JPH06239812A - １−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１ｈ−インデン誘導体の製造法 - Google Patents
１−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１ｈ−インデン誘導体の製造法Info
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- JPH06239812A JPH06239812A JP5026401A JP2640193A JPH06239812A JP H06239812 A JPH06239812 A JP H06239812A JP 5026401 A JP5026401 A JP 5026401A JP 2640193 A JP2640193 A JP 2640193A JP H06239812 A JPH06239812 A JP H06239812A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、１−アミノ−２，３−ジヒドロ−
７−ヒドロキシ−１Ｈ−インデン誘導体の工業的に有利
な製造法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の方法は、一般式 【化１】 〔式中Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ低級アルキ
ル基を示す。〕で表わされる７−ヒドロキシ−１−イン
ダノンオキシム誘導体をアシル化し、次いで得られる化
合物を接触還元して一般式 【化２】 〔式中Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記に同じ〕で表わ
される１−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ
−１Ｈ−インデン誘導体を製造する方法である。
７−ヒドロキシ−１Ｈ−インデン誘導体の工業的に有利
な製造法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の方法は、一般式 【化１】 〔式中Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ低級アルキ
ル基を示す。〕で表わされる７−ヒドロキシ−１−イン
ダノンオキシム誘導体をアシル化し、次いで得られる化
合物を接触還元して一般式 【化２】 〔式中Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記に同じ〕で表わ
される１−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ
−１Ｈ−インデン誘導体を製造する方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１−アミノ−２，３−
ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１Ｈ−インデン誘導体又は
その塩の製造法に関する。
ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１Ｈ−インデン誘導体又は
その塩の製造法に関する。
【０００２】
【発明の開示】本発明の方法で得られる一般式
【０００３】
【化４】
【０００４】〔式中Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞ
れ低級アルキル基を示す。〕で表わされる１−アミノ−
２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１Ｈ−インデン誘
導体又はその塩は、公知の化合物であり、低酸素症改善
剤や抗酸化剤として有用な化合物である（特開昭６０−
１９９８６２号公報）。
れ低級アルキル基を示す。〕で表わされる１−アミノ−
２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１Ｈ−インデン誘
導体又はその塩は、公知の化合物であり、低酸素症改善
剤や抗酸化剤として有用な化合物である（特開昭６０−
１９９８６２号公報）。
【０００５】本発明の目的は、工業的規模にて安全且つ
簡便な操作により、しかも穏和な反応条件下に、上記一
般式（１）の１−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒド
ロキシ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩を好収率で純
度よく製造し得る方法を提供することにある。
簡便な操作により、しかも穏和な反応条件下に、上記一
般式（１）の１−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒド
ロキシ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩を好収率で純
度よく製造し得る方法を提供することにある。
【０００６】本発明によれば、上記一般式（１）の１−
アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１Ｈ−イ
ンデン誘導体又はその塩は、一般式
アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１Ｈ−イ
ンデン誘導体又はその塩は、一般式
【０００７】
【化５】
【０００８】〔式中Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記に
同じ。〕で表わされる７−ヒドロキシ−１−インダノン
オキシム誘導体を低級アルカノイル化して一般式
同じ。〕で表わされる７−ヒドロキシ−１−インダノン
オキシム誘導体を低級アルカノイル化して一般式
【０００９】
【化６】
【００１０】〔式中Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記に
同じ。Ｒ5 は低級アルキル基を示す。〕で表わされる７
−ヒドロキシ−１−インダノンオキシムアシレート誘導
体を得、次いで得られる化合物を接触還元し、更に必要
に応じて酸処理することにより製造される。
同じ。Ｒ5 は低級アルキル基を示す。〕で表わされる７
−ヒドロキシ−１−インダノンオキシムアシレート誘導
体を得、次いで得られる化合物を接触還元し、更に必要
に応じて酸処理することにより製造される。
【００１１】本明細書において、低級アルキル基として
は、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ
−ヘキシル、１−メチルプロピル、２−メチルプロピ
ル、１，１−ジメチルプロピル、１−メチルブチル、
２，２−ジメチルプロピル、２，３−ジメチルプロピ
ル、１−メチルペンチル、１，１−ジメチルブチル、１
−エチルブチル基等の炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖状
アルキル基を挙げることができる。
は、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ
−ヘキシル、１−メチルプロピル、２−メチルプロピ
ル、１，１−ジメチルプロピル、１−メチルブチル、
２，２−ジメチルプロピル、２，３−ジメチルプロピ
ル、１−メチルペンチル、１，１−ジメチルブチル、１
−エチルブチル基等の炭素数１〜６の直鎖又は分枝鎖状
アルキル基を挙げることができる。
【００１２】本発明において、出発原料として用いられ
る一般式（２）の７−ヒドロキシ−１−インダノンオキ
シム誘導体は、例えば下記反応式−１に示す方法に従い
容易に製造される。
る一般式（２）の７−ヒドロキシ−１−インダノンオキ
シム誘導体は、例えば下記反応式−１に示す方法に従い
容易に製造される。
【００１３】
【化７】
【００１４】〔式中Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記に
同じ。〕公知の一般式（４）の化合物とヒドロキシルア
ミン（５）との反応は、適当な不活性溶媒中、塩基性化
合物の存在下又は不存在下に行なわれる。この際使用さ
れる塩基性化合物としては、例えば水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウ
ム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩基、
ピペリジン、ピリジン、トリエチルアミン、１，５−ジ
アザビシクロ〔４．３．０〕ノネン−５、１，８−ジア
ザビシクロ〔５．４．０〕ウンデセン−７、１，４−ジ
アザビシクロ〔２．２．２〕オクタン等の有機塩基等が
挙げられる。使用される不活性溶媒としては、反応に悪
影響を及ぼさないものであればいずれでもよいが、例え
ばメタノール、エタノール、イソプロパノール等の低級
アルコール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエ
チルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル
等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ク
ロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメ
チルリン酸トリアミド等が挙げられる。ヒドロキシルア
ミン（５）の使用量は、一般式（４）の化合物に対して
通常少なくとも等モル量、好ましくは等モル〜５倍モル
量とするのがよい。反応温度は−２０〜２００℃、好ま
しくは５０〜１５０℃とするのがよく、一般に１〜１０
時間程度で反応は終了する。斯くして一般式（２）で表
わされる７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシム誘導
体が製造される。
同じ。〕公知の一般式（４）の化合物とヒドロキシルア
ミン（５）との反応は、適当な不活性溶媒中、塩基性化
合物の存在下又は不存在下に行なわれる。この際使用さ
れる塩基性化合物としては、例えば水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウ
ム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩基、
