JPH0627170A - 超電導電磁波検出素子 - Google Patents
超電導電磁波検出素子Info
- Publication number
- JPH0627170A JPH0627170A JP4181059A JP18105992A JPH0627170A JP H0627170 A JPH0627170 A JP H0627170A JP 4181059 A JP4181059 A JP 4181059A JP 18105992 A JP18105992 A JP 18105992A JP H0627170 A JPH0627170 A JP H0627170A
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- Japan
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- oxide superconducting
- electromagnetic wave
- thin film
- antenna part
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、数百ＧＨｚの超高周波帯の電磁波
を検出可能で、製造の容易な超電導電磁波検出素子を得
ることを目的とする。 【構成】 絶縁性基板１上に、酸化物超電導薄膜からな
るボウタイアンテナ部４と、このアンテナ部４の略中央
に設けられた粒界結合型酸化物超電導ブリッジ素子部２
とを構成する。
を検出可能で、製造の容易な超電導電磁波検出素子を得
ることを目的とする。 【構成】 絶縁性基板１上に、酸化物超電導薄膜からな
るボウタイアンテナ部４と、このアンテナ部４の略中央
に設けられた粒界結合型酸化物超電導ブリッジ素子部２
とを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は酸化物超電導体を用いた
超電導電磁波検出素子に関する。
超電導電磁波検出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】電磁波検出素子、特に数十ＧＨｚオーダ
の超高周波帯の電磁波を検出する検出素子としては超電
導体を用いたものが極めて高い感度を示すことから注目
されている。特に数年前に発見されたＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-x（以下ＹＢａＣｕＯと略す）などで代表される酸化
物超電導体は液体窒素が示す７７Ｋ程度の比較的高い温
度で超電導状態となるので、応用範囲が広がるものとし
て期待が寄せられている。
の超高周波帯の電磁波を検出する検出素子としては超電
導体を用いたものが極めて高い感度を示すことから注目
されている。特に数年前に発見されたＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-x（以下ＹＢａＣｕＯと略す）などで代表される酸化
物超電導体は液体窒素が示す７７Ｋ程度の比較的高い温
度で超電導状態となるので、応用範囲が広がるものとし
て期待が寄せられている。
【０００３】この酸化物超電導体を用いた電磁波検出素
子は、例えばSANYO TECHNICAL REVIEW，Vol.22，No.1，
１９９０年の第１０６頁〜第１１４頁に粒界結合型（グ
ラニュラー型）電磁波検出素子が記載されている。
子は、例えばSANYO TECHNICAL REVIEW，Vol.22，No.1，
１９９０年の第１０６頁〜第１１４頁に粒界結合型（グ
ラニュラー型）電磁波検出素子が記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半波長ダイポールアンテナに超電導ブリッジ素子を組み
込んだ超電導電磁波検出素子は、検出できる電磁波の周
波数帯がアンテナの寸法に依存するため、該形状に依存
した所定周波数帯の電磁波しか検出できなかった。
半波長ダイポールアンテナに超電導ブリッジ素子を組み
込んだ超電導電磁波検出素子は、検出できる電磁波の周
波数帯がアンテナの寸法に依存するため、該形状に依存
した所定周波数帯の電磁波しか検出できなかった。
【０００５】また、より高周波帯の電磁波を検出するた
めにはアンテナの寸法を小さくする必要があり、例えば
１００ＧＨｚの電磁波を検出するには、アンテナの長手
方向寸法を１．５ｍｍ程度に設定しなければならない。
このように高周波を検出する超電導電磁波検出素子は寸
