JPH06258676A - ２次非線形光学材料 - Google Patents
２次非線形光学材料Info
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- JPH06258676A JPH06258676A JP6596193A JP6596193A JPH06258676A JP H06258676 A JPH06258676 A JP H06258676A JP 6596193 A JP6596193 A JP 6596193A JP 6596193 A JP6596193 A JP 6596193A JP H06258676 A JPH06258676 A JP H06258676A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 耐熱性と通信波長帯における低損失性を有す
る材料で、有効な分極処理が行え、また、非線形光学成
分の熱分解温度以上での加熱処理が不要な２次非線形光
学材料を提供する。 【構成】 式（化１） （式中、Ｐｈはフェニル基を示す）、及び／又は式（化
２） なる１成分又は２成分と、式（化３） 又は−Ｒ−Ｏ−（各式中Ｒは大きな２次の非線形分子分
極率を示す基である）のいずれかとの２成分又は３成分
の繰返し単位からなる共重合体材料。また、前記材料を
分極処理した化合物材料。
る材料で、有効な分極処理が行え、また、非線形光学成
分の熱分解温度以上での加熱処理が不要な２次非線形光
学材料を提供する。 【構成】 式（化１） （式中、Ｐｈはフェニル基を示す）、及び／又は式（化
２） なる１成分又は２成分と、式（化３） 又は−Ｒ−Ｏ−（各式中Ｒは大きな２次の非線形分子分
極率を示す基である）のいずれかとの２成分又は３成分
の繰返し単位からなる共重合体材料。また、前記材料を
分極処理した化合物材料。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２次の非線形光学効果
を利用する光デバイス等に使用する非線形光学材料に関
する。
を利用する光デバイス等に使用する非線形光学材料に関
する。
【０００２】
【従来の技術】２次の非線形光学効果を用いる導波路型
光デバイスに用いられる非線形光学材料には、一般に、
大きな２次の非線形光学効果と共に伝搬光の低損失性及
び耐熱性が要求される。特に、当該デバイスが光通信用
である場合には、波長が１．３μｍ若しくは１．５５μ
ｍ付近（以下、通信波長帯という）での低損失性が重要
となる。既に、大きな２次の非線形光学効果を有する化
合物成分を結合したフッ素化ポリイミドが大きな２次の
非線形光学効果、通信波長帯での低損失性及び耐熱性が
期待できるものとして、提案されている（特願平３−３
２８２８９号、同３−３２８３４５号各明細書）。
光デバイスに用いられる非線形光学材料には、一般に、
大きな２次の非線形光学効果と共に伝搬光の低損失性及
び耐熱性が要求される。特に、当該デバイスが光通信用
である場合には、波長が１．３μｍ若しくは１．５５μ
ｍ付近（以下、通信波長帯という）での低損失性が重要
となる。既に、大きな２次の非線形光学効果を有する化
合物成分を結合したフッ素化ポリイミドが大きな２次の
非線形光学効果、通信波長帯での低損失性及び耐熱性が
期待できるものとして、提案されている（特願平３−３
２８２８９号、同３−３２８３４５号各明細書）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、当該材
料においては、そのイミド化処理に際して発生するＨ2
Ｏの存在により充分な分極処理が行えず、したがって、
非線形光学成分の特性から期待されるほどの２次非線形
光学特性が得られないという欠点があった。すなわち、
分極処理は一般に、ガラス転移点付近以上で行うが、２
００℃以上のガラス転移点を有するポリイミドの場合に
は、非線形光学成分の熱分解が避けられない。したがっ
て、ガラス転移温度がポリイミドよりも低いポリアミッ
ク酸状態で分極処理を行い、これと同時に、ポリイミド
へのイミド化反応を行う必要があった。このため、分極
処理中に、イミド化に際し発生するＨ2 Ｏを有効に除去
することが必要となり、デバイス設計の多様性に制限が
加わると共に、デバイス作製工程が複雑となるという欠
点があった。更に、イミド化を完全なものとするには、
最終的には２００℃以上での加熱処理が必要となり、非
線形光学成分の熱分解は完全には避けられないため、期
待される程の非線形光学効果が得られない欠点もあっ
た。本発明は上記の事情を考慮してなされたものであ
り、その目的は、耐熱性と通信波長帯における低損失性
を有する材料で、２次非線形性を発現するための分極処
理時に脱離成分の発生がなく、したがって、有効な分極
処理が行え、また、非線形光学成分の熱分解温度以上で
の加熱処理が不要な２次非線形光学材料を提供すること
にある。
料においては、そのイミド化処理に際して発生するＨ2
Ｏの存在により充分な分極処理が行えず、したがって、
非線形光学成分の特性から期待されるほどの２次非線形
光学特性が得られないという欠点があった。すなわち、
分極処理は一般に、ガラス転移点付近以上で行うが、２
００℃以上のガラス転移点を有するポリイミドの場合に
は、非線形光学成分の熱分解が避けられない。したがっ
て、ガラス転移温度がポリイミドよりも低いポリアミッ
ク酸状態で分極処理を行い、これと同時に、ポリイミド
へのイミド化反応を行う必要があった。このため、分極
