JPH06260845A - Differential input type reception circuit - Google Patents

Differential input type reception circuit

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JPH06260845A
JPH06260845A JP5043966A JP4396693A JPH06260845A JP H06260845 A JPH06260845 A JP H06260845A JP 5043966 A JP5043966 A JP 5043966A JP 4396693 A JP4396693 A JP 4396693A JP H06260845 A JPH06260845 A JP H06260845A
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JP
Japan
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circuit
transistor
differential
level
signal
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Application number
JP5043966A
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Japanese (ja)
Inventor
Shoichi Yagashira
正一 谷頭
Tatsuro Nakahara
達郎 中原
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Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reduce power consumption when a reception function is stopped by providing a functional control element at a differential amplifier circuit, and controlling the amplification function of the differential amplifier circuit based on an operation permission signal. CONSTITUTION:The differential amplifier circuit 11 which performs the differential amplification of two input signals IN1, IN2, and an output control circuit 12 which outputs a differentially amplified signal level based on the operation permission signal IN3 are provided. The functional control element 13 is provided at the circuit 11, and the element 13 controls the amplification function of the amplifier circuit 11 based on the signal IN3. For example, the element 13 consists of an n-field effect transistor TN, and the transistor TN is connected between a differential point (c) provided at the amplifier circuit 11 and a constant current source Io, and the signal IN3 is supplied to the gate of the transistor TN. As a result, it is possible to supply the operation permission signal to the differential input/output stages of the amplifier circuit 11 and to control an amplification output function and to reduce the power consumption when the reception function is stopped.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】 〔目 次〕 産業上の利用分野 従来の技術(図32) 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段(図1〜4) 作用 実施例 (1)第1の実施例(図5,6) (2)第2の実施例(図7,8) (3)第3の実施例(図9,10) (4)第4の実施例(図11,12) (5)第5の実施例(図13) (6)第6の実施例(図14) (7)第7の実施例(図15) (8)第8の実施例(図16) (9)第9の実施例(図17) (10)第10の実施例(図18) (11)第11の実施例(図19) (12)第12の実施例(図20) (13)第13の実施例(図21) (14)第14の実施例(図22) (15)第15の実施例(図23) (16)第16の実施例(図24) (17)第17の実施例(図25) (18)第18の実施例(図26) (19)第19の実施例(図27) (20)第20の実施例(図28) (21)第21の実施例(図29) (22)第22の実施例(図30) (23)第23の実施例(図31) 発明の効果[Table of Contents] Industrial Application Field of the Invention Conventional Technology (FIG. 32) Problem to be Solved by the Invention Means for Solving the Problems (FIGS. 1 to 4) Action Example (1) First Example (FIGS. 5, 6) (2) Second embodiment (FIGS. 7, 8) (3) Third embodiment (FIGS. 9, 10) (4) Fourth embodiment (FIGS. 11, 12) (5) ) Fifth embodiment (FIG. 13) (6) Sixth embodiment (FIG. 14) (7) Seventh embodiment (FIG. 15) (8) Eighth embodiment (FIG. 16) (9) 9th embodiment (FIG. 17) (10) 10th embodiment (FIG. 18) (11) 11th embodiment (FIG. 19) (12) 12th embodiment (FIG. 20) (13) 13th embodiment Example (Fig. 21) (14) Fourteenth Example (Fig. 22) (15) Fifteenth Example (Fig. 23) (16) Sixteenth Example (Fig. 24) (17) Seventeenth Example (Figure 25) (18) 18th Example (Figure 26) (19) 19th Example (Figure 27) (20) 20th Example (Figure 28) (21) 21st Example Example (29) (22) Example of 22 (FIG. 30) (23) 23 Example (FIG. 31) the effect of the invention of

【0002】[0002]

【産業上の利用分野】本発明は、差動入力型受信回路に
関するものであり、更に詳しく言えば、電話回線に接続
される通信モデムの入力インターフェース回路に用いら
れる受信回路の改善に関するものである。近年、電話回
線や専用回線等に接続して各種情報通信を行う電子機器
の消費電力の低減化の要求に伴い、その通信モデムの入
力インターフェース回路に使用される半導体集積回路
(以下LSIという)装置も低消費電力化が要求されて
いる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a differential input type receiving circuit, and more particularly to improvement of a receiving circuit used as an input interface circuit of a communication modem connected to a telephone line. . 2. Description of the Related Art In recent years, a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as LSI) device used as an input interface circuit of a communication modem has been required in response to a demand for reduction of power consumption of electronic devices connected to a telephone line or a dedicated line for various information communication. Also, low power consumption is required.

【0003】これによれば、当該通信モデムの受信機能
を停止/継続を切り換える3ステート回路が差動増幅回
路の後段に接続され、イネーブル信号が3ステート回路
のみに供給されている。このため、イネーブル信号によ
り当該通信モデムの受信機能が停止されるものの、電話
回線や専用回線の入力信号を受けて、差動増幅回路の構
成トランジスタがON/OFF動作を継続し、受信機能の
停止状態でも電力消費が発生し続ける。
According to this, a 3-state circuit for switching between stopping and continuing the receiving function of the communication modem is connected to a subsequent stage of the differential amplifier circuit, and an enable signal is supplied only to the 3-state circuit. Therefore, although the receiving function of the communication modem is stopped by the enable signal, the constituent transistors of the differential amplifier circuit continue the ON / OFF operation in response to the input signal of the telephone line or the dedicated line, and the receiving function is stopped. Power consumption continues to occur even in the state.

【0004】そこで、差動増幅回路と3ステート回路と
にイネーブル信号を供給して増幅出力機能を制御し、受
信機能の停止状態時の消費電力を極力低減することがで
きる回路が望まれている。
Therefore, there is a demand for a circuit capable of supplying an enable signal to the differential amplifier circuit and the three-state circuit to control the amplification output function and reducing power consumption as much as possible when the reception function is stopped. .

【0005】[0005]

【従来の技術】図32は、従来例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。例えば、電話回線や専用回線に接続
される通信モデム等の入力インターフェース回路に見ら
れるような差動入力型受信回路は、図32において、差動
増幅回路1,3ステート回路2から成る。差動増幅回路
1はn型の電界効果トランジスタTN1〜TN4,p型の電
界効果トランジスタTP1〜TP3から成り、例えば、定電
流源用トランジスタTN1,差動対トランジスタTN3,T
N4,カレントミラー用トランジスタTP1,TP2,バイア
ス回路1B及びインバータ1Aから成る。なお、3ステ
ート回路2は当該通信モデムの受信機能を停止/継続を
切り換えるために接続される。
2. Description of the Related Art FIG. 32 is a block diagram of a differential input type receiving circuit according to a conventional example. For example, a differential input type receiving circuit as found in an input interface circuit such as a communication modem connected to a telephone line or a dedicated line comprises a differential amplifier circuit 1 and a 3-state circuit 2 in FIG. The differential amplifier circuit 1 is composed of n-type field effect transistors TN1 to TN4 and p-type field effect transistors TP1 to TP3. For example, a constant current source transistor TN1 and a differential pair transistor TN3, T.
N4, current mirror transistors TP1 and TP2, a bias circuit 1B and an inverter 1A. The three-state circuit 2 is connected to switch the receiving function of the communication modem between stop and continue.

【0006】また、差動入力型受信回路の動作は、例え
ば、イネーブル信号IN3=「H」(ハイ)レベルでON
動作をし、当該通信モデムの受信機能を継続する。ここ
で、入力信号IN1,IN2の電圧関係がIN1>IN2の時に
は、差動増幅回路1のa,b点の電位はVa<Vbとな
り、また、インバータ1Aの閾値電圧Vthとa点の電位
Vaとの関係がVth>Vaであれば、トランジスタTP3
がON動作してe点は「H」レベルになる。
The operation of the differential input type receiving circuit is ON when the enable signal IN3 = “H” (high) level, for example.
It operates and continues the receiving function of the communication modem. Here, when the voltage relationship between the input signals IN1 and IN2 is IN1> IN2, the potentials at points a and b of the differential amplifier circuit 1 are Va <Vb, and the threshold voltage Vth of the inverter 1A and the potential Va at point a are Va. If the relation with Vth> Va, then the transistor TP3
Is turned on and the point e becomes "H" level.

【0007】同様に、入力電圧がIN1<IN2の時には、
a,b点の電位関係がVa>Vbとなり、また、インバ
ータ1Aの閾値関係がVth<Vaであれば、トランジス
タTN2がON動作してe点は「L」(ロー)レベルにな
る。この際に、バイアス回路1BからトランジスタTN1
に、差動増幅回路1の動作電流を決定するゲート電圧が
供給される。なお、イネーブル信号IN3=「L」レベル
で当該通信モデムの受信機能が停止,すなわち、3ステ
ート回路2がOFF動作をし、その出力部がハイ・インピ
ーダンス状態(以下Z状態という)にされる。
Similarly, when the input voltage is IN1 <IN2,
If the potential relationship between points a and b is Va> Vb, and the threshold relationship of the inverter 1A is Vth <Va, the transistor TN2 is turned on and the point e becomes "L" (low) level. At this time, from the bias circuit 1B to the transistor TN1
Further, a gate voltage that determines the operating current of the differential amplifier circuit 1 is supplied. When the enable signal IN3 = “L” level, the reception function of the communication modem is stopped, that is, the three-state circuit 2 performs the OFF operation, and the output part thereof is set to the high impedance state (hereinafter referred to as the Z state).

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来例によ
れば、当該通信モデムの受信機能の停止/継続を切り換
える3ステート回路2が差動増幅回路1の後段に接続さ
れ、イネーブル信号IN3が3ステート回路(以下出力制
御回路ともいう)2のみに供給されている。このため、
イネーブル信号(以下動作許可信号ともいう)IN3=
「L」レベルにより、当該通信モデムの受信機能が停止
するものの、入力信号IN1,IN2の電圧関係,IN1>IN
2及びIN1<IN2を受けて、差動増幅回路1のトランジ
スタTP1,TP2,TN1,TN3,TN4がON/OFF動作を
し続ける。
By the way, according to the conventional example, the 3-state circuit 2 for switching the stop / continuation of the receiving function of the communication modem is connected to the subsequent stage of the differential amplifier circuit 1 and the enable signal IN3 is set to 3. It is supplied only to the state circuit (hereinafter also referred to as the output control circuit) 2. For this reason,
Enable signal (hereinafter also referred to as operation enable signal) IN3 =
Although the receiving function of the communication modem is stopped by the "L" level, the voltage relationship between the input signals IN1 and IN2, IN1> IN
2 and IN1 <IN2 are received, the transistors TP1, TP2, TN1, TN3, and TN4 of the differential amplifier circuit 1 continue ON / OFF operation.

【0009】これにより、受信機能の停止状態でも電力
消費が発生し続け、電話回線や専用回線等に接続して各
種情報通信を行う電子機器の消費電力の低減化の妨げと
なるという問題がある。本発明は、かかる従来例の問題
点に鑑み創作されたものであり、差動入力段とその出力
段とに動作許可信号を供給して増幅出力機能を制御し、
受信機能の停止状態時の消費電力を極力低減することが
可能となる差動入力型受信回路の提供を目的とする。
As a result, power consumption continues to occur even when the reception function is stopped, which hinders the reduction of power consumption of electronic equipment that is connected to a telephone line or a dedicated line to perform various information communications. . The present invention was created in view of the problems of the conventional example, and supplies an operation permission signal to the differential input stage and its output stage to control the amplification output function,
An object of the present invention is to provide a differential input type receiving circuit that can reduce power consumption as much as possible when the receiving function is stopped.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】図1〜4は、本発明に係
る差動入力型受信回路の原理図(その1〜4)をそれぞ
れ示している。本発明の第1の差動入力型受信回路は図
1に示すように、2つの入力信号IN1,IN2の差動増幅
をする差動増幅回路11と、前記差動増幅された信号レ
ベルを動作許可信号IN3に基づいて出力する出力制御回
路12とを具備し、前記差動増幅回路11に機能制御素
子13が設けられ、前記機能制御素子13が動作許可信
号IN3に基づいて差動増幅回路11の増幅機能を制御す
ることを特徴とする。
1 to 4 respectively show principle diagrams (1 to 4) of a differential input type receiving circuit according to the present invention. As shown in FIG. 1, a first differential input type receiving circuit of the present invention operates a differential amplifier circuit 11 for differentially amplifying two input signals IN1 and IN2, and a differentially amplified signal level. An output control circuit 12 that outputs based on the permission signal IN3, a function control element 13 is provided in the differential amplifier circuit 11, and the function control element 13 operates based on the operation permission signal IN3. It is characterized by controlling the amplification function of.

【0011】なお、本発明の第1の差動入力型受信回路
において、前記機能制御素子13がn型の電界効果トラ
ンジスタTNから成り、図2(A)に示すように、前記
n型の電界効果トランジスタTNが差動増幅回路11に
設けられた差動点cと定電流源Ioとの間に接続され、
前記n型の電界効果トランジスタTNのゲートに動作許
可信号IN3が供給されることを特徴とする。
In the first differential input type receiving circuit of the present invention, the function control element 13 is composed of an n-type field effect transistor TN, and as shown in FIG. The effect transistor TN is connected between the differential point c provided in the differential amplifier circuit 11 and the constant current source Io,
An operation permission signal IN3 is supplied to the gate of the n-type field effect transistor TN.

【0012】また、本発明の第2の差動入力型受信回路
は図2(B)に示すように、前記機能制御素子13がバ
イアス供給制御回路13Aから成り、前記バイアス供給制
御回路13Aが、差動増幅回路11の定電流源Ioとバイ
アス回路11Aとの間に接続され、前記バイアス供給制御
回路13Aが動作許可信号IN3に基づいて制御されること
を特徴とする。
Further, in the second differential input type receiving circuit of the present invention, as shown in FIG. 2B, the function control element 13 is composed of a bias supply control circuit 13A, and the bias supply control circuit 13A is It is characterized in that it is connected between the constant current source Io of the differential amplifier circuit 11 and the bias circuit 11A, and the bias supply control circuit 13A is controlled based on the operation permission signal IN3.

【0013】さらに、本発明の第3の差動入力型受信回
路は前記機能制御素子13が図3(A)に示すように、
p型の電界効果トランジスタTP及びn型の電界効果ト
ランジスタTNから成り、前記p型の電界効果トランジ
スタTPが差動増幅回路11のカレントミラー回路11B
の共通ゲートと高電位側の電源線VCCとの間に接続さ
れ、前記n型の電界効果トランジスタTNがカレントミ
ラー回路11Bの共通ゲートと差動増幅回路11の一方の
差動対トランジスタTN3又はTN4のドレインに接続さ
れ、前記p型及びn型の電界効果トランジスタTP,T
Nのゲートに動作許可信号IN3が供給されることを特徴
とする。
Further, in the third differential input type receiving circuit of the present invention, as the function control element 13 is as shown in FIG.
It is composed of a p-type field effect transistor TP and an n-type field effect transistor TN, and the p-type field effect transistor TP is a current mirror circuit 11B of the differential amplifier circuit 11.
Of the n-type field effect transistor TN connected between the common gate of the current mirror circuit 11B and the power source line Vcc on the high potential side, and the differential pair transistor TN3 or TN4 of the differential amplifier circuit 11 and the common gate of the current mirror circuit 11B. Of the p-type and n-type field effect transistors TP and T connected to the drains of the
The operation enable signal IN3 is supplied to the N gate.

【0014】また、本発明の第4の差動入力型受信回路
は図3(B)に示すように、前記機能制御素子13が第
1のスイッチング回路13Bから成り、前記第1のスイッ
チング回路13Bが差動増幅回路11の差動対トランジス
タTN3,TN4のゲートと低電位側の電源線GNDと入力信
号IN1,IN2の供給部との間に接続され、前記第1のス
イッチング回路13Bが、動作許可信号IN3及び該動作許
可信号IN3の反転信号に基づいて制御されることを特徴
とする。
Further, in the fourth differential input type receiving circuit of the present invention, as shown in FIG. 3B, the function control element 13 comprises a first switching circuit 13B, and the first switching circuit 13B. Is connected between the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4 of the differential amplifier circuit 11 and the power supply line GND on the low potential side and the supply parts of the input signals IN1 and IN2, and the first switching circuit 13B operates. It is characterized in that it is controlled based on the permission signal IN3 and an inverted signal of the operation permission signal IN3.

【0015】さらに、本発明の第5の差動入力型受信回
路は図4(A)に示すように、前記機能制御素子13が
第2のスイッチング回路13Cから成り、前記第2のスイ
ッチング回路13Cが差動増幅回路11の差動対トランジ
スタTN3,TN4とカレントミラー回路11Cとの間に接続
され、前記第2のスイッチング回路13Cが、動作許可信
号IN3又は動作許可信号IN3の反転信号に基づいて制御
されることを特徴とする。
Further, in the fifth differential input type receiving circuit of the present invention, as shown in FIG. 4 (A), the function control element 13 comprises a second switching circuit 13C, and the second switching circuit 13C. Is connected between the differential pair transistors TN3 and TN4 of the differential amplifier circuit 11 and the current mirror circuit 11C, and the second switching circuit 13C is based on the operation permission signal IN3 or the inverted signal of the operation permission signal IN3. It is characterized by being controlled.

【0016】また、本発明の第6の差動入力型受信回路
は第1〜第4の差動入力型受信回路において、図4
(B)に示すように、前記機能制御素子13がn型の電
界効果トランジスタTN又はp型の電界効果トランジス
タTPから成り、前記n型の電界効果トランジスタTN
又はp型の電界効果トランジスタTPが差動増幅回路1
1の出力回路11Dに接続され、前記n型の電界効果トラ
ンジスタTN又はp型の電界効果トランジスタTPが、
動作許可信号IN3又は動作許可信号IN3の反転信号又は
両信号の遅延信号に基づいて制御されることを特徴とす
る。
The sixth differential input type receiving circuit of the present invention is the same as the first to fourth differential input type receiving circuits shown in FIG.
As shown in (B), the function control element 13 includes an n-type field effect transistor TN or a p-type field effect transistor TP, and the n-type field effect transistor TN.
Alternatively, the p-type field effect transistor TP is the differential amplifier circuit 1.
1 is connected to the output circuit 11D, and the n-type field effect transistor TN or the p-type field effect transistor TP is
It is characterized in that it is controlled based on the operation permission signal IN3, an inverted signal of the operation permission signal IN3, or a delay signal of both signals.

【0017】さらに、本発明の第7の差動入力型受信回
路は第1〜第6の差動入力型受信回路において、図1に
示すように、前記出力制御回路12又は機能制御素子1
3遅延回路14が接続され、前記遅延回路14が動作許
可信号IN3を遅延することを特徴とし、上記目的を達成
する。
Further, the seventh differential input type receiving circuit of the present invention is the same as the first to sixth differential input type receiving circuits, as shown in FIG.
The third delay circuit 14 is connected, and the delay circuit 14 delays the operation permission signal IN3, thereby achieving the above object.

【0018】[0018]

【作 用】本発明の第1の差動入力型受信回路によれ
ば、図1に示すように差動増幅回路11及び出力制御回
路12が具備され、機能制御素子13が差動増幅回路1
1に設けられ、該差動増幅回路11の増幅機能が動作許
可信号IN3に基づいて制御される。
[Operation] According to the first differential input type receiving circuit of the present invention, the differential amplifier circuit 11 and the output control circuit 12 are provided as shown in FIG. 1, and the function control element 13 is the differential amplifier circuit 1.
1 and controls the amplification function of the differential amplifier circuit 11 based on the operation permission signal IN3.

【0019】例えば、入力信号IN1,IN2を受信する場
合には、図2(A)に示すように、差動増幅回路11の
差動点cと定電流源Ioとの間に接続されたn型の電界
効果トランジスタTN(機能制御素子13)のゲートに
動作許可信号IN3=「H」レベルを供給することによ
り、該トランジスタTNがON動作をし、差動増幅回路
11の増幅機能が維持され、入力信号IN1,IN2が差動
増幅される。また、差動増幅された信号レベルが動作許
可信号IN3=「H」レベルに基づいて出力制御回路12
から内部回路に出力される。
For example, when receiving the input signals IN1 and IN2, as shown in FIG. 2A, n connected between the differential point c of the differential amplifier circuit 11 and the constant current source Io. -Type field effect transistor TN (function control element 13) is supplied with the operation permission signal IN3 = “H” level, the transistor TN is turned on, and the amplification function of the differential amplifier circuit 11 is maintained. , The input signals IN1 and IN2 are differentially amplified. Further, the differentially amplified signal level is based on the operation permission signal IN3 = “H” level, and the output control circuit 12
Output to the internal circuit.

【0020】さらに、入力信号IN1,IN2の受信停止
(受信拒否)をする場合には、トランジスタTNのゲー
トに動作許可信号IN3=「L」レベルを供給することに
より、該トランジスタTNがOFF動作をし、差動増幅回
路11の増幅機能が停止され、同時に、動作許可信号IN
3=「L」レベルに基づいて出力制御回路12の出力機
能が停止される。
Further, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped (reception refusal), the operation permission signal IN3 = “L” level is supplied to the gate of the transistor TN so that the transistor TN performs the OFF operation. Then, the amplification function of the differential amplifier circuit 11 is stopped, and at the same time, the operation permission signal IN
3 = The output function of the output control circuit 12 is stopped based on the “L” level.

【0021】このため、動作許可信号IN3=「L」レベ
ルにより、当該差動入力型受信回路の受信機能が停止さ
れると共に、入力信号IN1,IN2の電圧関係がIN1>IN
2及びIN1<IN2と変化する供給状態であっても、受信
機能の停止状態における差動増幅回路11の電源線VCC
−接地線GND間の電流径路がトランジスタTNにより遮
断され、差動増幅回路11のトランジスタ動作を強制的
に停止させることが可能となる。このことで、受信機能
の停止状態時の差動増幅回路11の電力消費を極力抑制
することが可能となる。
Therefore, the operation enable signal IN3 = "L" level stops the receiving function of the differential input type receiving circuit, and the voltage relationship between the input signals IN1 and IN2 is IN1> IN.
2 and IN1 <IN2, even if the supply state changes, the power supply line V CC of the differential amplifier circuit 11 in the state where the receiving function is stopped
The current path between the ground lines GND is cut off by the transistor TN, and the transistor operation of the differential amplifier circuit 11 can be forcibly stopped. This makes it possible to suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 11 when the reception function is stopped as much as possible.

【0022】これにより、電話回線や専用回線等に接続
して各種情報通信を行う電子機器に、当該差動入力型受
信回路を組み込んだ場合に、その低消費電力化を図るこ
とが可能となる。また、本発明の第2の差動入力型受信
回路によれば、図2(B)に示すように、バイアス供給
制御回路13Aが定電流源Ioとバイアス回路11Aとの間
に接続される。
As a result, when the differential input type receiving circuit is incorporated in an electronic device which is connected to a telephone line or a dedicated line for various information communication, the power consumption can be reduced. . Further, according to the second differential input type receiving circuit of the present invention, as shown in FIG. 2B, the bias supply control circuit 13A is connected between the constant current source Io and the bias circuit 11A.

【0023】例えば、図2(B)において、入力信号IN
1,IN2を受信する場合には、バイアス供給制御回路13
Aに動作許可信号IN3=「H」レベルを供給することに
より、該制御回路13Aが活性化をし、バイアス回路11A
と定電流源Ioとが接続され、差動増幅回路11の増幅
機能が維持され、入力信号IN1,IN2が差動増幅され
る。また、差動増幅された信号レベルが第1の差動入力
型受信回路と同様に動作許可信号IN3=「H」レベルに
基づいて出力制御回路12から内部回路に出力される。
For example, in FIG. 2B, the input signal IN
When receiving 1 and IN2, the bias supply control circuit 13
By supplying the operation permission signal IN3 = “H” level to A, the control circuit 13A is activated and the bias circuit 11A is activated.
And the constant current source Io are connected, the amplifying function of the differential amplifier circuit 11 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified. The differentially amplified signal level is output from the output control circuit 12 to the internal circuit based on the operation permission signal IN3 = “H” level as in the first differential input type receiving circuit.

【0024】さらに、入力信号IN1,IN2の受信停止を
する場合には、バイアス供給制御回路13Aに動作許可信
号IN3=「L」レベルを供給することにより、該制御回
路13Aが非活性化をし、バイアス回路11Aと定電流源I
oとの間を非接続状態にし、差動増幅回路11の増幅機
能が停止され、同時に、動作許可信号IN3=「L」レベ
ルに基づいて出力制御回路12の出力機能が停止され
る。
Further, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, the bias supply control circuit 13A is supplied with the operation permission signal IN3 = “L” level so that the control circuit 13A is inactivated. , Bias circuit 11A and constant current source I
O is disconnected and the amplification function of the differential amplifier circuit 11 is stopped, and at the same time, the output function of the output control circuit 12 is stopped based on the operation permission signal IN3 = “L” level.

【0025】このため、第1の差動入力型受信回路と同
様に、動作許可信号IN3=「L」レベルにより、受信機
能が停止されると共に、入力信号IN1,IN2が差動対ト
ランジスタTN3,TN4に供給される状態であっても、受
信停止時の差動増幅回路11のトランジスタ動作を強制
的に停止することが可能となる。これにより、第1の差
動入力型受信回路と同様に受信機能の停止状態時の差動
増幅回路11の電力消費を極力抑制することが可能とな
り、当該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消
費電力の低減化を図ることが可能となる。
For this reason, like the first differential input type receiving circuit, the reception function is stopped by the operation permission signal IN3 = "L" level, and the input signals IN1 and IN2 are changed to the differential pair transistor TN3 ,. Even when supplied to TN4, it is possible to forcibly stop the transistor operation of the differential amplifier circuit 11 when reception is stopped. As a result, like the first differential input type receiving circuit, it becomes possible to suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 11 when the receiving function is in a stopped state as much as possible, and an electronic device incorporating the differential input type receiving circuit. It is possible to reduce the power consumption of the device.

【0026】さらに、本発明の第3の差動入力型受信回
路によれば、図3(A)に示すように、カレントミラー
回路11Bの共通ゲートと高電位側の電源線VCCとの間に
p型の電界効果トランジスタTPが接続され、その共通
ゲートと差動増幅回路11の一方の差動対トランジスタ
TN3又はTN4のドレインとの間に、n型の電界効果トラ
ンジスタTNが接続され、両トランジスタTP,TNの
ゲートに動作許可信号IN3が供給される。
Further, according to the third differential input type receiving circuit of the present invention, as shown in FIG. 3A, between the common gate of the current mirror circuit 11B and the power supply line VCC on the high potential side. A p-type field effect transistor TP is connected, and an n-type field effect transistor TN is connected between the common gate of the p-type field effect transistor TP and the drain of one of the differential pair transistors TN3 or TN4 of the differential amplifier circuit 11. The operation permission signal IN3 is supplied to the gates of TP and TN.