法が小さくなり、従って製造が困難であるといった問題
があった。
めにはアンテナの寸法を小さくする必要があり、例えば
１００ＧＨｚの電磁波を検出するには、アンテナの長手
方向寸法を１．５ｍｍ程度に設定しなければならない。
このように高周波を検出する超電導電磁波検出素子は寸
法が小さくなり、従って製造が困難であるといった問題
があった。
【０００６】本発明は上述の課題を鑑み成されたもので
あり、超高周波帯の電磁波も検出可能で、製造の容易な
超電導電磁波検出素子を提供することが目的である。
あり、超高周波帯の電磁波も検出可能で、製造の容易な
超電導電磁波検出素子を提供することが目的である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
に鑑み成されたものであって、絶縁性基板と、該基板上
に形成された酸化物超電導単結晶薄膜からなるボウタイ
アンテナ部と、該アンテナ部の略中央に設けられた粒界
結合型酸化物超電導ブリッジ素子部と、から構成される
ことを特徴とする。
に鑑み成されたものであって、絶縁性基板と、該基板上
に形成された酸化物超電導単結晶薄膜からなるボウタイ
アンテナ部と、該アンテナ部の略中央に設けられた粒界
結合型酸化物超電導ブリッジ素子部と、から構成される
ことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明によれば、ボウタイアンテナ部をもつの
で、アンテナの寸法に殆ど依存しないで超高周波帯迄の
広帯域の電磁波を検出可能である。
で、アンテナの寸法に殆ど依存しないで超高周波帯迄の
広帯域の電磁波を検出可能である。
【０００９】また、ボウタイアンテナ部の角度の値を設
定することより検出する電磁波とブリッジ部のインピー
ダンス整合を良好にできる。
定することより検出する電磁波とブリッジ部のインピー
ダンス整合を良好にできる。
【００１０】更に、ブリッジ素子が粒界結合型なので、
素子抵抗が大きくなり、インピーダンス整合が良好にな
る。
素子抵抗が大きくなり、インピーダンス整合が良好にな
る。
【００１１】
【実施例】第１実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。図１は超電導電磁波検出素子の斜視図、図２
は該検出素子の正面図である。
説明する。図１は超電導電磁波検出素子の斜視図、図２
は該検出素子の正面図である。
【００１２】図中、１は絶縁性ＭｇＯ基板、該基板１の
（１００）面である主面上には電磁波センサとして動作
する酸化物超電導多結晶薄膜からなる粒界結合型酸化物
超電導ブリッジ素子部２、酸化物超電導単結晶からなる
両端部３、３、及び酸化物超電導単結晶からなるボウタ
イアンテナ部４が一体形成されている。即ち、前記ブリ
ッジ素子部２は前記アンテナ部４の略中央に設けられて
いる。
（１００）面である主面上には電磁波センサとして動作
する酸化物超電導多結晶薄膜からなる粒界結合型酸化物
超電導ブリッジ素子部２、酸化物超電導単結晶からなる
両端部３、３、及び酸化物超電導単結晶からなるボウタ
イアンテナ部４が一体形成されている。即ち、前記ブリ
ッジ素子部２は前記アンテナ部４の略中央に設けられて
いる。
【００１３】前記ブリッジ素子部２のサイズは、例えば
幅５０μｍ、長さ（Ｌ）２００〜３００μｍ、厚み５０
００Å程度であり、また前記両端部３、３間の長さＭは
例えば４ｍｍで、各端部３、３上には図示しないが金、
又は銅等からなる入出力用電極及びバイアス用電極がそ
れぞれ形成されている。
幅５０μｍ、長さ（Ｌ）２００〜３００μｍ、厚み５０
００Å程度であり、また前記両端部３、３間の長さＭは
例えば４ｍｍで、各端部３、３上には図示しないが金、
又は銅等からなる入出力用電極及びバイアス用電極がそ
れぞれ形成されている。
【００１４】前記ブリッジ素子部２、両端部３、３、及
びボウタイアンテナ部４を構成する酸化物超電導材料は
例えばＹＢａＣｕＯが用いられる。
びボウタイアンテナ部４を構成する酸化物超電導材料は
例えばＹＢａＣｕＯが用いられる。
【００１５】また、前記ボウタイアンテナ部４の形状
は、前記両端部３、３から夫々角度θをもつ三角形状体
からなる。このボウタイアンテナ部４の入力インピーダ
ンスは図３に示すように該アンテナ部４が形成される基
板１の誘電率εと前記角度θに依存し、上述のようにＭ
ｇＯ基板の場合はε＝１０であるので、図中実線Ａで示
される。
は、前記両端部３、３から夫々角度θをもつ三角形状体
からなる。このボウタイアンテナ部４の入力インピーダ
