JPH06250242A - 光デバイス - Google Patents
光デバイスInfo
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- JPH06250242A JPH06250242A JP3902693A JP3902693A JPH06250242A JP H06250242 A JPH06250242 A JP H06250242A JP 3902693 A JP3902693 A JP 3902693A JP 3902693 A JP3902693 A JP 3902693A JP H06250242 A JPH06250242 A JP H06250242A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 制御装置などの付加的手段を設けず、光学的
構成により、効率よく安定に高調波を生成可能な光デバ
イスを提供する。 【構成】 疑似位相整合（ＱＰＭ）条件を満たす半導体
レーザ５と、ＱＰＭ−ＳＨＧ（二次高調波発生）素子と
を光学的に接続して構成される。ＱＰＭ−ＳＨＧ素子
は、強誘電体結晶素子６の上に光導波路４および分極反
転部３を形成し、ＱＰＭ分極反転構造を持たせる。半導
体レーザ５から基本光がＱＰＭ−ＳＨＧ素子に入射さ
れ、２次高調波光が生成される。ＱＰＭ−ＳＨＧ素子の
出射側端面２は、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子内で生成される２
次高調波の一部をＱＰＭ分極反転構造に反射させるよう
に形成される。反射されてＱＰＭ分極反転構造に入射し
た２次高調波は基本光との非線型光学的相互作用を介し
て基本光と同じ波長を持ち基本光の伝播方向と逆方向に
進む光に再生成され、半導体レーザ５に帰還される。
構成により、効率よく安定に高調波を生成可能な光デバ
イスを提供する。 【構成】 疑似位相整合（ＱＰＭ）条件を満たす半導体
レーザ５と、ＱＰＭ−ＳＨＧ（二次高調波発生）素子と
を光学的に接続して構成される。ＱＰＭ−ＳＨＧ素子
は、強誘電体結晶素子６の上に光導波路４および分極反
転部３を形成し、ＱＰＭ分極反転構造を持たせる。半導
体レーザ５から基本光がＱＰＭ−ＳＨＧ素子に入射さ
れ、２次高調波光が生成される。ＱＰＭ−ＳＨＧ素子の
出射側端面２は、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子内で生成される２
次高調波の一部をＱＰＭ分極反転構造に反射させるよう
に形成される。反射されてＱＰＭ分極反転構造に入射し
た２次高調波は基本光との非線型光学的相互作用を介し
て基本光と同じ波長を持ち基本光の伝播方向と逆方向に
進む光に再生成され、半導体レーザ５に帰還される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光源などの光源か
ら射出された基本光を２次高調波などの高調波に変換す
る光デバイスに関するものであり、特に、疑似位相整合
（ＱＰＭ：Quasi-Phase Matching) 条件に基づく光デバ
イスに関する。
ら射出された基本光を２次高調波などの高調波に変換す
る光デバイスに関するものであり、特に、疑似位相整合
（ＱＰＭ：Quasi-Phase Matching) 条件に基づく光デバ
イスに関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、光ディスク装置において、波
長の短い光、たとえば、青色の光を用いると、その２倍
程度の波長を持つ赤色の光を用いた場合に比べて４倍程
度に記録密度を向上させることができる。しかしなが
ら、常温で実用的に青色の光を安定に発光させることが
できる半導体レーザなどの光源はまだ知られていない。
そこで、現在、赤色で発光するレーザダイオードの光
を、非線形光学特性を有する二次高調波発生素子（ＳＨ
Ｇ：Second-Harmonic Generator ）を用いて光を歪ませ
て、その赤色の光の波長の半分の波長を持つ２次高調波
光、つまり、青色の光に変換することが知られている。
もちろん、赤色の光以外の光からその波長の半分の光、
たとえば、赤外線から青色の光に変換する、橙色の光か
ら青色系統の光に変換することもできる。同様に、この
ような非線形光学変換素子を用いて、ある基本光の３次
高調波光、４次高調波光などの多次の高調波を生成する
ことも知られている。
長の短い光、たとえば、青色の光を用いると、その２倍
程度の波長を持つ赤色の光を用いた場合に比べて４倍程
度に記録密度を向上させることができる。しかしなが
ら、常温で実用的に青色の光を安定に発光させることが
できる半導体レーザなどの光源はまだ知られていない。
そこで、現在、赤色で発光するレーザダイオードの光
を、非線形光学特性を有する二次高調波発生素子（ＳＨ
Ｇ：Second-Harmonic Generator ）を用いて光を歪ませ
て、その赤色の光の波長の半分の波長を持つ２次高調波
光、つまり、青色の光に変換することが知られている。
もちろん、赤色の光以外の光からその波長の半分の光、
たとえば、赤外線から青色の光に変換する、橙色の光か
ら青色系統の光に変換することもできる。同様に、この
ような非線形光学変換素子を用いて、ある基本光の３次
高調波光、４次高調波光などの多次の高調波を生成する
ことも知られている。
【０００３】このような光波長変換を行う光波長変換デ
バイスとしては、ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4)単結晶、β−
Ｂa Ｂ2 Ｏ4 単結晶などを用いた非線形光学変換素子が
知られている。しかしながら、ＳＨＧなどの非線形光学
変換素子を単独で用いる方法は、長期的に正確かつ安定
に２次高調波光などの高調波光を提供できないという問
題がある。
バイスとしては、ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4)単結晶、β−
Ｂa Ｂ2 Ｏ4 単結晶などを用いた非線形光学変換素子が
知られている。しかしながら、ＳＨＧなどの非線形光学
変換素子を単独で用いる方法は、長期的に正確かつ安定
に２次高調波光などの高調波光を提供できないという問
題がある。
【０００４】また他の光波長変換デバイスとして、レー
ザ光をＹＡＧで励起し、さらに、共振器を用いる光波長
変換デバイスが知られている。この光波長変換デバイス
は、変化効率が高く、光学的反応の鈍さに起因して穏や
かな（安定した）光が提供できるという利点がある。し
かしながら、その一方で、共振器を用いるため、さらに
その制御装置が必要になり、デバイス構成が複雑化し、
大型になるという問題がある。また、光学的反応の鈍さ
は逆の観点からみると、応答性が低く高速な動作の用途
に使用できないという問題がある。
ザ光をＹＡＧで励起し、さらに、共振器を用いる光波長
変換デバイスが知られている。この光波長変換デバイス
は、変化効率が高く、光学的反応の鈍さに起因して穏や
かな（安定した）光が提供できるという利点がある。し
かしながら、その一方で、共振器を用いるため、さらに
その制御装置が必要になり、デバイス構成が複雑化し、
大型になるという問題がある。また、光学的反応の鈍さ
は逆の観点からみると、応答性が低く高速な動作の用途
に使用できないという問題がある。
【０００５】さらに光波長変換デバイスとして、特定の
光学特性を有する非線形光学素子、たとえば、Ｌi Ｎｂ
x Ｔａ1-x Ｏ3 結晶などの強誘電体結晶の表面に疑似位
相整合（ＱＰＭ）条件を満たす周期ドメイン反転構造
（ＱＰＭ分極反転構造）を設けた光デバイスが知られて
いる。この光デバイスは、たとえば、レーザダイオード
から基本光として、たとえば、８３０ｎｍの波長の赤色
の光を上記強誘電体結晶に射出させ、強誘電体結晶内の
光の歪みにより赤色の光の半分の波長＝４１５ｎｍの青
色の光を強誘電体結晶から射出させる。
光学特性を有する非線形光学素子、たとえば、Ｌi Ｎｂ
x Ｔａ1-x Ｏ3 結晶などの強誘電体結晶の表面に疑似位
相整合（ＱＰＭ）条件を満たす周期ドメイン反転構造
（ＱＰＭ分極反転構造）を設けた光デバイスが知られて
いる。この光デバイスは、たとえば、レーザダイオード
から基本光として、たとえば、８３０ｎｍの波長の赤色
の光を上記強誘電体結晶に射出させ、強誘電体結晶内の
光の歪みにより赤色の光の半分の波長＝４１５ｎｍの青
色の光を強誘電体結晶から射出させる。
【０００６】位相整合条件および疑似位相整合条件の概
要について述べる。上記強誘電体結晶内においては、基
本光としての赤色の光と２次高調波光としての青色の光
とは加算されていくから、これらの光の位相が一致して
いる必要がある。これを位相整合条件と呼ぶ。しかしな
がら、赤色の光と青色の光とでは波長が異なるから、赤
色の光と青色の光とでは物質（強誘電体結晶）中を伝搬
する速度（屈折率）が異なる。その結果、光の分散が生
じ、赤色の光と青色の光との位相がずれてくる。赤色の
光と青色の光との位相がずれると、赤色の光と青色の光
とが逆位相関係になり、両者の光が意図するように加算
されず、むしろ打ち消し合い、出力光が低下する。この
ような状態を位相整合条件が満足されないという。この
出力低下は、（ｓｉｎ2 Δθ）に比例する。Δθは上記
位相差である。したがって、位相差が大きくなると、出
