JPH06252333A - Semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents

Semiconductor device and manufacture thereof

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Publication number
JPH06252333A
JPH06252333A JP3214293A JP3214293A JPH06252333A JP H06252333 A JPH06252333 A JP H06252333A JP 3214293 A JP3214293 A JP 3214293A JP 3214293 A JP3214293 A JP 3214293A JP H06252333 A JPH06252333 A JP H06252333A
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JP
Japan
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lead
connection
semiconductor device
leads
semiconductor chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP3214293A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuhiko Tada
信彦 多田
Naoki Mitsuyanagi
直毅 三柳
Yoshiaki Shimomura
義昭 下村
Shigeyuki Sakurai
茂行 桜井
Yoshiya Nagano
義也 長野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Construction Machinery Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Construction Machinery Co Ltd filed Critical Hitachi Construction Machinery Co Ltd
Priority to JP3214293A priority Critical patent/JPH06252333A/en
Publication of JPH06252333A publication Critical patent/JPH06252333A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To ensure a wide connection pitch to the arrangement of the leads of a lead frame of a finer pitch in a semiconductor device to make it possible to make easily the connection of terminals as well as to make it possible to obtain a high-accuracy connection pitch and moreover, to make it possible to manufacture easily the semiconductor device. CONSTITUTION:A semiconductor chip 2 is bonded on a die pad 3 and the point parts of leads 4A, 4B and 4C are respectively connected to terminals on the chip 2. A connection part 4g for connecting to a wiring board is formed on an outer lead 4f of the lead 4A. Moreover, projected parts 4b and 4c are respectively formed in the middles of the leads 4B and 4C in the interior of a resin molded part 5, these parts 4b and 4c are respectively made to expose on the surface of the part 5 on the side of the wiring board and on the surface of the part 5 on the opposite side to the side of the wiring board and connection parts 4d and 4e are respectively formed. In order to connect the part 4d to the wiring board, the part 4e is utilized for the connection of the 4d subsequent to an inspection and a mounting.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法に係わり、特に、四方向からアウターリードを出し
たQFP(Quad Flat Package )と呼ばれるプラスチッ
クフラットパッケージの構成を備えた半導体装置及びそ
の製造方法に係わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the same, and more particularly to a semiconductor device having a structure of a plastic flat package called QFP (Quad Flat Package) in which outer leads are provided from four directions and its manufacture. Involved in the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体装置のうち、特開昭63−
34967号公報に記載のものにおいては、金属製のリ
ードフレーム上に半導体チップが搭載され、その半導体
チップの端子とリードフレームのインナーリードとは金
線等のワイヤによりワイヤボンディングされ、さらに樹
脂モールドによってこれら半導体チップ及びインナーリ
ードが封止されている。また、樹脂モールドされたプラ
スチックフラットパッケージ側面には、パッケージのサ
イズを増大させないでしかも突出する端子数を増加する
ために、リードフレームのアウターリードの端子列を複
数設けており、一方の列のアウターリードを従来のQF
P型のように4方向からパッケージ外方へ突出させ、他
方の列のアウターリードをパッケージの下側内方に折り
返すように曲折させている。そして、外方へ突出させた
アウターリードとパッケージの下側内方に曲折させたア
ウターリードとが基板上の別々の位置において接続され
る。
2. Description of the Related Art Among conventional semiconductor devices, Japanese Patent Laid-Open No. 63-
In the one described in Japanese Patent No. 34967, a semiconductor chip is mounted on a lead frame made of metal, and a terminal of the semiconductor chip and an inner lead of the lead frame are wire-bonded by a wire such as a gold wire, and further by resin molding. These semiconductor chips and inner leads are sealed. In addition, on the side of the resin-molded plastic flat package, in order to increase the number of protruding terminals without increasing the package size, multiple terminal rows for the outer leads of the lead frame are provided. Conventional QF lead
Like the P type, it is projected from the four directions to the outside of the package, and the outer leads of the other row are bent so as to be folded back inside the package. Then, the outer lead protruding outward and the outer lead bent inward of the lower side of the package are connected at different positions on the substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】近年、電子機器の小型
化、高性能化を実現するため、半導体チップの高集積
化、小型化が進行しており、これに伴ってQFPなどの
リードフレームを用いた半導体装置では多ピン化が求め
られている。半導体装置を多ピン化する場合、当然リー
ドフレームのリードピッチを狭くしファインピッチ化す
る必要がある。しかし、リードフレームの加工はプレス
ないしはエッチングで行うのが主流であり、エッチング
による場合、リードフレームのファインピッチ化は板厚
0.15mmの場合においてはインナーリードの先端部
分で0.2mm程度が限界である。一方、半導体チップ
の高集積化の進行は著しく、端子のピッチが0.05m
m程度のものが出現している。これに対応するため、リ
ードフレームのファインピッチ化を目指した加工方法と
して、本件出願人は、エッチングで加工できない微細ピ
ッチのインナーリードの先端部分だけをYAGレーザで
切断し、残りはエッチング及びプレスで事前または事後
に加工する加工方法を提案し、出願している(特願平4
−313615号:平成4年11月24日出願)。この
加工方法により、板厚0.15mmの素材を用いた場合
にインナーリードの先端部分を0.07mm程度のピッ
チまで切断可能となった。
In recent years, in order to realize miniaturization and high performance of electronic equipment, semiconductor chips have been highly integrated and miniaturized, and along with this, lead frames such as QFP have been installed. The semiconductor device used is required to have multiple pins. In the case of increasing the number of pins of a semiconductor device, it is naturally necessary to narrow the lead pitch of the lead frame to achieve a fine pitch. However, the lead frame is mainly processed by pressing or etching, and in the case of etching, the fine pitch of the lead frame is limited to about 0.2 mm at the tip of the inner lead when the plate thickness is 0.15 mm. Is. On the other hand, the progress of high integration of semiconductor chips is remarkable, and the pitch of terminals is 0.05 m.
Something about m has appeared. In order to deal with this, as a processing method aiming at a fine pitch of the lead frame, the applicant of the present application cuts only the tip portion of the inner lead of the fine pitch, which cannot be processed by etching, with a YAG laser, and the rest is etched and pressed. We have proposed and applied a processing method to process in advance or afterwards (Japanese Patent Application No. 4
No. -313615: filed on November 24, 1992). By this processing method, the tip portion of the inner lead can be cut to a pitch of about 0.07 mm when a material having a plate thickness of 0.15 mm is used.

【0004】このように半導体装置がファインピッチ化
されるとリードフレームのアウターリードのピッチも狭
くなるが、これによって基板上に半導体装置を実装する
際の端子接続が難しくなる。即ち、ピッチが狭いために
相隣り合うアウターリード同士で短絡を起こしたり、反
対にアウターリードが基板上の配線パターンに確実に接
続されずに接続欠陥が生じたりする場合が多くなる。こ
れに対して半導体装置のパッケージ寸法を増大すればア
ウターリードの接続ピッチは広くなって上記ような端子
接続の難しさは減じる。従って接続ピッチの限界によっ
てパッケージの小型化が制約されることになる。しか
し、パッケージの小型化を制約することは半導体チップ
の高集積化や小型化に反することで好ましくない。
When the pitch of the semiconductor device is made fine as described above, the pitch of the outer leads of the lead frame becomes narrower, but this makes it difficult to connect the terminals when mounting the semiconductor device on the substrate. That is, since the pitch is narrow, a short circuit may occur between the outer leads adjacent to each other, or conversely, the outer leads may not be reliably connected to the wiring pattern on the substrate and a connection defect may occur. On the other hand, if the package size of the semiconductor device is increased, the connection pitch of the outer leads becomes wider and the above-mentioned difficulty of terminal connection is reduced. Therefore, miniaturization of the package is restricted by the limit of the connection pitch. However, it is not preferable to restrict the miniaturization of the package because it is against the high integration and miniaturization of the semiconductor chip.

【0005】先述の特開昭63−34967号公報に記
載の技術では、アウターリードの端子列を複数設け、一
方は外方へ突出させ、他方はパッケージ下側内方に曲折
させているので、アウターリードの突出位置を端子列別
にずらせることにより、基板上におけるアウターリード
の接続部分の間隔、即ち接続ピッチが広くなり、上記の
ようなファインピッチ化による端子接続の難しさの問題
が結果的に解決されるように考えられる。
In the technique described in Japanese Patent Laid-Open No. 63-34967, a plurality of outer lead terminal rows are provided, one of which is projected outward and the other of which is bent inward of the package lower side. By shifting the protruding position of the outer lead for each terminal row, the interval between the outer lead connecting portions on the board, that is, the connecting pitch becomes wider, resulting in the problem of difficulty in terminal connection due to the fine pitch as described above. Seems to be resolved in.

