JPH06256942A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
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- JPH06256942A JPH06256942A JP4618993A JP4618993A JPH06256942A JP H06256942 A JPH06256942 A JP H06256942A JP 4618993 A JP4618993 A JP 4618993A JP 4618993 A JP4618993 A JP 4618993A JP H06256942 A JPH06256942 A JP H06256942A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】大型のインラインスパッタ装置において、ゲー
トバルブの開閉時にも安定した反応ガスの供給と圧力変
動を抑える。 【構成】ターゲット両側面にガス導入管を設ける。これ
により、ターゲット両側から反応ガスを供給し、ゲート
バルブの開閉に合わせて圧力調整ガスを入れ圧力制御す
る。
トバルブの開閉時にも安定した反応ガスの供給と圧力変
動を抑える。 【構成】ターゲット両側面にガス導入管を設ける。これ
により、ターゲット両側から反応ガスを供給し、ゲート
バルブの開閉に合わせて圧力調整ガスを入れ圧力制御す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタ装置に関し、
特に大型液晶ディスプレイを構成する薄膜トランジスタ
アレイ製造の量産を目的とするインライン型スパッタ装
置のガス導入管の構造に関する。
特に大型液晶ディスプレイを構成する薄膜トランジスタ
アレイ製造の量産を目的とするインライン型スパッタ装
置のガス導入管の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のインライン型ＩＴＯスパ
ッタ装置は、図５及び図６に示すように、被スパッタガ
ラス基板（４５０ｍｍＸ４５０ｍｍ）を搭載したトレイ
をＳＬＬチャンバー１４にて予備加熱を行い、スパッタ
チャンバー８にて成膜し、ＵＬＬチャンバー１５で冷却
する構造になっている。又、放電の安定の為に、スパッ
タチャンバー８内では、連続成膜する為トレイは途切れ
ること無く成膜されており、スパッタチャンバー８内で
は複数枚のトレイが待機するようになっている。又、各
チャンバーはゲートバルブで仕切られており、このゲー
トバルブは、開閉作業中も成膜しているので同一真空度
で開閉しなくてはいけない構造になっている。
ッタ装置は、図５及び図６に示すように、被スパッタガ
ラス基板（４５０ｍｍＸ４５０ｍｍ）を搭載したトレイ
をＳＬＬチャンバー１４にて予備加熱を行い、スパッタ
チャンバー８にて成膜し、ＵＬＬチャンバー１５で冷却
する構造になっている。又、放電の安定の為に、スパッ
タチャンバー８内では、連続成膜する為トレイは途切れ
ること無く成膜されており、スパッタチャンバー８内で
は複数枚のトレイが待機するようになっている。又、各
チャンバーはゲートバルブで仕切られており、このゲー
トバルブは、開閉作業中も成膜しているので同一真空度
で開閉しなくてはいけない構造になっている。
【０００３】ここで、ガス導入管４はスパッタチャンバ
ー８内のＩＴＯターゲット１の後方に装着されており、
トレイは成膜後に、このガス導入管４の上を通過するこ
ととなる。このガス導入管４へのガス供給は、Ｏ2 ガス
配管１２とＡｒガス配管１３から供給されたガスを、そ
れぞれＯ2 流量調整器１０とＡｒ流量調整器１１によっ
て流量調整しガス混合器９で混合し、ガス導入管ジョイ
ント７を介してガス導入管４内へ送られる。ガス導入管
４内に入ったガスは、スパッタチャンバー８内が１ｘ１
０-3Ｐａ程度の真空度の為、真空拡散を起こしガス導入
管噴出口２１を通って、一旦ガス拡散板３を介してガス
拡散板噴出口２２を通ってスパッタチャンバー８内へ拡
散されるようになっている。
ー８内のＩＴＯターゲット１の後方に装着されており、
トレイは成膜後に、このガス導入管４の上を通過するこ
ととなる。このガス導入管４へのガス供給は、Ｏ2 ガス
配管１２とＡｒガス配管１３から供給されたガスを、そ
れぞれＯ2 流量調整器１０とＡｒ流量調整器１１によっ
て流量調整しガス混合器９で混合し、ガス導入管ジョイ
ント７を介してガス導入管４内へ送られる。ガス導入管
４内に入ったガスは、スパッタチャンバー８内が１ｘ１