力光はほとんど消滅してしまう。
要について述べる。上記強誘電体結晶内においては、基
本光としての赤色の光と２次高調波光としての青色の光
とは加算されていくから、これらの光の位相が一致して
いる必要がある。これを位相整合条件と呼ぶ。しかしな
がら、赤色の光と青色の光とでは波長が異なるから、赤
色の光と青色の光とでは物質（強誘電体結晶）中を伝搬
する速度（屈折率）が異なる。その結果、光の分散が生
じ、赤色の光と青色の光との位相がずれてくる。赤色の
光と青色の光との位相がずれると、赤色の光と青色の光
とが逆位相関係になり、両者の光が意図するように加算
されず、むしろ打ち消し合い、出力光が低下する。この
ような状態を位相整合条件が満足されないという。この
出力低下は、（ｓｉｎ2 Δθ）に比例する。Δθは上記
位相差である。したがって、位相差が大きくなると、出
力光はほとんど消滅してしまう。
【０００７】上記強誘電体結晶には、分極に起因する上
向きと下向きとの向きの相違がある。そこで、上述した
逆相関係に起因する出力光の低下を防止するため、強誘
電体結晶の上面に周期ドメイン構造（ＱＰＭ分極反転構
造）を設けて強誘電体結晶の向きを変えて逆相関係が生
じないようにして、出力光の低下を防止することが試み
られている。
向きと下向きとの向きの相違がある。そこで、上述した
逆相関係に起因する出力光の低下を防止するため、強誘
電体結晶の上面に周期ドメイン構造（ＱＰＭ分極反転構
造）を設けて強誘電体結晶の向きを変えて逆相関係が生
じないようにして、出力光の低下を防止することが試み
られている。
【０００８】図５は、疑似位相整合条件を持つ２次高調
波発生素子を用いた場合の光波長変換デバイスにおける
光の波数ベクトルの関係を示す。図５における記号を表
１に示す。 表１ ｋω：光源から射出された周波数（波長）ωの基本光の
波数ベクトル ｋΛ：ＱＰＭ分極反転構造において生成された光の波数
ベクトル ｋ2 ω：基本光の周波数ωの２倍の周波数２ωを持つ２
次高調波光の波数ベクトル
波発生素子を用いた場合の光波長変換デバイスにおける
光の波数ベクトルの関係を示す。図５における記号を表
１に示す。 表１ ｋω：光源から射出された周波数（波長）ωの基本光の
波数ベクトル ｋΛ：ＱＰＭ分極反転構造において生成された光の波数
ベクトル ｋ2 ω：基本光の周波数ωの２倍の周波数２ωを持つ２
次高調波光の波数ベクトル
【０００９】上述した作用は運動量保存則に従うから、
図５における波数ベクトルおよび周波数（波長）には下
記式１および式２に示す関係が成立する。
図５における波数ベクトルおよび周波数（波長）には下
記式１および式２に示す関係が成立する。
【００１０】
【数１】
【００１１】
【数２】
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＱＰＭ
分極反転構造（周期ドメイン構造）を設けると、強誘電
体結晶に基本光を入射させる光源の波長選択性を非常に
厳しくさせるという問題を惹起させる。通常、疑似位相
整合条件を満足させ、２次高調波光を発生させる波長域
は、基本光の１万分の１以下、たとえば、光源から射出
される基本光としての赤色の光の波長＝８３０ｎｍに対
して０．１〜０．２ｎｍ（１〜２Å）以下の厳格な波長
選択性を光源に要求することになる。つまり、２次高調
波光を効率よく安定に発生させるためには、強誘電体結
晶に入射する光源からの基本光の波長を特定の波長で非
常に高い精度で安定化させる必要が生ずる。しかしなが
ら、光源として、たとえば、半導体レーザを用いた場合
を想定すると、半導体レーザは温度変化による特性変化
が大きいから、半導体レーザそのまでは使用できない。
分極反転構造（周期ドメイン構造）を設けると、強誘電
体結晶に基本光を入射させる光源の波長選択性を非常に
厳しくさせるという問題を惹起させる。通常、疑似位相
整合条件を満足させ、２次高調波光を発生させる波長域
は、基本光の１万分の１以下、たとえば、光源から射出
される基本光としての赤色の光の波長＝８３０ｎｍに対
して０．１〜０．２ｎｍ（１〜２Å）以下の厳格な波長
選択性を光源に要求することになる。つまり、２次高調
波光を効率よく安定に発生させるためには、強誘電体結
晶に入射する光源からの基本光の波長を特定の波長で非
常に高い精度で安定化させる必要が生ずる。しかしなが
ら、光源として、たとえば、半導体レーザを用いた場合
を想定すると、半導体レーザは温度変化による特性変化
が大きいから、半導体レーザそのまでは使用できない。
【００１３】特定の波長に光源、たとえば、レーザの発
振波長を安定化させる方法としては、回折格子（グレー
ティング）などを用いてレーザの発振波長を選択する方
法が考えられる。あるいは、光源に半導体レーザを用い
た場合にはその半導体レーザ自体の温度を測定してその
温度を制御する、または、半導体レーザに注入する電流
を制御するなどの方法が考えられる。しかしながら、上
述した方法を採択したと仮定すると、光波長変換デバイ
ス（光デバイス）が大型化し、その適用が限定され、さ
らに、高価格になるという問題に遭遇する。加えて、仮
にそのような方法を採択したとしても、長期的な波長安
定性および光出力の安定性の面で、依然として充分では
ないという問題がある。
振波長を安定化させる方法としては、回折格子（グレー
ティング）などを用いてレーザの発振波長を選択する方
法が考えられる。あるいは、光源に半導体レーザを用い
た場合にはその半導体レーザ自体の温度を測定してその
温度を制御する、または、半導体レーザに注入する電流
を制御するなどの方法が考えられる。しかしながら、上
述した方法を採択したと仮定すると、光波長変換デバイ
ス（光デバイス）が大型化し、その適用が限定され、さ
らに、高価格になるという問題に遭遇する。加えて、仮
にそのような方法を採択したとしても、長期的な波長安
定性および光出力の安定性の面で、依然として充分では
ないという問題がある。
【００１４】上述した例は、基本光を２次高調波光に変
換する場合を述べたが、３次高調波光以上の高調波を生
成する場合も、上記同様の問題に遭遇する。
換する場合を述べたが、３次高調波光以上の高調波を生
成する場合も、上記同様の問題に遭遇する。
【００１５】したがって、本発明は、光源の波長選択性
が緩和され、長期的に安定かつ精度が高く、制御装置な
どを必要とせずに簡単な構造の光波長変換デバイス（光
デバイス）を提供することを目的とする。
が緩和され、長期的に安定かつ精度が高く、制御装置な
どを必要とせずに簡単な構造の光波長変換デバイス（光
デバイス）を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の光デバイスは、
電気的な制御装置などを用いず、所定の条件を満たす光
源と、特定の光学的特性を有する非線形光学変換素子
（光波長変換素子）とを組合せて、光学的方法のみによ
り、上述した目的を達成するものであり、特に、強誘電
体結晶などの非線形光学変換素子において実際に得よう
とする高調波が発生したときだけ基本光に対しても同等
に反射率が高くなるように非線形光学変換素子の出射端
面を形成し、光源からの基本光に帰還をかける構成にす
る。
電気的な制御装置などを用いず、所定の条件を満たす光
源と、特定の光学的特性を有する非線形光学変換素子
（光波長変換素子）とを組合せて、光学的方法のみによ
り、上述した目的を達成するものであり、特に、強誘電
体結晶などの非線形光学変換素子において実際に得よう
とする高調波が発生したときだけ基本光に対しても同等
に反射率が高くなるように非線形光学変換素子の出射端
面を形成し、光源からの基本光に帰還をかける構成にす
る。
【００１７】したがって、本発明の光デバイスは、疑似
位相整合条件を満たし、誘導放射により発生させた所定
の波長の光を射出端面から射出する光源と、所定の波長
選択性を有する非線形光学変換素子を組み合わせて構成
される。非線形光学変換素子は、光源からの出射光を受
け入れる入射側端面と該入射側端面に対向して設けられ
た出射側端面とを有し、出射端面が非線形光学変換素子
において生成される高調波光の一部を入射側端面に向け
て反射するように構成される。
位相整合条件を満たし、誘導放射により発生させた所定
の波長の光を射出端面から射出する光源と、所定の波長
選択性を有する非線形光学変換素子を組み合わせて構成
される。非線形光学変換素子は、光源からの出射光を受
け入れる入射側端面と該入射側端面に対向して設けられ
た出射側端面とを有し、出射端面が非線形光学変換素子
において生成される高調波光の一部を入射側端面に向け
て反射するように構成される。
【００１８】特定的には、前記光源は半導体レーザであ
り、前記非線形光学素子の入射側端面を前記光源から射
出される光を無反射状態に形成する。
り、前記非線形光学素子の入射側端面を前記光源から射
出される光を無反射状態に形成する。
【００１９】前記非線形光学素子に、非線形光学的相互
作用とその逆作用を行う強誘電体結晶素子を用い、この
結晶の上に疑似位相整合を行う分極反転構造を形成す
る。または、前記非線形光学変換素子として、変換効率
に波長依存性を有する非線形光学変換素子を用いる。
作用とその逆作用を行う強誘電体結晶素子を用い、この
結晶の上に疑似位相整合を行う分極反転構造を形成す
る。または、前記非線形光学変換素子として、変換効率
に波長依存性を有する非線形光学変換素子を用いる。
