JPH06242299A - 照射窓 - Google Patents
照射窓Info
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- JPH06242299A JPH06242299A JP5130193A JP5130193A JPH06242299A JP H06242299 A JPH06242299 A JP H06242299A JP 5130193 A JP5130193 A JP 5130193A JP 5130193 A JP5130193 A JP 5130193A JP H06242299 A JPH06242299 A JP H06242299A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 窓箔でのエネルギー損失を大きくし、被照射
物の表面線量を高め、透過深さを小さくすること。 【構成】 真空チャンバ１に取り付けられた照射窓５は
多数の水冷桟５2を有する。水冷桟の上面部は電子源２
の電子引出し口２1の面と平行し、窓箔６が接触する水
冷桟の下面部は電子引出し口面に対して傾き角θを持た
せて構成されている。水冷桟上方の等電位面は水冷桟上
面部と平行し、電子源からの電子線は曲がらずに水冷桟
の間の開口部を通り、窓箔を斜めに透過する。電子線
は、窓箔でエネルギーが低減され、窓箔面と平行に搬送
される被照射物８に斜めに入射する。被照射物における
表面線量が高まり、透過深さは小さくなり、被照射物に
おける照射劣化が生ずる部分への電子線照射を抑えるこ
とができる。
物の表面線量を高め、透過深さを小さくすること。 【構成】 真空チャンバ１に取り付けられた照射窓５は
多数の水冷桟５2を有する。水冷桟の上面部は電子源２
の電子引出し口２1の面と平行し、窓箔６が接触する水
冷桟の下面部は電子引出し口面に対して傾き角θを持た
せて構成されている。水冷桟上方の等電位面は水冷桟上
面部と平行し、電子源からの電子線は曲がらずに水冷桟
の間の開口部を通り、窓箔を斜めに透過する。電子線
は、窓箔でエネルギーが低減され、窓箔面と平行に搬送
される被照射物８に斜めに入射する。被照射物における
表面線量が高まり、透過深さは小さくなり、被照射物に
おける照射劣化が生ずる部分への電子線照射を抑えるこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低エネルギーの電子線
照射における被照射物への電子線の斜め入射技術に係
り、電子線が窓箔を斜めに透過することができる照射
窓、並びにかかる照射窓を用いた電子線照射装置に関す
る。
照射における被照射物への電子線の斜め入射技術に係
り、電子線が窓箔を斜めに透過することができる照射
窓、並びにかかる照射窓を用いた電子線照射装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子線照射装置による低エネルギー電子
線キュアリングにおいては、キュアリングされる塗膜、
樹脂層の厚さが数μｍないし数１０μｍであるのに対
し、電子の透過能力が、例えば加速電圧１５０ｋＶで２
００μｍ程度あるため、塗膜、樹脂層が設けられている
基材自体が電子線照射されて劣化する等の事態が生ずる
ことがある。かかる問題点の解決方法として、被照射物
に対し電子線を斜め入射すること、この斜め入射の実現
に際し、被照射物の搬送・照射領域の雰囲気から電子線
発生部を真空封止している照射窓の窓箔に対し電子線を
斜めに透過させ、その透過電子線を被照射物に入射する
ことにより、被照射物におけるキュアリングされる部分
の表面線量を高め、電子線の透過深さを小さくする技術
が知られている。
線キュアリングにおいては、キュアリングされる塗膜、
樹脂層の厚さが数μｍないし数１０μｍであるのに対
し、電子の透過能力が、例えば加速電圧１５０ｋＶで２
００μｍ程度あるため、塗膜、樹脂層が設けられている
基材自体が電子線照射されて劣化する等の事態が生ずる
ことがある。かかる問題点の解決方法として、被照射物
に対し電子線を斜め入射すること、この斜め入射の実現
に際し、被照射物の搬送・照射領域の雰囲気から電子線
発生部を真空封止している照射窓の窓箔に対し電子線を
斜めに透過させ、その透過電子線を被照射物に入射する
ことにより、被照射物におけるキュアリングされる部分
の表面線量を高め、電子線の透過深さを小さくする技術
が知られている。
【０００３】図３は被照射物に電子線を斜めに入射する
場合の基本構成を示す断面図である。エリアビーム型低
エネルギー電子線照射装置の電子線発生部における真空