ンスは図３に示すように該アンテナ部４が形成される基
板１の誘電率εと前記角度θに依存し、上述のようにＭ
ｇＯ基板の場合はε＝１０であるので、図中実線Ａで示
される。
【００１６】ところで、空間のインピーダンスは約４０
０Ωであり、粒界結合型超電導ブリッジ素子部２は一般
に１Ω程度である。従って、ブリッジ部２と検出する電
磁波のインピーダンス整合を良くするためには、ボウタ
イアンテナ部４のインピーダンスは空間のインピーダン
スとブリッジ素子部２のインピーダンスの間の値に設定
する必要があり、望ましくは１５０Ω〜１００Ω程度が
よい。従って、本実施例の場合、図３から判るように前
記角度θは３０〜７０°程度に設定されている。尚、ア
ンテナ部４の形状は検出する電磁波の周波数領域に殆ど
依存しないが、検出する電磁波の波長の数倍から１０倍
程度が望ましく、本実施例において長さＮは例えば１０
〜３０ｍｍ程度に設定されている。
０Ωであり、粒界結合型超電導ブリッジ素子部２は一般
に１Ω程度である。従って、ブリッジ部２と検出する電
磁波のインピーダンス整合を良くするためには、ボウタ
イアンテナ部４のインピーダンスは空間のインピーダン
スとブリッジ素子部２のインピーダンスの間の値に設定
する必要があり、望ましくは１５０Ω〜１００Ω程度が
よい。従って、本実施例の場合、図３から判るように前
記角度θは３０〜７０°程度に設定されている。尚、ア
ンテナ部４の形状は検出する電磁波の周波数領域に殆ど
依存しないが、検出する電磁波の波長の数倍から１０倍
程度が望ましく、本実施例において長さＮは例えば１０
〜３０ｍｍ程度に設定されている。
【００１７】斯る超電導電磁波検出素子は、次のように
形成される。
形成される。
【００１８】まず、基板１の（１００）面上に酸化物超
電導材料をスパッタリング法、又は分子線エピタキシャ
ル法（ＭＢＥ法）等を用いて酸化物超電導単結晶薄膜を
エピタキシャル成長させる。例えば、ＹＢａＣｕＯをス
パッタリング法を用いて形成する場合の条件の一例は、
圧力８０ＰａであるＡｒとＯ2が１対１の割合のガス雰
囲気中において、基板温度は６５０〜７００℃、スパッ
タレートは約５００Å／ｈｒである（第１工程）。
電導材料をスパッタリング法、又は分子線エピタキシャ
ル法（ＭＢＥ法）等を用いて酸化物超電導単結晶薄膜を
エピタキシャル成長させる。例えば、ＹＢａＣｕＯをス
パッタリング法を用いて形成する場合の条件の一例は、
圧力８０ＰａであるＡｒとＯ2が１対１の割合のガス雰
囲気中において、基板温度は６５０〜７００℃、スパッ
タレートは約５００Å／ｈｒである（第１工程）。
【００１９】次に、ブリッジ素子部２、両端部３、３、
及びボウタイアンテナ部４に対応したレジストパターン
膜を形成し、該レジストパターン膜を介した状態で例え
ばイオンビームエッチング法（ＩＢＥ法）によりエッチ
ング除去する（第２工程）。
及びボウタイアンテナ部４に対応したレジストパターン
膜を形成し、該レジストパターン膜を介した状態で例え
ばイオンビームエッチング法（ＩＢＥ法）によりエッチ
ング除去する（第２工程）。
【００２０】その後、前記ブリッジ素子部２に対応する
部分にレーザ光を照射して、この部分を超電導単結晶薄
膜から超電導多結晶薄膜（粒界型結合型）に変化させ
て、図１及び図２に示す酸化物超電導電磁波検出素子を
完成する（第３工程）。
部分にレーザ光を照射して、この部分を超電導単結晶薄
膜から超電導多結晶薄膜（粒界型結合型）に変化させ
て、図１及び図２に示す酸化物超電導電磁波検出素子を
完成する（第３工程）。
【００２１】尚、上述ではエッチングによりパターン形
成したが、該パターンをもつ金属マスクを介した状態で
超電導単結晶薄膜を形成してパターン形成してもよい。
成したが、該パターンをもつ金属マスクを介した状態で
超電導単結晶薄膜を形成してパターン形成してもよい。
【００２２】又、この実施例ではＭｇＯ基板を用いた
が、超電導酸化物結晶薄膜が形成できるＳｒＴｉＯ3基
板（誘電率＝３１０）、Ｙ2Ｏ3基板（誘電率＝１０）、
Ａｌ2Ｏ 3基板（誘電率＝９）、ＬａＧａＯ3基板（誘電
率＝２５）、ＮｄＧａＯ3基板（誘電率＝２５）、Ｌａ
ＡｌＯ3基板（誘電率＝１０）、ＹＳＺ（イットリウム
・スタビライズド・ジルコニア）基板（誘電率＝２７）
等種々の基板を適宜選択できる。尚、他の種々の基板を
用いる場合もアンテナ部４と検出する電磁波のインピー
ダンス整合を行うために、アンテナ部４の角度θを上述
のようにアンテナ部４のインピーダンスが空間のインピ
