JPH0626819Y2 - 電子部品 - Google Patents

電子部品

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JPH0626819Y2
JPH0626819Y2 JP1984130155U JP13015584U JPH0626819Y2 JP H0626819 Y2 JPH0626819 Y2 JP H0626819Y2 JP 1984130155 U JP1984130155 U JP 1984130155U JP 13015584 U JP13015584 U JP 13015584U JP H0626819 Y2 JPH0626819 Y2 JP H0626819Y2
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JP
Japan
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bottom plate
insulating substrate
ground terminal
vertices
lead terminals
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JP1984130155U
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JPS6144534U (ja
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昌明 泉田
隆 山本
義明 太田
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TDK Corp
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TDK Corp
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Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、焦電体素子を外装ケース内に収納した電子部
品に関する。
〈従来の技術〉 この種の電子部品の代表例としては、焦電形赤外線検出
器がある。焦電形検出器は、入射赤外線により焦電体素
子を加熱或いは冷却し、その結果信号を出すものである
から、入射赤外線をいかに効率良く信号発生のための熱
エネルギーに変換するかが重要な技術ポイトになる。か
かる技術的考慮を施した従来例として、第4図、第5図
及び第6図に示す構造のものが知られている。この従来
例では、蓋体1と共に外装ケースを構成する底板2に、
四本のリード端子3〜6を貫通して植設すると共に、該
リード端子3〜6の上端部に絶縁基板7を載せて固着
し、該絶縁基板7の上に焦電体素子8を接着固定した構
造となっている。
リード端子3〜6の内、少なくとも一本、例えばリード
端子6はアース端子として使用され、他のリード端子3
〜5は電源供給端子及び検出信号取出端子として使用さ
れる。底板2を金属材等で構成した場合は、リード端子
3〜5は絶縁ガラス等の絶縁物9を介して底板2に植設
する。10は蓋体1の中央部に設けられた赤外線入射窓
である。
上述の赤外線検出器は、焦電体素子8の機械的強度の不
足分を絶縁基板7によって補うと共に、リード端子3〜
6によって焦電体素子8を放熱及び蓄熱作用の大きい底
板2から分離し、効率を上げ、感度及び応答特性を向上
させることができる。
第7図は2素子形赤外線検出器の電気回路接続図、第8
図は4素子形赤外線検出器の電気回路接続図である。第
7図の2素子形赤外線検出器では2つの焦電体素子8
1、82を、温度ドリフト(イ)が互いに逆極性となっ
て打消し合うように電気的に直列に接続し、その一端を
抵抗Rgの一端及び増幅素子たる電界効果トランジスタ
FETのゲートGに接続すると共に、他端を抵抗Rgの他
端に接続した上で、アース端子6に接続する。前記焦電
体素子81、82、抵抗Rg及び電界効果トランジスタ
FETは、温度特性の向上、安定化等のため、同一の外装
ケース1、2内に収納し、電界効果トランジスタFETの
ドレインD及びソースSをリード端子3〜5の何れかに
接続して外部に引出す。
第8図の4素子形赤外線検出器では4つの焦電体素子8
1〜84を使用し、2つの焦電体素子81−82及び焦
電体素子83−84を一組として、温度ドリフト(イ)
が補償できるように直列に接続し、これら焦電体素子
(81、82)、(83、84)の組を、並列抵抗R
g1、Rg2を介して電界効果トランジスタFET1、FET2のゲ
ートG、Gにそれぞれ接続してある。焦電体素子
(81、82)、(83、84)、抵抗Rg1、Rg2及び電
界効果トランジスタFET1、FET2は同一の外装ケース1、
2内に収納する。そして、焦電体素子82、83及び抵
抗Rg1、Rg2の接続点をアース端子6に、電界効果トラン
ジスタFET1、FET2のドレインD、Dを例えばリード
端子3に、ソースS、Sをリード端子4、5にそれ
ぞれ接続して外部に引出す。赤外線検出回路としてはこ
