反射によって伝播され続けていくのではなく、当該結合
装置から矢印６の方向へ出射するような作用が生ぜしめ
られる。
【００１７】符号７はフォトダイオードをその局部的結
線部に接続するための接続機構である。この局部的結線
部は構成部８によって示されている。
線部に接続するための接続機構である。この局部的結線
部は構成部８によって示されている。
【００１８】光の戻りによって生じ得る減衰は少なくと
も６０ｄＢである。
も６０ｄＢである。
【００１９】図２〜図６には、フォトダイオードチップ
１０と光ファイバ１２との間の結合装置の別の実施例が
示されている。これらの図面は本発明による結合装置を
製造する有利な方法の説明の際にも参照され得る。
１０と光ファイバ１２との間の結合装置の別の実施例が
示されている。これらの図面は本発明による結合装置を
製造する有利な方法の説明の際にも参照され得る。
【００２０】符号１４は条板状の支持基板である。この
支持基板１４はシリコンからなる。この支持基板１４は
初期の状態で平行な端面１６及び１８と、狭幅な長手側
面２０及び２２と、条板状の表面２４及び２６を有して
いる。条板状の支持基板１４は、狭幅な長手側面２０及
び２２に対して平行に長手方向を定めている。図中上側
の表面２４には、当該長手方向に延在するＶ字溝２８が
形成されている。
支持基板１４はシリコンからなる。この支持基板１４は
初期の状態で平行な端面１６及び１８と、狭幅な長手側
面２０及び２２と、条板状の表面２４及び２６を有して
いる。条板状の支持基板１４は、狭幅な長手側面２０及
び２２に対して平行に長手方向を定めている。図中上側
の表面２４には、当該長手方向に延在するＶ字溝２８が
形成されている。
【００２１】支持基板１４は、シリコンチップ３０（図
７）、いわゆるウエハから製造される。そのようなシリ
コンチップ３０は、マスク３２を備えている。このマス
ク３２は、図７の上部に細かい平行線で示されている。
７）、いわゆるウエハから製造される。そのようなシリ
コンチップ３０は、マスク３２を備えている。このマス
ク３２は、図７の上部に細かい平行線で示されている。
【００２２】このマスク３２によって、多数の平行なス
トリップ状部分３４が露出される。次いで異方性エッチ
ングを用いてＶ字溝２８がエッチングされる。それによ
りマスク３２は除去される。シリコンチップ３０は、結
晶縁部３６，３８に沿ったスクラッチ（ひっかき）によ
って条板状の支持基板１４に分割される。
トリップ状部分３４が露出される。次いで異方性エッチ
ングを用いてＶ字溝２８がエッチングされる。それによ
りマスク３２は除去される。シリコンチップ３０は、結
晶縁部３６，３８に沿ったスクラッチ（ひっかき）によ
って条板状の支持基板１４に分割される。
【００２３】そのように形成された条板状の支持基板１
４は次のように相互に積み重ねられる。すなわち端面１
６が平面４０に沿って長手方向に部分的にずらされて相
互に積み重ねられる。平面４０は端面１６と１２°の角
度をなす。この位置に支持基板１４は固定され、端面１
６が研磨される。それにより平面４０内に存する研磨面
が形成される。
４は次のように相互に積み重ねられる。すなわち端面１
６が平面４０に沿って長手方向に部分的にずらされて相
互に積み重ねられる。平面４０は端面１６と１２°の角
度をなす。この位置に支持基板１４は固定され、端面１
６が研磨される。それにより平面４０内に存する研磨面
が形成される。
【００２４】その後支持基板１４は再び分離される。各
支持基板１４の研磨面の上には入射面４４を有するフォ
トダイオードチップ１０が載着され、ろう付けによって
固定される。接触接続はボンディングによって行われ
る。
支持基板１４の研磨面の上には入射面４４を有するフォ
トダイオードチップ１０が載着され、ろう付けによって
固定される。接触接続はボンディングによって行われ
る。
【００２５】ファイバ１２の端面４６も１２°の角度に
研磨される。これは相応するファイバクレーバを用いて
行われ得る。ファイバ１２はＶ字溝２８に挿入され、フ
ァイバ軸線を中心として当該ファイバ１２の端面が研磨
面４２と入射面４４に対して平行になるまで回転され
る。図６から明らかなように、端面４６は入射面４４か
ら所定の間隔をおいて存在している。さらに図６から明
らかなように、フォトダイオード１０の入射面において
反射された光は、ファイバ１２によって再び受光されな
い。ファイバ１２の端面４６における反射も脇の方にそ
れるように反射される。
研磨される。これは相応するファイバクレーバを用いて
行われ得る。ファイバ１２はＶ字溝２８に挿入され、フ
ァイバ軸線を中心として当該ファイバ１２の端面が研磨
面４２と入射面４４に対して平行になるまで回転され
る。図６から明らかなように、端面４６は入射面４４か
