JPH06273329A - 屈折率測定方法及びその装置 - Google Patents
屈折率測定方法及びその装置Info
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- JPH06273329A JPH06273329A JP6157693A JP6157693A JPH06273329A JP H06273329 A JPH06273329 A JP H06273329A JP 6157693 A JP6157693 A JP 6157693A JP 6157693 A JP6157693 A JP 6157693A JP H06273329 A JPH06273329 A JP H06273329A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 屈折率測定方法及びその装置に関し、試料温
度の制御精度を高めることができ、しかも、小型にでき
るようにした屈折率測定方法及びその装置を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 プリズム1を用いる全反射法による屈折率測
定方法において、上記プリズム1の一表面3を覆う高熱
伝導性ブロック6を介して、温調素子8で試料5の温度
調節を行い、上記高熱伝導性ブロック6の温度Tb と密
閉ケース10内の温度Tr とに基づいて、試料温度Ts
が一定になるように上記温調素子8の出力制御を行う構
成とする。
度の制御精度を高めることができ、しかも、小型にでき
るようにした屈折率測定方法及びその装置を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 プリズム1を用いる全反射法による屈折率測
定方法において、上記プリズム1の一表面3を覆う高熱
伝導性ブロック6を介して、温調素子8で試料5の温度
調節を行い、上記高熱伝導性ブロック6の温度Tb と密
閉ケース10内の温度Tr とに基づいて、試料温度Ts
が一定になるように上記温調素子8の出力制御を行う構
成とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、屈折率測定方法及びそ
の装置に関する。
の装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、流体の屈折率を測定するための有
用な方法として、全反射法がある。この全反射法は、光
源からプリズム内を透過してその一表面に所定の角度か
ら光を照射し、プリズムのその一表面からの反射光の分
布を検出することによってプリズムのその一表面と、こ
の上面に置かれた試料との境界面からの反射が発生する
臨界角を求めるようにし、この臨界角に基づいて試料の
屈折率の算出がなされる。
用な方法として、全反射法がある。この全反射法は、光
源からプリズム内を透過してその一表面に所定の角度か
ら光を照射し、プリズムのその一表面からの反射光の分
布を検出することによってプリズムのその一表面と、こ
の上面に置かれた試料との境界面からの反射が発生する
臨界角を求めるようにし、この臨界角に基づいて試料の
屈折率の算出がなされる。
【0003】ところで、一般に屈折率は物体の温度に応
じて変動するところから、所要の測定精度を確保するた
めには、試料温度を調節することが必要である。図4は
上記全反射法を適用した屈折率測定装置の一例を示す構
成図である。
じて変動するところから、所要の測定精度を確保するた
めには、試料温度を調節することが必要である。図4は
上記全反射法を適用した屈折率測定装置の一例を示す構
成図である。
【0004】プリズム101がその一表面102を水平
にして配置されるとともに、該プリズム101の周辺に
光源装置及び光検出装置(図示しない)の配置スペース
となる測定空間109を保って熱交換機能を備えた通水
路111が配置される。更に、該通水路111及び測定
空間109を上記プリズム101の一表面102を残し
て、すなわち試料配置部分を残して密閉ケース103で
囲繞される。
にして配置されるとともに、該プリズム101の周辺に
光源装置及び光検出装置(図示しない)の配置スペース
となる測定空間109を保って熱交換機能を備えた通水
路111が配置される。更に、該通水路111及び測定
空間109を上記プリズム101の一表面102を残し
て、すなわち試料配置部分を残して密閉ケース103で
囲繞される。
【0005】上記通水路111に対して恒温水槽104
から供給される所定温度の恒温水を流通させるように
し、上記恒温水槽104内の恒温水は、プリズム101
の所定位置に埋設した温度センサ106及び該温度セン
サ106の検出温度に基づいて制御回路107が調温手
段107を制御することによって一定の温度に保持され
るようになっている。
から供給される所定温度の恒温水を流通させるように
し、上記恒温水槽104内の恒温水は、プリズム101
の所定位置に埋設した温度センサ106及び該温度セン
サ106の検出温度に基づいて制御回路107が調温手
段107を制御することによって一定の温度に保持され