【0006】しかし、上記公知技術のように樹脂モール
ドを行った後にプラスチックフラットパッケージ側面か
ら突出しているアウターリードを折り返すように曲折さ
せることは難しく、加工精度及び接続ピッチの精度の向
上を実現することができない。また、曲げる際に樹脂の
曲げ部に割れが生じることもあり、この曲折させたアウ
ターリードは加工後に変形し易い。さらに、リードフレ
ームと半導体チップの端子をワイヤボンディングしたま
まアウターリードが複数の端子列をなすように樹脂モー
ルドすることは非常に難しいことであり、実現が困難で
ある。
However, it is difficult to bend the outer leads projecting from the side surface of the plastic flat package after the resin molding as in the above-mentioned known technique so as to be folded back, and it is possible to improve the processing accuracy and the connection pitch accuracy. I can't. Further, when the resin is bent, cracks may occur in the bent portion of the resin, and the bent outer leads are easily deformed after processing. Further, it is very difficult and difficult to realize the resin molding so that the outer leads form a plurality of terminal rows while the lead frame and the terminals of the semiconductor chip are wire-bonded.

【0007】本発明の目的は、リードフレームのファイ
ンピッチ化に対して広い接続ピッチを確保して端子接続
が容易にできると共に、高精度な接続ピッチが得られ、
さらに容易に製造することができる半導体装置及びその
製造方法を提供することにある。
It is an object of the present invention to secure a wide connection pitch for fine pitch lead frames and facilitate terminal connection, and obtain a highly accurate connection pitch.
A further object of the present invention is to provide a semiconductor device that can be manufactured more easily and a manufacturing method thereof.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、半導体チップの端子をリードフレ
ームのインナーリードに電気的に接続し、これら半導体
チップ及びリードフレームのインナーリードをモールド
部にて一体に封止し、配線基板上に搭載、接続される半
導体装置において、前記リードフレームは、前記インナ
ーリードに連続して前記モールド部側面より外方へ伸び
るアウターリードを有し、かつそのアウターリードの途
中部分を曲げて前記配線基板に接続するための第1の接
続部を形成した第1のリードと、前記インナーリードの
途中部分を曲げて前記配線基板側の前記モールド部表面
へ露出させ前記配線基板に接続するための第2の接続部
を形成した第2のリードとを備えることを特徴とする半
導体装置が提供される。
In order to achieve the above object, according to the present invention, terminals of a semiconductor chip are electrically connected to inner leads of a lead frame, and these semiconductor chips and inner leads of the lead frame are molded. In a semiconductor device that is integrally sealed by a portion, is mounted and connected on a wiring board, the lead frame has outer leads that extend outward from the side surface of the mold portion in a continuous manner with the inner leads, and A first lead in which a middle portion of the outer lead is bent to form a first connecting portion for connecting to the wiring board, and a middle portion of the inner lead is bent to the surface of the mold portion on the wiring board side. And a second lead having a second connection portion exposed and connected to the wiring board. .

【0009】ここで上記半導体装置において、好ましく
は、前記リードフレームは、前記インナーリードの途中
部分を曲げて前記配線基板側と反対側の前記モールド部
表面へ露出させ第3の接続部を形成した第3のリードを
備える。
Here, in the above semiconductor device, preferably, in the lead frame, a middle portion of the inner lead is bent to be exposed to the surface of the mold portion opposite to the wiring board side to form a third connecting portion. A third lead is provided.

【0010】上記目的を達成するため、本発明によれ
ば、半導体チップの端子をリードフレームのインナーリ
ードに電気的に接続し、これら半導体チップ及びリード
フレームのインナーリードをモールド部にて一体に封止
し、配線基板上に搭載、接続される半導体装置におい
て、前記リードフレームは、前記インナーリードに連続
して前記モールド部側面より外方へ伸びるアウターリー
ドを有し、かつそのアウターリードの途中部分を曲げて
前記配線基板に接続するための第1の接続部を形成した
第1のリードと、前記インナーリードの途中部分を曲げ
て前記配線基板側と反対側の前記モールド部表面へ露出
させ第2の接続部を形成した第2のリードを備えること
を特徴とする半導体装置が提供される。
In order to achieve the above object, according to the present invention, the terminals of the semiconductor chip are electrically connected to the inner leads of the lead frame, and the inner leads of the semiconductor chip and the lead frame are integrally sealed by the molding part. In the semiconductor device mounted on and connected to the wiring board, the lead frame has outer leads continuous to the inner leads and extending outward from the side surface of the molding portion, and a middle portion of the outer leads. A first lead formed by bending a first connection portion for connecting to the wiring board, and an intermediate portion of the inner lead is bent to be exposed on the surface of the mold portion opposite to the wiring board side. There is provided a semiconductor device including a second lead having two connecting portions.

【0011】また、上記のような半導体装置において、
好ましくは、前記それぞれのインナーリードはその先端
が前記半導体チップの端子部分まで伸びて該端子に接続
されている。
In the semiconductor device as described above,
Preferably, each of the inner leads has a tip extending to a terminal portion of the semiconductor chip and connected to the terminal.

【0012】また、上記目的を達成するため、本発明に
よれば、半導体チップの端子をリードフレームのインナ
ーリードに電気的に接続し、これら半導体チップ及びリ
ードフレームのインナーリードをモールド部にて一体に
封止した半導体装置の製造方法において、一枚の金属板
からリードフレームを形成し、このリードフレームのう
ち所定のインナーリードの途中を曲げて前記モールド部
の表面に露出するように凸部を形成し、その後、全ての
インナーリードの先端に端子がそれぞれ対向するよう半
導体チップを配置し、前記全てのインナーリードの先端
と半導体チップの端子とをそれぞれ接続し、次いで前記
全てのインナーリードよりも外方部分全体を拘束して前
記半導体チップ及び前記全てのインナーリードをモール
ドにて一体的に封止することを特徴とする半導体装置の
製造方法が提供される。
Further, in order to achieve the above object, according to the present invention, the terminals of the semiconductor chip are electrically connected to the inner leads of the lead frame, and the inner leads of the semiconductor chip and the lead frame are integrally formed in the molding portion. In the method of manufacturing a semiconductor device sealed in, a lead frame is formed from a single metal plate, and a predetermined inner lead of the lead frame is bent so that a convex portion is formed so as to be exposed on the surface of the mold portion. After that, the semiconductor chips are arranged so that the terminals face each other at the tips of all the inner leads, the tips of all the inner leads are connected to the terminals of the semiconductor chips, respectively, and Restrain the entire outer part and integrally seal the semiconductor chip and all the inner leads with a mold. The method of manufacturing a semiconductor device which is characterized in that there is provided.

【0013】[0013]

【作用】上記のように構成した本発明においては、リー
ドフレームのうち第1のリードをインナーリードに連続
してモールド部側面より外方へ伸ばしてアウターリード
とすると共に、このアウターリードの途中部分を曲げて
配線基板へ接続するための第1の接続部を形成し、一
方、第2のリードのインナーリードの途中部分を曲げて
このインナーリードを上記配線基板側のモールド部表面
へ露出させ上記配線基板に接続するための第2の接続部
を形成することにより、第1の接続部を形成した第1の
リードと第2の接続部を形成した第2のリードとを例え
ば交互に配置しこれら第1の接続部と第2の接続部とを
端子接続に使用すれば、相隣り合う接続部の間隔、即ち
接続ピッチが広くなる。つまり相隣り合う接続部は、リ
ードの長手方向でずれた位置に存在することになり、従
来のQFP型のように全てのアウターリードをパッケー
ジ外方へ突出させる場合に比較して、相隣り合う接続部
の間隔、即ち接続ピッチが2倍程度に広くなり、その精
度も向上する。従って、相隣り合う接続部分同士で短絡
を起こしたり、端子が適正に接続されないで接続欠陥が
生じたりすることが防止される。また、接続ピッチの限
界によってパッケージの小型化が制約されることがなく
なり、一層の高集積化や小型化が図れる。また、接続ピ
ッチが広くなることにより、たとえ接合欠陥が生じた場
合にもその補修が容易になる。
According to the present invention having the above-described structure, the first lead of the lead frame is extended outward from the side surface of the mold portion to be the outer lead continuously with the inner lead, and the middle portion of the outer lead is formed. To form a first connection portion for connecting to the wiring board, while bending a middle portion of the inner lead of the second lead to expose the inner lead to the surface of the molding portion on the wiring board side. By forming the second connecting portion for connecting to the wiring board, for example, the first lead having the first connecting portion and the second lead having the second connecting portion are alternately arranged. If the first connecting portion and the second connecting portion are used for terminal connection, the interval between adjacent connecting portions, that is, the connection pitch is widened. That is, the adjacent connecting portions are present at positions displaced in the longitudinal direction of the leads, and are adjacent to each other as compared with the case where all the outer leads are projected to the outside of the package as in the conventional QFP type. The spacing between the connection portions, that is, the connection pitch is doubled, and its accuracy is also improved. Therefore, it is possible to prevent a short circuit from occurring between the adjacent connection portions, or a connection defect due to improper connection of the terminals. Further, the miniaturization of the package is not restricted by the limit of the connection pitch, and the higher integration and miniaturization can be achieved. In addition, the widening of the connection pitch facilitates repair of a joint defect even if it occurs.