ら所定の間隔をおいて存在している。さらに図６から明
らかなように、フォトダイオード１０の入射面において
反射された光は、ファイバ１２によって再び受光されな
い。ファイバ１２の端面４６における反射も脇の方にそ
れるように反射される。
【００２６】ファイバ１２はＵＶ−照射によって硬化可
能な接着剤を用いてＶ字溝２８に固定される。
能な接着剤を用いてＶ字溝２８に固定される。
【００２７】その結果反射の起らない状態が実現され
た。実験ではスペクトル反射計によって８０ｄＢまでの
反射の抑圧を測定することができた。
た。実験ではスペクトル反射計によって８０ｄＢまでの
反射の抑圧を測定することができた。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、非常にコストが高くて
信号強度の損失を伴う別の減衰手段を用いることなく、
光導波路の軸線方向での反射が大きく抑圧される。また
非常に簡単でかつ耐久性にすぐれた、フォトダイオード
と光ファイバとの接続形成が達成される。
信号強度の損失を伴う別の減衰手段を用いることなく、
光導波路の軸線方向での反射が大きく抑圧される。また
非常に簡単でかつ耐久性にすぐれた、フォトダイオード
と光ファイバとの接続形成が達成される。
【図１】本発明による光導波路とフォトダイオードとの
結合装置の第１実施例の概略図である。
結合装置の第１実施例の概略図である。
【図２】光ファイバ形状の導波路とフォトダイオードと
の結合装置の構成の際に用いられる条板状の支持基板の
平面図である。
の結合装置の構成の際に用いられる条板状の支持基板の
平面図である。
【図３】図２の支持基板の側面図である。
【図４】グラスフアィバの設置された図３による支持基
板の左側端部を示した図である。
板の左側端部を示した図である。
【図５】支持基板の傾斜面上のフォトダイオードチップ
の配置構成の拡大図である。
の配置構成の拡大図である。
【図６】傾斜面とフォトダイオードチップと条板状の支
持基板の溝に設置される光ファイバとを有する支持基板
の端部の拡大図である。
持基板の溝に設置される光ファイバとを有する支持基板
の端部の拡大図である。
【図７】シリコンチップ（ウエハ）を示した図である。
【図８】フォトダイオードと光ファイバとの間の結合装
置を製造する際の別の方法ステップを示した図である。
置を製造する際の別の方法ステップを示した図である。
１ 支持体 ２ 接着剤 ３ 毛管 ４ グラスファイバ ５ フォトダイオードチップ ６ 矢印 ７ コネクタ ８ 構成部材 １０ フォトダイオードチップ １２ 光ファイバ １４ 支持基板 １６ 端面 １８ 端面 ２０ 長手側面 ２２ 長手側面 ２４ 表面 ２６ 表面 ２８ Ｖ字溝 ３０ シリコンチップ ３２ マスク ３４ 条板 ３６ 結晶端部 ３８ 結晶端部 ４０ 平面 ４２ 傾斜面 ４４ 入射面 ４６ 端面
Claims (27)
- 【請求項１】 フォトダイオード（５，１０）と光導波
路（４，１２）との結合装置であって、該光導波路
（４，１２）は、導波路−長手軸線と端面（４２）とを
有しており、前記フォトダイオード（５，１０）は、当
該端面（４２）に向いており、それによって当該光導波
路（４，１２）を通って伝送される光がフォトダイオー
ド（５，１０）に供給されており、 前記フォトダイオード（５，１０）は、部分的に反射す
る入射面（４４）を有しており、該入射面（４４）を通
過して光が当該フォトダイオード（５）に供給される、
フォトダイオードと光導波路との結合装置において、 前記端面（４２）が、当該導波路−長手軸線に垂直な面
と角度をなし、 前記フォトダイオード（５，１０）の入射面（４４）
が、当該端面（４２）に対して実質的に平行になるよう
に構成されていることを特徴とする、フォトダイオード
と光導波路との結合装置。 - 【請求項２】 前記光導波路（４，１２）の端面（４
２）は研磨されている、請求項１記載の結合装置。 - 【請求項３】 前記フォトダイオード（５）は、当該光
導波路（４）の長手軸線に対して心合わせされている、
請求項１記載の結合装置。 - 【請求項４】 前記光導波路（４）は、単モードグラス
ファイバである、請求項１及び／又は２記載の結合装
置。 - 【請求項５】 前記光導波路（４）は、多モードグラス
ファイバである、請求項１及び／又は２記載の結合装
置。 - 【請求項６】 前記光導波路（４）は、毛管（３）内に
埋め込まれている、請求項１から５までのいずれか１記
載の結合装置。 - 【請求項７】 前記フォトダイオード（５）は、当該光
導波路（４）の端面から間隔をおいて配置されている、
請求項１〜６いずれか１記載の結合装置。 - 【請求項８】 前記光導波路（４）の端面と前記フォト
ダイオードの入射面との間のギャップが当該光導波路
（４）の屈折率にマッチングされる場合、該ギャップの