【００２０】特定的には、前記非線形光学素子は２次高
調波を生成する素子である。
調波を生成する素子である。
【００２１】
【作用】非線形光学素子として、非線形光学的相互作用
とその逆作用を行う強誘電体結晶素子を用い、疑似位相
整合を行う分極反転構造を有する非線形光学素子を用い
た場合について例示する。たとえば、光源として半導体
レーザを用い、この半導体レーザから射出されたある周
波数（波長）ωを有する基本光が非線形光学変換素子に
入射され、非線形光学的相互作用により、たとえば、基
本光の半分の波長（２倍の周波数２ω）を持つ２次高調
波光が生成される。この２次高調波光が非線形光学変換
素子の出射側端面が一部が反射されると、上記非線形光
学的相互作用とは逆の非線形光学的逆相互作用によっ
て、入射された基本光と同じ周波数ωの光が再生成さ
れ、帰還光として半導体レーザに入射される。この帰還
光は半導体レーザにおいて基本光に加算され、半導体レ
ーザ内で共振増幅されて再び非線形光学変換素子に射出
される。この動作が反復する。非線形光学素子の分極反
転構造と半導体レーザによって疑似位相整合条件が満た
されているので、基本光と２次高調波光との間に位相差
は生じない。３次以上の高調波についても上記同様の動
作となる。
とその逆作用を行う強誘電体結晶素子を用い、疑似位相
整合を行う分極反転構造を有する非線形光学素子を用い
た場合について例示する。たとえば、光源として半導体
レーザを用い、この半導体レーザから射出されたある周
波数（波長）ωを有する基本光が非線形光学変換素子に
入射され、非線形光学的相互作用により、たとえば、基
本光の半分の波長（２倍の周波数２ω）を持つ２次高調
波光が生成される。この２次高調波光が非線形光学変換
素子の出射側端面が一部が反射されると、上記非線形光
学的相互作用とは逆の非線形光学的逆相互作用によっ
て、入射された基本光と同じ周波数ωの光が再生成さ
れ、帰還光として半導体レーザに入射される。この帰還
光は半導体レーザにおいて基本光に加算され、半導体レ
ーザ内で共振増幅されて再び非線形光学変換素子に射出
される。この動作が反復する。非線形光学素子の分極反
転構造と半導体レーザによって疑似位相整合条件が満た
されているので、基本光と２次高調波光との間に位相差
は生じない。３次以上の高調波についても上記同様の動
作となる。
【００２２】前記非線形光学変換素子として、変換効率
に波長依存性を有する非線形光学変換素子を用いた場
合、たとえば、角度位相整合条件に基づいて、上記同様
の動作となる。
に波長依存性を有する非線形光学変換素子を用いた場
合、たとえば、角度位相整合条件に基づいて、上記同様
の動作となる。
【００２３】
【実施例】図１は本発明の光デバイス（光波長変換デバ
イス）の好適な実施例としての光デバイスの構造の斜視
図である。この光デバイスは、疑似位相整合（ＱＰＭ）
条件を満たす誘導放射形光源（レーザ光源）としての半
導体レーザ５と、ＱＰＭ−ＳＨＧ（二次高調波光発生）
素子１０とを有する。
イス）の好適な実施例としての光デバイスの構造の斜視
図である。この光デバイスは、疑似位相整合（ＱＰＭ）
条件を満たす誘導放射形光源（レーザ光源）としての半
導体レーザ５と、ＱＰＭ−ＳＨＧ（二次高調波光発生）
素子１０とを有する。
【００２４】光源としては、疑似位相整合条件を満たす
半導体レーザ５の他、ＳＬＤ（Super-Lumminecent-Diod
e ）、ガスレーザなどを使用することができるが、以下
に述べる実施例では、半導体レーザ５を使用する場合を
例示する。この実施例では、半導体レーザ５は、基本光
として、たとえば、波長＝８３０ｎｍの赤色のレーザ光
を射出する。半導体レーザ５は裏端面５１と表端面５２
とを有し、これら両端面５１、５２からバック光とフロ
ント光が射出されるが、本発明の実施例においては、特
に、本発明では、半導体レーザの表端面５２から射出さ
れるフロント光が対象となる。
半導体レーザ５の他、ＳＬＤ（Super-Lumminecent-Diod
e ）、ガスレーザなどを使用することができるが、以下
に述べる実施例では、半導体レーザ５を使用する場合を
例示する。この実施例では、半導体レーザ５は、基本光
として、たとえば、波長＝８３０ｎｍの赤色のレーザ光
を射出する。半導体レーザ５は裏端面５１と表端面５２
とを有し、これら両端面５１、５２からバック光とフロ
ント光が射出されるが、本発明の実施例においては、特
に、本発明では、半導体レーザの表端面５２から射出さ
れるフロント光が対象となる。
【００２５】ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０は、たとえば、Ｌ
i Ｎｂx Ｔａ1-x Ｏ3 結晶で構成された非線形光学的作
用およびその逆作用を行う強誘電体結晶素子６と、この
上面に形成された光導波路４および分極反転部３を有す
る。分極反転部３は、疑似位相整合を行うので、ＱＰＭ
分極反転構造１１とも呼ぶ。また、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子
１０は、半導体レーザ５の表端面（出射面）５２に対向
し半導体レーザ５から射出される基本光を受け入れる入
射側端面１と、強誘電体結晶素子６において発生され
た、基本光としての赤色の光の基本光の半分の波長＝４
１５ｎｍの２次高調波光としての青色の光を射出する出
射側端面２とを有する。
i Ｎｂx Ｔａ1-x Ｏ3 結晶で構成された非線形光学的作
用およびその逆作用を行う強誘電体結晶素子６と、この
上面に形成された光導波路４および分極反転部３を有す
る。分極反転部３は、疑似位相整合を行うので、ＱＰＭ
分極反転構造１１とも呼ぶ。また、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子
１０は、半導体レーザ５の表端面（出射面）５２に対向
し半導体レーザ５から射出される基本光を受け入れる入
射側端面１と、強誘電体結晶素子６において発生され
た、基本光としての赤色の光の基本光の半分の波長＝４
１５ｎｍの２次高調波光としての青色の光を射出する出
射側端面２とを有する。
【００２６】図１に図解した光デバイスの製造方法を述
べる。まず、強誘電体結晶素子６の上面に、プロトン拡
散などを施して、光導波路４および分極反転部３を形成
する。次いで、光源として半導体レーザ５を用いる場
合、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面１を、半導体
レーザ５からの射出される基本光に対して無反射になる
ように形成する。さらに好適には、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子
１０（ＱＰＭ分極反転構造１１）において発生（生成）
された２次高調波光のうち、その一部が出射側端面２で
反射され、さらにＱＰＭ分極反転構造１１で基本光と同
じ波長に逆変換され、半導体レーザ５に帰還する基本光
と同じ波長を有する光に対しても無反射状態にする。レ
ーザ光源として、半導体レーザ５を用いない場合は、入
射側端面１を必ずしも基本光に対して無反射状態にする
必要はない。
べる。まず、強誘電体結晶素子６の上面に、プロトン拡
散などを施して、光導波路４および分極反転部３を形成
する。次いで、光源として半導体レーザ５を用いる場
合、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面１を、半導体
レーザ５からの射出される基本光に対して無反射になる
ように形成する。さらに好適には、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子
１０（ＱＰＭ分極反転構造１１）において発生（生成）
された２次高調波光のうち、その一部が出射側端面２で
反射され、さらにＱＰＭ分極反転構造１１で基本光と同
じ波長に逆変換され、半導体レーザ５に帰還する基本光
と同じ波長を有する光に対しても無反射状態にする。レ
ーザ光源として、半導体レーザ５を用いない場合は、入
射側端面１を必ずしも基本光に対して無反射状態にする
必要はない。
【００２７】さらに、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の出射側
端面２を、２次高調波光としての青色の光の一部をＱＰ
Ｍ分極反転構造１１に向けて反射し、半導体レーザ５か
らの基本光に対して透明であるような膜、たとえば、誘
電体多層膜を形成する。出射側端面２で２次高調波光の
一部をＱＰＭ分極反転構造１１に向けて反射させるよう
に構成するのは、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０内で生成され
る２次高調波光の一部を反射させ、さらにこの反射光か
ら基本光と同じ光に再生成し、この再生成した疑似位相
整合選択性逆進光を半導体レーザ５に帰還させるためで
ある。
端面２を、２次高調波光としての青色の光の一部をＱＰ
Ｍ分極反転構造１１に向けて反射し、半導体レーザ５か
らの基本光に対して透明であるような膜、たとえば、誘
電体多層膜を形成する。出射側端面２で２次高調波光の
一部をＱＰＭ分極反転構造１１に向けて反射させるよう
に構成するのは、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０内で生成され
