JPH0625838A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH0625838A JPH0625838A JP20747092A JP20747092A JPH0625838A JP H0625838 A JPH0625838 A JP H0625838A JP 20747092 A JP20747092 A JP 20747092A JP 20747092 A JP20747092 A JP 20747092A JP H0625838 A JPH0625838 A JP H0625838A
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- Japan
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- target
- zno
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- gallium
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Abstract
(57)【要約】
【構成】Ｘ線回折ピークにおいて、Ｇａ固溶ＺｎＯ相の
（００２）面の積分強度Ｉ1 と、Ｇａが固溶していない
低角側のＺｎＯ相の（００２）面の積分強度Ｉ2の比
が、０．２以上（Ｉ1 ／Ｉ2 ≧０．２）であるＧａを含
むＺｎＯターゲット。 【効果】高い耐熱性を有する透明導電膜が得られる。
（００２）面の積分強度Ｉ1 と、Ｇａが固溶していない
低角側のＺｎＯ相の（００２）面の積分強度Ｉ2の比
が、０．２以上（Ｉ1 ／Ｉ2 ≧０．２）であるＧａを含
むＺｎＯターゲット。 【効果】高い耐熱性を有する透明導電膜が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電膜を形成する
際に用いられるスパッタリング用ターゲットに関するも
のである。
際に用いられるスパッタリング用ターゲットに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、酸化インジウムにスズをドープし
たＩＴＯ（In2O3-SnO2系）は、透明でかつ導電性の酸化
物としてよく知られており、太陽電池や液晶ディスプレ
イ等に用いられる透明導電膜として、広く用いられてい
る。また、最近、酸化亜鉛にアルミニウムをドープした
ＡＺＯ（Al2O3-ZnO 系）が、ＩＴＯと同程度の透明性、
導電性を有する透明導電膜として知られるようになり、
高価なＩＴＯより安価であることから、工業的実用化が
期待されている。
たＩＴＯ（In2O3-SnO2系）は、透明でかつ導電性の酸化
物としてよく知られており、太陽電池や液晶ディスプレ
イ等に用いられる透明導電膜として、広く用いられてい
る。また、最近、酸化亜鉛にアルミニウムをドープした
ＡＺＯ（Al2O3-ZnO 系）が、ＩＴＯと同程度の透明性、
導電性を有する透明導電膜として知られるようになり、
高価なＩＴＯより安価であることから、工業的実用化が
期待されている。
【０００３】ところで、最近、透明導電膜がさまざまな
素子、部品等に利用されるようになってきており、高温
等の過酷な使用条件でも使用可能であることや、また、
それらを用いた素子、部品等の製造プロセスにおいて高
温が必要となることが多くなってきた。しかし、ＩＴＯ
やＡＺＯは、真空中やアルゴン雰囲気においては、ある
程度の耐熱性は有しているものの、実用上重要となる空
気中などの酸素を含む雰囲気での耐熱性は不十分であ
り、実用上有用な空気中などの酸素を含む雰囲気でも高
い耐熱性を有する透明導電膜が望まれてきた。
素子、部品等に利用されるようになってきており、高温
等の過酷な使用条件でも使用可能であることや、また、
それらを用いた素子、部品等の製造プロセスにおいて高
温が必要となることが多くなってきた。しかし、ＩＴＯ
やＡＺＯは、真空中やアルゴン雰囲気においては、ある
程度の耐熱性は有しているものの、実用上重要となる空
気中などの酸素を含む雰囲気での耐熱性は不十分であ
り、実用上有用な空気中などの酸素を含む雰囲気でも高
い耐熱性を有する透明導電膜が望まれてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術が有していた前述の欠点を解決しようとするもので