間隔はほぼ１μｍとなる、請求項７記載の結合装置。 - 【請求項９】 前記ギャップがガスで充たされる場合、
該ギャップの間隔は１００μｍよりも大である、請求項
７記載の結合装置。 - 【請求項１０】 前記フォトダイオード（５）は、当該
光導波路（４）の端面に直接配置される、請求項１から
４までのいずれか１記載の結合装置。 - 【請求項１１】 前記光導波路（４）の端面及び／又は
前記フォトダイオード（５）の部分反射面は、当該光導
波路（４）の長手軸線の法線に対して当該光導波路
（４）の受け角度よりも大きな角度だけ傾斜している、
請求項１から８までのいずれか１記載の結合装置。 - 【請求項１２】 前記光導波路（４）の端面及び／又は
前記フォトダイオード（５）の部分反射面は、当該光導
波路（４）の長手軸線の法線に対してほぼ１２°だけ傾
斜している、請求項１から１１までのいずれか１記載の
結合装置。 - 【請求項１３】 前記フォトダイオード（５）は既製の
フォトダイオードである、請求項１から１２までのいず
れか１記載の結合装置。 - 【請求項１４】 前記フォトダイオード（５）はボンデ
ィングされたダイオードチップである請求項１から１２
までのいずれか１記載の結合装置。 - 【請求項１５】 前記フォトダイオード（５）は局部的
に電気接続されている、請求項１から１２までのいずれ
か１記載の結合装置。 - 【請求項１６】 前記フォトダイオード（５）は当該光
導波路（４）及び場合によって前記毛管（３）と、光透
過性のガラスを用いて接続される、請求項１から１２ま
でのいずれか１記載の結合装置。 - 【請求項１７】 前記フォトダイオード(５)は当該光導
波路(４)及び場合によって前記毛管（３）と、該光導波
路（４）の屈折率に適合する光透過性接着剤を用いて接
続される、請求項１から１６までのいずれか１記載の結
合装置。 - 【請求項１８】 前記接着剤はＵＶ−接着剤である、請
求項１７記載の結合装置。 - 【請求項１９】 前記光導波路（４）及び場合によって
前記毛管（３）及び前記フォトダイオード（５）及び場
合によって該フォトダイオード（５）の結線接続部
（８）は、接着剤によって支持体（１）に固定されてい
る、請求項１から１５までのいずれか１記載の結合装
置。 - 【請求項２０】 前記光導波路（４）及び場合によって
前記毛管（３）及び前記フォトダイオード（５）及び場
合によって該フォトダイオードの結線接続部（８）は、
溶融温度の低いハンダを用いたろう付けによって支持体
（１）に固定されている、請求項１から１６までのいず
れか１記載の結合装置。 - 【請求項２１】 前記光導波路は、該光導波路の長手軸
線に対して斜めに延在する端面を有したファイバであ
り、該端面は帯板状の支持基板のＶ字溝内に配置されて
おり、 前記帯板状の支持基板（１４）の端面（４２）は、当該
ファイバの端面と平行になるように傾斜されており、 入射面を有する前記フォトダイオードは、前記帯板状の
支持基板の端面に設けられている、請求項１記載の結合
装置。 - 【請求項２２】 請求項１記載の結合装置を製造する方
法において、 下記の方法ステップを有し、すなわち端面と、長手側狭
幅面と、帯板状の並列な表面とを有する帯板状の支持基
板を製造し、この場合該表面のうちの一つには長手方向
に延在するＶ字溝が形成されており、 前記支持基板を、長手方向で相互にずらされている端面
に連続して積み重ね、この位置状態で当該支持基板を固
定し、 前記積み重ねられた支持基板の片側の相互にずらされて
いる端面を、前記表面の平面と角度をなす１つの平面内
に収まるように共に研磨し、 入射面を有するフォトダイオードチップを、前記のよう
に研磨された端面に載置し、 傾斜した端面を有する複数のファイバを製造し、 これらの複数のファイバを前記Ｖ字溝内へ挿入し、さら
に当該複数のファイバを、該ファイバの長手軸線を中心
にして、当該ファイバの傾斜された端面がそれぞれのフ
ォトダイオードチップの入射面に合わせて配向されるよ
うな配置構成の下で、固定することを特徴とする、フォ
トダイオードと光導波路との結合装置を製造する方法。 - 【請求項２３】 前記溝を、異方性エッチングによって
前記支持基板に加工処理する、請求項２２記載の方法。 - 【請求項２４】 前記支持基板の材料としてシリコンを
用いる、請求項２２記載の方法。 - 【請求項２５】 前記溝内のファイバ軸線に関する前記
ファイバの角度位置を、画像識別手段からのデータに基
づいて調整する、請求項２２記載の方法。 - 【請求項２６】 前記ファイバを、ＵＶ−照射によって
硬化する接着剤を用いてＶ字溝へ固定する、請求項２２
記載の方法。 - 【請求項２７】 シリコンチップに異方性エッチングに
よって結晶縁部に平行な複数の溝を加工処理し、 該シリコンチップを、前記結晶縁部に沿ったスクラッチ