チャンバ１の内部に電子源２が収容されており、この電
子源はフィラメント３及びシールド電極４を有してな
る。真空チャンバ１の下部のフランジに照射窓５が取り
付けられており、同窓の下面に窓箔６が箔押え板７を用
いて取り付けられている。
場合の基本構成を示す断面図である。エリアビーム型低
エネルギー電子線照射装置の電子線発生部における真空
チャンバ１の内部に電子源２が収容されており、この電
子源はフィラメント３及びシールド電極４を有してな
る。真空チャンバ１の下部のフランジに照射窓５が取り
付けられており、同窓の下面に窓箔６が箔押え板７を用
いて取り付けられている。
【０００４】照射窓５の一例を図４に示す。図４（ａ）
は電子線の入射方向からの上面図、同（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ線での断面図である。照射窓５における電子線通
過領域部に、照射窓の長手方向のフランジ部５1を繋ぐ
ようにして多数の水冷桟５2が形成されており、電子線
は水冷桟間の開口部５3を通過し、窓箔６を透過する。
水冷桟５2はフランジ部５1内に設けられた冷媒通路５4
に冷却水を通流することにより冷却され、照射窓５の下
面部に設けられる窓箔６は真空チャンバ１内が真空状態
にされることに伴い水冷桟５2に接触し、冷却される。
は電子線の入射方向からの上面図、同（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ線での断面図である。照射窓５における電子線通
過領域部に、照射窓の長手方向のフランジ部５1を繋ぐ
ようにして多数の水冷桟５2が形成されており、電子線
は水冷桟間の開口部５3を通過し、窓箔６を透過する。
水冷桟５2はフランジ部５1内に設けられた冷媒通路５4
に冷却水を通流することにより冷却され、照射窓５の下
面部に設けられる窓箔６は真空チャンバ１内が真空状態
にされることに伴い水冷桟５2に接触し、冷却される。
【０００５】図３において、電子源２からの電子は、負
の高電位とされたシールド電極４とアース電位にある真
空チャンバ１で形成される電場によって電子引出し口２
1から引出され、そして加速されて、照射窓５における
多数の水冷桟５2の間から窓箔６を透過し、被照射物８
が搬送される照射領域に取り出される。被照射物８は電
子源２の照射窓５及び窓箔６に対し所要の角度θの傾き
を持つように搬送され、電子線は被照射物に斜めに入射
する。
の高電位とされたシールド電極４とアース電位にある真
空チャンバ１で形成される電場によって電子引出し口２
1から引出され、そして加速されて、照射窓５における
多数の水冷桟５2の間から窓箔６を透過し、被照射物８
が搬送される照射領域に取り出される。被照射物８は電
子源２の照射窓５及び窓箔６に対し所要の角度θの傾き
を持つように搬送され、電子線は被照射物に斜めに入射
する。
【０００６】被照射物８に電子線を照射したときの電子
の透過深さＺと吸収線量Ｉ（Ｚ）との関係についての深
部線量分布特性例を図５に示す。上述の被照射物８の角
度θを大きくするにつれて吸収線量のピーク値は増大す
ると共に、ピークの発生深さは被照射物の表面側に移
る。したがって、被照射物８に電子線を斜めに入射させ
ることにより、電子線入射表面層部分での吸収線量、表
面線量を高め、電子線の透過深さを小さくすることがで
き、キュアリングされるべき塗膜、樹脂層に対して電子
線を効果的に作用させると共に、塗膜、樹脂層が設けら
れる基材に対する電子線の照射を抑えることができる。
の透過深さＺと吸収線量Ｉ（Ｚ）との関係についての深
部線量分布特性例を図５に示す。上述の被照射物８の角
度θを大きくするにつれて吸収線量のピーク値は増大す
ると共に、ピークの発生深さは被照射物の表面側に移
る。したがって、被照射物８に電子線を斜めに入射させ
ることにより、電子線入射表面層部分での吸収線量、表
面線量を高め、電子線の透過深さを小さくすることがで
き、キュアリングされるべき塗膜、樹脂層に対して電子
線を効果的に作用させると共に、塗膜、樹脂層が設けら
れる基材に対する電子線の照射を抑えることができる。
【０００７】図６は電子線を照射窓の窓箔に斜めに透過
させ、電子線を被照射物に斜めに入射させる場合の構成
例を示す断面図であり、図３及び図４と同一符号は同等
部分を示す。照射窓５は真空チャンバ１の下部のフラン
ジに傾けて取り付けられるべく構成されており、電子源
２からの電子線は照射窓の下面に設けられる窓箔６を斜
めに透過し、エネルギーが低減される。被照射物８は窓
箔６と平行に搬送され、窓箔を透過した電子線は被照射