るようになっている。
【0006】尚、上記装置では、一表面102上の試料
の上部空間は開放されているが、例えば、図中破線で示
すように、該一表面102の上方を所要の隔壁115で
覆うとともに、該隔壁115内に接続した試料流路11
6を通じて試料を供給する構成を付加した装置もある。
これによって上記試料流路116を介してポンプ等で試
料を自動的に供給・排出でき測定の自動化が可能になる
とともに、試料温度の経時変化を小さくすることができ
る。
の上部空間は開放されているが、例えば、図中破線で示
すように、該一表面102の上方を所要の隔壁115で
覆うとともに、該隔壁115内に接続した試料流路11
6を通じて試料を供給する構成を付加した装置もある。
これによって上記試料流路116を介してポンプ等で試
料を自動的に供給・排出でき測定の自動化が可能になる
とともに、試料温度の経時変化を小さくすることができ
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
4に示す従来の構成によれば、通水路111内の恒温水
と、一表面102上の試料との間には、測定空間109
及びプリズム101が介在するところから、一表面10
2上への試料導入から試料が所定の温度で安定して測定
が可能となるまでには相当の長時間を要する。
4に示す従来の構成によれば、通水路111内の恒温水
と、一表面102上の試料との間には、測定空間109
及びプリズム101が介在するところから、一表面10
2上への試料導入から試料が所定の温度で安定して測定
が可能となるまでには相当の長時間を要する。
【0008】しかも、上記一表面102上へ導入された
試料は外部温度の影響を受けやすく、導入から測定まで
の時間を十分に見込んだとしても実際に測定される時の
試料温度と測定条件として設定した試料温度との間に誤
差を生じる恐れがあり、±0.05℃以下の高精度の温
度設定が行えず、高精度の測定結果が必要なときには不
満が残ることになる。
試料は外部温度の影響を受けやすく、導入から測定まで
の時間を十分に見込んだとしても実際に測定される時の
試料温度と測定条件として設定した試料温度との間に誤
差を生じる恐れがあり、±0.05℃以下の高精度の温
度設定が行えず、高精度の測定結果が必要なときには不
満が残ることになる。
【0009】さらに上記構成によれば、恒温水槽10
4、恒温水配管、ポンプ105等の構成を必要とするの
で、装置が大型になるという欠点もある。そこで、本発
明に先立って、短時間で試料を所定の温度に調節するこ
とができるとともに、試料温度の制御精度を高めること
ができ、しかも、小型にできるようにするため、図5の
構成図に示す屈折率測定方法及びその装置を発明した。
4、恒温水配管、ポンプ105等の構成を必要とするの
で、装置が大型になるという欠点もある。そこで、本発
明に先立って、短時間で試料を所定の温度に調節するこ
とができるとともに、試料温度の制御精度を高めること
ができ、しかも、小型にできるようにするため、図5の
構成図に示す屈折率測定方法及びその装置を発明した。
【0010】この図5に示す発明に係る屈折率測定方法
及びその装置では、プリズム1に光源装置2(図5では
光源のみを示す)から光線を入射させ、該プリズム1の
一表面3で反射する反射光の分布を光検出装置4で検出
することにより、プリズム1とこれの一表面3上の置か
れた液体試料5との境界面で全反射が発生する臨界角θ
を検出し、この臨界角θからスネルの法則を適用して試
料5の屈折率を求める。 上記試料5を一定の温度(例
えば30℃)に制御するため、プリズム1の一表面3が
高熱伝導性ブロック6で覆われ、この高熱伝導性ブロッ
ク6内に試料5をプリズム1の一表面3に置くための試
料室70を設けるとともに、該試料室70に対して外部
から試料を供給する試料流路7を形成し、更にこの試料
室70内の試料5の温度を高熱伝導性ブロック6を介し
て調節する温調素子8(例えばペルチェ効果による半導
体素子)が設けられる。尚、温調素子8には、吸発熱を
促進するために放吸熱フィン11が設けられる。
及びその装置では、プリズム1に光源装置2(図5では
光源のみを示す)から光線を入射させ、該プリズム1の
一表面3で反射する反射光の分布を光検出装置4で検出
することにより、プリズム1とこれの一表面3上の置か
れた液体試料5との境界面で全反射が発生する臨界角θ
を検出し、この臨界角θからスネルの法則を適用して試
料5の屈折率を求める。 上記試料5を一定の温度(例
えば30℃)に制御するため、プリズム1の一表面3が
高熱伝導性ブロック6で覆われ、この高熱伝導性ブロッ
ク6内に試料5をプリズム1の一表面3に置くための試
料室70を設けるとともに、該試料室70に対して外部
から試料を供給する試料流路7を形成し、更にこの試料
室70内の試料5の温度を高熱伝導性ブロック6を介し
て調節する温調素子8(例えばペルチェ効果による半導
体素子)が設けられる。尚、温調素子8には、吸発熱を
促進するために放吸熱フィン11が設けられる。
【0011】またこの発明では、高熱伝導性ブロック6