る２次高調波光の一部を反射させ、さらにこの反射光か
ら基本光と同じ光に再生成し、この再生成した疑似位相
整合選択性逆進光を半導体レーザ５に帰還させるためで
ある。
【００２８】このようにして形成されたＱＰＭ−ＳＨＧ
素子１０の入射側端面１に、半導体レーザ５の表端面５
２を対向させて半導体レーザ５を光学的に接続して、光
デバイスを完成させる。
素子１０の入射側端面１に、半導体レーザ５の表端面５
２を対向させて半導体レーザ５を光学的に接続して、光
デバイスを完成させる。
【００２９】図２は、半導体レーザ５、および、ＱＰＭ
−ＳＨＧ素子１０における光の伝搬、変換、および、生
成を図解する図である。半導体レーザ５の表端面５２か
ら射出された疑似位相整合条件を満たす周波数ωの基本
光（赤色の光）Ｌ０がＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側
端面１に入射され、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０内において
非線形光学的相互作用Ａにより、基本光Ｌ０の２倍の周
波数２ω（半分の波長）の２次高調波光（青色の光）Ｌ
１が生成される。
−ＳＨＧ素子１０における光の伝搬、変換、および、生
成を図解する図である。半導体レーザ５の表端面５２か
ら射出された疑似位相整合条件を満たす周波数ωの基本
光（赤色の光）Ｌ０がＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側
端面１に入射され、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０内において
非線形光学的相互作用Ａにより、基本光Ｌ０の２倍の周
波数２ω（半分の波長）の２次高調波光（青色の光）Ｌ
１が生成される。
【００３０】このように生成された２次高調波光Ｌ１が
出射側端面２まで進むと、その一部の光が反射されて部
分２次高調波反射光（逆進光）Ｌ２としてＱＰＭ分極反
転構造１１に、基本光Ｌ０とは逆向きに入射する。ＱＰ
Ｍ分極反転構造１１に、２次高調波光Ｌ１とは逆向きに
入射された周波数２ωの部分２次高調波反射光（逆進
光）Ｌ２は、ＱＰＭ分極反転構造１１における非線形光
学的相互作用Ａとは逆の非線形光学的逆相互作用Ｂによ
り、そして、疑似位相整合がとられて基本光Ｌ０と同じ
周波数ωで、同じ位相の疑似位相整合選択性（再生成）
逆進光（赤色の光）Ｌ３に変換される。つまり、上述し
た非線形光学的相互作用ＡによってＱＰＭ分極反転構造
１１において周波数ωの基本光Ｌ０から周波数２ωの２
次高調波光Ｌ１が生成されたが、非線形光学的逆相互作
用Ｂは、部分２次高調波反射光（逆進光）Ｌ２が基本光
Ｌ０とは逆向きであるから非線形光学的相互作用Ａとは
逆作用であり、周波数２ωの部分２次高調波反射光（逆
進光）Ｌ２から周波数ωの疑似位相整合選択性逆進光Ｌ
３を再生成させる。
出射側端面２まで進むと、その一部の光が反射されて部
分２次高調波反射光（逆進光）Ｌ２としてＱＰＭ分極反
転構造１１に、基本光Ｌ０とは逆向きに入射する。ＱＰ
Ｍ分極反転構造１１に、２次高調波光Ｌ１とは逆向きに
入射された周波数２ωの部分２次高調波反射光（逆進
光）Ｌ２は、ＱＰＭ分極反転構造１１における非線形光
学的相互作用Ａとは逆の非線形光学的逆相互作用Ｂによ
り、そして、疑似位相整合がとられて基本光Ｌ０と同じ
周波数ωで、同じ位相の疑似位相整合選択性（再生成）
逆進光（赤色の光）Ｌ３に変換される。つまり、上述し
た非線形光学的相互作用ＡによってＱＰＭ分極反転構造
１１において周波数ωの基本光Ｌ０から周波数２ωの２
次高調波光Ｌ１が生成されたが、非線形光学的逆相互作
用Ｂは、部分２次高調波反射光（逆進光）Ｌ２が基本光
Ｌ０とは逆向きであるから非線形光学的相互作用Ａとは
逆作用であり、周波数２ωの部分２次高調波反射光（逆
進光）Ｌ２から周波数ωの疑似位相整合選択性逆進光Ｌ
３を再生成させる。
【００３１】この疑似位相整合選択性逆進光Ｌ３は半導
体レーザ５において発生される基本光Ｌ０と同じ波長
（周波数）および同じ位相を持つ。疑似位相整合選択性
逆進光Ｌ３がＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面１か
ら射出されて半導体レーザ５の表端面５２に入射され、
共振器として機能する半導体レーザ５内において、半導
体レーザ５自体で発生される基本光に加算される。この
加算された基本光Ｌ０が再びＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の
入射側端面１に入射され、上述した動作を反復する。
体レーザ５において発生される基本光Ｌ０と同じ波長
（周波数）および同じ位相を持つ。疑似位相整合選択性
逆進光Ｌ３がＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面１か
ら射出されて半導体レーザ５の表端面５２に入射され、
共振器として機能する半導体レーザ５内において、半導
体レーザ５自体で発生される基本光に加算される。この
加算された基本光Ｌ０が再びＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の
入射側端面１に入射され、上述した動作を反復する。
【００３２】このように、疑似位相整合条件を満たす半
導体レーザ５と、半導体レーザ５の表端面５２から射出
される基本光Ｌ０をＱＰＭ分極反転構造１１を有するＱ
ＰＭ−ＳＨＧ素子１０における非線形光学的相互作用Ａ
によって２次高調波光Ｌ１に変換するとともに、出射側
端面２において２次高調波光Ｌ１の一部を部分２次高調
波反射光（逆進光）Ｌ２として反射させ、この部分２次
高調波反射光（逆進光）Ｌ２をＱＰＭ分極反転構造１１
においてさらに非線形光学的逆相互作用Ｂによって基本
光Ｌ０と同じ波長を持つ疑似位相整合選択性逆進光Ｌ３
を再生成し、疑似位相整合を行う構造を有するＱＰＭ−
ＳＨＧ素子１０とを組み合わせることにより、疑似位相
整合条件を満たす波長の光が生成されたときのみ、その
基本光と同じ波長を持つ光を光学的に半導体レーザ５に
帰還させることになる。
導体レーザ５と、半導体レーザ５の表端面５２から射出
される基本光Ｌ０をＱＰＭ分極反転構造１１を有するＱ
ＰＭ−ＳＨＧ素子１０における非線形光学的相互作用Ａ
によって２次高調波光Ｌ１に変換するとともに、出射側
端面２において２次高調波光Ｌ１の一部を部分２次高調
波反射光（逆進光）Ｌ２として反射させ、この部分２次
高調波反射光（逆進光）Ｌ２をＱＰＭ分極反転構造１１
においてさらに非線形光学的逆相互作用Ｂによって基本
光Ｌ０と同じ波長を持つ疑似位相整合選択性逆進光Ｌ３
を再生成し、疑似位相整合を行う構造を有するＱＰＭ−
ＳＨＧ素子１０とを組み合わせることにより、疑似位相
整合条件を満たす波長の光が生成されたときのみ、その
基本光と同じ波長を持つ光を光学的に半導体レーザ５に
帰還させることになる。
【００３３】これにより、疑似位相整合条件を満たした
ときのみ、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０に入射される基本光
Ｌ０と同一の光をＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面
１から半導体レーザ５に射出することが可能となる。こ
のようにして生成された疑似位相整合選択性逆進光Ｌ
３、非線形光学的相互作用Ａおよび非線形光学的逆相互
作用Ｂの二段階の非線形光学的相互作用に起因してお
り、出射側端面２から射出される光出力は入射基本光の
３乗に比例する。後述するように、一般に、ｎ次の高調
波を生成・射出させる場合、光出力は（２ｎ−１）乗に
比例する。また、上記動作の結果として、半導体レーザ
５を疑似位相整合条件を満たす波長で選択的に発振させ
ることが可能になる。つまり、本発明の光デバイスによ
れば、簡単な構造で、高い効率の高調波を生成すること
ができる。しかも、疑似位相整合条件が満たされてお
り、その光出力は長期的に安定である。
ときのみ、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０に入射される基本光
Ｌ０と同一の光をＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面
１から半導体レーザ５に射出することが可能となる。こ
のようにして生成された疑似位相整合選択性逆進光Ｌ
３、非線形光学的相互作用Ａおよび非線形光学的逆相互
作用Ｂの二段階の非線形光学的相互作用に起因してお
り、出射側端面２から射出される光出力は入射基本光の
３乗に比例する。後述するように、一般に、ｎ次の高調
波を生成・射出させる場合、光出力は（２ｎ−１）乗に
比例する。また、上記動作の結果として、半導体レーザ
５を疑似位相整合条件を満たす波長で選択的に発振させ
ることが可能になる。つまり、本発明の光デバイスによ
れば、簡単な構造で、高い効率の高調波を生成すること
ができる。しかも、疑似位相整合条件が満たされてお
り、その光出力は長期的に安定である。
【００３４】図３は図１に示した光デバイスにおける、
半導体レーザ５から射出される疑似位相整合条件を満た
す基本光、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０において生成（発