ある。つまり、透明導電膜を形成する際に、ガリウムを
ドーパントとする酸化亜鉛焼結体ターゲットにおいて、
Ｇａ固溶ＺｎＯ相が、ＺｎＯ相より所定の割合以上存在
することを特徴とするスパッタリングターゲットを用い
て製膜することにより、例えば、空気中などの酸素を含
む雰囲気中でも高い耐熱性を有する透明導電膜を安定的
に形成することを目的とするものである。
技術が有していた前述の欠点を解決しようとするもので
ある。つまり、透明導電膜を形成する際に、ガリウムを
ドーパントとする酸化亜鉛焼結体ターゲットにおいて、
Ｇａ固溶ＺｎＯ相が、ＺｎＯ相より所定の割合以上存在
することを特徴とするスパッタリングターゲットを用い
て製膜することにより、例えば、空気中などの酸素を含
む雰囲気中でも高い耐熱性を有する透明導電膜を安定的
に形成することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、ガリウ
ムを含む酸化亜鉛焼結体ターゲットにおいて、ガリウム
の固溶により高角側にシフトしたＧａ固溶ＺｎＯ相の
（００２）面のＸ線回折ピークの積分強度Ｉ1 と、Ｇａ
が固溶していない低角側のＺｎＯ相の（００２）面のＸ
線回折ピークの積分強度Ｉ2 の比が０．２以上（Ｉ1 ／
Ｉ2 ≧０．２）であることを特徴とするスパッタリング
ターゲットを提供するものである。
ムを含む酸化亜鉛焼結体ターゲットにおいて、ガリウム
の固溶により高角側にシフトしたＧａ固溶ＺｎＯ相の
（００２）面のＸ線回折ピークの積分強度Ｉ1 と、Ｇａ
が固溶していない低角側のＺｎＯ相の（００２）面のＸ
線回折ピークの積分強度Ｉ2 の比が０．２以上（Ｉ1 ／
Ｉ2 ≧０．２）であることを特徴とするスパッタリング
ターゲットを提供するものである。
【０００６】本発明のターゲットは、実質的に亜鉛・ガ
リウムの酸化物であり、Ｇａ2 Ｏ3として１重量％〜１
０重量％を含有するものである。なお、本発明のターゲ
ットには他の成分が本発明の目的、効果を損なわない範
囲において含まれていても差し支えないが可及的に少量
にとどめることが望ましい。
リウムの酸化物であり、Ｇａ2 Ｏ3として１重量％〜１
０重量％を含有するものである。なお、本発明のターゲ
ットには他の成分が本発明の目的、効果を損なわない範
囲において含まれていても差し支えないが可及的に少量
にとどめることが望ましい。
【０００７】図１は本発明のターゲットのＸ線回折パタ
ーンを示すグラフである。横軸は、Ｃｕ−Ｋα線におけ
る回折角２θ（ｄｅｇ）を、縦軸は、強度を示す。Ｘ線
回折パターンから、Ｇａ固溶ＺｎＯ相は、ＺｎＯ結晶の
ある特定のＺｎ原子にＧａ原子が置換した置換型規則的
固溶体であり、おおよそＺｎＯ結晶がＣ軸方向に縮んだ
ような結晶であると考えられる。これは、Ｇａ2 Ｏ3 量
が少ないほうがＧａ固溶ＺｎＯ相と考えられるピークの
積分強度は小さくなることからも支持される。本発明で
は、上記の考察による結晶の状態を最も顕著に表す（０
０２）面について着目し、Ｇａの固溶によりＣ軸方向に
縮んだ、つまり高角度側にシフトした（００２）面のＸ
線回折ピークと、Ｇａが固溶していない、つまりシフト
していない（００２）面のＸ線回折ピークの積分強度比
により、最適なＧａ固溶ＺｎＯ相の割合を見出したもの
である。また、本発明における積分強度は、各ピークか
らバックグラウンドを差し引いたピークの面積により算
出されるものである。
ーンを示すグラフである。横軸は、Ｃｕ−Ｋα線におけ
る回折角２θ（ｄｅｇ）を、縦軸は、強度を示す。Ｘ線
回折パターンから、Ｇａ固溶ＺｎＯ相は、ＺｎＯ結晶の
ある特定のＺｎ原子にＧａ原子が置換した置換型規則的
固溶体であり、おおよそＺｎＯ結晶がＣ軸方向に縮んだ
ような結晶であると考えられる。これは、Ｇａ2 Ｏ3 量
が少ないほうがＧａ固溶ＺｎＯ相と考えられるピークの
積分強度は小さくなることからも支持される。本発明で
は、上記の考察による結晶の状態を最も顕著に表す（０
０２）面について着目し、Ｇａの固溶によりＣ軸方向に
縮んだ、つまり高角度側にシフトした（００２）面のＸ
線回折ピークと、Ｇａが固溶していない、つまりシフト
していない（００２）面のＸ線回折ピークの積分強度比
により、最適なＧａ固溶ＺｎＯ相の割合を見出したもの
である。また、本発明における積分強度は、各ピークか
らバックグラウンドを差し引いたピークの面積により算
出されるものである。
