JPH0623352B2 - Paste for bonding semiconductor elements - Google Patents
Paste for bonding semiconductor elementsInfo
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- JPH0623352B2 JPH0623352B2 JP61034996A JP3499686A JPH0623352B2 JP H0623352 B2 JPH0623352 B2 JP H0623352B2 JP 61034996 A JP61034996 A JP 61034996A JP 3499686 A JP3499686 A JP 3499686A JP H0623352 B2 JPH0623352 B2 JP H0623352B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は、半導体チップの接着に適した半導体素子接着
用ペーストに関する。TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor element bonding paste suitable for bonding semiconductor chips.
［発明の技術的背景とその問題点］ 半導体装置の製造において、金属薄板（リードフレー
ム）上の所定部分に、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップを
電気的に接続する工程（マウント工程）は、半導体装置
の長期信頼性に影響を与える重要な工程の１つである。
従来、この接続方法として、チップ裏面のＳｉ面をリー
ドフレーム上のＡｕメッキ面に加熱圧接するというＡｕ
−Ｓｉの共晶法が主流であった。しかし、近年の貴金
属、特にＡｕの高騰を契機として、樹脂モールド型半導
体装置ではＡｕ−Ｓｉ共晶法から、半田を使用する方
法、導電性接着剤を使用する方法などに急速に移行しつ
つある。[Technical Background of the Invention and Problems Thereof] In manufacturing a semiconductor device, the step of electrically connecting a semiconductor chip such as an IC or an LSI to a predetermined portion on a thin metal plate (lead frame) (mounting step) is a semiconductor step. This is one of the important processes that affects the long-term reliability of the device.
Conventionally, as this connection method, the Si surface on the back surface of the chip is heated and pressure-bonded to the Au-plated surface on the lead frame.
The -Si eutectic method was the mainstream. However, in recent years, the soaring price of precious metals, especially Au, has led to a rapid shift from the Au-Si eutectic method to a method using solder, a method using a conductive adhesive, etc. in resin-molded semiconductor devices. .
しかし、半田を使用する方法は、一部実用化されてはい
るが半田や半田ボールが飛散して電極等に付着し、腐食
断線の原因となる欠点がある。一方、導電性接着剤を使
用する方法は、通常Ａｇ粉末を配合したエポキシ樹脂が
用いられて、約10年程前から一部実用化されてきたが、
Ａｕ−Ｓｉの共晶合金を生成させる共晶法に比較して信
頼性の面で満足すべきものがなかった。またこの方法
は、半田法に比べて耐熱性に優れている等の長所を有し
ているが、樹脂やその硬化剤が半導体素子接着用として
作られたものでないために、耐湿性に劣ってアルミニウ
ム電極の腐食を促進し断線不良の原因となる場合が多
く、やはりＡｕ−Ｓｉ共晶法に比べて信頼性に劣ってい
た。However, although the method using solder has been partially put into practical use, it has a drawback that solder or solder balls scatter and adhere to electrodes or the like, which causes corrosion disconnection. On the other hand, the method of using a conductive adhesive usually uses an epoxy resin mixed with Ag powder and has been partially put into practical use for about 10 years.
There was nothing satisfactory in terms of reliability as compared with the eutectic method for producing a eutectic alloy of Au-Si. Further, this method has advantages such as excellent heat resistance as compared with the solder method, but since the resin and its curing agent are not made for bonding semiconductor elements, they have poor moisture resistance. In many cases, the corrosion of the aluminum electrode is promoted to cause a disconnection failure, and the reliability is lower than that of the Au-Si eutectic method.
［発明の目的］ 本発明は、上記の実情に鑑みてなされたもので、その目
的は、半導体チップへの接着性、耐加水分解性に優れる
とともに、半導体装置の耐湿信頼性を大幅に向上させる
半導体素子接着用ペーストを提供しようとするものであ
る。[Object of the Invention] The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to have excellent adhesiveness to a semiconductor chip and hydrolysis resistance and to significantly improve the moisture resistance reliability of a semiconductor device. It is intended to provide a paste for bonding a semiconductor device.