生）される２次高調波光およびＱＰＭ分極反転構造１１
における光の波数関係を図解する図である。図３に示し
た記号を下記に示す。 表２ ｋω：基本光Ｌ０の波数ベクトル ｋΛ：ＱＰＭ分極反転構造１１において生成された２次
高調波光Ｌ１の波数ベクトルｋΛ（ｋΛ＝０も含む） −ｋ2 ω：出射側端面２における部分２次高調波反射光
（逆進光）Ｌ２の波数ベクトル −ｋω：再生成光逆進光（疑似位相整合選択性逆進光）
Ｌ３の波数ベクトル なお、記号ωは基本光の周波数（波長）を示し、記号２
ωはＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０内のＱＰＭ分極反転構造１
１における２次高調波光の周波数（波長）示す。
半導体レーザ５から射出される疑似位相整合条件を満た
す基本光、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０において生成（発
生）される２次高調波光およびＱＰＭ分極反転構造１１
における光の波数関係を図解する図である。図３に示し
た記号を下記に示す。 表２ ｋω：基本光Ｌ０の波数ベクトル ｋΛ：ＱＰＭ分極反転構造１１において生成された２次
高調波光Ｌ１の波数ベクトルｋΛ（ｋΛ＝０も含む） −ｋ2 ω：出射側端面２における部分２次高調波反射光
（逆進光）Ｌ２の波数ベクトル −ｋω：再生成光逆進光（疑似位相整合選択性逆進光）
Ｌ３の波数ベクトル なお、記号ωは基本光の周波数（波長）を示し、記号２
ωはＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０内のＱＰＭ分極反転構造１
１における２次高調波光の周波数（波長）示す。
【００３５】上述した作用は運動量保存則に従うから、
図３における波数ベクトルおよび周波数（波長）には下
記式１および式２に示す関係が成立する。
図３における波数ベクトルおよび周波数（波長）には下
記式１および式２に示す関係が成立する。
【００３６】
【数３】
【００３７】
【数４】
【００３８】また、図２における光出力の関係は下記式
に示される値になる。下記式において、矢印の向きは光
の進行する向きを示している。記号Ｐは光出力の大き
さ、記号Ｒは分極反転部３における反射係数を示す。
に示される値になる。下記式において、矢印の向きは光
の進行する向きを示している。記号Ｐは光出力の大き
さ、記号Ｒは分極反転部３における反射係数を示す。
【００３９】
【数５】
【００４０】つまり、式５は出射側端面２から射出され
る光の大きさ、式６は出射側端面２で反射される光の大
きさ、式７はＱＰＭ分極反転構造１１から半導体レーザ
５に向かう光の大きさを示す。
る光の大きさ、式６は出射側端面２で反射される光の大
きさ、式７はＱＰＭ分極反転構造１１から半導体レーザ
５に向かう光の大きさを示す。
【００４１】誘導放射する光源としては、図１を参照し
て述べた半導体レーザ５に限らず、ＳＬＤ、ガスレーザ
などの他の誘導放射形光源を用いることができる。これ
らの光源を用いた場合も、上記同様、疑似位相整合条件
を満たす波長で選択的に発振させることができる。ＳＬ
Ｄなど、半導体レーザ５以外の光源を用いる場合、ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面１を必ずしも無反射状
態にする必要がないことは前に述べた。
て述べた半導体レーザ５に限らず、ＳＬＤ、ガスレーザ
などの他の誘導放射形光源を用いることができる。これ
らの光源を用いた場合も、上記同様、疑似位相整合条件
を満たす波長で選択的に発振させることができる。ＳＬ
Ｄなど、半導体レーザ５以外の光源を用いる場合、ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面１を必ずしも無反射状
態にする必要がないことは前に述べた。
【００４２】また、本発明の光デバイスの実施に際して
は、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０のように疑似位相整合条件
を満たす非線形光学変換素子に限らず、他の非線形光学
変換素子を用いても疑似位相整合選択性逆進光をその非
線形光学変換素子において発生させることが可能であ
る。特に、変換効率の波長依存性が厳しいＫＴＰ、ＫＤ
Ｐなどの非線形光学変換素子における「角度位相整合作
用」を用い、このような非線形光学変換素子をレーザ光
源などの誘導放射形光源に接続することにより、変換効
率が最大になる波長で光デバイスを動作させることがで
きる。
は、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０のように疑似位相整合条件
を満たす非線形光学変換素子に限らず、他の非線形光学
変換素子を用いても疑似位相整合選択性逆進光をその非
線形光学変換素子において発生させることが可能であ
る。特に、変換効率の波長依存性が厳しいＫＴＰ、ＫＤ
Ｐなどの非線形光学変換素子における「角度位相整合作
用」を用い、このような非線形光学変換素子をレーザ光
源などの誘導放射形光源に接続することにより、変換効
率が最大になる波長で光デバイスを動作させることがで
きる。
【００４３】以上の実施例においては、半導体レーザ５
などの光源から射出される基本光として赤色の光、ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧ素子１０において、赤色の光の２次高調波
光、つまり、青色の光を射出する例を示したが、本発明
の実施に際しては、基本光は赤色の光に限らず、たとえ
ば、赤外線、あるいは、橙色の光を基本光としてもよ
い。つまり、半導体レーザ５などの光源としては、この
ような光を発生する光源を用いることもできる。
などの光源から射出される基本光として赤色の光、ＱＰ
Ｍ−ＳＨＧ素子１０において、赤色の光の２次高調波
光、つまり、青色の光を射出する例を示したが、本発明
の実施に際しては、基本光は赤色の光に限らず、たとえ
ば、赤外線、あるいは、橙色の光を基本光としてもよ
い。つまり、半導体レーザ５などの光源としては、この
ような光を発生する光源を用いることもできる。
【００４４】また本発明によれば、上述したように２次
高調波光を発生させるだけでなく、３次高調波光、４次
高調波光などの高調波を発生させることができる。図４
は、３次高調波光以上のｎ次の高調波光を発生させる場
合の波数ベクトルの関係を示す図である。図４におい
て、記号−ｋn ωは反射ｎ次高調波の波数ベクトルを示
す。その他の記号は表２に示したように、それぞれ、ｋ
ωは基本光Ｌ０の波数ベクトル、ｋΛはＱＰＭ分極反転
構造において生成された高調波光の波数ベクトルｋΛ
（ｋΛ＝０も含む）を示す。
高調波光を発生させるだけでなく、３次高調波光、４次
高調波光などの高調波を発生させることができる。図４
は、３次高調波光以上のｎ次の高調波光を発生させる場
合の波数ベクトルの関係を示す図である。図４におい
て、記号−ｋn ωは反射ｎ次高調波の波数ベクトルを示
す。その他の記号は表２に示したように、それぞれ、ｋ
ωは基本光Ｌ０の波数ベクトル、ｋΛはＱＰＭ分極反転
構造において生成された高調波光の波数ベクトルｋΛ
（ｋΛ＝０も含む）を示す。
【００４５】ｎ次の高調波を生成させる場合も、２次高
調波光を生成させる場合と同様に、ｎ次の分極反転構造
を持つ非線形光学変換素子、たとえば、ｎ次のＱＰＭ−
ＳＨＧ素子を用い、このＱＰＭ−ＳＨＧ素子の出射側端
面でＱＰＭ分極反転構造で生成された高調波光を一部選
択的に反射させ、その部分反射光を基本光と非線形光学
的に相互作用させて、高調波条件を満たしたときのみ基
本光と同一の再生成逆進光を発生させ、レーザ光源に帰
還させる。ｎ次の非線形光学変換素子を用いた場合、出
力光は基本光の（２ｎ−１）乗に比例する。
調波光を生成させる場合と同様に、ｎ次の分極反転構造
を持つ非線形光学変換素子、たとえば、ｎ次のＱＰＭ−
ＳＨＧ素子を用い、このＱＰＭ−ＳＨＧ素子の出射側端
面でＱＰＭ分極反転構造で生成された高調波光を一部選
択的に反射させ、その部分反射光を基本光と非線形光学
的に相互作用させて、高調波条件を満たしたときのみ基
本光と同一の再生成逆進光を発生させ、レーザ光源に帰
還させる。ｎ次の非線形光学変換素子を用いた場合、出
力光は基本光の（２ｎ−１）乗に比例する。
【００４６】ｎ次の高調波を発生させる場合も、非線形
光学変換素子としては、疑似位相整合条件を持つＱＰＭ
−ＳＨＧ素子などに限らず、上述したように、変換効率
の波長依存性が厳しいＫＴＰ、ＫＤＰなどの非線形光学
変換素子における「角度位相整合作用」を用い、このよ
うな非線形光学変換素子をレーザ光源などの誘導放射形
光源に接続することにより、変換効率が最大になる波長
で光デバイスを動作させることができる。
光学変換素子としては、疑似位相整合条件を持つＱＰＭ
−ＳＨＧ素子などに限らず、上述したように、変換効率
の波長依存性が厳しいＫＴＰ、ＫＤＰなどの非線形光学
変換素子における「角度位相整合作用」を用い、このよ
うな非線形光学変換素子をレーザ光源などの誘導放射形
光源に接続することにより、変換効率が最大になる波長
で光デバイスを動作させることができる。
【００４７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の光デバイス
は、上述した光源と非線形光学変換素子を組み合わせる