０-3Ｐａ程度の真空度の為、真空拡散を起こしガス導入
管噴出口２１を通って、一旦ガス拡散板３を介してガス
拡散板噴出口２２を通ってスパッタチャンバー８内へ拡
散されるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この種のインライン型
スパッタ装置では、基板を搭載したトレイに連続成膜す
る為、スパッタチャンバー８の前方と後方に、それぞれ
ＳＬＬチャンバー１４とＵＬＬチャンバー１５がありス
パッタチャンバー８内の真空度が一定に保てるように各
チャンバー内の真空度をスパッタチャンバー８に合わせ
て各ゲートバルブの開閉を行っている。しかし、カラー
液晶パネル等の基板の大型化に伴いチャンバーが大型化
してくると、チャンバーの真空度を合わせるのに時間が
かかりすぎ量産が困難となる。その為、実際には真空度
が、ある程度近くなった状態で各ゲートバルブの開閉を
行わなくてはいけないが、従来のガス導入管では、スパ
ッタチャンバー内で一方向からガスを導入する為、成膜
の際の反応ガス等の分布が極めて片寄り易く、膜質・膜
厚の分布のバラツキが大きくなり易く、カラー液晶パネ
ルのガラス基板上に薄膜多層構造の多数の同一トランジ
スタを成膜するスパッタでは、膜質・膜厚の制御が難し
く、歩留の低下が問題であった。
スパッタ装置では、基板を搭載したトレイに連続成膜す
る為、スパッタチャンバー８の前方と後方に、それぞれ
ＳＬＬチャンバー１４とＵＬＬチャンバー１５がありス
パッタチャンバー８内の真空度が一定に保てるように各
チャンバー内の真空度をスパッタチャンバー８に合わせ
て各ゲートバルブの開閉を行っている。しかし、カラー
液晶パネル等の基板の大型化に伴いチャンバーが大型化
してくると、チャンバーの真空度を合わせるのに時間が
かかりすぎ量産が困難となる。その為、実際には真空度
が、ある程度近くなった状態で各ゲートバルブの開閉を
行わなくてはいけないが、従来のガス導入管では、スパ
ッタチャンバー内で一方向からガスを導入する為、成膜
の際の反応ガス等の分布が極めて片寄り易く、膜質・膜
厚の分布のバラツキが大きくなり易く、カラー液晶パネ
ルのガラス基板上に薄膜多層構造の多数の同一トランジ
スタを成膜するスパッタでは、膜質・膜厚の制御が難し
く、歩留の低下が問題であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、縦型搬送イン
ラインスパッタ装置において、スパッタターゲット近傍
にターゲットを囲むようにＡｒガス及び反応ガスを吹き
出すガス導入管を設けたことを特徴とする。なお、ガス
導入管のガス吹き出し口の穴径を１０〜２０μｍ、且つ
穴密度１〜５個／ｃｍ2 にて設ける。
ラインスパッタ装置において、スパッタターゲット近傍
にターゲットを囲むようにＡｒガス及び反応ガスを吹き
出すガス導入管を設けたことを特徴とする。なお、ガス
導入管のガス吹き出し口の穴径を１０〜２０μｍ、且つ
穴密度１〜５個／ｃｍ2 にて設ける。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１、図２は本発明の第１の実施例を示すＩＴＯス
パッタチャンバーの構造図とガス導入管とガス拡散板の
断面図である。
る。図１、図２は本発明の第１の実施例を示すＩＴＯス
パッタチャンバーの構造図とガス導入管とガス拡散板の
断面図である。
【０００７】まず図１に示すように、本発明のガス導入
管構造は、Ｏ2 ガス配管１２とＡｒガス配管１３から流
量調整されたガスをガス混合器９にて混合した後、ガス
導入管４をチャンバー８内にて増設ガス導入管１７に分
岐し、ターゲット１両側面にガス導入管４と増設ガス導
入管１７を設けている。ガス導入管４と増設ガス導入管
１７は、それぞれガス拡散板３と増設ガス拡散板１６に
てスパッタ膜がガス導入管に直接付着しないように保護
されている。
管構造は、Ｏ2 ガス配管１２とＡｒガス配管１３から流
量調整されたガスをガス混合器９にて混合した後、ガス
導入管４をチャンバー８内にて増設ガス導入管１７に分
岐し、ターゲット１両側面にガス導入管４と増設ガス導
入管１７を設けている。ガス導入管４と増設ガス導入管
１７は、それぞれガス拡散板３と増設ガス拡散板１６に
てスパッタ膜がガス導入管に直接付着しないように保護
されている。
【０００８】ガス導入管４と増設ガス導入管１７からガ
スがスパッタチャンバー８内へ拡散する際は、図２に示
すようにガス導入管４と増設ガス導入管１７及びガス拡
散板３と増設ガス拡散板１６は、それぞれターゲット中
央に対して線対称構造となっており、それぞれのガス導