内に温度センサ12aを配置して試料5の温度を間接的
に検出し、この高熱伝導性ブロック6の温度に基づいて
制御回路13で温調素子8の吸発熱量を制御するように
している。
内に温度センサ12aを配置して試料5の温度を間接的
に検出し、この高熱伝導性ブロック6の温度に基づいて
制御回路13で温調素子8の吸発熱量を制御するように
している。
【0012】なお、図5においては、試料室70内に温
度センサ12cを設けるように示しているが、この温度
センサ12cは、後述する試料室70内の温度を実験的
に確認するために設けたものであり、該試料室70や試
料流路7の気密性の保持が困難であることと、万一温度
センサがプリズム1と試料5の界面に接すると光検出装
置4で反射光の強度分布が正しく検出できなくなる等の
問題があるところから実際の屈折率測定に際しては省略
される。
度センサ12cを設けるように示しているが、この温度
センサ12cは、後述する試料室70内の温度を実験的
に確認するために設けたものであり、該試料室70や試
料流路7の気密性の保持が困難であることと、万一温度
センサがプリズム1と試料5の界面に接すると光検出装
置4で反射光の強度分布が正しく検出できなくなる等の
問題があるところから実際の屈折率測定に際しては省略
される。
【0013】この方法によれば、化学的活性に富んだ試
料5と温度センサ9とが直接に接触しないので、化学的
活性に乏しい試料5はもとより、化学的活性に富んだ試
料5であっても、試料5と温度センサ9とが反応するお
それはなく、したがって、化学的活性の程度が異なる全
ての種類の試料5の屈折率の測定が支障なくできるよう
になる。
料5と温度センサ9とが直接に接触しないので、化学的
活性に乏しい試料5はもとより、化学的活性に富んだ試
料5であっても、試料5と温度センサ9とが反応するお
それはなく、したがって、化学的活性の程度が異なる全
ての種類の試料5の屈折率の測定が支障なくできるよう
になる。
【0014】上記高熱伝導性ブロック6は、耐薬品性に
優れ、しかも高熱伝導性を有するセラミックス、例えば
炭化珪素で形成している。上記温調素子8は、通電によ
って一方の極が発熱し、他方の極が吸熱する多数のペル
チェ素子を例えばマトリックス状に多数並べた半導体デ
バイスであり、通電する電流量を適宜選択することによ
り高精度に、かつ、応答性の高い吸発熱量制御ができ
る。
優れ、しかも高熱伝導性を有するセラミックス、例えば
炭化珪素で形成している。上記温調素子8は、通電によ
って一方の極が発熱し、他方の極が吸熱する多数のペル
チェ素子を例えばマトリックス状に多数並べた半導体デ
バイスであり、通電する電流量を適宜選択することによ
り高精度に、かつ、応答性の高い吸発熱量制御ができ
る。
【0015】なお、上記高熱伝導性ブロック6は、周囲
の大気の温度や流動状態の変化による温度変化を防止す
るため、断熱材9で覆われ、また、プリズム1の一表面
3の他の4面は、周囲の大気の温度や流動状態の変化に
よる温度変化を防止するために断熱材よりなる密閉ケー
ス10で覆われる。
の大気の温度や流動状態の変化による温度変化を防止す
るため、断熱材9で覆われ、また、プリズム1の一表面
3の他の4面は、周囲の大気の温度や流動状態の変化に
よる温度変化を防止するために断熱材よりなる密閉ケー
ス10で覆われる。
【0016】上記図5に示す構成の発明によれば、試料
室及び試料流路内に温度センサを配置しないので、化学
的活性に乏しい試料5はもとより、化学的活性に富んだ
試料5であっても、試料5と温度センサとが反応するお
それはなく、しかも高熱伝導性ブロック6の加工が容易
であり、しかも温度センサがプリズム1と試料5との境
界面に接する恐れを回避できて支障なく測定が行える。
室及び試料流路内に温度センサを配置しないので、化学
的活性に乏しい試料5はもとより、化学的活性に富んだ
試料5であっても、試料5と温度センサとが反応するお
それはなく、しかも高熱伝導性ブロック6の加工が容易
であり、しかも温度センサがプリズム1と試料5との境
界面に接する恐れを回避できて支障なく測定が行える。
【0017】この発明によれば、温調素子8と試料5と
の間の熱交換が高熱伝導性ブロック6を介してなされる
ので、上記図4に示す従来例に比べて、試料5の温度を
短時間内に所定の温度で安定させることができるので、
該屈折率の測定に要する時間が短縮できる。
の間の熱交換が高熱伝導性ブロック6を介してなされる
ので、上記図4に示す従来例に比べて、試料5の温度を
短時間内に所定の温度で安定させることができるので、
該屈折率の測定に要する時間が短縮できる。
【0018】また、高精度に、しかも、応答性の高い吸
発熱量制御ができる温調素子8で高熱伝導性ブロック6
を介して直接試料5の温度調節を行うので、試料温度の
制御精度を高めることができ、しかも試料5の周囲を高
熱伝導性ブロック6で覆う構成となるので、試料5の温
度が外部環境に影響され難くなる。
発熱量制御ができる温調素子8で高熱伝導性ブロック6
を介して直接試料5の温度調節を行うので、試料温度の
制御精度を高めることができ、しかも試料5の周囲を高