【0014】また、第2のリードのインナーリードの途
中部分に形成された第2の接続部はモールド部によって
強固にかつ正確に固定されるため、位置決め精度がよ
く、接続欠陥が生じにくく接続端子として高い信頼性が
得られ、また容易に接続を行うことが可能となる。
Further, since the second connecting portion formed in the middle portion of the inner lead of the second lead is firmly and accurately fixed by the mold portion, the positioning accuracy is good, and the connection defect is unlikely to occur. As a result, high reliability can be obtained, and connection can be easily performed.

【0015】また、第3のリードのインナーリードの途
中部分を曲げてこのインナーリードを上記配線基板側と
は反対側のモールド部表面へ露出させて第3の接続部を
形成することにより、この第3のリードと前述の第1及
び第2のリードを例えば順に配置し、第1の接続部と第
2の接続部を端子接続に使用すれば、これらの接続ピッ
チがさらに広くなる。また、配線基板側の反対側へ露出
する第3の接続部は、検査端子として利用することが可
能であり、基板へ実装する前の半導体装置の回路検査は
言うまでもなく基板への実装後であっても高い信頼性で
かつ容易に回路検査を行うことが可能となる。さらに、
この接続部は基板への実装後における回路変更のための
接続端子としても使用可能である。
Also, by bending the middle part of the inner lead of the third lead and exposing the inner lead to the surface of the mold portion on the side opposite to the side of the wiring board, a third connecting portion is formed. If the third lead and the above-mentioned first and second leads are arranged in order, for example, and the first connecting portion and the second connecting portion are used for terminal connection, the connection pitch between them becomes wider. Further, the third connecting portion exposed to the side opposite to the wiring board side can be used as an inspection terminal, and it is necessary to perform the circuit inspection of the semiconductor device before it is mounted on the board, not to mention the circuit inspection of the semiconductor device. However, it becomes possible to perform circuit inspection with high reliability and easily. further,
This connection portion can also be used as a connection terminal for changing the circuit after mounting on the board.

【0016】また、第3のインナーリードの途中部分に
形成された第3の接続部も、前述の第2の接続部と同様
にモールド部によって強固にかつ正確に固定されるた
め、検査端子として高い信頼性が得られる。
Further, the third connecting portion formed in the middle portion of the third inner lead is also firmly and accurately fixed by the mold portion similarly to the above-mentioned second connecting portion, so that it is used as an inspection terminal. High reliability can be obtained.

【0017】また、本発明では、上記微細加工の技術に
より微細ピッチに加工したインナーリードの先端を半導
体チップの端子近傍まで伸ばし、その先端を該端子に直
接接合することで、ワイヤーボンディングによらずにイ
ンナーリードと半導体チップを電気的に接続する。これ
により、インナーリードと半導体チップとを金バンプ等
を用いて一括で接続できるので、加工時間が短縮する。
また、ワイヤーボンディングを用いないので、リードフ
レームをファインピッチ化してもワイヤーボンディング
の際の金線の切断や、樹脂モールド時の金線間の接触等
が発生する問題は起こらない。更に、リードフレームを
用いているので、従来のQFPと同様にリフローハンダ
付けによる実装が可能である。
Further, according to the present invention, the tip of the inner lead processed into a fine pitch by the above-mentioned fine processing technique is extended to the vicinity of the terminal of the semiconductor chip, and the tip is directly bonded to the terminal. The inner lead and the semiconductor chip are electrically connected to each other. As a result, the inner lead and the semiconductor chip can be collectively connected by using gold bumps or the like, and the processing time is shortened.
Further, since the wire bonding is not used, even if the lead frame has a fine pitch, there is no problem that the gold wires are cut during the wire bonding or the gold wires are contacted during resin molding. Further, since the lead frame is used, it can be mounted by reflow soldering as in the conventional QFP.

【0018】以上の半導体装置は上記本発明の製造方法
により製造できる。この本発明の製造方法においては、
インナーリードのうち所定のインナーリードの途中を曲
げてモールド部の表面に露出するように凸部が形成され
る。この凸部のモールド部表面に露出する部分は上記第
2または第3の接続部となる。この凸部は一枚の金属板
から形成されるため、凸部を形成するインナーリードと
凸部を形成しないインナーリードとが交互に配置される
ように加工する場合でも、特開昭63−34967号公
報に記載のように既に樹脂モールドされたパッケージか
ら突出しているアウターリードを折り返して曲折させる
場合に比べて、遥かに容易にかつ精度よく加工が行え
る。
The above semiconductor device can be manufactured by the manufacturing method of the present invention. In the manufacturing method of the present invention,
Among the inner leads, a predetermined inner lead is bent to form a convex portion so as to be exposed on the surface of the mold portion. The exposed portion of the convex portion on the surface of the mold portion becomes the second or third connecting portion. Since the convex portion is formed of a single metal plate, even when processing is performed such that the inner leads that form the convex portion and the inner leads that do not form the convex portion are arranged alternately, JP-A-63-34967. As compared with the case where the outer leads protruding from the already resin-molded package are folded back and bent as described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2003-187, processing can be performed much more easily and accurately.

【0019】また、インナーリードと半導体チップの端
子を接続後モールドにて一体的に封止する際に、インナ
ーリードよりも外方の部分全体、即ち凸部を形成したイ
ンナーリードの外方部分及び凸部を形成しないアウター
リードを共に金型等で拘束することにより、内部のそれ
ぞれのインナーリードは流れ込むモールド樹脂によって
動くことがなく、インナーリード同士が接触したりイン
ナーリードと半導体チップとの接続部分が切断する等の
事故が防止される。
When the inner leads and the terminals of the semiconductor chip are connected and integrally sealed with a mold, the entire outer portion of the inner leads, that is, the outer portion of the inner leads having the protrusions and By constraining the outer leads that do not form protrusions together with a mold, each inner lead does not move due to the molding resin that flows in, and the inner leads make contact with each other or the connection between the inner leads and the semiconductor chip. Accidents such as disconnection are prevented.

【0020】[0020]

【実施例】以下、本発明の一実施例による半導体装置を
図1及び図2により説明する。本実施例はQFP(Quad
Flat Package )と呼ばれるフラットプラスチックパッ
ケージに類似した構成を有する半導体装置の例である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In this embodiment, QFP (Quad
This is an example of a semiconductor device having a configuration similar to a flat plastic package called a Flat Package).