［発明の概要］ 本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、樹脂中にＯＨ基を有する無機イオン交換性物
質を配合し、不純物を捕捉固定し可動の不純物イオンを
低減させることにより、半導体素子の信頼性が向上する
ことを見いだし、本発明を完成させたものである。即
ち、本発明は、合成樹脂、充填剤および官能基としてＯ
Ｈ基を有する無機イオン交換性物質を含有する半導体素
子接着用ペーストであって、上記した官能基としてＯＨ
基を有する無機イオン交換性物質が、アンチモン酸、ス
ズ酸、チタン酸、ニオブ酸若しくはマンガン酸の多価金
属酸、アンチモン酸、スズ酸、チタン酸、ニオブ酸若し
くはマンガン酸の多価金属酸塩、リン酸ジルコニウム、
リン酸チタン、リン酸スズ、リン酸セリウム、ヒ酸スズ
若しくはヒ酸チタンの多価金属多塩基酸塩、モリブドリ
ン酸若しくはリンタングステン酸のヘテロポリ酸、又は
ハイドロタルサイト（Ｍｇ６・Ａｌ２（ＯＨ）16ＣＯ３
・４Ｈ２Ｏ）、鉄酸、ジルコニウム酸、チタン酸若しく
は含水３酸化ビスマス酸の含水酸化物であることを特徴
とする半導体素子接着用ペーストである。そして、好適
には、該無機イオン交換物質を１〜20重量％の割合で含
有させた半導体素子接着用ペーストである。[Summary of the Invention] As a result of intensive studies to achieve the above-mentioned object, the present inventors blended an inorganic ion-exchangeable substance having an OH group into a resin, trapped and fixed an impurity, and was a movable impurity ion. It has been found that the reliability of the semiconductor element is improved by reducing the above-mentioned value, and the present invention has been completed. That is, according to the present invention, as a synthetic resin, a filler and a functional group, O is used.
A paste for bonding a semiconductor device, which contains an inorganic ion-exchangeable substance having an H group, wherein OH is used as the above-mentioned functional group.
The inorganic ion-exchange substance having a group is a polyvalent metal acid of antimonic acid, stannic acid, titanic acid, niobic acid or manganic acid, antimonic acid, stannic acid, titanic acid, polyvalent metal acid salt of niobic acid or manganic acid. , Zirconium phosphate,
Titanium phosphate, tin phosphate, cerium phosphate, polyvalent metal polybasic acid salt of tin arsenate or titanium arsenate, heteropolyacid of molybdophosphoric acid or phosphotungstic acid, or hydrotalcite (Mg 6 · Al 2 (OH ) 16 CO 3
4H 2 O), ferric acid, zirconic acid, titanic acid, or hydrous oxide of hydrous bismuth trioxide, which is a semiconductor element bonding paste. And, it is preferably a semiconductor element bonding paste containing the inorganic ion exchange material in a ratio of 1 to 20% by weight.
本発明に用いる合成樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ
アミド−エステル樹脂、ポリイミド−エステル樹脂、ポ
リブタジエン系樹脂等が挙げられ、これら単独もしくは
２種以上混合して用いる。またこれらの合成樹脂には反
応性の希釈剤としてアリルエーテル化合物やモノエポキ
シ化合物を加えることもできる。Examples of the synthetic resin used in the present invention include an epoxy resin, a polyester resin, a polyamide resin, a polyimide resin, a polyamide-ester resin, a polyimide-ester resin, and a polybutadiene-based resin, and these are used alone or in combination of two or more. Further, an allyl ether compound or a monoepoxy compound may be added to these synthetic resins as a reactive diluent.