【0027】例えば、図3(A)において、入力信号IN
1,IN2を受信する場合には、トランジスタTP,TN
のゲートに動作許可信号IN3=「H」レベルを供給する
ことにより、トランジスタTPがOFF動作をし、トラン
ジスタTNがON動作をする。これにより、カレントミ
ラー回路11Bが活性化をし、差動増幅回路11の増幅機
能が維持され、入力信号IN1,IN2が差動増幅される。
また、差動増幅された信号レベルが第1,第2の差動入
力型受信回路と同様に動作許可信号IN3=「H」レベル
に基づいて出力制御回路12から内部回路に出力され
る。
For example, in FIG. 3A, the input signal IN
When receiving 1 and IN2, the transistors TP and TN
By supplying the operation enable signal IN3 = “H” level to the gate of the transistor, the transistor TP performs the OFF operation and the transistor TN performs the ON operation. As a result, the current mirror circuit 11B is activated, the amplification function of the differential amplifier circuit 11 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified.
Further, the differentially amplified signal level is output from the output control circuit 12 to the internal circuit based on the operation permission signal IN3 = “H” level as in the first and second differential input type receiving circuits.

【0028】さらに、入力信号IN1,IN2の受信停止を
する場合には、トランジスタTP,TNのゲートに動作
許可信号IN3=「L」レベルを供給することにより、ト
ランジスタTPがON動作をし、トランジスタTNがO
FF動作をする。これにより、カレントミラー回路11Bが
非活性化をし、差動増幅回路11の増幅機能が停止さ
れ、同時に、動作許可信号IN3=「L」レベルに基づい
て出力制御回路12の出力機能が停止される。
Furthermore, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, the transistor TP is turned on by supplying the operation permission signal IN3 = “L” level to the gates of the transistors TP and TN. TN is O
Perform FF operation. As a result, the current mirror circuit 11B is deactivated, the amplification function of the differential amplifier circuit 11 is stopped, and at the same time, the output function of the output control circuit 12 is stopped based on the operation permission signal IN3 = “L” level. It

【0029】このため、第1,第2の差動入力型受信回
路と同様に、動作許可信号IN3=「L」レベルにより、
受信機能が停止されると共に、入力信号IN1,IN2が差
動対トランジスタTN3,TN4に供給される状態であって
も、受信停止時の差動増幅回路11のトランジスタ動作
を強制的に停止することが可能となる。これにより、第
1,第2の差動入力型受信回路と同様に受信停止時の差
動増幅回路11の電力消費を極力抑制することが可能と
なり、当該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の
消費電力の低減化を図ることが可能となる。
Therefore, like the first and second differential input type receiving circuits, the operation permission signal IN3 = “L” level causes
Even when the reception function is stopped and the input signals IN1 and IN2 are supplied to the differential pair transistors TN3 and TN4, the transistor operation of the differential amplifier circuit 11 when the reception is stopped is forcibly stopped. Is possible. As a result, like the first and second differential input type receiving circuits, it becomes possible to suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 11 when reception is stopped as much as possible, and an electronic device incorporating the differential input type receiving circuit. It is possible to reduce the power consumption of the device.

【0030】また、本発明の第4の差動入力型受信回路
によれば、図3(B)に示すように、差動対トランジス
タTN3,TN4のゲートと低電位側の電源線GNDと入力信
号IN1,IN2の供給部との間に第1のスイッチング回路
13Bが接続され、該回路13Bが動作許可信号IN3及びそ
の反転信号に基づいて制御される。例えば、図3(B)
において、入力信号IN1,IN2を受信する場合には、第
1のスイッチング回路13Bに動作許可信号IN3=「H」
レベルを供給することにより、第1のスイッチング回路
13BがON動作をし、入力信号IN1,IN2が差動対トラ
ンジスタTN3,TN4のゲートにそれぞれ供給され、両入
力信号IN1,IN2が差動増幅される。また、差動増幅さ
れた信号レベルが第1〜第3の差動入力型受信回路と同
様に動作許可信号IN3=「H」レベルに基づいて出力制
御回路12から内部回路に出力される。
Further, according to the fourth differential input type receiving circuit of the present invention, as shown in FIG. 3B, the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4 and the power source line GND on the low potential side are inputted. First switching circuit between the signal IN1 and IN2 supply section
13B is connected, and the circuit 13B is controlled based on the operation permission signal IN3 and its inverted signal. For example, FIG. 3 (B)
In the case of receiving the input signals IN1 and IN2, the operation permission signal IN3 = “H” is sent to the first switching circuit 13B.
The first switching circuit by supplying the level
13B is turned on, the input signals IN1 and IN2 are supplied to the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4, respectively, and both input signals IN1 and IN2 are differentially amplified. The differentially amplified signal level is output from the output control circuit 12 to the internal circuit based on the operation permission signal IN3 = “H” level as in the first to third differential input type receiving circuits.

【0031】さらに、入力信号IN1,IN2の受信停止を
する場合には、第1のスイッチング回路13Bに動作許可
信号IN3=「L」レベルを供給することにより、第1の
スイッチング回路13BがOFF動作をし、差動対トランジ
スタTN3,TN4のゲートが低電位側に固定され、両入力
信号IN1,IN2の供給が断たれ、差動増幅回路11の増
幅機能が停止され、同時に、動作許可信号IN3=「L」
レベルに基づいて出力制御回路12の出力機能が停止さ
れる。
Further, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, the operation permission signal IN3 = “L” level is supplied to the first switching circuit 13B so that the first switching circuit 13B is turned off. Then, the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4 are fixed to the low potential side, the supply of both input signals IN1 and IN2 is cut off, the amplifying function of the differential amplifier circuit 11 is stopped, and at the same time, the operation permission signal IN3. = "L"
The output function of the output control circuit 12 is stopped based on the level.

【0032】このため、第1〜第3の差動入力型受信回
路と同様に、動作許可信号IN3=「L」レベルにより、
受信機能が停止されると共に、差動対トランジスタTN
3,TN4のゲートが「L」レベルに固定されることで、
受信停止時における差動増幅回路11の増幅動作を停止
することが可能となる。これにより、第1〜第3の差動
入力型受信回路と同様に受信停止時の差動増幅回路11
の電力消費を極力抑制することが可能となり、当該差動
入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力の低減
化を図ることが可能となる。
Therefore, like the first to third differential input type receiving circuits, the operation permission signal IN3 = “L” level causes
The reception function is stopped and the differential pair transistor TN
By fixing the gate of 3, TN4 to "L" level,
It is possible to stop the amplification operation of the differential amplifier circuit 11 when reception is stopped. As a result, like the first to third differential input type receiving circuits, the differential amplifier circuit 11 when reception is stopped
It is possible to suppress the power consumption of the device as much as possible, and it is possible to reduce the power consumption of the electronic device incorporating the differential input type receiving circuit.

【0033】さらに、本発明の第5の差動入力型受信回
路によれば、図4(A)に示すように、差動対トランジ
スタTN3,TN4とカレントミラー回路11Cとの間に第2
のスイッチング回路13Cが接続され、該回路13Cが動作
許可信号IN3又は動作許可信号IN3の反転信号に基づい
て制御される。例えば、図4(A)において、入力信号
IN1,IN2を受信する場合には、第2のスイッチング回
路13Cに動作許可信号IN3=「H」レベルを供給するこ
とにより、第2のスイッチング回路13CがON動作を
し、カレントミラー回路11Cと差動対トランジスタTN
3,TN4とが接続され、差動増幅回路11の増幅機能が
維持され、入力信号IN1,IN2が差動増幅される。ま
た、差動増幅された信号レベルが第1〜第4の差動入力
型受信回路と同様に動作許可信号IN3=「H」レベルに
基づいて出力制御回路12から内部回路に出力される。
Further, according to the fifth differential input type receiving circuit of the present invention, as shown in FIG. 4A, the second pair is provided between the differential pair transistors TN3 and TN4 and the current mirror circuit 11C.
The switching circuit 13C is connected, and the circuit 13C is controlled based on the operation permission signal IN3 or the inverted signal of the operation permission signal IN3. For example, in FIG. 4A, the input signal
When receiving IN1 and IN2, by supplying the operation permission signal IN3 = “H” level to the second switching circuit 13C, the second switching circuit 13C is turned on and the difference from the current mirror circuit 11C. Dynamic pair transistor TN
3, TN4 are connected, the amplification function of the differential amplifier circuit 11 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified. The differentially amplified signal level is output from the output control circuit 12 to the internal circuit based on the operation permission signal IN3 = “H” level as in the first to fourth differential input type receiving circuits.

【0034】さらに、入力信号IN1,IN2の受信停止を
する場合には、第2のスイッチング回路13Cに動作許可
信号IN3=「L」レベルを供給することにより、第2の
スイッチング回路13CがOFF動作をし、カレントミラー
回路11Cと差動対トランジスタTN3,TN4との間が非接
続状態にされ、差動増幅回路11の増幅機能が停止さ
れ、同時に、動作許可信号IN3=「L」レベルに基づい
て出力制御回路12の出力機能が停止される。
Further, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, the second switching circuit 13C is turned off by supplying the operation permission signal IN3 = "L" level to the second switching circuit 13C. Then, the current mirror circuit 11C and the differential pair transistors TN3 and TN4 are disconnected, the amplifying function of the differential amplifier circuit 11 is stopped, and at the same time, based on the operation permission signal IN3 = “L” level. The output function of the output control circuit 12 is stopped.

【0035】このため、第1〜第4の差動入力型受信回
路と同様に、動作許可信号IN3=「L」レベル又はその
反転信号により、受信機能が停止されると共に、第2の
スイッチング回路13CがON動作をすることで、受信停
止時における差動増幅回路11の増幅動作を停止するこ
とが可能となる。これにより、第1〜第4の差動入力型
受信回路と同様に受信停止時の差動増幅回路11の電力
消費を極力抑制することが可能となり、当該差動入力型
受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力の低減化を図
ることが可能となる。
Therefore, like the first to fourth differential input type receiving circuits, the receiving function is stopped by the operation permission signal IN3 = “L” level or its inverted signal, and the second switching circuit is used. By the ON operation of 13C, it becomes possible to stop the amplification operation of the differential amplifier circuit 11 when the reception is stopped. As a result, like the first to fourth differential input type receiving circuits, it becomes possible to suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 11 when reception is stopped as much as possible, and an electronic device incorporating the differential input type receiving circuit. It is possible to reduce the power consumption of the device.

【0036】また、本発明の第6の差動入力型受信回路
によれば、図2(A),(B),図3(A),(B)に
示すような差動入力型受信回路において、図4(B)に
示すような差動増幅回路11の出力回路11Dに、n型の
電界効果トランジスタTN又はp型の電界効果トランジ
スタTPが接続され、両トランジスタTN又はTPが、
動作許可信号IN3又はその反転信号に基づいて制御され
る。
According to the sixth differential input type receiving circuit of the present invention, the differential input type receiving circuit as shown in FIGS. 2 (A), (B), 3 (A) and 3 (B). 4B, the n-type field effect transistor TN or the p-type field effect transistor TP is connected to the output circuit 11D of the differential amplifier circuit 11 as shown in FIG.
It is controlled based on the operation permission signal IN3 or its inverted signal.

【0037】例えば、図2(A)において、入力信号IN
1,IN2を受信する場合には、トランジスタTNに動作
許可信号IN3=「H」レベルを供給することにより、該
トランジスタTNがON動作をし、差動増幅回路11の
増幅機能が維持され、入力信号IN1,IN2が差動増幅さ
れる。また、差動増幅された信号レベルが動作許可信号
IN3=「H」レベルに基づいて出力制御回路12から内
部回路に出力される。
For example, in FIG. 2A, the input signal IN
When receiving 1 and IN2, by supplying the operation permission signal IN3 = “H” level to the transistor TN, the transistor TN is turned on, the amplification function of the differential amplifier circuit 11 is maintained, and the input signal is input. The signals IN1 and IN2 are differentially amplified. In addition, the differentially amplified signal level is the operation permission signal.
Output from the output control circuit 12 to the internal circuit based on IN3 = “H” level.

【0038】さらに、入力信号IN1,IN2の受信停止を
する場合には、定電流源Ioと差動点cとの間に接続さ
れたトランジスタTNのゲートに動作許可信号IN3=
「L」レベルを供給し、出力回路11Dに接続されたトラ
ンジスタTNに、動作許可信号IN3の反転信号=「H」
レベルを供給することにより、定電流源Ioに接続され
たトランジスタTNがOFF動作をし、差動増幅回路11
の増幅機能が停止され、同時に、出力回路11Dに接続さ
れたトランジスタTNが動作許可信号IN3の遅延反転信
号=「H」レベルに基づいてON動作をすることで、出
力回路11Dの入力部が「L」レベルに固定される。
Further, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, the operation permission signal IN3 = is applied to the gate of the transistor TN connected between the constant current source Io and the differential point c.
An inverted signal of the operation permission signal IN3 = “H” is supplied to the transistor TN which supplies the “L” level and is connected to the output circuit 11D.
By supplying the level, the transistor TN connected to the constant current source Io performs the OFF operation, and the differential amplifier circuit 11
The amplification function of is stopped, and at the same time, the transistor TN connected to the output circuit 11D is turned on based on the delayed inverted signal = “H” level of the operation permission signal IN3, so that the input part of the output circuit 11D becomes “ It is fixed at the "L" level.

【0039】このため、第1〜第5の差動入力型受信回
路に比べて動作許可信号IN3=「L」レベルの反転信号
により、受信機能が停止されると共に、出力回路11Dに
接続されたトランジスタTNがON動作をすることで、
受信停止時における差動増幅回路11の増幅動作を停止
すること、及び、出力回路11Dの増幅動作を併せて停止
させることが可能となる。
Therefore, compared with the first to fifth differential input type reception circuits, the reception function is stopped and the output circuit 11D is connected by the operation enable signal IN3 = "L" level inversion signal. By turning on the transistor TN,
It is possible to stop the amplifying operation of the differential amplifier circuit 11 when the reception is stopped and also stop the amplifying operation of the output circuit 11D.

【0040】これにより、第1〜第5の差動入力型受信
回路に比べて、受信停止時の差動増幅回路11の電力消
費を、より一層抑制することが可能となり、当該差動入
力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力の低減化
を図ることが可能となる。さらに、本発明の第7の差動
入力型受信回路によれば、第1〜第6の差動入力型受信
回路において、図1に示すように出力制御回路12又は
機能制御素子13に遅延回路14が接続され、該回路1
4により動作許可信号IN3が遅延される。
This makes it possible to further reduce the power consumption of the differential amplifier circuit 11 when reception is stopped, as compared with the first to fifth differential input type receiver circuits, and the differential input type receiver circuits. It is possible to reduce the power consumption of the electronic device incorporating the receiving circuit. Further, according to the seventh differential input type receiving circuit of the present invention, in the first to sixth differential input type receiving circuits, as shown in FIG. 1, the output control circuit 12 or the function control element 13 has a delay circuit. 14 is connected to the circuit 1
4 delays the operation enable signal IN3.

【0041】このため、本発明の第1〜第5の差動入力
型受信回路では、差動増幅回路11の機能制御素子13
に対し、出力制御回路12よりも早く動作許可信号IN3
が供給され、該差動増幅回路11の動作点aの電位レベ
ルが出力回路11Dの閾値電圧Vthに達してから、動作許
可信号IN3の遅延信号を出力制御回路12に供給するこ
とができる。
Therefore, in the first to fifth differential input type receiving circuits of the present invention, the function control element 13 of the differential amplifier circuit 11 is used.
In contrast, the operation permission signal IN3 is faster than the output control circuit 12.
Is supplied and the potential level at the operating point a of the differential amplifier circuit 11 reaches the threshold voltage Vth of the output circuit 11D, the delay signal of the operation permission signal IN3 can be supplied to the output control circuit 12.

【0042】特に、出力回路11Dの入力部に接続された
n型の電界効果トランジスタTN又はp型の電界効果ト
ランジスタTPのゲートに、動作許可信号IN3の遅延し
た信号を供給することにより、差動増幅回路11の動作
点aの電位レベルが出力回路11Dの閾値電圧Vthに達し
てから、それを出力回路11Dに供給することができる。
Particularly, by supplying the delayed signal of the operation permission signal IN3 to the gate of the n-type field effect transistor TN or the p-type field effect transistor TP connected to the input part of the output circuit 11D, After the potential level at the operating point a of the amplifier circuit 11 reaches the threshold voltage Vth of the output circuit 11D, it can be supplied to the output circuit 11D.

【0043】これにより、当該差動入力型受信回路の受
信停止状態から動作状態に移行する際に、差動増幅回路
11が安定な動作に遷移したのちに、出力ハイ・インピ
ーダンス状態が解除され、より一層、安定した入力信号
IN1,IN2 を内部回路に取り込むことが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ通信モデム用インタ
フェース回路等の信頼性の向上に寄与するところが大き
い。
As a result, when the differential input type receiving circuit shifts from the reception stopped state to the operating state, the differential amplifier circuit 11 transits to a stable operation and then the output high impedance state is released. More stable input signal
Since IN1 and IN2 can be incorporated into the internal circuit, it greatly contributes to the improvement of the reliability of the interface circuit for communication modem etc. in which the differential input type receiving circuit is incorporated.

【0044】[0044]

【実施例】次に、図を参照しながら本発明の各実施例に
ついて説明をする。図5〜31は、本発明の実施例に係る
差動入力型受信回路を説明する図である。 (1)第1の実施例の説明 図5は、本発明の第1の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図であり、図6は、その補足説明図をそれぞれ
示している。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 5 to 31 are diagrams for explaining the differential input type receiving circuit according to the embodiment of the present invention. (1) Description of First Embodiment FIG. 5 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a supplementary explanatory diagram thereof.

【0045】例えば、電話回線や専用回線に接続する通
信モデム等において、その入力インターフェース回路に
適用可能な差動入力型受信回路は、図5(A)に示すよ
うに、差動増幅回路11,3ステート回路12から成
る。なお、差動入力型受信回路の論理シンボルを図6
(A)に示す。すなわち、差動増幅回路11は電話回線
や専用回線に接続され、2つの入力信号IN1,IN2の差
動増幅をし、その出力動作点aの信号レベルをインバー
タ INV1に出力する。差動増幅回路11は定電流源用ト
ランジスタ(以下単に定電流源Ioともいう)TN1,差
動対トランジスタTN3,TN4,n型の電界効果トランジ
スタTN51 ,バイアス回路11A,カレントミラー回路11
C及びインバータ INV1から成る。
For example, as shown in FIG. 5A, the differential input type receiving circuit applicable to the input interface circuit of a communication modem or the like connected to a telephone line or a dedicated line is, as shown in FIG. It consists of a 3-state circuit 12. The logical symbol of the differential input type receiving circuit is shown in FIG.
It shows in (A). That is, the differential amplifier circuit 11 is connected to a telephone line or a dedicated line, differentially amplifies two input signals IN1 and IN2, and outputs the signal level at the output operating point a to the inverter INV1. The differential amplifier circuit 11 includes a transistor for constant current source (hereinafter also simply referred to as constant current source Io) TN1, a differential pair transistor TN3, TN4, an n-type field effect transistor TN51, a bias circuit 11A, and a current mirror circuit 11.
It consists of C and inverter INV1.

【0046】なお、定電流源用トランジスタTN1はn型
の電界効果トランジスタから成り、そのゲートがバイア
ス回路11Aに接続され、そのソースが接地線GNDに接続
される。差動対トランジスタTN3,TN4はn型の電界効
果トランジスタから成り、そのゲートに2つの入力信号
IN1,IN2が供給される。また、両トランジスタTN3,
TN4の各ドレインはカレントミラー回路11Cに接続さ
れ、その共通ソース接続点(差動点)cがn型の電界効
果トランジスタTN51 のドレインに接続される。
The constant current source transistor TN1 is composed of an n-type field effect transistor, the gate of which is connected to the bias circuit 11A and the source of which is connected to the ground line GND. The differential pair transistors TN3 and TN4 are composed of n-type field effect transistors and have two input signals at their gates.
IN1 and IN2 are supplied. Also, both transistors TN3,
Each drain of TN4 is connected to the current mirror circuit 11C, and its common source connection point (differential point) c is connected to the drain of the n-type field effect transistor TN51.

【0047】n型の電界効果トランジスタTN51 は機能
制御素子13の一例であり、差動対トランジスタTN3,
TN4の差動点cと定電流源Ioとの間に接続され、トラ
ンジスタTN51 のゲートに動作許可信号(以下イネーブ
ル信号という)IN3が供給される。これにより、イネー
ブル信号IN3に基づいて差動対トランジスタTN3,TN4
の動作電流を遮断し、当該差動増幅回路11の増幅機能
を制御することができる。
The n-type field effect transistor TN51 is an example of the function control element 13, and the differential pair transistor TN3,
It is connected between the differential point c of TN4 and the constant current source Io, and an operation enable signal (hereinafter referred to as an enable signal) IN3 is supplied to the gate of the transistor TN51. As a result, the differential pair transistors TN3 and TN4 are generated based on the enable signal IN3.
It is possible to control the amplification function of the differential amplifier circuit 11 by shutting off the operating current.

【0048】また、バイアス回路11AはトランジスタT
N1にゲート電圧を供給し、カレントミラー回路11Cは差
動対トランジスタTN3,TN4の動作電流を調整する。カ
レントミラー回路11Cはp型の電界効果トランジスタT
P1,TP2から成り、それらのソースが電源線VCCに接続
され、その共通ゲートが差動対トランジスタTN4のドレ
インに接続される。インバータ INV1は出力回路11Dの
一例であり、電源線VCC,接地線GND間に直列接続され
たp型,n型の電界効果トランジスタTP3,TN2から成
り、差動対トランジスタTN3のドレイン(出力動作点
a)の信号レベルを反転増幅してそれを3ステート回路
12に出力する。
Further, the bias circuit 11A is a transistor T
The gate voltage is supplied to N1, and the current mirror circuit 11C adjusts the operating current of the differential pair transistors TN3 and TN4. The current mirror circuit 11C is a p-type field effect transistor T.
P1 and TP2, the sources of which are connected to the power supply line Vcc and the common gate of which is connected to the drain of the differential pair transistor TN4. The inverter INV1 is an example of the output circuit 11D, and is composed of p-type and n-type field effect transistors TP3 and TN2 connected in series between the power supply line VCC and the ground line GND, and the drain of the differential pair transistor TN3 (output operating point The signal level of a) is inverted and amplified and output to the 3-state circuit 12.

【0049】なお、3ステート回路12は出力制御回路
12の一例であり、差動増幅された信号レベルをイネー
ブル信号IN3に基づいて次段内部回路に出力する。3ス
テート回路12は、例えば、図6(B),(C)に示す
ようにn型,p型の電界効果トランジスタTN,TPを
並列接続した回路とインバータ INVを組み合わせたトラ
ンスファーゲートから成る。
The 3-state circuit 12 is an example of the output control circuit 12, and outputs the differentially amplified signal level to the internal circuit of the next stage based on the enable signal IN3. The three-state circuit 12 is composed of a transfer gate in which an inverter INV is combined with a circuit in which n-type and p-type field effect transistors TN and TP are connected in parallel as shown in FIGS. 6B and 6C, for example.

【0050】当該トランスファーゲートの機能は、図6
(B)に示すようにインバータ INVをp型の電界効果ト
ランジスタTPのゲート側に接続した場合には、イネー
ブル信号IN3=「H」レベルでON動作をし、反対に信
号IN3=「L」レベルでOFF動作をし、出力ハイ・イン
ピーダンス状態にする。なお、表1はイネーブル「L」
の場合(動作条件)における入力信号IN1,IN2及び
イネーブル信号IN3の入力真理値に対する出力部OUTの
出力真理値を示している。
The function of the transfer gate is shown in FIG.
When the inverter INV is connected to the gate side of the p-type field effect transistor TP as shown in (B), the enable signal IN3 = “H” level is turned on, while the signal IN3 = “L” level is turned on. The OFF operation is performed with to set the output high impedance state. Table 1 shows enable "L"
In the case (operating condition), the output truth values of the output unit OUT with respect to the input truth values of the input signals IN1 and IN2 and the enable signal IN3 are shown.

【0051】[0051]

【表1】 [Table 1]

【0052】また、図6(C)に示すようにインバータ
INVをn型の電界効果トランジスタTNのゲート側に接
続した場合には、イネーブル信号IN3=「L」レベルで
当該トランスファーゲートをON動作させ、反対に信号
IN3=「H」レベルでOFF動作させ、出力ハイ・インピ
ーダンス状態を維持する。なお、表2はイネーブル
「L」の場合(動作条件)における入力信号IN1,IN
2及びイネーブル信号IN3の入力真理値に対する出力部
OUTの出力真理値を示している。
In addition, as shown in FIG.
When INV is connected to the gate side of the n-type field effect transistor TN, the transfer gate is turned on by the enable signal IN3 = “L” level, and the signal is reversed.
The OFF operation is performed at IN3 = “H” level to maintain the output high impedance state. Table 2 shows the input signals IN1 and IN when the enable is “L” (operating condition).
2 and the output truth value of the output unit OUT for the input truth value of the enable signal IN3.

【0053】[0053]

【表2】 [Table 2]

【0054】このようにして、本発明の第1の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、図5に示すように、
差動増幅回路11及び3ステート回路12が具備され、
差動対トランジスタTN3,TN4の差動点cと定電流源I
oとの間にn型の電界効果トランジスタTN51 が接続さ
れ、該トランジスタTN51 のゲートがイネーブル信号IN
3に基づいて制御される。
In this way, according to the differential input type receiving circuit of the first embodiment of the present invention, as shown in FIG.
A differential amplifier circuit 11 and a three-state circuit 12 are provided,
Differential point c of the differential pair transistors TN3 and TN4 and the constant current source I
An n-type field effect transistor TN51 is connected to the gate of the transistor o and the gate of the transistor TN51 has an enable signal IN.
It is controlled based on 3.

【0055】例えば、入力信号IN1,IN2を受信する場
合には、図5(B)の動作説明図において、トランジス
タTN51 のゲートにイネーブル信号IN3=「H」レベル
を供給することにより、該トランジスタTN51 がON動
作をし、差動増幅回路11の増幅機能が維持され、入力
信号IN1,IN2が差動増幅される。また、差動増幅され
た信号レベルがイネーブル信号IN3=「H」レベルに基
づいて3ステート回路12から内部回路に出力される。
For example, when receiving the input signals IN1 and IN2, in the operation explanatory diagram of FIG. 5B, the enable signal IN3 = "H" level is supplied to the gate of the transistor TN51 so that the transistor TN51 is supplied. Turns on, the amplifying function of the differential amplifier circuit 11 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified. Further, the differentially amplified signal level is output from the three-state circuit 12 to the internal circuit based on the enable signal IN3 = “H” level.

