JPH062685U - 半導体基板自動処理装置 - Google Patents
半導体基板自動処理装置Info
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- JPH062685U JPH062685U JP4723392U JP4723392U JPH062685U JP H062685 U JPH062685 U JP H062685U JP 4723392 U JP4723392 U JP 4723392U JP 4723392 U JP4723392 U JP 4723392U JP H062685 U JPH062685 U JP H062685U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 処理液に対する塵埃混濁の防止及び装置の小
型化と共に、処理槽内にて揺動動作を行う基板保持手段
に対する半導体基板の脱着を確実となした半導体基板自
動処理装置を提供すること。 【構成】 各半導体基板9を上記基板保持手段7上に直
接載置することとして従来用いられていた箱型の保持具
を不要とし、塵埃混濁量を極力少くし、装置全体として
の小型化を達成している。また、上記基板保持手段7の
揺動中心を、その保持した半導体基板9の中心と一致せ
しめることによって、残る問題を解決している。
型化と共に、処理槽内にて揺動動作を行う基板保持手段
に対する半導体基板の脱着を確実となした半導体基板自
動処理装置を提供すること。 【構成】 各半導体基板9を上記基板保持手段7上に直
接載置することとして従来用いられていた箱型の保持具
を不要とし、塵埃混濁量を極力少くし、装置全体として
の小型化を達成している。また、上記基板保持手段7の
揺動中心を、その保持した半導体基板9の中心と一致せ
しめることによって、残る問題を解決している。
Description
【0001】
本考案は、シリコンウエハーやガラス基板等の半導体基板を複数枚まとめて処 理槽内の処理液中に浸漬して洗浄処理を施す半導体基板自動処理装置に関する。
【0002】
従来、この種の半導体基板自動処理装置として、例えば特開平3−54827 号公報において開示されているものがある。
【0003】 この従来の半導体基板自動処理装置においては、被洗浄物としての半導体基板 を箱型の保持具内に配列して収納し、この収納状態のままにて処理槽内の処理液 に浸漬させて洗浄作業を行っている。なお、洗浄中は超音波振動子によって超音 波振動を与え、その衝撃波によって半導体基板に付着している汚れを破壊洗浄し ている。
【0004】 そして、半導体基板に対する処理液の流れを生ぜしめて洗浄効果を上げるため に、処理槽内で保持具を支える台を揺動形式のスイング台としてこれを揺動させ ることが行われている。
【0005】 かかる従来の装置においては、保持具に付着していた塵埃により処理液が混濁 して半導体基板が汚染される一方、保持具の占有スペースが大きいために処理槽 の容積をはじめ装置全体の小型化を図ることが困難であるという欠点がある。
【0006】
そこで、出願人は、上記の如き保持具を用いることなく半導体基板の洗浄作業 を行う考案について考えた。そして、その場合、下記の問題を併せて解消すべき であることを考慮した。
【0007】 前述した従来の装置においては半導体基板をその中心よりも下方を揺動中心と して揺動させているが、かかる構成では揺動動作を停止させた時点における各半 導体基板のずれ量が大きく、位置決めを高精度に行うことが困難である。すると 、これら各半導体基板を把持して処理槽内に持ち来したり処理槽外に搬出するた めの自動搬送機構(例えば特開昭57−52138号公報において開示されてい る)を設けた場合、該自動搬送機構が半導体基板を処理槽外に搬出する際に該各 半導体基板を把持し損ねたり、逆に半導体基板を搬入するときに基板の受け渡し ミスが生ずる恐れがある。
【0008】 そこで、本考案は、上記した問題を全て解消した洗浄装置を提供することを目 的とする。
【0009】
本考案は、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内に配置されて複数枚の半 導体基板をその主面同士が平行となるように整列して保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段をその保持した半導体基板の主面に略平行な面内において揺動 自在に支持する支持機構と、前記基板保持手段を揺動せしめる駆動手段とを備え た半導体基板自動処理装置であって、前記基板保持手段の揺動中心が、前記基板 保持手段により保持された半導体基板の中心に略一致するように構成したもので ある。
【0010】
以下、本考案の実施例としての半導体基板自動処理装置について添付図面を参 照しつつ説明する。
【0011】 図1乃至図3に示すように、本考案に係る半導体基板自動処理装置は、処理液 1が満たされた処理槽2を備えている。なお、処理槽2の底面は水平面に対して 多少傾斜させてあり、低い側の底部には排液管2aが連結されている。
