JPH06244609A - 静磁波ｓ／ｎエンハンサ - Google Patents
静磁波ｓ／ｎエンハンサInfo
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- JPH06244609A JPH06244609A JP5051270A JP5127093A JPH06244609A JP H06244609 A JPH06244609 A JP H06244609A JP 5051270 A JP5051270 A JP 5051270A JP 5127093 A JP5127093 A JP 5127093A JP H06244609 A JPH06244609 A JP H06244609A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 線形動作領域での減衰量を大きくたもちつ
つ、装置の小型軽量化を図った静磁波Ｓ／Ｎエンハンサ
を得る。 【構成】 マイクロストリップ線路１３上に磁性薄膜５
を配置し、該磁性薄膜面内に外部磁界Ｈexを印加し、前
記マイクロストリップ線路１３の入力端に入力された電
磁波の一部が静磁波に変換吸収され、一部が変換されず
に前記マイクロストリップ線路１３の出力端に伝送され
るようにした場合、前記マイクロストリップ線路１３を
メアンダライン構造とし、当該マイクロストリップ線路
１３の平行電極部１４相互間の一部に静磁波吸収体６を
配設した構成である。
つ、装置の小型軽量化を図った静磁波Ｓ／Ｎエンハンサ
を得る。 【構成】 マイクロストリップ線路１３上に磁性薄膜５
を配置し、該磁性薄膜面内に外部磁界Ｈexを印加し、前
記マイクロストリップ線路１３の入力端に入力された電
磁波の一部が静磁波に変換吸収され、一部が変換されず
に前記マイクロストリップ線路１３の出力端に伝送され
るようにした場合、前記マイクロストリップ線路１３を
メアンダライン構造とし、当該マイクロストリップ線路
１３の平行電極部１４相互間の一部に静磁波吸収体６を
配設した構成である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電磁波信号から静磁波
への変換の非線形性を利用した静磁波非線形デバイス、
特に希望波(Signal)の雑音(Noise)に対する比を改善す
るための静磁波Ｓ／Ｎエンハンサに関する。
への変換の非線形性を利用した静磁波非線形デバイス、
特に希望波(Signal)の雑音(Noise)に対する比を改善す
るための静磁波Ｓ／Ｎエンハンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の静磁波Ｓ／Ｎエンハン
サは、静磁表面波の非線形動作（電磁波から静磁表面波
への変換に飽和があること）を利用したものであって、
図３にその従来例を示す。この図３の静磁波Ｓ／Ｎエン
ハンサは、ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣ
Ｓ，ＶＯＬ．ＭＡＧ−１６，Ｎｏ．５ １９８０年９月
頁１１６８−１１７０に示されたものである。図３に
おいて、誘電体基板１はその裏面にグランド用導体２を
全面に形成し、表面に細い電極パターンを形成してマイ
クロストリップ線路３を構成している。ＧＧＧ（ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット）基板４上に成長形成さ
れたＹＩＧ（イットリウム・鉄・ガーネット）のフェリ
磁性薄膜５はマイクロストリップ線路３を含む誘電体基
板上の領域に設けられており、ＹＩＧのフェリ磁性薄膜
５が誘電体基板１の上面に対面するように（マイクロス
トリップ線路３に対接するように）配置されている。ま
た、マイクロストリップ線路３の両側に間隔をおいてア
ルミニウム薄膜からなる静磁波吸収体６が前記誘電体基
板上面に形成されており、前記ＹＩＧのフェリ磁性薄膜
５は静磁波吸収体６上にも延長している。なお、図示し
ないが、外部磁界印加手段があり、マイクロストリップ
線路３に平行な外部磁界Ｈexが印加されている。
サは、静磁表面波の非線形動作（電磁波から静磁表面波
への変換に飽和があること）を利用したものであって、
図３にその従来例を示す。この図３の静磁波Ｓ／Ｎエン
ハンサは、ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣ
Ｓ，ＶＯＬ．ＭＡＧ−１６，Ｎｏ．５ １９８０年９月
頁１１６８−１１７０に示されたものである。図３に
おいて、誘電体基板１はその裏面にグランド用導体２を
全面に形成し、表面に細い電極パターンを形成してマイ
クロストリップ線路３を構成している。ＧＧＧ（ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット）基板４上に成長形成さ
れたＹＩＧ（イットリウム・鉄・ガーネット）のフェリ
磁性薄膜５はマイクロストリップ線路３を含む誘電体基
板上の領域に設けられており、ＹＩＧのフェリ磁性薄膜
５が誘電体基板１の上面に対面するように（マイクロス
トリップ線路３に対接するように）配置されている。ま
た、マイクロストリップ線路３の両側に間隔をおいてア
ルミニウム薄膜からなる静磁波吸収体６が前記誘電体基
板上面に形成されており、前記ＹＩＧのフェリ磁性薄膜
５は静磁波吸収体６上にも延長している。なお、図示し
ないが、外部磁界印加手段があり、マイクロストリップ
線路３に平行な外部磁界Ｈexが印加されている。
【０００３】次に図３に示した従来例の静磁波Ｓ／Ｎエ
ンハンサとしての動作原理を説明する。
ンハンサとしての動作原理を説明する。
【０００４】マイクロストリップ線路３の入力端３ａに
電磁波信号を入力すると、電磁波信号は出力端３ｂへと
伝送される。このとき、マイクロストリップ線路近傍に
は高周波磁界が発生し、かつｘ軸方向に大きな成分を持
つ。但し、図３に示すようにｘ軸はマイクロストリップ
線路３に垂直で誘電体基板面に平行であり、ｙ軸はマイ
クロストリップ線路３に平行であり、ｚ軸はｘ軸及びｙ
軸に垂直であるとする。前記ｘ軸方向の高周波磁界成分
はＹＩＧのフェリ磁性薄膜５内にも存在し、静磁表面波
と結合し、ＹＩＧのフェリ磁性薄膜５内で電磁波から静
磁表面波への変換が行われる。この静磁表面波はｘ軸方
向にＹＩＧのフェリ磁性薄膜面を伝搬し、前記誘電体基
板上面の静磁波吸収体６により吸収されてしまう。従っ
て、マイクロストリップ線路３の入力端より投入された
電磁波電力の一部はＹＩＧのフェリ磁性薄膜内で静磁表
面波へと変換吸収されてしまうので、マイクロストリッ
プ線路３の出力端には僅かの電力しか現れない。
電磁波信号を入力すると、電磁波信号は出力端３ｂへと
伝送される。このとき、マイクロストリップ線路近傍に
は高周波磁界が発生し、かつｘ軸方向に大きな成分を持
つ。但し、図３に示すようにｘ軸はマイクロストリップ
線路３に垂直で誘電体基板面に平行であり、ｙ軸はマイ
クロストリップ線路３に平行であり、ｚ軸はｘ軸及びｙ
軸に垂直であるとする。前記ｘ軸方向の高周波磁界成分
はＹＩＧのフェリ磁性薄膜５内にも存在し、静磁表面波
と結合し、ＹＩＧのフェリ磁性薄膜５内で電磁波から静
磁表面波への変換が行われる。この静磁表面波はｘ軸方
向にＹＩＧのフェリ磁性薄膜面を伝搬し、前記誘電体基
板上面の静磁波吸収体６により吸収されてしまう。従っ
て、マイクロストリップ線路３の入力端より投入された
電磁波電力の一部はＹＩＧのフェリ磁性薄膜内で静磁表
面波へと変換吸収されてしまうので、マイクロストリッ
プ線路３の出力端には僅かの電力しか現れない。
【０００５】小さな電力の電磁波が入力される場合は、
この入力電磁波の電力に比例した量の静磁表面波が励振
吸収されるため、入力電力に対する出力電力の減衰割合
はほぼ一定となる。
この入力電磁波の電力に比例した量の静磁表面波が励振
吸収されるため、入力電力に対する出力電力の減衰割合
はほぼ一定となる。
【０００６】一方、大きな電力の電磁波が入力された場
合は、ＹＩＧのフェリ磁性薄膜５内にはｘ軸方向高周波
磁界が発生するものの、フェリ磁性薄膜内電子スピン歳
差運動の開き角に飽和が起こり、静磁表面波の励振、吸
収も飽和してしまう。従って、出力側には比較的大きな
電力が現れることになる。
合は、ＹＩＧのフェリ磁性薄膜５内にはｘ軸方向高周波
磁界が発生するものの、フェリ磁性薄膜内電子スピン歳
差運動の開き角に飽和が起こり、静磁表面波の励振、吸
収も飽和してしまう。従って、出力側には比較的大きな
電力が現れることになる。
【０００７】以上の動作により、小さな電力（雑音：
Ｎ）が入力されたときには一定の比率で減衰し、大きな
電力（希望波：Ｓ）の入力に対しては入力電力に比べて
減衰の度合が著しく少ないという、希望波（Ｓ）対雑音
（Ｎ）の比率を拡大する、いわゆるＳ／Ｎエンハンサと
しての機能を実現できる。
Ｎ）が入力されたときには一定の比率で減衰し、大きな