【0056】さらに、入力信号IN1,IN2の受信停止
(受信拒否)をする場合には、トランジスタTN51 のゲ
ートにイネーブル信号IN3=「L」レベルを供給するこ
とにより、該トランジスタTN51 がOFF動作をし、差動
増幅回路11の増幅機能が停止され、同時に、イネーブ
ル信号IN3=「L」レベルに基づいて3ステート回路1
2の出力が”Z”(ハイ・インピーダンス)状態にされ
る。
Further, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped (reception refusal), the enable signal IN3 = "L" level is supplied to the gate of the transistor TN51 so that the transistor TN51 performs the OFF operation. , The amplification function of the differential amplifier circuit 11 is stopped, and at the same time, the 3-state circuit 1 is generated based on the enable signal IN3 = “L” level.
The output of 2 is put in the "Z" (high impedance) state.

【0057】このため、イネーブル信号IN3=「L」レ
ベルにより、当該差動入力型受信回路の受信機能が停止
されると共に、入力信号IN1,IN2の電圧大小関係がIN
1>IN2及びIN1<IN2と変化し、差動対トランジスタ
TN3,TN4のゲートが励振される状態であっても、受信
機能の停止状態における差動増幅回路11の電源線VCC
−接地線GND間の電流径路がトランジスタTN51 により
遮断され、差動増幅回路11のトランジスタ動作を強制
的に停止させることが可能となる。このことで、受信機
能の停止状態時の差動増幅回路11の電力消費を極力抑
制することが可能となる。
Therefore, the enable signal IN3 = “L” level stops the receiving function of the differential input type receiving circuit, and the voltage magnitude relationship between the input signals IN1 and IN2 is IN.
1> IN2 and IN1 <IN2, and even if the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4 are excited, the power supply line Vcc of the differential amplifier circuit 11 in the stopped state of the reception function
The current path between the ground line GND and the ground line GND is cut off by the transistor TN51, and the transistor operation of the differential amplifier circuit 11 can be forcibly stopped. This makes it possible to suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 11 when the reception function is stopped as much as possible.

【0058】これにより、電話回線や専用回線等に接続
して各種情報通信を行う電子機器に、当該差動入力型受
信回路を組み込んだ場合に、その低消費電力化を図るこ
とが可能となる。 (2)第2の実施例の説明 図7は、本発明の第2の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図であり、図8(A),(B)はその動作説明
図をそれぞれ示している。
As a result, when the differential input type receiving circuit is incorporated in an electronic device which is connected to a telephone line or a dedicated line for various information communication, the power consumption can be reduced. . (2) Description of Second Embodiment FIG. 7 is a configuration diagram of a differential input type receiver circuit according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 8 (A) and 8 (B) are explanatory diagrams of its operation. Are shown respectively.

【0059】図7において、第1の実施例と異なるのは
第2の実施例では差動増幅回路21にバイアス供給制御
回路13Aが設けられるものである。すなわち、バイアス
供給制御回路13Aは機能制御素子13の他の一例であ
り、差動増幅回路21の定電流源用トランジスタTN1と
バイアス回路11Aとの間に接続される。例えば、バイア
ス供給制御回路13Aがn型の電界効果トランジスタTN5
2 ,TN62 及びインバータ INV2から成り、トランジス
タTN52 のソースがトランジスタTN62 のドレインに接
続されてトランジスタTN1のゲートに接続される。
In FIG. 7, the second embodiment differs from the first embodiment in that the differential amplifier circuit 21 is provided with a bias supply control circuit 13A. That is, the bias supply control circuit 13A is another example of the function control element 13, and is connected between the constant current source transistor TN1 of the differential amplifier circuit 21 and the bias circuit 11A. For example, the bias supply control circuit 13A is an n-type field effect transistor TN5.
2, TN62 and an inverter INV2, the source of the transistor TN52 is connected to the drain of the transistor TN62 and to the gate of the transistor TN1.

【0060】また、トランジスタTN52 のドレインはバ
イアス回路11Aに接続され、そのゲートにはイネーブル
信号IN3が供給される。トランジスタTN62 のソースは
接地線GNDに接続され、そのゲートにはイネーブル信号
IN3がインバータ INV2 を介して供給される。なお、定
電流源用トランジスタTN1,差動対トランジスタTN3,
TN4,バイアス回路11A,カレントミラー回路11C,イ
ンバータ INV1及び3ステート回路12については、第
1の実施例と同様のため、その説明を省略する。
The drain of the transistor TN52 is connected to the bias circuit 11A, and the enable signal IN3 is supplied to its gate. The source of the transistor TN62 is connected to the ground line GND, and its gate has an enable signal.
IN3 is supplied via the inverter INV2. The constant current source transistor TN1, the differential pair transistor TN3,
Since the TN4, the bias circuit 11A, the current mirror circuit 11C, the inverter INV1 and the three-state circuit 12 are the same as those in the first embodiment, the description thereof will be omitted.

【0061】このようにして、本発明の第2の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、図7に示すように、
バイアス供給制御回路13Aが定電流源用トランジスタT
N1とバイアス回路11Aとの間に接続される。例えば、図
8(A)の動作説明図において、入力信号IN1,IN2の
受信停止をする場合には、バイアス供給制御回路13Aに
イネーブル信号IN3=「L」レベルを供給することによ
り、トランジスタTN52 がOFF動作をし、バイアス回路
11Aと定電流源Ioとの間を非接続状態にし、かつ、ト
ランジスタTN62 がON動作をすることで、トランジス
タTN1に「L」レベルを供給する。これにより、差動増
幅回路21の増幅機能が停止され、同時に、イネーブル
信号IN3=「L」レベルに基づいて3ステート回路12
の出力が”Z”状態にされる。
In this way, according to the differential input type receiving circuit of the second embodiment of the present invention, as shown in FIG.
Bias supply control circuit 13A is a constant current source transistor T
It is connected between N1 and the bias circuit 11A. For example, in the operation explanatory diagram of FIG. 8A, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, by supplying the enable signal IN3 = "L" level to the bias supply control circuit 13A, the transistor TN52 is turned on. OFF circuit, bias circuit
By disconnecting 11A and the constant current source Io and turning on the transistor TN62, the "L" level is supplied to the transistor TN1. As a result, the amplifying function of the differential amplifier circuit 21 is stopped, and at the same time, the 3-state circuit 12 is driven based on the enable signal IN3 = "L" level.
Is put in the "Z" state.

【0062】なお、入力信号IN1,IN2を受信する場合
には、図8(B)の動作説明図において、バイアス供給
制御回路13Aにイネーブル信号IN3=「H」レベルを供
給することにより、該制御回路13Aが活性化をし、バイ
アス回路11Aと定電流源Ioとが接続され、差動増幅回
路21の増幅機能が維持され、入力信号IN1,IN2が差
動増幅される。また、差動増幅された信号レベルが第1
の実施例と同様にイネーブル信号IN3=「H」レベルに
基づいて3ステート回路12から内部回路に出力され
る。
When the input signals IN1 and IN2 are received, the enable signal IN3 = "H" level is supplied to the bias supply control circuit 13A in the operation explanatory diagram of FIG. The circuit 13A is activated, the bias circuit 11A and the constant current source Io are connected, the amplification function of the differential amplifier circuit 21 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified. The differentially amplified signal level is the first
Similar to the embodiment described above, the 3-state circuit 12 outputs the signal to the internal circuit based on the enable signal IN3 = "H" level.

【0063】このため、第1の実施例と同様に、イネー
ブル信号IN3=「L」レベルにより、受信機能が停止さ
れると共に、入力信号IN1,IN2が差動対トランジスタ
TN3,TN4に供給される状態であっても、受信停止時の
差動増幅回路21のトランジスタ動作を強制的に停止さ
せることが可能となる。これにより、第1の実施例と同
様に受信機能の停止状態時の差動増幅回路21の電力消
費を極力抑制することが可能となり、当該差動入力型受
信回路を組み込んだ電子機器の消費電力の低減化を図る
ことが可能となる。
Therefore, similarly to the first embodiment, the receiving function is stopped by the enable signal IN3 = "L" level, and the input signals IN1 and IN2 are supplied to the differential pair transistors TN3 and TN4. Even in the state, it is possible to forcibly stop the transistor operation of the differential amplifier circuit 21 when reception is stopped. As a result, it becomes possible to suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 21 when the receiving function is stopped as much as possible as in the first embodiment, and the power consumption of the electronic device incorporating the differential input type receiving circuit. Can be reduced.

【0064】(3)第3の実施例の説明 図9は、本発明の第3の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図であり、図10(A),(B)はその動作説明
図をそれぞれ示している。図9において、第1,第2の
実施例と異なるのは第3の実施例では差動増幅回路31
のカレントミラー回路11Bにp型の電界効果トランジス
タTP43 及びn型の電界効果トランジスタTN53 が接続
されて成る。
(3) Description of Third Embodiment FIG. 9 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a third embodiment of the present invention, and FIGS. 10 (A) and 10 (B) show the same. Each operation explanatory view is shown. In FIG. 9, the difference from the first and second embodiments is that in the third embodiment, a differential amplifier circuit 31
The current mirror circuit 11B is connected with a p-type field effect transistor TP43 and an n-type field effect transistor TN53.

【0065】すなわち、カレントミラー回路11Bは第1
の実施例に係るカレントミラー回路11Cと異なり、電源
線VCCに接続されたトランジスタTP1,TP2の共通ゲー
トと該電源線VCCとの間にトランジスタTP43 が接続さ
れる。また、その共通ゲートと差動対トランジスタTN4
のドレイン(動作点b)との間にトランジスタTN53が
接続される。なお、両トランジスタTP43 とトランジス
タTN53 のゲートが接続され、そこにイネーブル信号IN
3が供給される。
That is, the current mirror circuit 11B has the first
Unlike the current mirror circuit 11C according to this embodiment, the transistor TP43 is connected between the common gates of the transistors TP1 and TP2 connected to the power supply line Vcc and the power supply line Vcc. In addition, the common gate and the differential pair transistor TN4
A transistor TN53 is connected to the drain of the transistor (operating point b). The gates of both transistors TP43 and TN53 are connected, and the enable signal IN
3 is supplied.

【0066】さらに、差動出力信号の使用態様により、
トランジスタTP1,TP2の共通ゲート電位を差動対トラ
ンジスタTN3のドレインから供給する場合には、トラン
ジスタTN53 のソースをトランジスタTN3のドレインに
接続する。なお、定電流源用トランジスタTN1,差動対
トランジスタTN3,TN4,バイアス回路11A,インバー
タ INV1及び3ステート回路12については、第1,第
2の実施例と同様のため、その説明を省略する。
Further, depending on the usage of the differential output signal,
When the common gate potential of the transistors TP1 and TP2 is supplied from the drain of the differential pair transistor TN3, the source of the transistor TN53 is connected to the drain of the transistor TN3. The constant current source transistor TN1, the differential pair transistors TN3 and TN4, the bias circuit 11A, the inverter INV1 and the three-state circuit 12 are the same as those in the first and second embodiments, and the description thereof will be omitted.

【0067】このようにして、本発明の第3の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、図9に示すように、
トランジスタTP1,TP2の共通ゲートと電源線VCCとの
間にトランジスタTP43 が接続され、その共通ゲートと
トランジスタTN4のドレインとの間に、トランジスタT
N53 が接続され、両トランジスタTP43 ,TN53 のゲー
トがイネーブル信号IN3に基づいて制御される。
In this way, according to the differential input type receiving circuit of the third embodiment of the present invention, as shown in FIG.
A transistor TP43 is connected between the common gates of the transistors TP1 and TP2 and the power supply line Vcc, and the transistor T43 is connected between the common gate and the drain of the transistor TN4.
N53 is connected, and the gates of both transistors TP43 and TN53 are controlled based on the enable signal IN3.

【0068】例えば、図10(A)の動作説明図におい
て、入力信号IN1,IN2の受信停止をする場合には、ト
ランジスタTP43 ,TN53 のゲートにイネーブル信号IN
3=「L」レベルを供給することにより、トランジスタ
TP43 がON動作をし、トランジスタTN53 がOFF動作
をする。これにより、トランジスタTP1,TP2がOFF動
作をしてカレントミラー回路11Bが非活性化をし、差動
増幅回路31の増幅機能が停止され、同時に、イネーブ
ル信号IN3=「L」レベルに基づいて3ステート回路1
2の出力が”Z”状態にされる。
For example, in the operation explanatory diagram of FIG. 10A, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, the enable signal IN is applied to the gates of the transistors TP43 and TN53.
By supplying 3 = “L” level, the transistor TP43 is turned on and the transistor TN53 is turned off. As a result, the transistors TP1 and TP2 perform the OFF operation, the current mirror circuit 11B is deactivated, the amplifying function of the differential amplifier circuit 31 is stopped, and at the same time, when the enable signal IN3 = “L” level is set to 3 State circuit 1
The output of 2 is put in the "Z" state.

【0069】なお、入力信号IN1,IN2を受信する場合
には、図10(B)の動作説明図において、トランジスタ
TP43 ,TN53 のゲートにイネーブル信号IN3=「H」
レベルを供給することにより、トランジスタTP43 がO
FF動作をし、トランジスタTN53 がON動作をする。こ
れにより、カレントミラー回路11Bが活性化をし、差動
増幅回路31の増幅機能が維持され、入力信号IN1,IN
2が差動増幅される。また、差動増幅された信号レベル
が第1,第2の差動入力型受信回路と同様にイネーブル
信号IN3=「H」レベルに基づいて3ステート回路12
から内部回路に出力される。
When receiving the input signals IN1 and IN2, the enable signal IN3 = “H” is applied to the gates of the transistors TP43 and TN53 in the operation explanatory diagram of FIG. 10B.
By supplying the level, the transistor TP43 is turned off.
FF operation is performed, and the transistor TN53 is turned on. As a result, the current mirror circuit 11B is activated, the amplification function of the differential amplifier circuit 31 is maintained, and the input signals IN1, IN
2 is differentially amplified. The differentially amplified signal level is based on the enable signal IN3 = “H” level as in the first and second differential input type receiving circuits.
Output to the internal circuit.

【0070】このため、第1,第2の実施例と同様に、
イネーブル信号IN3=「L」レベルにより、受信機能が
停止されると共に、入力信号IN1,IN2が差動対トラン
ジスタTN3,TN4に供給される状態であっても、受信停
止時の差動増幅回路31のトランジスタ動作を強制的に
停止させることが可能となる。これにより、第1,第2
の実施例と同様に受信停止時の差動増幅回路31の電力
消費を極力抑制することが可能となり、当該差動入力型
受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力の低減化を図
ることが可能となる。
Therefore, like the first and second embodiments,
Even when the reception function is stopped by the enable signal IN3 = “L” level and the input signals IN1 and IN2 are supplied to the differential pair transistors TN3 and TN4, the differential amplifier circuit 31 when the reception is stopped It is possible to forcibly stop the transistor operation. As a result, the first and second
It is possible to suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 31 when reception is stopped as much as possible as in the above embodiment, and it is possible to reduce the power consumption of the electronic device incorporating the differential input type receiving circuit. Becomes

【0071】(4)第4の実施例の説明 図11は、本発明の第4の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図であり、図12(A),(B)はその動作説明
図をそれぞれ示している。なお、第1〜第3の実施例と
異なるのは第4の実施例では、図3(B)の原理図に示
したような第1のスイッチング回路13Bが4つのn型の
電界効果トランジスタTN54 ,TN64 ,TN74 ,TN84
から構成される。
(4) Description of Fourth Embodiment FIG. 11 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a fourth embodiment of the present invention, and FIGS. 12 (A) and 12 (B) show the same. Each operation explanatory view is shown. The fourth embodiment is different from the first to third embodiments in that the first switching circuit 13B shown in the principle diagram of FIG. 3B has four n-type field effect transistors TN54. , TN64, TN74, TN84
Composed of.

【0072】すなわち、図11において、トランジスタT
N54 は接地線GNDと差動対トランジスタTN3のゲートと
の間に接続され、トランジスタTN64 は接地線GNDと差
動対トランジスタTN4のゲートとの間に接続される。ま
た、トランジスタTN74 は入力信号IN1の供給部と差動
対トランジスタTN3のゲートとの間に接続され、トラン
ジスタTN84 は入力信号IN2の供給部と差動対トランジ
スタTN4のゲートとの間に接続される。なお、トランジ
スタTN54 ,TN64 のゲートにはインバータ INV2が接
続され、イネーブル信号IN3の反転信号が供給され、ト
ランジスタTN74 ,TN84 のゲートにはイネーブル信号
IN3が供給される。また、定電流源用トランジスタTN
1,差動対トランジスタTN3,TN4,バイアス回路11
A,インバータ INV1及び3ステート回路12について
は、第1〜第3の実施例と同様のため、その説明を省略
する。
That is, in FIG. 11, the transistor T
N54 is connected between the ground line GND and the gate of the differential pair transistor TN3, and transistor TN64 is connected between the ground line GND and the gate of the differential pair transistor TN4. Further, the transistor TN74 is connected between the supply section of the input signal IN1 and the gate of the differential pair transistor TN3, and the transistor TN84 is connected between the supply section of the input signal IN2 and the gate of the differential pair transistor TN4. . The inverter INV2 is connected to the gates of the transistors TN54 and TN64, the inverted signal of the enable signal IN3 is supplied, and the enable signal is supplied to the gates of the transistors TN74 and TN84.
IN3 is supplied. In addition, the constant current source transistor TN
1, differential pair transistors TN3, TN4, bias circuit 11
The A, the inverter INV1 and the three-state circuit 12 are the same as those in the first to third embodiments, and the description thereof will be omitted.

【0073】このようにして、本発明の第4の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、図11に示すように、
差動対トランジスタTN3,TN4のゲートと接地線GNDと
の間にトランジスタTN54 ,TN64 が接続され、入力信
号IN1,IN2の供給部とトランジスタTN3,TN4のゲー
トとの間にトランジスタTN74 ,TN84 が接続され、両
トランジスタTN54 ,TN64 がイネーブル信号IN3の反
転信号に基づいて制御され、両トランジスタTN74 ,T
N84 がイネーブル信号IN3に基づいて制御される。
Thus, according to the differential input type receiving circuit of the fourth embodiment of the present invention, as shown in FIG.
Transistors TN54 and TN64 are connected between the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4 and the ground line GND, and transistors TN74 and TN84 are connected between the supply parts of the input signals IN1 and IN2 and the gates of the transistors TN3 and TN4. Both transistors TN54 and TN64 are controlled based on the inverted signal of the enable signal IN3, and both transistors TN74 and T4 are controlled.
N84 is controlled based on the enable signal IN3.

【0074】例えば、図12(A)の動作説明図におい
て、入力信号IN1,IN2の受信停止をする場合には、ト
ランジスタTN54 ,TN64 にイネーブル信号IN3=
「L」レベルの反転信号を供給することにより、該トラ
ンジスタTN54 ,TN64 がON動作をし、差動対トラン
ジスタTN3,TN4のゲートが接地線GNDレベルに固定さ
れる。また、トランジスタTN74 ,TN84 にイネーブル
信号IN3=「L」レベルを供給することにより、該トラ
ンジスタTN74 ,TN84 がOFF動作をし、両入力信号IN
1,IN2の供給が断たれ、差動増幅回路41の増幅機能
が停止され、同時に、イネーブル信号IN3=「L」レベ
ルに基づいて3ステート回路12の出力が”Z”状態に
される。
For example, in the operation explanatory diagram of FIG. 12A, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, the enable signal IN3 = is applied to the transistors TN54 and TN64.
By supplying the "L" level inversion signal, the transistors TN54 and TN64 are turned on, and the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4 are fixed to the ground line GND level. Further, by supplying the enable signal IN3 = “L” level to the transistors TN74, TN84, the transistors TN74, TN84 perform an OFF operation, and both input signals IN
The supply of 1 and IN2 is cut off, the amplifying function of the differential amplifier circuit 41 is stopped, and at the same time, the output of the 3-state circuit 12 is set to the "Z" state based on the enable signal IN3 = "L" level.

【0075】なお、入力信号IN1,IN2を受信する場合
には、図12(B)の動作説明図において、トランジスタ
TN54 ,TN64 にイネーブル信号IN3=「H」レベルの
反転信号を供給することにより、該トランジスタTN54
,TN64 がOFF動作をし、差動対トランジスタTN3,
TN4のゲートが接地線GNDレベルから開放される。ま
た、トランジスタTN74 ,TN84 にイネーブル信号IN3
=「H」レベルを供給することにより、該トランジスタ
TN74 ,TN84 がON動作をし、両入力信号IN1,IN2
が差動対トランジスタTN3,TN4のゲートにそれぞれ供
給され、両入力信号IN1,IN2が差動増幅される。ま
た、差動増幅された信号レベルが第1〜第3の実施例と
同様にイネーブル信号IN3=「H」レベルに基づいて3
ステート回路12から内部回路に出力される。
When receiving the input signals IN1 and IN2, the enable signal IN3 = "H" level inverted signal is supplied to the transistors TN54 and TN64 in the operation explanatory diagram of FIG. The transistor TN54
, TN64 operates OFF, and the differential pair transistor TN3,
The gate of TN4 is released from the ground line GND level. Also, the enable signal IN3 is applied to the transistors TN74 and TN84.
= “H” level is supplied, the transistors TN74 and TN84 are turned on and both input signals IN1 and IN2 are turned on.
Are supplied to the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4, respectively, and both input signals IN1 and IN2 are differentially amplified. Further, the differentially amplified signal level is 3 based on the enable signal IN3 = “H” level as in the first to third embodiments.
It is output from the state circuit 12 to the internal circuit.

【0076】このため、第1〜第3の実施例と同様に、
イネーブル信号IN3=「L」レベルにより、受信機能が
停止されると共に、差動対トランジスタTN3,TN4のゲ
ートが「L」レベルに固定されることで、受信停止時に
おける差動増幅回路41の増幅動作を停止させることが
可能となる。これにより、第1〜第3の実施例と同様に
受信停止時の差動増幅回路41の電力消費を極力抑制す
ることが可能となり、当該差動入力型受信回路を組み込
んだ電子機器の消費電力の低減化を図ることが可能とな
る。
Therefore, as in the first to third embodiments,
By the enable signal IN3 = “L” level, the reception function is stopped, and the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4 are fixed to the “L” level, so that the amplification of the differential amplifier circuit 41 when the reception is stopped. It is possible to stop the operation. As a result, similarly to the first to third embodiments, it is possible to suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 41 when reception is stopped as much as possible, and the power consumption of the electronic device incorporating the differential input type receiver circuit. Can be reduced.

【0077】(5)第5の実施例の説明 図13は、本発明の第5の実施例に係る差動入力型受信回
路の説明図であり、図13(A)はその構成図であり、図
13(B)はその動作説明図をそれぞれ示している。な
お、第1〜4の実施例と異なるのは第5の実施例では、
図4(A)の原理図に示したような第2のスイッチング
回路13Cがn型の電界効果トランジスタTN55 ,TN65
から構成される。
(5) Description of the Fifth Embodiment FIG. 13 is an explanatory diagram of a differential input type receiving circuit according to the fifth embodiment of the present invention, and FIG. 13 (A) is its configuration diagram. , Figure
13 (B) is a diagram for explaining the operation. The fifth embodiment differs from the first to fourth embodiments in that
As shown in the principle diagram of FIG. 4A, the second switching circuit 13C is an n-type field effect transistor TN55, TN65.
Composed of.

【0078】すなわち、図13(A)において、トランジ
スタTN55 は差動対トランジスタTN3のドレインとカレ
ントミラー回路のトランジスタTP1のドレインとの間に
接続され、トランジスタTN65 は差動対トランジスタT
N4のドレインとカレントミラー回路のトランジスタTP2
のドレインとの間にそれぞれ接続される。また、両トラ
ンジスタTN55 ,TN65 のゲートにイネーブル信号IN3
が供給される。なお、定電流源用トランジスタTN1,差
動対トランジスタTN3,TN4,バイアス回路11A,イン
バータ INV1及び3ステート回路12については、第1
〜第4の実施例と同様のため、その説明を省略する。
That is, in FIG. 13A, the transistor TN55 is connected between the drain of the differential pair transistor TN3 and the drain of the transistor TP1 of the current mirror circuit, and the transistor TN65 is connected to the differential pair transistor T.
N4 drain and current mirror circuit transistor TP2
Connected to the drain of each. The enable signal IN3 is applied to the gates of both transistors TN55 and TN65.
Is supplied. Regarding the constant current source transistor TN1, the differential pair transistors TN3, TN4, the bias circuit 11A, the inverter INV1 and the three-state circuit 12,
-Since it is the same as the fourth embodiment, the description thereof is omitted.

【0079】このようにして、本発明の第5の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、図13(A)に示すよ
うに、差動対トランジスタTN3,TN4とカレントミラー
回路との間にトランジスタTN55 ,TN65 が接続され、
それがイネーブル信号IN3に基づいて制御される。例え
ば、図13(B)の動作説明図において、入力信号IN1,
IN2の受信停止をする場合には、トランジスタTN55 ,
TN65 のゲートにイネーブル信号IN3=「L」レベルを
供給することにより、両トランジスタTN55 ,TN65 が
OFF動作をし、カレントミラー回路と差動対トランジス
タTN3,TN4との間が非接続状態にされ、差動増幅回路
51の増幅機能が停止され、同時に、イネーブル信号IN
3=「L」レベルに基づいて3ステート回路12の出力
が”Z”状態にされる。
In this way, according to the differential input type receiving circuit of the fifth embodiment of the present invention, as shown in FIG. 13A, the differential pair transistors TN3 and TN4 and the current mirror circuit are provided. Transistors TN55 and TN65 are connected between
It is controlled based on the enable signal IN3. For example, in the operation explanatory diagram of FIG.
When stopping the reception of IN2, the transistor TN55,
By supplying the enable signal IN3 = “L” level to the gate of TN65, both transistors TN55 and TN65 perform the OFF operation, and the current mirror circuit and the differential pair transistors TN3 and TN4 are disconnected. The amplification function of the differential amplifier circuit 51 is stopped, and at the same time, the enable signal IN
The output of the 3-state circuit 12 is set to the “Z” state based on 3 = “L” level.