ングによって当該基板に分割する、請求項２４記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4210331A DE4210331A1 (de) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | Verbindung einer Fotodiode mit einem Lichtwellenleiter |
| DE4210331.2 | 1992-03-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627354A true JPH0627354A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=6455387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5071650A Pending JPH0627354A (ja) | 1992-03-30 | 1993-03-30 | フォトダイオードと光導波路との結合装置及び該結合装置を製造する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0563725A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0627354A (ja) |
| DE (1) | DE4210331A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP2784558A1 (en) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | CCS Technology, Inc. | Optoelectronic device coupled to an optical fiber and method of assembling |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54142988A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-07 | Hitachi Ltd | Photo semiconductor device |
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| CA1267468C (en) * | 1983-11-21 | 1990-04-03 | OPTICS MOUNTING | |
| US5074682A (en) * | 1988-03-02 | 1991-12-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser module and positioning method thereof |
| DE3831905A1 (de) * | 1988-09-20 | 1990-03-22 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Optisches wellenleitermodul mit faserankopplung |
| FR2640430B1 (fr) * | 1988-12-09 | 1992-07-31 | Cit Alcatel | Composant opto-electronique comprenant, notamment un boitier dans lequel est decoupee une fenetre |
| DE3932579A1 (de) * | 1989-09-29 | 1991-04-25 | Ant Nachrichtentech | Optisches sendemodul |
-
1992
- 1992-03-30 DE DE4210331A patent/DE4210331A1/de not_active Ceased
-
1993
- 1993-03-22 EP EP93104641A patent/EP0563725A1/de not_active Ceased
- 1993-03-30 JP JP5071650A patent/JPH0627354A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0563725A1 (de) | 1993-10-06 |
| DE4210331A1 (de) | 1993-10-07 |
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