電力（希望波：Ｓ）の入力に対しては入力電力に比べて
減衰の度合が著しく少ないという、希望波（Ｓ）対雑音
（Ｎ）の比率を拡大する、いわゆるＳ／Ｎエンハンサと
しての機能を実現できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、Ｓ／Ｎエン
ハンサの機能として望ましいのは、線形動作電力領域で
の静磁表面波の励振吸収量が大きく、飽和動作領域での
損失が小さく、この両者のレベル差が大きいことであ
る。このことを実現するため、線形動作領域での減衰量
を大きくする。このため、マイクロストリップ線路及び
その上に配置されるＹＩＧフェリ磁性薄膜の長さを長く
して、電磁波から静磁表面波への変換長を長くとること
がなされる。しかしながら、この場合、装置が大型にな
るという問題点があった。
ハンサの機能として望ましいのは、線形動作電力領域で
の静磁表面波の励振吸収量が大きく、飽和動作領域での
損失が小さく、この両者のレベル差が大きいことであ
る。このことを実現するため、線形動作領域での減衰量
を大きくする。このため、マイクロストリップ線路及び
その上に配置されるＹＩＧフェリ磁性薄膜の長さを長く
して、電磁波から静磁表面波への変換長を長くとること
がなされる。しかしながら、この場合、装置が大型にな
るという問題点があった。
【０００９】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、線形動作領域での減衰量を大きくたも
ちつつ、装置の小型軽量化を図った静磁波Ｓ／Ｎエンハ
ンサを提供することを目的とする。
なされたもので、線形動作領域での減衰量を大きくたも
ちつつ、装置の小型軽量化を図った静磁波Ｓ／Ｎエンハ
ンサを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る静磁波Ｓ／
Ｎエンハンサにおいては、誘電体基板上にマイクロスト
リップ線路を形成しつつも、このマイクロストリップ線
路をメアンダライン構造（つづら折り構造）としてい
る。さらに、メアンダライン構造のマイクロストリップ
線路のうちの磁性薄膜下の平行な電極部相互間の一部に
静磁波吸収体を配置し、励振された静磁波を吸収すると
ともに、隣合う電極部間の干渉を無くす構造としてい
る。この静磁波吸収体は誘電体基板上に形成すること
も、また磁性薄膜上に形成することも可能である。
Ｎエンハンサにおいては、誘電体基板上にマイクロスト
リップ線路を形成しつつも、このマイクロストリップ線
路をメアンダライン構造（つづら折り構造）としてい
る。さらに、メアンダライン構造のマイクロストリップ
線路のうちの磁性薄膜下の平行な電極部相互間の一部に
静磁波吸収体を配置し、励振された静磁波を吸収すると
ともに、隣合う電極部間の干渉を無くす構造としてい
る。この静磁波吸収体は誘電体基板上に形成すること
も、また磁性薄膜上に形成することも可能である。
【００１１】
【作用】本発明の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサにおいては、
電磁波から静磁表面波への変換が起こる磁性薄膜面を二
次元的に利用しているので、従来の直線状マイクロスト
リップ線路を用いたものに比べ同一減衰量をより小型な
形状で実現できる。
電磁波から静磁表面波への変換が起こる磁性薄膜面を二
次元的に利用しているので、従来の直線状マイクロスト
リップ線路を用いたものに比べ同一減衰量をより小型な
形状で実現できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係る静磁波Ｓ／Ｎエンハンサ
の実施例を図面に従って説明する。
の実施例を図面に従って説明する。
【００１３】図１及び図２において、１は比誘電率１４
の誘電体基板であり、この誘電体基板１の表裏面にＣｕ
を真空蒸着法により全面形成し、その後表面電極をフォ
トエッチング技術によりメアンダライン形状とし、メア
ンダライン構造のマイクロストリップ線路１３とした。
誘電体基板１の裏面のＣｕはグランド用導体２として残
っている。
の誘電体基板であり、この誘電体基板１の表裏面にＣｕ
を真空蒸着法により全面形成し、その後表面電極をフォ
トエッチング技術によりメアンダライン形状とし、メア
ンダライン構造のマイクロストリップ線路１３とした。
誘電体基板１の裏面のＣｕはグランド用導体２として残
っている。