【0080】なお、入力信号IN1,IN2を受信する場合
には、トランジスタTN55 ,TN65のゲートにイネーブ
ル信号IN3=「H」レベルを供給することにより、両ト
ランジスタTN55 ,TN65 がON動作をし、カレントミ
ラー回路と差動対トランジスタTN3,TN4とが接続さ
れ、差動増幅回路51の増幅機能が維持され、入力信号
IN1,IN2が差動増幅される。また、差動増幅された信
号レベルが第1〜第4の実施例と同様にイネーブル信号
IN3=「H」レベルに基づいて3ステート回路12から
内部回路に出力される。
When the input signals IN1 and IN2 are received, both transistors TN55 and TN65 are turned on by supplying the enable signal IN3 = “H” level to the gates of the transistors TN55 and TN65. The mirror circuit and the differential pair transistors TN3 and TN4 are connected, the amplification function of the differential amplification circuit 51 is maintained, and the input signal
IN1 and IN2 are differentially amplified. The differentially amplified signal level is the enable signal as in the first to fourth embodiments.
It is output from the 3-state circuit 12 to the internal circuit based on IN3 = "H" level.

【0081】このため、第1〜第4の実施例と同様に、
イネーブル信号IN3=「L」レベルにより、受信機能が
停止されると共に、両トランジスタTN55 ,TN65 がO
FF動作をすることで、受信停止時における差動増幅回路
51の増幅動作を停止させることが可能となる。これに
より、第1〜第4の実施例と同様に受信停止時の差動増
幅回路51の電力消費を極力抑制することが可能とな
り、当該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消
費電力の低減化を図ることが可能となる。
Therefore, as in the first to fourth embodiments,
When the enable signal IN3 = "L" level, the reception function is stopped and both transistors TN55 and TN65 are turned off.
The FF operation makes it possible to stop the amplification operation of the differential amplifier circuit 51 when reception is stopped. As a result, similarly to the first to fourth embodiments, it is possible to suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 51 when reception is stopped as much as possible, and the power consumption of the electronic device incorporating the differential input type receiver circuit. Can be reduced.

【0082】(6)第6の実施例の説明 図14は、本発明の第6の実施例に係る差動入力型受信回
路の説明図であり、図14(A)はその構成図であり、図
14(B)はその動作説明図をそれぞれ示している。な
お、第1〜5の実施例と異なるのは第6の実施例では、
図4(A)の原理図に示したような第2のスイッチング
回路13Cがp型の電界効果トランジスタTP46 ,TP56
から構成される。
(6) Description of Sixth Embodiment FIG. 14 is an explanatory diagram of a differential input type receiving circuit according to a sixth embodiment of the present invention, and FIG. 14 (A) is its configuration diagram. , Figure
14B shows the operation explanatory diagrams thereof. The sixth embodiment differs from the first to fifth embodiments in that
As shown in the principle diagram of FIG. 4A, the second switching circuit 13C is a p-type field effect transistor TP46, TP56.
Composed of.

【0083】すなわち、図14(A)において、トランジ
スタTP46 は差動対トランジスタTN3のドレインとカレ
ントミラー回路のトランジスタTP1のドレインとの間に
接続され、トランジスタTP56 は差動対トランジスタT
N4のドレインとカレントミラー回路のトランジスタTP2
のドレインとの間にそれぞれ接続される。また、両トラ
ンジスタTP46 ,TP56 のゲートにインバータ INV2が
接続され、イネーブル信号IN3の反転信号が供給され
る。なお、定電流源用トランジスタTN1,差動対トラン
ジスタTN3,TN4,バイアス回路11A,インバータ INV
1及び3ステート回路12については、第1〜第5の実
施例と同様のためその説明を省略する。
That is, in FIG. 14A, the transistor TP46 is connected between the drain of the differential pair transistor TN3 and the drain of the transistor TP1 of the current mirror circuit, and the transistor TP56 is connected to the differential pair transistor T.
N4 drain and current mirror circuit transistor TP2
Connected to the drain of each. Further, an inverter INV2 is connected to the gates of both transistors TP46 and TP56, and an inverted signal of the enable signal IN3 is supplied. The constant current source transistor TN1, differential pair transistors TN3 and TN4, bias circuit 11A, inverter INV
The 1- and 3-state circuits 12 are similar to those in the first to fifth embodiments, and therefore their explanations are omitted.

【0084】このようにして、本発明の第6の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、図14(A)に示すよ
うに、差動対トランジスタTN3,TN4とカレントミラー
回路との間にトランジスタTP46 ,TP56 が接続され、
それがイネーブル信号IN3の反転信号に基づいて制御さ
れる。例えば、図14(B)の動作説明図において、入力
信号IN1,IN2の受信停止をする場合には、トランジス
タTP46 ,TP56 のゲートにイネーブル信号IN3=
「L」レベルの反転信号を供給することにより、両トラ
ンジスタTP46 ,TP56 がOFF動作をし、カレントミラ
ー回路と差動対トランジスタTN3,TN4との間が非接続
状態にされ、差動増幅回路61の増幅機能が停止され、
同時に、イネーブル信号IN3=「L」レベルに基づいて
3ステート回路12の出力が”Z”状態にされる。
In this way, according to the differential input type receiving circuit of the sixth embodiment of the present invention, as shown in FIG. 14A, the differential pair transistors TN3 and TN4 and the current mirror circuit are provided. Transistors TP46 and TP56 are connected between
It is controlled based on the inverted signal of the enable signal IN3. For example, in the operation explanatory diagram of FIG. 14B, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, the enable signal IN3 = is applied to the gates of the transistors TP46 and TP56.
By supplying the inverted signal of "L" level, both transistors TP46 and TP56 perform the OFF operation, the current mirror circuit and the differential pair transistors TN3 and TN4 are disconnected, and the differential amplifier circuit 61 is connected. The amplification function of the
At the same time, the output of the 3-state circuit 12 is set to the "Z" state based on the enable signal IN3 = "L" level.

【0085】なお、入力信号IN1,IN2を受信する場合
には、トランジスタTP46 ,TP56のゲートにイネーブ
ル信号IN3=「H」レベルの反転信号を供給することに
より、両トランジスタTP46 ,TP56 がON動作をし、
カレントミラー回路と差動対トランジスタTN3,TN4と
が接続され、差動増幅回路61の増幅機能が維持され、
入力信号IN1,IN2が差動増幅される。また、差動増幅
された信号レベルが第1〜第4の実施例と同様にイネー
ブル信号IN3=「H」レベルに基づいて3ステート回路
12から内部回路に出力される。
When the input signals IN1 and IN2 are received, both transistors TP46 and TP56 are turned on by supplying an enable signal IN3 = "H" level inverted signal to the gates of the transistors TP46 and TP56. Then
The current mirror circuit and the differential pair transistors TN3 and TN4 are connected to maintain the amplification function of the differential amplifier circuit 61,
The input signals IN1 and IN2 are differentially amplified. The differentially amplified signal level is output from the three-state circuit 12 to the internal circuit based on the enable signal IN3 = “H” level as in the first to fourth embodiments.

【0086】このため、第1〜第5の実施例と同様に、
イネーブル信号IN3=「L」レベルにより、受信機能が
停止されると共に、両トランジスタTP46 ,TP56 がO
FF動作をすることで、受信停止時における差動増幅回路
61の増幅動作を停止させることが可能となる。これに
より、第1〜第5の実施例と同様に受信停止時の差動増
幅回路61の電力消費を極力抑制することが可能とな
り、当該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消
費電力の低減化を図ることが可能となる。
Therefore, as in the first to fifth embodiments,
When the enable signal IN3 = "L" level, the reception function is stopped and both transistors TP46 and TP56 are turned off.
The FF operation makes it possible to stop the amplification operation of the differential amplifier circuit 61 when reception is stopped. As a result, it becomes possible to suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 61 when reception is stopped as much as possible like the first to fifth embodiments, and the power consumption of the electronic device incorporating the differential input type receiver circuit. Can be reduced.

【0087】(7)第7の実施例の説明 図15は、本発明の第7の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図15において、第7の実施例では第
1の実施例の差動増幅回路11にn型の電界効果トラン
ジスタTN9,インバータ INV3及び遅延回路14が設け
られ、差動増幅回路71を構成する。
(7) Description of Seventh Embodiment FIG. 15 is a block diagram of a differential input type receiver circuit according to the seventh embodiment of the present invention. 15, in the seventh embodiment, a differential amplifier circuit 11 of the first embodiment is provided with an n-type field effect transistor TN9, an inverter INV3 and a delay circuit 14 to form a differential amplifier circuit 71.

【0088】すなわち、図15において、n型の電界効果
トランジスタTN9は機能制御素子13の他の一例であ
り、差動対トランジスタTN3のドレイン(動作点a)と
インバータ INV1の共通ゲート(d点)の接続点と接地
線GNDとの間に接続される。また、トランジスタTN9の
ゲートには、遅延回路14により遅延したイネーブル信
号IN3の反転信号が供給される。なお、定電流源用トラ
ンジスタTN1,差動対トランジスタTN3,TN4,バイア
ス回路11A,インバータ INV1及び3ステート回路12
については、第1の実施例と同様のためその説明を省略
する。
That is, in FIG. 15, the n-type field effect transistor TN9 is another example of the function control element 13, and the drain (operating point a) of the differential pair transistor TN3 and the common gate (point d) of the inverter INV1. Is connected between the connection point and the ground line GND. Further, the inverted signal of the enable signal IN3 delayed by the delay circuit 14 is supplied to the gate of the transistor TN9. The constant current source transistor TN1, the differential pair transistors TN3 and TN4, the bias circuit 11A, the inverter INV1 and the three-state circuit 12
Since the above is the same as that of the first embodiment, the description thereof will be omitted.

【0089】このようにして、本発明の第7の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第1の実施例に係る
差動増幅回路11に、図15に示すようなn型の電界効果
トランジスタTN9,インバータ INV3及び遅延回路14
が設けられ、差動増幅回路71が構成され、トランジス
タTN9が、イネーブル信号IN3の遅延反転信号に基づい
て制御される。
As described above, according to the differential input type receiver circuit of the seventh embodiment of the present invention, the differential amplifier circuit 11 of the first embodiment has the n-type as shown in FIG. Field effect transistor TN9, inverter INV3 and delay circuit 14 of
Are provided to configure the differential amplifier circuit 71, and the transistor TN9 is controlled based on the delayed inverted signal of the enable signal IN3.

【0090】例えば、入力信号IN1,IN2の受信停止を
する場合には、第1の実施例と同様に、トランジスタT
N51 のゲートにイネーブル信号IN3=「L」レベルを供
給することにより、該トランジスタTN51 がOFF動作を
し、差動増幅回路11の増幅機能が停止され、同時に、
イネーブル信号IN3=「L」レベルに基づいて3ステー
ト回路12の出力が”Z”状態にされる。
For example, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, the transistor T is used as in the first embodiment.
By supplying the enable signal IN3 = “L” level to the gate of N51, the transistor TN51 performs the OFF operation, the amplification function of the differential amplifier circuit 11 is stopped, and at the same time,
The output of the 3-state circuit 12 is set to the "Z" state based on the enable signal IN3 = "L" level.

【0091】ここで、トランジスタTN9にイネーブル信
号IN3を遅延反転した信号=「H」レベルが供給され、
該トランジスタTN9がON動作をすることで、インバー
タ INV1の共通ゲートが「L」レベルに固定される。な
お、入力信号IN1,IN2を受信する場合には、トランジ
スタTN51 のゲートにイネーブル信号IN3=「H」レベ
ルを供給することにより、該トランジスタTN51 がON
動作をし、差動増幅回路11の増幅機能が維持され、入
力信号IN1,IN2が差動増幅される。
Here, a signal "H" level obtained by delaying and inverting the enable signal IN3 is supplied to the transistor TN9,
By turning on the transistor TN9, the common gate of the inverter INV1 is fixed to the “L” level. When the input signals IN1 and IN2 are received, the enable signal IN3 = "H" level is supplied to the gate of the transistor TN51 so that the transistor TN51 is turned on.
The differential amplifier circuit 11 operates and the amplifying function of the differential amplifier circuit 11 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified.

【0092】ここで、トランジスタTN9にイネーブル信
号IN3を遅延反転した信号=「L」レベルが供給するこ
とにより、該トランジスタTN9がOFF動作をすること
で、インバータ INV1の共通ゲートが「L」レベルから
開放される。また、差動増幅された信号レベルがイネー
ブル信号IN3=「H」レベルに基づいて3ステート回路
12から内部回路に出力される。
Here, the signal = "L" level obtained by delaying and inverting the enable signal IN3 is supplied to the transistor TN9, so that the transistor TN9 performs the OFF operation, so that the common gate of the inverter INV1 changes from the "L" level. It will be released. Further, the differentially amplified signal level is output from the three-state circuit 12 to the internal circuit based on the enable signal IN3 = “H” level.

【0093】このため、第1の実施例に比べてイネーブ
ル信号IN3=「L」レベルの反転信号により、受信機能
が停止されると共に、インバータ INV1に接続されたト
ランジスタTN9がON動作をすることで、受信停止時に
おける差動増幅回路71の増幅動作を停止させること、
及び、インバータ INV1の増幅動作を併せて停止させる
ことが可能となる。特に、インバータ INV1に接続され
たn型の電界効果トランジスタTN9のゲートにイネーブ
ル信号IN3の遅延反転信号を供給することにより、差動
増幅回路71の動作点aの電位レベルがインバータ INV
1の閾値電圧Vthに達してから、それをインバータ INV
1の共通ゲートに供給することができる。
Therefore, as compared with the first embodiment, the receiving function is stopped and the transistor TN9 connected to the inverter INV1 is turned on by the inversion signal of the enable signal IN3 = “L” level. Stopping the amplifying operation of the differential amplifier circuit 71 when reception is stopped,
Also, the amplification operation of the inverter INV1 can be stopped together. In particular, by supplying the delayed inverted signal of the enable signal IN3 to the gate of the n-type field effect transistor TN9 connected to the inverter INV1, the potential level at the operating point a of the differential amplifier circuit 71 is changed to the inverter INV1.
After reaching the threshold voltage Vth of 1, the inverter INV
Can be supplied to one common gate.

【0094】これにより、第1の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路71の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (8)第8の実施例の説明 図16は、本発明の第8の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図16において、第8の実施例では第
2の実施例の差動増幅回路21にn型の電界効果トラン
ジスタTN9,インバータ INV3及び遅延回路14が設け
られ、差動増幅回路81を構成する。
As a result, compared with the first embodiment, the power consumption of the differential amplifier circuit 71 when reception is stopped can be further suppressed and the performance can be improved. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (8) Description of Eighth Embodiment FIG. 16 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to an eighth embodiment of the present invention. 16, in the eighth embodiment, a differential amplifier circuit 21 of the second embodiment is provided with an n-type field effect transistor TN9, an inverter INV3 and a delay circuit 14 to form a differential amplifier circuit 81.

【0095】なお、トランジスタTN9,インバータ INV
3及び遅延回路14の接続方法は第7の実施例と同様で
あり、また、定電流源用トランジスタTN1,差動対トラ
ンジスタTN3,TN4,バイアス回路11A,バイアス制御
回路13A,インバータ INV1及び3ステート回路12に
ついては、第2の実施例と同様のためその説明を省略す
る。
The transistor TN9 and the inverter INV
3 and the delay circuit 14 are connected in the same way as in the seventh embodiment, and the constant current source transistor TN1, the differential pair transistors TN3 and TN4, the bias circuit 11A, the bias control circuit 13A, the inverter INV1 and the three states are connected. The circuit 12 is the same as that of the second embodiment, so its explanation is omitted.

【0096】このようにして、本発明の第8の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第2の実施例に係る
差動増幅回路21に、図16に示すようなn型の電界効果
トランジスタTN9,インバータ INV3及び遅延回路14
が設けられ、差動増幅回路81が構成される。また、ト
ランジスタTN9がイネーブル信号IN3の遅延反転信号に
基づいて制御される。
In this way, according to the differential input type receiving circuit of the eighth embodiment of the present invention, the differential amplifier circuit 21 of the second embodiment has the n-type as shown in FIG. Field effect transistor TN9, inverter INV3 and delay circuit 14 of
Are provided to configure the differential amplifier circuit 81. Further, the transistor TN9 is controlled based on the delayed inverted signal of the enable signal IN3.

【0097】例えば、入力信号IN1,IN2の受信停止を
する場合には、バイアス供給制御回路13Aにイネーブル
信号IN3=「L」レベルを供給することにより、第2の
実施例と同様に、トランジスタTN52 がOFF動作をし、
バイアス回路11Aと定電流源Ioとの間を非接続状態に
し、かつ、トランジスタTN62 がON動作をすること
で、トランジスタTN1に「L」レベルを供給する。これ
により、差動増幅回路81の増幅機能が停止され、同時
に、イネーブル信号IN3=「L」レベルに基づいて3ス
テート回路12の出力が”Z”状態にされる。
For example, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, by supplying the enable signal IN3 = "L" level to the bias supply control circuit 13A, the transistor TN52 is supplied as in the second embodiment. Turned off,
The bias circuit 11A and the constant current source Io are disconnected from each other, and the transistor TN62 is turned on to supply the "L" level to the transistor TN1. As a result, the amplifying function of the differential amplifier circuit 81 is stopped, and at the same time, the output of the 3-state circuit 12 is set to the "Z" state based on the enable signal IN3 = "L" level.

【0098】ここで、トランジスタTN9にイネーブル信
号IN3を遅延反転した信号=「H」レベルが供給され、
該トランジスタTN9がON動作をすることで、インバー
タ INV1の共通ゲートが「L」レベルに固定される。な
お、入力信号IN1,IN2を受信する場合には、第2の実
施例と同様に、バイアス供給制御回路13Aにイネーブル
信号IN3=「H」レベルを供給することにより、該制御
回路13Aが活性化をし、バイアス回路11Aと定電流源用
Ioとが接続され、差動増幅回路21の増幅機能が維持
され、入力信号IN1,IN2が差動増幅される。
Here, a signal "H" level obtained by delaying and inverting the enable signal IN3 is supplied to the transistor TN9,
By turning on the transistor TN9, the common gate of the inverter INV1 is fixed to the “L” level. When the input signals IN1 and IN2 are received, the enable signal IN3 = "H" level is supplied to the bias supply control circuit 13A to activate the control circuit 13A, as in the second embodiment. Then, the bias circuit 11A and the constant current source Io are connected, the amplifying function of the differential amplifier circuit 21 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified.

【0099】ここで、トランジスタTN9にイネーブル信
号IN3を遅延反転した信号=「L」レベルが供給するこ
とにより、該トランジスタTN9がOFF動作をすること
で、インバータ INV1の共通ゲートが「L」レベルから
開放される。また、差動増幅された信号レベルがイネー
ブル信号IN3=「H」レベルに基づいて3ステート回路
12から内部回路に出力される。
Here, the signal = "L" level obtained by delaying and inverting the enable signal IN3 is supplied to the transistor TN9 so that the transistor TN9 performs the OFF operation, so that the common gate of the inverter INV1 is changed from the "L" level. It will be released. Further, the differentially amplified signal level is output from the three-state circuit 12 to the internal circuit based on the enable signal IN3 = “H” level.

【0100】このため、第2の実施例に比べてイネーブ
ル信号IN3=「L」レベルの反転信号により、受信機能
が停止されると共に、インバータ INV1に接続されたト
ランジスタTN9がON動作をすることで、受信停止時に
おける差動増幅回路81の増幅動作を停止させること、
及び、インバータ INV1の増幅動作を併せて停止させる
ことが可能となる。特に、インバータ INV1に接続され
たn型の電界効果トランジスタTN9のゲートにイネーブ
ル信号IN3の遅延反転信号を供給することにより、差動
増幅回路81の動作点aの電位レベルがインバータ INV
1の閾値電圧Vthに達してから、それをインバータ INV
1の共通ゲートに供給することができる。
Therefore, as compared with the second embodiment, the receiving function is stopped and the transistor TN9 connected to the inverter INV1 is turned on by the inversion signal of the enable signal IN3 = “L” level. Stopping the amplifying operation of the differential amplifier circuit 81 when reception is stopped,
Also, the amplification operation of the inverter INV1 can be stopped together. In particular, by supplying the delayed inverted signal of the enable signal IN3 to the gate of the n-type field effect transistor TN9 connected to the inverter INV1, the potential level of the operating point a of the differential amplifier circuit 81 is changed to the inverter INV1.
After reaching the threshold voltage Vth of 1, the inverter INV
Can be supplied to one common gate.

【0101】これにより、第2の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路81の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (9)第9の実施例の説明 図17は、本発明の第9の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図17において、第9の実施例では第
3の実施例の差動増幅回路31にn型の電界効果トラン
ジスタTN9,インバータ INV3及び遅延回路14が設け
られ、差動増幅回路91を構成する。なお、トランジス
タTN9,インバータ INV3及び遅延回路14の接続方法
は第7,第8の実施例と同様であり、また、定電流源用
トランジスタTN1,差動対トランジスタTN3,TN4,イ
ンバータ INV1,p型の電界効果トランジスタTP43 ,
n型の電界効果トランジスタTN53 及び3ステート回路
12については、第3の実施例と同様のためその説明を
省略する。
As a result, compared with the second embodiment, it is possible to further suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 81 when reception is stopped and to improve the performance. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (9) Description of Ninth Embodiment FIG. 17 is a configuration diagram of a differential input type receiver circuit according to a ninth embodiment of the present invention. 17, in the ninth embodiment, a differential amplifier circuit 31 of the third embodiment is provided with an n-type field effect transistor TN9, an inverter INV3 and a delay circuit 14 to form a differential amplifier circuit 91. The method of connecting the transistor TN9, the inverter INV3 and the delay circuit 14 is the same as in the seventh and eighth embodiments, and the constant current source transistor TN1, the differential pair transistors TN3 and TN4, the inverter INV1 and the p-type are used. Field effect transistor TP43,
The n-type field effect transistor TN53 and the three-state circuit 12 are the same as those in the third embodiment, and therefore their explanations are omitted.

【0102】このようにして、本発明の第9の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第3の実施例に係る
差動増幅回路31に、図17に示すようなn型の電界効果
トランジスタTN9,インバータ INV3及び遅延回路14
が設けられ、差動増幅回路91が構成される。また、ト
ランジスタTN9がイネーブル信号IN3の遅延反転信号に
基づいて制御される。
In this way, according to the differential input type receiver circuit of the ninth embodiment of the present invention, the differential amplifier circuit 31 of the third embodiment has the same n-type as shown in FIG. Field effect transistor TN9, inverter INV3 and delay circuit 14 of
Are provided to configure the differential amplifier circuit 91. Further, the transistor TN9 is controlled based on the delayed inverted signal of the enable signal IN3.

【0103】例えば、入力信号IN1,IN2の受信停止を
する場合には、第3の実施例と同様に、トランジスタT
P43 ,TN53 のゲートにイネーブル信号IN3=「L」レ
ベルを供給することにより、トランジスタTP43 がON
動作をし、トランジスタTN53 がOFF動作をする。これ
により、トランジスタTP1,TP2がOFF動作をしてカレ
ントミラー回路11Bが非活性化をし、差動増幅回路91
の増幅機能が停止され、同時に、イネーブル信号IN3=
「L」レベルに基づいて3ステート回路12の出力が”
Z”状態にされる。
For example, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, the transistor T is used as in the third embodiment.
By supplying the enable signal IN3 = "L" level to the gates of P43 and TN53, the transistor TP43 is turned on.
Then, the transistor TN53 is turned off. As a result, the transistors TP1 and TP2 perform an OFF operation, the current mirror circuit 11B is deactivated, and the differential amplifier circuit 91
The amplification function of is stopped, and at the same time, enable signal IN3 =
The output of the 3-state circuit 12 is "based on the" L "level.
Z ”state.

【0104】ここで、トランジスタTN9にイネーブル信
号IN3を遅延反転した信号=「H」レベルが供給され、
該トランジスタTN9がON動作をすることで、インバー
タ INV1の共通ゲートが「L」レベルに固定される。な
お、入力信号IN1,IN2を受信する場合には、第3の実
施例と同様に、トランジスタTP43 ,TN53 のゲートに
イネーブル信号IN3=「H」レベルを供給することによ
り、トランジスタTP43 がOFF動作をし、トランジスタ
TN53 がON動作をする。これにより、カレントミラー
回路11Bが活性化をし、差動増幅回路31の増幅機能が
維持され、入力信号IN1,IN2が差動増幅される。
Here, the signal = "H" level obtained by delaying and inverting the enable signal IN3 is supplied to the transistor TN9,
By turning on the transistor TN9, the common gate of the inverter INV1 is fixed to the “L” level. When receiving the input signals IN1 and IN2, the enable signal IN3 = “H” level is supplied to the gates of the transistors TP43 and TN53 as in the third embodiment, so that the transistor TP43 is turned off. Then, the transistor TN53 turns on. As a result, the current mirror circuit 11B is activated, the amplification function of the differential amplifier circuit 31 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified.

【0105】ここで、トランジスタTN9にイネーブル信
号IN3を遅延反転した信号=「L」レベルが供給するこ
とにより、該トランジスタTN9がOFF動作をすること
で、インバータ INV1の共通ゲートが「L」レベルから
開放される。また、差動増幅された信号レベルがイネー
ブル信号IN3=「H」レベルに基づいて3ステート回路
12から内部回路に出力される。
Here, the signal ‘L’ level obtained by delaying and inverting the enable signal IN3 is supplied to the transistor TN9, so that the transistor TN9 performs the OFF operation, so that the common gate of the inverter INV1 changes from the “L” level to It will be released. Further, the differentially amplified signal level is output from the three-state circuit 12 to the internal circuit based on the enable signal IN3 = “H” level.

【0106】このため、第3の実施例に比べてイネーブ
ル信号IN3=「L」レベルの反転信号により、受信機能
が停止されると共に、インバータ INV1に接続されたト
ランジスタTN9がON動作をすることで、受信停止時に
おける差動増幅回路91の増幅動作を停止させること、
及び、インバータ INV1の増幅動作を併せて停止させる
ことが可能となる。特に、インバータ INV1に接続され
たn型の電界効果トランジスタTN9のゲートにイネーブ
ル信号IN3の遅延反転信号を供給することにより、差動
増幅回路91の動作点aの電位レベルがインバータ INV
1の閾値電圧Vthに達してから、それをインバータ INV
1の共通ゲートに供給することができる。
Therefore, as compared with the third embodiment, the receiving function is stopped and the transistor TN9 connected to the inverter INV1 is turned on by the inversion signal of the enable signal IN3 = “L” level. Stopping the amplification operation of the differential amplifier circuit 91 when reception is stopped,
Also, the amplification operation of the inverter INV1 can be stopped together. In particular, by supplying the delayed inverted signal of the enable signal IN3 to the gate of the n-type field effect transistor TN9 connected to the inverter INV1, the potential level at the operating point a of the differential amplifier circuit 91 is changed to the inverter INV1.
After reaching the threshold voltage Vth of 1, the inverter INV
Can be supplied to one common gate.

