JPH06249906A - Dummy chip for test of terminal connection - Google Patents
Dummy chip for test of terminal connectionInfo
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
におけるパッケージングプロセスの最適化を図るために
使用される端子接続試験用のダミーチップに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dummy chip for a terminal connection test used for optimizing a packaging process in a semiconductor device manufacturing process.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体チップの基板上に形成された複数の電極パッドにリー
ド端子を接合するボンディングを行い、さらに必要に応
じて半導体チップ及びリード端子を樹脂封止するモール
ディングを行う。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor device, bonding is performed by bonding lead terminals to a plurality of electrode pads formed on a substrate of a semiconductor chip, and if necessary, the semiconductor chip and the lead terminals are resin-sealed. Do molding.
【0003】このようなボンディングやモールディング
等のパッケージングにおけるプロセス条件の最適化を図
るために、従来から、ダミーチップを用いて電極パッド
とリード端子との電気的な接続性を試験していた。この
端子接続試験用のダミーチップは、例えば図9に示すよ
うに、半導体基板1の各辺上において隣接した電極パッ
ド2を短絡パターン3によって接続したものである。In order to optimize the process conditions in packaging such as bonding and molding, a dummy chip has been used to test the electrical connectivity between the electrode pad and the lead terminal. The dummy chip for the terminal connection test is, for example, as shown in FIG. 9, one in which adjacent electrode pads 2 on each side of the semiconductor substrate 1 are connected by a short circuit pattern 3.
【0004】端子接続試験の過程においては、ダミーチ
ップの半導体基板1上の電極パッド2にリード端子5を
信号引き出し用介在部4(例えばボンディングワイヤー
やTABインナーリード等)によって接合するボンディ
ングを行い、さらに封止樹脂6によるモールディングを
行った後、半導体基板1上の電極パッド2とリード端子
5との電気的な接続性を評価するために、まず、短絡パ
ターン3により接続された任意の短絡ペアのリード端子
5間の導通を順次確認することによって開放不良の検査
を行い、さらに、任意の短絡ペアのリード端子5と残り
のリード端子5との間にリーク電流が流れないことを順
次確認して短絡不良の検査を行っていた。In the process of the terminal connection test, the lead pads 5 are bonded to the electrode pads 2 on the semiconductor substrate 1 of the dummy chip by the signal lead-out intervening portions 4 (for example, bonding wires or TAB inner leads). Further, after performing molding with the sealing resin 6, in order to evaluate the electrical connectivity between the electrode pad 2 on the semiconductor substrate 1 and the lead terminal 5, first, an arbitrary short-circuit pair connected by the short-circuit pattern 3 is connected. The open defect is inspected by sequentially confirming the continuity between the lead terminals 5 and further confirming that the leak current does not flow between the lead terminals 5 of any short-circuit pair and the remaining lead terminals 5. I was inspecting for short circuits.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ボンディン
グやモールディング等のパッケージングプロセスにおい
て、導電性異物の付着、電極パッドと信号引き出し用介
在部との間或いはリード端子間の位置ずれ、信号引き出
し用介在部の変形、水分やイオン等の侵入、ウィスカー
成長、等により引き起こされる短絡不良のほとんどは、
隣接した端子或いはその近傍の端子間で発生する。By the way, in a packaging process such as bonding or molding, adhesion of conductive foreign matter, misalignment between the electrode pad and the signal lead-out intervening portion or between the lead terminals, and signal lead-out intervening. Most of the short circuit defects caused by deformation of parts, penetration of moisture and ions, growth of whiskers, etc.
It occurs between adjacent terminals or terminals in the vicinity thereof.
【0006】しかしながら、上述したような従来のダミ
ーチップでは、短絡パターン3により接続された短絡ペ
アのリード端子5間の導通を順次確認することによっ
て、全ての端子の開放不良は完全に検出できるが、隣接
した電極パッド2は予め短絡パターン3により接続され
ているので、これら隣接端子間での短絡不良は検出する
ことができないという問題があった。However, in the conventional dummy chip as described above, open defects of all terminals can be completely detected by sequentially confirming the continuity between the lead terminals 5 of the short-circuited pairs connected by the short-circuit pattern 3. Since the adjacent electrode pads 2 are connected in advance by the short-circuit pattern 3, there is a problem that a short-circuit defect between these adjacent terminals cannot be detected.