入管側の噴出口とガス拡散板側の噴出口は直線上には無
い。これはガスが拡散する際に直線上に噴出口が有ると
スパッタチャンバー内に乱流が発生する可能性があるこ
とと、拡散板内部に付着した塵（スパッタ膜の剥がれた
くず）をスパッタチャンバー８内部に出さないようにす
る為である。
スがスパッタチャンバー８内へ拡散する際は、図２に示
すようにガス導入管４と増設ガス導入管１７及びガス拡
散板３と増設ガス拡散板１６は、それぞれターゲット中
央に対して線対称構造となっており、それぞれのガス導
入管側の噴出口とガス拡散板側の噴出口は直線上には無
い。これはガスが拡散する際に直線上に噴出口が有ると
スパッタチャンバー内に乱流が発生する可能性があるこ
とと、拡散板内部に付着した塵（スパッタ膜の剥がれた
くず）をスパッタチャンバー８内部に出さないようにす
る為である。
【０００９】上記構造により、本発明のガス導入管は成
膜放電中にターゲット１両側から反応ガスと圧力調整ガ
スを導入することになる。これにより、この種の平板マ
グネトロンスパッタ法が活用されているターゲット１は
ターゲット全面でスパッタするわけではなくエロージョ
ン部分２５の範囲でスパッタするので、基板にスパッタ
する放電に対して直接ガスを送り込むことが可能とな
る。
膜放電中にターゲット１両側から反応ガスと圧力調整ガ
スを導入することになる。これにより、この種の平板マ
グネトロンスパッタ法が活用されているターゲット１は
ターゲット全面でスパッタするわけではなくエロージョ
ン部分２５の範囲でスパッタするので、基板にスパッタ
する放電に対して直接ガスを送り込むことが可能とな
る。
【００１０】又、ガス拡散板３と増設ガス拡散板１６に
より、ターゲット１両側面を覆う為、外部環境から放電
状態を孤立させることができ圧力変動や塵に対して直接
影響を受けないようにできる。また、ＳＬＬチャンバー
１４とＵＬＬチャンバー１５の各ゲートバルブの開閉に
よる微少の圧力変動に対しては、ガス導入管４と増設ガ
ス導入管１７のガス拡散比が自然に調整されターゲット
両側面の圧力を安定化できる。これにより、基板への成
膜を安定反応ガス中で、且つ安定圧力で行うことができ
るので、従来では膜厚均一性が±２０％であったのが本
実施例では±１０％に制御できる。
より、ターゲット１両側面を覆う為、外部環境から放電
状態を孤立させることができ圧力変動や塵に対して直接
影響を受けないようにできる。また、ＳＬＬチャンバー
１４とＵＬＬチャンバー１５の各ゲートバルブの開閉に
よる微少の圧力変動に対しては、ガス導入管４と増設ガ
ス導入管１７のガス拡散比が自然に調整されターゲット
両側面の圧力を安定化できる。これにより、基板への成
膜を安定反応ガス中で、且つ安定圧力で行うことができ
るので、従来では膜厚均一性が±２０％であったのが本
実施例では±１０％に制御できる。
【００１１】図３，図４は、本発明の第２の実施例のイ
ンライン型ＩＴＯマグネトロンスパッタ装置のチャンバ
ー構造図とガス導入管とガス拡散板の断面図である。ま
ず図３に示すように本発明のガス導入管構造は、Ｏ2 ガ
ス配管１２とＡｒガス配管１３を２つに分岐して、それ
ぞれＯ2 ガス配管１２からＯ2 流量調節器１０と増設Ｏ
2 流量調節器１９に、Ａｒガス配管１３からＡｒ流量調
節器１１と増設Ａｒ流量調節器２０にガスが送られる。
送られらたガスは、それぞれガス混合器９と増設ガス混
合器１８を介してガス導入管４と増設ガス導入管１７か
らガス拡散板３と増設ガス拡散板１６を介してターゲッ
ト１両側面からスパッタチャンバー８内へ拡散される。
ンライン型ＩＴＯマグネトロンスパッタ装置のチャンバ
ー構造図とガス導入管とガス拡散板の断面図である。ま
ず図３に示すように本発明のガス導入管構造は、Ｏ2 ガ
ス配管１２とＡｒガス配管１３を２つに分岐して、それ
ぞれＯ2 ガス配管１２からＯ2 流量調節器１０と増設Ｏ
2 流量調節器１９に、Ａｒガス配管１３からＡｒ流量調
節器１１と増設Ａｒ流量調節器２０にガスが送られる。
送られらたガスは、それぞれガス混合器９と増設ガス混
合器１８を介してガス導入管４と増設ガス導入管１７か
らガス拡散板３と増設ガス拡散板１６を介してターゲッ
ト１両側面からスパッタチャンバー８内へ拡散される。
【００１２】次にスパッタチャンバー内へのガス拡散を
図４によって説明する。ガス導入管４と増設ガス導入管
１７のガス噴出口は毛細管状に多数開いており、その噴
出口径は１０μｍ、且つ穴密度５個／ｃｍ2 程度になっ
ている。それに対応するガス拡散板３と増設ガス拡散板