【0107】これにより、第3の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路91の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (10)第10の実施例の説明 図18は、本発明の第10の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図18において、第10の実施例では第
4の実施例の差動増幅回路41にn型の電界効果トラン
ジスタTN9,インバータ INV3及び遅延回路14が設け
られ、差動増幅回路100 を構成する。なお、トランジス
タTN9,インバータ INV3及び遅延回路14の接続方法
は第7〜第9の実施例と同様であり、また、定電流源用
トランジスタTN1,差動対トランジスタTN3,TN4,イ
ンバータ INV1,n型の電界効果トランジスタTN54 ,
TN64 ,TN74 ,TN84 ,インバータ INV2及び3ステ
ート回路12については、第4の実施例と同様のためそ
の説明を省略する。
As a result, as compared with the third embodiment, it is possible to further suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 91 when reception is stopped and to improve the performance. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (10) Description of Tenth Embodiment FIG. 18 is a configuration diagram of a differential input type receiver circuit according to a tenth embodiment of the present invention. In FIG. 18, in the tenth embodiment, a differential amplifier circuit 41 of the fourth embodiment is provided with an n-type field effect transistor TN9, an inverter INV3 and a delay circuit 14 to form a differential amplifier circuit 100. The method of connecting the transistor TN9, the inverter INV3 and the delay circuit 14 is the same as in the seventh to ninth embodiments, and the constant current source transistor TN1, the differential pair transistors TN3, TN4, the inverters INV1, n type are connected. Field effect transistor TN54,
The TN64, TN74, TN84, the inverter INV2, and the three-state circuit 12 are the same as those in the fourth embodiment, and therefore their explanations are omitted.

【0108】このようにして、本発明の第10の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第4の実施例に係る
差動増幅回路41に、図18に示すようなn型の電界効果
トランジスタTN9,インバータ INV3及び遅延回路14
が設けられ、差動増幅回路100 が構成される。また、ト
ランジスタTN9がイネーブル信号IN3の遅延反転信号に
基づいて制御される。
In this way, according to the differential input type receiving circuit of the tenth embodiment of the present invention, the differential amplifier circuit 41 of the fourth embodiment has the n-type as shown in FIG. Field effect transistor TN9, inverter INV3 and delay circuit 14 of
Are provided, and the differential amplifier circuit 100 is configured. Further, the transistor TN9 is controlled based on the delayed inverted signal of the enable signal IN3.

【0109】例えば、入力信号IN1,IN2の受信停止を
する場合には、第4の実施例と同様に、トランジスタT
N54 ,TN64 にイネーブル信号IN3=「L」レベルの反
転信号を供給することにより、該トランジスタTN54 ,
TN64 がON動作をし、差動対トランジスタTN3,TN4
のゲートが接地線GNDレベルに固定される。また、トラ
ンジスタTN74 ,TN84 にイネーブル信号IN3=「L」
レベルを供給することにより、該トランジスタTN74 ,
TN84 がOFF動作をし、両入力信号IN1,IN2の供給が
断たれ、差動増幅回路41の増幅機能が停止され、同時
に、イネーブル信号IN3=「L」レベルに基づいて3ス
テート回路12の出力が”Z”状態にされる。
For example, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, the transistor T is used as in the fourth embodiment.
By supplying the enable signal IN3 = "L" level inverted signal to N54 and TN64,
TN64 turns on and differential pair transistors TN3 and TN4
Is fixed to the ground line GND level. The enable signal IN3 = "L" is applied to the transistors TN74 and TN84.
By supplying a level, the transistor TN74,
TN84 operates OFF, the supply of both input signals IN1 and IN2 is cut off, the amplifying function of the differential amplifier circuit 41 is stopped, and at the same time, the output of the 3-state circuit 12 based on the enable signal IN3 = “L” level. Is brought to the "Z" state.

【0110】ここで、トランジスタTN9にイネーブル信
号IN3を遅延反転した信号=「H」レベルが供給され、
該トランジスタTN9がON動作をすることで、インバー
タ INV1の共通ゲートが「L」レベルに固定される。な
お、入力信号IN1,IN2を受信する場合には、第4の実
施例と同様に、トランジスタTN54 ,TN64 にイネーブ
ル信号IN3=「H」レベルの反転信号を供給することに
より、該トランジスタTN54 ,TN64 がOFF動作をし、
差動対トランジスタTN3,TN4のゲートが接地線GNDレ
ベルから開放される。また、トランジスタTN74 ,TN8
4 にイネーブル信号IN3=「H」レベルを供給すること
により、該トランジスタTN74 ,TN84 がON動作を
し、両入力信号IN1,IN2が差動対トランジスタTN3,
TN4のゲートにそれぞれ供給され、両入力信号IN1,IN
2が差動増幅される。
Here, the signal = "H" level obtained by delaying and inverting the enable signal IN3 is supplied to the transistor TN9,
By turning on the transistor TN9, the common gate of the inverter INV1 is fixed to the “L” level. When receiving the input signals IN1 and IN2, as in the fourth embodiment, the enable signal IN3 = "H" level inverted signal is supplied to the transistors TN54 and TN64 so that the transistors TN54 and TN64 are supplied. Turned off,
The gates of the differential pair transistors TN3 and TN4 are released from the ground line GND level. Also, the transistors TN74, TN8
By supplying the enable signal IN3 = "H" level to 4, the transistors TN74 and TN84 are turned on, and both input signals IN1 and IN2 are connected to the differential pair transistor TN3,
Both input signals IN1 and IN are supplied to the gate of TN4 respectively.
2 is differentially amplified.

【0111】ここで、トランジスタTN9にイネーブル信
号IN3を遅延反転した信号=「L」レベルが供給するこ
とにより、該トランジスタTN9がOFF動作をすること
で、インバータ INV1の共通ゲートが「L」レベルから
開放される。また、差動増幅された信号レベルが第1〜
第3の実施例と同様にイネーブル信号IN3=「H」レベ
ルに基づいて3ステート回路12から内部回路に出力さ
れる。
Here, the signal = "L" level obtained by delaying and inverting the enable signal IN3 is supplied to the transistor TN9, so that the transistor TN9 performs the OFF operation, so that the common gate of the inverter INV1 changes from the "L" level. It will be released. The differentially amplified signal levels are
Similar to the third embodiment, it is output from the 3-state circuit 12 to the internal circuit based on the enable signal IN3 = "H" level.

【0112】このため、第4の実施例に比べてイネーブ
ル信号IN3=「L」レベルの反転信号により、受信機能
が停止されると共に、インバータ INV1に接続されたト
ランジスタTN9がON動作をすることで、受信停止時に
おける差動増幅回路100 の増幅動作を停止させること、
及び、インバータ INV1の増幅動作を併せて停止させる
ことが可能となる。特に、インバータ INV1に接続され
たn型の電界効果トランジスタTN9のゲートにイネーブ
ル信号IN3の遅延反転信号を供給することにより、差動
増幅回路100 の動作点aの電位レベルがインバータ INV
1の閾値電圧Vthに達してから、それをインバータ INV
1の共通ゲートに供給することができる。
Therefore, as compared with the fourth embodiment, the receiving function is stopped and the transistor TN9 connected to the inverter INV1 is turned on by the inversion signal of the enable signal IN3 = “L” level. Stopping the amplifying operation of the differential amplifier circuit 100 when the reception is stopped,
Also, the amplification operation of the inverter INV1 can be stopped together. In particular, by supplying the delayed inverted signal of the enable signal IN3 to the gate of the n-type field effect transistor TN9 connected to the inverter INV1, the potential level of the operating point a of the differential amplifier circuit 100 is changed to the inverter INV1.
After reaching the threshold voltage Vth of 1, the inverter INV
Can be supplied to one common gate.

【0113】これにより、第4の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路100 の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (11)第11の実施例の説明 図19は、本発明の第11の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図19において、第11の実施例では第
1の実施例の差動増幅回路11にp型の電界効果トラン
ジスタTP5及び遅延回路14が設けられ、差動増幅回路
111 を構成する。
As a result, as compared with the fourth embodiment, it is possible to further suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 100 when the reception is stopped and to improve the performance. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (11) Description of Eleventh Embodiment FIG. 19 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to an eleventh embodiment of the present invention. In FIG. 19, in the eleventh embodiment, the differential amplifier circuit 11 of the first embodiment is provided with a p-type field effect transistor TP5 and a delay circuit 14,
Make up 111.

【0114】すなわち、図19において、p型の電界効果
トランジスタTP5は機能制御素子13の他の一例であ
り、差動対トランジスタTN3のドレイン(動作点a)と
インバータ INV1の共通ゲート(d点)の接続点と電源
線VCCとの間に接続される。また、トランジスタTP5の
ゲートには、遅延回路14により遅延したイネーブル信
号IN3が供給される。なお、定電流源用トランジスタT
N1,差動対トランジスタTN3,TN4,バイアス回路11
A,インバータ INV1及び3ステート回路12について
は、第1の実施例と同様のためその説明を省略する。
That is, in FIG. 19, the p-type field effect transistor TP5 is another example of the function control element 13, and the drain of the differential pair transistor TN3 (operating point a) and the common gate of the inverter INV1 (point d). Is connected between the connection point and the power supply line VCC. The enable signal IN3 delayed by the delay circuit 14 is supplied to the gate of the transistor TP5. The constant current source transistor T
N1, differential pair transistors TN3, TN4, bias circuit 11
The A, the inverter INV1 and the three-state circuit 12 are the same as those in the first embodiment, and therefore their explanations are omitted.

【0115】このようにして、本発明の第11の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第1の実施例に係る
差動増幅回路11に、図19に示すようなp型の電界効果
トランジスタTP5及び遅延回路14が設けられ、差動増
幅回路111 が構成される。また、トランジスタTP5がイ
ネーブル信号IN3の遅延信号に基づいて制御される。例
えば、入力信号IN1,IN2の受信停止をする場合には、
第1の実施例と同様に、トランジスタTN51 のゲートに
イネーブル信号IN3=「L」レベルを供給することによ
り、該トランジスタTN51 がOFF動作をし、差動増幅回
路11の増幅機能が停止され、同時に、イネーブル信号
IN3=「L」レベルに基づいて3ステート回路12の出
力が”Z”状態にされる。ここで、トランジスタTP5に
イネーブル信号IN3を遅延した信号=「L」レベルが供
給され、該トランジスタTP5がON動作をすることで、
インバータ INV1の共通ゲートが「H」レベルに固定さ
れる。
In this way, according to the differential input type receiver circuit of the eleventh embodiment of the present invention, the differential amplifier circuit 11 of the first embodiment has the p-type as shown in FIG. The field effect transistor TP5 and the delay circuit 14 are provided to configure the differential amplifier circuit 111. Further, the transistor TP5 is controlled based on the delay signal of the enable signal IN3. For example, to stop receiving the input signals IN1 and IN2,
Similar to the first embodiment, by supplying the enable signal IN3 = "L" level to the gate of the transistor TN51, the transistor TN51 performs the OFF operation, the amplifying function of the differential amplifier circuit 11 is stopped, and at the same time, , Enable signal
The output of the 3-state circuit 12 is set to the "Z" state based on IN3 = "L" level. Here, the signal "L" level obtained by delaying the enable signal IN3 is supplied to the transistor TP5, and the transistor TP5 is turned on,
The common gate of the inverter INV1 is fixed to "H" level.

【0116】なお、入力信号IN1,IN2を受信する場合
には、トランジスタTN51 のゲートにイネーブル信号IN
3=「H」レベルを供給することにより、該トランジス
タTN51 がON動作をし、差動増幅回路11の増幅機能
が維持され、入力信号IN1,IN2が差動増幅される。こ
こで、トランジスタTP5にイネーブル信号IN3を遅延し
た信号=「H」レベルが供給することにより、該トラン
ジスタTP5がOFF動作をし、インバータ INV1の共通ゲ
ートが「H」レベルから開放される。また、差動増幅さ
れた信号レベルがイネーブル信号IN3=「H」レベルに
基づいて3ステート回路12から内部回路に出力され
る。
When receiving the input signals IN1 and IN2, the enable signal IN is applied to the gate of the transistor TN51.
By supplying 3 = “H” level, the transistor TN51 is turned on, the amplifying function of the differential amplifier circuit 11 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified. When the signal = "H" level obtained by delaying the enable signal IN3 is supplied to the transistor TP5, the transistor TP5 performs the OFF operation, and the common gate of the inverter INV1 is released from the "H" level. Further, the differentially amplified signal level is output from the three-state circuit 12 to the internal circuit based on the enable signal IN3 = “H” level.

【0117】このため、第1の実施例に比べてイネーブ
ル信号IN3=「L」レベルの遅延信号により、受信機能
が停止されると共に、インバータ INV1に接続されたト
ランジスタTP5がON動作をすることで、受信停止時に
おける差動増幅回路111 の増幅動作を停止させること、
及び、インバータ INV1の増幅動作を併せて停止させる
ことが可能となる。特に、インバータ INV1に接続され
たp型の電界効果トランジスタTP5のゲートにイネーブ
ル信号IN3の遅延信号を供給することにより、差動増幅
回路111 の動作点aの電位レベルがインバータ INV1の
閾値電圧Vthに達してから、それをインバータ INV1の
共通ゲートに供給することができる。
Therefore, as compared with the first embodiment, the delay function of the enable signal IN3 = "L" level causes the reception function to be stopped and the transistor TP5 connected to the inverter INV1 to be turned on. Stopping the amplifying operation of the differential amplifier circuit 111 when reception is stopped,
Also, the amplification operation of the inverter INV1 can be stopped together. In particular, by supplying the delay signal of the enable signal IN3 to the gate of the p-type field effect transistor TP5 connected to the inverter INV1, the potential level at the operating point a of the differential amplifier circuit 111 becomes the threshold voltage Vth of the inverter INV1. Once reached, it can be fed to the common gate of inverter INV1.

【0118】これにより、第1の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路111 の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (12)第12の実施例の説明 図20は、本発明の第12の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図20において、第12の実施例では第
2の実施例の差動増幅回路21にp型の電界効果トラン
ジスタTP5及び遅延回路14が設けられ、差動増幅回路
112 を構成する。
As a result, compared with the first embodiment, the power consumption of the differential amplifier circuit 111 when reception is stopped can be further suppressed and the performance can be improved. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (12) Description of Twelfth Embodiment FIG. 20 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to a twelfth embodiment of the present invention. 20, in the twelfth embodiment, the differential amplifier circuit 21 of the second embodiment is provided with a p-type field effect transistor TP5 and a delay circuit 14,
Make up 112.

【0119】なお、p型の電界効果トランジスタTP5や
遅延回路14の接続方法については、第11の実施例と同
様である。また、定電流源用トランジスタTN1,差動対
トランジスタTN3,TN4,バイアス回路11A,バイアス
制御回路13A,インバータ INV1及び3ステート回路1
2については、第2の実施例と同様のためその説明を省
略する。
The method of connecting the p-type field effect transistor TP5 and the delay circuit 14 is the same as in the eleventh embodiment. Further, the constant current source transistor TN1, the differential pair transistors TN3 and TN4, the bias circuit 11A, the bias control circuit 13A, the inverter INV1 and the three-state circuit 1
Since No. 2 is similar to that of the second embodiment, its explanation is omitted.

【0120】このようにして、本発明の第12の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第2の実施例に係る
差動増幅回路21に、図20に示すようなp型の電界効果
トランジスタTP5及び遅延回路14が設けられ、差動増
幅回路112 が構成される。また、トランジスタTP5がイ
ネーブル信号IN3の遅延信号に基づいて制御される。例
えば、入力信号IN1,IN2の受信停止をする場合には、
第2の実施例と同様に、バイアス供給制御回路13Aにイ
ネーブル信号IN3=「L」レベルを供給することによ
り、第2の実施例と同様に、トランジスタTN52 がOFF
動作をし、バイアス回路11Aと定電流源Ioとの間を非
接続状態にし、かつ、トランジスタTN62 がON動作を
することで、トランジスタTN1に「L」レベルを供給す
る。これにより、差動増幅回路112 の増幅機能が停止さ
れ、同時に、イネーブル信号IN3=「L」レベルに基づ
いて3ステート回路12の出力が”Z”状態にされる。
As described above, according to the differential input type receiver circuit of the twelfth embodiment of the present invention, the differential amplifier circuit 21 of the second embodiment has the p-type as shown in FIG. The field effect transistor TP5 and the delay circuit 14 are provided to configure the differential amplifier circuit 112. Further, the transistor TP5 is controlled based on the delay signal of the enable signal IN3. For example, to stop receiving the input signals IN1 and IN2,
As in the second embodiment, by supplying the enable signal IN3 = "L" level to the bias supply control circuit 13A, the transistor TN52 is turned off as in the second embodiment.
By operating the bias circuit 11A and the constant current source Io in a non-connected state, and turning on the transistor TN62, an "L" level is supplied to the transistor TN1. As a result, the amplifying function of the differential amplifier circuit 112 is stopped, and at the same time, the output of the 3-state circuit 12 is set to the "Z" state based on the enable signal IN3 = "L" level.

【0121】ここで、トランジスタTP5にイネーブル信
号IN3を遅延した信号=「L」レベルが供給され、該ト
ランジスタTP5がON動作をすることで、インバータ I
NV1の共通ゲートが「H」レベルに固定される。なお、
入力信号IN1,IN2を受信する場合には、第2の実施例
と同様に、バイアス供給制御回路13Aにイネーブル信号
IN3=「H」レベルを供給することにより、該制御回路
13Aが活性化をし、バイアス回路11Aと定電流源用Io
とが接続され、差動増幅回路21の増幅機能が維持さ
れ、入力信号IN1,IN2が差動増幅される。
Here, the signal "L" level obtained by delaying the enable signal IN3 is supplied to the transistor TP5, and the transistor TP5 is turned on, whereby the inverter I
The common gate of NV1 is fixed at "H" level. In addition,
When the input signals IN1 and IN2 are received, the enable signal is sent to the bias supply control circuit 13A as in the second embodiment.
By supplying IN3 = “H” level, the control circuit
13A activates, bias circuit 11A and constant current source Io
Are connected, the amplification function of the differential amplifier circuit 21 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified.

【0122】ここで、トランジスタTP5にイネーブル信
号IN3を遅延した信号=「H」レベルが供給することに
より、該トランジスタTP5がOFF動作をし、インバータ
INV1の共通ゲートが「H」レベルから開放される。ま
た、差動増幅された信号レベルがイネーブル信号IN3=
「H」レベルに基づいて3ステート回路12から内部回
路に出力される。
When the signal = "H" level obtained by delaying the enable signal IN3 is supplied to the transistor TP5, the transistor TP5 performs the OFF operation and the inverter TP5 is turned off.
The common gate of INV1 is released from "H" level. The differentially amplified signal level is the enable signal IN3 =
It is output from the 3-state circuit 12 to the internal circuit based on the "H" level.

【0123】このため、第2の実施例に比べてイネーブ
ル信号IN3=「L」レベルの遅延信号により、受信機能
が停止されると共に、インバータ INV1に接続されたト
ランジスタTP5がON動作をすることで、受信停止時に
おける差動増幅回路112 の増幅動作を停止させること、
及び、インバータ INV1の増幅動作を併せて停止させる
ことが可能となる。特に、インバータ INV1に接続され
たp型の電界効果トランジスタTP5のゲートにイネーブ
ル信号IN3の遅延信号を供給することにより、差動増幅
回路112 の動作点aの電位レベルがインバータ INV1の
閾値電圧Vthに達してから、それをインバータ INV1の
共通ゲートに供給することができる。
Therefore, as compared with the second embodiment, the enable function IN3 = "L" level delay signal causes the reception function to be stopped and the transistor TP5 connected to the inverter INV1 to be turned on. Stopping the amplification operation of the differential amplifier circuit 112 when reception is stopped,
Also, the amplification operation of the inverter INV1 can be stopped together. In particular, by supplying the delay signal of the enable signal IN3 to the gate of the p-type field effect transistor TP5 connected to the inverter INV1, the potential level at the operating point a of the differential amplifier circuit 112 becomes the threshold voltage Vth of the inverter INV1. Once reached, it can be fed to the common gate of inverter INV1.

【0124】これにより、第2の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路112 の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (13)第13の実施例の説明 図21は、本発明の第13の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図21において、第13の実施例では第
3の実施例の差動増幅回路31にp型の電界効果トラン
ジスタTP5及び遅延回路14が設けられ、差動増幅回路
113 を構成する。
As a result, compared with the second embodiment, it is possible to further suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 112 when reception is stopped and to improve the performance. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (13) Description of Thirteenth Embodiment FIG. 21 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to a thirteenth embodiment of the present invention. 21, in the thirteenth embodiment, a p-type field effect transistor TP5 and a delay circuit 14 are provided in the differential amplifier circuit 31 of the third embodiment, and the differential amplifier circuit
Make up 113.

【0125】なお、p型の電界効果トランジスタTP5や
遅延回路14の接続方法については、第11,第12の実施
例と同様である。また、定電流源用トランジスタTN1,
差動対トランジスタTN3,TN4,バイアス回路11A,イ
ンバータ INV1,p型の電界効果トランジスタTP43 ,
n型の電界効果トランジスタTN53 及び3ステート回路
12については、第3の実施例と同様のためその説明を
省略する。
The method of connecting the p-type field effect transistor TP5 and the delay circuit 14 is the same as in the eleventh and twelfth embodiments. In addition, the constant current source transistor TN1,
Differential pair transistors TN3, TN4, bias circuit 11A, inverter INV1, p-type field effect transistor TP43,
The n-type field effect transistor TN53 and the three-state circuit 12 are the same as those in the third embodiment, and therefore their explanations are omitted.

【0126】このようにして、本発明の第13の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第3の実施例に係る
差動増幅回路31に、図21に示すようなp型の電界効果
トランジスタTP5及び遅延回路14が設けられ、差動増
幅回路113 が構成される。また、トランジスタTP5がイ
ネーブル信号IN3の遅延信号に基づいて制御される。例
えば、入力信号IN1,IN2の受信停止をする場合には、
第3の実施例と同様に、トランジスタTP43 ,TN53 の
ゲートにイネーブル信号IN3=「L」レベルを供給する
ことにより、トランジスタTP43 がON動作をし、トラ
ンジスタTN53 がOFF動作をする。これにより、トラン
ジスタTP1,TP2がOFF動作をしてカレントミラー回路
11Bが非活性化をし、差動増幅回路113 の増幅機能が停
止され、同時に、イネーブル信号IN3=「L」レベルに
基づいて3ステート回路12の出力が”Z”状態にされ
る。
Thus, according to the differential input type receiving circuit of the thirteenth embodiment of the present invention, the differential amplifier circuit 31 of the third embodiment has the p-type as shown in FIG. The field effect transistor TP5 and the delay circuit 14 are provided to configure the differential amplifier circuit 113. Further, the transistor TP5 is controlled based on the delay signal of the enable signal IN3. For example, to stop receiving the input signals IN1 and IN2,
As in the third embodiment, by supplying the enable signal IN3 = "L" level to the gates of the transistors TP43 and TN53, the transistor TP43 is turned on and the transistor TN53 is turned off. As a result, the transistors TP1 and TP2 perform the OFF operation and the current mirror circuit
11B is deactivated, the amplifying function of the differential amplifier circuit 113 is stopped, and at the same time, the output of the 3-state circuit 12 is set to the "Z" state based on the enable signal IN3 = "L" level.

【0127】ここで、トランジスタTP5にイネーブル信
号IN3を遅延した信号=「L」レベルが供給され、該ト
ランジスタTP5がON動作をすることで、インバータ I
NV1の共通ゲートが「H」レベルに固定される。なお、
入力信号IN1,IN2を受信する場合には、第3の実施例
と同様に、トランジスタTP43 ,TN53 のゲートにイネ
ーブル信号IN3=「H」レベルを供給することにより、
トランジスタTP43 がOFF動作をし、トランジスタTN5
3 がON動作をする。これにより、カレントミラー回路
11Bが活性化をし、差動増幅回路31の増幅機能が維持
され、入力信号IN1,IN2が差動増幅される。
Here, the signal "L" level obtained by delaying the enable signal IN3 is supplied to the transistor TP5, and the transistor TP5 is turned on, whereby the inverter I
The common gate of NV1 is fixed at "H" level. In addition,
When receiving the input signals IN1 and IN2, the enable signal IN3 = “H” level is supplied to the gates of the transistors TP43 and TN53 as in the third embodiment.
The transistor TP43 operates OFF, and the transistor TN5
3 turns ON. This makes the current mirror circuit
11B is activated, the amplification function of the differential amplifier circuit 31 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified.

【0128】ここで、トランジスタTP5にイネーブル信
号IN3を遅延した信号=「H」レベルが供給することに
より、該トランジスタTP5がOFF動作をし、インバータ
INV1の共通ゲートが「H」レベルから開放される。ま
た、差動増幅された信号レベルがイネーブル信号IN3=
「H」レベルに基づいて3ステート回路12から内部回
路に出力される。
When the signal = "H" level obtained by delaying the enable signal IN3 is supplied to the transistor TP5, the transistor TP5 performs the OFF operation and the inverter TP5 is turned off.
The common gate of INV1 is released from "H" level. The differentially amplified signal level is the enable signal IN3 =
It is output from the 3-state circuit 12 to the internal circuit based on the "H" level.

【0129】このため、第3の実施例に比べてイネーブ
ル信号IN3=「L」レベルの遅延信号により、受信機能
が停止されると共に、インバータ INV1に接続されたト
ランジスタTP5がON動作をすることで、受信停止時に
おける差動増幅回路113 の増幅動作を停止させること、
及び、インバータ INV1の増幅動作を併せて停止させる
ことが可能となる。特に、インバータ INV1に接続され
たp型の電界効果トランジスタTP5のゲートにイネーブ
ル信号IN3の遅延信号を供給することにより、差動増幅
回路113 の動作点aの電位レベルがインバータ INV1の
閾値電圧Vthに達してから、それをインバータ INV1の
共通ゲートに供給することができる。
Therefore, as compared with the third embodiment, the delay function of the enable signal IN3 = "L" level causes the reception function to be stopped and the transistor TP5 connected to the inverter INV1 to be turned on. Stopping the amplification operation of the differential amplifier circuit 113 when reception is stopped,
Also, the amplification operation of the inverter INV1 can be stopped together. In particular, by supplying the delay signal of the enable signal IN3 to the gate of the p-type field effect transistor TP5 connected to the inverter INV1, the potential level at the operating point a of the differential amplifier circuit 113 becomes the threshold voltage Vth of the inverter INV1. Once reached, it can be fed to the common gate of inverter INV1.