【0021】図1及び図2において、本実施例の半導体
装置1は半導体チップ2と、半導体チップ2の上側に位
置しこれを搭載したダイパッド3と、半導体チップ2の
端子に電気的に接続されたリード4A,4B,4Cと、
これら半導体チップ2、ダイパッド3及びリード4A,
4B,4Cのインナーリード部分を一体的に封止した樹
脂モールド部5とで構成されている。半導体チップ2
は、回路形成面をダイパッド3に向けて熱硬化性の接着
剤6でダイパッド3に接合されており、リード4A,4
B,4Cは、図2に示すようにこの順番で配列され、そ
れぞれその先端が半導体チップ2の端子部分まで伸びて
該端子に金バンプ7により電気的に接続されている。ま
た、リード4A,4B,4Cはの内方部分が放射状の形
状となっており、かつその部分の幅は半導体チップ2に
近づくにしたがって次第に狭くなっている。図1(a)
はリード4Aの位置の断面を、図1(b)はリード4B
の位置の断面を、図1(c)はリード4Cの位置の断面
を、図1(d)は(a)〜(c)をまとめて示す断面図
である。
1 and 2, the semiconductor device 1 of this embodiment is electrically connected to a semiconductor chip 2, a die pad 3 located above the semiconductor chip 2 and mounted thereon, and terminals of the semiconductor chip 2. Leads 4A, 4B, 4C,
These semiconductor chip 2, die pad 3 and leads 4A,
4B and 4C, and the resin mold portion 5 integrally sealing the inner lead portions. Semiconductor chip 2
Is bonded to the die pad 3 with a thermosetting adhesive 6 with the circuit forming surface facing the die pad 3, and the leads 4A, 4
As shown in FIG. 2, B and 4C are arranged in this order, and their tips extend to the terminal portion of the semiconductor chip 2 and are electrically connected to the terminals by gold bumps 7. The inner portions of the leads 4A, 4B, and 4C have a radial shape, and the widths of the portions are gradually narrowed toward the semiconductor chip 2. Figure 1 (a)
Shows a cross section at the position of the lead 4A, and FIG. 1 (b) shows the lead 4B.
1C is a cross-sectional view showing the cross section at the position of the lead 4C, and FIG. 1D is a cross-sectional view collectively showing (a) to (c).

【0022】図1(a)及び(d)に示すようにリード
4Aは樹脂モールド部5内部に埋め込まれるインナーリ
ード4a及び樹脂モールド部5外方に伸ばしたアウター
リード4fよりなり、アウターリード4fは配線基板に
接続するため下方に曲げられ接続部4gが形成されてい
る。また、図1(b)及び(c)に示すように、樹脂モ
ールド部5の内部においてリード4Bのインナーリード
における半導体チップ2との接続部分に至る途中部分に
凸部4bが、リード4Cのインナーリードにおける半導
体チップ2との接続部分に至る途中部分に凸部4cが形
成されている。凸部4bは、この半導体装置が搭載され
る配線基板側、即ちアウターリード4fが曲げられた側
の樹脂モールド部5の表面に露出して接続部4dを形成
し、その部4dには接続端子として使用する場合に接続
がし易いようにハンダメッキ(図示していない)が施さ
れている。この接続部4dも接続部4gと共に配線基板
に接続するために使用される。一方、凸部4cは、この
半導体装置が搭載される配線基板側、アウターリード4
fが曲げられた側とは反対側の樹脂モールド部5の表面
に露出して接続部4eを形成し、その接続部4eにもハ
ンダメッキ(図示していない)が施されている。また、
リード4B及び4Cは樹脂モールド部5の側面にわずか
に突出し、これよりも外方の部分は切除されている。こ
のリード4B及び4Cの突出位置はリード4Aの突出位
置と同じ高さである。
As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (d), the lead 4A is composed of an inner lead 4a embedded in the resin mold portion 5 and an outer lead 4f extending outside the resin mold portion 5, and the outer lead 4f is In order to connect to the wiring board, it is bent downward to form a connecting portion 4g. In addition, as shown in FIGS. 1B and 1C, a convex portion 4b is provided inside the resin mold portion 5 at an intermediate portion of the inner lead of the lead 4B to the connection portion with the semiconductor chip 2. A convex portion 4c is formed in a portion of the lead that reaches the connection portion with the semiconductor chip 2. The convex portion 4b is exposed on the surface of the resin molded portion 5 on the side of the wiring board on which this semiconductor device is mounted, that is, the side on which the outer lead 4f is bent, to form the connecting portion 4d, and the connecting terminal 4d is formed on the portion 4d. When used as, it is plated with solder (not shown) for easy connection. This connecting portion 4d is also used for connecting to the wiring board together with the connecting portion 4g. On the other hand, the convex portion 4c is provided on the wiring board side on which the semiconductor device is mounted, on the outer lead 4c.
The connection portion 4e is formed by being exposed on the surface of the resin mold portion 5 on the side opposite to the side where the f is bent, and the connection portion 4e is also solder-plated (not shown). Also,
The leads 4B and 4C slightly project from the side surface of the resin mold portion 5, and the portions outside thereof are cut off. The protruding positions of the leads 4B and 4C are at the same height as the protruding position of the lead 4A.

【0023】以上のように構成した半導体装置1におい
ては、接続部4gを形成したアウターリード4fを有す
るリード4Aと、配線基板側の表面へ露出する接続部4
dを形成したリード4Bと、配線基板側とは反対側の表
面へ露出する接続部4eを形成したリード4Cとをこの
順番で配列するので、相隣り合う接続端子、即ちアウタ
ーリード4fの接続部4gと接続部4dはリードの長手
方向でずれた位置に存在することになり、従来のQFP
型のように全てのアウターリードをパッケージ外方へ突
出させる場合に比較して、その間隔、即ち接続ピッチは
約2倍以上に広くなり、その精度も向上する。従って、
相隣り合う接続部分同士で短絡を起こしたり、端子が適
正に接続されないで接続欠陥が生じたりすることが防止
され、接続端子としての信頼性が向上する。逆に、パッ
ケージの外形寸法と接続ピッチを従来のものと同一にす
ると2倍またはそれ以上のピン数の半導体チップを製造
することができ、さらなる多ピン化を図ることができ
る。
In the semiconductor device 1 configured as described above, the lead 4A having the outer lead 4f in which the connection portion 4g is formed and the connection portion 4 exposed to the surface on the wiring board side.
Since the lead 4B having the d formed therein and the lead 4C having the connecting portion 4e exposed to the surface opposite to the wiring substrate side are arranged in this order, the connecting portions of adjacent connecting terminals, that is, the connecting portions of the outer leads 4f are arranged. 4g and the connecting portion 4d are present at positions displaced from each other in the longitudinal direction of the lead.
As compared with the case where all the outer leads are projected to the outside of the package as in the case of the mold, the interval, that is, the connection pitch, is about twice or more wide, and the accuracy is also improved. Therefore,
It is possible to prevent a short circuit from occurring between adjacent connecting portions, and to prevent a connection defect from occurring due to improper connection of the terminals, thereby improving reliability as a connection terminal. On the contrary, if the package outer dimensions and the connection pitch are the same as those of the conventional one, it is possible to manufacture a semiconductor chip having twice or more pins, and it is possible to further increase the number of pins.

【0024】また、従来は接続ピッチの限界によってパ
ッケージの小型化が制約されていたが、この制約もなく
なり一層の高集積化や小型化が図れる。また、接続ピッ
チが広くなることにより、たとえ接合欠陥が生じた場合
にもその補修が容易になる。さらに、樹脂モールド部5
の外形寸法よりも内側に接続端子列としての接続部4d
を設けるので、この位置の基板表面をも有効に活用する
ことができ、基板の実装密度を向上することができる。
Further, conventionally, the miniaturization of the package was restricted by the limit of the connection pitch, but this restriction is removed, and further higher integration and miniaturization can be achieved. In addition, the widening of the connection pitch facilitates repair of a joint defect even if it occurs. Furthermore, the resin mold part 5
4d inside the outer dimensions of the connector as a connection terminal row
Since the board is provided, the board surface at this position can be effectively utilized, and the board mounting density can be improved.

【0025】また、配線基板側とは反対側の表面へ露出
する接続部4eは、検査端子として利用することが可能
であり、基板へ実装する前の半導体装置の回路検査は言
うまでもなく基板への実装後であっても高い信頼性でか
つ容易に回路検査を行うことができる。さらに、この接
続部は基板への実装後における回路変更のための接続端
子としても使用できる。
Further, the connecting portion 4e exposed to the surface opposite to the wiring board side can be used as an inspection terminal, and needless to say, not only the circuit inspection of the semiconductor device before mounting on the substrate but also the inspection to the substrate. Even after mounting, the circuit inspection can be performed with high reliability and easily. Further, this connecting portion can also be used as a connecting terminal for changing the circuit after mounting on the substrate.

【0026】また、接続部4d及び4eは樹脂モールド
部5によって強固にかつ正確に固定されるため、位置決
め精度がよく、接続端子として使用する場合に接続欠陥
が生じにくく高い信頼性が得られ、また容易に接続を行
うことができ、検査端子として使用する場合にも高い信
頼性が得られ、また容易に検査を行うことができる。
Further, since the connection parts 4d and 4e are firmly and accurately fixed by the resin mold part 5, the positioning accuracy is good, and when used as the connection terminals, connection defects are unlikely to occur and high reliability is obtained. Further, the connection can be made easily, high reliability can be obtained even when used as an inspection terminal, and the inspection can be easily performed.