【0012】 処理槽2の下部には超音波を発生する超音波振動子3が設けられている。この 超音波振動子3は、当該半導体基板自動処理装置の筐体内所定位置に配設された 超音波発振器(図示せず)により駆動され、処理液1を励振させるものである。 これら超音波振動子3及び超音波発振器を、励振手段と総称する。この励振手段 を設けたことにより著しい洗浄効果が得られる。
【0013】 処理槽2の内部には、複数、この場合3本の棒状の基板保持部材4、5及び6 から成る基板保持手段7が配置されている。該基板保持手段7は、図2に示す自 動搬送機構8によって処理槽2内に搬入される多数、例えば50枚の半導体基板 9を保持するものである。なお、該自動搬送機構8は、相対的に作動する複数の 把持アーム8aを具備し、該各把持アーム8aにより、各半導体基板9をその主 面同士が平行であるように且つ各々が直立した状態にて一定間隔で整列して把持 する。そして、図示の搬送経路X1 〜X4 に沿って移動し、該各半導体基板9を 処理槽2内に持ち来したり処理槽2外に搬出することを行う。
【0014】 上記した基板保持手段7は、自動搬送機構8により搬入された各半導体基板9 を、整列状態を維持して保持する。
【0015】 ここで、基板保持手段7を構成する各基板保持部材4乃至6について、詳述す る。
【0016】 図から明らかなように、3本設けられたこれらの基板保持部材4乃至6は、夫 々同じ長さにて形成され、各半導体基板9の整列方向において互いに平行に延在 している。そして、そのうち1本の基板保持部材4については長尺の矩形板状に 形成されており、半導体基板9の最下端部に係合するように配置されている。ま た、残る2本の基板保持部材5及び6に関しては円柱状に、且つ互いに同一形状 に形成されており、上記の基板保持部材4の両側に配置されている。
【0017】 図4及び図5に、基板保持部材5の詳細を示す。図示のように、基板保持部材 5には、各々半導体基板9の外周部に係合してこれらを受ける受け溝5aが等し いピッチにて長手方向に並設されている。なお、図4から明らかなように、これ ら受け溝5aはその断面形状が例えばV字状となっている。また、図5から明ら かなように、各受け溝5aは、基板保持部材5の一部分を切り欠いた形態にて形 成されており、それらの底面はこれに係合する半導体基板9の半径(100m/ m)と等しい曲率半径を有している。
【0018】 なお、前述したように、他の2本の基板保持部材4及び6のうち基板保持部材 6に関しては上述した基板保持部材5と同形状であり、また、残る矩形板状の基 板保持部材4についても上記の基板保持部材5と同様の受け溝が形成されている のみであるから、詳細な説明は省略する。
【0019】 次に、上記した各基板保持部材4乃至6からなる基板保持手段7を揺動自在に 支持する支持機構と、該基板保持手段7に駆動力を付与して揺動せしめる駆動手 段について説明する。
【0020】 図1に示すように、当該半導体基板自動処理装置は処理槽2を囲むように設け られた本体フレーム14を有し、該本体フレーム14に対して、ブッシュ15及 び16を介して2本のシャフト17及び18が同心的に回転すべく設けられてい る。なお、両シャフト17、18は水平方向に伸長して設けられている。そして 、これらシャフト17、18の各一端部には略矩形板状の垂直アーム21及び2 2が固着されている。該両垂直アーム21及び22は上下方向において延在して 設けられ、その下端部にてシャフト17、18に取り付けられている。
【0021】 両垂直アーム21及び22の各上端部には、水平方向に伸びる水平アーム24 及び25が各々の一端部にてボルト(参照符号は付していない)により締結され ている。そして、該両水平アーム24及び25の他端部には、L字状に形成され た支持フレーム27及び28が垂下状態にてボルト締めされている。
【0022】 該両支持フレーム27及び28は処理槽2の底部に向けて伸長し、前述した基 板保持手段7の構成部材である各基板保持部材4乃至6はこの支持フレーム27 及び28の下端部間に架設されている。
【0023】 上記したブッシュ15、16と、シャフト17、18と、垂直アーム21、2 2と、水平アーム24、25と、支持アーム27及び28とによって、上記基板 保持手段7を揺動自在に支持する支持機構が構成されている。なお、基板保持手 段7は、その保持した各半導体基板9の主面に平行な面内において揺動するよう になされている。
【0024】 なお、上記垂直アーム21、水平アーム24及び支持フレーム27並びに垂直 アーム22、水平アーム25及び支持フレーム28については、このように互い に個別の部材とせずに、一体に成形してもよい。
【0025】 上記した基板保持手段7の揺動中心、すなわち各シャフト17及び18の軸中 心が、該基板保持手段7により保持された各半導体基板9の中心に一致せしめら れている。
