JPH06268009A - 半導体用パッケージ - Google Patents

半導体用パッケージ

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JPH06268009A
JPH06268009A JP5049245A JP4924593A JPH06268009A JP H06268009 A JPH06268009 A JP H06268009A JP 5049245 A JP5049245 A JP 5049245A JP 4924593 A JP4924593 A JP 4924593A JP H06268009 A JPH06268009 A JP H06268009A
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JP
Japan
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external lead
gate
wire
lead
semiconductor package
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Pending
Application number
JP5049245A
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English (en)
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Katsumi Miyawaki
勝巳 宮脇
Toshio Usuki
俊雄 臼木
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 自動ワイヤボンダの精度を向上させる。 【構成】 セラミックス２の上面には、ゲート用外部リ
ード３、ドレイン用外部リード４、給電用リード５が載
置されている。これらは銀ロウ７によって、セラミック
ス２の上面に選択的に形成されたメタライズ層２ｅ，２
ｆ，２ｇのそれぞれとロウ付けされている。ゲート用外
部リード３の端部１１ａの直下近傍にはメタライズ層２
ｅは存在しない。また、ドレイン用外部リード４の端部
１１ｂの直下近傍にはメタライズ層２ｆは存在しない。 【効果】 外部リードのパターン認識が容易で確実に行
うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体用パッケージに
関し、特に高周波トランジスタを搭載する半導体用パッ
ケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の半導体用パッケージ２０
０に半導体装置を載置した構造を示す斜視図であり、図
４はそのＡＡ断面を示す断面図である。
【０００３】導電性の基板、例えば銅基板１の上には、
ロウ付けによって絶縁性基板、例えばセラミックス２が
設けられている。セラミックス２はその中央部に開口部
２ａを有している。開口部２ａにおいて、銅基板１上に
金系半田を介して半導体装置、例えば高周波ＦＥＴ６が
固定されている。
【０００４】セラミックス２の上面にはメタライズ層２
ｂ，２ｃ，２ｄが設けられている。これらはセラミック
ス２の上面のほぼ全面を覆っており、銀ロウ７によって
それぞれにゲート用外部リード３、ドレイン用外部リー
ド４、給電用リード５がロウ付けされている。
【０００５】高周波ＦＥＴ６は貫通孔１０を有してお
り、高周波ＦＥＴ６のソース電極はこの貫通孔１０を介
して銅基板１に接続されている。高周波ＦＥＴ６のゲー
ト電極はゲート用ワイヤ８によって、又ドレイン電極は
ドレイン用ワイヤ９によって、それぞれゲート用外部リ
ード３、ドレイン用外部リード４と接続されている。
【０００６】従来の半導体用パッケージに半導体装置を
載置して上記の構造を得るには、まず銅基板１上に高周
波ＦＥＴ６をダイボンディングする。そして、高周波Ｆ
ＥＴ６の有する各電極をワイヤボンディングなどによっ
て接続する。例えば、自動ワイヤボンダによって、高周
波ＦＥＴ６のゲート電極の位置、及びセラミックス２上
のメタライズ層２ｂ上に設けられたゲート用外部リード
３の位置を認識し、ゲート用ワイヤ８を用いて両者を結
線する。ドレイン用ワイヤ９を用いた結線も同様であ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
半導体用パッケージにおいては、メタライズ層２ｂ，２
ｃ，２ｄがセラミックス２のほぼ全面を覆っていた。し
かし、メタライズ層２ｂ，２ｃ上のゲート用外部リード
３、ドレイン用外部リード４の反射率は互いに近似して
おり、外部リード３，４の認識が困難であるという問題
点があった。
【０００８】この問題点は、高周波ＦＥＴの縮小化など
に伴う半導体用パッケージの縮小化において特に問題と