【0027】また、本実施例の半導体装置はリードフレ
ームを用いているので、従来のQFPと同様にリフロー
ハンダ付けによる実装が可能であり、例えばポリイミド
フィルム上に形成したCu箔のリードと半導体チップの
端子とを直接接合するTAB(Tap Automated Bonding
)方式の半導体装置に比べ実装時の取扱いが極めて容
易である。
Since the semiconductor device of this embodiment uses the lead frame, it can be mounted by reflow soldering similarly to the conventional QFP. For example, a Cu foil lead and a semiconductor chip formed on a polyimide film can be mounted. TAB (Tap Automated Bonding)
) Method semiconductor device is extremely easy to handle during mounting.

【0028】次に、上述した半導体装置1の製造方法の
一実施例を図3〜図7により説明する。まず、ステップ
100において、例えば鋼、銅合金,42アロイ、コバ
ール等の金属板をレベラーにかけ、所定厚さに加工す
る。次にステップ101において、その金属板を加工
し、図4に示すように、ダイパッド3及びリードフレー
ム4と、これらを製造途中に支持するためのダムバー1
0及びガイド穴12を有する周辺枠材11とを形成す
る。このとき、リードフレーム4のうち所定のリード、
即ち図2のリード4B及び4Cは、後ほど凸部を形成し
た際においてもその先端が半導体チップ2の端子部分ま
で伸びる長さに成形する。また、リードフレーム4の先
端部分のピッチは金属板の板厚が0.15mmの場合で
0.07mm程度とする。リードフレーム4の先端部分
をこのような長さ及び微細ピッチとすることにより、高
集積化され微細ピッチを持つ半導体チップの端子にリー
ドフレーム4を直接接続することが可能となる。このよ
うな微細ピッチを持つリードフレーム4の加工は、先に
述べた先願発明の加工方法によって実現可能である。次
いで、上記のように加工した金属板の全面にハンダメッ
キ処理を施す。
Next, one embodiment of the method for manufacturing the above-mentioned semiconductor device 1 will be described with reference to FIGS. First, in step 100, a metal plate such as steel, copper alloy, 42 alloy, or Kovar is placed on a leveler and processed into a predetermined thickness. Next, in step 101, the metal plate is processed, and as shown in FIG. 4, the die pad 3 and the lead frame 4 and the dam bar 1 for supporting these during manufacturing.
0 and the peripheral frame member 11 having the guide hole 12 are formed. At this time, a predetermined lead of the lead frame 4,
That is, the leads 4B and 4C shown in FIG. 2 are formed in such a length that the tips thereof extend to the terminal portions of the semiconductor chip 2 even when the convex portions are formed later. Further, the pitch of the tip portion of the lead frame 4 is about 0.07 mm when the plate thickness of the metal plate is 0.15 mm. By making the tip portion of the lead frame 4 have such a length and a fine pitch, it becomes possible to directly connect the lead frame 4 to the terminals of a highly integrated semiconductor chip having a fine pitch. The processing of the lead frame 4 having such a fine pitch can be realized by the processing method of the above-mentioned prior invention. Then, the entire surface of the metal plate processed as described above is subjected to solder plating.

【0029】次に、ステップ102において、リード4
B及び4C(図2及び図6参照)の途中に凸部4b及び
4cを形成する。但し、リード4Aには凸部は形成しな
い。このステップ102における加工は、図5に示すよ
うな金型プレス等を用いて行われる。例えばリード4B
の加工順序は、まず図5(a)に示すように押さえ用下
金型20の所定位置にリード4Bを配置し、図5(b)
に示すように押さえ用上金型21で押さえる。この時、
押さえ用下金型20に形成された凹部20a及び押さえ
用上金型21に形成された凸部21aにより、リード4
Bには押さえ部23が形成される。そして、下金型24
をリード4B下面に設置し、上金型25を下降させ、下
金型24に形成された凹部24a及び上金型25に形成
された凹部25aによって図5(c)に示すような凸部
4bをリード4Bを形成する。この凸部4bの形成時に
は、押さえ部23の働きによりリード4Bが移動しない
ように固定される。この凸部4bの高さはモールド後に
おいて樹脂モールド部5の表面に露出できるような寸法
とする。リード4Cに凸部4cを形成する場合も同様の
方法で加工されるが、この場合は図5とは上下逆の金型
が使用される。また、凸部4b及び4cを同時に形成で
きるような金型を用いて成形すれば、製造時間を短縮で
きる。
Next, in step 102, the lead 4
Protrusions 4b and 4c are formed in the middle of B and 4C (see FIGS. 2 and 6). However, no protrusion is formed on the lead 4A. The processing in this step 102 is performed using a die press or the like as shown in FIG. For example, lead 4B
5A, the lead 4B is arranged at a predetermined position of the lower pressing die 20 as shown in FIG.
As shown in FIG. At this time,
The lead 4 is formed by the concave portion 20a formed on the lower pressing die 20 and the convex portion 21a formed on the upper pressing die 21.
A pressing portion 23 is formed on B. And the lower mold 24
Is placed on the lower surface of the lead 4B, the upper die 25 is lowered, and the convex portion 4b as shown in FIG. 5C is formed by the concave portion 24a formed in the lower die 24 and the concave portion 25a formed in the upper die 25. To form the lead 4B. At the time of forming the convex portion 4b, the lead 4B is fixed so as not to move by the action of the pressing portion 23. The height of the convex portion 4b is set so that it can be exposed on the surface of the resin mold portion 5 after molding. The same method is used to form the convex portion 4c on the lead 4C, but in this case, a mold upside down from that shown in FIG. 5 is used. In addition, if the molding is performed using a mold that can simultaneously form the convex portions 4b and 4c, the manufacturing time can be shortened.

【0030】尚、上記ステップ101でインナーリード
の先端を連結した状態で形成しておき、ステップ102
で凸部4b及び4cを形成後これらの凸部に補強テープ
を貼り付け、その後にインナーリードの先端部分を切り
離して個々に分離してもよい。これにより、個々のイン
ナーリードが切り離される前はその部分で、また補強テ
ープが貼り付けられた後はその補強テープでインナーリ
ードの位置ずれが防止される。
In step 101, the inner leads are formed in a state in which the tips are connected to each other.
After forming the protrusions 4b and 4c, a reinforcing tape may be attached to these protrusions, and then the tip portions of the inner leads may be separated to be individually separated. As a result, the inner leads are prevented from being displaced at their portions before the individual inner leads are separated, and after the reinforcement tape is attached, by the reinforcement tape.

【0031】次にステップ103において、半導体チッ
プ2の回路形成面に熱硬化性の接着剤を塗布すると共
に、半導体チップ2の端子に金バンプを配置する。な
お、熱硬化性の接着剤を塗布する前に、半導体チップ2
の回路形成面には予め電気絶縁性の保護膜を形成してお
くことが好ましい。
Next, in step 103, a thermosetting adhesive is applied to the circuit forming surface of the semiconductor chip 2 and gold bumps are arranged on the terminals of the semiconductor chip 2. In addition, before applying the thermosetting adhesive, the semiconductor chip 2
It is preferable to previously form an electrically insulating protective film on the circuit formation surface.

【0032】次にステップ104において、上記のよう
に形成された金属板のダイパッド3上に半導体チップ2
を搭載する。このとき、半導体チップ2は接着剤の塗布
した回路形成面をダイパッド3に対向するように配置
し、かつインナーリードの先端を半導体チップ2の端子
に配置された金バンプに一致させる。
Next, in step 104, the semiconductor chip 2 is placed on the die pad 3 of the metal plate formed as described above.
Equipped with. At this time, the semiconductor chip 2 is arranged so that the circuit forming surface coated with the adhesive faces the die pad 3, and the tips of the inner leads are aligned with the gold bumps arranged on the terminals of the semiconductor chip 2.

【0033】次にステップ105において、ダイパッド
3の上から高温に加熱したコテを押し当てることで熱と
圧力を加え、熱硬化性の接着剤を硬化させて半導体チッ
プとダイパッド3を接着する。また、インナーリードの
先端部分にも同様に高温に加熱したコテを押し当てるこ
とで熱と圧力を加え、インナーリードの先端と半導体チ
ップ2の端子を金バンプを介して電気的に接続する。こ
の場合、2つのコテを一緒に押し当てることにより、半
導体チップ2とダイパッド3の接合とインナーリード先
端とチップ端子との接続は同時に行われる。
Next, in step 105, a trowel heated to a high temperature is pressed from above the die pad 3 to apply heat and pressure to cure the thermosetting adhesive to bond the semiconductor chip and the die pad 3. Similarly, a trowel heated to a high temperature is pressed against the tip portion of the inner lead to apply heat and pressure to electrically connect the tip of the inner lead and the terminal of the semiconductor chip 2 via the gold bump. In this case, by pressing the two trowels together, the semiconductor chip 2 and the die pad 3 are joined and the inner lead tip and the chip terminal are simultaneously connected.