の他にも種々の回路が提案されている。
〈考案が解決しようとする課題〉 しかしながら、第4図〜第6図に示した従来構造では、
四本のリード端子3〜6を絶縁基板7の下側に設けて、
これら四本のリード端子3〜6によって絶縁基板7を支
持する構造であるため、絶縁基板7の裏面側の空間スペ
ースが、これらのリード端子3〜6によって四方から囲
まれた形になり、空間スペース内に回路部品を配置して
半田付けする際の障害となると同時に、空間スペースの
利用効率が低下してしまう。このため、第7図及び第8
図に示したような回路構成を取る場合、焦電体素子81
〜84、抵抗Rg、Rg1、Rg2及び電界効果トランジスタFE
T、FET1、FET2を同一の外装ケース1、2内に収納する
ことが困難になり、外装ケース1、2の大型化、特性劣
化等を招いてしまうという問題があった。
そこで、本考案の課題は、上述する従来の欠点を除去
し、底板の下面側で見たリード端子及びアース端子の配
置を変更することなしに、焦電体素子を搭載した絶縁基
板の裏面側の有効空間スペースを拡大し、小型でしかも
特性及び量産性に優れた電子部品、特に焦電形赤外線検
出器を提供することである。
〈課題を解決するための手段〉 上述した課題解決のため、本考案に係る電子部品は、外
装ケースと、焦電体素子と、絶縁基板と、リード端子
と、アース端子とを有しており、 前記外装ケースは底板を含み、前記底板が金属材料で構
成されており、 前記焦電体素子は、前記絶縁基板によって支持されてお
り、 前記絶縁基板は、前記リード端子によって前記底板から
間隔を隔てて支持され、前記絶縁基板と前記底板との間
に前記間隔による回路部品配置空間が設けられており、 前記リード端子は3本備えられ、それぞれが、前記絶縁
基板の配置領域内において、前記底板上に仮想された四
辺形の三頂点に前記底板を貫通して配置されており、 前記アース端子は2本備えられており、第1のアース端
子は、前記四辺形の四頂点の内の一頂点側が開放される
ように、前記底板の前記絶縁基板の配置領域外に配置さ
れ、一端が前記絶縁基板の周辺に位置し、他端が前記底
板の一面上に固着されており、前記第2のアース端子
は、前記底板の他面側において、前記三頂点を除く他の
頂点に配置されている。
〈作用〉 焦電体素子は絶縁基板によって支持されており、絶縁基
板はリード端子によって底板から間隔を隔てて支持さ
れ、絶縁基板と底板との間に間隔による回路部品配置空
間が設けられており、リード端子は3本備えられ、それ
ぞれが、絶縁基板の配置領域内において、底板上に仮想
された四辺形の三頂点に底板を貫通して配置されてお
り、第1のアース端子は、四辺形の四頂点の内の一頂点
側が開放されるように、底板の絶縁基板の配置領域外に
配置され、一端が絶縁基板の周辺に位置し、他端が底板
の一面上に固着されているから、焦電体素子を搭載した
絶縁基板の裏面側の有効空間スペースを拡大できる。
しかも、外装ケースは底板が金属材料で構成されてお
り、第1のアース端子は四辺形の四頂点の内の一頂点側
が開放されるように、底板の絶縁基板の配置領域外に配
置され、一端が絶縁基板の周辺に位置し、他端が底板の
一面上に固着されており、第2のアース端子は底板の他
面側において三頂点を除く他の頂点に配置されているか
ら、底板の下面側で見たリード端子及びアース端子の配
置を変更することなしに、焦電体素子を搭載した絶縁基
板の裏面側の有効空間スペースを拡大できる。
〈実施例〉 第1図は本考案に係る電子部品の正面部分断面図、第2
図は第1図のA−A線上における平面断面図、第3
図は底面図である。図において、第4図〜第6図と同一
の参照符号は同一性ある構成部分を示している。この実
施例では、絶縁基板7を支持するリード端子をリード端
子3〜5の三本とし、底板2の上面の絶縁基板7の配置
領域内に仮想される四辺形(ロ)の三頂点に、これら三
本のリード端子3〜5を貫通して植設すると共に、絶縁
基板7の配置領域外に第1のアース端子61を取付けて
ある。底板2を金属材料によって構成してあり、リード
端子3〜5は絶縁ガラス等の絶縁物9を介して底板2に
植設されているが、第1のアース端子61は貫通させず
に底板2の一面上に固着する。そして、底板2の下面側
において、三点配置されたリード端子3〜5と共に四角
形の配置となるように、第2のアース端子62を固着す
る。
上述のように、底板2上に仮想される四辺形(ロ)の三
頂点に、絶縁基板7を支持する三本のリード端子3〜5
をそれぞれ配置し、第1のアース端子61を絶縁基板7
の配置領域外に取付ける構造であると、絶縁基板7の下
面側において、仮想四辺形(ロ)の四頂点の内の一頂点
側が開放された状態になり、従来より広いスペース
(ハ)が生れ、絶縁基板7の下面側に回路部品を配置す
る際の障害がなくなり、空間スペースの利用効率が高ま
る。例えば、底板2の有効径を約8mmとし、一辺が約5
mmの正方形の絶縁基板7を使用した場合、従来のもので
は、前記空間スペースは約25mmが限界であったが、本
考案によれば、面積が約1/4だけ拡大される。つまり、
25mmの絶縁基板7で約6mmの面積余裕が生じるのであ
る。
このため、例えば、第7図及び第8図に示した回路構成