処理中に、イミド化に際し発生するＨ2 Ｏを有効に除去
することが必要となり、デバイス設計の多様性に制限が
加わると共に、デバイス作製工程が複雑となるという欠
点があった。更に、イミド化を完全なものとするには、
最終的には２００℃以上での加熱処理が必要となり、非
線形光学成分の熱分解は完全には避けられないため、期
待される程の非線形光学効果が得られない欠点もあっ
た。本発明は上記の事情を考慮してなされたものであ
り、その目的は、耐熱性と通信波長帯における低損失性
を有する材料で、２次非線形性を発現するための分極処
理時に脱離成分の発生がなく、したがって、有効な分極
処理が行え、また、非線形光学成分の熱分解温度以上で
の加熱処理が不要な２次非線形光学材料を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第１の発明は共重合体材料に関する発明であっ
て、下記式（化１）で表される繰返し単位：
発明の第１の発明は共重合体材料に関する発明であっ
て、下記式（化１）で表される繰返し単位：
【０００５】
【化１】
【０００６】及び／又は下記式（化２）で表される繰返
し単位：
し単位：
【０００７】
【化２】
【０００８】なる１成分又は２成分の繰返し単位と、下
記一般式（化３）で表される繰返し単位：
記一般式（化３）で表される繰返し単位：
【０００９】
【化３】
【００１０】（式中Ｒは大きな２次の非線形分子分極率
を示す基である）との２成分又は３成分の繰返し単位か
らなることを特徴とする。また、本発明の第２の発明は
化合物材料に関する発明であって、上記第１の発明にお
けるいずれかの共重合体材料を、その軟化点付近の温度
で直流電界を印加することにより分極処理してなること
を特徴とする。
を示す基である）との２成分又は３成分の繰返し単位か
らなることを特徴とする。また、本発明の第２の発明は
化合物材料に関する発明であって、上記第１の発明にお
けるいずれかの共重合体材料を、その軟化点付近の温度
で直流電界を印加することにより分極処理してなること
を特徴とする。
【００１１】以上のような本発明にかかる材料の化学構
造は、フェニルシリコーン構造を基本とし、ここに、大
きな２次の非線形分子分極率を示す成分と共重合してい
ることを特徴とする。一般に、フェニルシリコーン構造
を有する高分子は通信波長帯での低損失性と耐熱性が期
待され、また、ラダー型のフェニルシリコーン構造を有
する高分子は、特に耐熱性に優れることが期待される
（特開平３−４３４２３号公報）。更にフェニル基の水
素を重水素やハロゲンに置換すれば一層の低損失化が期
待できる。また、本発明にかかる材料のガラス転移温度
は共重合組成を適当に選択することにより、２００℃程
度又はそれ以下に設定できるため、結合している非線形
光学材料成分の熱分解を伴わずに分極処理が行える。
造は、フェニルシリコーン構造を基本とし、ここに、大
きな２次の非線形分子分極率を示す成分と共重合してい
ることを特徴とする。一般に、フェニルシリコーン構造
を有する高分子は通信波長帯での低損失性と耐熱性が期
待され、また、ラダー型のフェニルシリコーン構造を有
する高分子は、特に耐熱性に優れることが期待される
（特開平３−４３４２３号公報）。更にフェニル基の水
素を重水素やハロゲンに置換すれば一層の低損失化が期
待できる。また、本発明にかかる材料のガラス転移温度
は共重合組成を適当に選択することにより、２００℃程
度又はそれ以下に設定できるため、結合している非線形
光学材料成分の熱分解を伴わずに分極処理が行える。
【００１２】更に本発明においては、本発明にかかる上
記材料のガラス転移温度付近の温度で直流電界を印加す
ることにより分極処理することを特徴とする。一般に、
非線形光学材料においては、２次の非線形光学効果発現
のためには非線形光学成分の配列が非中心対称的になる
ことが必須である。本発明にかかる材料においては、特
段の処理をしない場合においては、非線形光学成分が中
心対称的に配列するため、２次の非線形光学効果発現の
ためには直流電界中で分極処理する必要がある。ここ
で、直流電界の印加は電極装着によっても、またコロナ
放電による帯電電荷によっても行うことができる。な
お、有効な分極処理のためには、直流電界印加状態でガ
ラス転移温度付近から常温まで冷却することが望まし
い。
記材料のガラス転移温度付近の温度で直流電界を印加す
ることにより分極処理することを特徴とする。一般に、
非線形光学材料においては、２次の非線形光学効果発現
のためには非線形光学成分の配列が非中心対称的になる
ことが必須である。本発明にかかる材料においては、特
段の処理をしない場合においては、非線形光学成分が中
心対称的に配列するため、２次の非線形光学効果発現の
ためには直流電界中で分極処理する必要がある。ここ
で、直流電界の印加は電極装着によっても、またコロナ
放電による帯電電荷によっても行うことができる。な
お、有効な分極処理のためには、直流電界印加状態でガ
ラス転移温度付近から常温まで冷却することが望まし
い。
【００１３】なお、本発明にかかる材料の２次非線形光
学成分の基Ｒは、大きな２次の非線形分子分極率を有す
るものであるが、以下の構造を含むものが望ましい。
学成分の基Ｒは、大きな２次の非線形分子分極率を有す
るものであるが、以下の構造を含むものが望ましい。
【００１４】
【化４】
【００１５】ここで、π1 〜πn はπ電子共役系の環状
化合物であり、ベンゼン環、ピリミジン環、オキサゾー