【0034】次にステップ106において、リード4B
及び4Cのインナーリードの外方部分をダムバー10の
位置より切り離す。この時、リード4B及び4Cの外方
部分は後述する樹脂モールド部5の側面にわずかに突出
するような寸法に切断される。この樹脂モールド部5の
側面からわずかに突出した部分は、突出部4h及び4i
として後ほど樹脂モールドされる時にリード4Aと共に
金型で拘束される部分となる。このリード4B及び4C
の切断が完了した状態を図6に示す。尚、樹脂モールド
部5となる範囲は図中2点鎖線で示されている。
Next, in step 106, the lead 4B
The outer portions of the inner leads of 4C and 4C are separated from the position of the dam bar 10. At this time, the outer portions of the leads 4B and 4C are cut into a size that slightly protrudes from the side surface of the resin mold portion 5 described later. The portion slightly protruding from the side surface of the resin mold portion 5 has protruding portions 4h and 4i.
As will be described later, it will be a portion to be restrained by a mold together with the lead 4A when it is resin-molded later. These leads 4B and 4C
FIG. 6 shows a state in which the cutting is completed. The range of the resin mold portion 5 is indicated by a chain double-dashed line in the figure.

【0035】次にステップ107において、上記のよう
に接合、接続された半導体チップ2、ダイパッド3及び
インナーリード4a、リード4B及び4Cのインナーリ
ードを樹脂モールドにて一体的に封止し、樹脂モールド
部5を形成する。この時には、図7に示すように、下金
型30及び上金型31でインナーリード4aの外方部分
及びアウターリードと、上記ステップ106で切断され
たリード4B及び4Cの外方に位置する突出部4h及び
4iとを拘束して、即ち樹脂モールドされるインナーリ
ード部分より外方部分全体を拘束した状態で樹脂注入口
32よりモールド用樹脂33を注入しモールドする。こ
のように、モールドする際にインナーリード部分より外
方部分全体を拘束するので、内部のそれぞれのインナー
リードは流れ込むモールド樹脂によって動くことがな
く、インナーリード同士が接触したりインナーリードと
半導体チップとの接続部分が切断する等の事故が防止さ
れる。また、ステップ106においてリード4B及び4
Cのインナーリードの外方部分はダムバー10の位置よ
り切り離されているが、ダムバー10は依然残ってお
り、樹脂モールドがアウターリードの方へ流れ出さない
ようにするダムバーの機能は有効に利用される。
Next, in step 107, the semiconductor chip 2, the die pad 3, the inner leads 4a, and the inner leads of the leads 4B and 4C joined and connected as described above are integrally sealed with a resin mold, and the resin mold is formed. Form part 5. At this time, as shown in FIG. 7, the lower die 30 and the upper die 31 are located outside the inner leads 4a and outer leads, and the protrusions located outside the leads 4B and 4C cut in step 106. Molding resin 33 is injected from the resin injection port 32 while the portions 4h and 4i are constrained, that is, the entire outer portion is constrained from the inner lead portion to be resin-molded. In this way, since the entire outer portion is constrained from the inner lead portion during molding, each inner lead does not move due to the molding resin that flows in, the inner leads contact each other and the inner lead and the semiconductor chip Accidents such as disconnection of the connection part of are prevented. In step 106, the leads 4B and 4
The outer portion of the inner lead of C is separated from the position of the dam bar 10, but the dam bar 10 still remains, and the function of the dam bar that prevents the resin mold from flowing toward the outer lead is effectively used. It

【0036】モールドが完了した段階において、ステッ
プ102でリード4B及び4Cの途中に形成した凸部4
b及び4cは樹脂モールド部5の表面に一応露出してい
るが、その表面は樹脂モールドが部分的にのったりして
清浄ではないので、樹脂モールド部5の表面を研削し完
全にその表面を露出させ接続部4d及び4eを形成す
る。さらにこの接続部4d及びeを接続端子として使用
する場合に接続がし易いようにこの部分にハンダメッキ
を施す。尚、図示していないが、接続部4d及び4eを
さらに電気絶縁材で覆うことにより、露出した接続部が
保護される。
At the stage when the molding is completed, the convex portion 4 formed in the middle of the leads 4B and 4C in step 102.
Although b and 4c are temporarily exposed on the surface of the resin mold portion 5, the surface of the resin mold portion 5 is not clean because the resin mold partially adheres to the surface, so that the surface of the resin mold portion 5 is ground completely. Are exposed to form the connection portions 4d and 4e. Further, when these connecting portions 4d and 4e are used as connecting terminals, solder plating is applied to these portions so as to facilitate the connection. Although not shown, the exposed connecting portions are protected by further covering the connecting portions 4d and 4e with an electric insulating material.

【0037】次にステップ108において、ダムバー1
0及び周辺枠材11を切除してアウターリードをそれぞ
れ切りはなす。これによってリード4B及び4Cはダム
バー位置より外側が除去されインナーリード部分と突出
部4h及び4iのみが残る。この突出部4h及び4iは
研削等により除去してもよい。次いで半導体チップ2と
リード4A,4B,4Cとの接続状況を検査するが、こ
の時、上記のようにして形成された接続部4dや4eを
使用することができる。また、接続部4eは半導体装置
の基板上への実装後の回路検査にも使用することがで
き、さらに必要に応じて実装後における電気部品の追加
や回路の変更のための接続端子として使用することもで
きる。
Next, in step 108, the dam bar 1
0 and the peripheral frame member 11 are cut to cut the outer leads. As a result, the leads 4B and 4C are removed from the outside of the dam bar position, and only the inner lead portions and the protrusions 4h and 4i remain. The protrusions 4h and 4i may be removed by grinding or the like. Next, the connection state between the semiconductor chip 2 and the leads 4A, 4B, 4C is inspected. At this time, the connection portions 4d and 4e formed as described above can be used. Further, the connecting portion 4e can be used also for a circuit inspection after mounting the semiconductor device on a substrate, and is also used as a connecting terminal for adding an electric component or changing a circuit after mounting if necessary. You can also

【0038】次にステップ109において、リード4A
のアウターリード4fを折り曲げて基板に接続するため
の接続部4gを形成し、製造番号や製品番号等をマーキ
ングし、最後にステップ110において製品の検査を
し、包装して出荷する。
Next, in step 109, the lead 4A
The outer lead 4f is bent to form a connecting portion 4g for connecting to the substrate, a manufacturing number, a product number, etc. are marked, and finally, in step 110, the product is inspected, packaged and shipped.

【0039】以上の半導体装置1の製造方法によれば、
リード4B及び4Cの途中に形成される凸部を、リード
やダイパッドや枠材を含む一枚の金属板から形成するの
で、容易にかつ精度よく加工が行える。特に、本実施例
のように凸部を形成しないリード4Aと凸部を形成する
リード4B,4Cとを順番に配列する場合でも、その加
工は容易である。また、例えば先述の特開昭63−34
967号公報に記載のように既に樹脂モールドされたパ
ッケージから突出しているアウターリードを折り返すよ
うに曲折させるような場合に比べ、その加工は遥かに容
易であり、加工精度もよい。
According to the method of manufacturing the semiconductor device 1 described above,
Since the convex portion formed in the middle of the leads 4B and 4C is formed from a single metal plate including the leads, the die pad, and the frame material, it can be processed easily and accurately. In particular, even in the case where the leads 4A having no protrusions and the leads 4B, 4C having protrusions are arranged in order as in this embodiment, the processing is easy. Also, for example, the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 63-34
As compared with the case where the outer lead protruding from the already resin-molded package is bent so as to be folded back as described in Japanese Patent No. 967, the processing is much easier and the processing accuracy is better.