ピペリジン、ピリジン、トリエチルアミン、１，５−ジ
アザビシクロ〔４．３．０〕ノネン−５、１，８−ジア
ザビシクロ〔５．４．０〕ウンデセン−７、１，４−ジ
アザビシクロ〔２．２．２〕オクタン等の有機塩基等が
挙げられる。使用される不活性溶媒としては、反応に悪
影響を及ぼさないものであればいずれでもよいが、例え
ばメタノール、エタノール、イソプロパノール等の低級
アルコール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエ
チルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル
等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ク
ロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメ
チルリン酸トリアミド等が挙げられる。ヒドロキシルア
ミン（５）の使用量は、一般式（４）の化合物に対して
通常少なくとも等モル量、好ましくは等モル〜５倍モル
量とするのがよい。反応温度は−２０〜２００℃、好ま
しくは５０〜１５０℃とするのがよく、一般に１〜１０
時間程度で反応は終了する。斯くして一般式（２）で表
わされる７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシム誘導
体が製造される。
【００１５】一般式（２）の７−ヒドロキシ−１−イン
ダノンオキシム誘導体のアシル化は、無溶媒下又は溶媒
中、好ましくは適当な溶媒中、通常のアシル化剤を用い
て行なわれる。アシル化剤としては、従来公知のものを
広く使用でき、例えばアセチルクロライド、プロピオニ
ルクロライド等の低級アルカノイルハライド、酢酸、プ
ロピオン酸等の低級アルカン酸、無水酢酸等の低級アル
カン酸無水物等が挙げられる。また使用される溶媒とし
ては、例えば水、酢酸、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール等のアルコール類、ヘキサン、シクロヘキ
サン等の炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエ
ーテル等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエ
ステル類、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性
溶媒等が挙げられる。上記アシル化剤は、一般式（２）
の化合物に対して通常０．７〜２０倍モル量、好ましく
は１〜３倍モル量用いるのがよい。反応温度は通常−２
０〜１００℃、好ましくは０〜４０℃とするのがよく、
一般に０．１〜５時間程度で反応は終了する。斯くして
一般式（３）で表わされる７−ヒドロキシ−１−インダ
ノンオキシムアシレート誘導体が製造される。
ダノンオキシム誘導体のアシル化は、無溶媒下又は溶媒
中、好ましくは適当な溶媒中、通常のアシル化剤を用い
て行なわれる。アシル化剤としては、従来公知のものを
広く使用でき、例えばアセチルクロライド、プロピオニ
ルクロライド等の低級アルカノイルハライド、酢酸、プ
ロピオン酸等の低級アルカン酸、無水酢酸等の低級アル
カン酸無水物等が挙げられる。また使用される溶媒とし
ては、例えば水、酢酸、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール等のアルコール類、ヘキサン、シクロヘキ
サン等の炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエ
ーテル等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエ
ステル類、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性
溶媒等が挙げられる。上記アシル化剤は、一般式（２）
の化合物に対して通常０．７〜２０倍モル量、好ましく
は１〜３倍モル量用いるのがよい。反応温度は通常−２
０〜１００℃、好ましくは０〜４０℃とするのがよく、
一般に０．１〜５時間程度で反応は終了する。斯くして
一般式（３）で表わされる７−ヒドロキシ−１−インダ
ノンオキシムアシレート誘導体が製造される。
【００１６】一般式（３）で表わされる７−ヒドロキシ
−１−インダノンオキシムアシレート誘導体のシン体は
還元が進み難いため、アンチ体を還元した方が一般式
（１）で表わされる１−アミノ−２，３−ジヒドロ−７
−ヒドロキシ−１Ｈ−インデン誘導体の収率が良くな
る。そのため、好ましくは上記で得られた一般式（３）
で表わされる７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシム
アシレート誘導体を還流温度にて３０分〜６時間、好ま
しくは１〜４時間程度加熱することにより、シン体／ア
ンチ体の比を１／９程度にする。
−１−インダノンオキシムアシレート誘導体のシン体は
還元が進み難いため、アンチ体を還元した方が一般式
（１）で表わされる１−アミノ−２，３−ジヒドロ−７
−ヒドロキシ−１Ｈ−インデン誘導体の収率が良くな
る。そのため、好ましくは上記で得られた一般式（３）
で表わされる７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシム
アシレート誘導体を還流温度にて３０分〜６時間、好ま
しくは１〜４時間程度加熱することにより、シン体／ア
ンチ体の比を１／９程度にする。
【００１７】またアシル化を行なう前に、一般式（２）
の７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシム誘導体を同
様に熱処理して、シン体／アンチ体の比を１／９程度に
しておいてもよい。
の７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシム誘導体を同
様に熱処理して、シン体／アンチ体の比を１／９程度に
しておいてもよい。
【００１８】一般式（３）の７−ヒドロキシ−１−イン
ダノンオキシムアシレート誘導体の接触還元は、適当な
溶媒中触媒の存在下に接触水素添加することにより行な
われる。使用される溶媒としては、例えば水、酢酸、メ
タノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコー
ル類、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素類、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチ
レングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、酢酸
エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメチルホルムア
ミド等の非プロトン性極性溶媒等が挙げられる。また用
いられる触媒としては、例えばパラジウム、パラジウム
−黒、パラジウム−炭素、白金、酸化白金、亜クロム酸
銅、ラネーニッケル等が挙げられる。斯かる触媒は、一
般式（３）の化合物に対して通常０．０１〜０．５倍重
量、好ましくは０．０５〜０．２倍重量用いるのがよ
い。反応温度は通常０〜１２０℃、好ましくは２０〜６
０℃とするのがよく、また水素圧は通常１〜１０気圧と
するのがよく、一般に３０分〜４時間程度で反応は終了
する。斯くして一般式（１）で表わされる１−アミノ−
２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１Ｈ−インデン誘
導体が製造される。
ダノンオキシムアシレート誘導体の接触還元は、適当な
溶媒中触媒の存在下に接触水素添加することにより行な
われる。使用される溶媒としては、例えば水、酢酸、メ
タノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコー
ル類、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素類、ジオ
キサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチ
レングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、酢酸
エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメチルホルムア
ミド等の非プロトン性極性溶媒等が挙げられる。また用
いられる触媒としては、例えばパラジウム、パラジウム
−黒、パラジウム−炭素、白金、酸化白金、亜クロム酸
銅、ラネーニッケル等が挙げられる。斯かる触媒は、一
般式（３）の化合物に対して通常０．０１〜０．５倍重
量、好ましくは０．０５〜０．２倍重量用いるのがよ
い。反応温度は通常０〜１２０℃、好ましくは２０〜６
０℃とするのがよく、また水素圧は通常１〜１０気圧と
するのがよく、一般に３０分〜４時間程度で反応は終了
する。斯くして一般式（１）で表わされる１−アミノ−
２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１Ｈ−インデン誘
導体が製造される。
【００１９】本発明では、上記で製造される一般式
（１）の１−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキ
シ−１Ｈ−インデン誘導体を常法に従って酸処理するこ
とにより、対応する化合物の塩とすることができる。用
いられる酸としては、例えば塩酸、硫酸、リン酸、臭化
水素酸等の無機酸、蓚酸、安息香酸、トルエンスルホン
酸、メタンスルホン酸等の有機酸等が挙げられる。
（１）の１−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキ
シ−１Ｈ−インデン誘導体を常法に従って酸処理するこ
とにより、対応する化合物の塩とすることができる。用
いられる酸としては、例えば塩酸、硫酸、リン酸、臭化
水素酸等の無機酸、蓚酸、安息香酸、トルエンスルホン
酸、メタンスルホン酸等の有機酸等が挙げられる。
【００２０】斯くして得られる一般式（１）で表わされ
る１−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１
Ｈ−インデン誘導体及びその塩は、通常の分離手段によ
り反応混合物から容易に単離精製することができる。該
分離手段としては、例えば溶媒抽出法、希釈法、再結晶
法、カラムクロマトグラフィー、プレパラティブ薄層ク
ロマトグラフィー等を挙げることができる。
る１−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１
Ｈ−インデン誘導体及びその塩は、通常の分離手段によ
り反応混合物から容易に単離精製することができる。該
分離手段としては、例えば溶媒抽出法、希釈法、再結晶
法、カラムクロマトグラフィー、プレパラティブ薄層ク
ロマトグラフィー等を挙げることができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の方法によれば、工業的規模にて
安全且つ簡便な操作で、しかも穏和な反応条件下に、目
的とする一般式（１）の１−アミノ−２，３−ジヒドロ
−７−ヒドロキシ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩を
好収率で純度よく製造し得る。また、一般式（２）の化
合物及び一般式（３）の化合物は、単離、精製すること
なく、連続的に反応を行なうことによっても、目的とす
る一般式（１）の化合物を得ることもできる。
安全且つ簡便な操作で、しかも穏和な反応条件下に、目
的とする一般式（１）の１−アミノ−２，３−ジヒドロ
−７−ヒドロキシ−１Ｈ−インデン誘導体又はその塩を
好収率で純度よく製造し得る。また、一般式（２）の化
合物及び一般式（３）の化合物は、単離、精製すること
なく、連続的に反応を行なうことによっても、目的とす
る一般式（１）の化合物を得ることもできる。
【００２２】
【実施例】以下に参考例及び実施例を掲げて本発明をよ
り一層明らかにする。
り一層明らかにする。
【００２３】参考例１ メタノール２１６ｍｌに２，２，４，６−テトラメチル
−７−ヒドロキシ−１−インダノン３０．８ｇ及びヒド
ロキシルアミン・塩酸塩２６．２ｇを懸濁させた液にト
リエチルアミン６２．７ｍｌを加え、４時間還流した。
原料消失を確認後、冷却し、次に水９２．４ｍｌを加
え、濃縮した。更に水９２．４ｍｌを加え、酢酸エチル
１８４．８ｍｌにて抽出した。水洗後、酢酸エチルを減
圧留去し、ヘキサン４１．１ｍｌにて洗浄し、２，２，
４，６−テトラメチル−７−ヒドロキシ−１−インダノ
ンオキシム３２．０２ｇ（収率９６．９％）を得た。こ
れをシリカゲルカラム（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝３
／１）で分離すると、融点１３１．８℃のアンチ体がま
ず溶出し、次に融点１５２．５℃のシン体が溶出する。
−７−ヒドロキシ−１−インダノン３０．８ｇ及びヒド
ロキシルアミン・塩酸塩２６．２ｇを懸濁させた液にト
リエチルアミン６２．７ｍｌを加え、４時間還流した。
原料消失を確認後、冷却し、次に水９２．４ｍｌを加
え、濃縮した。更に水９２．４ｍｌを加え、酢酸エチル
１８４．８ｍｌにて抽出した。水洗後、酢酸エチルを減
圧留去し、ヘキサン４１．１ｍｌにて洗浄し、２，２，
４，６−テトラメチル−７−ヒドロキシ−１−インダノ
ンオキシム３２．０２ｇ（収率９６．９％）を得た。こ
れをシリカゲルカラム（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝３
／１）で分離すると、融点１３１．８℃のアンチ体がま
ず溶出し、次に融点１５２．５℃のシン体が溶出する。
【００２４】アンチ体； 融点：１３１．８℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ｄ−ＤＭＳＯ）δ（ｐｐｍ）：１．４５
（６Ｈ，ｓ）、２．０７（３Ｈ，ｓ）、２．１０（３
Ｈ，ｓ）、２．７５（２Ｈ，ｓ）、６．８９（１Ｈ，
ｓ）、９．１５（１Ｈ，ｓ）、１０．８８（１Ｈ，ｓ） シン体； 融点：１５２．５℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ｄ−ＤＭＳＯ）δ（ｐｐｍ）：１．２１
（６Ｈ，ｓ）、２．０５（３Ｈ，ｓ）、２．０８（３
Ｈ，ｓ）、２．６５（２Ｈ，ｓ）、７．０２（１Ｈ，
ｓ）、１０．３５（１Ｈ，ｓ）、１２．４５（１Ｈ，
ｓ）。
（６Ｈ，ｓ）、２．０７（３Ｈ，ｓ）、２．１０（３
Ｈ，ｓ）、２．７５（２Ｈ，ｓ）、６．８９（１Ｈ，
ｓ）、９．１５（１Ｈ，ｓ）、１０．８８（１Ｈ，ｓ） シン体； 融点：１５２．５℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ｄ−ＤＭＳＯ）δ（ｐｐｍ）：１．２１
（６Ｈ，ｓ）、２．０５（３Ｈ，ｓ）、２．０８（３
Ｈ，ｓ）、２．６５（２Ｈ，ｓ）、７．０２（１Ｈ，
ｓ）、１０．３５（１Ｈ，ｓ）、１２．４５（１Ｈ，
ｓ）。
【００２５】実施例１ 上記参考例１で得られた２，２，４，６−テトラメチル
−７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシム（シン体及
びアンチ体の混合物）８．１４ｇを酢酸エチル８１．４
ｍｌに懸濁させた液に５〜１５℃にて無水酢酸３．５７
ｍｌを滴下し、室温で３０分間反応させた。反応液を４
時間還流させると、２，２，４，６−テトラメチル−７
−ヒドロキシ−１−インダノンオキシムアセチレートの
シン／アンチ比が約１／９になった。反応液を濃縮した
後、残渣をｎ−ヘキサン８１．４ｍｌで洗浄し、２，
２，４，６−テトラメチル−７−ヒドロキシ−１−イン
ダノンオキシムアセチレートを８．１４ｇ（収率８３．
９％）得た。得られた２，２，４，６−テトラメチル−
７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシムアセチレート
は殆んどアンチ体であった。
−７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシム（シン体及
びアンチ体の混合物）８．１４ｇを酢酸エチル８１．４
ｍｌに懸濁させた液に５〜１５℃にて無水酢酸３．５７
ｍｌを滴下し、室温で３０分間反応させた。反応液を４
時間還流させると、２，２，４，６−テトラメチル−７
−ヒドロキシ−１−インダノンオキシムアセチレートの
シン／アンチ比が約１／９になった。反応液を濃縮した
後、残渣をｎ−ヘキサン８１．４ｍｌで洗浄し、２，
２，４，６−テトラメチル−７−ヒドロキシ−１−イン
ダノンオキシムアセチレートを８．１４ｇ（収率８３．
９％）得た。得られた２，２，４，６−テトラメチル−
７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシムアセチレート
は殆んどアンチ体であった。
【００２６】アンチ体； 融点：１５９．４℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ｄ−ＤＭＳＯ）δ（ｐｐｍ）：１．４８
（６Ｈ，ｓ）、２．１０（３Ｈ，ｓ）、２．１４（３
Ｈ，ｓ）、２．２３（３Ｈ，ｓ）、２．８６（２Ｈ，
ｓ）、７．０８（１Ｈ，ｓ）、８．９４（１Ｈ，ｓ）。
（６Ｈ，ｓ）、２．１０（３Ｈ，ｓ）、２．１４（３
Ｈ，ｓ）、２．２３（３Ｈ，ｓ）、２．８６（２Ｈ，
ｓ）、７．０８（１Ｈ，ｓ）、８．９４（１Ｈ，ｓ）。
【００２７】実施例２ 上記実施例１で得られた２，２，４，６−テトラメチル
−７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシムアセチレー
ト２．００ｇを酢酸エチル２０ｍｌに溶解した液を、１
０％パラジウム−炭素（約５０％含水）を触媒として、
４５〜５０℃にて接触還元（３〜４ｋｇ／ｃｍ2 ）。約
２時間で反応終了を確認後、触媒を濾去し、酢酸エチル
を留去した。残渣を塩化メチレンに溶解し、濃塩酸を滴
下し、更にｎ−ヘキサンを加え、析出晶を濾取して、１
−アミノ−２，２，４，６−テトラメチル−７−ヒドロ
キシ−２，３−ジヒドロ−１−インデン・塩酸塩を１．
５８ｇ（収率８５．４％）得た。
−７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシムアセチレー
ト２．００ｇを酢酸エチル２０ｍｌに溶解した液を、１
０％パラジウム−炭素（約５０％含水）を触媒として、
４５〜５０℃にて接触還元（３〜４ｋｇ／ｃｍ2 ）。約
２時間で反応終了を確認後、触媒を濾去し、酢酸エチル
を留去した。残渣を塩化メチレンに溶解し、濃塩酸を滴
下し、更にｎ−ヘキサンを加え、析出晶を濾取して、１
−アミノ−２，２，４，６−テトラメチル−７−ヒドロ
キシ−２，３−ジヒドロ−１−インデン・塩酸塩を１．
５８ｇ（収率８５．４％）得た。
【００２８】融点：２３１．９℃（分解）1 Ｈ−ＮＭＲ（ｄ−ＤＭＳＯ）δ（ｐｐｍ）：１．０３
（３Ｈ，ｓ）、１．２１（３Ｈ，ｓ）、２．０６（３
Ｈ，ｓ）、２．１３（３Ｈ，ｓ）、２．４７（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ）、２．９０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１
５．８Ｈｚ）、４．２３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ）、
６．８８（１Ｈ，ｓ）、８．１４（３Ｈ，ｓ）、８．９
２（１Ｈ，ｓ）。
（３Ｈ，ｓ）、１．２１（３Ｈ，ｓ）、２．０６（３
Ｈ，ｓ）、２．１３（３Ｈ，ｓ）、２．４７（１Ｈ，
ｄ，Ｊ＝１５．８Ｈｚ）、２．９０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１
５．８Ｈｚ）、４．２３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ）、
６．８８（１Ｈ，ｓ）、８．１４（３Ｈ，ｓ）、８．９
２（１Ｈ，ｓ）。
【００２９】実施例３ 上記参考例１で得られた２，２，４，６−テトラメチル
−７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシム（シン体及
びアンチ体の混合物）２．０ｇを酢酸エチル３０ｍｌに
溶解させた液を無水酢酸０．８８ｍｌでアセチル化し、
還流下で２，２，４，６−テトラメチル−７−ヒドロキ
シ−１−インダノンオキシムアセチレートのシン／アン
チ比を約９／１とした後、冷却した。次にこの反応液を
１０％パラジウム−炭素（約５０％含水）を触媒とし
て、４５〜５０℃にて接触還元（３〜４ｋｇ／ｃ
ｍ2 ）。反応終了を確認後、触媒を濾去し、酢酸エチル
を留去した。残渣を塩化メチレンに溶解し、濃塩酸を滴
下し、更にｎ−ヘキサンを加え、析出晶を濾取して、１
−アミノ−２，２，４，６−テトラメチル−７−ヒドロ
キシ−２，３−ジヒドロ−１−インデン・塩酸塩を１．
９２ｇ（収率８７．３％）得た。融点：２３１．９℃
（分解） 実施例４ メタノール７０ｍｌに２，２，４，６−テトラメチル−
７−ヒドロキシ−１−インダノン１０．００ｇ、ヒドロ
キシルアミン・塩酸塩８．５０ｇ及びトリエチルアミン
２０．４ｍｌを懸濁させた液を４時間還流した。反応終
了後、水３０ｍｌを加え、濃縮後、更に水３０ｍｌを加
え、酢酸エチル９０ｍｌにて抽出した。酢酸エチル層を
水洗後、冷却した。５〜１０℃にて無水酢酸４．８４ｍ
ｌを滴下し、室温にて０．５時間攪拌後、４時間還流し
た。シン体／アンチ体＝９／１を確認した後、放冷し
た。１０％パラジウム−炭素（５０％含水）を触媒と
し、接触水素還元した。反応終了後、触媒を濾過し、減
圧濃縮し、残渣を塩化メチレン（１００ｍｌ）に溶解
し、氷冷後濃塩酸４．９６ｇを加え、更にｎ−ヘキサン
１００ｍｌを加えて結晶化させた。得られた結晶を濾取
して、１−アミノ−２，２，４，６−テトラメチル−７
−ヒドロキシ−２，３−ジヒドロ−１−インデン・塩酸
塩を８．８４ｇ（収率７４．７％）得た。融点：２３
１．９℃（分解）
−７−ヒドロキシ−１−インダノンオキシム（シン体及
びアンチ体の混合物）２．０ｇを酢酸エチル３０ｍｌに
溶解させた液を無水酢酸０．８８ｍｌでアセチル化し、
還流下で２，２，４，６−テトラメチル−７−ヒドロキ
シ−１−インダノンオキシムアセチレートのシン／アン
チ比を約９／１とした後、冷却した。次にこの反応液を
１０％パラジウム−炭素（約５０％含水）を触媒とし
て、４５〜５０℃にて接触還元（３〜４ｋｇ／ｃ
ｍ2 ）。反応終了を確認後、触媒を濾去し、酢酸エチル
を留去した。残渣を塩化メチレンに溶解し、濃塩酸を滴
下し、更にｎ−ヘキサンを加え、析出晶を濾取して、１
−アミノ−２，２，４，６−テトラメチル−７−ヒドロ
キシ−２，３−ジヒドロ−１−インデン・塩酸塩を１．
９２ｇ（収率８７．３％）得た。融点：２３１．９℃
（分解） 実施例４ メタノール７０ｍｌに２，２，４，６−テトラメチル−
７−ヒドロキシ−１−インダノン１０．００ｇ、ヒドロ
キシルアミン・塩酸塩８．５０ｇ及びトリエチルアミン
２０．４ｍｌを懸濁させた液を４時間還流した。反応終
了後、水３０ｍｌを加え、濃縮後、更に水３０ｍｌを加
え、酢酸エチル９０ｍｌにて抽出した。酢酸エチル層を
水洗後、冷却した。５〜１０℃にて無水酢酸４．８４ｍ
ｌを滴下し、室温にて０．５時間攪拌後、４時間還流し
た。シン体／アンチ体＝９／１を確認した後、放冷し
た。１０％パラジウム−炭素（５０％含水）を触媒と
し、接触水素還元した。反応終了後、触媒を濾過し、減
圧濃縮し、残渣を塩化メチレン（１００ｍｌ）に溶解
し、氷冷後濃塩酸４．９６ｇを加え、更にｎ−ヘキサン
１００ｍｌを加えて結晶化させた。得られた結晶を濾取
して、１−アミノ−２，２，４，６−テトラメチル−７
−ヒドロキシ−２，３−ジヒドロ−１−インデン・塩酸
塩を８．８４ｇ（収率７４．７％）得た。融点：２３
１．９℃（分解）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 213/02 7457−4Ｈ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (72)発明者 田房 不二男 徳島県板野郡北島町新喜来字下竿１−65 (72)発明者 南川 純一 徳島県鳴門市撫養町大桑島字蛭子山88−３
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 〔式中Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ低級アルキ
ル基を示す。〕で表わされる７−ヒドロキシ−１−イン
ダノンオキシム誘導体をアシル化して一般式 【化２】 〔式中Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記に同じ。Ｒ5 は
低級アルキル基を示す。〕で表わされる７−ヒドロキシ
−１−インダノンオキシムアシレート誘導体を得、次い
で得られる化合物を接触還元して一般式 【化３】 〔式中Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記に同じ。〕で表
わされる１−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキ
シ−１Ｈ−インデン誘導体を得、更に必要に応じて得ら
れる化合物を酸処理して塩を形成させることを特徴とす
る１−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１
Ｈ−インデン誘導体又はその塩の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5026401A JPH06239812A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | １−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１ｈ−インデン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5026401A JPH06239812A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | １−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１ｈ−インデン誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06239812A true JPH06239812A (ja) | 1994-08-30 |
Family
ID=12192540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5026401A Pending JPH06239812A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | １−アミノ−２，３−ジヒドロ−７−ヒドロキシ−１ｈ−インデン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06239812A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999003824A1 (fr) * | 1997-07-15 | 1999-01-28 | Agro-Kanesho Co., Ltd. | Agent de lutte contre les maladies ou de lutte anti-parasitaire contenant un derive bicyclique a substitution alcoxyamino en tant qu'ingredient actif |
| KR100592805B1 (ko) * | 2004-04-13 | 2006-06-26 | 한국화학연구원 | 인덴 유도체 및 이의 제조방법 |
| EP2116527A1 (en) * | 2007-01-23 | 2009-11-11 | FUJIFILM Corporation | Oxime compound, photosensitive composition, color filter, method for production of the color filter, and liquid crystal display element |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP5026401A patent/JPH06239812A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999003824A1 (fr) * | 1997-07-15 | 1999-01-28 | Agro-Kanesho Co., Ltd. | Agent de lutte contre les maladies ou de lutte anti-parasitaire contenant un derive bicyclique a substitution alcoxyamino en tant qu'ingredient actif |
| US6291399B1 (en) | 1997-07-15 | 2001-09-18 | Agro-Kanesho Co., Ltd. | Agent for controlling diseases and insect pests, containing alkoxyimino-substituted bicyclic derivative as active ingredient |
| KR100592805B1 (ko) * | 2004-04-13 | 2006-06-26 | 한국화학연구원 | 인덴 유도체 및 이의 제조방법 |
| EP2116527A1 (en) * | 2007-01-23 | 2009-11-11 | FUJIFILM Corporation | Oxime compound, photosensitive composition, color filter, method for production of the color filter, and liquid crystal display element |
| EP2116527A4 (en) * | 2007-01-23 | 2011-09-14 | Fujifilm Corp | OXIME COMPOUND, PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, COLOR FILTER, METHOD FOR MANUFACTURING THE COLOR FILTER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT |
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