１６は、背面と上部をそれぞれガス導入管４と増設ガス
導入管１７と合わせており、且つガス拡散板噴出口２２
と増設ガス拡散板噴出口２４は第１の実施例の約４倍の
数で２分の１の径となっている。これにより、ガス量は
一定であるがガス導入管とガス拡散板の間では塵を吹き
上げる乱流を極限まで抑えることができる構造になって
いる。
図４によって説明する。ガス導入管４と増設ガス導入管
１７のガス噴出口は毛細管状に多数開いており、その噴
出口径は１０μｍ、且つ穴密度５個／ｃｍ2 程度になっ
ている。それに対応するガス拡散板３と増設ガス拡散板
１６は、背面と上部をそれぞれガス導入管４と増設ガス
導入管１７と合わせており、且つガス拡散板噴出口２２
と増設ガス拡散板噴出口２４は第１の実施例の約４倍の
数で２分の１の径となっている。これにより、ガス量は
一定であるがガス導入管とガス拡散板の間では塵を吹き
上げる乱流を極限まで抑えることができる構造になって
いる。
【００１３】上記構造により、本発明のガス導入管を使
用した場合、まずスパッタチャンバー８の入口ゲートバ
ルブ６と出口ゲートバルブ５を、それぞれゲートバルブ
開閉タイミングに合わせてガス導入が可能となりスパッ
タチャンバー８内の圧力を一定に保ち反応ガスがＳＬＬ
チャンバー１４とＵＬＬチャンバー１５に引き込まれた
り、押し出されたりする場合、その微調整をすることが
可能となるので第１の実施例に比べプロセス条件に合わ
せた状態で安定な膜厚・膜質を作り出すことが可能とな
る。これにより、第１の実施例に比べ更に均一性が向上
し、実験ではガス導入管噴出口２１と増設ガス導入管噴
出口２３は、径１０〜２０μｍ、穴密度１〜５個／ｃｍ
2 で膜厚±５％以内で制御可能となる。
用した場合、まずスパッタチャンバー８の入口ゲートバ
ルブ６と出口ゲートバルブ５を、それぞれゲートバルブ
開閉タイミングに合わせてガス導入が可能となりスパッ
タチャンバー８内の圧力を一定に保ち反応ガスがＳＬＬ
チャンバー１４とＵＬＬチャンバー１５に引き込まれた
り、押し出されたりする場合、その微調整をすることが
可能となるので第１の実施例に比べプロセス条件に合わ
せた状態で安定な膜厚・膜質を作り出すことが可能とな
る。これにより、第１の実施例に比べ更に均一性が向上
し、実験ではガス導入管噴出口２１と増設ガス導入管噴
出口２３は、径１０〜２０μｍ、穴密度１〜５個／ｃｍ
2 で膜厚±５％以内で制御可能となる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、大型基板
を成膜するインライン型マグネトロンスパッタ装置のタ
ーゲット１の両側面にガス導入管を装着し反応ガスの供
給を安定させ、且つスパッタチャンバー８の入口と出口
のゲートバルブ開閉時の圧力変動を安定状態に近ずける
ことにより膜厚のバラツキ抑え、且つ膜質によるエッチ
ングの不均一性を抑え、プロセス条件最適値に制御する
ことが可能となり、従来の膜厚均一性は１０００Ａ±２
０％であったのが本発明により±５％と均一性を４倍向
上できる効果がある。
を成膜するインライン型マグネトロンスパッタ装置のタ
ーゲット１の両側面にガス導入管を装着し反応ガスの供
給を安定させ、且つスパッタチャンバー８の入口と出口
のゲートバルブ開閉時の圧力変動を安定状態に近ずける
ことにより膜厚のバラツキ抑え、且つ膜質によるエッチ
ングの不均一性を抑え、プロセス条件最適値に制御する
ことが可能となり、従来の膜厚均一性は１０００Ａ±２
０％であったのが本発明により±５％と均一性を４倍向
上できる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例のインライン型ＩＴＯマ
グネトロンスパッタ装置のチャンバーの構造図である。
グネトロンスパッタ装置のチャンバーの構造図である。
【図２】本発明の第１の実施例のガス導入管とガス拡散
板の断面図である。
板の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例のインライン型ＩＴＯマ
グネトロンスパッタ装置のチャンバーの構造図である。
グネトロンスパッタ装置のチャンバーの構造図である。
【図４】本発明の第２の実施例のガス導入管とガス拡散
板の断面図である。
板の断面図である。
【図５】従来のインライン型ＩＴＯマグネトロンスパッ
タ装置のチャンバーの構造図である。
タ装置のチャンバーの構造図である。
【図６】従来のガス導入管とガス拡散板の断面図であ
る。
る。