本発明に用いる充填剤としては、導電性又は非導電性い
ずれの充填剤も広く使用することができる。導電性充填
剤としては、金粉末、銀粉末、銅粉末、ニッケル粉末、
アルミニウム粉末、表面に金属層を有する樹脂粉末等が
挙げられ、一方、非導電性充填剤としては、シリカ粉
末、タルク、水和アルミナ、β−ユークリプタイト等が
挙げられ、これらは単独もしくは２種以上混合して使用
する。As the filler used in the present invention, either conductive or non-conductive filler can be widely used. As the conductive filler, gold powder, silver powder, copper powder, nickel powder,
Examples of the non-conductive filler include aluminum powder and resin powder having a metal layer on the surface thereof. On the other hand, examples of the non-conductive filler include silica powder, talc, hydrated alumina, β-eucryptite, and the like. Use as a mixture of two or more species.
本発明に用いる官能基としてＯＨ基を有する無機イオン
交換物質としては、アルカリ金属イオンに対する交換性
を有するイオン交換性のものと、ハロゲンイオン交換性
をもつ陰イオン交換性のものに分けることができる。ア
ルカリ金属イオン交換物質としては、アンチモン酸、ス
ズ酸、チタン酸、ニオプ酸、マンガン酸等の多価金属酸
およびその多価金属酸の塩、リン酸ジルコニウム、リン
酸チタン、リン酸スズ、リン酸セリウム、ヒ酸スズ、ヒ
酸チタン等の多価金属多塩基酸塩、モリブドリン酸、リ
ンタングステン酸等のヘテロポリ酸等が挙げられる。こ
れらはすべてイオン交換性を示す−Ｏ−Ｈ＋結合を有
し、このＨ＋がアルカリ金属イオンと交換するものであ
る。また、ハロゲンイオン交換性物質としては、上記と
同様の−ＯＨ結合を有するもので、ハイドロタルサイト
（Ｍｇ６・Ａｌ２（ＯＨ）16ＣＯ３・４Ｈ２Ｏ）、鉄
酸、ジルコニウム酸、チタン酸、含水３酸化ビスマス酸
等の含水酸化物を挙げることができ、これらは前記のア
ルカリ金属イオン交換性物質と併用することもできる。
またこれらのイオン交換性物質は単独、混合品、又は複
塩などの各種の態様で使用してもよく、目的によって使
い分けることができる。上述の各種無機イオン交換性物
質のうち、特に有用なものは、アンチモン酸およびその
塩、リン酸ジルコニウム、リン酸セリウム、リン酸ス
ズ、リン酸チタン、含水酸化ビスマス、含水酸化マンガ
ン、含水酸化スズ、含水酸化チタン、含水酸化ジルコニ
ウム等である。この無機イオン交換性物質の使用は、半
導体素子接着用ペーストの捕捉すべきイオンの種類、量
およびペーストとして他の物性のバランス等から決定さ
れる。通常の配合割合は、ペースト全体に対して0.1〜2
0重量％であることが好ましい。なかでも0.5〜10重量％
の範囲が特に好適である。配合割合が0.1重量％未満で
はイオン性不純物の捕捉固定が困難で好ましくなく、ま
た20重量％を超えるとペースト本来の特性が悪くなり好
ましくない。The inorganic ion exchange material having an OH group as a functional group used in the present invention can be divided into an ion exchange material having an exchangeability with an alkali metal ion and an anion exchange material having a halogen ion exchangeability. . Examples of the alkali metal ion exchange material include polyvalent metal acids such as antimonic acid, stannic acid, titanic acid, niopic acid and manganic acid and salts of the polyvalent metal acids, zirconium phosphate, titanium phosphate, tin phosphate, phosphorus Examples thereof include polyvalent metal polybasic acid salts such as cerium acid, tin arsenate and titanium arsenate, and heteropolyacids such as molybdophosphoric acid and phosphotungstic acid. All of these have an —O — H + bond exhibiting ion exchange properties, and this H + exchanges with an alkali metal ion. As the halogen ion-exchange material, as it has the same -OH bond and the hydrotalcite (Mg 6 · Al 2 (OH ) 16 CO 3 · 4H 2 O), ferrate, zirconate, titanium Hydrous oxides such as acids and hydrous bismuth trioxide can be mentioned, and these can be used in combination with the above-mentioned alkali metal ion-exchangeable substances.