ル環、フラン環、チアゾール環、オキサチアゾール環、
ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾオ
キサチアゾール環、ナフタレン環、アントラセン環、イ
ソキノリン環などである。Ｘ1 〜Ｘn-1 及びＹ1 〜Ｙ
n-1 はＣＨ、Ｎ又はＮ→Ｏのいずれかである。Ａ及びＤ
はそれぞれ電子吸引基及び電子供与基を表し、ｎは３以
上の整数である。電子吸引基Ａとしては−ＮＯ2 、−Ｃ
Ｎ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＣＨ3 、−ＣＨＯ、−ＣＯＮＨ
2 、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）2 、−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）
2 、これらの誘導体及びハロゲン等であり、電子供与基
Ｄとしては、−ＳＨ、−ＯＨ、−ＮＨ2 、−ＳＣＨ3 、
−Ｎ（ＣＨ3）2 及びこれらの誘導体等である。
化合物であり、ベンゼン環、ピリミジン環、オキサゾー
ル環、フラン環、チアゾール環、オキサチアゾール環、
ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾオ
キサチアゾール環、ナフタレン環、アントラセン環、イ
ソキノリン環などである。Ｘ1 〜Ｘn-1 及びＹ1 〜Ｙ
n-1 はＣＨ、Ｎ又はＮ→Ｏのいずれかである。Ａ及びＤ
はそれぞれ電子吸引基及び電子供与基を表し、ｎは３以
上の整数である。電子吸引基Ａとしては−ＮＯ2 、−Ｃ
Ｎ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＣＨ3 、−ＣＨＯ、−ＣＯＮＨ
2 、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）2 、−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）
2 、これらの誘導体及びハロゲン等であり、電子供与基
Ｄとしては、−ＳＨ、−ＯＨ、−ＮＨ2 、−ＳＣＨ3 、
−Ｎ（ＣＨ3）2 及びこれらの誘導体等である。
【００１６】本発明における材料は、フェニルシリコー
ン構造と２次非線形光学成分が共重合してなることを特
徴とする。このため、上記の２次非線形光学成分は高分
子主鎖に結合する部位を有することが必要である。具体
的には、電子供与基、電子吸引基、π共役系のいずれか
に１ヵ所又は２ヵ所の結合部位を有することが必要であ
る。更に、かかる結合部位はシリコーン構造中の共重合
成分となるために−Ｏ−の化学構造を有することが必要
である。具体的にはアルコール残基、カルボン酸残基と
して結合することが望ましい。
ン構造と２次非線形光学成分が共重合してなることを特
徴とする。このため、上記の２次非線形光学成分は高分
子主鎖に結合する部位を有することが必要である。具体
的には、電子供与基、電子吸引基、π共役系のいずれか
に１ヵ所又は２ヵ所の結合部位を有することが必要であ
る。更に、かかる結合部位はシリコーン構造中の共重合
成分となるために−Ｏ−の化学構造を有することが必要
である。具体的にはアルコール残基、カルボン酸残基と
して結合することが望ましい。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下
の実施例において部数はモル数に比例する。
明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下
の実施例において部数はモル数に比例する。
【００１８】実施例１ 以下の式（化５）で表される化合物（１）〜（４）を合
成した。合成は、それぞれ、フェニルトリクロロシラン
１部と下記式（化６）で表される化合物（１）′〜
（４）′０．５部を塩化カルシウム管を取り付けた三角
フラスコ中で乾燥ジオキサンに溶解し、次いで、乾燥ピ
リジン１部を常温下で滴下し、１昼夜かくはんした。ピ
リジニウム塩の沈殿が析出し、かつ、液温が常温である
ことを確認した後、約１時間加熱還流した。液温が常温
に戻った後、０．５部のジフェニルジクロロシランと３
部以上の水を発熱、突沸に注意しながら滴下し１昼夜か
くはんした。次いで、反応溶液を２倍量の体積の酢酸エ
チルに溶解し、これを分液漏斗を用いて水層が中性にな
るまで水洗し、更に、酢酸エチル層の溶媒を留去し粗生
成物を得た。この粗生成物に０．００６部の水酸化ナト
リウム〔但し、化合物（３）の場合は硫酸〕をメタノー
ル溶液として加え、丸底フラスコ中１８０℃で１０時間
加熱した。加熱後、固化した粗生成物をアセトンに溶解
し、これをメタノールから再沈殿して化合物（１）〜
（４）を得た。
成した。合成は、それぞれ、フェニルトリクロロシラン
１部と下記式（化６）で表される化合物（１）′〜
（４）′０．５部を塩化カルシウム管を取り付けた三角
フラスコ中で乾燥ジオキサンに溶解し、次いで、乾燥ピ
リジン１部を常温下で滴下し、１昼夜かくはんした。ピ
リジニウム塩の沈殿が析出し、かつ、液温が常温である
ことを確認した後、約１時間加熱還流した。液温が常温
に戻った後、０．５部のジフェニルジクロロシランと３
部以上の水を発熱、突沸に注意しながら滴下し１昼夜か
くはんした。次いで、反応溶液を２倍量の体積の酢酸エ
チルに溶解し、これを分液漏斗を用いて水層が中性にな
るまで水洗し、更に、酢酸エチル層の溶媒を留去し粗生