熱伝導性ブロック6で覆う構成となるので、試料5の温
度が外部環境に影響され難くなる。
【0019】更に、温調素子8と高熱伝導性ブロック6
だけで試料温度を調節するようにしているので、従来よ
りも屈折率測定装置を小型にできる。ところで、屈折率
の測定にあたって、試料温度は厳密に一定に保つ必要が
ある。しかしながら上記図5に示す構成に基づいて、高
熱伝導性ブロック6の温度、試料室70の温度の経時変
化をグラフで示すと、図6に示すように、高熱伝導性ブ
ロック6の温度が所定値に達した後、高熱伝導性ブロッ
ク6の温度が一定に保持されているにもかかわらず、試
料室70の温度がある程度の時間にわたって上昇し続け
ることが確認された。測定精度に厳密性を要しないとき
は、この温度の変動は無視してもさしつかえないが、測
定に高精度が要求されるときには問題となる。
だけで試料温度を調節するようにしているので、従来よ
りも屈折率測定装置を小型にできる。ところで、屈折率
の測定にあたって、試料温度は厳密に一定に保つ必要が
ある。しかしながら上記図5に示す構成に基づいて、高
熱伝導性ブロック6の温度、試料室70の温度の経時変
化をグラフで示すと、図6に示すように、高熱伝導性ブ
ロック6の温度が所定値に達した後、高熱伝導性ブロッ
ク6の温度が一定に保持されているにもかかわらず、試
料室70の温度がある程度の時間にわたって上昇し続け
ることが確認された。測定精度に厳密性を要しないとき
は、この温度の変動は無視してもさしつかえないが、測
定に高精度が要求されるときには問題となる。
【0020】本発明は、以上のような知見に基づいて完
成されたものであり、試料温度の制御精度を高めること
ができ、しかも、小型にできるようにした屈折率測定方
法及びその装置を提供することを目的とする。
成されたものであり、試料温度の制御精度を高めること
ができ、しかも、小型にできるようにした屈折率測定方
法及びその装置を提供することを目的とする。
【0021】
【課題を解決するための手段】本発明に係る屈折率測定
方法は、上記の目的を達成するため、例えば図1に示す
ように、プリズム1を用いる全反射法による屈折率測定
方法において、上記プリズム1の少なくとも一表面を覆
う高熱伝導性ブロック6を介して、温調素子8で試料5
の温度調節を行い、上記高熱伝導性ブロック6の温度T
b と上記高熱伝導性ブロック6と対向する空間の温度T
r とに基づいて、試料温度Ts が一定になるように上記
温調素子Sの出力制御を行うよう構成とした。 さらに
詳しくは、上記プリズム1の少なくとも一表面を覆う高
熱伝導性ブロック6と、試料5がプリズム1の上面に置
かれた状態で、高熱伝導性ブロック6の温度調節を行う
温調素子Sと、上記高熱伝導性ブロック6の温度Tb を
検出する第1の温度センサ12a と、上記高熱伝導性ブ
ロック6に対向する空間の温度Tr を検出する第2の温
度センサ12b と、上記温度センサ12a ,12b で検
出した高熱伝導性ブロック6の温度Tb と上記高熱伝導
性ブロック6と対向する空間の温度Tr とに基づいて、
試料温度Ts が一定になるように上記温調素子Sの出力
制御を行う制御回路13とを備える構成としている。
方法は、上記の目的を達成するため、例えば図1に示す
ように、プリズム1を用いる全反射法による屈折率測定
方法において、上記プリズム1の少なくとも一表面を覆
う高熱伝導性ブロック6を介して、温調素子8で試料5
の温度調節を行い、上記高熱伝導性ブロック6の温度T
b と上記高熱伝導性ブロック6と対向する空間の温度T
r とに基づいて、試料温度Ts が一定になるように上記
温調素子Sの出力制御を行うよう構成とした。 さらに
詳しくは、上記プリズム1の少なくとも一表面を覆う高
熱伝導性ブロック6と、試料5がプリズム1の上面に置
かれた状態で、高熱伝導性ブロック6の温度調節を行う
温調素子Sと、上記高熱伝導性ブロック6の温度Tb を
検出する第1の温度センサ12a と、上記高熱伝導性ブ
ロック6に対向する空間の温度Tr を検出する第2の温
度センサ12b と、上記温度センサ12a ,12b で検
出した高熱伝導性ブロック6の温度Tb と上記高熱伝導
性ブロック6と対向する空間の温度Tr とに基づいて、
試料温度Ts が一定になるように上記温調素子Sの出力
制御を行う制御回路13とを備える構成としている。
【0022】上記高熱伝導性ブロック6がプリズム1の
上面に配置されたときには、該高熱伝導性ブロック6の
プリズム1との境界面に試料室70を設ける構成とす
る。また、プリズム1の下面を覆う密閉ケース10を備
えた場合には、上記第2の温度センサ12b が、該密閉
ケース10内に配置される。
上面に配置されたときには、該高熱伝導性ブロック6の
プリズム1との境界面に試料室70を設ける構成とす
る。また、プリズム1の下面を覆う密閉ケース10を備
えた場合には、上記第2の温度センサ12b が、該密閉
ケース10内に配置される。
【0023】
【作用】温調素子8からの熱(吸熱、加熱)は高熱伝導
性ブロック6を介して試料5の温度を変化させるととも
に、プリズム1を介して密閉ケース10内に伝達され