だけでよく、たとえば、回折格子、電気的な制御装置な
どを必要としないから、構成が簡単であり、小型、低価
格に製造できる。また本発明の光デバイスは、光源に厳
しい波長選択性を要求しない。さらに本発明の光デバイ
スは、半導体レーザなどのレーザの発振波長を安定化さ
せることができる。
は、上述した光源と非線形光学変換素子を組み合わせる
だけでよく、たとえば、回折格子、電気的な制御装置な
どを必要としないから、構成が簡単であり、小型、低価
格に製造できる。また本発明の光デバイスは、光源に厳
しい波長選択性を要求しない。さらに本発明の光デバイ
スは、半導体レーザなどのレーザの発振波長を安定化さ
せることができる。
【図１】本発明の光デバイスの実施例の構成斜視図であ
る。
る。
【図２】図１に示した光デバイスにおける光変換動作を
示す図である。
示す図である。
【図３】図１に示した光デバイスにおける光の波数関係
を図解する図である。
を図解する図である。
【図４】本発明の光デバイスの他の実施例の光の波数関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図５】従来の光デバイスにおける光の波数関係を示す
グラフである。
グラフである。
１・・ＱＰＭ−ＳＨＧ素子の入射側端面 ２・・ＱＰＭ−ＳＨＧ素子の出射側端面 ３・・分極反転部 ４・・光導波路 ５・・半導体レーザ ５１・・半導体レーザの裏端面 ５２・・半導体レーザの表端面 ６・・強誘電体結晶素子 １０・・ＱＰＭ−ＳＨＧ素子 １１・・ＱＰＭ分極反転構造 Ｌ０・・基本光 Ｌ１・・２次高調波光 Ｌ２・・部分２次高調波反射光（逆進光） Ｌ３・・疑似位相整合選択性（再生成）逆進光 Ａ・・非線形光学的相互作用 Ｂ・・非線形光学的逆相互作用
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年８月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】上述した作用は運動量保存則並びにエネル
ギー保存則に従うから、図５における波数ベクトルおよ
び周波数（波長）には下記式１および式２に示す関係が
成立する。
ギー保存則に従うから、図５における波数ベクトルおよ
び周波数（波長）には下記式１および式２に示す関係が
成立する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の光デバイスは、
電気的な制御装置などを用いず、所定の条件を満たす光
源と、特定の光学的特性を有する非線形光学変換素子
（光波長変換素子）とを組合せて、光学的方法のみによ
り、上述した目的を達成するものであり、特に、強誘電
体結晶などの非線形光学変換素子において実際に得よう
とする高調波が発生したときだけ基本光に対しても同等
に光源に対する光帰還率が高くなるように非線形光学変
換素子の出射端面を形成し、光源からの基本光に帰還を
かける構成にする。
電気的な制御装置などを用いず、所定の条件を満たす光
源と、特定の光学的特性を有する非線形光学変換素子
（光波長変換素子）とを組合せて、光学的方法のみによ
り、上述した目的を達成するものであり、特に、強誘電
体結晶などの非線形光学変換素子において実際に得よう
とする高調波が発生したときだけ基本光に対しても同等
に光源に対する光帰還率が高くなるように非線形光学変
換素子の出射端面を形成し、光源からの基本光に帰還を
かける構成にする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】したがって、本発明の光デバイスは、誘導
放射により疑似位相整合条件を満たす光を射出端面から
射出し得る光源と、所定の波長選択性を有する非線形光
学変換素子を組み合わせて構成される。非線形光学変換
素子は、光源からの出射光を受け入れる入射側端面と該
入射側端面に対向して設けられた出射側端面とを有し、
出射端面が非線形光学変換素子において生成される高調
波光の一部を入射側端面に向けて反射するように構成さ
れる。
放射により疑似位相整合条件を満たす光を射出端面から
射出し得る光源と、所定の波長選択性を有する非線形光
学変換素子を組み合わせて構成される。非線形光学変換
素子は、光源からの出射光を受け入れる入射側端面と該
入射側端面に対向して設けられた出射側端面とを有し、
出射端面が非線形光学変換素子において生成される高調
波光の一部を入射側端面に向けて反射するように構成さ
れる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】
【作用】非線形光学素子として、非線形光学的相互作用
とその逆作用を行う強誘電体結晶素子を用い、疑似位相
整合を行う分極反転構造を有する非線形光学素子を用い
た場合について例示する。たとえば、光源として半導体
レーザを用い、この半導体レーザから射出されたある周
波数（波長）ωを有する基本光が非線形光学変換素子に
入射され、非線形光学的相互作用により、たとえば、基
本光の半分の波長（２倍の周波数２ω）を持つ２次高調
波光が生成される。この２次高調波光が非線形光学変換
素子の出射側端面で一部が反射されると、上記非線形光
学的相互作用とは逆の非線形光学的相互作用によって、
入射された基本光と同じ周波数ωの光が再生成され、帰
還光として半導体レーザに入射される。この帰還光は半
導体レーザにおいて増幅されて再び非線形光学変換素子
に射出される。この動作が反復する。非線形光学素子の
分極反転構造と半導体レーザによって疑似位相整合条件
が満たされているので、基本光と２次高調波光との間に
位相不整合は生じない。３次以上の高調波についても上
記同様の動作となる。
とその逆作用を行う強誘電体結晶素子を用い、疑似位相
整合を行う分極反転構造を有する非線形光学素子を用い
た場合について例示する。たとえば、光源として半導体
レーザを用い、この半導体レーザから射出されたある周
波数（波長）ωを有する基本光が非線形光学変換素子に
入射され、非線形光学的相互作用により、たとえば、基
本光の半分の波長（２倍の周波数２ω）を持つ２次高調
波光が生成される。この２次高調波光が非線形光学変換
素子の出射側端面で一部が反射されると、上記非線形光
学的相互作用とは逆の非線形光学的相互作用によって、
入射された基本光と同じ周波数ωの光が再生成され、帰
還光として半導体レーザに入射される。この帰還光は半
導体レーザにおいて増幅されて再び非線形光学変換素子
に射出される。この動作が反復する。非線形光学素子の
分極反転構造と半導体レーザによって疑似位相整合条件
が満たされているので、基本光と２次高調波光との間に
位相不整合は生じない。３次以上の高調波についても上
記同様の動作となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】図１に図解した光デバイスの製造方法を述
べる。まず、強誘電体結晶素子６の上面に、プロトン拡
散などを施して、光導波路４および分極反転部３を形成
する。次いで、光源として半導体レーザ５を用いる場
合、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面１を、好適に
は半導体レーザ５からの射出される基本光に対して無反
射になるように形成する。さらに好適には、ＱＰＭ−Ｓ
ＨＧ素子１０（ＱＰＭ分極反転構造１１）において発生
（生成）された２次高調波光のうち、その一部が出射側
端面２で反射され、さらにＱＰＭ分極反転構造１１で基
本光と同じ波長に逆変換され、半導体レーザ５に帰還す
る基本光と同じ波長を有する光に対しても無反射状態に
する。レーザ光源として、半導体レーザ５を用いない場
合は、入射側端面１を必ずしも基本光に対して無反射状
態にする必要はない。
べる。まず、強誘電体結晶素子６の上面に、プロトン拡
散などを施して、光導波路４および分極反転部３を形成
する。次いで、光源として半導体レーザ５を用いる場
合、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面１を、好適に
は半導体レーザ５からの射出される基本光に対して無反
射になるように形成する。さらに好適には、ＱＰＭ−Ｓ
ＨＧ素子１０（ＱＰＭ分極反転構造１１）において発生
（生成）された２次高調波光のうち、その一部が出射側
端面２で反射され、さらにＱＰＭ分極反転構造１１で基
本光と同じ波長に逆変換され、半導体レーザ５に帰還す
る基本光と同じ波長を有する光に対しても無反射状態に
する。レーザ光源として、半導体レーザ５を用いない場
合は、入射側端面１を必ずしも基本光に対して無反射状
態にする必要はない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】さらに、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の出射側
端面２を、２次高調波光としての青色の光の一部をＱＰ
Ｍ分極反転構造１１に向けて反射し、半導体レーザ５か
らの基本光に対して低反射あるいは無反射であるような
膜、たとえば、誘電体多層膜を形成する。出射側端面２
で２次高調波光の一部をＱＰＭ分極反転構造１１に向け
て反射させるように構成するのは、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子
１０内で生成される２次高調波光の一部を反射させ、さ