【0007】なお、半導体装置の高集積化に伴い電極パ
ッドの狭ピッチ化が進むにつれ、パッケージングにおけ
る上記短絡不良の発生割合は顕著に増加する傾向にあ
り、これを完全に検出することは極めて重要になってい
る。As the pitch of the electrode pads becomes narrower as the semiconductor device becomes highly integrated, the rate of occurrence of the above-mentioned short circuit defect in the packaging tends to remarkably increase, and it is extremely difficult to completely detect this. Has become important.
【0008】そこで本発明は、上記事情に鑑みてなされ
たものであり、半導体装置のパッケージングプロセスの
検証において、端子の開放不良は勿論のこと、隣接端子
間の短絡不良についても完全な検出が可能な端子接続試
験用のダミーチップを提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been made in view of the above circumstances, and in verification of a packaging process of a semiconductor device, it is possible to completely detect not only a defective opening of a terminal but also a defective short circuit between adjacent terminals. It is intended to provide a dummy chip for a possible terminal connection test.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、半導体基板上に複数の電極パッドを有
し、これら電極パッドに接合したリード端子の電気的な
接続性を試験するための端子接続試験用のダミーチップ
において、前記半導体基板上で、隣接しない一対の電極
パッド間にそれぞれ配線されかつ互いに交差しない複数
の短絡パターンを有するものである。In order to solve the above problems, the present invention has a plurality of electrode pads on a semiconductor substrate and tests the electrical connectivity of lead terminals bonded to these electrode pads. A dummy chip for a terminal connection test is provided with a plurality of short-circuit patterns which are respectively wired between a pair of non-adjacent electrode pads on the semiconductor substrate and do not intersect each other.
【0010】[0010]
【作用】上記のように構成された本発明によれば、ダミ
ーチップにリード端子のボンディングや封止樹脂による
モールディング等のパッケージングを施した後、開放不
良については、短絡パターンにより接続された任意の短
絡ペアの片方のリード端子から他方のリード端子へ電流
が流れるかどうかを順次確認することによって、従来技
術と同様に検出が可能である。また、短絡不良について
は、任意の一組の短絡ペアのリード端子間に所定の電圧
を印加し、それ以外の全てのリード端子をグランド電位
或いは他の基準電位に固定して電流の漏れを順次確認す
ることによって、検出が可能である。即ち、短絡パター
ンにより短絡された一対の電極パッドどうしは隣接して
いないので、全ての隣接端子間の短絡不良を完全に検出
することが可能となる。According to the present invention constructed as described above, after the dummy chip is packaged such as the bonding of the lead terminal and the molding with the molding resin, the open defect is not connected to the arbitrary pattern by the short circuit pattern. By sequentially checking whether or not a current flows from one lead terminal of the short-circuited pair to the other lead terminal, it is possible to detect like the prior art. For short-circuit failure, apply a predetermined voltage between the lead terminals of any one set of short-circuit pairs and fix all other lead terminals to the ground potential or another reference potential to sequentially leak current. It can be detected by checking. That is, since the pair of electrode pads short-circuited by the short-circuit pattern are not adjacent to each other, it is possible to completely detect the short-circuit failure between all the adjacent terminals.
【0011】[0011]
【実施例】以下、本発明による端子接続試験用のダミー
チップの実施例を図1〜図8を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a dummy chip for a terminal connection test according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0012】まず、図1及び図2は第1実施例を示すも
のであり、図1は正方形状をなすダミーチップの例で、
図2は図1のダミーチップにQFP型パッケージングを
施した例である。図1に示すように、半導体基板1の隣
合う辺について、互いの辺上の電極パッド2をそれぞれ
半導体基板1の対角線のうちの一本と平行になるような
複数の短絡パターン11により配線し、隣接しない電極
パッド2の短絡ペアを互いに交差しない複数の配線で半
導体基板1上に形成したものである。First, FIGS. 1 and 2 show a first embodiment. FIG. 1 shows an example of a dummy chip having a square shape.