る。ここでは試料温度Ts を一定に保つ必要があるが、
高熱伝導性ブロック6の温度Tb と試料温度Ts 及び密
閉ケース10内の温度Tr との間に何らかの法則性があ
れば、直接測定することになる高熱伝導性ブロック6の
温度Tb と密閉ケース10内の温度Tr とにより試料温
度Ts が一定になるように制御することが可能になる。
性ブロック6を介して試料5の温度を変化させるととも
に、プリズム1を介して密閉ケース10内に伝達され
る。ここでは試料温度Ts を一定に保つ必要があるが、
高熱伝導性ブロック6の温度Tb と試料温度Ts 及び密
閉ケース10内の温度Tr との間に何らかの法則性があ
れば、直接測定することになる高熱伝導性ブロック6の
温度Tb と密閉ケース10内の温度Tr とにより試料温
度Ts が一定になるように制御することが可能になる。
【0024】上記法則性としてここでは、 Tb −Ts /Ts −Tr =一定 となることを利用して高熱伝導性ブロック6の温度Tb
が密閉ケース10内の温度Tr に逆比例するように制御
している。
が密閉ケース10内の温度Tr に逆比例するように制御
している。
【0025】
【実施例】本発明の一実施例に係る屈折率測定方法及び
その装置を図面に基づき具体的に説明すれば、以下の通
りである。
その装置を図面に基づき具体的に説明すれば、以下の通
りである。
【0026】図1の模式図及び図2の断面図において、
上記図5をもとに説明した発明と共通する構成について
は、重複を避けるため省略する。なお、図1においては
図5と同様、試料室70内に温度センサ12cを設ける
ように示しているが、既に述べた理由と同様の理由によ
り、図2に示す実施例においては省略される。
上記図5をもとに説明した発明と共通する構成について
は、重複を避けるため省略する。なお、図1においては
図5と同様、試料室70内に温度センサ12cを設ける
ように示しているが、既に述べた理由と同様の理由によ
り、図2に示す実施例においては省略される。
【0027】図6において説明したように、温度センサ
12a の出力が一定となるように試料室70内の試料温
度を制御すると、該試料温度が経時的に上昇又は下降し
たり、該図6の例とは逆に試料温度が下降する場合もあ
る。いずれにしても、その原因は経時的に密閉ケース1
0内の温度が上昇(下降)し、プリズム1からの放散熱
量が少なく(多く)なるためである。
12a の出力が一定となるように試料室70内の試料温
度を制御すると、該試料温度が経時的に上昇又は下降し
たり、該図6の例とは逆に試料温度が下降する場合もあ
る。いずれにしても、その原因は経時的に密閉ケース1
0内の温度が上昇(下降)し、プリズム1からの放散熱
量が少なく(多く)なるためである。
【0028】そこで、図1及び図2に示すように、この
方法及び装置では、図5に示す構成に加えて、密閉ケー
ス10内に第2の温度センサ12b を配置し、図3の温
度制御特性図に示すように、両温度センサ12a ,12
b が検出する高熱伝導性ブロック6の温度Tb と、密閉
ケース10内の温度Tr とに基づいて、試料室70内の
試料温度Ts が制御するようにしている。
方法及び装置では、図5に示す構成に加えて、密閉ケー
ス10内に第2の温度センサ12b を配置し、図3の温
度制御特性図に示すように、両温度センサ12a ,12
b が検出する高熱伝導性ブロック6の温度Tb と、密閉
ケース10内の温度Tr とに基づいて、試料室70内の
試料温度Ts が制御するようにしている。
【0029】すなわち、高熱伝導性ブロック6の温度を
Tb 、試料室70内の試料温度をTs 、密閉ケース内の
温度をTr として、 (Tb −Ts )/(Ts −Tr )=一定 なる原則が成り立つと仮定すると、試料温度Ts が一定
になるように高熱伝導性ブロック6の温度Tb を密閉ケ
ース10内の温度Tr に基づいて制御することが可能と
なる。
Tb 、試料室70内の試料温度をTs 、密閉ケース内の
温度をTr として、 (Tb −Ts )/(Ts −Tr )=一定 なる原則が成り立つと仮定すると、試料温度Ts が一定
になるように高熱伝導性ブロック6の温度Tb を密閉ケ
ース10内の温度Tr に基づいて制御することが可能と
なる。
【0030】尚、この実施例においては、図1及び図2
に示すように、上記密閉ケース10内の温度を検出する
第2の温度センサ12b をプリズム1の下方の空間に配
置しているが、本発明では該温度センサ12b を密閉ケ
ース10内のプリズム1の温度を検出するようにしても
よい。
に示すように、上記密閉ケース10内の温度を検出する
第2の温度センサ12b をプリズム1の下方の空間に配
置しているが、本発明では該温度センサ12b を密閉ケ
ース10内のプリズム1の温度を検出するようにしても
よい。
【0031】下記表1は、上記実施例における第1の温
度センサ12a で検出される高熱伝導性ブロック6の温
度Tb 、第2の温度センサ12b で検出される密閉ケー
ス内の温度Tr 、及び試料室70内に挿入した温度セン
サ12c(実際の屈折率測定にあたっては装備されな