【0040】また、樹脂モールドにて封止する際に、リ
ード4のインナーリードの外方部分全体、即ちリード4
Aのインナーリード4aの外方部分とリード4B及び4
Cの外方に位置する突出部4h及び4i部分とを共に金
型30,31で拘束することにより、内部のリード4
A,4B,4Cそれぞれのインナーリードは流れ込むモ
ールド樹脂によって動くことがなく、またそれら同士が
接触したり半導体チップ2との接続部分が切断する等の
事故が防止される。
When the resin mold is used for sealing, the entire outer portion of the inner lead of the lead 4, that is, the lead 4 is
The outer portion of the inner lead 4a of A and the leads 4B and 4
By restraining the protrusions 4h and 4i located on the outside of C together with the molds 30 and 31, the internal lead 4
The inner leads of A, 4B, and 4C do not move due to the mold resin that flows in, and accidents such as contact between them or disconnection of the connection portion with the semiconductor chip 2 are prevented.

【0041】また、以上の半導体装置1の製造方法にお
いては、インナーリードとチップ端子との接続は金バン
プを介して直接行われる。したがって、インナーリード
と半導体チップ2とを一括で接続できるので、加工時間
が短縮し、半導体装置の製造工程が大幅に簡素化され量
産性が向上すると共に、接続部分の強度も向上し樹脂モ
ールドによって断線する等の事故を防止できる。また、
インナーリード先端と半導体チップ2の端子とを直接接
合するのでチップ端子のピッチを小さくすることがで
き、半導体チップ2の寸法を小型化して1枚のウエハー
素材から取れる半導体チップの数を増加することがで
き、コスト低減を図ることができる。さらに、半導体チ
ップ2の位置決め精度の向上等が図れ、半導体装置の信
頼性が著しく高められると共に、平面状のリードフレー
ムと半導体チップとを重ね合わせて構成するので半導体
装置全体の薄型化が可能である。
Further, in the above-described method of manufacturing the semiconductor device 1, the inner leads and the chip terminals are directly connected via the gold bumps. Therefore, since the inner leads and the semiconductor chip 2 can be connected at one time, the processing time is shortened, the manufacturing process of the semiconductor device is greatly simplified and the mass productivity is improved, and the strength of the connection portion is also improved by the resin molding. Accidents such as disconnection can be prevented. Also,
Since the tips of the inner leads and the terminals of the semiconductor chip 2 are directly joined, the pitch of the chip terminals can be reduced, and the size of the semiconductor chip 2 can be reduced to increase the number of semiconductor chips that can be obtained from one wafer material. Therefore, the cost can be reduced. Further, the positioning accuracy of the semiconductor chip 2 can be improved, the reliability of the semiconductor device can be remarkably improved, and the flat lead frame and the semiconductor chip are superposed on each other so that the entire semiconductor device can be thinned. is there.

【0042】尚、上記のようにインナーリードの一端を
半導体チップ2の端子近傍まで伸ばしてこれらを直接接
合するのではなく、インナーリード先端と半導体チップ
2の端子を従来のワイヤーボンディング法で接続しても
よい。
It should be noted that, instead of extending one end of the inner lead to the vicinity of the terminal of the semiconductor chip 2 and directly joining them as described above, the tip of the inner lead and the terminal of the semiconductor chip 2 are connected by a conventional wire bonding method. May be.

【0043】本発明の他の実施例を図8により説明す
る。本実施例の半導体装置1は、図8(a)のように接
続部4gを形成したアウターリード4fを有するリード
4Aと、図8(b)のようにアウターリードが樹脂モー
ルド部5側面から突出せずに樹脂モールド部5内部にお
いて曲げられ接続部41を形成するリード40とを有す
る。そして、これらリード4A及び40は交互に配置さ
れている。図8(c)はリード4A及び40をまとめて
示す断面図である。図8(b)において、リード40は
配線基板側、即ちアウターリード4fの曲げ方向と同じ
方向に曲げられ、その外方の端部が樹脂モールド部5内
部において終端すると共に、その表面の一部が樹脂モー
ルド部5表面に露出して接続部41を形成している。こ
の接続部41は図1の接続部4dと同様に接続端子とし
て使用される。これ以外の半導体チップとインナーリー
ドとの接続等の構成は図1の実施例と同様である。
Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the semiconductor device 1 of the present embodiment, the lead 4A having the outer lead 4f having the connection portion 4g as shown in FIG. 8A and the outer lead protruding from the side surface of the resin mold portion 5 as shown in FIG. 8B. The lead 40 is bent inside the resin mold portion 5 to form the connection portion 41 without being formed. The leads 4A and 40 are arranged alternately. FIG. 8C is a sectional view showing the leads 4A and 40 collectively. In FIG. 8B, the lead 40 is bent on the wiring board side, that is, in the same direction as the bending direction of the outer lead 4f, and its outer end portion terminates inside the resin mold portion 5 and a part of its surface. Is exposed on the surface of the resin mold portion 5 to form the connection portion 41. This connecting portion 41 is used as a connecting terminal like the connecting portion 4d in FIG. Other configurations, such as connection between the semiconductor chip and the inner leads, are similar to those of the embodiment of FIG.

【0044】以上のように構成した本実施例によれば、
相隣り合う接続端子がリードの長手方向でずれた位置に
存在することになり、従来のQFP型のように全てのア
ウターリードをパッケージ外方へ突出させる場合に比較
して、接続ピッチは約2倍に広くなり、その精度も向上
する。従って、相隣り合う接続部分同士で短絡を起こし
たり、端子が適正に接続されないで接続欠陥が生じたり
することが防止され、接続端子としての信頼性が向上す
る。即ち、前述の実施例と同様の効果が得られる。
According to the present embodiment configured as described above,
Adjacent connection terminals are present at positions displaced in the longitudinal direction of the leads, and the connection pitch is about 2 as compared with the case where all the outer leads are projected to the outside of the package as in the conventional QFP type. It is twice as wide and its accuracy is improved. Therefore, it is possible to prevent a short circuit from occurring between the adjacent connecting portions, and to prevent a connection defect from occurring due to improper connection of the terminals, thereby improving the reliability of the connection terminal. That is, the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.

【0045】本発明のさらに他の実施例を図9により説
明する。本実施例においては、図8のリード4A及び4
0に加え、樹脂モールド部5内部において曲げられ接続
部43を形成するリード42を有する。尚、図9は各リ
ードをまとめて示す断面図である。リード42は配線基
板側とは反対側、即ちアウターリード4fの曲げ方向と
反対の方向に曲げられ、その外方の端部が樹脂モールド
部5内部において終端すると共に、その表面の一部が樹
脂モールド部5表面に露出して接続部43を形成してい
る。この接続部43は図1の接続部4eと同様に検査端
子として使用することができ、基板へ実装する前の半導
体装置の回路検査は言うまでもなく基板への実装後であ
っても高い信頼性でかつ容易に回路検査を行うことが可
能となる。さらに、この接続部は基板への実装後におけ
る回路変更のための接続端子としても使用可能である。
尚、本実施例ではダイパッドがないが、勿論これを設け
てもよい。
Still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the leads 4A and 4 of FIG.
In addition to 0, it has a lead 42 that is bent inside the resin mold portion 5 to form a connection portion 43. Note that FIG. 9 is a cross-sectional view showing each lead together. The lead 42 is bent on the side opposite to the side of the wiring board, that is, in the direction opposite to the bending direction of the outer lead 4f, and the outer end of the lead 42 is terminated inside the resin mold portion 5 and a part of its surface is made of resin. The connection part 43 is formed by being exposed on the surface of the mold part 5. This connecting portion 43 can be used as an inspection terminal similarly to the connecting portion 4e of FIG. 1, and it is highly reliable even after the circuit is inspected before mounting it on the substrate, not to mention the circuit inspection of the semiconductor device. In addition, the circuit inspection can be easily performed. Further, this connecting portion can be used as a connecting terminal for changing the circuit after mounting on the substrate.
Although the die pad is not provided in this embodiment, it may be provided, of course.

【0046】以上のように構成した本実施例によれば、
図8の実施例と同様の効果が得られる他、基板への実装
前後において高い信頼性かつ容易に回路検査を行うこと
ができ、また基板への実装後における回路変更も容易に
行うことができる。
According to the present embodiment configured as described above,
In addition to the effect similar to that of the embodiment of FIG. 8, a highly reliable and easy circuit inspection can be performed before and after mounting on a board, and a circuit can be easily changed after mounting on a board. .

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、リードフ
レームのファインピッチ化に対して広い接続ピッチを確
保でき、かつ高精度な接続ピッチが得られ、高い信頼性
でかつ容易に端子接続ができる。
According to the semiconductor device of the present invention, a wide connection pitch can be secured for a fine pitch lead frame, a highly accurate connection pitch can be obtained, and terminal connection can be performed easily with high reliability. it can.