【0026】 一方、図1に示すように、上記した揺動部分の支持軸として作用する両シャフ ト17及び18の各他端部には、それそぞれ歯車31及び32が固着されている 。これら各歯車31及び32にトルクを付与するトルク付与手段については図示 を省略したが、該トルク付与手段はモータ等を含み、両歯車31、32を互いに 同じ回転方向に所定各度だけ正転、逆転できるよう構成されている。このトルク 付与手段と、両歯車31及び32とにより、上記基板保持手段7に対して駆動力 を付与してこれを揺動せしめる駆動手段が構成されている。
【0027】 上述したように、当該半導体基板自動処理装置においては、基板保持手段7の 揺動中心が、該基板保持手段7により保持された半導体基板9の中心に一致せし められている。かかる構成においては、基板保持手段7の揺動動作中及び停止時 のいずれにおいても、各半導体基板9は常に一定位置に保たれ、ずれを生ずるこ とがない。
【0028】 よって、図2に示す自動搬送機構8が該各半導体基板9を処理槽2の外に搬出 しようとする場合にその把持アーム8aによって該各半導体基板9を確実に把持 することが出来る。また、逆に、自動搬送機構8が半導体基板9を処理槽2内に 搬入して基板保持手段7に受け渡す際に受け渡しミスを生ずる恐れもない。
【0029】 また、本実施例に係る半導体基板自動処理装置においては、基板保持手段7に よって半導体基板9に発生する超音波の陰の部分は図2及び図3に示すようにな る。即ち、図3に示すように、該基板保持手段7が具備する基板保持部材5がそ の揺動ストロークの上死点に位置するときに生じる陰の部分は、図において二点 鎖線にて囲む斜線領域43となり、基板保持部材5が下死点に位置するときに生 じる陰の部分は他の二点鎖線にて囲む斜線領域44となり、該上死点から下死点 までの全区間にわたって揺動する際に常に生じる陰の部分は、実線にて囲む斜線 領域45となる。なお、他の基板保持部材4及び6に関しても、図示を省略した が上記と同様に陰の部分が発生する。
【0030】 ここで、上記した本考案に係る半導体基板自動処理装置の構成及びその効果と の比較をなすため、基板保持手段7の揺動中心を半導体基板9の中心よりも所定 距離だけ下方に移した場合について説明する。
【0031】 図6にその構成を示す。
【0032】 図示のように、かかる構成においては、基板保持手段7の揺動動作に伴い半導 体基板9も大きく揺動し、揺動を停止したときに半導体基板9が常に一定位置で 停止するとは限らない。よって、上述した本考案に係る半導体基板自動処理装置 におけるが如き、自動搬送機構8による基板保持手段7に対する半導体基板9の 確実な脱着動作は期待し得ない。
【0033】 また、図6に示す構成においては、各半導体基板9上に、例えば基板保持部材 5によって遮られることによる陰の部分(図において実線で囲む斜線領域55に 対応する。なお、図において、二点鎖線にて囲む斜線領域53は基板保持部材5 が上死点に位置するときに生じる陰の部分、他の二点鎖線で囲む斜線領域54は 当該基板保持部材5が下死点に位置するときに生じる陰の部分を表しており、上 記実線にて囲む斜線領域55は上死点から下死点までの全区間にわたって揺動す る際に常に生じる陰の部分を表している)が発生し、このような陰の部分55に 対する洗浄力が低下する。
【0034】 このような常に生じる陰の部分55の面積を図3に示した実施例における陰の 部分45の面積と比較すれば明らかなように、揺動角度を互いに同一の揺動角度 θに設定した場合、本考案に係る半導体基板自動処理装置による陰の部分45の 面積は、図6に示した陰の部分55の面積と比べて大幅に減少することがわかる 。
【0035】
以上説明したように、本考案によれば、各半導体基板を処理槽内の基板保持手 段上に直接載置する形式である故に従来用いていた箱型の保持具が不要となり、 処理液に対する塵埃の混濁量が極めて少なく抑えられると共に、処理槽の容積、 延いては装置全体としての小型化が達成されるという効果がある。 また、本発明による半導体基板自動処理装置においては、上記基板保持手段の 揺動中心が、該基板保持手段上の半導体基板の中心に略一致せしめられている。 従って、半導体基板は常に一定位置に保たれ、自動搬送機構による該基板保持手 段に対する半導体基板の脱着動作が常に確実に行われるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本考案の実施例としての半導体基板自
動処理装置の縦断面図である。
動処理装置の縦断面図である。
【図2】図2は、図1に示した半導体基板自動処理装置
の要部と、該半導体基板自動処理装置に対する半導体基
板の搬入及び搬出をなすための自動搬送機構を示す、一
部断面を含む正面図である。
の要部と、該半導体基板自動処理装置に対する半導体基
板の搬入及び搬出をなすための自動搬送機構を示す、一
部断面を含む正面図である。
【図3】図3は、図2に示した半導体基板自動処理装置
の要部の拡大図である。
の要部の拡大図である。