なる。外部リード３，４の幅が狭くなり、ワイヤボンデ
ィングの際の位置の認識にはより一層の精度が求められ
るためである。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、自動ワイヤボンダによる外部リ
ード３，４の認識を確実に行い、ワイヤボンディングの
位置精度を向上させることができる、半導体用パッケー
ジを提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
用パッケージは、（ａ）主面を有する絶縁性基板と、
（ｂ）前記主面に選択的に設けられた少なくとも一つの
導電層と、（ｃ）前記導電層と接続された少なくとも一
つの外部リードと、を備える。そして、外部リードは、
前記導電層によって露呈を許された前記主面と前記導電
層とに跨って設けられ、前記主面とは異なる反射率を有
している。
【００１１】
【作用】この発明における外部リードは、その反射率の
異なりによって、主面と区別して容易に認識される。
【００１２】
【実施例】図１は、この発明にかかる半導体用パッケー
ジ１００の構造を示す斜視図であり、図２はその平面図
である。半導体用パッケージ１００は、例えば２ｍｍ平
方程度の大きさで形成されている。その中央部に開口部
２ａを有するセラミックス２が、ロウ付けによって銅基
板１の上に設けられている。銅基板１の上面は、半田の
ぬれを良くするためにメタライズされており、開口部２
ａにおいて銅基板１上に金系半田を介して高周波ＦＥＴ
６が固定されている。
【００１３】セラミックス２の上面には、ゲート用外部
リード３、ドレイン用外部リード４、給電用リード５が
載置されている。これらは銀ロウ７によって、セラミッ
クス２の上面に選択的に形成されたメタライズ層２ｅ，
２ｆ，２ｇのそれぞれとロウ付けされている。
【００１４】メタライズ層２ｅ，２ｆの面積は、図３に
示されたメタライズ層２ｂ，２ｃの面積よりも小さい。
そして、ゲート用外部リード３の端部１１ａの直下近傍
にはメタライズ層２ｅは存在しない。また、ドレイン用
外部リード４の端部１１ｂの直下近傍にはメタライズ層
２ｆは存在しない。
【００１５】このような構造の半導体用パッケージにお
いて高周波ＦＥＴ６のゲート、ドレインの各電極と、ゲ
ート用外部リード３、ドレイン用外部リード４とをそれ
ぞれ接続する場合について説明する。自動ワイヤボンダ
は、高周波ＦＥＴ６の端部１２を検出して高周波ＦＥＴ
６の位置を認識する。これにより、ゲート用ワイヤ８の
一端が接続されるべきゲート電極の位置が特定される。
【００１６】一方、ゲート用外部リード３の端部１１ａ
が検出されてゲート用外部リード３の位置が認識され
る。この際、端部１１ａの直下近傍にはメタライズ層２
ｅが存在せず、セラミックス２の表面とゲート用外部リ
ード３との反射率が比較される。両者の反射率は大きく
異なるので、端部１１ａの検出は容易であり、ゲート用
ワイヤ８の他端が接続されるべき位置を精度良く認識す
ることができる。即ち、高周波ＦＥＴ６のゲート電極と
ゲート用外部リード３とを、ゲート用ワイヤ８を用いて
精度よくワイヤボンドすることができる。
【００１７】同様にして、高周波ＦＥＴ６の端部１２の
検出によってその位置が特定されたドレイン電極と、端
部１１ｂの検出によって認識されたドレイン用外部リー
ド４との間を、ドレイン用ワイヤ９を用いて精度よくワ
イヤボンドすることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
用パッケージによれば、外部リードの認識が容易とな
り、その位置を精度良く特定することができるので、半
導体用パッケージに載置されるべき半導体装置と外部リ
ードとのワイヤボンディングを精度良く行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】この発明の一実施例を示す平面図である。
【図３】従来の技術を示す斜視図である。
【図４】従来の技術を示す断面図である。
【符号の説明】
２ セラミックス ２ｅ，２ｆ，２ｇ メタライズ層 ３ ゲート用外部リード ４ ドレイン用外部リード

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （ａ）主面を有する絶縁性基板と、 （ｂ）前記主面に選択的に設けられた少なくとも一つの
    導電層と、 （ｃ）前記導電層によって露呈を許された前記主面と前
    記導電層とに跨って設けられ、前記主面とは異なる反射
    率を有し、前記導電層と接続された少なくとも一つの外
    部リードと、を備える半導体用パッケージ。
JP5049245A 1993-03-10 1993-03-10 半導体用パッケージ Pending JPH06268009A (ja)

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