成物を得た。この粗生成物に０．００６部の水酸化ナト
リウム〔但し、化合物（３）の場合は硫酸〕をメタノー
ル溶液として加え、丸底フラスコ中１８０℃で１０時間
加熱した。加熱後、固化した粗生成物をアセトンに溶解
し、これをメタノールから再沈殿して化合物（１）〜
（４）を得た。
【００１９】
【化５】
【００２０】
【化６】
【００２１】化合物（１）〜（４）をそれぞれ塩化ベン
ゼンに溶解しスピンコートにより数μｍ厚のフィルムを
作製した。このフィルムの上下に電極を装着し２００℃
に加熱し、１００Ｖ／μｍの電界を数分間印加し分極処
理した。表１に化合物（１）〜（４）の電気光学定数
（ｒ）。伝搬損失値及び耐熱温度（ｒ値の減衰が認めら
れない最高温度）を併せて示す。
ゼンに溶解しスピンコートにより数μｍ厚のフィルムを
作製した。このフィルムの上下に電極を装着し２００℃
に加熱し、１００Ｖ／μｍの電界を数分間印加し分極処
理した。表１に化合物（１）〜（４）の電気光学定数
（ｒ）。伝搬損失値及び耐熱温度（ｒ値の減衰が認めら
れない最高温度）を併せて示す。
【００２２】
【表１】 表 １ ─────────────────────────────────── 化合物 ｒ(pm/V) 伝搬損失(dB/cm) 耐熱温度（℃） 1.3μm 1.55μm 1.3μm 1.55μm ─────────────────────────────────── (1) 15 13 0.5 0.4 180 (2) 25 20 0.6 0.5 180 (3) 35 30 0.6 0.5 180 (4) 15 15 0.4 0.3 180 ───────────────────────────────────
【００２３】実施例２ 以下の式（化７）で表される化合物（５）〜（８）を合
成した。合成は、それぞれ、フェニルトリクロロシラン
１部、下記式（化８）で表される化合物（５）′〜
（８）′０．５部及びジフェニルジクロロシラン０．５
部を塩化カルシウム管を取り付けた三角フラスコ中で乾
燥ジオキサンに溶解し、次いで、乾燥ピリジン１．５部
を常温下で滴下し、１昼夜かくはんした。ピリジニウム
塩の沈殿が析出し、かつ、液温が常温であることを確認
した後、約１時間加熱還流した。液温が常温に戻った
後、３部以上の水を発熱、突沸に注意しながら滴下し１
昼夜かくはんした。次いで、反応溶液を２倍量の体積の
酢酸エチルに溶解し、これを分液漏斗を用いて水層が中
性になるまで水洗し、更に、酢酸エチル層の溶媒を留去
し粗生成物を得た。この粗生成物に０．００６部の水酸
化ナトリウム〔但し、化合物（７）の場合は硫酸〕をメ
タノール溶液として加え、丸底フラスコ中１９０℃で１
０時間加熱した。加熱後、固化した粗生成物をアセトン
に溶解し、これをメタノールから再沈殿して化合物
（５）〜（８）を得た。
成した。合成は、それぞれ、フェニルトリクロロシラン
１部、下記式（化８）で表される化合物（５）′〜
（８）′０．５部及びジフェニルジクロロシラン０．５
部を塩化カルシウム管を取り付けた三角フラスコ中で乾
燥ジオキサンに溶解し、次いで、乾燥ピリジン１．５部
を常温下で滴下し、１昼夜かくはんした。ピリジニウム
塩の沈殿が析出し、かつ、液温が常温であることを確認
した後、約１時間加熱還流した。液温が常温に戻った
後、３部以上の水を発熱、突沸に注意しながら滴下し１
昼夜かくはんした。次いで、反応溶液を２倍量の体積の
酢酸エチルに溶解し、これを分液漏斗を用いて水層が中
性になるまで水洗し、更に、酢酸エチル層の溶媒を留去
し粗生成物を得た。この粗生成物に０．００６部の水酸
化ナトリウム〔但し、化合物（７）の場合は硫酸〕をメ
タノール溶液として加え、丸底フラスコ中１９０℃で１
０時間加熱した。加熱後、固化した粗生成物をアセトン
に溶解し、これをメタノールから再沈殿して化合物
（５）〜（８）を得た。
【００２４】
【化７】
【００２５】
【化８】
【００２６】化合物（５）〜（８）をそれそれ塩化ベン
ゼンに溶解しスピンコートにより数μｍ厚のフィルムを
作製した。このフィルムの上下に電極を装着し２００℃
に加熱し、１００Ｖ／μｍの電界を数分間印加し分極処
理した。表２に化合物（５）〜（８）の電気光学定数、
伝搬損失値及び耐熱温度を併せて示す。
ゼンに溶解しスピンコートにより数μｍ厚のフィルムを
作製した。このフィルムの上下に電極を装着し２００℃
に加熱し、１００Ｖ／μｍの電界を数分間印加し分極処
理した。表２に化合物（５）〜（８）の電気光学定数、
伝搬損失値及び耐熱温度を併せて示す。
【００２７】
【表２】 表 ２ ─────────────────────────────────── 化合物 ｒ(pm/V) 伝搬損失(dB/cm) 耐熱温度（℃） 1.3μm 1.55μm 1.3μm 1.55μm ─────────────────────────────────── (5) 14 12 0.5 0.4 200 (6) 24 19 0.6 0.5 200 (7) 34 29 0.6 0.5 200 (8) 14 14 0.4 0.3 200 ───────────────────────────────────
【００２８】実施例３ 以下の式（化９）で表される化合物（９）〜（１２）を
合成した。合成は、それぞれ、フェニルトリクロロシラ
ン１部と下記式（化１０）で表される化合物（９）′〜
（１２）′０．５部を塩化カルシウム管を取り付けた三
角フラスコ中で乾燥ジオキサンに溶解し、次いで、乾燥
ピリジン１部を常温下で滴下し、１昼夜かくはんした。