【0130】これにより、第3の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路113 の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (14)第14の実施例の説明 図22は、本発明の第14の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図22において、第14の実施例では第
3の実施例の差動増幅回路41にp型の電界効果トラン
ジスタTP5及び遅延回路14が設けられ、差動増幅回路
114 を構成する。
As a result, compared with the third embodiment, the power consumption of the differential amplifier circuit 113 when reception is stopped can be further suppressed and the performance can be improved. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (14) Description of Fourteenth Embodiment FIG. 22 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to a fourteenth embodiment of the present invention. 22, in the fourteenth embodiment, the differential amplifier circuit 41 of the third embodiment is provided with a p-type field effect transistor TP5 and a delay circuit 14,
Make up 114.

【0131】なお、p型の電界効果トランジスタTP5や
遅延回路14の接続方法については、第11〜第13の実施
例と同様である。また、定電流源用トランジスタTN1,
差動対トランジスタTN3,TN4,バイアス回路11A,イ
ンバータ INV1,n型の電界効果トランジスタTN54 ,
TN64 ,TN74 ,TN84 及び3ステート回路12につい
ては、第4の実施例と同様のためその説明を省略する。
The method of connecting the p-type field effect transistor TP5 and the delay circuit 14 is the same as in the eleventh to thirteenth embodiments. In addition, the constant current source transistor TN1,
Differential pair transistors TN3, TN4, bias circuit 11A, inverter INV1, n-type field effect transistor TN54,
The TN64, TN74, TN84 and the three-state circuit 12 are the same as those in the fourth embodiment, so the description thereof will be omitted.

【0132】このようにして、本発明の第14の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第4の実施例に係る
差動増幅回路41に、図22に示すようなp型の電界効果
トランジスタTP5及び遅延回路14が設けられ、差動増
幅回路114 が構成される。また、トランジスタTP5がイ
ネーブル信号IN3の遅延信号に基づいて制御される。例
えば、入力信号IN1,IN2の受信停止をする場合には、
第4の実施例と同様に、トランジスタTN54 ,TN64 に
イネーブル信号IN3=「L」レベルの反転信号を供給す
ることにより、該トランジスタTN54 ,TN64 がON動
作をし、差動対トランジスタTN3,TN4のゲートが接地
線GNDレベルに固定される。また、トランジスタTN74
,TN84 にイネーブル信号IN3=「L」レベルを供給
することにより、該トランジスタTN74 ,TN84 がOFF
動作をし、両入力信号IN1,IN2の供給が断たれ、差動
増幅回路41の増幅機能が停止され、同時に、イネーブ
ル信号IN3=「L」レベルに基づいて3ステート回路1
2の出力が”Z”状態にされる。
Thus, according to the differential input type receiving circuit of the fourteenth embodiment of the present invention, the differential amplifier circuit 41 of the fourth embodiment has the p-type as shown in FIG. The field effect transistor TP5 and the delay circuit 14 are provided to configure a differential amplifier circuit 114. Further, the transistor TP5 is controlled based on the delay signal of the enable signal IN3. For example, to stop receiving the input signals IN1 and IN2,
Similar to the fourth embodiment, by supplying the enable signal IN3 = "L" level inverted signal to the transistors TN54 and TN64, the transistors TN54 and TN64 are turned on, and the differential pair transistors TN3 and TN4 are turned on. The gate is fixed to the ground line GND level. Also, the transistor TN74
, TN84 are supplied with an enable signal IN3 = “L” level, so that the transistors TN74, TN84 are turned off.
It operates, the supply of both input signals IN1 and IN2 is cut off, the amplifying function of the differential amplifier circuit 41 is stopped, and at the same time, the 3-state circuit 1 is operated based on the enable signal IN3 = “L” level.
The output of 2 is put in the "Z" state.

【0133】ここで、トランジスタTP5にイネーブル信
号IN3を遅延した信号=「L」レベルが供給され、該ト
ランジスタTP5がON動作をすることで、インバータ I
NV1の共通ゲートが「H」レベルに固定される。なお、
入力信号IN1,IN2を受信する場合には、第4の実施例
と同様に、トランジスタTN54 ,TN64 にイネーブル信
号IN3=「H」レベルの反転信号を供給することによ
り、該トランジスタTN54 ,TN64 がOFF動作をし、差
動対トランジスタTN3,TN4のゲートが接地線GNDレベ
ルから開放される。また、トランジスタTN74 ,TN84
にイネーブル信号IN3=「H」レベルを供給することに
より、該トランジスタTN74 ,TN84 がON動作をし、
両入力信号IN1,IN2が差動対トランジスタTN3,TN4
のゲートにそれぞれ供給され、両入力信号IN1,IN2が
差動増幅される。
Here, the signal "L" level obtained by delaying the enable signal IN3 is supplied to the transistor TP5, and the transistor TP5 is turned on, whereby the inverter I
The common gate of NV1 is fixed at "H" level. In addition,
When the input signals IN1 and IN2 are received, as in the fourth embodiment, the enable signal IN3 = "H" level inverted signal is supplied to the transistors TN54 and TN64 so that the transistors TN54 and TN64 are turned off. In operation, the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4 are released from the level of the ground line GND. Also, the transistors TN74, TN84
By supplying the enable signal IN3 = “H” level to the transistors TN74 and TN84, the transistors TN74 and TN84 are turned on,
Both input signals IN1 and IN2 are differential pair transistors TN3 and TN4
Of the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified.

【0134】ここで、トランジスタTP5にイネーブル信
号IN3を遅延した信号=「H」レベルが供給することに
より、該トランジスタTP5がOFF動作をし、インバータ
INV1の共通ゲートが「H」レベルから開放される。ま
た、差動増幅された信号レベルがイネーブル信号IN3=
「H」レベルに基づいて3ステート回路12から内部回
路に出力される。
When the signal = "H" level obtained by delaying the enable signal IN3 is supplied to the transistor TP5, the transistor TP5 performs the OFF operation and the inverter TP5
The common gate of INV1 is released from "H" level. The differentially amplified signal level is the enable signal IN3 =
It is output from the 3-state circuit 12 to the internal circuit based on the "H" level.

【0135】このため、第4の実施例に比べてイネーブ
ル信号IN3=「L」レベルの遅延信号により、受信機能
が停止されると共に、インバータ INV1に接続されたト
ランジスタTP5がON動作をすることで、受信停止時に
おける差動増幅回路114 の増幅動作を停止させること、
及び、インバータ INV1の増幅動作を併せて停止させる
ことが可能となる。特に、インバータ INV1に接続され
たp型の電界効果トランジスタTP5のゲートにイネーブ
ル信号IN3の遅延信号を供給することにより、差動増幅
回路114 の動作点aの電位レベルがインバータ INV1の
閾値電圧Vthに達してから、それをインバータ INV1の
共通ゲートに供給することができる。
Therefore, compared with the fourth embodiment, the receiving function is stopped by the enable signal IN3 = “L” level delay signal, and the transistor TP5 connected to the inverter INV1 is turned on. Stopping the amplification operation of the differential amplifier circuit 114 when reception is stopped,
Also, the amplification operation of the inverter INV1 can be stopped together. In particular, by supplying the delay signal of the enable signal IN3 to the gate of the p-type field effect transistor TP5 connected to the inverter INV1, the potential level of the operating point a of the differential amplifier circuit 114 becomes the threshold voltage Vth of the inverter INV1. Once reached, it can be fed to the common gate of inverter INV1.

【0136】これにより、第4の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路114 の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (15)第15の実施例の説明 図23は、本発明の第15の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図23において、第15の実施例では第
1の実施例のインバータ INV1にn型の電界効果トラン
ジスタTN10 が設けられ、差動増幅回路115 を構成す
る。
As a result, compared with the fourth embodiment, the power consumption of the differential amplifier circuit 114 when reception is stopped can be further suppressed and the performance can be improved. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (15) Description of Fifteenth Embodiment FIG. 23 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to a fifteenth embodiment of the present invention. In FIG. 23, in the fifteenth embodiment, an inverter INV1 of the first embodiment is provided with an n-type field effect transistor TN10 to form a differential amplifier circuit 115.

【0137】すなわち、図23において、n型の電界効果
トランジスタTN10 は機能制御素子13の他の一例であ
り、インバータ INV1のトランジスタTP3,TN2間に接
続される。また、トランジスタTN10 のゲートには、イ
ネーブル信号IN3が供給される。なお、定電流源用トラ
ンジスタTN1,差動増幅回路11のトランジスタTN3,
TN4,バイアス回路11A及び3ステート回路12につい
ては、第1の実施例と同様のためその説明を省略する。
That is, in FIG. 23, the n-type field effect transistor TN10 is another example of the function control element 13, and is connected between the transistors TP3 and TN2 of the inverter INV1. The enable signal IN3 is supplied to the gate of the transistor TN10. The constant current source transistor TN1, the transistor TN3 of the differential amplifier circuit 11,
The TN4, the bias circuit 11A, and the three-state circuit 12 are the same as those in the first embodiment, and therefore their explanations are omitted.

【0138】このようにして、本発明の第15の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第1の実施例に係る
インバータ INV1に、図23に示すようなn型の電界効果
トランジスタTN10 が設けられ、インバータ INV4を含
む差動増幅回路115 が構成される。また、トランジスタ
TN10 がイネーブル信号IN3に基づいて制御される。例
えば、入力信号IN1,IN2の受信停止をする場合には、
第1の実施例と同様に、トランジスタTN51 のゲートに
イネーブル信号IN3=「L」レベルを供給することによ
り、該トランジスタTN51 がOFF動作をし、差動増幅機
能が停止され、同時に、イネーブル信号IN3=「L」レ
ベルに基づいて3ステート回路12の出力が”Z”状態
にされる。ここで、トランジスタTN10 にイネーブル信
号IN3=「L」レベルが供給され、該トランジスタTN1
0 がOFF動作をすることで、インバータ INV1の増幅機
能が停止される。
As described above, according to the differential input type receiver circuit of the fifteenth embodiment of the present invention, the inverter INV1 of the first embodiment has the n-type field effect as shown in FIG. A transistor TN10 is provided, and a differential amplifier circuit 115 including an inverter INV4 is constructed. Further, the transistor TN10 is controlled based on the enable signal IN3. For example, to stop receiving the input signals IN1 and IN2,
As in the first embodiment, by supplying the enable signal IN3 = “L” level to the gate of the transistor TN51, the transistor TN51 performs the OFF operation, the differential amplification function is stopped, and at the same time, the enable signal IN3. The output of the 3-state circuit 12 is set to the "Z" state based on the "L" level. Here, the enable signal IN3 = "L" level is supplied to the transistor TN10, and the transistor TN1
When 0 turns off, the amplification function of the inverter INV1 is stopped.

【0139】なお、入力信号IN1,IN2を受信する場合
には、トランジスタTN51 のゲートにイネーブル信号IN
3=「H」レベルを供給することにより、該トランジス
タTN51 がON動作をし、差動増幅機能が維持され、入
力信号IN1,IN2が差動増幅される。ここで、トランジ
スタTN10 にイネーブル信号IN3=「H」レベルが供給
することにより、該トランジスタTN10 がON動作を
し、インバータ INV1の増幅機能が維持され、差動増幅
された信号レベルがイネーブル信号IN3=「H」レベル
に基づいて3ステート回路12から内部回路に出力され
る。
When receiving the input signals IN1 and IN2, the enable signal IN is applied to the gate of the transistor TN51.
By supplying 3 = “H” level, the transistor TN51 is turned on, the differential amplification function is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified. When the enable signal IN3 = "H" level is supplied to the transistor TN10, the transistor TN10 is turned on, the amplifying function of the inverter INV1 is maintained, and the differentially amplified signal level is the enable signal IN3 =. It is output from the 3-state circuit 12 to the internal circuit based on the "H" level.

【0140】このため、第1の実施例に比べてイネーブ
ル信号IN3=「L」レベルの遅延信号により、受信機能
が停止されると共に、インバータ INV1に接続されたト
ランジスタTN10 がOFF動作をすることで、受信停止時
における差動増幅動作を停止させること、及び、インバ
ータ INV1の増幅動作を併せて停止させることが可能と
なる。
Therefore, as compared with the first embodiment, the delay function of the enable signal IN3 = "L" level causes the reception function to be stopped and the transistor TN10 connected to the inverter INV1 to perform the OFF operation. It is possible to stop the differential amplification operation when reception is stopped and also stop the amplification operation of the inverter INV1.

【0141】これにより、第1の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路115 の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (16)第16の実施例の説明 図24は、本発明の第16の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図24において、第16の実施例では第
2の実施例のインバータ INV1にn型の電界効果トラン
ジスタTN10 が設けられ、差動増幅回路116 を構成す
る。
As a result, compared with the first embodiment, it is possible to further suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 115 when reception is stopped and to improve the performance. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (16) Description of Sixteenth Embodiment FIG. 24 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to a sixteenth embodiment of the present invention. In FIG. 24, in the sixteenth embodiment, an inverter INV1 of the second embodiment is provided with an n-type field effect transistor TN10 to form a differential amplifier circuit 116.

【0142】なお、n型の電界効果トランジスタTN10
の接続方法については、第15の実施例と同様である。ま
た、定電流源用トランジスタTN1,差動対トランジスタ
TN3,TN4,バイアス回路11A,バイアス制御回路13
A,インバータ INV4及び3ステート回路12について
は、第2,第15の実施例と同様のためその説明を省略す
る。
The n-type field effect transistor TN10
The connection method of is similar to that of the fifteenth embodiment. Further, the constant current source transistor TN1, the differential pair transistors TN3 and TN4, the bias circuit 11A, the bias control circuit 13
The A, the inverter INV4, and the three-state circuit 12 are similar to those in the second and fifteenth embodiments, and the description thereof will be omitted.

【0143】このようにして、本発明の第16の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第2の実施例に係る
インバータ INV1に、図24に示すようなn型の電界効果
トランジスタTN10 が設けられ、差動増幅回路116 が構
成される。また、トランジスタTN10 がイネーブル信号
IN3に基づいて制御される。例えば、入力信号IN1,IN
2の受信停止をする場合には、第2の実施例と同様に、
バイアス供給制御回路13Aにイネーブル信号IN3=
「L」レベルを供給することにより、第2の実施例と同
様に、トランジスタTN52 がOFF動作をし、バイアス回
路11Aと定電流源Ioとの間を非接続状態にし、かつ、
トランジスタTN62 がON動作をすることで、トランジ
スタTN1に「L」レベルを供給する。これにより、差動
増幅回路112 の増幅機能が停止され、同時に、イネーブ
ル信号IN3=「L」レベルに基づいて3ステート回路1
2の出力が”Z”状態にされる。
As described above, according to the differential input type receiver circuit of the sixteenth embodiment of the present invention, the inverter INV1 of the second embodiment has the n-type field effect as shown in FIG. The transistor TN10 is provided, and the differential amplifier circuit 116 is configured. Also, the transistor TN10 is an enable signal.
Controlled based on IN3. For example, input signals IN1, IN
When the reception of 2 is stopped, as in the second embodiment,
Enable signal IN3 = to bias supply control circuit 13A
By supplying the "L" level, the transistor TN52 performs the OFF operation as in the second embodiment, and the bias circuit 11A and the constant current source Io are disconnected, and
When the transistor TN62 is turned on, the "L" level is supplied to the transistor TN1. As a result, the amplification function of the differential amplifier circuit 112 is stopped, and at the same time, the 3-state circuit 1 is driven based on the enable signal IN3 = "L" level.
The output of 2 is put in the "Z" state.

【0144】ここで、トランジスタTN10 にイネーブル
信号IN3=「L」レベルが供給され、該トランジスタT
N10 がOFF動作をすることで、インバータ INV1の増幅
機能が停止される。なお、入力信号IN1,IN2を受信す
る場合には、第2の実施例と同様に、バイアス供給制御
回路13Aにイネーブル信号IN3=「H」レベルを供給す
ることにより、該制御回路13Aが活性化をし、バイアス
回路11Aと定電流源用Ioとが接続され、差動増幅回路
116 の増幅機能が維持され、入力信号IN1,IN2が差動
増幅される。
Here, the enable signal IN3 = "L" level is supplied to the transistor TN10,
When N10 turns off, the amplification function of the inverter INV1 is stopped. When the input signals IN1 and IN2 are received, the enable signal IN3 = "H" level is supplied to the bias supply control circuit 13A to activate the control circuit 13A, as in the second embodiment. The bias circuit 11A and the constant current source Io are connected, and the differential amplifier circuit
The amplification function of 116 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified.

【0145】ここで、トランジスタTN10 にイネーブル
信号IN3=「H」レベルが供給することにより、該トラ
ンジスタTN10 がON動作をし、インバータ INV4の増
幅機能が維持され、差動増幅された信号レベルがイネー
ブル信号IN3=「H」レベルに基づいて3ステート回路
12から内部回路に出力される。このため、第2の実施
例に比べてイネーブル信号IN3=「L」レベルの遅延信
号により、受信機能が停止されると共に、インバータ I
NV4に接続されたトランジスタTN10 がOFF動作をする
ことで、受信停止時における差動増幅動作を停止させる
こと、及び、インバータ INV4の増幅動作を併せて停止
させることが可能となる。
When the enable signal IN3 = "H" level is supplied to the transistor TN10, the transistor TN10 is turned on, the amplifying function of the inverter INV4 is maintained, and the differentially amplified signal level is enabled. The signal is output from the 3-state circuit 12 to the internal circuit based on the signal IN3 = "H" level. Therefore, compared with the second embodiment, the reception function is stopped by the enable signal IN3 = "L" level delay signal and the inverter I
Since the transistor TN10 connected to NV4 performs the OFF operation, it is possible to stop the differential amplification operation when reception is stopped and also stop the amplification operation of the inverter INV4.

【0146】これにより、第2の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路116 の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (17)第17の実施例の説明 図25は、本発明の第17の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図25において、第17の実施例では第
3の実施例のインバータ INV1にn型の電界効果トラン
ジスタTN10 が設けられ、差動増幅回路117 を構成す
る。
As a result, compared with the second embodiment, the power consumption of the differential amplifier circuit 116 when reception is stopped can be further suppressed and the performance can be improved. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (17) Description of Seventeenth Embodiment FIG. 25 is a configuration diagram of a differential input type receiver circuit according to a seventeenth embodiment of the present invention. In FIG. 25, in the seventeenth embodiment, the inverter INV1 of the third embodiment is provided with an n-type field effect transistor TN10 to form a differential amplifier circuit 117.

【0147】なお、n型の電界効果トランジスタTN10
の接続方法については、第15,16の実施例と同様であ
る。また、定電流源用トランジスタTN1,差動対トラン
ジスタTN3,TN4,バイアス回路11A,インバータ INV
5,p型の電界効果トランジスタTP43 ,n型の電界効
果トランジスタTN53 及び3ステート回路12について
は、第3,第16の実施例と同様のためその説明を省略す
る。
The n-type field effect transistor TN10
The connection method is the same as in the fifteenth and sixteenth embodiments. In addition, a constant current source transistor TN1, a differential pair transistor TN3, TN4, a bias circuit 11A, an inverter INV.
The 5, p-type field effect transistor TP43, the n-type field effect transistor TN53, and the three-state circuit 12 are the same as those in the third and sixteenth embodiments, and the description thereof will be omitted.

【0148】このようにして、本発明の第17の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第3の実施例に係る
インバータ INV1に、図25に示すようなn型の電界効果
トランジスタTN10 が設けられ、差動増幅回路117 が構
成される。また、トランジスタTN10 がイネーブル信号
IN3に基づいて制御される。例えば、入力信号IN1,IN
2の受信停止をする場合には、第3の実施例と同様に、
トランジスタTP43 ,TN53 のゲートにイネーブル信号
IN3=「L」レベルを供給することにより、トランジス
タTP43 がON動作をし、トランジスタTN53 がOFF動
作をする。これにより、トランジスタTP1,TP2がOFF
動作をしてカレントミラー回路11Bが非活性化をし、差
動増幅回路113 の増幅機能が停止され、同時に、イネー
ブル信号IN3=「L」レベルに基づいて3ステート回路
12の出力が”Z”状態にされる。
Thus, according to the differential input type receiver circuit of the seventeenth embodiment of the present invention, the inverter INV1 of the third embodiment has an n-type field effect as shown in FIG. The transistor TN10 is provided and the differential amplifier circuit 117 is configured. Also, the transistor TN10 is an enable signal.
Controlled based on IN3. For example, input signals IN1, IN
When the reception of 2 is stopped, as in the third embodiment,
Enable signal to the gates of transistors TP43 and TN53
By supplying IN3 = "L" level, the transistor TP43 is turned on and the transistor TN53 is turned off. As a result, the transistors TP1 and TP2 are turned off.
The current mirror circuit 11B is activated to deactivate, the amplification function of the differential amplifier circuit 113 is stopped, and at the same time, the output of the 3-state circuit 12 is "Z" based on the enable signal IN3 = "L" level. Be put in a state.

【0149】ここで、トランジスタTN10 にイネーブル
信号IN3=「L」レベルが供給され、該トランジスタT
N10 がOFF動作をすることで、インバータ INV1の増幅
機能が停止される。なお、入力信号IN1,IN2を受信す
る場合には、第3の実施例と同様に、トランジスタTP4
3 ,TN53 のゲートにイネーブル信号IN3=「H」レベ
ルを供給することにより、トランジスタTP43 がOFF動
作をし、トランジスタTN53 がON動作をする。これに
より、カレントミラー回路11Bが活性化をし、差動増幅
回路31の増幅機能が維持され、入力信号IN1,IN2が
差動増幅される。
Here, the enable signal IN3 = "L" level is supplied to the transistor TN10, and the transistor T10 is turned on.
When N10 turns off, the amplification function of the inverter INV1 is stopped. When receiving the input signals IN1 and IN2, the transistor TP4 is used as in the third embodiment.
By supplying the enable signal IN3 = “H” level to the gates of 3 and TN53, the transistor TP43 performs the OFF operation and the transistor TN53 performs the ON operation. As a result, the current mirror circuit 11B is activated, the amplification function of the differential amplifier circuit 31 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified.

【0150】ここで、トランジスタTN10 にイネーブル
信号IN3=「H」レベルが供給することにより、該トラ
ンジスタTN10 がON動作をし、インバータ INV4の増
幅機能が維持され、また、差動増幅された信号レベルが
イネーブル信号IN3=「H」レベルに基づいて3ステー
ト回路12から内部回路に出力される。このため、第3
の実施例に比べてイネーブル信号IN3=「L」レベルの
遅延信号により、受信機能が停止されると共に、インバ
ータ INV4に接続されたトランジスタTN10 がOFF動作
をすることで、受信停止時における差動増幅動作を停止
させること、及び、インバータ INV4の増幅動作を併せ
て停止させることが可能となる。
When the enable signal IN3 = "H" level is supplied to the transistor TN10, the transistor TN10 is turned on, the amplifying function of the inverter INV4 is maintained, and the differentially amplified signal level is maintained. Is output from the 3-state circuit 12 to the internal circuit based on the enable signal IN3 = “H” level. Therefore, the third
Compared with the embodiment described above, the reception function is stopped by the delay signal of the enable signal IN3 = “L” level, and the transistor TN10 connected to the inverter INV4 performs the OFF operation, so that the differential amplification when the reception is stopped is performed. It is possible to stop the operation and also stop the amplification operation of the inverter INV4.

【0151】これにより、第3の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路117 の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (18)第18の実施例の説明 図26は、本発明の第18の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図26において、第18の実施例では第
4の実施例のインバータ INV1にn型の電界効果トラン
ジスタTN10 が設けられ、差動増幅回路118 を構成す
る。
As a result, compared with the third embodiment, it is possible to further suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 117 when reception is stopped and to improve the performance. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (18) Description of 18th Embodiment FIG. 26 is a block diagram of a differential input type receiver circuit according to an 18th embodiment of the present invention. In FIG. 26, in the eighteenth embodiment, an inverter INV1 of the fourth embodiment is provided with an n-type field effect transistor TN10 to form a differential amplifier circuit 118.

【0152】なお、n型の電界効果トランジスタTN10
の接続方法については、第15,16の実施例と同様であ
る。また、定電流源用トランジスタTN1,差動対トラン
ジスタTN3,TN4,バイアス回路11A,インバータ INV
2,インバータ INV4,n型の電界効果トランジスタT
N54 ,TN64 ,TN74 ,TN84 及び3ステート回路12
については、第4,第16の実施例と同様のためその説明
を省略する。
The n-type field effect transistor TN10
The connection method is the same as in the fifteenth and sixteenth embodiments. In addition, a constant current source transistor TN1, a differential pair transistor TN3, TN4, a bias circuit 11A, an inverter INV.
2, inverter INV4, n-type field effect transistor T
N54, TN64, TN74, TN84 and 3-state circuit 12
With respect to, since the same as in the fourth and sixteenth embodiments, description thereof will be omitted.

【0153】このようにして、本発明の第18の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第4の実施例に係る
インバータ INV1に、図26に示すようなn型の電界効果
トランジスタTN10 が設けられ、差動増幅回路118 が構
成される。また、トランジスタTN10 がイネーブル信号
IN3に基づいて制御される。例えば、入力信号IN1,IN
2の受信停止をする場合には、第4の実施例と同様に、
トランジスタTN54 ,TN64 にイネーブル信号IN3=
「L」レベルの反転信号を供給することにより、該トラ
ンジスタTN54 ,TN64 がON動作をし、差動対トラン
ジスタTN3,TN4のゲートが接地線GNDレベルに固定さ
れる。また、トランジスタTN74 ,TN84 にイネーブル
信号IN3=「L」レベルを供給することにより、該トラ
ンジスタTN74 ,TN84 がOFF動作をし、両入力信号IN
1,IN2の供給が断たれ、差動増幅回路41の増幅機能
が停止され、同時に、イネーブル信号IN3=「L」レベ
ルに基づいて3ステート回路12の出力が”Z”状態に
される。
As described above, according to the differential input type receiver circuit of the eighteenth embodiment of the present invention, the n-type field effect as shown in FIG. 26 is applied to the inverter INV1 of the fourth embodiment. The transistor TN10 is provided to configure the differential amplifier circuit 118. Also, the transistor TN10 is an enable signal.
Controlled based on IN3. For example, input signals IN1, IN
When the reception of 2 is stopped, as in the fourth embodiment,
Enable signal IN3 = to transistors TN54 and TN64.
By supplying the "L" level inversion signal, the transistors TN54 and TN64 are turned on, and the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4 are fixed to the ground line GND level. Further, by supplying the enable signal IN3 = “L” level to the transistors TN74, TN84, the transistors TN74, TN84 perform an OFF operation, and both input signals IN
The supply of 1 and IN2 is cut off, the amplifying function of the differential amplifier circuit 41 is stopped, and at the same time, the output of the 3-state circuit 12 is set to the "Z" state based on the enable signal IN3 = "L" level.