ーダンスとブリッジ素子部２のインピーダンスの中間の
値になるように設定するのがよい。
が、超電導酸化物結晶薄膜が形成できるＳｒＴｉＯ3基
板（誘電率＝３１０）、Ｙ2Ｏ3基板（誘電率＝１０）、
Ａｌ2Ｏ 3基板（誘電率＝９）、ＬａＧａＯ3基板（誘電
率＝２５）、ＮｄＧａＯ3基板（誘電率＝２５）、Ｌａ
ＡｌＯ3基板（誘電率＝１０）、ＹＳＺ（イットリウム
・スタビライズド・ジルコニア）基板（誘電率＝２７）
等種々の基板を適宜選択できる。尚、他の種々の基板を
用いる場合もアンテナ部４と検出する電磁波のインピー
ダンス整合を行うために、アンテナ部４の角度θを上述
のようにアンテナ部４のインピーダンスが空間のインピ
ーダンスとブリッジ素子部２のインピーダンスの中間の
値になるように設定するのがよい。
【００２３】本実施例の酸化物超電導電磁波検出素子
は、両端部３、３及びボウタイアンテナ部４が超電導単
結晶薄膜で形成されているので、電磁波検出が高感度で
行える。
は、両端部３、３及びボウタイアンテナ部４が超電導単
結晶薄膜で形成されているので、電磁波検出が高感度で
行える。
【００２４】また、アンテナがボウタイ形状であるの
で、アンテナの寸法に殆ど依存しないで数百ＧＨｚの超
高周波帯迄の広帯域の電磁波を検出でき、従来の検出素
子より大きな寸法が可能であり、製造が容易である。
で、アンテナの寸法に殆ど依存しないで数百ＧＨｚの超
高周波帯迄の広帯域の電磁波を検出でき、従来の検出素
子より大きな寸法が可能であり、製造が容易である。
【００２５】また、ボウタイアンテナ部４の角度θの値
を設定することより検出する電磁波とブリッジ素子部２
のインピーダンス整合を良好にできる。
を設定することより検出する電磁波とブリッジ素子部２
のインピーダンス整合を良好にできる。
【００２６】更に、ブリッジ素子部２が粒界結合型なの
で、粒界結合型以外のブリッジ素子に比べて一桁以上素
子抵抗が大きいので、インピーダンス整合が良好にな
る。
で、粒界結合型以外のブリッジ素子に比べて一桁以上素
子抵抗が大きいので、インピーダンス整合が良好にな
る。
【００２７】次に、第２実施例について図４及び図５を
参照しつつ詳細に説明する。尚、図４は酸化物超電導電
磁波検出素子の斜視図、図５は図４中の点線Ｘ−Ｘに沿
った断面図である。
参照しつつ詳細に説明する。尚、図４は酸化物超電導電
磁波検出素子の斜視図、図５は図４中の点線Ｘ−Ｘに沿
った断面図である。
【００２８】図中、第１実施例と異なる点は、基板１と
ブリッジ素子部２の間にアモルファスＭｇＯ薄膜５が形
成されている点である。これは、スパッタリング法やＭ
ＢＥ法で酸化物超電導膜を形成する場合、ＭｇＯ基板の
（００１）面上ではエピタキシャル成長されて超電導単
結晶薄膜が形成されるが、アモルファスＭｇＯ薄膜５上
では超電導多結晶薄膜が形成されるためである。
ブリッジ素子部２の間にアモルファスＭｇＯ薄膜５が形
成されている点である。これは、スパッタリング法やＭ
ＢＥ法で酸化物超電導膜を形成する場合、ＭｇＯ基板の
（００１）面上ではエピタキシャル成長されて超電導単
結晶薄膜が形成されるが、アモルファスＭｇＯ薄膜５上
では超電導多結晶薄膜が形成されるためである。
【００２９】斯る酸化物超電導電磁波検出素子は次のよ
うに製造される。
うに製造される。
【００３０】まず、ＭｇＯ基板１の（１００）面上のブ
リッジ素子部２を形成する部分にアモルファスＭｇＯ薄
膜５を形成する。このアモルファスＭｇＯ薄膜５の成膜
は、例えば基板温度を室温とし、電子ビーム蒸着法によ
り形成できる。尚、この工程後に形成するブリッジ素子
部２全体が酸化物超電導多結晶薄膜とするために前記ア
モルファスＭｇＯ薄膜５の膜厚はある程度以上必要であ
り、例えばブリッジ素子部２の厚みが５０００Å程度で
ある場合は、前記アモルファスＭｇＯ薄膜５の厚みは例
えば１０００Å程度に選択されている（第１工程）。
リッジ素子部２を形成する部分にアモルファスＭｇＯ薄
膜５を形成する。このアモルファスＭｇＯ薄膜５の成膜
は、例えば基板温度を室温とし、電子ビーム蒸着法によ
り形成できる。尚、この工程後に形成するブリッジ素子
部２全体が酸化物超電導多結晶薄膜とするために前記ア
モルファスＭｇＯ薄膜５の膜厚はある程度以上必要であ
り、例えばブリッジ素子部２の厚みが５０００Å程度で
ある場合は、前記アモルファスＭｇＯ薄膜５の厚みは例
えば１０００Å程度に選択されている（第１工程）。
【００３１】この工程後は、第１実施例の第１工程と同
様に基板１の（１００）面上に酸化物超電導材料をスパ