【００１４】次に、同じく真空蒸着法により静磁波吸収
体６とするアルミニウム薄膜をマイクロストリップ線路
１３のＣｕ電極パターン以外の所にのみ選択的に形成さ
れるようにマスク蒸着を行った。
体６とするアルミニウム薄膜をマイクロストリップ線路
１３のＣｕ電極パターン以外の所にのみ選択的に形成さ
れるようにマスク蒸着を行った。
【００１５】そして、このメアンダライン構造のマイク
ロストリップ線路１３上に、ＧＧＧ基板４上にエピタキ
シャル成長させたＹＩＧのフェリ磁性薄膜５を、当該磁
性薄膜５が誘電体基板１の上面に対面するように（マイ
クロストリップ線路１３に対接するように）配置し、静
磁波Ｓ／Ｎエンハンサを構成した。
ロストリップ線路１３上に、ＧＧＧ基板４上にエピタキ
シャル成長させたＹＩＧのフェリ磁性薄膜５を、当該磁
性薄膜５が誘電体基板１の上面に対面するように（マイ
クロストリップ線路１３に対接するように）配置し、静
磁波Ｓ／Ｎエンハンサを構成した。
【００１６】なお、図１に示すように、ｘ軸はマイクロ
ストリップ線路１３の相互に平行な電極部１４に平行で
誘電体基板面に平行であり、ｙ軸はｘ軸に直交しかつ誘
電体基板面に平行であり、ｚ軸はｘ軸及びｙ軸に垂直で
あるものとすると、図示しない外部磁界印加手段による
外部磁界Ｈexは前記ＹＩＧのフェリ磁性薄膜５の面内を
通りかつ電極部１４に平行（すなわちＸ軸方向）に印加
される。
ストリップ線路１３の相互に平行な電極部１４に平行で
誘電体基板面に平行であり、ｙ軸はｘ軸に直交しかつ誘
電体基板面に平行であり、ｚ軸はｘ軸及びｙ軸に垂直で
あるものとすると、図示しない外部磁界印加手段による
外部磁界Ｈexは前記ＹＩＧのフェリ磁性薄膜５の面内を
通りかつ電極部１４に平行（すなわちＸ軸方向）に印加
される。
【００１７】この実施例の場合、メアンダライン構造の
マイクロストリップ線路１３の入力端１３ａに電磁波信
号を入力すると、電磁波信号は出力端１３ｂへと伝送さ
れるが、マイクロストリップ線路１３の相互に平行な電
極部１４によるｙ軸方向の高周波磁界成分に起因してＹ
ＩＧのフェリ磁性薄膜５内で電磁波から静磁表面波への
変換が行われる。この静磁表面波はｙ軸方向にＹＩＧの
フェリ磁性薄膜面を伝搬し、各電極部１４相互間に配置
された静磁波吸収体６により吸収されてしまう。このよ
うに、電磁波から静磁表面波への変換が起こるＹＩＧ磁
性薄膜面を二次元的に利用することで、減衰量の大幅向
上を図っている。また、同一減衰量を得るのであれば、
従来の直線状マイクロストリップ線路を用いたものに比
べ大幅に小型化を図り得る。
マイクロストリップ線路１３の入力端１３ａに電磁波信
号を入力すると、電磁波信号は出力端１３ｂへと伝送さ
れるが、マイクロストリップ線路１３の相互に平行な電
極部１４によるｙ軸方向の高周波磁界成分に起因してＹ
ＩＧのフェリ磁性薄膜５内で電磁波から静磁表面波への
変換が行われる。この静磁表面波はｙ軸方向にＹＩＧの
フェリ磁性薄膜面を伝搬し、各電極部１４相互間に配置
された静磁波吸収体６により吸収されてしまう。このよ
うに、電磁波から静磁表面波への変換が起こるＹＩＧ磁
性薄膜面を二次元的に利用することで、減衰量の大幅向
上を図っている。また、同一減衰量を得るのであれば、
従来の直線状マイクロストリップ線路を用いたものに比
べ大幅に小型化を図り得る。
【００１８】図４は本発明のメアンダライン構造のマイ
クロストリップ線路を用いた実施例の場合と従来の直線
状マイクロストリップ線路を用いたものの入出力特性を
比較したグラフである。この図において、横軸は入力電
力（絶対値：ｄＢｍ）、縦軸は出力電力／入力電力（相
対値：ｄＢ）であり、ＹＩＧフェリ磁性薄膜の形状寸法
を同一として比較した。同図において、曲線（イ）は実
施例、曲線（ロ）は従来例の場合であって、測定値が水
平な領域が線形動作領域であり、同一形状では従来構造
に較べて本発明による構造では減衰量を格段に大きくと
れることが判る。従って、同一減衰量を得る場合は、本
発明によって格段の小型化が達成される。
クロストリップ線路を用いた実施例の場合と従来の直線
状マイクロストリップ線路を用いたものの入出力特性を
比較したグラフである。この図において、横軸は入力電
力（絶対値：ｄＢｍ）、縦軸は出力電力／入力電力（相
対値：ｄＢ）であり、ＹＩＧフェリ磁性薄膜の形状寸法
を同一として比較した。同図において、曲線（イ）は実
施例、曲線（ロ）は従来例の場合であって、測定値が水
平な領域が線形動作領域であり、同一形状では従来構造
に較べて本発明による構造では減衰量を格段に大きくと
れることが判る。従って、同一減衰量を得る場合は、本
発明によって格段の小型化が達成される。
【００１９】なお、本実施例では薄膜形成に真空蒸着法
を用いているが、他の方法でも可能である。
を用いているが、他の方法でも可能である。
【００２０】また、本実施例では、静磁波吸収体６を誘
電体基板上に形成する場合を例示したが、この静磁波吸
収体６をフェリ磁性薄膜５上の対応する位置に形成して
もよい。
電体基板上に形成する場合を例示したが、この静磁波吸
収体６をフェリ磁性薄膜５上の対応する位置に形成して
もよい。
【００２１】以上本発明の実施例について説明してきた
が、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の
範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者
には自明であろう。
が、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の
範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者
には自明であろう。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のメアンダ
ライン構造のマイクロストリップ線路を用いた静磁波Ｓ
／Ｎエンハンサでは、フェリ磁性薄膜を二次元的に利用
できるため、従来型に較べ形状を格段に小型化できる。
また、従来と同一形状であれば、格段に減衰量を増大さ
せてＳ／Ｎエンハンサとしての特性向上を図ることがで
きる。
ライン構造のマイクロストリップ線路を用いた静磁波Ｓ
／Ｎエンハンサでは、フェリ磁性薄膜を二次元的に利用
できるため、従来型に較べ形状を格段に小型化できる。
また、従来と同一形状であれば、格段に減衰量を増大さ
せてＳ／Ｎエンハンサとしての特性向上を図ることがで
きる。
【図１】本発明に係る静磁波Ｓ／Ｎエンハンサの実施例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】同要部拡大断面図である。
【図３】従来の静磁波Ｓ／Ｎエンハンサの斜視図であ
る。
る。
【図４】本発明の実施例の場合と従来の場合の入出力特
性を比較して示すグラフである。
性を比較して示すグラフである。
１ 誘電体基板 ２ グランド用導体 ３，１３ マイクロストリップ線路 ４ ＧＧＧ基板 ５ フェリ磁性薄膜 ６ 静磁波吸収体
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る静磁波Ｓ／
Ｎエンハンサにおいては、誘電体基板上に伝送線路を形
成しつつも、この伝送線路をメアンダライン構造（つづ
ら折り構造）としている。さらに、メアンダライン構造
の伝送線路のうちの磁性薄膜下の平行な電極部相互間の
一部に静磁波吸収体を配置し、励振された静磁波を吸収
するとともに、隣合う電極部間の干渉を無くす構造とし
ている。この静磁波吸収体は誘電体基板上に形成するこ
とも、また磁性薄膜上に形成することも可能である。
Ｎエンハンサにおいては、誘電体基板上に伝送線路を形
成しつつも、この伝送線路をメアンダライン構造（つづ
ら折り構造）としている。さらに、メアンダライン構造
の伝送線路のうちの磁性薄膜下の平行な電極部相互間の
一部に静磁波吸収体を配置し、励振された静磁波を吸収
するとともに、隣合う電極部間の干渉を無くす構造とし
ている。この静磁波吸収体は誘電体基板上に形成するこ
とも、また磁性薄膜上に形成することも可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】そして、伝送線路としてのメアンダライン
構造のマイクロストリップ線路１３上に、ＧＧＧ基板４
上にエピタキシャル成長させたＹＩＧのフェリ磁性薄膜
５を、当該磁性薄膜５が誘電体基板１の上面に対面する
ように（マイクロストリップ線路１３に対接するよう
に）配置し、静磁波Ｓ／Ｎエンハンサを構成した。
構造のマイクロストリップ線路１３上に、ＧＧＧ基板４
上にエピタキシャル成長させたＹＩＧのフェリ磁性薄膜
５を、当該磁性薄膜５が誘電体基板１の上面に対面する
ように（マイクロストリップ線路１３に対接するよう
に）配置し、静磁波Ｓ／Ｎエンハンサを構成した。
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロストリップ線路上に磁性薄膜を
配置し、該磁性薄膜面内に外部磁界を印加し、前記マイ
クロストリップ線路の入力端に入力された電磁波の一部
が静磁波に変換吸収され、一部が変換されずに前記マイ
クロストリップ線路の出力端に伝送されるようにした静
磁波Ｓ／Ｎエンハンサにおいて、 前記マイクロストリップ線路をメアンダライン構造と
し、当該マイクロストリップ線路の平行電極部相互間の
一部に静磁波吸収体を配設したことを特徴とする静磁波
Ｓ／Ｎエンハンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5051270A JPH06244609A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 静磁波ｓ／ｎエンハンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5051270A JPH06244609A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 静磁波ｓ／ｎエンハンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244609A true JPH06244609A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12882263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5051270A Withdrawn JPH06244609A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 静磁波ｓ／ｎエンハンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244609A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335108B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2002-05-04 | 구자홍 | 마이크로파 필터 |
| KR100354409B1 (ko) * | 2000-11-07 | 2002-09-30 | 신화인터텍 주식회사 | 광자 띠 간격 구조를 이용한 마이크로웨이브 소자 |
| EP1143516A3 (en) * | 2000-04-04 | 2003-02-19 | NEC TOKIN Corporation | Electromagnetic noise suppressor, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same |
-
1993
- 1993-02-18 JP JP5051270A patent/JPH06244609A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335108B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2002-05-04 | 구자홍 | 마이크로파 필터 |
| EP1143516A3 (en) * | 2000-04-04 | 2003-02-19 | NEC TOKIN Corporation | Electromagnetic noise suppressor, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same |
| EP2028690A3 (en) * | 2000-04-04 | 2011-02-09 | Nec Tokin Corporation | Electromagnetic noise suppressor, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same |
| KR100354409B1 (ko) * | 2000-11-07 | 2002-09-30 | 신화인터텍 주식회사 | 광자 띠 간격 구조를 이용한 마이크로웨이브 소자 |
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