ピリジニウム塩の沈殿が析出し、かつ、液温が常温であ
ることを確認した後、約１時間加熱還流した。液温が常
温に戻った後、３部以上の水を発熱、突沸に注意しなが
ら滴下し１昼夜かくはんした。次いで、反応溶液を２倍
量の体積の酢酸エチルに溶解し、これを分液漏斗を用い
て水層が中性になるまで水洗し、更に、酢酸エチル層の
溶媒を留去し粗生成物を得た。この粗生成物に０．００
６部の硫酸〔但し、化合物（１０）の場合は水酸化ナト
リウム〕をメタノール溶液として加え、丸底フラスコ中
１８０℃で１０時間加熱した。加熱後、固化した粗生成
物をアセトンに溶解し、これをメタノールから再沈殿し
て化合物（９）〜（１２）を得た。
合成した。合成は、それぞれ、フェニルトリクロロシラ
ン１部と下記式（化１０）で表される化合物（９）′〜
（１２）′０．５部を塩化カルシウム管を取り付けた三
角フラスコ中で乾燥ジオキサンに溶解し、次いで、乾燥
ピリジン１部を常温下で滴下し、１昼夜かくはんした。
ピリジニウム塩の沈殿が析出し、かつ、液温が常温であ
ることを確認した後、約１時間加熱還流した。液温が常
温に戻った後、３部以上の水を発熱、突沸に注意しなが
ら滴下し１昼夜かくはんした。次いで、反応溶液を２倍
量の体積の酢酸エチルに溶解し、これを分液漏斗を用い
て水層が中性になるまで水洗し、更に、酢酸エチル層の
溶媒を留去し粗生成物を得た。この粗生成物に０．００
６部の硫酸〔但し、化合物（１０）の場合は水酸化ナト
リウム〕をメタノール溶液として加え、丸底フラスコ中
１８０℃で１０時間加熱した。加熱後、固化した粗生成
物をアセトンに溶解し、これをメタノールから再沈殿し
て化合物（９）〜（１２）を得た。
【００２９】
【化９】
【００３０】
【化１０】
【００３１】化合物（９）〜（１２）をそれぞれ塩化ベ
ンゼンに溶解しスピンコートにより数μｍ厚のフィルム
を作製した。このフィルムの上下に電極を装着し２００
℃に加熱し、１００Ｖ／μｍの電界を数分間印加し分極
処理した。表３に化合物（９）〜（１２）の電気光学定
数、伝搬損失値及び耐熱温度を併せて示す。
ンゼンに溶解しスピンコートにより数μｍ厚のフィルム
を作製した。このフィルムの上下に電極を装着し２００
℃に加熱し、１００Ｖ／μｍの電界を数分間印加し分極
処理した。表３に化合物（９）〜（１２）の電気光学定
数、伝搬損失値及び耐熱温度を併せて示す。
【００３２】
【表３】 表 ３ ─────────────────────────────────── 化合物 ｒ(pm/V) 伝搬損失(dB/cm) 耐熱温度（℃） 1.3μm 1.55μm 1.3μm 1.55μm ─────────────────────────────────── (９) 60 40 1.0 0.4 160 (10) 30 20 1.0 0.4 200 (11) 45 30 0.9 0.3 190 (12) 70 50 1.1 0.7 200 ───────────────────────────────────
【００３３】実施例４ 以下の式（化１１）で表される化合物（１３）〜（１
６）を合成した。合成は、それぞれ、フェニルトリクロ
ロシラン１部と下記式（化１２）で表される化合物（１
３）′〜（１６）′０．５部を塩化カルシウム管を取り
付けた三角フラスコ中で乾燥ジオキサンに溶解し、次い
で、乾燥ピリジン１部を常温下で滴下し、１昼夜かくは
んした。ピリジニウム塩の沈殿が析出し、かつ、液温が
常温であることを確認した後、約１時間加熱還流した。
液温が常温に戻った後、３部以上の水を発熱、突沸に注
意しながら滴下し１昼夜かくはんした。次いで、反応溶
液を２倍量の体積の酢酸エチルに溶解し、これを分液漏
斗を用いて水層が中性になるまで水洗し、更に、酢酸エ
チル層の溶媒を留去し粗生成物を得た。この粗生成物に
０．００６部の硫酸〔但し、化合物（１４）の場合は水
酸化ナトリウム〕をメタノール溶液として加え、丸底フ
ラスコ中１８０℃で１０時間加熱した。加熱後、固化し
た粗生成物をアセトンに溶解し、これをメタノールから
再沈殿して化合物（１３）〜（１６）を得た。
６）を合成した。合成は、それぞれ、フェニルトリクロ
ロシラン１部と下記式（化１２）で表される化合物（１
３）′〜（１６）′０．５部を塩化カルシウム管を取り
付けた三角フラスコ中で乾燥ジオキサンに溶解し、次い
で、乾燥ピリジン１部を常温下で滴下し、１昼夜かくは
んした。ピリジニウム塩の沈殿が析出し、かつ、液温が
常温であることを確認した後、約１時間加熱還流した。
液温が常温に戻った後、３部以上の水を発熱、突沸に注
意しながら滴下し１昼夜かくはんした。次いで、反応溶
液を２倍量の体積の酢酸エチルに溶解し、これを分液漏
斗を用いて水層が中性になるまで水洗し、更に、酢酸エ
チル層の溶媒を留去し粗生成物を得た。この粗生成物に
０．００６部の硫酸〔但し、化合物（１４）の場合は水
酸化ナトリウム〕をメタノール溶液として加え、丸底フ
ラスコ中１８０℃で１０時間加熱した。加熱後、固化し
た粗生成物をアセトンに溶解し、これをメタノールから
再沈殿して化合物（１３）〜（１６）を得た。
【００３４】
【化１１】
【００３５】
【化１２】
【００３６】化合物（１３）〜（１６）をそれぞれ塩化
ベンゼンに溶解しスピンコートにより数μｍ厚のフィル
ムを作製した。このフィルムの上下に電極を装着し２０
０℃に加熱し、１００Ｖ／μｍの電界を数分間印加し分
極処理した。表４に化合物（１３）〜（１６）の電気光
学定数、伝搬損失値及び耐熱温度を併せて示す。