ッタリング法、又は分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ
法）等を用いて酸化物超電導単結晶薄膜をエピタキシャ
ル成長させる。この時、前記アモルファスＭｇＯ薄膜５
上には酸化物超電導多結晶薄膜が形成され、上記第１実
施例のようにレーザ光の照射は不必要である。
様に基板１の（１００）面上に酸化物超電導材料をスパ
ッタリング法、又は分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ
法）等を用いて酸化物超電導単結晶薄膜をエピタキシャ
ル成長させる。この時、前記アモルファスＭｇＯ薄膜５
上には酸化物超電導多結晶薄膜が形成され、上記第１実
施例のようにレーザ光の照射は不必要である。
【００３２】その後、第１実施例の第２工程と同様にパ
ターン化されて、第４図及び第５図に示す酸化物超電導
電磁波検出素子が完成する。
ターン化されて、第４図及び第５図に示す酸化物超電導
電磁波検出素子が完成する。
【００３３】尚、この実施例ではＭｇＯ基板を用いた
が、上述したＳｒＴｉＯ3基板、Ｙ2Ｏ 3基板、Ａｌ2Ｏ3
基板、ＬａＧａＯ3基板、ＮｄＧａＯ3基板、ＬａＡｌＯ
3基板、ＹＳＺ基板等種々の絶縁性基板を適宜選択で
き、このように他の基板を用いた場合はアモルファスＭ
ｇＯに変えて該基板の材料からなるアモルファス薄膜を
用いる方が望ましい。
が、上述したＳｒＴｉＯ3基板、Ｙ2Ｏ 3基板、Ａｌ2Ｏ3
基板、ＬａＧａＯ3基板、ＮｄＧａＯ3基板、ＬａＡｌＯ
3基板、ＹＳＺ基板等種々の絶縁性基板を適宜選択で
き、このように他の基板を用いた場合はアモルファスＭ
ｇＯに変えて該基板の材料からなるアモルファス薄膜を
用いる方が望ましい。
【００３４】上述のように、酸化物超電導単結晶薄膜を
形成できる基板上のブリッジ素子部を形成する表面にア
モルファス薄膜を形成することにより、該アモルファス
薄膜が形成されていない基板上には、酸化物超電導単結
晶薄膜からなる両端部３、３及びアンテナ部４を形成で
きると共に、アモルファス薄膜上には酸化物超電導多結
晶薄膜からなる粒界結合型ブリッジ素子部２を形成でき
る。
形成できる基板上のブリッジ素子部を形成する表面にア
モルファス薄膜を形成することにより、該アモルファス
薄膜が形成されていない基板上には、酸化物超電導単結
晶薄膜からなる両端部３、３及びアンテナ部４を形成で
きると共に、アモルファス薄膜上には酸化物超電導多結
晶薄膜からなる粒界結合型ブリッジ素子部２を形成でき
る。
【００３５】従って、本実施例においても、第１実施例
と同じ効果が得られる。
と同じ効果が得られる。
【００３６】尚、第１、第２実施例では両端部３、３を
設けたが、取り除いた構造でもよい。また、酸化物超電
導材料としては、ＹＢａＣｕＯ以外のランタノイド系酸
化物超電導材料等種々の材料を適宜利用できる。
設けたが、取り除いた構造でもよい。また、酸化物超電
導材料としては、ＹＢａＣｕＯ以外のランタノイド系酸
化物超電導材料等種々の材料を適宜利用できる。
【００３７】更に、ブリッジ素子部の素子抵抗を高め、
インピーダンス整合を良好にするために、該素子部を構
成する超電導粒子の粒界に高抵抗材料を施してもよい。
例えばＹＢａＣｕＯ超電導粒子の場合、前記ブリッジ素
子部２上にスパッタリング法、スクリーン印刷法で１０
０〜５００Å程度のＢｉ2Ｏ3層を形成した後、６００〜
６５０℃で熱処理することにより高抵抗材料からなる界
面層が作成される。
インピーダンス整合を良好にするために、該素子部を構
成する超電導粒子の粒界に高抵抗材料を施してもよい。
例えばＹＢａＣｕＯ超電導粒子の場合、前記ブリッジ素
子部２上にスパッタリング法、スクリーン印刷法で１０
０〜５００Å程度のＢｉ2Ｏ3層を形成した後、６００〜
６５０℃で熱処理することにより高抵抗材料からなる界
面層が作成される。
【００３８】
【発明の効果】本発明の酸化物超電導電磁波検出素子に
よれば、ボウタイアンテナ部をもつので、アンテナの寸
法に殆ど依存しないで超高周波帯迄の広帯域の電磁波を
検出可能であり、従来の超電導電磁波検出素子に比べて
大きな寸法が可能となるので、製造も容易である。
よれば、ボウタイアンテナ部をもつので、アンテナの寸
法に殆ど依存しないで超高周波帯迄の広帯域の電磁波を
検出可能であり、従来の超電導電磁波検出素子に比べて
大きな寸法が可能となるので、製造も容易である。
【００３９】また、ボウタイアンテナ部の角度の値を設