い)で検出される試料温度Ts の経時変化を記載した。
尚、この実験では試料温度Ts を30℃に調節すること
を意図している。
度センサ12a で検出される高熱伝導性ブロック6の温
度Tb 、第2の温度センサ12b で検出される密閉ケー
ス内の温度Tr 、及び試料室70内に挿入した温度セン
サ12c(実際の屈折率測定にあたっては装備されな
い)で検出される試料温度Ts の経時変化を記載した。
尚、この実験では試料温度Ts を30℃に調節すること
を意図している。
【0032】
【表1】
【0033】上記表1によれば、試料5の温度Ts が加
熱開始後9分弱で15.03℃から29.99℃に昇温
し、これ以後はほぼ正確に29.99℃に保持されてい
ることがわかる。
熱開始後9分弱で15.03℃から29.99℃に昇温
し、これ以後はほぼ正確に29.99℃に保持されてい
ることがわかる。
【0034】なお、高熱伝導性ブロック6の温度Tb が
所定の温度に達し、密閉ケース11内の温度Tr に対応
する温調素子8の吸発熱量制御が開始される時点と、試
料温度Ts が一定値に到達した時との間に生じる遅れ
は、主として高熱伝導性ブロック6から試料5への熱伝
達の遅れによるものであると思われる。
所定の温度に達し、密閉ケース11内の温度Tr に対応
する温調素子8の吸発熱量制御が開始される時点と、試
料温度Ts が一定値に到達した時との間に生じる遅れ
は、主として高熱伝導性ブロック6から試料5への熱伝
達の遅れによるものであると思われる。
【0035】ここで、下記表2は、上記第1及び第2の
温度センサ12a ,12b の双方で温調素子8の出力制
御を行った場合と比較するために、図5に示すような第
1の温度センサ12a で検出される高熱伝導性ブロック
6の温度Tb だけで温調素子8の出力制御を行った場合
の試料室70内に挿入した温度センサ12cで検出され
る試料温度Ts の経時変化を記載した。尚、下記表2に
は第2の温度センサ12b より出力される密閉ケース1
1内の温度Tr も記載した。
温度センサ12a ,12b の双方で温調素子8の出力制
御を行った場合と比較するために、図5に示すような第
1の温度センサ12a で検出される高熱伝導性ブロック
6の温度Tb だけで温調素子8の出力制御を行った場合
の試料室70内に挿入した温度センサ12cで検出され
る試料温度Ts の経時変化を記載した。尚、下記表2に
は第2の温度センサ12b より出力される密閉ケース1
1内の温度Tr も記載した。
【0036】
【表2】
【0037】上記表2によれば、試料温度Ts は高熱伝
導性ブロック6の温度Tb だけを一定に保持するように
温調素子8を制御しても、試料室70内の試料温度Ts
は、12分後にはほぼ30℃となるものの、その後は高
熱伝導性ブロック6の温度Tb が一定であるにも関わら
ず上昇し続ける。
導性ブロック6の温度Tb だけを一定に保持するように
温調素子8を制御しても、試料室70内の試料温度Ts
は、12分後にはほぼ30℃となるものの、その後は高
熱伝導性ブロック6の温度Tb が一定であるにも関わら
ず上昇し続ける。
【0038】上記の実施例において、温調素子8は高熱
伝導性ブロック6の四方の各横側方、上方及び下方のう
ちのいずれか1つの方向に設けてもよく、また、これら
のうちの複数の方向に設けてもよいが、この実施例で
は、構成を簡単にするとともに、コストダウンを図るた
め、高熱伝導性ブロック6の上方のみに温調素子8を設
けている。
伝導性ブロック6の四方の各横側方、上方及び下方のう
ちのいずれか1つの方向に設けてもよく、また、これら
のうちの複数の方向に設けてもよいが、この実施例で
は、構成を簡単にするとともに、コストダウンを図るた
め、高熱伝導性ブロック6の上方のみに温調素子8を設
けている。
【0039】更に、温調素子8の発熱が伝達される高熱
伝導性ブロック6は大気中に露出させてもよいが、上記
の各実施例のように、高熱伝導性ブロック6の表面を例
えば発泡スチロール樹脂等からなる断熱材9で覆う方が
大気の流動状態の変化や温度変化によって高熱伝導性ブ
ロック6の温度が不安定になること、及びこれにより試
料温度の制御精度が損なわれることを防止することがで
きるので有利である。
伝導性ブロック6は大気中に露出させてもよいが、上記
の各実施例のように、高熱伝導性ブロック6の表面を例
えば発泡スチロール樹脂等からなる断熱材9で覆う方が
大気の流動状態の変化や温度変化によって高熱伝導性ブ
ロック6の温度が不安定になること、及びこれにより試
料温度の制御精度が損なわれることを防止することがで
きるので有利である。
【0040】尚、上記において、高熱伝導性ブロック6
の配置位置を、試料5の配置位置と同じプリズム1の上
面とし、高熱伝導性ブロック6のプリズム1との境界面
に試料室70を設けた場合についてのみ説明したが、上
記高熱伝導性ブロック6はプリズム1の他の面、例えば
側面に配置してもよいことはもちろんである。また、第
2の温度センサ12b を密閉ケース10内に配置する場
合についのみて説明したが、密閉ケース10がない状態