FIG. 2 shows an example in which the QFP type packaging is applied to the dummy chip of FIG. As shown in FIG. 1, with respect to the adjacent sides of the semiconductor substrate 1, the electrode pads 2 on the respective sides are wired by a plurality of short-circuit patterns 11 that are parallel to one of the diagonal lines of the semiconductor substrate 1. A short-circuited pair of non-adjacent electrode pads 2 is formed on the semiconductor substrate 1 by a plurality of wirings that do not intersect each other.
【0013】半導体基板1及び電極パッド2の材質や寸
法等は、生産を意図している実際の半導体装置と同じも
のを採用する。短絡パターン11は例えばアルミニウム
配線等を用いるが、短絡パターン11の配線材料も電極
パッド2と同じ材料を使用すれば、1回の真空蒸着或い
はスパッタリング等のメタライズ処理で形成可能とな
る。なお、短絡パターン11が配線されない電極パッド
2の余りができないように、適宜、電極パッド2及びリ
ード端子を追加することが望ましい。The materials and dimensions of the semiconductor substrate 1 and the electrode pads 2 are the same as those of the actual semiconductor device intended for production. The short-circuit pattern 11 uses, for example, aluminum wiring, but if the wiring material of the short-circuit pattern 11 is the same as that of the electrode pad 2, it can be formed by a single metallizing process such as vacuum deposition or sputtering. In addition, it is desirable to appropriately add the electrode pad 2 and the lead terminal so that the electrode pad 2 on which the short circuit pattern 11 is not wired cannot be left over.
【0014】上記のように構成されたダミーチップを用
い、図2に示すように、半導体基板1上の電極パッド2
にリード端子5を信号引き出し用介在部4(例えばボン
ディングワイヤーやTABインナーリード等)によって
接合するボンディングを行い、さらに封止樹脂6等によ
るモールディングを行って、実際の半導体装置と同様な
パッケージングを施す。Using the dummy chip configured as described above, as shown in FIG. 2, the electrode pad 2 on the semiconductor substrate 1 is formed.
Then, the lead terminal 5 is bonded by the signal lead-out intervening portion 4 (for example, a bonding wire or a TAB inner lead), and further, molding is performed by the sealing resin 6 or the like, and packaging similar to an actual semiconductor device is performed. Give.
【0015】この後、端子接続試験を行うが、開放不良
については、短絡パターン11により接続された任意の
短絡ペアの片方のリード端子5から他方のリード端子5
へ電流が流れるかどうかを順次確認することによって、
従来技術と同様に検出が可能である。また、短絡不良に
ついては、任意の一組の短絡ペアのリード端子5間に所
定の電圧を印加し、それ以外の全てのリード端子5をグ
ランド電位或いは他の基準電位に固定して電位差を生じ
させ電流の漏れを順次確認することによって、検出が可
能である。即ち、短絡パターン11により短絡された一
対の電極パッド2どうしは隣接していないので、全ての
隣接端子間の短絡不良を完全に検出することが可能とな
る。After that, a terminal connection test is carried out. Regarding the open failure, one lead terminal 5 to the other lead terminal 5 of an arbitrary short-circuit pair connected by the short-circuit pattern 11 is connected.
By checking sequentially whether the current flows to
Detection is possible as in the prior art. For short-circuit failure, a predetermined voltage is applied between the lead terminals 5 of any one set of short-circuit pairs, and all the other lead terminals 5 are fixed to the ground potential or another reference potential to generate a potential difference. Then, the leakage can be detected by sequentially checking the leakage of current. That is, since the pair of electrode pads 2 short-circuited by the short-circuit pattern 11 are not adjacent to each other, it is possible to completely detect a short-circuit defect between all adjacent terminals.