【０００８】本発明において、Ｇａ固溶ＺｎＯ相の（０
０２）面のＸ線回折ピークの積分強度Ｉ1 と、ガリウム
が固溶していない低角側のＺｎＯ相の（００２）面のＸ
線回折ピークの積分強度Ｉ2 の比が０．２以上（Ｉ1 ／
Ｉ2 ≧０．２）であることが好ましい。前記の強度比Ｉ
1 ／Ｉ2 が０．２より低いと、つまり、Ｇａ固溶ＺｎＯ
相が少なく、ガリウムが固溶していないＺｎＯ相が多い
ターゲットを用いて形成した場合、膜の結晶性が十分で
なく、高い耐熱性は得られない。本発明では、特に強度
比Ｉ1 ／Ｉ2 が１．０以上にすることにより、結晶性の
より高い膜が得られ、より高い耐熱性を有する膜が得ら
れるので好ましい。
０２）面のＸ線回折ピークの積分強度Ｉ1 と、ガリウム
が固溶していない低角側のＺｎＯ相の（００２）面のＸ
線回折ピークの積分強度Ｉ2 の比が０．２以上（Ｉ1 ／
Ｉ2 ≧０．２）であることが好ましい。前記の強度比Ｉ
1 ／Ｉ2 が０．２より低いと、つまり、Ｇａ固溶ＺｎＯ
相が少なく、ガリウムが固溶していないＺｎＯ相が多い
ターゲットを用いて形成した場合、膜の結晶性が十分で
なく、高い耐熱性は得られない。本発明では、特に強度
比Ｉ1 ／Ｉ2 が１．０以上にすることにより、結晶性の
より高い膜が得られ、より高い耐熱性を有する膜が得ら
れるので好ましい。
【０００９】上述のＧａ固溶ＺｎＯ相の（００２）面の
Ｘ線回折ピークの積分強度Ｉ1 と、ガリウムが固溶して
いない低角側のＺｎＯ相の（００２）面のＸ線回折ピー
クの積分強度Ｉ2 の比が０．２以上（Ｉ1 ／Ｉ2 ≧０．
２）であるターゲット（焼結体）は、例えば以下のよう
にして製造される。
Ｘ線回折ピークの積分強度Ｉ1 と、ガリウムが固溶して
いない低角側のＺｎＯ相の（００２）面のＸ線回折ピー
クの積分強度Ｉ2 の比が０．２以上（Ｉ1 ／Ｉ2 ≧０．
２）であるターゲット（焼結体）は、例えば以下のよう
にして製造される。
【００１０】即ち、平均粒径が１μｍ以下のＺｎＯ粉末
とＧａ2 Ｏ3 粉末を所定量秤量し、ボールミルを用いて
３時間以上、アセトン中で混合して、焼結体の原料とな
る粉末を調製する。この粉末をラバープレス法を用いて
成形し、その成形体を１４００℃〜１５５０℃で２時間
焼結して、例えば、本発明のターゲット（焼結体）を得
ることができる。緻密なターゲットを得るには、焼結温
度が１４００℃〜１５５０℃であることが好ましい。焼
結温度が１４００℃より低いと気孔率が高く、製膜（ス
パッタリング）の際のプラズマが安定しにくくなるので
好ましくない。また、１５５０℃より高い焼結温度で
は、焼結時の蒸発が激しく組成が変化し、所望の組成の
ターゲットが得にくいので好ましくない。
とＧａ2 Ｏ3 粉末を所定量秤量し、ボールミルを用いて
３時間以上、アセトン中で混合して、焼結体の原料とな
る粉末を調製する。この粉末をラバープレス法を用いて
成形し、その成形体を１４００℃〜１５５０℃で２時間
焼結して、例えば、本発明のターゲット（焼結体）を得
ることができる。緻密なターゲットを得るには、焼結温
度が１４００℃〜１５５０℃であることが好ましい。焼
結温度が１４００℃より低いと気孔率が高く、製膜（ス
パッタリング）の際のプラズマが安定しにくくなるので
好ましくない。また、１５５０℃より高い焼結温度で
は、焼結時の蒸発が激しく組成が変化し、所望の組成の
ターゲットが得にくいので好ましくない。
【００１１】
【作用】本発明において、ターゲット中のＧａ2 Ｏ3 が
Ｇａ固溶ＺｎＯ相として、存在することにより、成形し
た膜中のＧａ原子のＺｎ原子位置への置換が容易にな
り、原子間に存在するＧａ原子を少なくできるため、極
めて結晶性の高い膜が成形でき、例えば、空気のような
酸素を含む雰囲気においても、高い耐熱性を有する膜が
得られるものと考えられる。
Ｇａ固溶ＺｎＯ相として、存在することにより、成形し
た膜中のＧａ原子のＺｎ原子位置への置換が容易にな
り、原子間に存在するＧａ原子を少なくできるため、極
めて結晶性の高い膜が成形でき、例えば、空気のような
酸素を含む雰囲気においても、高い耐熱性を有する膜が
得られるものと考えられる。
【００１２】
【実施例】高純度のＺｎＯ粉末およびＧａ2 Ｏ3 粉末を
準備し、ＺｎＯ粉末とＧａ2 Ｏ3粉末を１．５重量％Ｇ
ａ2 Ｏ3 −９８．５重量％ＺｎＯ、３．０重量％Ｇａ2
Ｏ3 −９７．０重量％ＺｎＯ、および６．０重量％Ｇａ