物に斜めに入射し、被照射物におけるキュアリングされ
る部分の表面線量を高め、そして電子線の透過深さが小
さくなるようにしている。
させ、電子線を被照射物に斜めに入射させる場合の構成
例を示す断面図であり、図３及び図４と同一符号は同等
部分を示す。照射窓５は真空チャンバ１の下部のフラン
ジに傾けて取り付けられるべく構成されており、電子源
２からの電子線は照射窓の下面に設けられる窓箔６を斜
めに透過し、エネルギーが低減される。被照射物８は窓
箔６と平行に搬送され、窓箔を透過した電子線は被照射
物に斜めに入射し、被照射物におけるキュアリングされ
る部分の表面線量を高め、そして電子線の透過深さが小
さくなるようにしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述の図３に示した従
来例の場合、電子が被照射物８に対し斜めに入射するか
ら、被照射物におけるキュアリングされる部分の表面線
量が高まり、電子の透過深さが小さくなり、被照射物に
おける基材への電子線照射を抑えることができるが、被
照射物の傾斜搬送に伴い、窓箔６と被照射物間の電子線
が通過する雰囲気層である空気層が大きくなる。これに
伴い、電子の利用効率が小さくなり、空気層に与え
るエネルギーが増大し、照射雰囲気の不活性化のために
供給されるＮ2ガスを多量に必要とし、そうしないと空
気層温度が過度に高くなるという問題点をこの従来例は
有する。
来例の場合、電子が被照射物８に対し斜めに入射するか
ら、被照射物におけるキュアリングされる部分の表面線
量が高まり、電子の透過深さが小さくなり、被照射物に
おける基材への電子線照射を抑えることができるが、被
照射物の傾斜搬送に伴い、窓箔６と被照射物間の電子線
が通過する雰囲気層である空気層が大きくなる。これに
伴い、電子の利用効率が小さくなり、空気層に与え
るエネルギーが増大し、照射雰囲気の不活性化のために
供給されるＮ2ガスを多量に必要とし、そうしないと空
気層温度が過度に高くなるという問題点をこの従来例は
有する。
【０００９】また図６に示した従来例は、被照射物８は
窓箔６と平行に搬送されているから、図３の従来例にお
ける問題点の解決策となるものであるが、照射窓５の
水冷桟５2も真空チャンバ１と同じくアース電位にある
から、水冷桟の上部の電界分布は水冷桟電位の影響を受
け、等電位面が図６の点線Ｖで示すように傾く。これに
伴い、電子線は等電位面に直交する方向に曲げられ、
窓箔６から取り出せる量が減少し、電子線が曲げられ
るから、窓箔に対し斜め透過になり難くなり、被照射物
に対しても電子線は斜めに入射し難くなるという問題点
を有する。
窓箔６と平行に搬送されているから、図３の従来例にお
ける問題点の解決策となるものであるが、照射窓５の
水冷桟５2も真空チャンバ１と同じくアース電位にある
から、水冷桟の上部の電界分布は水冷桟電位の影響を受
け、等電位面が図６の点線Ｖで示すように傾く。これに
伴い、電子線は等電位面に直交する方向に曲げられ、
窓箔６から取り出せる量が減少し、電子線が曲げられ
るから、窓箔に対し斜め透過になり難くなり、被照射物
に対しても電子線は斜めに入射し難くなるという問題点
を有する。
【００１０】本発明は、従来例における上述の問題点を
解決するものであり、窓箔に対し電子線を斜めに透過さ
せることができる照射窓の提供、そして、かかる照射窓
を有し、被照射物に対し電子線を斜めに入射し、被照射
物の表面線量を高め、透過深さを小さくすることができ
る電子線照射装置の提供を目的とするものである。
解決するものであり、窓箔に対し電子線を斜めに透過さ
せることができる照射窓の提供、そして、かかる照射窓
を有し、被照射物に対し電子線を斜めに入射し、被照射
物の表面線量を高め、透過深さを小さくすることができ
る電子線照射装置の提供を目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、窓箔に接触す
る多数の水冷桟を有する照射窓において、前記水冷桟
は、その上面部が電子源の電子引出し口面と平行に、そ
して窓箔に接触する下面部が前記電子引出し口面に対し
て傾きを持たせて、構成されていることを特徴とするも
のである。
る多数の水冷桟を有する照射窓において、前記水冷桟
は、その上面部が電子源の電子引出し口面と平行に、そ
して窓箔に接触する下面部が前記電子引出し口面に対し
て傾きを持たせて、構成されていることを特徴とするも
のである。
【００１２】さらに本発明は、電子線照射装置が、上述
の照射窓を備え、被照射物が窓箔面と平行に搬送される