【0016】次に、図3は第2実施例を示すものであ
り、長方形状をなすQFP型のダミーチップ、即ち半導
体基板1の長辺と短辺とにおける電極パッド2の数が異
なる場合の例である。半導体基板1の隣合う長辺と短辺
との電極パッド2間で短絡パターン11を平行状に形成
し、対向する長辺上に残った電極パッド2間で短絡パタ
ーン12を平行状に形成している。これにより、長辺と
短辺とにおける電極パッド2の数が異なっていても、隣
接しない一対の電極パッド2どうしを短絡パターン11
及び12によって接続することが可能である。Next, FIG. 3 shows a second embodiment, in the case where the rectangular QFP type dummy chip, that is, the number of electrode pads 2 on the long side and the short side of the semiconductor substrate 1 is different. Here is an example. The short circuit pattern 11 is formed in parallel between the electrode pads 2 on the long side and the short side adjacent to the semiconductor substrate 1, and the short circuit pattern 12 is formed in parallel between the electrode pads 2 remaining on the opposite long sides. ing. As a result, even if the number of electrode pads 2 on the long side differs from the number of electrode pads 2 on the short side, the pair of short-circuit patterns 11 that are not adjacent to each other are short-circuited.
And 12 can be connected.
【0017】なお、上記第1及び第2実施例によれば、
複数の短絡パターン11及び12が全てほぼ平行になる
ので、特に短絡パターン11及び12の設計及び形成が
極めて容易になる。According to the first and second embodiments described above,
Since the plurality of short-circuit patterns 11 and 12 are all substantially parallel, the design and formation of the short-circuit patterns 11 and 12 are extremely easy.
【0018】次に、図4は第3実施例を示すものであ
り、正方形状をなすQFP型のダミーチップの例であ
る。半導体基板1の各辺上の電極パッド2の略半分ずつ
を、隣合う辺上の電極パッド2に平行状の短絡パターン
11によって接続している。Next, FIG. 4 shows a third embodiment, which is an example of a square QFP type dummy chip. Approximately half of the electrode pads 2 on each side of the semiconductor substrate 1 are connected to the electrode pads 2 on adjacent sides by a parallel short circuit pattern 11.
【0019】次に、図5は第4実施例を示すものであ
り、長方形状をなすQFP型のダミーチップの例であ
る。半導体基板1の短辺上の電極パッド2の略半分ずつ
を、隣合う長辺上の電極パッド2に平行状の短絡パター
ン11によって接続し、対向する長辺上に残った電極パ
ッド2どうしを、平行状の短絡パターン12によって接
続したものである。Next, FIG. 5 shows a fourth embodiment, which is an example of a rectangular QFP type dummy chip. Approximately half each of the electrode pads 2 on the short side of the semiconductor substrate 1 is connected to the electrode pads 2 on the adjacent long sides by a parallel short-circuit pattern 11, and the electrode pads 2 remaining on the opposite long sides are connected to each other. , Are connected by parallel short-circuit patterns 12.
【0020】なお、上記第3及び第4実施例によれば、
複数の短絡パターン11及び12の距離を極力短くする
ことができる。According to the third and fourth embodiments described above,
The distance between the plurality of short-circuit patterns 11 and 12 can be made as short as possible.
【0021】次に、図6は第5実施例を示すものであ
り、DIP型のダミーチップ、即ち半導体基板1の一組
の対向する辺上に電極パッド2が形成されている場合の
例である。この場合には、対向する辺上の電極パッド2
間を平行状の短絡パターン12により接続することによ
って、半導体基板1が正方形状或いは長方形状のいずれ
であっても、隣接しない一対の電極パッド2どうしを簡
単に接続することができる。Next, FIG. 6 shows a fifth embodiment, which is an example in which the electrode pads 2 are formed on a pair of opposite sides of a DIP type dummy chip, that is, the semiconductor substrate 1. is there. In this case, the electrode pads 2 on the opposite sides
By connecting the parallel short-circuit patterns 12 to each other, the pair of electrode pads 2 which are not adjacent to each other can be easily connected to each other regardless of whether the semiconductor substrate 1 is square or rectangular.