【0154】ここで、トランジスタTN10 にイネーブル
信号IN3=「L」レベルが供給され、該トランジスタT
N10 がOFF動作をすることで、インバータ INV1の増幅
機能が停止される。なお、入力信号IN1,IN2を受信す
る場合には、第4の実施例と同様に、トランジスタTN5
4 ,TN64 にイネーブル信号IN3=「H」レベルの反転
信号を供給することにより、該トランジスタTN54 ,T
N64 がOFF動作をし、差動対トランジスタTN3,TN4の
ゲートが接地線GNDレベルから開放される。また、トラ
ンジスタTN74 ,TN84 にイネーブル信号IN3=「H」
レベルを供給することにより、該トランジスタTN74 ,
TN84 がON動作をし、両入力信号IN1,IN2が差動対
トランジスタTN3,TN4のゲートにそれぞれ供給され、
両入力信号IN1,IN2が差動増幅される。
Here, the enable signal IN3 = "L" level is supplied to the transistor TN10,
When N10 turns off, the amplification function of the inverter INV1 is stopped. When receiving the input signals IN1 and IN2, the transistor TN5 is used as in the fourth embodiment.
By supplying an enable signal IN3 = "H" level inverted signal to the transistors TN54 and TN64,
N64 performs the OFF operation, and the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4 are released from the level of the ground line GND. Further, the enable signal IN3 = "H" is applied to the transistors TN74 and TN84.
By supplying a level, the transistor TN74,
TN84 is turned on, both input signals IN1 and IN2 are supplied to the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4, respectively.
Both input signals IN1 and IN2 are differentially amplified.

【0155】ここで、トランジスタTN10 にイネーブル
信号IN3=「H」レベルが供給することにより、該トラ
ンジスタTN10 がON動作をし、インバータ INV4の増
幅機能が維持され、また、差動増幅された信号レベルが
イネーブル信号IN3=「H」レベルに基づいて3ステー
ト回路12から内部回路に出力される。このため、第4
の実施例に比べてイネーブル信号IN3=「L」レベルの
遅延信号により、受信機能が停止されると共に、インバ
ータ INV4に接続されたトランジスタTN10 がOFF動作
をすることで、受信停止時における差動増幅動作を停止
させること、及び、インバータ INV4の増幅動作を併せ
て停止させることが可能となる。
When the enable signal IN3 = "H" level is supplied to the transistor TN10, the transistor TN10 is turned on, the amplifying function of the inverter INV4 is maintained, and the differentially amplified signal level is maintained. Is output from the 3-state circuit 12 to the internal circuit based on the enable signal IN3 = “H” level. Therefore, the fourth
Compared with the embodiment described above, the reception function is stopped by the delay signal of the enable signal IN3 = “L” level, and the transistor TN10 connected to the inverter INV4 performs the OFF operation, so that the differential amplification when the reception is stopped is performed. It is possible to stop the operation and also stop the amplification operation of the inverter INV4.

【0156】これにより、第4の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路118 の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (19)第19の実施例の説明 図27は、本発明の第19の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図27において、第19の実施例では第
1の実施例のインバータ INV1にp型の電界効果トラン
ジスタTP6が設けられ、差動増幅回路119 を構成する。
As a result, compared with the fourth embodiment, the power consumption of the differential amplifier circuit 118 when reception is stopped can be further suppressed and the performance can be improved. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (19) Description of Nineteenth Embodiment FIG. 27 is a configuration diagram of a differential input type receiver circuit according to a nineteenth embodiment of the present invention. In FIG. 27, in the nineteenth embodiment, a p-type field effect transistor TP6 is provided in the inverter INV1 of the first embodiment to form a differential amplifier circuit 119.

【0157】すなわち、図23において、p型の電界効果
トランジスタTP6は機能制御素子13の他の一例であ
り、インバータ INV1のトランジスタTP3,TN2間に接
続される。また、トランジスタTP6のゲートには、イネ
ーブル信号IN3の反転信号が供給される。なお、定電流
源用トランジスタTN1,差動対トランジスタTN3,TN
4,バイアス回路11A及び3ステート回路12について
は、第1の実施例と同様のためその説明を省略する。
That is, in FIG. 23, the p-type field effect transistor TP6 is another example of the function control element 13, and is connected between the transistors TP3 and TN2 of the inverter INV1. Further, the inverted signal of the enable signal IN3 is supplied to the gate of the transistor TP6. The constant current source transistor TN1, the differential pair transistor TN3, TN
4, the bias circuit 11A and the three-state circuit 12 are the same as those in the first embodiment, and their explanations are omitted.

【0158】このようにして、本発明の第19の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第1の実施例に係る
インバータ INV1に、図27に示すようなp型の電界効果
トランジスタTP6が設けられ、差動増幅回路119 が構成
される。また、トランジスタTP6がイネーブル信号IN3
の反転信号に基づいて制御される。例えば、入力信号IN
1,IN2の受信停止をする場合には、第1の実施例と同
様に、トランジスタTN51 のゲートにイネーブル信号IN
3=「L」レベルを供給することにより、該トランジス
タTN51 がOFF動作をし、差動増幅機能が停止され、同
時に、イネーブル信号IN3=「L」レベルに基づいて3
ステート回路12の出力が”Z”状態にされる。
As described above, according to the differential input type receiving circuit of the nineteenth embodiment of the present invention, the p-type field effect shown in FIG. 27 is added to the inverter INV1 of the first embodiment. The transistor TP6 is provided, and the differential amplifier circuit 119 is configured. In addition, the transistor TP6 has an enable signal IN3.
Is controlled based on the inversion signal of. For example, input signal IN
When the reception of 1 and IN2 is stopped, the enable signal IN is applied to the gate of the transistor TN51 as in the first embodiment.
By supplying 3 = “L” level, the transistor TN51 performs the OFF operation and the differential amplification function is stopped, and at the same time, the enable signal IN3 = 3 is set based on the “L” level.
The output of the state circuit 12 is set to the "Z" state.

【0159】ここで、トランジスタTP6にイネーブル信
号IN3の反転信号=「H」レベルが供給され、該トラン
ジスタTP6がOFF動作をすることで、インバータ INV5
の増幅機能が停止される。なお、入力信号IN1,IN2を
受信する場合には、トランジスタTN51 のゲートにイネ
ーブル信号IN3=「H」レベルを供給することにより、
該トランジスタTN51 がON動作をし、差動増幅機能が
維持され、入力信号IN1,IN2が差動増幅される。ここ
で、トランジスタTP6にイネーブル信号IN3の反転信号
=「L」レベルが供給することにより、該トランジスタ
TP6がON動作をし、インバータ INV5の増幅機能が維
持され、差動増幅された信号レベルがイネーブル信号IN
3=「H」レベルに基づいて3ステート回路12から内
部回路に出力される。
Here, the inverted signal of the enable signal IN3 = “H” level is supplied to the transistor TP6, and the transistor TP6 performs the OFF operation, whereby the inverter INV5
The amplification function of is stopped. When receiving the input signals IN1 and IN2, by supplying the enable signal IN3 = “H” level to the gate of the transistor TN51,
The transistor TN51 is turned on, the differential amplification function is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are differentially amplified. When the inverted signal of the enable signal IN3 = “L” level is supplied to the transistor TP6, the transistor TP6 is turned on, the amplifying function of the inverter INV5 is maintained, and the differentially amplified signal level is enabled. Signal IN
3 = Based on “H” level, output from the 3-state circuit 12 to the internal circuit.

【0160】このため、第1の実施例に比べてイネーブ
ル信号IN3=「L」レベルの遅延信号により、受信機能
が停止されると共に、インバータ INV5に接続されたト
ランジスタTP6がOFF動作をすることで、受信停止時に
おける差動増幅動作を停止させること、及び、インバー
タ INV5の増幅動作を併せて停止させることが可能とな
る。
Therefore, compared with the first embodiment, the delay function of the enable signal IN3 = “L” level causes the reception function to be stopped and the transistor TP6 connected to the inverter INV5 to perform the OFF operation. It is possible to stop the differential amplification operation when the reception is stopped and also stop the amplification operation of the inverter INV5.

【0161】これにより、第1の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路119 の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (20)第20の実施例の説明 図28は、本発明の第20の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図28において、第20の実施例では第
2の実施例のインバータ INV1にp型の電界効果トラン
ジスタTP6が設けられ、差動増幅回路120 を構成する。
As a result, compared with the first embodiment, the power consumption of the differential amplifier circuit 119 when reception is stopped can be further suppressed and the performance can be improved. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (20) Description of 20th Embodiment FIG. 28 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a 20th embodiment of the present invention. In FIG. 28, in the twentieth embodiment, a p-type field effect transistor TP6 is provided in the inverter INV1 of the second embodiment to form the differential amplifier circuit 120.

【0162】なお、p型の電界効果トランジスタTP6の
接続方法については、第19の実施例と同様である。ま
た、定電流源用トランジスタTN1,差動対トランジスタ
TN3,TN4,バイアス回路11A,バイアス制御回路13
A,インバータ INV4及び3ステート回路12について
は、第2の実施例と同様のためその説明を省略する。こ
のようにして、本発明の第20の実施例に係る差動入力型
受信回路によれば、第2の実施例に係るインバータ INV
1に、図28に示すようなp型の電界効果トランジスタT
P6が設けられ、差動増幅回路120 が構成される。また、
トランジスタTP6がイネーブル信号IN3の反転信号に基
づいて制御される。
The method of connecting the p-type field effect transistor TP6 is the same as in the nineteenth embodiment. Further, the constant current source transistor TN1, the differential pair transistors TN3 and TN4, the bias circuit 11A, the bias control circuit 13
The A, the inverter INV4, and the three-state circuit 12 are the same as those in the second embodiment, and the description thereof is omitted. Thus, according to the differential input type receiver circuit of the twentieth embodiment of the present invention, the inverter INV of the second embodiment is
1 shows a p-type field effect transistor T as shown in FIG.
P6 is provided and the differential amplifier circuit 120 is configured. Also,
The transistor TP6 is controlled based on the inverted signal of the enable signal IN3.

【0163】例えば、入力信号IN1,IN2の受信停止を
する場合には、バイアス供給制御回路13Aにイネーブル
信号IN3=「L」レベルを供給することにより、第2の
実施例と同様に、トランジスタTN52 がOFF動作をし、
バイアス回路11Aと定電流源Ioとの間を非接続状態に
し、かつ、トランジスタTN62 がON動作をすること
で、トランジスタTN1に「L」レベルを供給する。これ
により、差動増幅回路120 の増幅機能が停止され、同時
に、イネーブル信号IN3=「L」レベルに基づいて3ス
テート回路12の出力が”Z”状態にされる。
For example, when the reception of the input signals IN1 and IN2 is stopped, the enable signal IN3 = "L" level is supplied to the bias supply control circuit 13A, so that the transistor TN52 is supplied as in the second embodiment. Turned off,
The bias circuit 11A and the constant current source Io are disconnected from each other, and the transistor TN62 is turned on to supply the "L" level to the transistor TN1. As a result, the amplification function of the differential amplifier circuit 120 is stopped, and at the same time, the output of the 3-state circuit 12 is set to the "Z" state based on the enable signal IN3 = "L" level.

【0164】ここで、トランジスタTP6にイネーブル信
号IN3の反転信号=「H」レベルが供給され、該トラン
ジスタTP6がOFF動作をすることで、インバータ INV5
の増幅機能が停止される。なお、入力信号IN1,IN2を
受信する場合には、第2の実施例と同様に、バイアス供
給制御回路13Aにイネーブル信号IN3=「H」レベルを
供給することにより、該制御回路13Aが活性化をし、バ
イアス回路11Aと定電流源用Ioとが接続され、差動増
幅回路120 の増幅機能が維持され、入力信号IN1,IN2
が差動増幅される。
Here, the inverted signal of the enable signal IN3 = “H” level is supplied to the transistor TP6, and the transistor TP6 performs the OFF operation, whereby the inverter INV5
The amplification function of is stopped. When the input signals IN1 and IN2 are received, the enable signal IN3 = "H" level is supplied to the bias supply control circuit 13A to activate the control circuit 13A, as in the second embodiment. The bias circuit 11A and the constant current source Io are connected, the amplification function of the differential amplifier circuit 120 is maintained, and the input signals IN1 and IN2 are maintained.
Is differentially amplified.

【0165】ここで、トランジスタTP6にイネーブル信
号IN3の反転信号=「L」レベルが供給することによ
り、該トランジスタTP6がON動作をし、インバータ I
NV5の増幅機能が維持され、差動増幅された信号レベル
がイネーブル信号IN3=「H」レベルに基づいて3ステ
ート回路12から内部回路に出力される。このため、第
2の実施例に比べてイネーブル信号IN3=「L」レベル
により、受信機能が停止されると共に、インバータ INV
5に接続されたトランジスタTP6がOFF動作をすること
で、受信停止時における差動増幅動作を停止させるこ
と、及び、インバータ INV5の増幅動作を併せて停止さ
せることが可能となる。
When the inverted signal of the enable signal IN3 = “L” level is supplied to the transistor TP6, the transistor TP6 is turned on and the inverter I
The amplifying function of NV5 is maintained, and the differentially amplified signal level is output from the 3-state circuit 12 to the internal circuit based on the enable signal IN3 = “H” level. Therefore, compared with the second embodiment, the enable signal IN3 = "L" level stops the receiving function and the inverter INV
Since the transistor TP6 connected to 5 performs the OFF operation, it is possible to stop the differential amplification operation when the reception is stopped and also stop the amplification operation of the inverter INV5.

【0166】これにより、第2の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路120 の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (21)第21の実施例の説明 図29は、本発明の第21の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図29において、第21の実施例では第
3の実施例のインバータ INV1にp型の電界効果トラン
ジスタTP6が設けられ、差動増幅回路121 を構成する。
As a result, compared with the second embodiment, the power consumption of the differential amplifier circuit 120 when reception is stopped can be further suppressed and the performance can be improved. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (21) Description of Twenty-First Embodiment FIG. 29 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to a twenty-first embodiment of the present invention. In FIG. 29, in the twenty-first embodiment, a p-type field effect transistor TP6 is provided in the inverter INV1 of the third embodiment to form the differential amplifier circuit 121.

【0167】なお、p型の電界効果トランジスタTP6の
接続方法については、第19,20の実施例と同様である。
また、定電流源用トランジスタTN1,差動対トランジス
タTN3,TN4,バイアス回路11A,p型の電界効果トラ
ンジスタTP43 ,n型の電界効果トランジスタTN53 ,
インバータ INV5及び3ステート回路12については、
第3,第20の実施例と同様のためその説明を省略する。
The method of connecting the p-type field effect transistor TP6 is the same as in the nineteenth and twentieth embodiments.
Further, a constant current source transistor TN1, a differential pair transistor TN3, TN4, a bias circuit 11A, a p-type field effect transistor TP43, an n-type field effect transistor TN53,
Regarding the inverter INV5 and the 3-state circuit 12,
Since it is similar to the third and twentieth embodiments, its explanation is omitted.

【0168】このようにして、本発明の第21の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第3の実施例に係る
インバータ INV1に、図29に示すようなp型の電界効果
トランジスタTP6が設けられ、差動増幅回路121 が構成
される。また、トランジスタTP6がイネーブル信号IN3
の反転信号に基づいて制御される。例えば、入力信号IN
1,IN2の受信停止をする場合には、トランジスタTP4
3,TN53 のゲートにイネーブル信号IN3=「L」レベ
ルを供給することにより、トランジスタTP43 がON動
作をし、トランジスタTN53 がOFF動作をする。これに
より、トランジスタTP1,TP2がOFF動作をしてカレン
トミラー回路11Bが非活性化をし、差動増幅回路113 の
増幅機能が停止され、同時に、イネーブル信号IN3=
「L」レベルに基づいて3ステート回路12の出力が”
Z”状態にされる。
As described above, according to the differential input type receiver circuit of the twenty-first embodiment of the present invention, the p-type field effect as shown in FIG. 29 is applied to the inverter INV1 of the third embodiment. The transistor TP6 is provided to configure the differential amplifier circuit 121. In addition, the transistor TP6 has an enable signal IN3.
Is controlled based on the inversion signal of. For example, input signal IN
To stop receiving 1 and IN2, use transistor TP4
By supplying the enable signal IN3 = "L" level to the gates of 3 and TN53, the transistor TP43 is turned on and the transistor TN53 is turned off. As a result, the transistors TP1 and TP2 perform the OFF operation, the current mirror circuit 11B is deactivated, the amplifying function of the differential amplifier circuit 113 is stopped, and at the same time, the enable signal IN3 =
The output of the 3-state circuit 12 is "based on the" L "level.
Z ”state.

【0169】ここで、トランジスタTP6にイネーブル信
号IN3の反転信号=「H」レベルが供給され、該トラン
ジスタTP6がOFF動作をすることで、インバータ INV5
の増幅機能が停止される。なお、入力信号IN1,IN2を
受信する場合には、第3の実施例と同様に、トランジス
タTP43 ,TN53 のゲートにイネーブル信号IN3=
「H」レベルを供給することにより、トランジスタTP4
3 がOFF動作をし、トランジスタTN53 がON動作をす
る。これにより、カレントミラー回路11Bが活性化を
し、差動増幅回路121 の増幅機能が維持され、入力信号
IN1,IN2が差動増幅される。
Here, the inverted signal of the enable signal IN3 = “H” level is supplied to the transistor TP6, and the transistor TP6 performs the OFF operation, whereby the inverter INV5
The amplification function of is stopped. When receiving the input signals IN1 and IN2, the enable signal IN3 = is applied to the gates of the transistors TP43 and TN53 as in the third embodiment.
By supplying the "H" level, the transistor TP4
3 turns off, and the transistor TN53 turns on. As a result, the current mirror circuit 11B is activated, the amplification function of the differential amplifier circuit 121 is maintained, and the input signal
IN1 and IN2 are differentially amplified.

【0170】ここで、トランジスタTP6にイネーブル信
号IN3の反転信号=「L」レベルが供給することによ
り、該トランジスタTP6がON動作をし、インバータ I
NV5の増幅機能が維持され、また、差動増幅された信号
レベルがイネーブル信号IN3=「H」レベルに基づいて
3ステート回路12から内部回路に出力される。このた
め、第3の実施例に比べてイネーブル信号IN3=「L」
レベルにより、受信機能が停止されると共に、インバー
タ INV5に接続されたトランジスタTP6がOFF動作をす
ることで、受信停止時における差動増幅動作を停止させ
ること、及び、インバータ INV5の増幅動作を併せて停
止させることが可能となる。
When the inverted signal of the enable signal IN3 = “L” level is supplied to the transistor TP6, the transistor TP6 is turned on and the inverter I
The amplification function of NV5 is maintained, and the differentially amplified signal level is output from the 3-state circuit 12 to the internal circuit based on the enable signal IN3 = “H” level. Therefore, compared with the third embodiment, the enable signal IN3 = “L”
Depending on the level, the reception function is stopped, and the transistor TP6 connected to the inverter INV5 performs the OFF operation, thereby stopping the differential amplification operation when the reception is stopped, and the amplification operation of the inverter INV5. It is possible to stop it.

【0171】これにより、第3の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路121 の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (22)第22の実施例の説明 図30は、本発明の第22の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。図30において、第22の実施例では第
4の実施例のインバータ INV1にp型の電界効果トラン
ジスタTP6が設けられ、差動増幅回路122 を構成する。
As a result, compared with the third embodiment, the power consumption of the differential amplifier circuit 121 when reception is stopped can be further suppressed and the performance can be improved. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (22) Description of 22nd Embodiment FIG. 30 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to a 22nd embodiment of the present invention. In FIG. 30, in the 22nd embodiment, a p-type field effect transistor TP6 is provided in the inverter INV1 of the 4th embodiment to form a differential amplifier circuit 122.

【0172】なお、p型の電界効果トランジスタTP6の
接続方法については、第19〜21の実施例と同様である。
また、定電流源用トランジスタTN1,差動対トランジス
タTN3,TN4,バイアス回路11A,インバータ INV2,
n型の電界効果トランジスタTN54 ,TN64 ,TN74 ,
TN84 ,インバータ INV5及び3ステート回路12につ
いては、第4,第21の実施例と同様のためその説明を省
略する。
The method of connecting the p-type field effect transistor TP6 is the same as in the 19th to 21st embodiments.
Further, a constant current source transistor TN1, a differential pair transistor TN3, TN4, a bias circuit 11A, an inverter INV2,
n-type field effect transistors TN54, TN64, TN74,
The TN84, the inverter INV5, and the three-state circuit 12 are the same as those in the fourth and twenty-first embodiments, so the description thereof will be omitted.

【0173】このようにして、本発明の第22の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、第4の実施例に係る
インバータ INV1に、図30に示すようなp型の電界効果
トランジスタTP6が設けられ、差動増幅回路122 が構成
される。また、トランジスタTP6がイネーブル信号IN3
の反転信号に基づいて制御される。例えば、入力信号IN
1,IN2の受信停止をする場合には、第4の実施例と同
様に、トランジスタTN54 ,TN64 にイネーブル信号IN
3=「L」レベルの反転信号を供給することにより、該
トランジスタTN54 ,TN64 がON動作をし、差動対ト
ランジスタTN3,TN4のゲートが接地線GNDレベルに固
定される。また、トランジスタTN74 ,TN84 にイネー
ブル信号IN3=「L」レベルを供給することにより、該
トランジスタTN74 ,TN84 がOFF動作をし、両入力信
号IN1,IN2の供給が断たれ、差動増幅回路122 の増幅
機能が停止され、同時に、イネーブル信号IN3=「L」
レベルに基づいて3ステート回路12の出力が”Z”状
態にされる。
As described above, according to the differential input type receiver circuit of the twenty-second embodiment of the present invention, the p-type field effect as shown in FIG. 30 is applied to the inverter INV1 of the fourth embodiment. The transistor TP6 is provided to configure the differential amplifier circuit 122. In addition, the transistor TP6 has an enable signal IN3.
Is controlled based on the inversion signal of. For example, input signal IN
When the reception of 1 and IN2 is stopped, the enable signal IN is applied to the transistors TN54 and TN64 as in the fourth embodiment.
By supplying an inversion signal of 3 = “L” level, the transistors TN54 and TN64 are turned on, and the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4 are fixed to the ground line GND level. Further, by supplying the enable signal IN3 = “L” level to the transistors TN74, TN84, the transistors TN74, TN84 perform an OFF operation, the supply of both input signals IN1, IN2 is cut off, and the differential amplifier circuit 122 The amplification function is stopped, and at the same time, enable signal IN3 = "L"
The output of the 3-state circuit 12 is set to the "Z" state based on the level.

【0174】ここで、トランジスタTP6にイネーブル信
号IN3の反転信号=「H」レベルが供給され、該トラン
ジスタTP6がOFF動作をすることで、インバータ INV5
の増幅機能が停止される。なお、入力信号IN1,IN2を
受信する場合には、第4の実施例と同様に、トランジス
タTN54 ,TN64 にイネーブル信号IN3=「H」レベル
の反転信号を供給することにより、該トランジスタTN5
4 ,TN64 がOFF動作をし、差動対トランジスタTN3,
TN4のゲートが接地線GNDレベルから開放される。ま
た、トランジスタTN74 ,TN84 にイネーブル信号IN3
=「H」レベルを供給することにより、該トランジスタ
TN74 ,TN84 がON動作をし、両入力信号IN1,IN2
が差動対トランジスタTN3,TN4のゲートにそれぞれ供
給され、両入力信号IN1,IN2が差動増幅される。
Here, the inverted signal of the enable signal IN3 = “H” level is supplied to the transistor TP6, and the transistor TP6 performs the OFF operation, whereby the inverter INV5
The amplification function of is stopped. When the input signals IN1 and IN2 are received, the enable signal IN3 = "H" level inversion signal is supplied to the transistors TN54 and TN64 in the same manner as in the fourth embodiment so that the transistor TN5 is supplied.
4, TN64 operates OFF, and the differential pair transistor TN3,
The gate of TN4 is released from the ground line GND level. Also, the enable signal IN3 is applied to the transistors TN74 and TN84.
= “H” level is supplied, the transistors TN74 and TN84 are turned on and both input signals IN1 and IN2 are turned on.
Are supplied to the gates of the differential pair transistors TN3 and TN4, respectively, and both input signals IN1 and IN2 are differentially amplified.

【0175】ここで、トランジスタTP6にイネーブル信
号IN3の反転信号=「L」レベルが供給することによ
り、該トランジスタTP6がON動作をし、インバータ I
NV5の増幅機能が維持され、また、差動増幅された信号
レベルがイネーブル信号IN3=「H」レベルに基づいて
3ステート回路12から内部回路に出力される。このた
め、第4の実施例に比べてイネーブル信号IN3=「L」
レベルにより、受信機能が停止されると共に、インバー
タ INV5に接続されたトランジスタTP6がOFF動作をす
ることで、受信停止時における差動増幅動作を停止させ
ること、及び、インバータ INV5の増幅動作を併せて停
止させることが可能となる。
When the inverted signal of the enable signal IN3 = “L” level is supplied to the transistor TP6, the transistor TP6 is turned on and the inverter I
The amplification function of NV5 is maintained, and the differentially amplified signal level is output from the 3-state circuit 12 to the internal circuit based on the enable signal IN3 = “H” level. Therefore, as compared with the fourth embodiment, the enable signal IN3 = "L".
Depending on the level, the reception function is stopped, and the transistor TP6 connected to the inverter INV5 performs the OFF operation, thereby stopping the differential amplification operation when the reception is stopped, and the amplification operation of the inverter INV5. It is possible to stop it.

【0176】これにより、第4の実施例に比べて、受信
停止時の差動増幅回路122 の電力消費を、より一層抑制
すること、及び、性能向上を図ることが可能となり、当
該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電力
の低減化及び信頼性の向上を図ることが可能となる。 (23)第23の実施例の説明 図31は、本発明の第3の実施例に係る差動入力型受信回
路の説明図であり、図31(A)はその構成図であり、図
31(A)はその動作説明図をそれぞれ示している。
As a result, compared with the fourth embodiment, it is possible to further suppress the power consumption of the differential amplifier circuit 122 when reception is stopped and to improve the performance. It is possible to reduce the power consumption and improve the reliability of the electronic device in which the type receiver circuit is incorporated. (23) Description of the 23rd Embodiment FIG. 31 is an explanatory diagram of a differential input type receiver circuit according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 31 (A) is its configuration diagram.
Reference numerals 31 (A) show the operation explanatory views.