【0048】また、高い信頼性でかつ容易に回路検査を
行うことができると共に、基板への実装後であっても高
い信頼性でかつ容易に電気部品の追加や回路の変更を行
うことができる。
Further, the circuit inspection can be carried out with high reliability and easily, and the electric parts can be easily added and the circuit can be changed with high reliability even after mounting on the board. .

【0049】また、本発明の製造方法によれば、インナ
ーリードに設けられる凸部を容易にかつ精度よく加工で
きる。また、インナーリードの外方部分全体を拘束して
モールドするので、内部のインナーリードは動かず、互
いに接触したり半導体チップとの接続部分が切断する等
の事故が防止される。
Further, according to the manufacturing method of the present invention, the convex portion provided on the inner lead can be easily and accurately processed. Further, since the entire outer portion of the inner lead is constrained and molded, the inner lead does not move, and accidents such as contact with each other or disconnection of the connection portion with the semiconductor chip are prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例による半導体装置の断面図で
あり、(a),(b),(c)はそれぞれ各リードの位
置の断面図であり、(d)は(a)〜(c)をまとめて
示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, (a), (b) and (c) are cross-sectional views of respective lead positions, and (d) is (a)-. It is sectional drawing which shows (c) collectively.

【図2】図1に示す半導体装置の樹脂モールド部を除去
して示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing the semiconductor device shown in FIG. 1 with a resin mold portion removed.

【図3】本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
の製造工程を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing process of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図4】図3に示す製造工程において、ダイパッドとイ
ンナーリードを加工した後の金属板の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of the metal plate after processing the die pad and the inner leads in the manufacturing process shown in FIG.

【図5】図3のステップ102において所定のインナー
リードの途中に凸部を形成する工程を示す断面図であ
る。
5 is a cross-sectional view showing a step of forming a protrusion in the middle of a predetermined inner lead in step 102 of FIG.

【図6】図3に示す製造工程において、ダイパッドとイ
ンナーリードに半導体チップを接合、接続し、凸部を形
成したインナーリードの外方部分を切断した状態を示す
平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a state in which a semiconductor chip is bonded and connected to a die pad and an inner lead, and an outer portion of the inner lead having a convex portion is cut in the manufacturing process shown in FIG.

【図7】図3のステップ107におけるモールドの工程
を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a molding process in step 107 of FIG.

【図8】本発明の他の実施例による半導体装置の断面図
であって、(a)及び(b)はそれぞれ各リードの位置
の断面図であり、(c)は(a),(b)をまとめて示
す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to another embodiment of the present invention, in which (a) and (b) are cross-sectional views of respective lead positions, and (c) is (a) and (b). ) Is a cross-sectional view collectively.

【図9】本発明のさらに他の実施例による半導体装置の
断面図であって、各リードをまとめて示す断面図であ
る。
FIG. 9 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to still another embodiment of the present invention, showing each lead together.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体装置 2 半導体チップ 4,4A,4B,4C リード 4a インナーリード 4b,4c 凸部 4d,4e 接続部 4f アウターリード 4g 接続部 4h,4i 突出部 5 樹脂モールド部 7 金バンプ 30 下金型 31 上金型 32 樹脂注入口 33 モールド用樹脂 40 リード 41 接続部 42 リード 43 接続部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 2 Semiconductor chip 4,4A, 4B, 4C Lead 4a Inner lead 4b, 4c Convex part 4d, 4e Connection part 4f Outer lead 4g Connection part 4h, 4i Projection part 5 Resin mold part 7 Gold bump 30 Lower mold 31 Upper mold 32 Resin injection port 33 Mold resin 40 Lead 41 Connection part 42 Lead 43 Connection part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桜井 茂行 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 長野 義也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shigeyuki Sakurai 650 Kazutachi-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Co., Ltd.Tsuchiura factory (72) Inventor Yoshiya Nagano 650 Kintate-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Co. Ceremony Company Tsuchiura Factory

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップの端子をリードフレームの
インナーリードに電気的に接続し、これら半導体チップ
及びリードフレームのインナーリードをモールド部にて
一体に封止し、配線基板上に搭載、接続される半導体装
置において、 前記リードフレームは、前記インナーリードに連続して
前記モールド部側面より外方へ伸びるアウターリードを
有し、かつそのアウターリードの途中部分を曲げて前記
配線基板に接続するための第1の接続部を形成した第1
のリードと、前記インナーリードの途中部分を曲げて前
記配線基板側の前記モールド部表面へ露出させ前記配線
基板に接続するための第2の接続部を形成した第2のリ
ードとを備えることを特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor chip terminal is electrically connected to an inner lead of a lead frame, the semiconductor chip and the inner lead of the lead frame are integrally sealed with a mold part, and mounted and connected on a wiring board. In the semiconductor device according to claim 1, the lead frame has an outer lead that is continuous with the inner lead and extends outward from the side surface of the mold portion, and a middle portion of the outer lead is bent to connect to the wiring board. First forming first connection
And a second lead formed by bending a middle part of the inner lead to expose it to the surface of the mold portion on the side of the wiring board and forming a second connection portion for connecting to the wiring board. Characteristic semiconductor device.
【請求項2】 請求項1記載の半導体装置において、前
記リードフレームは、前記インナーリードの途中部分を
曲げて前記配線基板側と反対側の前記モールド部表面へ
露出させ第3の接続部を形成した第3のリードを備える
ことを特徴とする半導体装置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein, in the lead frame, a middle portion of the inner lead is bent to be exposed at a surface of the mold portion opposite to the wiring board side to form a third connection portion. A semiconductor device comprising the third lead described above.
【請求項3】 半導体チップの端子をリードフレームの
インナーリードに電気的に接続し、これら半導体チップ
及びリードフレームのインナーリードをモールド部にて
一体に封止し、配線基板上に搭載、接続される半導体装
置において、 前記リードフレームは、前記インナーリードに連続して
前記モールド部側面より外方へ伸びるアウターリードを
有し、かつそのアウターリードの途中部分を曲げて前記
配線基板に接続するための第1の接続部を形成した第1
のリードと、前記インナーリードの途中部分を曲げて前
記配線基板側と反対側の前記モールド部表面へ露出させ
第2の接続部を形成した第2のリードを備えることを特
徴とする半導体装置。
3. The terminals of the semiconductor chip are electrically connected to the inner leads of the lead frame, and the inner leads of the semiconductor chip and the lead frame are integrally sealed with a mold part, mounted on a wiring board and connected. In the semiconductor device according to claim 1, the lead frame has an outer lead that is continuous with the inner lead and extends outward from the side surface of the mold portion, and a middle portion of the outer lead is bent to connect to the wiring board. First forming first connection
And a second lead in which a middle portion of the inner lead is bent to be exposed to the surface of the mold portion opposite to the wiring substrate side to form a second connection portion.
【請求項4】 請求項1から3のうちいずれか1項記載
の半導体装置において、前記それぞれのインナーリード
はその先端が前記半導体チップの端子部分まで伸びて該
端子に接続されていることを特徴とする半導体装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the inner leads of the respective inner leads extend to the terminal portions of the semiconductor chip and are connected to the terminals. Semiconductor device.
【請求項5】 半導体チップの端子をリードフレームの
インナーリードに電気的に接続し、これら半導体チップ
及びリードフレームのインナーリードをモールド部にて
一体に封止した半導体装置の製造方法において、 一枚の金属板からリードフレームを形成し、このリード
フレームのうち所定のインナーリードの途中を曲げて前
記モールド部の表面に露出するように凸部を形成し、そ
の後、全てのインナーリードの先端に端子がそれぞれ対
向するよう半導体チップを配置し、前記全てのインナー
リードの先端と半導体チップの端子とをそれぞれ接続
し、次いで前記全てのインナーリードよりも外方部分全
体を拘束して前記半導体チップ及び前記全てのインナー
リードをモールドにて一体的に封止することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
5. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein terminals of a semiconductor chip are electrically connected to inner leads of a lead frame, and the inner leads of the semiconductor chip and the lead frame are integrally sealed by a molding part. Forming a lead frame from the metal plate of the above, and forming a convex portion so that a predetermined inner lead of the lead frame is bent so as to be exposed on the surface of the mold portion, and then terminals are provided at the tips of all the inner leads. The semiconductor chips are arranged so as to face each other, the tips of all the inner leads and the terminals of the semiconductor chips are connected, respectively, and then the entire outer portion than all of the inner leads is constrained and the semiconductor chips and the A method of manufacturing a semiconductor device, wherein all the inner leads are integrally sealed with a mold.
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