These ion-exchangeable substances may be used alone, in a mixture, or in various forms such as a double salt, and can be used properly according to the purpose. Among the various inorganic ion-exchangeable substances described above, particularly useful are antimonic acid and its salts, zirconium phosphate, cerium phosphate, tin phosphate, titanium phosphate, bismuth hydroxide, manganese hydroxide and tin hydroxide. , Hydrous titanium oxide, hydrous zirconium oxide and the like. The use of this inorganic ion-exchangeable substance is determined by the kind and amount of ions to be captured in the semiconductor element bonding paste and the balance of other physical properties of the paste. The usual compounding ratio is 0.1 to 2 with respect to the entire paste.
It is preferably 0% by weight. Above all, 0.5-10% by weight
Is particularly preferred. If the mixing ratio is less than 0.1% by weight, it is difficult to capture and fix ionic impurities, and if it exceeds 20% by weight, the original characteristics of the paste are deteriorated, which is not preferable.
本発明の半導体素子接着用ペーストは、合成樹脂、充填
剤および無機イオン交換性物質を含むが、本発明の趣旨
をそこなわない限り、必要に応じて他の成分を添加する
こともできる。本発明のペーストは、所定の成分を配合
し、セラミック三本ロールにて３回混練して容易につく
ることができ、半導体チップの接着等に使用される。The paste for bonding a semiconductor element of the present invention contains a synthetic resin, a filler and an inorganic ion-exchangeable substance, but other components may be added if necessary, as long as the gist of the present invention is not impaired. The paste of the present invention can be easily prepared by mixing predetermined components and kneading with a three-roll ceramic roll three times, and is used for bonding semiconductor chips and the like.
［発明の実施例］ 次に本発明を実施例によって説明するが本発明はこれら
の実施例によって限定されるものではない。実施例およ
び比較例において「部」は特に説明のない限り「重量
部」を意味する。[Examples of the Invention] Next, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the examples and comparative examples, "parts" means "parts by weight" unless otherwise specified.
実施例１ アンチモン酸スズ0.4部、エポキシ系樹脂の無溶剤型バ
インダーおよび銀粉末からなる銀ペースト100部を、セ
ラミック三本ロールで３回混練して、半導体素子接着用
ペースト（Ａ）を得た。Example 1 0.4 part of tin antimonate, 100 parts of a silver paste consisting of a solvent-free binder of an epoxy resin and silver powder were kneaded three times with a three-roll ceramic roll to obtain a semiconductor element bonding paste (A). .
実施例２ アンチモン酸マンガン1.0部、ポリイミド系樹脂バイン
ダーおよび銀粉末からなる銀ペースト100部を、実施例
１と同様に混練して半導体素子接着用ペースト（Ｂ）を
得た。Example 2 A manganese antimonate (1.0 part), a polyimide-based resin binder and 100 parts of a silver paste composed of silver powder were kneaded in the same manner as in Example 1 to obtain a semiconductor element bonding paste (B).
実施例３ アンチモン酸ビスマス1.0部、酸無水物硬化型エポキシ
樹脂バインダーおよび銀粉末からなる銀ペースト100部
を、実施例１と同様に混練して半導体素子接着用ペース
ト（Ｃ）を得た。Example 3 100 parts of a silver paste consisting of 1.0 part of bismuth antimonate, an acid anhydride-curable epoxy resin binder and silver powder were kneaded in the same manner as in Example 1 to obtain a semiconductor element bonding paste (C).