【0177】図31(A)において、第1〜第22の実施例
と異なるのは第23の実施例では3ステート回路12に遅
延回路14が接続され、イネーブル信号IN3が遅延さ
れ、その遅延信号INDが3ステート回路12に供給され
るものである。すなわち、図31(A)において、遅延回
路14はインバータ素子を複数段接続した回路であり、
イネーブル信号IN3の供給点と3ステート回路12との
間に接続される。また、差動増幅回路10には本発明の
第1〜第22の実施例に係る差動増幅回路11,21,3
1,41,51,61,71,81,91,110 ,11
1,112 ,113 ,114 ,115 ,116 ,117 ,118 ,119
,120 ,121 ,122 が適用される。なお、本発明の第
7〜第14の実施例に係る差動増幅回路71,81,9
1,110 ,111 ,112 ,113 ,114 については、遅延回
路14を共用しても良い。例えば、第7〜第10の実施例
に係る差動増幅回路71,81,91,110 のn型の電
界効果トランジスタTN9のゲートにインバータ INV3を
介して遅延回路14を経由した遅延信号INDを供給す
る。また、第11〜第14の実施例に係る差動増幅回路111
,112 ,113 ,114 のp型の電界効果トランジスタTP
5のゲートに遅延回路14を経由した遅延信号INDを供
給する。なお、差動増幅回路素子及び3ステート回路1
2については、第1〜第22の実施例と同様のためその説
明を省略する。
In FIG. 31A, the difference from the first to twenty-second embodiments is that in the twenty-third embodiment, the delay circuit 14 is connected to the three-state circuit 12, the enable signal IN3 is delayed, and the delay signal IND is supplied to the 3-state circuit 12. That is, in FIG. 31A, the delay circuit 14 is a circuit in which a plurality of stages of inverter elements are connected,
It is connected between the supply point of the enable signal IN3 and the 3-state circuit 12. The differential amplifier circuit 10 includes differential amplifier circuits 11, 21, 3 according to the first to twenty-second embodiments of the present invention.
1, 41, 51, 61, 71, 81, 91, 110, 11
1,112,113,114,115,116,117,118,119
, 120, 121, 122 apply. The differential amplifier circuits 71, 81, 9 according to the seventh to fourteenth embodiments of the present invention.
The delay circuit 14 may be shared by 1,110, 111, 112, 113 and 114. For example, the delay signal IND via the delay circuit 14 is supplied to the gate of the n-type field effect transistor TN9 of the differential amplifier circuits 71, 81, 91, 110 according to the seventh to tenth embodiments via the inverter INV3. To do. In addition, the differential amplifier circuit 111 according to the eleventh to fourteenth embodiments.
, 112, 113, 114 p-type field effect transistors TP
The delay signal IND via the delay circuit 14 is supplied to the gate of 5. The differential amplifier circuit element and the 3-state circuit 1
The description of No. 2 is omitted because it is the same as in the first to twenty-second embodiments.

【0178】このようにして、本発明の第23の実施例に
係る差動入力型受信回路によれば、図31(A)に示すよ
うに、3ステート回路12に遅延回路14が接続され、
該回路14によりイネーブル信号IN3が遅延される。こ
のため、第1〜第22の実施例に係る差動増幅回路11,
21,31,41,51,61,71,81,91,11
0 ,111 ,112 ,113 ,114 ,115 ,116 ,117 ,118
,119 ,120 ,121 ,122 のn型の電界効果トランジ
スタTN1, TN53 ,TN54 ,TN64 ,TN74 ,TN84 ,
p型の電界効果トランジスタTP43 ,TP6及びバイアス
供給制御回路11A等の機能制御素子13に対し、3ステ
ート回路12よりも早くイネーブル信号IN3が供給さ
れ、該差動増幅回路21の動作点aの電位レベルがイン
バータ INV1, INV4, INV5の閾値電圧Vthに達して
から、遅延されたイネーブル信号IN3を3ステート回路
12に供給することができる。
Thus, according to the differential input type receiving circuit of the twenty-third embodiment of the present invention, the delay circuit 14 is connected to the three-state circuit 12 as shown in FIG.
The circuit 14 delays the enable signal IN3. Therefore, the differential amplifier circuits 11 according to the first to twenty-second embodiments,
21, 31, 41, 51, 61, 71, 81, 91, 11
0, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118
, 119, 120, 121, 122 n-type field effect transistors TN1, TN53, TN54, TN64, TN74, TN84,
The enable signal IN3 is supplied to the function control elements 13 such as the p-type field effect transistors TP43 and TP6 and the bias supply control circuit 11A earlier than the three-state circuit 12, and the potential at the operating point a of the differential amplifier circuit 21. After the level reaches the threshold voltage Vth of the inverters INV1, INV4, INV5, the delayed enable signal IN3 can be supplied to the 3-state circuit 12.

【0179】これにより、当該差動入力型受信回路の受
信停止状態から動作状態に移行する際に、差動増幅回路
11,21,31,41,51,61,71,81,9
1,110 ,111 ,112 ,113 ,114 ,115 ,116 ,117
,118 ,119 ,120 ,121 ,122 が安定な動作に遷移
したのちに、出力ハイ・インピーダンス状態が解除さ
れ、より一層安定した入力信号IN1,IN2 を内部回路に
取り込むことが可能となり、当該差動入力型受信回路を
組み込んだ通信モデム用インタフェース回路等の信頼性
の向上に寄与するところが大きい。
As a result, the differential amplifier circuits 11, 21, 31, 41, 51, 61, 71, 81, 9 are used when the reception state of the differential input type receiving circuit is changed to the operating state.
1,110,111,112,113,114,115,116,117
, 118, 119, 120, 121, 122 transition to stable operation, the output high impedance state is released, and it becomes possible to take in more stable input signals IN1, IN2 to the internal circuit. It greatly contributes to the improvement of the reliability of the interface circuit for the communication modem which incorporates the dynamic input type receiving circuit.

【0180】[0180]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の本発明の
第1の差動入力型受信回路によれば、n型の電界効果ト
ランジスタから成る機能制御素子が差動増幅回路に接続
され、該差動増幅回路の増幅機能が動作許可信号に基づ
いて制御される。このため、当該n型の電界効果トラン
ジスタのゲートに所定レベルの動作許可信号を供給する
と、差動入力型受信回路の受信機能を停止させると共
に、その入力部に信号が供給される状態であっても、差
動増幅回路のトランジスタ動作を強制的に停止させるこ
とが可能となる。
As described above, according to the first differential input type receiving circuit of the present invention of the present invention, the function control element composed of the n-type field effect transistor is connected to the differential amplifier circuit, The amplification function of the differential amplifier circuit is controlled based on the operation permission signal. Therefore, when an operation permission signal of a predetermined level is supplied to the gate of the n-type field effect transistor, the reception function of the differential input type reception circuit is stopped and the signal is supplied to the input section. Also, it becomes possible to forcibly stop the transistor operation of the differential amplifier circuit.

【0181】また、本発明の第2の差動入力型受信回路
によれば、バイアス供給制御回路から成る機能制御素子
が差動増幅回路の定電流源とバイアス回路との間に接続
される。このため、当該バイアス供給制御回路に、所定
レベルの動作許可信号を供給すると、第1の差動入力型
受信回路と同様に、受信停止時の差動増幅回路のトラン
ジスタ動作を強制的に停止させることが可能となる。
Further, according to the second differential input type receiving circuit of the present invention, the function control element including the bias supply control circuit is connected between the constant current source of the differential amplifier circuit and the bias circuit. Therefore, when an operation permission signal of a predetermined level is supplied to the bias supply control circuit, the transistor operation of the differential amplifier circuit when reception is stopped is forcibly stopped, like the first differential input type reception circuit. It becomes possible.

【0182】さらに、本発明の第3の差動入力型受信回
路によれば、差動増幅回路のカレントミラー回路の共通
ゲートと高電位側の電源線との間にp型の電界効果トラ
ンジスタが接続され、また、その共通ゲートと差動対ト
ランジスタのとの間に、n型の電界効果トランジスタが
接続され、両トランジスタが動作許可信号に基づいて制
御される。
Further, according to the third differential input type receiving circuit of the present invention, a p-type field effect transistor is provided between the common gate of the current mirror circuit of the differential amplifier circuit and the power supply line on the high potential side. Further, an n-type field effect transistor is connected between the common gate and the differential pair transistor, and both transistors are controlled based on the operation permission signal.

【0183】このため、当該n,p型の電界効果トラン
ジスタのゲートに、所定レベルの動作許可信号を供給す
ると、第1,第2の差動入力型受信回路と同様に、差動
入力型受信回路の受信機能を停止させると共に、その入
力部に信号が供給される状態であっても、差動増幅回路
のトランジスタ動作を強制的に停止させることが可能と
なる。
Therefore, when an operation permission signal of a predetermined level is supplied to the gate of the n-type and p-type field effect transistors, the differential input type reception circuit is received like the first and second differential input type reception circuits. It is possible to stop the reception function of the circuit and forcibly stop the transistor operation of the differential amplifier circuit even in the state where the signal is supplied to the input section.

【0184】また、本発明の第4の差動入力型受信回路
によれば、差動対トランジスタと低電位側の電源線と入
力信号の供給部との間に第1のスイッチング回路が接続
され、それが動作許可信号及び該動作許可信号の反転信
号に基づいて制御される。このため、当該第1のスイッ
チング回路に所定レベルの動作許可信号を供給すると、
受信機能を停止させると共に、第1〜第3の差動入力型
受信回路と異なり、入力部から切り離された差動対トラ
ンジスタの入力部を接地線レベルに固定さすることがで
きる。
Further, according to the fourth differential input type receiving circuit of the present invention, the first switching circuit is connected between the differential pair transistor, the low potential side power supply line and the input signal supply section. , Which is controlled based on the operation permission signal and the inverted signal of the operation permission signal. Therefore, if an operation permission signal of a predetermined level is supplied to the first switching circuit,
Unlike the first to third differential input type receiving circuits, the receiving function can be stopped and the input part of the differential pair transistor separated from the input part can be fixed to the ground line level.

【0185】さらに、本発明の第5の差動入力型受信回
路によれば、差動対トランジスタとカレントミラー回路
との間に第2のスイッチング回路が接続され、それが動
作許可信号又は動作許可信号の反転信号に基づいて制御
される。このため、当該第2のスイッチング回路に所定
レベルの動作許可信号を供給すると、第1〜第4の差動
入力型受信回路と同様に、差動増幅回路の受信機能を停
止させると共に、第2のスイッチング回路をスイッチ動
作により、受信停止時における差動増幅回路の増幅動作
を停止させることが可能となる。
Further, according to the fifth differential input type receiving circuit of the present invention, the second switching circuit is connected between the differential pair transistor and the current mirror circuit, and the second switching circuit is an operation permission signal or an operation permission signal. It is controlled based on the inverted signal of the signal. For this reason, when an operation permission signal of a predetermined level is supplied to the second switching circuit, the reception function of the differential amplifier circuit is stopped and the second amplification circuit is used as in the first to fourth differential input type reception circuits. It is possible to stop the amplifying operation of the differential amplifier circuit when the reception is stopped by switching the switching circuit of.

【0186】また、本発明の第6の差動入力型受信回路
によれば、差動増幅回路の出力回路に、n型の電界効果
トランジスタ又はp型の電界効果トランジスタが接続さ
れ、両トランジスタが、動作許可信号又は動作許可信号
の反転信号に基づいて制御される。このため、当該n
型,p型の電界効果トランジスタに所定レベルの動作許
可信号を供給すると、受信機能が停止されると共に、第
1〜第5の差動入力型受信回路に比べて出力回路に接続
されたトランジスタのスイッチ動作により、受信停止時
における差動増幅回路の増幅動作を停止させること、及
び、出力回路の増幅動作を併せて停止させることが可能
となる。
Further, according to the sixth differential input type receiving circuit of the present invention, an n-type field effect transistor or a p-type field effect transistor is connected to the output circuit of the differential amplifier circuit, and both transistors are connected. , The operation permission signal or the inverted signal of the operation permission signal. Therefore, the n
When a predetermined level of operation permission signal is supplied to the p-type and p-type field effect transistors, the reception function is stopped and the transistor connected to the output circuit is different from the first to fifth differential input type reception circuits. The switch operation makes it possible to stop the amplification operation of the differential amplifier circuit when reception is stopped, and also stop the amplification operation of the output circuit.

【0187】さらに、本発明の第7の差動入力型受信回
路によれば、本発明の第1〜第6の差動入力型受信回路
において、出力制御回路や機能制御素子に遅延回路が接
続され、その遅延された動作許可信号に基づいて出力制
御回路や機能制御素子が制御される。このため、当該出
力制御回路や機能制御素子に所定レベルの遅延信号を供
給すると、本発明の第1〜第6の差動入力型受信回路に
比べて、差動増幅回路が安定な動作に遷移したのちに、
出力ハイ・インピーダンス状態が解除され、より一層安
定した入力信号を内部回路に取り込むことが可能とな
る。
Further, according to the seventh differential input type receiving circuit of the present invention, in the first to sixth differential input type receiving circuits of the present invention, the delay circuit is connected to the output control circuit and the function control element. The output control circuit and the function control element are controlled based on the delayed operation permission signal. Therefore, when a delay signal of a predetermined level is supplied to the output control circuit or the function control element, the differential amplifier circuit transits to a stable operation as compared with the first to sixth differential input type receiving circuits of the present invention. After that,
The output high impedance state is released, and a more stable input signal can be taken into the internal circuit.

【0188】これにより、受信機能の停止状態時の差動
増幅回路の電力消費を極力抑制することが可能となり、
当該差動入力型受信回路を組み込んだ電子機器の消費電
力の低減化を図ることが可能となる。このことで、当該
差動入力型受信回路を組み込んだ通信モデム用インタフ
ェース回路等の信頼性の向上に寄与するところが大き
い。
This makes it possible to suppress the power consumption of the differential amplifier circuit when the reception function is stopped as much as possible.
It is possible to reduce the power consumption of an electronic device incorporating the differential input type receiving circuit. This largely contributes to the improvement of the reliability of the communication modem interface circuit and the like incorporating the differential input type receiving circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る差動入力型受信回路の原理図(そ
の1)である。
FIG. 1 is a principle diagram (1) of a differential input type receiving circuit according to the present invention.

【図2】本発明に係る差動入力型受信回路の原理図(そ
の2)である。
FIG. 2 is a principle diagram (2) of the differential input type receiving circuit according to the present invention.

【図3】本発明に係る差動入力型受信回路の原理図(そ
の3)である。
FIG. 3 is a principle diagram (No. 3) of the differential input type receiving circuit according to the present invention.

【図4】本発明に係る差動入力型受信回路の原理図(そ
の4)である。
FIG. 4 is a principle diagram (4) of the differential input type receiving circuit according to the present invention.

【図5】本発明の第1の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図及び動作説明図である。
FIG. 5 is a configuration diagram and an operation explanatory diagram of the differential input type receiving circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の各実施例に係る差動入力型受信回路の
補足説明図である。
FIG. 6 is a supplementary explanatory diagram of the differential input type receiving circuit according to each embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 7 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2の実施例に係る差動入力型受信回
路の動作説明図である。
FIG. 8 is an operation explanatory diagram of the differential input type receiving circuit according to the second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 9 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第3の実施例に係る差動入力型受信回
路の動作説明図である。
FIG. 10 is an operation explanatory diagram of the differential input type receiving circuit according to the third embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第4の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 11 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第4の実施例に係る差動入力型受信回
路の動作説明図である。
FIG. 12 is an operation explanatory diagram of the differential input type receiving circuit according to the fourth embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第5の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図及び動作説明図である。
FIG. 13 is a configuration diagram and an operation explanatory diagram of a differential input type receiving circuit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第6の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図及び動作説明図である。
FIG. 14 is a configuration diagram and an operation explanatory diagram of a differential input type receiving circuit according to a sixth embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第7の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 15 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a seventh embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第8の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 16 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to an eighth embodiment of the present invention.

【図17】本発明の第9の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 17 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a ninth embodiment of the present invention.

【図18】本発明の第10の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 18 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to a tenth embodiment of the present invention.

【図19】本発明の第11の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 19 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図20】本発明の第12の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 20 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to a twelfth embodiment of the present invention.

【図21】本発明の第13の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 21 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a thirteenth embodiment of the present invention.

【図22】本発明の第14の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 22 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to a fourteenth embodiment of the present invention.

【図23】本発明の第15の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図及び動作説明図である。
FIG. 23 is a configuration diagram and an operation explanatory diagram of a differential input type receiving circuit according to a fifteenth embodiment of the present invention.

【図24】本発明の第16の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図及び動作説明図である。
FIG. 24 is a configuration diagram and an operation explanatory diagram of a differential input type receiving circuit according to a sixteenth embodiment of the present invention.

【図25】本発明の第17の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 25 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a seventeenth embodiment of the present invention.

【図26】本発明の第18の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 26 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to an eighteenth embodiment of the present invention.

【図27】本発明の第19の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 27 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a nineteenth embodiment of the present invention.

【図28】本発明の第20の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 28 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a twentieth embodiment of the present invention.

【図29】本発明の第21の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 29 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to a twenty-first embodiment of the present invention.

【図30】本発明の第22の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 30 is a configuration diagram of a differential input type reception circuit according to a twenty-second embodiment of the present invention.

【図31】本発明の第23の実施例に係る差動入力型受信回
路の構成図である。
FIG. 31 is a configuration diagram of a differential input type receiving circuit according to a 23rd embodiment of the present invention.

【図32】従来例に係る差動入力型受信回路の説明図であ
る。
FIG. 32 is an explanatory diagram of a differential input type reception circuit according to a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…差動増幅回路、 11A…バイアス回路、 11B,11C…カレントミラー回路、 11D…出力回路、 12…出力制御手段(3ステート回路)、 13…機能制御素子、 13A…バイアス供給制御回路、 13B…第1のスイッチング回路、 13C…第2のスイッチング回路、 14…遅延回路、 TN…n型の電界効果トランジスタ、 TP…p型の電界効果トランジスタ、 VCC…高電位側の電源線、 GND…低電位側の電源線(接地線)、 IN1,IN2…入力信号、 IN3…動作許可信号。 11 ... Differential amplifier circuit, 11A ... Bias circuit, 11B, 11C ... Current mirror circuit, 11D ... Output circuit, 12 ... Output control means (3-state circuit), 13 ... Function control element, 13A ... Bias supply control circuit, 13B ... 1st switching circuit, 13C ... 2nd switching circuit, 14 ... delay circuit, TN ... n type field effect transistor, TP ... p type field effect transistor, VCC ... high potential side power supply line, GND ... low Power line (ground line) on the potential side, IN1, IN2 ... Input signal, IN3 ... Operation enable signal.

フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03K 19/0175 H04L 25/02 R 9199−5K Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI Technical display location H03K 19/0175 H04L 25/02 R 9199-5K

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 2つの入力信号(IN1,IN2)の差動増
幅をする差動増幅回路(11)と、前記差動増幅された
信号レベルを動作許可信号(IN3)に基づいて出力する
出力制御回路(12)とを具備し、前記差動増幅回路
(11)に機能制御素子(13)が設けられ、前記機能
制御素子(13)が動作許可信号(IN3)に基づいて差
動増幅回路(11)の増幅機能を制御することを特徴と
する差動入力型受信回路。
1. A differential amplifier circuit (11) for differentially amplifying two input signals (IN1, IN2), and an output for outputting the differentially amplified signal level based on an operation permission signal (IN3). A control circuit (12), a function control element (13) is provided in the differential amplifier circuit (11), and the function control element (13) is a differential amplifier circuit based on an operation permission signal (IN3). A differential input type receiving circuit characterized by controlling the amplification function of (11).
【請求項2】 前記機能制御素子(13)がn型の電界
効果トランジスタ(TN)から成り、前記n型の電界効
果トランジスタ(TN)が差動増幅回路(11)に設け
られた差動点(c)と定電流源(Io)との間に接続さ
れ、前記n型の電界効果トランジスタ(TN)のゲート
に動作許可信号(IN3)が供給されることを特徴とする
請求項1記載の差動入力型受信回路。
2. The differential point in which the function control element (13) is composed of an n-type field effect transistor (TN), and the n-type field effect transistor (TN) is provided in a differential amplifier circuit (11). The operation permission signal (IN3) is supplied to the gate of the n-type field effect transistor (TN), which is connected between (c) and the constant current source (Io). Differential input type receiver circuit.
【請求項3】 前記機能制御素子(13)がバイアス供
給制御回路(13A)から成り、前記バイアス供給制御回
路(13A)が、差動増幅回路(11)の定電流源(I
o)とバイアス回路(11A)との間に接続され、前記バ
イアス供給制御回路(13A)が動作許可信号(IN3)に
基づいて制御されることを特徴とする請求項1記載の差
動入力型受信回路。
3. The function control element (13) comprises a bias supply control circuit (13A), and the bias supply control circuit (13A) is a constant current source (I) of a differential amplifier circuit (11).
o) and a bias circuit (11A), and the bias supply control circuit (13A) is controlled based on an operation permission signal (IN3). Receiver circuit.
【請求項4】 前記機能制御素子(13)がp型の電界
効果トランジスタ(TP)及びn型の電界効果トランジ
スタ(TN)から成り、前記p型の電界効果トランジス
タ(TP)が差動増幅回路(11)のカレントミラー回
路(11B)の共通ゲートと高電位側の電源線(VCC)と
の間に接続され、前記n型の電界効果トランジスタ(T
N)がカレントミラー回路(11B)の共通ゲート(G)
と差動増幅回路(11)の一方の差動対トランジスタ
(TN3又はTN4)のドレインに接続され、前記p型及び
n型の電界効果トランジスタ(TP,TN)のゲートに
動作許可信号(IN3)が供給されることを特徴とする請
求項1記載の差動入力型受信回路。
4. The function control element (13) comprises a p-type field effect transistor (TP) and an n-type field effect transistor (TN), and the p-type field effect transistor (TP) is a differential amplifier circuit. The n-type field effect transistor (T) is connected between the common gate of the current mirror circuit (11B) of (11) and the power supply line (VCC) on the high potential side.
N) is the common gate (G) of the current mirror circuit (11B)
And an operation enable signal (IN3) to the gates of the p-type and n-type field effect transistors (TP, TN), which are connected to the drains of the differential pair transistors (TN3 or TN4) of the differential amplifier circuit (11). The differential input type receiving circuit according to claim 1, wherein
【請求項5】 前記機能制御素子(13)が第1のスイ
ッチング回路(13B)から成り、前記第1のスイッチン
グ回路(13B)が差動増幅回路(11)の差動対トラン
ジスタ(TN3,TN4)のゲートと低電位側の電源線(G
ND)と入力信号(IN1,IN2)の供給部との間に接続さ
れ、前記第1のスイッチング回路(13B)が、動作許可
信号(IN3)及び該動作許可信号(IN3)の反転信号に
基づいて制御されることを特徴とする請求項1記載の差
動入力型受信回路。
5. The function control element (13) is composed of a first switching circuit (13B), and the first switching circuit (13B) is a differential pair transistor (TN3, TN4) of a differential amplifier circuit (11). ) Gate and the power supply line on the low potential side (G
ND) and the input signal (IN1, IN2) supply unit, and the first switching circuit (13B) is based on the operation permission signal (IN3) and the inverted signal of the operation permission signal (IN3). The differential input type receiving circuit according to claim 1, wherein the receiving circuit is controlled by the following.
【請求項6】 前記機能制御素子(13)が第2のスイ
ッチング回路(13C)から成り、前記第2のスイッチン
グ回路(13C)が差動増幅回路(11)の差動対トラン
ジスタ(TN3,TN4)とカレントミラー回路(11C)と
の間に接続され、前記第2のスイッチング回路(13C)
が、動作許可信号(IN3)又は動作許可信号(IN3)の
反転信号に基づいて制御されることを特徴とする請求項
1記載の差動入力型受信回路。
6. The function control element (13) comprises a second switching circuit (13C), and the second switching circuit (13C) comprises a differential pair transistor (TN3, TN4) of a differential amplifier circuit (11). ) And the current mirror circuit (11C), and is connected to the second switching circuit (13C).
Is controlled based on an operation permission signal (IN3) or an inverted signal of the operation permission signal (IN3).
【請求項7】 前記機能制御素子(13)がn型の電界
効果トランジスタ(TN)又はp型の電界効果トランジ
スタ(TP)から成り、前記n型の電界効果トランジス
タ(TN)又はp型の電界効果トランジスタ(TP)が
差動増幅回路(11)の出力回路(11D)に接続され、
前記n型の電界効果トランジスタ(TN)又はp型の電
界効果トランジスタ(TP)が、動作許可信号(IN3)
又は動作許可信号(IN3)の反転信号又は両信号の遅延
信号に基づいて制御されることを特徴とする請求項1〜
5記載の差動入力型受信回路。
7. The function control element (13) comprises an n-type field effect transistor (TN) or a p-type field effect transistor (TP), and the n-type field effect transistor (TN) or p-type electric field. The effect transistor (TP) is connected to the output circuit (11D) of the differential amplifier circuit (11),
The n-type field effect transistor (TN) or the p-type field effect transistor (TP) is an operation permission signal (IN3).
Alternatively, the control is performed based on an inverted signal of the operation permission signal (IN3) or a delayed signal of both signals.
5. The differential input type receiving circuit described in 5.
【請求項8】 前記出力制御回路(12)又は機能制御
素子(13)に遅延回路(14)が接続され、前記遅延
回路(14)が動作許可信号(IN3)を遅延することを
特徴とする請求項1〜7記載の差動入力型受信回路。
8. A delay circuit (14) is connected to the output control circuit (12) or the function control element (13), and the delay circuit (14) delays the operation permission signal (IN3). The differential input type receiving circuit according to claim 1.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6028458A (en) * 1997-01-30 2000-02-22 Nec Corporation Differential amplifier with input signal determined standby state
JP2006050296A (en) * 2004-08-05 2006-02-16 Nec Corp Differential amplifier, and data driver of display device using the same
JP2006277867A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Toshiba Corp Semiconductor memory device
US7248115B2 (en) 2003-03-27 2007-07-24 Nec Electronics Corporation Differential amplifier operable in wide range

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