を取った場合でも、焦電体素子81〜84、抵抗Rg、Rg
1、Rg2及び電界効果トランジスタFET、FET1、FET2を、
絶縁基板7の下面側に配置して同一の外装ケース1、2
内に収納し、全体形状を小型化し、温度特性を向上させ
ることが可能になる。また、絶縁基板7の下面側の空間
スペースが拡大されたことで、この空間スペース内に配
置された焦電体素子81〜84、抵抗Rg、Rg1、Rg2及び
電界効果トランジスタFET、FET1、FET2の半田付け作業
が非常に容易になり、量産性が向上する。
しかも、第2のアース端子62は底板2の他面側におい
て三頂点を除く他の頂点に配置されているから、底板2
の下面側で見たリード端子3〜5及び第2のアース端子
62の配置を変更することなしに、焦電体素子8を搭載
した絶縁基板7の裏面側の有効空間スペースを拡大でき
る。
〈考案の効果〉 以上述べたように、本考案によれば、次のような効果が
得られる。
(a)焦電体素子は絶縁基板によって支持されており絶
縁基板はリード端子によって底板から間隔を隔てて支持
され、絶縁基板と底板との間に間隔による回路部品配置
空間が設けられており、リード端子は3本備えられ、そ
れぞれが、絶縁基板の配置領域内において、底板上に仮
想された四辺形の三頂点に底板を貫通して配置されてお
り、第1のアース端子は、四辺形の四頂点の内の一頂点
側が開放されるように、底板の絶縁基板の配置領域外に
配置され、一端が絶縁基板の周辺に位置し、他端が底板
の一面上に固着されているから、焦電体素子を搭載した
絶縁基板の裏面側の有効空間スペースを拡大し、小型で
しかも特性及び量産性に優れた電子部品、特に焦電形赤
外線検出器を提供することができる。
(b)外装ケースは底板が金属材料で構成されており、
第1のアース端子は四辺形の四頂点の内の一頂点側が開
放されるように、底板の絶縁基板の配置領域外に配置さ
れ、一端が絶縁基板の周辺に位置し、他端が底板の一面
上に固着されており、第2のアース端子は底板の他面側
において三頂点を除く他の頂点に配置されているから、
底板の下面側で見たリード端子及びアース端子の配置を
変更することなしに、焦電体素子を搭載した絶縁基板の
裏面側の有効空間スペースを拡大した電子部品を提供で
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に係る電子部品の正面部分断面図、第2
図は第1図のA−A線上における平面断面図、第3
図は本考案に係る電子部品の底面図、第4図は従来の電
子部品の正面部分断面図、第5図は第4図のA−A
線上における平面断面図、第6図は底面図、第7図は2
素子形赤外線検出器の電気回路接続図、第8図は4素子
形赤外線検出器の電気回路接続図である。 1……蓋体、2……底板 3〜5……リード端子 61、62……アース端子 7……絶縁基板、8……焦電体素子
フロントページの続き (72)考案者 太田 義明 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 テイ ーデイーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭55−156375(JP,A) 実開 昭58−54534(JP,U)

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】外装ケースと、焦電体素子と、絶縁基板
    と、リード端子と、アース端子とを有する電子部品であ
    って、 前記外装ケースは底板を含み、前記底板が金属材料で構
    成されており、 前記焦電体素子は、前記絶縁基板によって支持されてお
    り、 前記絶縁基板は、前記リード端子によって前記底板から
    間隔を隔てて支持され、前記絶縁基板と前記底板との間
    に前記間隔による回路部品配置空間が設けられており、 前記リード端子は3本備えられ、それぞれが、前記絶縁
    基板の配置領域内において、前記底板上に仮想された四
    辺形の三頂点に前記底板を貫通して配置されており、 前記アース端子は2本備えられており、第1のアース端
    子は、前記四辺形の四頂点の内の一頂点側が開放される
    ように、前記底板の前記絶縁基板の配置領域外に配置さ
    れ、一端が前記絶縁基板の周辺に位置し、他端が前記底
    板の一面上に固着されており、前記第2のアース端子
    は、前記底板の他面側において、前記三頂点を除く他の
    頂点に配置されている 電子部品。
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JP6319406B2 (ja) * 2016-11-29 2018-05-09 三菱マテリアル株式会社 赤外線センサ装置
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JPS5854534U (ja) * 1981-10-09 1983-04-13 ティーディーケイ株式会社 赤外線検出器

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