【0022】次に、図7は第6実施例を示すものであ
り、SIP型のダミーチップ、即ち半導体基板1の一辺
上のみに電極パッド2が形成されている場合の例であ
る。隣接しない電極パッド2どうしを半導体基板1上の
内側部分で複数の短絡パターン13によって接続する。
なお、少なくとも一組の電極パッド2は半導体基板1の
外縁部分で短絡パターン14によって接続することにな
るが、この短絡パターン14部分は、その間の電極パッ
ド2に接合されるリード端子に対して絶縁を施せばよ
く、或いは交差する短絡パターン13に対して絶縁を施
せば、半導体基板1の内側部分に配線してもよい。Next, FIG. 7 shows a sixth embodiment, which is an example in which the SIP type dummy chip, that is, the electrode pad 2 is formed only on one side of the semiconductor substrate 1. The electrode pads 2 which are not adjacent to each other are connected to each other by a plurality of short-circuit patterns 13 in the inner portion of the semiconductor substrate 1.
At least one set of electrode pads 2 is connected by the short-circuit pattern 14 at the outer edge portion of the semiconductor substrate 1. This short-circuit pattern 14 portion is insulated from the lead terminals joined to the electrode pads 2 between them. May be provided, or if the short-circuit pattern 13 that intersects is insulated, wiring may be provided inside the semiconductor substrate 1.
【0023】次に、図8は第7実施例を示すものであ
り、上記と同様なSIP型のダミーチップにおいて、隣
接しない電極パッド2どうしを半導体基板1上の内側部
分及び外縁部分で、複数の短絡パターン13及び短絡パ
ターン14によって交互に接続する。特にこの例によれ
ば、複数の短絡パターン13及び14の距離を極力短く
することができる。Next, FIG. 8 shows a seventh embodiment. In the same SIP type dummy chip as described above, a plurality of electrode pads 2 which are not adjacent to each other are formed in the inner portion and the outer edge portion on the semiconductor substrate 1. The short circuit patterns 13 and 14 are alternately connected. Particularly, according to this example, the distance between the plurality of short-circuit patterns 13 and 14 can be made as short as possible.
【0024】以上、本発明の実施例に付き説明したが、
本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明の技
術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が可能
である。例えば、短絡パターンは実施例以外にも様々な
変形が可能であり、さらに各種の短絡パターンを任意に
組み合わせてもよい。The embodiments of the present invention have been described above.
The present invention is not limited to the above embodiments, and various effective modifications and applications are possible based on the technical idea of the present invention. For example, the short-circuit pattern can be variously modified in addition to the embodiment, and various short-circuit patterns may be arbitrarily combined.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体基板上で隣接しない一対の電極パッドをそれぞれ
互いに交差しない複数の短絡パターンにより配線するこ
とによって、ボンディングやモールディング等のパッケ
ージングプロセスの検証において、全ての端子の開放不
良は勿論のこと、全ての隣接端子間の短絡不良も完全に
検出することが可能となる。従って、上記パッケージン
グプロセスの検証を極めて高精度に行うことが可能とな
り、半導体装置の高集積化等をより一層促進することが
できる。As described above, according to the present invention,
By wiring a pair of non-adjacent electrode pads on the semiconductor substrate with a plurality of short-circuit patterns that do not intersect with each other, in the verification of the packaging process such as bonding and molding, not to mention all open defects of all terminals, It is possible to completely detect a short circuit defect between adjacent terminals. Therefore, the verification of the packaging process can be performed with extremely high accuracy, and the high integration of the semiconductor device can be further promoted.
【0026】なお、隣接しない一対の電極パッド、特に
一つの辺上の電極パッドと他の辺上の電極パッドとを短
絡パターンにより接続すると、短絡ペアのリード端子を
充分に離間させることができるので、試験過程において
短絡ペアのリード端子間での不測な接触を未然に防止す
ることが可能となる。If a pair of electrode pads that are not adjacent to each other, particularly an electrode pad on one side and an electrode pad on another side, are connected by a short circuit pattern, the lead terminals of the short circuit pair can be sufficiently separated. In the test process, it is possible to prevent accidental contact between the lead terminals of the short-circuited pair.
【図1】本発明の第1実施例によるダミーチップの斜視
図である。FIG. 1 is a perspective view of a dummy chip according to a first exemplary embodiment of the present invention.