ベンゼンに溶解しスピンコートにより数μｍ厚のフィル
ムを作製した。このフィルムの上下に電極を装着し２０
０℃に加熱し、１００Ｖ／μｍの電界を数分間印加し分
極処理した。表４に化合物（１３）〜（１６）の電気光
学定数、伝搬損失値及び耐熱温度を併せて示す。
【００３７】
【表４】 表 ４ ─────────────────────────────────── 化合物 ｒ(pm/V) 伝搬損失(dB/cm) 耐熱温度（℃） 1.3μm 1.55μm 1.3μm 1.55μm ─────────────────────────────────── (13) 60 40 1.0 0.4 160 (14) 30 20 1.0 0.4 200 (15) 45 30 0.9 0.3 190 (16) 70 50 1.1 0.7 200 ───────────────────────────────────
【００３８】実施例５ 以下の式（化１３）で表される化合物（１７）〜（１
９）を合成した。合成は、それぞれ、フェニルトリクロ
ロシラン１部と下記式（化１４）で表される化合物（１
７）′〜（１９）′０．５部及びジフェニルジクロロシ
ラン０．５部を塩化カルシウム管を取り付けた三角フラ
スコ中で乾燥ジオキサンに溶解し、次いで、乾燥ピリジ
ン１部を常温下で滴下し、１昼夜かくはんした。ピリジ
ニウム塩の沈殿が析出し、かつ、液温が常温であること
を確認した後、約１時間加熱還流した。液温が常温に戻
った後、３部以上の水を発熱、突沸に注意しながら滴下
し１昼夜かくはんした。次いで、反応溶液を２倍量の体
積の酢酸エチルに溶解し、これを分液漏斗を用いて水層
が中性になるまで水洗し、更に、酢酸エチル層の溶媒を
留去し粗生成物を得た。この粗生成物に０．００６部の
水酸化ナトリウムをメタノール溶液として加え、丸底フ
ラスコ中１８０℃で１０時間加熱した。加熱後、固化し
た粗生成物をアセトンに溶解し、これをメタノールから
再沈殿して化合物（１７）〜（１９）を得た。
９）を合成した。合成は、それぞれ、フェニルトリクロ
ロシラン１部と下記式（化１４）で表される化合物（１
７）′〜（１９）′０．５部及びジフェニルジクロロシ
ラン０．５部を塩化カルシウム管を取り付けた三角フラ
スコ中で乾燥ジオキサンに溶解し、次いで、乾燥ピリジ
ン１部を常温下で滴下し、１昼夜かくはんした。ピリジ
ニウム塩の沈殿が析出し、かつ、液温が常温であること
を確認した後、約１時間加熱還流した。液温が常温に戻
った後、３部以上の水を発熱、突沸に注意しながら滴下
し１昼夜かくはんした。次いで、反応溶液を２倍量の体
積の酢酸エチルに溶解し、これを分液漏斗を用いて水層
が中性になるまで水洗し、更に、酢酸エチル層の溶媒を
留去し粗生成物を得た。この粗生成物に０．００６部の
水酸化ナトリウムをメタノール溶液として加え、丸底フ
ラスコ中１８０℃で１０時間加熱した。加熱後、固化し
た粗生成物をアセトンに溶解し、これをメタノールから
再沈殿して化合物（１７）〜（１９）を得た。
【００３９】
【化１３】
【００４０】
【化１４】
【００４１】化合物（１７）〜（１９）をそれぞれ塩化
ベンゼンに溶解しスピンコートにより数μｍ厚のフィル
ムを作製した。このフィルムの上下に電極を装着し２０
０℃に加熱し、１００Ｖ／μｍの電界を数分間印加し分
極処理した。表５に化合物（１７）〜（１９）の電気光
学定数、伝搬損失値及び耐熱温度を併せて示す。
ベンゼンに溶解しスピンコートにより数μｍ厚のフィル
ムを作製した。このフィルムの上下に電極を装着し２０
０℃に加熱し、１００Ｖ／μｍの電界を数分間印加し分
極処理した。表５に化合物（１７）〜（１９）の電気光
学定数、伝搬損失値及び耐熱温度を併せて示す。
【００４２】
【表５】 表 ５ ─────────────────────────────────── 化合物 ｒ(pm/V) 伝搬損失(dB/cm) 耐熱温度（℃） 1.3μm 1.55μm 1.3μm 1.55μm ─────────────────────────────────── (17) 55 45 1.0 0.5 200 (18) 30 24 0.5 0.3 190 (19) 30 18 0.4 0.6 180 ───────────────────────────────────
【００４３】実施例６ 以下の下記式（化１５）で表される化合物（２０）〜
（２２）を合成した。合成は、それぞれ、ジフェニルジ
クロロシラン１部と下記式（化１６）で表される化合物
（２０）′〜（２２）′０．５部を塩化カルシウム管を
取り付けた三角フラスコ中で乾燥ジオキサンに溶解し、
次いで、乾燥ピリジン１部を常温下で滴下し、１昼夜か
くはんした。ピリジニウム塩の沈殿が析出し、かつ、液
温が常温であることを確認した後、約１時間加熱還流し
た。液温が常温に戻った後、３部以上の水を発熱、突沸
に注意しながら滴下し１昼夜かくはんした。次いで、反
応溶液を２倍量の体積の酢酸エチルに溶解し、これを分
液漏斗を用いて水層が中性になるまで水洗し、更に、酢
酸エチル層の溶媒を留去し粗生成物を得た。この粗生成
物に０．００６部の水酸化ナトリウムをメタノール溶液
として加え、丸底フラスコ中１８０℃で１０時間加熱し
た。加熱後、固化した粗生成物をアセトンに溶解し、こ
れをメタノールから再沈殿して化合物（２０）〜（２
２）を得た。
（２２）を合成した。合成は、それぞれ、ジフェニルジ
クロロシラン１部と下記式（化１６）で表される化合物
（２０）′〜（２２）′０．５部を塩化カルシウム管を