の、上記高熱伝導性ブロック6に対向する位置、即ち開
放空間に配置されるものであってもよい。更に、上記に
おいて高熱伝導性ブロック6の内部に試料流路7を設け
て、試料室70に試料を供給する構成をしているが、試
料流路7は必ずしも高熱伝導性ブロックに設ける必要は
ない。
の配置位置を、試料5の配置位置と同じプリズム1の上
面とし、高熱伝導性ブロック6のプリズム1との境界面
に試料室70を設けた場合についてのみ説明したが、上
記高熱伝導性ブロック6はプリズム1の他の面、例えば
側面に配置してもよいことはもちろんである。また、第
2の温度センサ12b を密閉ケース10内に配置する場
合についのみて説明したが、密閉ケース10がない状態
の、上記高熱伝導性ブロック6に対向する位置、即ち開
放空間に配置されるものであってもよい。更に、上記に
おいて高熱伝導性ブロック6の内部に試料流路7を設け
て、試料室70に試料を供給する構成をしているが、試
料流路7は必ずしも高熱伝導性ブロックに設ける必要は
ない。
【0041】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、高熱伝導性ブロックの温度を、密閉ケース内の温度
に基づいて補正し、温調素子の吸発熱量を制御すること
により、高熱伝導性ブロックから試料に供給される熱量
と試料からプリズムに放出される熱量とを短時間内にバ
ランスさせることができるので、短時間内に試料の温度
を一定化させて測定時間を短縮することができる。
ば、高熱伝導性ブロックの温度を、密閉ケース内の温度
に基づいて補正し、温調素子の吸発熱量を制御すること
により、高熱伝導性ブロックから試料に供給される熱量
と試料からプリズムに放出される熱量とを短時間内にバ
ランスさせることができるので、短時間内に試料の温度
を一定化させて測定時間を短縮することができる。
【図1】本発明の制御方式の模式図である。
【図2】本発明装置の断面図である。
【図3】本発明の試料温度制御例の制御特性図である。
【図4】従来例の構成図である。
【図5】本発明が適用される装置の構成図である。
【図6】図5に示す装置の試料温度制御の制御特性図で
ある。
ある。
1 プリズム 3 傾斜面 5 試料 6 高熱伝導性ブロック 7 試料流路 8 温調素子 10 密閉ケース 12(12a ,12b ) 温度センサ 13 制御回路 70 試料室 Tb 高熱伝導性ブロックの温度 Ts 試料温度 Tr 密閉ケース内の温度
Claims (4)
- 【請求項1】 プリズム(1) を用いる全反射法による屈
折率測定方法において、 上記プリズム(1) の少なくとも一表面を覆う高熱伝導性
ブロック(6) を介して、温調素子(8) で上記プリズムの
上面に置かれた試料(5) の温度調節を行い、上記高熱伝
導性ブロック(6) の温度(Tb)と上記高熱伝導性ブロック
(6) と対向する空間の温度(Tr)とに基づいて、試料温度
(Ts)が一定になるように上記温調素子(8) の出力制御を
行うようにしたことを特徴とする屈折率測定方法。 - 【請求項2】 プリズム(1) を用いる全反射法による屈
折率測定装置において、 上記プリズム(1) の少なくとも一表面を覆う高熱伝導性
ブロック(6) と、試料(5) がプリズム(1) の上面に置か
れた状態で、高熱伝導性ブロック(6) の温度調節を行う
温調素子(8) と、上記高熱伝導性ブロック(6) の温度(T
b)を検出する第1の温度センサ(12a) と、上記高熱伝導
性ブロック(6) と対向する空間の温度(Tr)を検出する第
2の温度センサ(12b) と、上記温度センサ(12a),(12b)
で検出した高熱伝導性ブロック(6) の温度(Tb)と上記高
熱伝導性ブロック(6) と対向する空間の温度(Tr)とに基
づいて、試料温度(Ts)が一定になるように上記温調素子
(8) の出力制御を行う制御回路(13)とを備えることを特
徴とする屈折率測定装置。 - 【請求項3】 上記高熱伝導性ブロック(6) をプリズム
(1) の上面に配置し、該高熱伝導性ブロック(6) のプリ
ズム(1) との境界面に試料室(70)を設け請求項2に記載
の屈折率測定装置。 - 【請求項4】 上記高熱伝導性ブロック(6) と対向する
空間が、プリズム(1) の下面を覆う密閉ケース(10)内の
空間である請求項2に記載の屈折率測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5061576A JP2585947B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 屈折率測定方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5061576A JP2585947B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 屈折率測定方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06273329A true JPH06273329A (ja) | 1994-09-30 |