比較例１〜３ 実施例１〜３の配合において無機イオン交換性物質を加
えないペーストを、比較例１〜３の接着ペースト（Ａ−
１、Ｂ−１、Ｃ−１）とした。実施例１〜３および比較
例１〜３で得られた接着ペーストの不純物イオンの分
析、耐湿性および接着性を試験した。その結果を第１表
に示したが、本発明のペーストは比較例のものに比べて
抽出される可動の不純物イオンの量の少ないことがわか
る。Comparative Examples 1 to 3 A paste containing no inorganic ion-exchangeable material in the formulations of Examples 1 to 3 was used as the adhesive paste of Comparative Examples 1 to 3 (A-
1, B-1, C-1). The adhesive pastes obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 were tested for impurity ion analysis, moisture resistance and adhesiveness. The results are shown in Table 1, and it can be seen that the paste of the present invention has a smaller amount of movable impurity ions extracted as compared with the paste of the comparative example.
［発明の効果］ 本発明の半導体素子接着用ペーストは、接着性、耐加水
分解性に優れているとともに、抽出される可動の不純物
イオンが少なく、電極の腐食が少なく、断線不良となる
ことがない。従って、このペーストを使用した半導体装
置では耐湿信頼性を大幅に向上させることができる。 [Advantages of the Invention] The semiconductor element bonding paste of the present invention is excellent in adhesiveness and hydrolysis resistance, has a small amount of movable impurity ions to be extracted, has a small amount of electrode corrosion, and may cause disconnection failure. Absent. Therefore, in a semiconductor device using this paste, the moisture resistance reliability can be greatly improved.
Claims (2)
基を有する無機イオン交換性物質を含有する半導体素子
接着用ペーストであって、上記した官能基としてＯＨ基
を有する無機イオン交換性物質が、アンチモン酸、スズ
酸、チタン酸、ニオブ酸若しくはマンガン酸の多価金属
酸、アンチモン酸、スズ酸、チタン酸、ニオブ酸若しく
はマンガン酸の多価金属酸塩、リン酸ジルコニウム、リ
ン酸チタン、リン酸スズ、リン酸セリウム、ヒ酸スズ若
しくはヒ酸チタンの多価金属多塩基酸塩、モリブドリン
酸若しくはリンタングステン酸のヘテロポリ酸、又はハ
イドロタルサイト（Ｍｇ６・Ａｌ２（ＯＨ）16ＣＯ３・
４Ｈ２Ｏ）、鉄酸、ジルコニウム酸、チタン酸若しくは
含水３酸化ビスマス酸の含水酸化物であることを特徴と
する半導体素子接着用ペースト。1. Synthetic resin, filler and OH as a functional group
A semiconductor element bonding paste containing an inorganic ion-exchangeable substance having a group, wherein the inorganic ion-exchangeable substance having an OH group as the functional group is antimonic acid, stannic acid, titanic acid, niobic acid or manganic acid. Polyvalent metal acid salts of polyvalent metal acids, antimonic acid, stannic acid, titanic acid, niobium acid or manganic acid, zirconium phosphate, titanium phosphate, tin phosphate, cerium phosphate, tin arsenate or titanium arsenate Polyvalent metal polybasic acid salt, molybdophosphoric acid or phosphotungstic acid heteropolyacid, or hydrotalcite (Mg 6 Al 2 (OH) 16 CO 3
4H 2 O), ferric acid, zirconic acid, titanic acid, or a hydrous oxide of hydrous bismuth acid trioxide, for bonding a semiconductor element.
換性物質が、0.1〜20重量％の割合で含有される特許請
求の範囲第１項記載の半導体素子接着用ペースト。2. The paste for adhering to a semiconductor device according to claim 1, wherein the inorganic ion-exchange substance having an OH group as a functional group is contained in a proportion of 0.1 to 20% by weight.
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