取り付けた三角フラスコ中で乾燥ジオキサンに溶解し、
次いで、乾燥ピリジン１部を常温下で滴下し、１昼夜か
くはんした。ピリジニウム塩の沈殿が析出し、かつ、液
温が常温であることを確認した後、約１時間加熱還流し
た。液温が常温に戻った後、３部以上の水を発熱、突沸
に注意しながら滴下し１昼夜かくはんした。次いで、反
応溶液を２倍量の体積の酢酸エチルに溶解し、これを分
液漏斗を用いて水層が中性になるまで水洗し、更に、酢
酸エチル層の溶媒を留去し粗生成物を得た。この粗生成
物に０．００６部の水酸化ナトリウムをメタノール溶液
として加え、丸底フラスコ中１８０℃で１０時間加熱し
た。加熱後、固化した粗生成物をアセトンに溶解し、こ
れをメタノールから再沈殿して化合物（２０）〜（２
２）を得た。
【００４４】
【化１５】
【００４５】
【化１６】
【００４６】化合物（２０）〜（２２）をそれぞれ塩化
ベンゼンに溶解しスピンコートにより数μｍ厚のフィル
ムを作製した。このフィルムの上下に電極を装着し２０
０℃に加熱し、１００Ｖ／μｍの電界を数分間印加し分
極処理した。表５に化合物（２０）〜（２２）の電気光
学定数、伝搬損失値及び耐熱温度を併せて示す。
ベンゼンに溶解しスピンコートにより数μｍ厚のフィル
ムを作製した。このフィルムの上下に電極を装着し２０
０℃に加熱し、１００Ｖ／μｍの電界を数分間印加し分
極処理した。表５に化合物（２０）〜（２２）の電気光
学定数、伝搬損失値及び耐熱温度を併せて示す。
【００４７】
【表６】 表 ６ ─────────────────────────────────── 化合物 ｒ(pm/V) 伝搬損失(dB/cm) 耐熱温度（℃） 1.3μm 1.55μm 1.3μm 1.55μm ─────────────────────────────────── (20) 50 43 1.0 0.5 220 (21) 35 22 0.5 0.3 200 (22) 31 15 0.4 0.6 190 ───────────────────────────────────
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による非線
形光学材料は、光通信システムに使用される近赤外域の
波長で伝搬損失が低く、耐熱性に優れているため、高信
頼性が要求される光変調器、光スイッチ等の光部品をは
じめ、２次の非線形光学効果を利用するすべての用途に
使用できる。
形光学材料は、光通信システムに使用される近赤外域の
波長で伝搬損失が低く、耐熱性に優れているため、高信
頼性が要求される光変調器、光スイッチ等の光部品をは
じめ、２次の非線形光学効果を利用するすべての用途に
使用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 都丸 暁 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 下記式（化１）で表される繰返し単位： 【化１】 及び／又は下記式（化２）で表される繰返し単位： 【化２】 なる１成分又は２成分の繰返し単位と、下記一般式（化
３）で表される繰返し単位： 【化３】 （式中Ｒは大きな２次の非線形分子分極率を示す基であ
る）との２成分又は３成分の繰返し単位からなることを
特徴とする共重合体材料。 - 【請求項２】 請求項１に記載のいずれかの共重合体材
料を、その軟化点付近の温度で直流電界を印加すること
により分極処理してなることを特徴とする化合物材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6596193A JPH06258676A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | ２次非線形光学材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6596193A JPH06258676A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | ２次非線形光学材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06258676A true JPH06258676A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=13302100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6596193A Pending JPH06258676A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | ２次非線形光学材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06258676A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1305445A1 (en) * | 2000-05-09 | 2003-05-02 | Biosearch Technologies, Inc. | Dark quenchers for donor-acceptor energy transfer |
| US7635598B2 (en) | 2004-07-08 | 2009-12-22 | Biosearch Technologies, Inc. | Inducible fluorescence assay |