【図2】上記第1実施例のダミーチップをパッケージン
グした状態の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a packaged dummy chip of the first embodiment.
【図3】本発明の第2実施例によるダミーチップの斜視
図である。FIG. 3 is a perspective view of a dummy chip according to a second exemplary embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第3実施例によるダミーチップの斜視
図である。FIG. 4 is a perspective view of a dummy chip according to a third exemplary embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第4実施例によるダミーチップの斜視
図である。FIG. 5 is a perspective view of a dummy chip according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第5実施例によるダミーチップの斜視
図である。FIG. 6 is a perspective view of a dummy chip according to a fifth embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第6実施例によるダミーチップの要部
平面図である。FIG. 7 is a plan view of a main part of a dummy chip according to a sixth embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第7実施例によるダミーチップの要部
平面図である。FIG. 8 is a plan view of a main portion of a dummy chip according to a seventh embodiment of the present invention.
【図9】従来のダミーチップの斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of a conventional dummy chip.
1 半導体基板 2 電極パッド 4 信号引き出し用介在部 5 リード端子 6 封止樹脂 11、12、13、14 短絡パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor substrate 2 Electrode pad 4 Interposition part for signal extraction 5 Lead terminal 6 Sealing resin 11, 12, 13, 14 Short-circuit pattern
Claims (5)
し、これら電極パッドに接合したリード端子の電気的な
接続性を試験するための端子接続試験用のダミーチップ
において、 前記半導体基板上で、隣接しない一対の電極パッド間に
それぞれ配線されかつ互いに交差しない複数の短絡パタ
ーンを有することを特徴とする端子接続試験用のダミー
チップ。1. A dummy chip for terminal connection test, comprising a plurality of electrode pads on a semiconductor substrate, for testing the electrical connectivity of lead terminals joined to these electrode pads. A dummy chip for a terminal connection test, which has a plurality of short-circuit patterns which are respectively wired between a pair of non-adjacent electrode pads and do not intersect each other.
基板の隣合う辺上の電極パッド間で平行状に形成されて
いることを特徴とする請求項1記載の端子接続試験用の
ダミーチップ。2. The dummy chip for a terminal connection test according to claim 1, wherein the plurality of short-circuit patterns are formed in parallel between electrode pads on adjacent sides of the semiconductor substrate.
基板の対向する辺上の電極パッド間で平行状に形成され
ていることを特徴とする請求項1記載の端子接続試験用
のダミーチップ。3. The dummy chip for a terminal connection test according to claim 1, wherein the plurality of short-circuit patterns are formed in parallel between electrode pads on opposite sides of the semiconductor substrate.
基板の隣合う辺上の電極パッド間及び対向する辺上の電
極パッド間で平行状に形成されていることを特徴とする
請求項1記載の端子接続試験用のダミーチップ。4. The plurality of short-circuit patterns are formed in parallel between electrode pads on adjacent sides of the semiconductor substrate and between electrode pads on opposite sides of the semiconductor substrate. Dummy chip for terminal connection test.
基板の一つの辺上の電極パッド間で形成されていること
を特徴とする請求項1記載の端子接続試験用のダミーチ
ップ。5. The dummy chip for a terminal connection test according to claim 1, wherein the plurality of short circuit patterns are formed between electrode pads on one side of the semiconductor substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5062965A JPH06249906A (en) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Dummy chip for test of terminal connection |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5062965A JPH06249906A (en) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Dummy chip for test of terminal connection |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06249906A true JPH06249906A (en) | 1994-09-09 |
Family
ID=13215560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5062965A Withdrawn JPH06249906A (en) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Dummy chip for test of terminal connection |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06249906A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004038435A1 (en) * | 2002-10-22 | 2004-05-06 | Sony Chemicals Corp. | Wiring board inspection device, and wiring board inspection method |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP5062965A patent/JPH06249906A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004038435A1 (en) * | 2002-10-22 | 2004-05-06 | Sony Chemicals Corp. | Wiring board inspection device, and wiring board inspection method |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000509 |