定することより検出する電磁波とブリッジ部のインピー
ダンス整合を良好にでき、更に、ブリッジ素子が粒界結
合型なので、素子抵抗が大きくなり、インピーダンス整
合が良好になる。
定することより検出する電磁波とブリッジ部のインピー
ダンス整合を良好にでき、更に、ブリッジ素子が粒界結
合型なので、素子抵抗が大きくなり、インピーダンス整
合が良好になる。
【図１】本発明の第１実施例に係る超電導電磁波検出素
子の斜視図である。
子の斜視図である。
【図２】上記超電導電磁波検出素子の上面図である。
【図３】ボウタイアンテナ部のインピーダンスと、角度
θと基板の誘電率εの関係を示す図である。
θと基板の誘電率εの関係を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例に係る超電導電磁波検出素
子の斜視図である。
子の斜視図である。
【図５】上記超電導電磁波検出素子の断面図である。
１ 絶縁性基板 ２ 粒界結合型ブリッジ素子部 ４ ボウタイアンテナ部
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、該基板上に形成された酸
化物超電導単結晶薄膜からなるボウタイアンテナ部と、
該アンテナ部の略中央に設けられた粒界結合型酸化物超
電導ブリッジ素子部と、から構成されることを特徴とす
る超電導電磁波検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4181059A JPH0627170A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 超電導電磁波検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4181059A JPH0627170A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 超電導電磁波検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627170A true JPH0627170A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16094067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4181059A Pending JPH0627170A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 超電導電磁波検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627170A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7126439B2 (en) * | 2004-03-10 | 2006-10-24 | Research In Motion Limited | Bow tie coupler |
| JP2006304290A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Commiss Energ Atom | ボロメータ検出器及びこれをもちいてサブミリ波及びミリ波電磁波を検出する装置 |
-
1992
- 1992-07-08 JP JP4181059A patent/JPH0627170A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7126439B2 (en) * | 2004-03-10 | 2006-10-24 | Research In Motion Limited | Bow tie coupler |
| US7218187B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-05-15 | Research In Motion Limited | Bow tie coupler |
| JP2006304290A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Commiss Energ Atom | ボロメータ検出器及びこれをもちいてサブミリ波及びミリ波電磁波を検出する装置 |
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