らにこの反射光と基本光とから基本光と同じ波長を持ち
かつ基本光に対して逆進する光を再生成し、この再生成
した疑似位相整合選択性逆進光を半導体レーザ５に帰還
させるためである。
端面２を、２次高調波光としての青色の光の一部をＱＰ
Ｍ分極反転構造１１に向けて反射し、半導体レーザ５か
らの基本光に対して低反射あるいは無反射であるような
膜、たとえば、誘電体多層膜を形成する。出射側端面２
で２次高調波光の一部をＱＰＭ分極反転構造１１に向け
て反射させるように構成するのは、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子
１０内で生成される２次高調波光の一部を反射させ、さ
らにこの反射光と基本光とから基本光と同じ波長を持ち
かつ基本光に対して逆進する光を再生成し、この再生成
した疑似位相整合選択性逆進光を半導体レーザ５に帰還
させるためである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】このように生成された２次高調波光Ｌ１が
出射側端面２まで進むと、その一部の光が反射されて部
分２次高調波反射光（逆進光）Ｌ２としてＱＰＭ分極反
転構造１１に、基本光Ｌ０とは逆向きに入射する。ＱＰ
Ｍ分極反転構造１１に、２次高調波光Ｌ１とは逆向きに
入射された周波数２ωの部分２次高調波反射光（逆進
光）Ｌ２は、ＱＰＭ分極反転構造１１における非線形光
学的相互作用Ａとは逆の非線形光学的逆相互作用Ｂによ
り、２次高調波発生のための疑似位相整合条件を満たす
基本光Ｌ０と同じ周波数ωの疑似位相整合選択性（再生
成）逆進光（赤色の光）Ｌ３に変換される。つまり、上
述した非線形光学的相互作用ＡによってＱＰＭ分極反転
構造１１において周波数ωの基本光Ｌ０から周波数２ω
の２次高調波光Ｌ１が生成されたが、非線形光学的逆相
互作用Ｂは、部分２次高調波反射光（逆進光）Ｌ２が基
本光Ｌ０とは逆向きであるから非線形光学的相互作用Ａ
とは逆作用であり、周波数２ωの部分２次高調波反射光
（逆進光）Ｌ２から周波数ωの疑似位相整合選択性逆進
光Ｌ３を再生成させる。
出射側端面２まで進むと、その一部の光が反射されて部
分２次高調波反射光（逆進光）Ｌ２としてＱＰＭ分極反
転構造１１に、基本光Ｌ０とは逆向きに入射する。ＱＰ
Ｍ分極反転構造１１に、２次高調波光Ｌ１とは逆向きに
入射された周波数２ωの部分２次高調波反射光（逆進
光）Ｌ２は、ＱＰＭ分極反転構造１１における非線形光
学的相互作用Ａとは逆の非線形光学的逆相互作用Ｂによ
り、２次高調波発生のための疑似位相整合条件を満たす
基本光Ｌ０と同じ周波数ωの疑似位相整合選択性（再生
成）逆進光（赤色の光）Ｌ３に変換される。つまり、上
述した非線形光学的相互作用ＡによってＱＰＭ分極反転
構造１１において周波数ωの基本光Ｌ０から周波数２ω
の２次高調波光Ｌ１が生成されたが、非線形光学的逆相
互作用Ｂは、部分２次高調波反射光（逆進光）Ｌ２が基
本光Ｌ０とは逆向きであるから非線形光学的相互作用Ａ
とは逆作用であり、周波数２ωの部分２次高調波反射光
（逆進光）Ｌ２から周波数ωの疑似位相整合選択性逆進
光Ｌ３を再生成させる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】この疑似位相整合選択性逆進光Ｌ３は半導
体レーザ５において発生される基本光Ｌ０と同じ波長
（周波数）を持つ。疑似位相整合選択性逆進光Ｌ３がＱ
ＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面１から射出されて半
導体レーザ５の表端面５２に入射され、共振器として機
能する半導体レーザ５内において、半導体レーザ５自体
で発生される基本光に加算される。この加算された基本
光Ｌ０が再びＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面１に
入射され、上述した動作を反復する。
体レーザ５において発生される基本光Ｌ０と同じ波長
（周波数）を持つ。疑似位相整合選択性逆進光Ｌ３がＱ
ＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面１から射出されて半
導体レーザ５の表端面５２に入射され、共振器として機
能する半導体レーザ５内において、半導体レーザ５自体
で発生される基本光に加算される。この加算された基本
光Ｌ０が再びＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側端面１に
入射され、上述した動作を反復する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】このように、疑似位相整合条件を満たす波
長で選択的光帰還時にレーザ発振をし得るゲインを持つ
半導体レーザ５と、半導体レーザ５の表端面５２から射
出される基本光Ｌ０をＱＰＭ分極反転構造１１を有する
ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０における非線形光学的相互作用
Ａによって２次高調波光Ｌ１に変換するとともに、出射
側端面２において２次高調波光Ｌ１の一部を部分２次高
調波反射光（逆進光）Ｌ２として反射させ、この部分２
次高調波反射光（逆進光）Ｌ２をＱＰＭ分極反転構造１
１においてさらに非線形光学的逆相互作用Ｂによって基
本光Ｌ０と同じ波長を持つ疑似位相整合選択性逆進光Ｌ
３を再生成し、疑似位相整合を行う構造を有するＱＰＭ
−ＳＨＧ素子１０とを組み合わせることにより、疑似位
相整合条件を満たす波長の光が生成されたときのみ、そ
の基本光と同じ波長を持つ光を光学的に半導体レーザ５
に帰還させることになる。
長で選択的光帰還時にレーザ発振をし得るゲインを持つ
半導体レーザ５と、半導体レーザ５の表端面５２から射
出される基本光Ｌ０をＱＰＭ分極反転構造１１を有する
ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０における非線形光学的相互作用
Ａによって２次高調波光Ｌ１に変換するとともに、出射
側端面２において２次高調波光Ｌ１の一部を部分２次高
調波反射光（逆進光）Ｌ２として反射させ、この部分２
次高調波反射光（逆進光）Ｌ２をＱＰＭ分極反転構造１
１においてさらに非線形光学的逆相互作用Ｂによって基
本光Ｌ０と同じ波長を持つ疑似位相整合選択性逆進光Ｌ
３を再生成し、疑似位相整合を行う構造を有するＱＰＭ
−ＳＨＧ素子１０とを組み合わせることにより、疑似位
相整合条件を満たす波長の光が生成されたときのみ、そ
の基本光と同じ波長を持つ光を光学的に半導体レーザ５
に帰還させることになる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】これにより、疑似位相整合条件を満たした
ときのみ、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０に入射される基本光
Ｌ０と同一波長の光をＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側
端面１から半導体レーザ５に射出することが可能とな
る。このようにして生成された疑似位相整合選択性逆進
光Ｌ３は、非線形光学的相互作用Ａおよび非線形光学的
逆相互作用Ｂの二段階の非線形光学的相互作用に起因し
ており、出射側端面２から射出される光出力は入射基本
光の３乗に比例する。 後述するように、一般に、ｎ次
の高調波を生成・射出させる場合、光出力は（２ｎ−
１）乗に比例する。また、上記動作の結果として、半導
体レーザ５を疑似位相整合条件を満たす波長で選択的に
発振させることが可能になる。つまり、本発明の光デバ
イスによれば、光源の疑似位相整合条件は常に満たされ
ており、外部的な制御を伴わない簡単な構造で、高い効
率で高調波を生成することができる。しかも、その光出
力は長期的に安定である。
ときのみ、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０に入射される基本光
Ｌ０と同一波長の光をＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０の入射側
端面１から半導体レーザ５に射出することが可能とな
る。このようにして生成された疑似位相整合選択性逆進
光Ｌ３は、非線形光学的相互作用Ａおよび非線形光学的
逆相互作用Ｂの二段階の非線形光学的相互作用に起因し
ており、出射側端面２から射出される光出力は入射基本
光の３乗に比例する。 後述するように、一般に、ｎ次
の高調波を生成・射出させる場合、光出力は（２ｎ−
１）乗に比例する。また、上記動作の結果として、半導
体レーザ５を疑似位相整合条件を満たす波長で選択的に
発振させることが可能になる。つまり、本発明の光デバ
イスによれば、光源の疑似位相整合条件は常に満たされ
ており、外部的な制御を伴わない簡単な構造で、高い効
率で高調波を生成することができる。しかも、その光出
力は長期的に安定である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】図３は図１に示した光デバイスにおける、
半導体レーザ５から射出される疑似位相整合条件を満た
す基本光、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０において生成（発