ことを特徴とするものである。
の照射窓を備え、被照射物が窓箔面と平行に搬送される
ことを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】照射窓における多数の水冷桟の上面部は電子源
の電子引出し口面と平行であるから、水冷桟上方の等電
位面は水冷桟の上面部と平行になり、電子線は曲がるこ
となく照射窓に導入され、通過する。そして窓箔が接触
する水冷桟の下面部は電子源の電子引出し口面に対し傾
いているから、照射窓を通った電子線は窓箔を斜めに透
過する。
の電子引出し口面と平行であるから、水冷桟上方の等電
位面は水冷桟の上面部と平行になり、電子線は曲がるこ
となく照射窓に導入され、通過する。そして窓箔が接触
する水冷桟の下面部は電子源の電子引出し口面に対し傾
いているから、照射窓を通った電子線は窓箔を斜めに透
過する。
【００１４】そして、本発明に係る電子線照射装置は、
上述の照射窓を備え、被照射物が窓箔面と平行に搬送さ
れるから、窓箔を斜めに透過した電子線は、被照射物に
対しても斜めに入射することになる。
上述の照射窓を備え、被照射物が窓箔面と平行に搬送さ
れるから、窓箔を斜めに透過した電子線は、被照射物に
対しても斜めに入射することになる。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。図１は電子線発生部の構成を示す断面図であり、
図３、図４及び図５同一符号は同等ないし対応部分を示
す。電子線発生部における真空チャンバ１の内部に電子
源２が収容されており、この電子源はフィラメント３及
びシールド電極４を有して構成されている。真空チャン
バ１の下部のフランジに照射窓５が取り付けられてい
る。この照射窓のフランジ部５11と５12は厚さが異な
り、これらフランジ部の間に設けられる多数の水冷桟５
2は側面形状が梯形をなしており、水冷桟の上面部は電
子源２の電子引出し口２1の面に平行し、箔押え板７に
よって取り付けられた窓箔６が接触する水冷桟の下面部
は電子引出し口面に対して傾き、所要の傾き角θを持つ
ように構成されている。そして被照射物８は窓箔６の下
方を水冷桟５2の下面部したがって窓箔面と平行に搬送
される。
する。図１は電子線発生部の構成を示す断面図であり、
図３、図４及び図５同一符号は同等ないし対応部分を示
す。電子線発生部における真空チャンバ１の内部に電子
源２が収容されており、この電子源はフィラメント３及
びシールド電極４を有して構成されている。真空チャン
バ１の下部のフランジに照射窓５が取り付けられてい
る。この照射窓のフランジ部５11と５12は厚さが異な
り、これらフランジ部の間に設けられる多数の水冷桟５
2は側面形状が梯形をなしており、水冷桟の上面部は電
子源２の電子引出し口２1の面に平行し、箔押え板７に
よって取り付けられた窓箔６が接触する水冷桟の下面部
は電子引出し口面に対して傾き、所要の傾き角θを持つ
ように構成されている。そして被照射物８は窓箔６の下
方を水冷桟５2の下面部したがって窓箔面と平行に搬送
される。
【００１６】電子源２からの電子は、負の高電位とされ
たシールド電極４とアース電位にある真空チャンバ１で
形成される電場によって電子引出し口２1から引出され
て加速される。真空チャンバ１と共にアース電位にある
照射窓５における水冷桟５2の上面部は電子引出し口２1
の面と平行にあるから、水冷桟の上方の等電位面は点線
Ｖで示すように水冷桟の上面部と平行になり、電子線は
曲げられることなく、照射窓５に到り、水冷桟の間の開
口部をそのまま直進し、窓箔６を斜めに透過する。これ
により電子線は、そのエネルギーが低減され、窓箔面と
平行に搬送されている被照射物８に斜めに入射する。
たシールド電極４とアース電位にある真空チャンバ１で
形成される電場によって電子引出し口２1から引出され
て加速される。真空チャンバ１と共にアース電位にある
照射窓５における水冷桟５2の上面部は電子引出し口２1
の面と平行にあるから、水冷桟の上方の等電位面は点線
Ｖで示すように水冷桟の上面部と平行になり、電子線は
曲げられることなく、照射窓５に到り、水冷桟の間の開
口部をそのまま直進し、窓箔６を斜めに透過する。これ
により電子線は、そのエネルギーが低減され、窓箔面と
平行に搬送されている被照射物８に斜めに入射する。
【００１７】したがって、窓箔６を電子線が斜めに透過
することにより、窓箔に電子線が垂直に入射した場合よ
り窓箔でのエネルギー損失が大きくなり、図５に示した
深部線量分布についての各特性曲線は電子線エネルギー
を低下させると深さがゼロの方向に寄ったものとなるか
ら、その分、電子線が斜め入射される被照射物８におけ
る表面線量を高くし、透過深さを小さくすることにな
り、基材が電子線照射されて劣化するという問題は軽減
される。上述の水冷桟５2の下面部の傾き角θは、電子
加速電圧、窓箔６での電子線のエネルギー損失を考慮し
て決定されるが、好ましくは、１０°〜４５°の範囲の
角度である。
することにより、窓箔に電子線が垂直に入射した場合よ
り窓箔でのエネルギー損失が大きくなり、図５に示した
深部線量分布についての各特性曲線は電子線エネルギー
を低下させると深さがゼロの方向に寄ったものとなるか
ら、その分、電子線が斜め入射される被照射物８におけ
る表面線量を高くし、透過深さを小さくすることにな
り、基材が電子線照射されて劣化するという問題は軽減
される。上述の水冷桟５2の下面部の傾き角θは、電子
加速電圧、窓箔６での電子線のエネルギー損失を考慮し
て決定されるが、好ましくは、１０°〜４５°の範囲の
角度である。
【００１８】上述の実施例における照射窓５のフランジ
部５11，５12は厚さが異なり、段差があるから、窓箔６
を取り付ける箔押え板７は照射窓の下面の形状に合わせ
て形成しなければならず、製作加工に手数を要する。図
２は照射窓部についての他の実施例の断面図であり、照
射窓５の下面部全体はは水冷桟５2の下面部に合わせて
傾斜して形成されている。これに伴い箔押え板７は全体
として平面状のもので済み、照射窓５と共に箔押え板の
製作加工が容易となる。
部５11，５12は厚さが異なり、段差があるから、窓箔６
を取り付ける箔押え板７は照射窓の下面の形状に合わせ
て形成しなければならず、製作加工に手数を要する。図
２は照射窓部についての他の実施例の断面図であり、照
射窓５の下面部全体はは水冷桟５2の下面部に合わせて
傾斜して形成されている。これに伴い箔押え板７は全体
として平面状のもので済み、照射窓５と共に箔押え板の
製作加工が容易となる。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、電子線は曲がることなく照射窓に導入されて通過
し、窓箔を斜めに透過させることができるから、電子線
に対し、窓箔で所要のエネルギー損失を生じさせること
ができる。
ので、電子線は曲がることなく照射窓に導入されて通過
し、窓箔を斜めに透過させることができるから、電子線
に対し、窓箔で所要のエネルギー損失を生じさせること
ができる。
【００２０】そして、水冷桟における上面部が電子源の
電子引出し口面と平行、窓箔に接触する下面部が前記電
子引出し口面に対して傾きを持たせて構成されている照
射窓を用い、被照射物を窓箔面と平行に搬送させたか
ら、窓箔を斜めに透過した電子線は被照射物に対しその
まま斜めに入射し、窓箔でのエネルギー損失と相俟っ
て、被照射物に対する表面線量を高め、透過深さを小さ
くすることができ、電子線照射により劣化が生ずる部分
に対する照射を抑えることができる。
電子引出し口面と平行、窓箔に接触する下面部が前記電
子引出し口面に対して傾きを持たせて構成されている照
射窓を用い、被照射物を窓箔面と平行に搬送させたか
ら、窓箔を斜めに透過した電子線は被照射物に対しその
まま斜めに入射し、窓箔でのエネルギー損失と相俟っ
て、被照射物に対する表面線量を高め、透過深さを小さ
くすることができ、電子線照射により劣化が生ずる部分
に対する照射を抑えることができる。
【図１】本発明の実施例の断面図である。
【図２】照射窓部についての他の実施例の断面図であ
る。
る。
【図３】従来例の断面図である。
【図４】照射窓の構成図である。
【図５】深部線量分布特性例についての説明図である。
【図６】他の従来例の構成図である。
1 真空チャンバ 2 電子源 21 電子引出し口 5 照射窓 511,512 フランジ部 52 水冷桟 53 開口部 54 冷媒通路 6 窓箔 7 箔押え板 8 被照射物
Claims (2)
- 【請求項１】 窓箔に接触する多数の水冷桟を有する照
射窓において、前記水冷桟は、その上面部が電子源の電
子引出し口面と平行に、そして窓箔に接触する下面部が
前記電子引出し口面に対して傾きを持たせて、構成され
ていることを特徴とする照射窓。 - 【請求項２】 請求項１記載の照射窓を備え、被照射物
が窓箔面と平行に搬送されることを特徴とする電子線照
射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5130193A JPH06242299A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 照射窓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5130193A JPH06242299A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 照射窓 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06242299A true JPH06242299A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12883102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5130193A Pending JPH06242299A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 照射窓 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06242299A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013042425A1 (ja) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、荷電粒子線装置の調整方法、および試料の検査若しくは試料の観察方法 |
| JP2015111595A (ja) * | 2015-02-17 | 2015-06-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、荷電粒子線装置の調整方法、および試料の検査若しくは試料の観察方法。 |
| EP2903017A3 (de) * | 2014-02-02 | 2015-10-21 | Crosslinking AB | Stützkonstruktion mit schräg verlaufenden Kühlkanälen für ein Elektronenaustrittsfenster |
-
1993
- 1993-02-18 JP JP5130193A patent/JPH06242299A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013042425A1 (ja) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、荷電粒子線装置の調整方法、および試料の検査若しくは試料の観察方法 |
| JP2013069443A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置、荷電粒子線装置の調整方法、および試料の検査若しくは試料の観察方法。 |
| US9165741B2 (en) | 2011-09-21 | 2015-10-20 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam device, method for adjusting charged particle beam device, and method for inspecting or observing sample |
| US9673020B2 (en) | 2011-09-21 | 2017-06-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam device, method for adjusting charged particle beam device, and method for inspecting or observing sample |
| EP2903017A3 (de) * | 2014-02-02 | 2015-10-21 | Crosslinking AB | Stützkonstruktion mit schräg verlaufenden Kühlkanälen für ein Elektronenaustrittsfenster |
| JP2015111595A (ja) * | 2015-02-17 | 2015-06-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、荷電粒子線装置の調整方法、および試料の検査若しくは試料の観察方法。 |
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