2 Ｏ3 −９４．０重量％ＺｎＯの組成になるように、ボ
ールミルで混合し、３種類のＧａ2 Ｏ3 −ＺｎＯ粉末を
調製した。ついで、ラバープレス法で成形した。この時
のプレス圧は、４０００ｋｇ／ｃｍ3 とした。成形体を
空気中１４００℃および１５００℃で焼成し、焼結体を
得た。焼結体から直径３インチ、厚さ５ｍｍの寸法に切
り出し、ターゲットを作製した。（なお、図１は、これ
らのうち、６．０重量％Ｇａ2 Ｏ3 −９４．０重量％Ｚ
ｎＯの粉末の成形体を空気中１４００℃で焼結した焼結
体のＸ線回折パターンである。）
準備し、ＺｎＯ粉末とＧａ2 Ｏ3粉末を１．５重量％Ｇ
ａ2 Ｏ3 −９８．５重量％ＺｎＯ、３．０重量％Ｇａ2
Ｏ3 −９７．０重量％ＺｎＯ、および６．０重量％Ｇａ
2 Ｏ3 −９４．０重量％ＺｎＯの組成になるように、ボ
ールミルで混合し、３種類のＧａ2 Ｏ3 −ＺｎＯ粉末を
調製した。ついで、ラバープレス法で成形した。この時
のプレス圧は、４０００ｋｇ／ｃｍ3 とした。成形体を
空気中１４００℃および１５００℃で焼成し、焼結体を
得た。焼結体から直径３インチ、厚さ５ｍｍの寸法に切
り出し、ターゲットを作製した。（なお、図１は、これ
らのうち、６．０重量％Ｇａ2 Ｏ3 −９４．０重量％Ｚ
ｎＯの粉末の成形体を空気中１４００℃で焼結した焼結
体のＸ線回折パターンである。）
【００１３】つぎに、このターゲットについて、マグネ
トロンスパッタリング装置を使用して、Ｇａ2 Ｏ3 −Ｚ
ｎＯ膜の成膜を行った。この時の条件は投入電力：ＤＣ
５０Ｗ、圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、基板温度：２００
℃の条件で行った。また、基板には、無アルカリガラス
コーニング＃７０５９を用いた。膜厚はおよそ５００ｎ
ｍとなるように行った。成膜後、膜厚、シート抵抗、可
視光透過率を測定し、膜厚、シート抵抗から膜の比抵抗
を計算した。
トロンスパッタリング装置を使用して、Ｇａ2 Ｏ3 −Ｚ
ｎＯ膜の成膜を行った。この時の条件は投入電力：ＤＣ
５０Ｗ、圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、基板温度：２００
℃の条件で行った。また、基板には、無アルカリガラス
コーニング＃７０５９を用いた。膜厚はおよそ５００ｎ
ｍとなるように行った。成膜後、膜厚、シート抵抗、可
視光透過率を測定し、膜厚、シート抵抗から膜の比抵抗
を計算した。
【００１４】表１に、以上のようにして作製したターゲ
ットの（００２）面のＸ線強度比Ｉ1 ／Ｉ2 と本発明の
ターゲットを用いて形成した膜の成膜後の比抵抗と空気
中での耐熱性を表す空気中５００℃で１０分保持の条件
で熱処理した後の膜の比抵抗および可視光透過率を示
す。
ットの（００２）面のＸ線強度比Ｉ1 ／Ｉ2 と本発明の
ターゲットを用いて形成した膜の成膜後の比抵抗と空気
中での耐熱性を表す空気中５００℃で１０分保持の条件
で熱処理した後の膜の比抵抗および可視光透過率を示
す。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１より、本発明のターゲットを用いて形
成した膜は、空気中５００℃での熱処理でも比抵抗は同
等あるいは減少する傾向があった。熱処理後においても
２〜３×１０-4Ωｃｍ台の低い比抵抗であった。本発明
のターゲットを用いることにより、空気中のような酸素
を含む雰囲気においても、高い耐熱性を有する膜が得ら
れた。また、本発明のターゲットを用いて形成した膜
は、波長５５０ｎｍの可視光において透過率８５％程度
の透過率を有していた。
成した膜は、空気中５００℃での熱処理でも比抵抗は同
等あるいは減少する傾向があった。熱処理後においても
２〜３×１０-4Ωｃｍ台の低い比抵抗であった。本発明
のターゲットを用いることにより、空気中のような酸素
を含む雰囲気においても、高い耐熱性を有する膜が得ら
れた。また、本発明のターゲットを用いて形成した膜
は、波長５５０ｎｍの可視光において透過率８５％程度
の透過率を有していた。
【００１７】また、表１には比較例として、同様の方法
で作製した従来のＩＴＯ（１０ｗｔ％ＳｎＯ2 −９０ｗ
ｔ％Ｉｎ2 Ｏ3 ）およびＡＺＯ（３ｗｔ％Ａｌ2 Ｏ3 −
９７ｗｔ％ＺｎＯ）ターゲットと、Ｇａ2 Ｏ3 −ＺｎＯ
において本発明の範囲外のＩ1 ／Ｉ2 ＜０．２のターゲ