【図4】図4は、図1に示した半導体基板自動処理装置
の構成部材である基板保持部材の側面図である。
の構成部材である基板保持部材の側面図である。
【図5】図5は、図4に関するAーA断面図である。
【図6】図6は、図3に示した構成と比較するための構
成の正面図である。
成の正面図である。
1 処理液 2 処理槽 3 超音波振動子 4、5、6 基板保持部材 7 基板保持手段 8 自動搬送機構 9 半導体基板
Claims (2)
- 【請求項1】 処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽
内に配置されて複数枚の半導体基板をその主面同士が平
行となるように整列して保持する基板保持手段と、前記
基板保持手段をその保持した半導体基板の主面に略平行
な面内において揺動自在に支持する支持機構と、前記基
板保持手段を揺動せしめる駆動手段とを備えた半導体基
板自動処理装置であって、前記基板保持手段の揺動中心
が前記基板保持手段により保持された半導体基板の中心
に略一致せしめられていることを特徴とする半導体基板
自動処理装置。 - 【請求項2】 前記支持機構は、前記処理槽の外部に上
下方向において延在して設けられその下端部にて枢支さ
れた垂直アームと、前記垂直アームの自由端部に一端部
にて取り付けられて略水平方向に伸びる水平アームと、
前記水平アームの他端部に垂下状態に取り付けられてそ
の下端部にて前記基板保持手段を支持する支持フレーム
とから成り、前記垂直アームの枢支点が前記半導体基板
の中心に略一致せしめられていることを特徴とする請求
項1記載の半導体基板自動処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992047233U JP2576353Y2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体基板自動処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992047233U JP2576353Y2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体基板自動処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH062685U true JPH062685U (ja) | 1994-01-14 |
JP2576353Y2 JP2576353Y2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=12769500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1992047233U Expired - Fee Related JP2576353Y2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 半導体基板自動処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2576353Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012151320A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Sumco Corp | ウェーハ洗浄装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62281430A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 拡散前ウエハ洗浄方法および洗浄装置 |
JPS63174439U (ja) * | 1987-04-13 | 1988-11-11 | ||
JPH01255227A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の回転式表面処理装置 |
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JPH03125429A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-28 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハ処理方法およびそれに使用される回転乾燥装置 |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP1992047233U patent/JP2576353Y2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JP2576353Y2 (ja) | 1998-07-09 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |