JPH062622U

JPH062622U - ソレノイド

Info

Publication number: JPH062622U
Application number: JP6223892U
Authority: JP
Inventors: 田一朗平; 野晃小
Original assignee: Nok Corp
Current assignee: Nok Corp
Priority date: 1992-02-03
Filing date: 1992-08-11
Publication date: 1994-01-14
Anticipated expiration: 2007-08-11
Also published as: JP2561629Y2

Abstract

(57)【要約】【目的】インダクタンスの低減化を図る。【構成】磁束変化によってうず電流を発生させる非磁
性体製の導電体から成るうず電流発生手段５を磁束の通
る部位３，４に設けたことを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、たとえばソレノイドバルブ等に用いられるソレノイドに関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来のこの種のソレノイドとしては、たとえば図１１に示すようなものがある。すなわち、このソレノイドはコイル１００を備えた両端が開口する筒状のソレノイド本体１０１に、一方の開口部内周には磁性体製の固定部材１０２が挿入固定され、他方の開口部内周には磁性体製の可動部材１０３が往復動自在に挿入されており、電源コントローラ（図示せず）からのディザ電流が重畳されている制御電流（本従来例では０〜１Ａ）によってコイル１００に通電することによって可動部材１０３と固定部材１０２間を通る磁束を発生させて固定部材１０２に可動部材１０３を磁気吸引する構成となっている。

【０００３】ここで、上記ディザ電流について説明する。このディザ電流とは制御電流に重畳される電流のことであり、ディザ電流には図１２に示すような方形波（振幅０．２Ａ，周波数１００Ｈｚ）、三角形波（振幅０．２Ａ，周波数１００Ｈｚ）等があって、振幅及び周波数によって決まる。このような微小振幅電流をソレノイドの制御電流に重畳することにより、ソレノイドの摺動抵抗及びヒステリシスを低減する効果がある。

【０００４】図１３には、他の従来例のソレノイド２００が示されている。このソレノイド２００はコイル１００Ａを備えた両端が開口する筒状のソレノイド本体１０１Ａに、一方の開口部内周には磁性体製の固定部材１０２Ａが挿入固定され、他方の開口部内周には磁性体製の可動部材１０３Ａが往復動自在に挿入されており、可動部材１０３Ａが挿入される開口端部の内周には磁性体製で円筒状のボディ２０１が挿入固定され、このボディ２０１の内周部にはスプリング２０２が挿入され、スプリング２０２はボディ２０１の内周部にねじ込み固定されるばね力調整部材２０３と可動部材１０３Ａに作動連結されるロッド２０４の一端との間に圧縮した状態で装着されており、このスプリング２０２のばね力によりロッド２０４をバルブ等の相手取付部材（図示せず）側に付勢している。

【０００５】そして、電源コントローラ（図示せず）からの制御電流（本従来例ではディザ電流は重畳していない。）によってコイル１００Ａに通電することによって可動部材１０３Ａと固定部材１０２Ａ間を通る磁束を発生させて固定部材１０２Ａに可動部材１０３Ａを磁気吸引する構成となっている。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、上記した従来技術の場合には、可動部材１０３が固定部材１０２に近づく程、可動部材１０３と固定部材１０２とのギャップが小さくなり、磁束が通りやすくなるためインダクタンスが大きくなる。これは、インダクタンスと磁束に下記に示す数式１の関係があるためです。

【０００７】

【数式１】ＮΦ＝ＬＩ上記の数式において、Ｎはコイル１００の巻数、Φは磁束、Ｌはインダクタンス、Ｉは電流である。

【０００８】このように、インダクタンスが大きくなると、インピーダンスも大きくなり、また逆起電力の発生も大きくなるため、電源コントローラの制御容量が追いつかず制御電流に重畳されているディザ電流の波形が乱れるという欠点があった。

【０００９】また、上記した他の従来例のソレノイド２００において、ソレノイド２００のインダクタンスと起電力との関係は、

【００１０】

【数式２】ｅ＝−ｄＬｉ／ｄｔ上記の数式２において、ｅは起電力、Ｌはインダクタンス、ｉはソレノイド電流である。そして、数式２において、インダクタンスと起電力との関係を調べるために、ｉとＬを下記の数式３，４に示すようにすると、

【００１１】

【数式３】ｉ＝ｃｏｓＳｔ

【００１２】

【数式４】Ｌ＝Ｌ₀ ＋ｌｃｏｓ（ωｔ）上記の数式３において、Ｓｔは固定部材１０２Ａと可動部材１０３Ａ間のストロークであり、上記数式４において、Ｌは可動部材１０３Ａのストロークによるインダクタンスの変化を仮定しており、ｌは可動部材１０３Ａのストローク変化したときのインダクタンスの変化量によって決まる係数である。

【００１３】そして、上記数式３，４から、インダクタンスと起電力との関係は下記の数式５となる。

【００１４】

【数式５】ｅ＝ｉｌωｓｉｎ（ωｔ）そして、上記数式５から起電力の最大値は下記の数式６となる。

【００１５】

【数式６】Ｅ_MAX ＝ｉｌω よって、上記数式６から起電力の最大はインダクタンスの変化量が大きい程、大きくなる。

【００１６】ここで、この逆起電力が大きいことにより、ソレノイド２００の電源コントローラの波形の乱れの要因となっている。

【００１７】つまり、インダクタンスの可動部材１０３Ａのストローク位置による変化量が大きい程、電源コントローラの波形の乱れになるという欠点があった。

【００１８】本考案は上記した従来技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、インダクタンスの低減化を図り得るソレノイドを提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するために、本考案にあっては、磁性体製の固定部材と、該固定部材と同軸的に配置される磁性体製の可動部材と、固定部材を取囲むように配置されるコイルとを備え、前記コイルに通電することによって前記固定部材に可動部材を磁気吸引するソレノイドにおいて、磁束変化によってうず電流を発生させる非磁性体製の導電体から成るうず電流発生手段を、磁束の通る部位に設けたことを特徴とする。

【００２０】

【作用】

上記構成のソレノイドにあっては、うず電流を発生させる非磁性体製の導電体のうず電流発生手段を磁束の通る部位に設ければ、磁束変化時に磁束の通る部位に逆起電力が発生し、この起電力が、磁束変化を妨げる電流を生じるような向きにうず電流の発生状態が変化することから、磁束変化が低減され、インダクタンスが低減される。

【００２１】

【実施例】

以下に本考案を図示の実施例に基づいて説明する。本考案の一実施例に係るソレノイドを示す図１において、１はソレノイドの全体を示しており、概略、両端が開口する筒状のソレノイド本体２と、このソレノイド本体２の一方の開口部内周に挿入固定される磁性体製の固定部材としてのセンタポスト３と、ソレノイド本体２の他方の開口部内周に往復動自在に挿入される可動部材としてのプランジャ４と、うず電流を発生させる非磁性体製の導電体から成るうず電流発生手段としての真鍮の真鍮スリーブ５と、から構成されている。

【００２２】ソレノイド本体２は、円筒状のケース６内周に収納される円筒状のコイル７と、ケース６の一方の開口端部を閉塞してケース６とセンタポスト３とを連結固定するワッシャ状の固定プレート８と、ケース６の他方の開口端部を閉塞すると共に、プランジャ４の軸方向の動きを規制するアッパープレート９とから構成されている。

【００２３】また、コイル７の他方の開口部内周にはプランジャ４にコイル７からの磁路を案内するヨーク部材としての磁性体製のスリーブ１０が設けられており、このスリーブ１０は段付きの筒状部材で、大径部１０Ａと、小径部１０Ｂとから成り、小径部１０Ｂと大径部１０Ａとの段部１０Ｃがコイル７の図中上端面に当接して小径部１０Ｂがコイル７の内周に、大径部１０Ａがコイル７の上端面よりアッパープレート９の内側端面に当接する環状の突出部７１の内周にそれぞれ嵌着固定されている。そして、このスリーブ１０の内周に上記プランジャ４がプランジャ軸受１１を介して摺動自在に挿入されている。

【００２４】一方、センタポスト３は円筒状で、その内周にはプランジャ４に設けられた貫通孔４１に挿入固定されるロッド１２がロッド軸受１３を介して往復動自在に挿入されている。また、プランジャ４側の開口端部の内周には外向きフランジ部を有した円筒状のシム１４が嵌合固定されている。

【００２５】そして、コイル７に通電することにより、コイル７、スリーブ１０、プランジャ４、センタポスト３により形成される磁束の通る部位であるプランジャ４の外周部にスリーブ１０を介して真鍮スリーブ５が挿入されている。この真鍮スリーブ５はコイル７の内周において、プランジャ４側開口端部からセンタポスト３の中途部まで達する長さとなって配置されている。

【００２６】尚、うず電流発生手段を真鍮スリーブ５としたが、特に材質は真鍮に限ることなく黄銅であっても良く、うず電流を発生させるもの、つまり非磁性体製の導電体であればよい。

【００２７】上記構成のソレノイドにあっては、電源コントローラ（図示せず）からのディザ電流が重畳されている制御電流（本実施例では０〜１Ａ）によってコイル７に通電することによってプランジャ４とセンタポスト３間を通る磁束が発生してセンタポスト３にプランジャ４が磁気吸引され、次にコイル７の通電を切ると外部からの圧力によってロッド１２を介してプランジャ４がセンタポスト３から離間される。

【００２８】そして、センタポスト３にプランジャ４が磁気吸引、離間時における磁束変化時に真鍮スリーブ５がプランジャ４の外周部及びセンタポスト３の外周の中途部までの間に配置されていることから、上記磁束変化時に真鍮スリーブ５内に逆起電力が発生する。この起電力は磁束変化を妨げる電流を生じるような向きに発生することによりうず電流の発生状態を変化させている。これによって、制御電流に重畳されているディザ電流による磁束変化が低減される。したがってインダクタンスが低減されることになる。

【００２９】ここで、本実施例において、真鍮スリーブ５を有しない従来技術に比べてインダクタンスがどれくらい低減するか図２に示す試験用ソレノイドで次の測定条件下で比較実験したので、その結果を下記の表１に示す。測定条件は、測定等価回路は図３に示すような直列で、印加電流：１０ｍＡ、プランジャ４の径Ｄ：１８ mm、プランジャ４とセンタポスト３間のストローク位置Ｓｔ：２．５mm、センタポスト３の吸引側端面とセンタポスト３外周部端面間Ｓ：２．８mm、真鍮スリーブ５の肉厚ｔ：０．５，０．７５mm、周波数：２０，１００，２００，３００Ｈｚである。

【００３０】

【表１】さらに、上記測定条件において、ストローク位置Ｓｔ：１．５〜４．０mm（０．５mm間隔）で、周波数：２０，１００，２００，２５０，３００Ｈｚとしたときのインダクタンスの測定結果を下記の表２乃至表４に示す。尚、表２は従来技術のソレノイドの場合、表３は本実施例のソレノイドで真鍮スリーブ５の肉厚ｔが０．５mmの場合、表４は本実施例のソレノイドで真鍮スリーブ５の肉厚ｔが０．７５mmの場合の結果を示している。

【００３１】

【表２】

【００３２】

【表３】

【００３３】

【表４】以上のインダクタンスの測定結果から、上記表１でわかるように、本実施例のソレノイドは従来技術に比べて、どの周波数においてもインダクタンスが確実に低減されている。また、インダクタンスは真鍮スリーブ５の肉厚と相関関係があることがわかる。したがって、電源コントローラの制御容量に合わせた適切な真鍮スリーブ５の肉厚を設定することができる。

【００３４】図４には、本考案の第２の実施例が示されている。上記実施例ではうず電流発生手段として磁束の通る部位であるプランジャ４の外周部及びセンタポスト３の外周の中途部に真鍮スリーブ５を配設したが、この実施例では、磁束の通る部位である磁性体製のスリーブ１０の大径部１０Ａと小径部１０Ｂの外周面及び段部１０Ｃのコイル７の上端面の当接面、プランジャ４の外周面の全面、センタポスト３の外周面のコイル７の下端部までの面に、それぞれ銅メッキ１５（図中Ｘ印部分）が施されたものである。尚、銅メッキ１５に限るものではなく、非磁性体製の導電体の表面処理を施したもので良い。

【００３５】また、上記銅メッキ１５の厚さは、第１実施例の真鍮スリーブ５でのインダクタンス測定の実験結果からわかるように、インダクタンスは真鍮スリーブ５の肉厚と相関関係があることから、上記銅メッキ１５においても同様で、その銅メッキ１５の厚さを、電源コントローラの制御容量に合わせ、適切なインダクタンスとすることができる。

【００３６】そして、第１実施例ではコイル７の内周部に真鍮スリーブ５を入れるために、ソレノイド本体２の内部スペースが大きくなってしまうことがあるが、本実施例のように銅メッキ１５を施すことにより、真鍮スリーブ５を廃することができ、ソレノイド本体２の内部のスペースを有効に使用できるようになる。すなわち、ソレノイド本体２の内部の省スペース化が図れる。その他の構成および作用については第１実施例と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。

【００３７】図５には、本考案の第３の実施例が示されている。本実施例のソレノイド１Ａの概略構成は、両端が開口する筒状のソレノイド本体２Ａと、このソレノイド本体２Ａの一方の開口部内周に挿入固定される磁性体製の固定部材としてのセンタポスト３Ａと、ソレノイド本体２Ａの他方の開口部内周に往復動自在に挿入されるプランジャ４Ａと、このプランジャ４Ａの外周部に一体的に設けられるうず電流を発生させる非磁性体製の導電体から成るうず電流発生手段としての真鍮スリーブ５Ａと、から構成されている。

【００３８】ソレノイド本体２Ａは、円筒状のケース６Ａ内周に収納されるコイル７Ａと、ケース６Ａの一方の開口端部を閉塞するフロントボディ１６と、ケース６Ａの他方の開口端部を閉塞してケース６Ａとコイル７Ａの他方の開口部内周に挿入される磁性体製で円筒状のボディ１７とを連結固定するワッシャ状のアッパープレート９Ａと、から構成されている。

【００３９】フロントボディ１６は段付きの筒状部材で、大径部１８と、小径部１９と、から構成されており、大径部１８がケース６Ａの内周に嵌合固定され、小径部１９の外周がブラケット２０の内周に嵌合されている。このフロントボディ１６にはセンタポスト３Ａが挿入される孔２１が貫通形成されており、この孔２１のケース６Ａ側の開口端縁にはケース側段部２２が形成され、またケース６Ａの反対側の開口端縁にも段部２３が形成されている。そして、フロントボディ１６の孔２１の内周にセンタポスト３Ａが液密に挿入され、センタポスト３Ａに設けられている外向きフランジ部３１の端面が孔２１の開口端縁の段部２３の端面に当接して固定されている。また、フロントボディ１６のケース側段部２２とセンタポスト３Ａの外周部とから形成される溝２４とボディ１７の端部に設けた段凹部２５間に連結スリーブ２６が嵌合され、センタポスト３Ａとボディ１７が同軸上に連結固定されている。

【００４０】センタポスト３Ａは、外向きフランジ部３１を有する円筒状で、その内周にはプランジャ４Ａと作動連結されるロッド１２Ａが往復動自在に挿入されるロッド案内孔２７が貫通形成され、そのロッド案内孔２７にはロッド軸受２８が嵌合固定されている。また、センタポスト３Ａの円周部２９のボディ１７側は径方向内側に向かうテーパ面が形成されている。

【００４１】そして、センタポスト３Ａとボディ１７間にプランジャ４Ａが往復動自在に挿入されており、プランジャ４Ａのセンタポスト３Ａ側端部はセンタポスト３Ａの円周部２９のテーパ面に沿ったテーパ状となっている。

【００４２】また、プランジャ４Ａにはプランジャ４Ａに設けられた貫通孔３０にロッド１２Ａが摺動自在に挿入されている。このロッド１２Ａの一端は貫通孔３０を通り抜けて円筒状のボディ１７の内周部に、その内周部に嵌合固定されるロッド軸受３２を介して挿入されており、この端部にはスプリングリテーナ３３が設けられている。そして、他端はセンタポスト３Ａのロッド案内孔２７にロッド軸受２８を介して往復動自在に挿入されている。

【００４３】また、ボディ１７の内周部にはスプリング３４が挿入されており、このスプリング３４は、一端がスプリングリテーナ３３に当接し、他端がボディ１７内周部の開口端部にねじ込み固定されるばね力調整ねじ部材であるアジャストスクリュー３５に当接して装着されており、スプリング８のばね力によって、スプリングリテーナ３３を介してロッド１２Ａをバルブ等の相手取付部材（図示せず）側に付勢している。

【００４４】そして、コイル７Ａに通電することにより、コイル７Ａ、ボディ１７、プランジャ４Ａ、センタポスト３Ａにより形成される磁束の通る部位であるプランジャ４Ａの外周部にうず電流発生手段として真鍮スリーブ５Ａが取付けられている。このうず電流発生手段は上記第１実施例では第１実施例のソレノイド１において磁束の通る部位であるプランジャ４の外周部でコイル７の内周に真鍮スリーブ５が配設され、第２実施例では磁束の通る部位である磁性体製のスリーブ１０の大径部１０Ａと小径部１０Ｂの外周面及び段部１０Ｃのコイル７の上端面の当接面、プランジャ４の外周面の全面、センタポスト３の外周面のコイル７の下端部までの面に、それぞれ銅メッキ１５が施したものとしたが、この実施例では、プランジャ４Ａの外周部に外周部のプランジャ４Ａのボディ１７側端部からセンタポスト３Ａ側端部のテーパ状となっている近傍までの長さの真鍮スリーブ５Ａを一体的に設けたものである。

【００４５】上記構成のソレノイド１Ａにあっては、電源コントローラ（図示せず）からの制御電流によってコイル７Ａに通電することによってプランジャ４Ａとセンタポスト３Ａ間を通る磁束が発生してセンタポスト３Ａにプランジャ４Ａが磁気吸引され、次にコイル７Ａの通電を切ると相手取付部材側からの圧力によって作動連結されるロッド１２Ａを介してプランジャ４Ａがセンタポスト３Ａから離間される。

【００４６】そして、磁束変化時に、上記各実施例と同様にプランジャ４Ａの外周部に真鍮スリーブ５Ａが一体的に設けられていることから、この真鍮スリーブ５Ａ内に逆起電力が発生する。この起電力は磁束変化を妨げる電流を生じるような向きに発生することにより、うず電流の発生状態を変化させている。これによってインダクタンスが低減されることになる。

【００４７】また、真鍮スリーブ５Ａはプランジャ４Ａの外周部に一体的に設けられていることから、プランジャ４Ａのストローク位置の変化に応じて真鍮スリーブ５Ａの位置も変化する。従ってプランジャ４Ａのストローク位置の変化に応じてうず電流の発生状態を変化させることができる。すなわち、プランジャ４Ａがストロークすることによるインダクタンスの変化量を小さくすることができ、起電力の発生を小さくすることができる。これにより、従来技術の欠点であった電源コントローラの波形の乱れを解消し、コントローラへの負荷を小さくすることができる。

【００４８】ここで、本実施例において、プランジャ４Ａのストローク位置変化によるインダクタンスの変化量がどれくらい低減するか図６に示す真鍮スリーブ５Ａをプランジャ４Ａと一体化せず一箇所に固定した場合と、図７に示す真鍮スリーブ５Ａとプランジャ４Ａを一体化した場合の試験用ソレノイドを用いて、プランジャ４Ａとセンタポスト３Ａ間のストローク位置Ｓｔを４．４mmと０mmについて周波数１００Ｈｚ，２００Ｈｚそれぞれで比較実験した。その結果を下記の表５に示す。

【００４９】

【表５】以上のインダクタンスの測定結果からわかるように、本実施例のソレノイド１Ａは真鍮スリーブ５Ａを一箇所に固定した場合と比べて、どの周波数においてもストローク位置変化によるインダクタンスの変化量が確実に低減されている。

【００５０】図８には、本考案の第４の実施例が示されている。上記第１実施例ではうず電流発生手段として磁束の通る部位であるプランジャ４の外周部及びセンタポスト３の外周の中途部に円筒状の真鍮スリーブ５を配設したが、この実施例では、上記第１実施例において、真鍮スリーブ５の、磁束の集中する吸引部であるスリーブ１０とセンタポスト３間の位置で、プランジャ４の外周面近傍まで突出する突状部分５１を設けた突部形状付きスリーブ５Ｂとしたものである。この突部形状付きスリーブ１０の材質は、上記第１実施例と同様に真鍮に限ることなく黄銅であっても良く、非磁性体製の導電体であれば良い。その他の構成および作用については第１実施例と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。

【００５１】ここで、本実施例において、突部形状付きスリーブ５Ｂを用いたときインダクタンスがどれくらい低減するか、図２に示す試験用ソレノイドにおいて、第１実施例における図２に示す突状部分５１のない試験用の円筒状の真鍮スリーブ５と、本実施例における図９に示す試験用の突部形状付きスリーブ５Ｂと比較実験したので、その結果を下記の表６及び表７に示す。測定条件は、試験用ソレノイドにおいて、プランジャ４の径Ｄ：１８mm、プランジャ４とセンタポスト３間のストローク位置Ｓｔ：３mm、センタポスト３の吸引面側端面とセンタポスト３外周部端面間Ｓ：２．７５mmとなっており、印加電流は１０ｍＡで、周波数は２０，１００，２００，２５０Ｈｚとなっている。

【００５２】まず、突状部分５１のない真鍮スリーブ５について、真鍮スリーブ５の肉厚ｔ：０．８，１．０，１．２mmとしたときのインダクタンスの測定結果を下記の表６に示す。

【００５３】

【表６】上記表６からわかるように、真鍮スリーブ５の肉厚ｔを厚くしていくと、インダクタンスは低減されるが、低減率は小さくなっていくことがわかる。

【００５４】そして、図９に示す突部形状付きスリーブ５Ｂについて、材質を真鍮とし、円筒部の肉厚ｔ：１．２mmとしたときのインダクタンスの測定結果を下記の表７に示す。

【００５５】

【表７】上記表７から、突状部分５１を設けると、表６で示すように真鍮スリーブ５の肉厚ｔを厚くするよりも効率的にインダクタンスを低減できる。そのため省スペースとすることができる。

【００５６】図１０には、本考案の第５の実施例が示されている。本実施例のソレノイド１Ｂは、両端が開口する筒状のソレノイド本体２Ｂと、このソレノイド本体２Ｂの一方の開口部内周に挿入される磁性体製の固定部材としてのセンタポスト３Ｂと、ソレノイド本体２Ｂの他方の開口部内周に挿入されるシリンダＢ３６と、そのシリンダＢ３６内周にプランジャ軸受１１Ｂを介して往復動自在に挿入されるプランジャ４Ｂと、ソレノイド本体２Ｂの他方の開口部を閉塞すると共に、プランジャ４Ｂの軸方向の動きを規制するためのシリンダＢ３６内周にねじ込み固定されるキャップ３７と、から構成されている。

【００５７】そして、シリンダＢ３６とセンタポスト３Ｂとは、それぞれに設けられる段凹部２５ＢにシリンダＡ３８が嵌合されて同軸上に連結固定されている。

【００５８】また、シリンダＢ３６とセンタポスト３Ｂは、ソレノイド本体２Ｂに対して螺合されて固定されている。

【００５９】このような構成のソレノイド１Ｂであるため、うず電流発生手段としての上記第４実施例で示した突部形状付きスリーブ５Ｂを組込むことができない。

【００６０】そこで、本実施例にあっては、シリンダＡ３８自体を銅溶着により成形し、磁束が集中する吸引部付近、すなわち、プランジャ４Ｂのセンタポスト３Ｂ寄りの外周面近傍まで突出する突状部分５１Ｂを設けて、うず電流発生手段としたものである。その他の構成および作用については第４実施例と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。

【００６１】尚、上記各実施例では、非磁性体製の導電体から成るうず電流発生手段としての真鍮スリーブ５，５Ａ，銅メッキ１５及び突部形状付きスリーブ５Ｂの配置をプランジャ４の外周部とセンタポスト３の外周の中途部までの間、プランジャ４Ａの外周部及びスリーブ１０の外周面、プランジャ４の外周面、センタポスト３の外周面、スリーブ１０とセンタポスト３間に突状部分５１としたが、この位置に限定されず磁束の通る部位、いわゆるソレノイドのうず電流の発生状態を変化させられる位置であればよい。また、材質についてもうず電流を発生するもの、つまり非磁性体製の導電体であればよい。

【００６２】

【考案の効果】

本考案は、以上の構成および作用を有するもので、うず電流を発生させる非磁性体製の導電体から成るうず電流発生手段を磁束の通る部位に設けたので、磁束変化時に磁束の通る部位に逆起電力が発生し、この起電力が、磁束変化を妨げる電流を生じるような向きにうず電流の発生状態が変化することから、磁束変化が低減され、インダクタンスの低減化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本考案の一実施例に係るソレノイドの全
体縦断面図である。

【図２】図２はインダクタンスの大きさを調べるための
試験用ソレノイドの要部縦断面図である。

【図３】図３はインダクタンス測定用の測定等価回路図
である。

【図４】図４は本考案の第２の実施例に係るソレノイド
の全体縦断面図である。

【図５】図５は本考案の第３の実施例に係るソレノイド
の全体縦断面図である。

【図６】図６は図５のソレノイドにおいて、真鍮スリー
ブを一箇所に固定した場合のインダクタンスの大きさを
調べるための試験用ソレノイドの要部縦断面図であり、
同図（ａ）はストローク位置が４．４mmの時の要部縦断
面図であり、同図（ｂ）はストローク位置が０mmの時の
要部縦断面図である。

【図７】図７は図５のソレノイドのインダクタンスの大
きさを調べるための試験用ソレノイドの要部縦断面図で
あり、同図（ａ）はストローク位置が４．４mmの時の要
部縦断面図であり、同図（ｂ）はストローク位置が０mm
の時の要部縦断面図である。

【図８】図８は本考案の第４の実施例に係るソレノイド
の全体縦断面図である。

【図９】図９は図８のソレノイドのインダクタンスの大
きさを調べるための試験用の突部形状付きスリーブの要
部縦断面図である。

【図１０】図１０は本考案の第５の実施例に係るソレノ
イドの全体縦断面図である。

【図１１】図１１は従来のソレノイドの全体縦断面図で
ある。

【図１２】図１２は制御電流に重畳されるディザ電流の
波形を示すもので、同図（ａ）は方形波であり、同図
（ｂ）は三角形波である。

【図１３】図１３は他の従来例のソレノイドの全体縦断
面図である。

【符号の説明】

１，１Ａ，１Ｂソレノイド２，２Ａ，２Ｂソレノイド本体３，３Ａ，３Ｂセンタポスト（固定部材）３１外向きフランジ部４，４Ａ，４Ｂプランジャ（可動部材）４１貫通孔５，５Ａ真鍮スリーブ（うず電流発生手段）５Ｂ突部形状付きスリーブ（うず電流発生手段）５１，５１Ｂ突状部分６，６Ａケース７，７Ａコイル７１突出部８固定プレート９，９Ａアッパープレート１０スリーブ１０Ａ大径部１０Ｂ小径部１０Ｃ段部１１，１１Ｂプランジャ軸受１２，１２Ａロッド１３ロッド軸受１４シム１５銅メッキ（うず電流発生手段）１６フロントボディ１７ボディ１８大径部１９小径部２０ブラケット２１孔２２ケース側段部２３段部２４溝２５，２５Ｂ段凹部２６連結スリーブ２７ロッド案内孔２８，３２ロッド軸受２９円周部３０貫通孔３３スプリングリテーナ３４スプリング３５アジャストスクリュー３６シリンダＢ３７キャップ３８シリンダＡ（うず電流発生手段）

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】磁性体製の固定部材と、該固定部材と同
軸的に配置される磁性体製の可動部材と、固定部材を取
囲むように配置されるコイルとを備え、前記コイルに通
電することによって前記固定部材に可動部材を磁気吸引
するソレノイドにおいて、磁束変化によってうず電流を発生させる非磁性体製の導
電体から成るうず電流発生手段を、磁束の通る部位に設
けたことを特徴とするソレノイド。