JP2585947B2 JP2585947B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=13175095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5061576A Expired - Fee Related JP2585947B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 屈折率測定方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2585947B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010008292A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Chinontec Kk | 液体試料の比重測定装置 |
WO2017074855A1 (en) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | Entegris, Inc. | Index of refraction sensor system with dual mode temperature control |
WO2021126633A1 (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | Entegris, Inc. | Accurate temperature reading of fluid near interface |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5827044A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-17 | ハイ・ボルテ−ジ・エンジニアリング・コ−ポレ−シヨン | 屈折計および屈折率測定法 |
JPH01170838A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-05 | Nec Corp | 屈折率測定装置 |
-
1993
- 1993-03-22 JP JP5061576A patent/JP2585947B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5827044A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-17 | ハイ・ボルテ−ジ・エンジニアリング・コ−ポレ−シヨン | 屈折計および屈折率測定法 |
JPH01170838A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-05 | Nec Corp | 屈折率測定装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010008292A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Chinontec Kk | 液体試料の比重測定装置 |
WO2017074855A1 (en) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | Entegris, Inc. | Index of refraction sensor system with dual mode temperature control |
US10371624B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-08-06 | Entegris, Inc. | Index of refraction sensor system with dual mode temperature control |
WO2021126633A1 (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | Entegris, Inc. | Accurate temperature reading of fluid near interface |
US11788902B2 (en) | 2019-12-20 | 2023-10-17 | Entegris, Inc. | Accurate temperature reading of fluid near interface |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2585947B2 (ja) | 1997-02-26 |
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Legal Events
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