| US8466266B2 (en) | 2008-04-01 | 2013-06-18 | Biosearch Technologies, Inc. | Stabilized nucleic acid dark quencher-fluorophore probes |
-
1993
- 1993-03-03 JP JP6596193A patent/JPH06258676A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9018369B2 (en) | 2000-05-09 | 2015-04-28 | Biosearch Technologies, Inc. | Dark quenchers for donor-acceptor energy transfer |
| US9139610B2 (en) | 2000-05-09 | 2015-09-22 | Biosearch Technologies, Inc. | Dark quenchers for donor-acceptor energy transfer |
| US7019129B1 (en) | 2000-05-09 | 2006-03-28 | Biosearch Technologies, Inc. | Dark quenchers for donor-acceptor energy transfer |
| US7109312B2 (en) | 2000-05-09 | 2006-09-19 | Biosearch Technologies, Inc. | Dark quenchers for donor-acceptor energy transfer |
| US8440399B2 (en) | 2000-05-09 | 2013-05-14 | Biosearch Technologies, Inc. | Dark quenchers for donor-acceptor energy transfer |
| EP1305445A4 (en) * | 2000-05-09 | 2003-08-13 | Biosearch Technologies Inc | NON LUMINOUS QUENCHER FOR A DONOR ACCEPTANCE ENERGY TRANSFER |
| US8410255B2 (en) | 2000-05-09 | 2013-04-02 | Biosearch Technologies, Inc. | Dark quenchers for donor-acceptor energy transfer |
| US7582432B2 (en) | 2000-05-09 | 2009-09-01 | Biosearch Technologies, Inc. | Dark quenchers for donor-acceptor energy transfer |
| US8633307B2 (en) | 2000-05-09 | 2014-01-21 | Biosearch Technologies, Inc. | Dark quenchers for donor-acceptor energy transfer |
| US10301349B2 (en) | 2000-05-09 | 2019-05-28 | Biosearch Technologies, Inc. | Dark quenchers for donor-acceptor energy transfer |
| US8946404B2 (en) | 2000-05-09 | 2015-02-03 | Biosearch Technologies, Inc. | Dark quenchers for donor-acceptor energy transfer |
| EP1305445A1 (en) * | 2000-05-09 | 2003-05-02 | Biosearch Technologies, Inc. | Dark quenchers for donor-acceptor energy transfer |
| US7635598B2 (en) | 2004-07-08 | 2009-12-22 | Biosearch Technologies, Inc. | Inducible fluorescence assay |
| US8466266B2 (en) | 2008-04-01 | 2013-06-18 | Biosearch Technologies, Inc. | Stabilized nucleic acid dark quencher-fluorophore probes |
| US9803240B2 (en) | 2008-04-01 | 2017-10-31 | Biosearch Technologies, Inc. | Stabilized nucleic acid dark quencher-fluorophore probes |
| US8674094B2 (en) | 2008-04-01 | 2014-03-18 | Biosearch Technologies, Inc. | Stabilized nucleic acid dark quencher-fluorophore probes |
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