生）される２次高調波光およびＱＰＭ分極反転構造１１
における光の波数関係を図解する図である。図３に示し
た記号を下記に示す。 表２ ｋω：基本光Ｌ０の波数ベクトル ｋΛ：ＱＰＭ分極反転構造１１の波数ベクトルｋΛ（ｋ
Λ＝０も含む） −ｋ2 ω：出射側端面２において部分的に反射された部
分２次高調波反射光（逆進光）Ｌ２の波数ベクトル −ｋω：再生成逆進光（疑似位相整合選択性逆進光）Ｌ
３の波数ベクトル なお、記号ωは基本光の周波数（波長）を示し、記号２
ωはＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０内のＱＰＭ分極反転構造１
１における２次高調波光の周波数（波長）示す。
半導体レーザ５から射出される疑似位相整合条件を満た
す基本光、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０において生成（発
生）される２次高調波光およびＱＰＭ分極反転構造１１
における光の波数関係を図解する図である。図３に示し
た記号を下記に示す。 表２ ｋω：基本光Ｌ０の波数ベクトル ｋΛ：ＱＰＭ分極反転構造１１の波数ベクトルｋΛ（ｋ
Λ＝０も含む） −ｋ2 ω：出射側端面２において部分的に反射された部
分２次高調波反射光（逆進光）Ｌ２の波数ベクトル −ｋω：再生成逆進光（疑似位相整合選択性逆進光）Ｌ
３の波数ベクトル なお、記号ωは基本光の周波数（波長）を示し、記号２
ωはＱＰＭ−ＳＨＧ素子１０内のＱＰＭ分極反転構造１
１における２次高調波光の周波数（波長）示す。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】
【数５】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】つまり、式５は分極反転部通過後の２次高
調波光の光出力、式６は出射側端面２で反射された２次
高調波の光出力、式７はＱＰＭ分極反転構造１１から半
導体レーザ５に向かう再生成逆進光の光出力を示す。
調波光の光出力、式６は出射側端面２で反射された２次
高調波の光出力、式７はＱＰＭ分極反転構造１１から半
導体レーザ５に向かう再生成逆進光の光出力を示す。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】また本発明によれば、上述したように２次
高調波光を発生させるだけでなく、３次高調波光、４次
高調波光などの高調波を発生させることができる。図４
は、３次高調波光以上のｎ次の高調波光を発生させる場
合の波数ベクトルの関係を示す図である。図４におい
て、記号−ｋn ωは反射ｎ次高調波の波数ベクトルを示
す。その他の記号は表２に示したように、それぞれ、ｋ
ωは基本光Ｌ０の波数ベクトル、ｋΛはＱＰＭ分極反転
構造の波数ベクトルｋΛ（ｋΛ＝０も含む）を示す。
高調波光を発生させるだけでなく、３次高調波光、４次
高調波光などの高調波を発生させることができる。図４
は、３次高調波光以上のｎ次の高調波光を発生させる場
合の波数ベクトルの関係を示す図である。図４におい
て、記号−ｋn ωは反射ｎ次高調波の波数ベクトルを示
す。その他の記号は表２に示したように、それぞれ、ｋ
ωは基本光Ｌ０の波数ベクトル、ｋΛはＱＰＭ分極反転
構造の波数ベクトルｋΛ（ｋΛ＝０も含む）を示す。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４５】ｎ次の高調波を生成させる場合も、２次高
調波光を生成させる場合と同様に、分極反転構造を持つ
非線形光学変換素子、たとえば、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子を
用い、このＱＰＭ−ＳＨＧ素子の出射側端面でＱＰＭ分
極反転構造で生成された高調波光を一部選択的に反射さ
せ、その部分反射光を基本光と非線形光学的に相互作用
させて、高調波条件を満たしたときのみ基本光と同一の
再生成逆進光を発生させ、レーザ光源に帰還させる。ｎ
次の高調波発生を用いた場合、帰還光の出力光は基本光
の（２ｎ−１）乗に比例する。
調波光を生成させる場合と同様に、分極反転構造を持つ
非線形光学変換素子、たとえば、ＱＰＭ−ＳＨＧ素子を
用い、このＱＰＭ−ＳＨＧ素子の出射側端面でＱＰＭ分
極反転構造で生成された高調波光を一部選択的に反射さ
せ、その部分反射光を基本光と非線形光学的に相互作用
させて、高調波条件を満たしたときのみ基本光と同一の
再生成逆進光を発生させ、レーザ光源に帰還させる。ｎ
次の高調波発生を用いた場合、帰還光の出力光は基本光
の（２ｎ−１）乗に比例する。
Claims (5)
- 【請求項１】疑似位相整合条件を満たし、誘導放射によ
る所定の波長の光を射出端面から射出する光源と、 該光源と光学的に接続され、所定の波長選択性を有し、
該光源からの出射光を受け入れる入射側端面と該入射側
端面に対向して設けられた出射側端面とを有し、前記入
射側端面に入射した光を所定の高調波に変換する非線形
光学変換素子であって、前記出射端面が前記高調波光の
一部を前記入射側端面に向けて反射するように形成され
た非線形光学変換素子とを有する光デバイス。 - 【請求項２】前記光源は半導体レーザであり、 前記非線形光学素子の入射側端面を前記光源から射出さ
れる光および前記非線形光学変換素子から射出される光
を無反射状態に形成した、請求項１記載の光デバイス。 - 【請求項３】前記非線形光学素子は、非線形光学的相互
作用およびその逆作用を行う強誘電体結晶で構成され、
この強誘電体結晶の面に疑似位相整合を行う分極反転構
造を有する光導波路を設けた、請求項１または２記載の
光デバイス。 - 【請求項４】前記非線形光学変換素子が変換効率に波長
依存性を有する非線形光学変換素子である、請求項１ま
たは２記載の光デバイス。 - 【請求項５】前記非線形光学素子が、前記高調波として
２次高調波を生成する素子である、請求項３または４記
載の光デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03902693A JP3399002B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03902693A JP3399002B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 光デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06250242A true JPH06250242A (ja) | 1994-09-09 |
| JP3399002B2 JP3399002B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=12541602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03902693A Expired - Fee Related JP3399002B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3399002B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012177945A (ja) * | 2007-07-31 | 2012-09-13 | Nanjing Cq Laser Technologies Ltd | 広帯域光源装置 |
| WO2013069179A1 (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-16 | 富士電機株式会社 | 光源装置及び波長変換方法 |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP03902693A patent/JP3399002B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012177945A (ja) * | 2007-07-31 | 2012-09-13 | Nanjing Cq Laser Technologies Ltd | 広帯域光源装置 |
| WO2013069179A1 (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-16 | 富士電機株式会社 | 光源装置及び波長変換方法 |
| JP2013104889A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | Fuji Electric Co Ltd | 光源装置及び波長変換方法 |
| US9417503B2 (en) | 2011-11-10 | 2016-08-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Light source device and wavelength conversion method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3399002B2 (ja) | 2003-04-21 |
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