ットを用いた場合も合わせて示した。表１より、ＩＴ
Ｏ、ＡＺＯ、Ｉ1 ／Ｉ2 ＜０．２のターゲットを用いた
場合、空気中５００℃での熱処理により、膜の比抵抗は
大きく増加した。
で作製した従来のＩＴＯ（１０ｗｔ％ＳｎＯ2 −９０ｗ
ｔ％Ｉｎ2 Ｏ3 ）およびＡＺＯ（３ｗｔ％Ａｌ2 Ｏ3 −
９７ｗｔ％ＺｎＯ）ターゲットと、Ｇａ2 Ｏ3 −ＺｎＯ
において本発明の範囲外のＩ1 ／Ｉ2 ＜０．２のターゲ
ットを用いた場合も合わせて示した。表１より、ＩＴ
Ｏ、ＡＺＯ、Ｉ1 ／Ｉ2 ＜０．２のターゲットを用いた
場合、空気中５００℃での熱処理により、膜の比抵抗は
大きく増加した。
【００１８】
【発明の効果】上記のことから明らかなように、本発明
のターゲットを用いることにより、空気中のような酸素
を含む雰囲気においても、高い耐熱性を有する透明導電
膜が得られる。また、本発明のターゲットは、ターゲッ
ト中のＧａ2 Ｏ3 がＧａ固溶ＺｎＯ相として存在するの
で、使用中の黒化（スパッタによりターゲット表面の酸
素量が減少して、ターゲット表面が黒くなる現象）が、
ほとんどなく、長時間使用しても膜の比抵抗の増加など
の経時変化が極めて少ない。
のターゲットを用いることにより、空気中のような酸素
を含む雰囲気においても、高い耐熱性を有する透明導電
膜が得られる。また、本発明のターゲットは、ターゲッ
ト中のＧａ2 Ｏ3 がＧａ固溶ＺｎＯ相として存在するの
で、使用中の黒化（スパッタによりターゲット表面の酸
素量が減少して、ターゲット表面が黒くなる現象）が、
ほとんどなく、長時間使用しても膜の比抵抗の増加など
の経時変化が極めて少ない。
【図１】本発明のスパッタリングターゲットの代表的な
Ｘ線回折パターンを示すグラフ。
Ｘ線回折パターンを示すグラフ。
Claims (2)
- 【請求項１】ガリウムを含む酸化亜鉛焼結体ターゲット
において、ガリウムの固溶により高角側にシフトしたＧ
ａ固溶ＺｎＯ相の（００２）面のＸ線回折ピークの積分
強度Ｉ1 と、Ｇａが固溶していない低角側のＺｎＯ相の
（００２）面のＸ線回折ピークの積分強度Ｉ2 の比が
０．２以上（Ｉ1 ／Ｉ2 ≧０．２）であることを特徴と
するスパッタリングターゲット。 - 【請求項２】請求項１において、Ｉ1 ／Ｉ2 ≧１．０で
あることを特徴とするスパッタリングターゲット。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20747092A JPH0625838A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | スパッタリングターゲット |
| EP93109950A EP0578046B1 (en) | 1992-07-10 | 1993-06-22 | Transparent conductive film, and target and material for vapor deposition to be used for its production |
| DE69305794T DE69305794T2 (de) | 1992-07-10 | 1993-06-22 | Transparenter, leitfähiger Film und Target und Material zur Gasphasenabscheidung für seine Herstellung |
| US08/080,522 US5458753A (en) | 1992-07-10 | 1993-06-24 | Transparent conductive film consisting of zinc oxide and gallium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20747092A JPH0625838A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0625838A true JPH0625838A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=16540299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20747092A Pending JPH0625838A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625838A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010007989A1 (ja) | 2008-07-15 | 2010-01-21 | 東ソー株式会社 | 複合酸化物焼結体、複合酸化物焼結体の製造方法、スパッタリングターゲット及び薄膜の製造方法 |