１ スパッタターゲット ２ ターゲットシールド ３ ガス拡散板 ４ ガス導入管 ５ スパッタチャンバー出口ゲートバルブ ６ スパッタチャンバー出口ゲートバルブ ７ 外部ガス導入管とのジョイント ８ スパッタチャンバー ９ ガス混合器 １０ Ｏ2 流量調整器 １１ Ａｒ流量調整器 １２ Ｏ2 ガス配管 １３ Ａｒガス配管 １４ ＳＬＬチャンバー １５ ＵＬＬチャンバー １６ 増設ガス拡散板 １７ 増設ガス導入管 １８ 増設ガス混合器 １９ 増設Ｏ2 流量調整器 ２０ 増設Ａｒ流量調整器 ２１ ガス導入管噴出口 ２２ ガス拡散板噴出口 ２３ 増設ガス導入噴出口 ２４ 増設ガス拡散板噴出口 ２５ エロージョン部
Claims (2)
- 【請求項１】 スパッタターゲット近傍にガス導入管を
備える縦型搬送インラインスパッタ装置において、スパ
ッタターゲット近傍にターゲットを囲むようにＡｒガス
及び反応ガスを吹き出すガス導入管を設けたことを特徴
とするスパッタ装置。 - 【請求項２】 ガス導入管のガス吹き出し口の穴径を１
０〜２０μｍ、穴密度を１〜５個／ｃｍ2 としたことを
特徴とする請求項１記載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05046189A JP3093509B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05046189A JP3093509B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | スパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06256942A true JPH06256942A (ja) | 1994-09-13 |
| JP3093509B2 JP3093509B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=12740106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05046189A Expired - Fee Related JP3093509B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3093509B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10212575A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | Sony Corp | スパッタリング装置 |
| JP2010001565A (ja) * | 2008-05-20 | 2010-01-07 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置、それを用いた太陽電池及び画像表示装置の製造方法 |
| KR102509947B1 (ko) * | 2022-07-20 | 2023-03-14 | 국형원 | 아크이온 증착장치 |
| KR102509946B1 (ko) * | 2022-07-11 | 2023-03-14 | 국형원 | 아크이온 증착장치 |
-
1993
- 1993-03-08 JP JP05046189A patent/JP3093509B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10212575A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | Sony Corp | スパッタリング装置 |
| JP2010001565A (ja) * | 2008-05-20 | 2010-01-07 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置、それを用いた太陽電池及び画像表示装置の製造方法 |
| KR102509946B1 (ko) * | 2022-07-11 | 2023-03-14 | 국형원 | 아크이온 증착장치 |
| KR102509947B1 (ko) * | 2022-07-20 | 2023-03-14 | 국형원 | 아크이온 증착장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3093509B2 (ja) | 2000-10-03 |
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