| WO2010125801A1 (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-04 | 株式会社アルバック | ＺｎＯ-Ｇａ２Ｏ３系スパッタリングターゲット用焼結体及びその製造方法 |
| US9966495B2 (en) | 2008-09-30 | 2018-05-08 | Lg Chem, Ltd. | Transparent conductive layer and transparent electrode comprising the same |
| EP3210952A4 (en) * | 2015-02-27 | 2018-05-23 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact, oxide sputtering target, and oxide thin film |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP20747092A patent/JPH0625838A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010007989A1 (ja) | 2008-07-15 | 2010-01-21 | 東ソー株式会社 | 複合酸化物焼結体、複合酸化物焼結体の製造方法、スパッタリングターゲット及び薄膜の製造方法 |
| KR20110039449A (ko) | 2008-07-15 | 2011-04-18 | 토소가부시키가이샤 | 복합 산화물 소결체, 복합 산화물 소결체의 제조방법, 스퍼터링 타겟 및 박막의 제조방법 |
| US8569192B2 (en) | 2008-07-15 | 2013-10-29 | Tosoh Corporation | Sintered complex oxide, method for producing sintered complex oxide, sputtering target and method for producing thin film |
| US9966495B2 (en) | 2008-09-30 | 2018-05-08 | Lg Chem, Ltd. | Transparent conductive layer and transparent electrode comprising the same |
| WO2010125801A1 (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-04 | 株式会社アルバック | ＺｎＯ-Ｇａ２Ｏ３系スパッタリングターゲット用焼結体及びその製造方法 |
| JP5285149B2 (ja) * | 2009-05-01 | 2013-09-11 | 株式会社アルバック | ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３系スパッタリングターゲット用焼結体及びその製造方法 |
| EP3210952A4 (en) * | 2015-02-27 | 2018-05-23 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact, oxide sputtering target, and oxide thin film |
| US10227261B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-03-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact, oxide sputtering target, and oxide thin film |
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